JPH09167782A - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

Method for manufacturing semiconductor device

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Publication number
JPH09167782A
JPH09167782A JP7327492A JP32749295A JPH09167782A JP H09167782 A JPH09167782 A JP H09167782A JP 7327492 A JP7327492 A JP 7327492A JP 32749295 A JP32749295 A JP 32749295A JP H09167782 A JPH09167782 A JP H09167782A
Authority
JP
Japan
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resin
lead frame
pot
mold
semiconductor device
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP7327492A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Fumitoshi Fujisaki
文利 藤崎
Hiroyuki Kitasako
弘幸 北迫
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH09167782A publication Critical patent/JPH09167782A/en
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  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 外部導出用リード端子と電気的接続される半
導体素子を樹脂封止するモールド工程時に樹脂バリの発
生を防止し、成形性や樹脂の使用効率を向上させる半導
体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 モールド金型1は上型と下型とからな
る。上型1aは樹脂パッケージ形成用の樹脂充填部とな
る複数の上キャビティ2aと、充填樹脂の注入口となり
所定数のキャビティ(空洞)当り1個のポット3を有
し、下型1bは上キャビティに対向位置にあって樹脂充
填部となる下キャビティ2bと、ポット3の直下にあり
ポットへの注入樹脂を上下の空洞2の近傍へ流入させる
ランナー4と、それから上下空洞への樹脂流入用ゲート
5、及びリードフレーム載置部6を有している。ステー
ジ8上の半導体素子7と外部接続用リード端子を接続し
たリードフレーム10を下型の載置部6に載置後、上下
型の型閉めを行いポットから樹脂を注入し、空洞内に樹
脂を充填封止する。
(57) [Abstract] (Correction) [Problem] To prevent the formation of resin burrs during the molding process of resin-sealing the semiconductor element electrically connected to the lead-out terminal for external lead-out, and to improve the moldability and the usage efficiency of the resin. A method for manufacturing a semiconductor device is provided. A molding die 1 includes an upper die and a lower die. The upper mold 1a has a plurality of upper cavities 2a which serve as a resin filling portion for forming a resin package and a pot 3 which serves as an injection port for the filling resin and a predetermined number of cavities (cavities), and the lower mold 1b has an upper cavity. A lower cavity 2b which is a resin filling portion at a position opposite to the lower cavity 2; 5 and a lead frame mounting portion 6. After mounting the lead frame 10 to which the semiconductor element 7 on the stage 8 and the lead terminal for external connection is connected on the lower mold placement part 6, the upper and lower molds are closed and resin is injected from the pot to mold the resin into the cavity. Are filled and sealed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する分野】本発明は、半導体装置の製造方
法、特に外部に導出されるリード端子と電気的に接続さ
れる半導体素子を樹脂パッケージにて封止するモールド
工程を有する半導体装置の製造方法に関する。上記モー
ルド工程は、モールド金型に溶融する樹脂を充填するこ
とにより行われるが、金型からの樹脂の滲み出し等によ
る樹脂バリの発生を防止すことが必要とされている。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method of manufacturing a semiconductor device having a molding step of encapsulating a semiconductor element electrically connected to a lead terminal led to the outside with a resin package. Regarding The above-mentioned molding process is performed by filling a mold with a molten resin, but it is necessary to prevent the occurrence of resin burr due to the exudation of the resin from the mold.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の半導体装置の製造方法としては、
マルチプランジャー方式のモールド金型を使用するモー
ルド方法と、コンベンショナル方式のモールド金型を使
用するモールド方法とがある。図5は、マルチプランジ
ャー方式のモールド方法を説明するための金型の断面
図、図6は、コンベンショナル方式のモールド方法を説
明するための金型の断面図である。
2. Description of the Related Art As a conventional method of manufacturing a semiconductor device,
There are a molding method using a multi-plunger type molding die and a molding method using a conventional type molding die. FIG. 5 is a cross-sectional view of a mold for explaining a multi-plunger molding method, and FIG. 6 is a cross-sectional view of a mold for explaining a conventional molding method.

【0003】マルチプランジャー方式は、図5に示すよ
うに、所定数のキャビティ52に対してその中央部に位
置するポット53と、ポット53とキャビティを結ぶゲ
ート55及びキャビティ52間を結ぶゲート55’と、
複数のキャビティ52を含むリードフレーム載置部56
とを有するモールド金型51を使用して行う。モールド
金型51は図示していないが、上型と下型とからなりリ
ードフレーム載置部56上に半導体装置を搭載したリー
ドフレームを載置した後、型閉めを行う。その後、ポッ
ト53より溶融する樹脂を注入してゲート55,55’
を介して複数のキャビティ52内に樹脂を充填する。
In the multi-plunger system, as shown in FIG. 5, a pot 53 located at the center of a predetermined number of cavities 52, a gate 55 connecting the pots 53 to each other, and a gate 55 connecting the cavities 52 to each other. 'When,
Lead frame mounting portion 56 including a plurality of cavities 52
It is performed by using a molding die 51 having Although not shown, the molding die 51 is composed of an upper die and a lower die, and after mounting the lead frame on which the semiconductor device is mounted on the lead frame mounting portion 56, the mold is closed. After that, the molten resin is injected from the pot 53 to fill the gates 55, 55 '.
The resin is filled in the plurality of cavities 52 via the.

【0004】図5の場合は多段のリードフレームをポッ
ト53の両側に配置させるものであり、1個のポット5
3から8キャビティに対して樹脂を充填する構成になっ
ている。以上説明したマルチプランジャー方式のモール
ド方法は、ポット53からキャビティ52までの距離を
短くすることにより、樹脂の使用効率を向上させるもの
であり、近年の多品種少量生産の小型パッケージに対し
ては、本方法が主流となっている。
In the case of FIG. 5, multi-stage lead frames are arranged on both sides of the pot 53.
The resin is filled in the 3 to 8 cavities. The multi-plunger type molding method described above improves the efficiency of resin use by shortening the distance from the pot 53 to the cavity 52. , This method is the mainstream.

【0005】一方、コンベンショナル方式は、図6に示
すように、複数のキャビティ62と、中央部に位置する
ポット63と、ポット63からキャビティ62の近傍ま
で延びる複数のランナー64と、ランナー64とキャビ
ティ62とを連結するゲート65と、複数のキャビティ
62を含むリードフレーム載置部66とを有するモール
ド金型61を使用して行う。
On the other hand, in the conventional system, as shown in FIG. 6, a plurality of cavities 62, a pot 63 located at the center, a plurality of runners 64 extending from the pot 63 to the vicinity of the cavity 62, a runner 64 and a cavity. This is performed using a molding die 61 having a gate 65 that connects 62 to each other and a lead frame mounting portion 66 including a plurality of cavities 62.

【0006】モールド金型61は図示していないが、上
型と下型とからなりリードフレーム載置部66上に半導
体装置を搭載したリードフレームを載置した後、型閉め
を行う。その後、ポット63より溶融する樹脂を注入し
てランナー64及びゲート65を介して複数のキャビテ
ィ62内に樹脂を充填する。図6の場合は1個のポット
63より6本のランナー64が延びて、それぞれのラン
ナー64が両側5個ずつ、即ち10個のキャビティ62
に対してゲート65を介して樹脂を注入する構成となっ
ている。
Although not shown, the molding die 61 is composed of an upper die and a lower die, and after mounting the lead frame on which the semiconductor device is mounted on the lead frame mounting portion 66, the mold is closed. Then, a molten resin is injected from the pot 63 to fill the plurality of cavities 62 with the resin via the runner 64 and the gate 65. In the case of FIG. 6, six runners 64 extend from one pot 63, and each runner 64 has five cavities 62 on each side.
The resin is injected through the gate 65.

【0007】このようなコンベンショナル方式のモール
ド方法は、1度に多くのモールド封止を行うことができ
るため、大量生産に好適な方法である。
The conventional molding method is suitable for mass production because many moldings can be sealed at one time.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上記マルチプランジャ
ー方式、コンベンショナル方式共に、上型と下型との間
で部分的にリードフレームの厚さ分だけ隙間が生じるこ
とから、その隙間の部分においてキャビティからの樹脂
の滲み出しが起き、樹脂バリが発生する。図7は、樹脂
封止後の樹脂バリを示すリードフレーム平面図であり、
ランナー内樹脂74及びゲート内樹脂75を中央にし
て、両側に樹脂パッケージ73が形成されたリードフレ
ーム70を有している。
In both the multi-plunger system and the conventional system, a gap is partially formed between the upper die and the lower die by the thickness of the lead frame. Therefore, the cavity is formed in the gap. The resin oozes out from the resin, causing resin burr. FIG. 7 is a plan view of a lead frame showing a resin burr after resin sealing,
The lead frame 70 has a resin package 73 formed on both sides of the runner resin 74 and the gate resin 75 in the center.

【0009】図7に示すように、ゲート内樹脂75の周
辺部に滲み出し樹脂76が発生することになり、この滲
み出し樹脂76がランナー内樹脂74とゲート内樹脂7
5を除去した後も残存して樹脂バリとなる。このような
樹脂バリは、その後の外装メッキ工程では異物付着、切
断成形工程では金型内搬送障害及びリード変形等の原因
となる。
As shown in FIG. 7, the exuding resin 76 is generated in the peripheral portion of the in-gate resin 75, and the exuding resin 76 is generated in the runner resin 74 and the in-gate resin 7.
After 5 is removed, it remains and becomes resin burr. Such a resin burr causes adhesion of foreign matter in the subsequent exterior plating process, and troubles such as conveyance in the mold and lead deformation in the cutting and molding process.

【0010】上記障害を防止するためには、モールド封
止工程後に樹脂バリを除去する工程を行わなければなら
ないが、この工程は手作業にて行うか、或いは大掛かり
な治具を用意しなければならず、面倒なものとなる。ま
た、モールド金型の形状等を変更することにより、樹脂
の滲み出しを防止することも考えられるが、マルチプラ
ンジャー方式の場合は、各ゲート周辺部に突起を設ける
か、リードフレームの側辺と重なるように疑似ランナー
を設けなければならず、金型加工の複雑化、或いはポッ
トからキャビティまでの距離が長くなることによる成形
性劣化及び樹脂使用効率の悪化が生じる。
In order to prevent the above troubles, a step of removing the resin burr must be performed after the mold sealing step, but this step must be performed manually or a large jig must be prepared. It becomes troublesome. It is also possible to prevent the resin from seeping out by changing the shape of the mold, etc., but in the case of the multi-plunger method, provide a protrusion in the peripheral area of each gate, or Since a pseudo runner must be provided so as to overlap with the mold, the mold processing becomes complicated, or the distance from the pot to the cavity becomes long, resulting in deterioration of moldability and deterioration of resin use efficiency.

【0011】コンベンショナル方式の場合においても、
リードフレーム側辺とランナーを重ねることにより、樹
脂の滲み出しは防ぐことができるが、やはりポットから
キャビティまでの距離が著しく長くなり、成形性劣化、
及び樹脂の使用効率悪化が生じる。本発明は、上記課題
を解決して樹脂バリの発生を防止すると共に、成形性及
び樹脂の使用効率を向上させることを目的としている。
Even in the case of the conventional system,
By overlapping the side of the lead frame and the runner, the exudation of resin can be prevented, but the distance from the pot to the cavity also becomes extremely long and moldability deteriorates.
Also, the use efficiency of the resin deteriorates. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the above problems and prevent the occurrence of resin burrs, and improve moldability and resin use efficiency.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明は、リードフレームのステージ上に搭載された
状態で樹脂パッケージに封止さてなる半導体素子と、該
半導体素子と電気的に接続され樹脂パッケージ外部に導
出されるリード端子を有する半導体装置の製造方法にお
いて、前記樹脂パッケージを形成するための樹脂充填部
となる複数の上キャビティ2a、及び該上キャビティ2
aへ充填する樹脂の注入口となり、所定数のキャビティ
に対して1個設けられるポット3を有する上型1aと、
前記上キャビティ2aに対向する位置にあり、樹脂パッ
ケージを形成するための樹脂充填部となる下キャビティ
2b、前記ポット3の直下を横切る位置にあり、該ポッ
ト3に注入される樹脂を前記上下のキャビティ2の近傍
に流入させるランナー4、該ランナー4から前記上下の
キャビティ2内へ樹脂を流入させるゲート5、及び一側
辺が前記ランナー4の辺と一致するリードフレーム載置
部6を有する下型1bとからなるモールド金型1を用い
るもので、ステージ8上に半導体素子7を搭載すると共
に、該半導体素子7と外部接続用のリード端子とを電気
的に接続した状態のリードフレーム10を前記下型1b
のリードフレーム載置部6に載置した後、前記上型1a
と下型1bとの型閉めを行い、前記ポット3から溶融す
る樹脂を注入することによって、前記上下のキャビティ
2内に樹脂を充填する樹脂封止工程を含むことを特徴と
している。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention for solving the above problems provides a semiconductor element encapsulated in a resin package mounted on a stage of a lead frame and electrically connected to the semiconductor element. In a method of manufacturing a semiconductor device having a lead terminal led out of a resin package, a plurality of upper cavities 2a to be a resin filling portion for forming the resin package, and the upper cavity 2
an upper mold 1a which serves as an injection port for the resin to be filled in a and has one pot 3 provided for a predetermined number of cavities;
It is located at a position facing the upper cavity 2a and crosses the lower cavity 2b, which serves as a resin filling portion for forming a resin package, and directly below the pot 3, and the resin injected into the pot 3 is placed above and below the pot. A lower part having a runner 4 which flows into the vicinity of the cavity 2, a gate 5 which causes the resin to flow from the runner 4 into the upper and lower cavities 2, and a lead frame mounting portion 6 whose one side corresponds to the side of the runner 4. A mold 1 including a mold 1b is used, and a lead frame 10 in which a semiconductor element 7 is mounted on a stage 8 and the semiconductor element 7 and lead terminals for external connection are electrically connected to each other is provided. The lower mold 1b
Of the upper die 1a after being mounted on the lead frame mounting portion 6 of
And the lower mold 1b are closed, and a resin sealing step of filling the resin into the upper and lower cavities 2 by injecting a molten resin from the pot 3 is included.

【0013】上記本発明の半導体装置の製造方法によれ
ば、樹脂封止工程において、リードフレーム10の一側
辺と、ゲート5までの樹脂流路であるランナー4の一辺
とが一致した状態でキャビティ2内に樹脂が充填される
ため、ゲート5周辺部に樹脂の滲み出す隙間が発生しな
い。また、ランナー4がポット3の直下に位置してお
り、リードフレーム載置部6もランナー4辺に一致して
いるため、ランナー4及びゲート5共に短くできる。
According to the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, in the resin sealing step, one side of the lead frame 10 and one side of the runner 4 which is the resin flow path to the gate 5 are aligned with each other. Since the cavity 2 is filled with the resin, no resin bleeding gap is formed around the gate 5. Further, since the runner 4 is located immediately below the pot 3 and the lead frame mounting portion 6 is also aligned with the side of the runner 4, both the runner 4 and the gate 5 can be shortened.

【0014】従って、ポット3からキャビティ2までの
距離を短くなり、樹脂の使用効率が向上する。また、ポ
ット3からキャビティ2までの距離が短く、距離のばら
つきも小さいため、樹脂充填時の圧力等の制御が容易と
なることから、樹脂パッケージの成形性を向上させるこ
とができる。
Therefore, the distance from the pot 3 to the cavity 2 is shortened, and the resin usage efficiency is improved. Further, since the distance from the pot 3 to the cavity 2 is short and the variation in the distance is small, it becomes easy to control the pressure and the like at the time of resin filling, so that the moldability of the resin package can be improved.

【0015】[0015]

【実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参照しな
がら詳細に説明する。図1は、本発明に係るモールド方
法の一実施例を説明するためのモールド金型図であり、
図1(a)は上方断面図、図1(b)は図1(a)のA
−B断面図である。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a mold die diagram for explaining an embodiment of a molding method according to the present invention.
1 (a) is an upper sectional view, and FIG. 1 (b) is A in FIG. 1 (a).
It is -B sectional drawing.

【0016】但し、図1(a)においては、上型と下型
を重ねて主要部が全て見える状態で示している。(実際
の断面図では見えない) 本実施例のモールド工程で使用するモールド金型1は、
図1(a)に示すように、樹脂が充填される複数のキャ
ビティ2、樹脂注入口で8カ所のキャビティ2に対して
1個設けられるポット3、複数のポット3の直下に位置
してキャビティ2の近傍まで樹脂を流入するランナー
4、ランナー4から枝分かれして各キャビティ2への樹
脂流路となるゲート5、及び半導体素子を搭載するリー
ドフレームを載置するリードフレーム載置部6(太枠
部)とが備えられている。太枠はリードフレーム載置部
6を明確にするためのものであり、片方のみ示してい
る。
However, in FIG. 1 (a), the upper die and the lower die are overlapped with each other to show all the main parts. (Invisible in an actual sectional view) The molding die 1 used in the molding process of the present embodiment is
As shown in FIG. 1 (a), a plurality of cavities 2 filled with resin, one pot 3 provided for each of the eight cavities 2 at the resin injection port, and a cavity located immediately below the plurality of pots 3. 2 is a runner 4 that flows in resin to the vicinity of 2, a gate 5 that branches from the runner 4 and serves as a resin flow path to each cavity 2, and a lead frame mounting portion 6 (thick And a frame portion). The thick frame is for clarifying the lead frame mounting portion 6, and only one is shown.

【0017】以上のようなモールド金型1は、図1
(b)の断面図に示すように、上型1aと下型1bとか
らなるものであり、本実施例の場合、キャビティ2は上
下の金型にそれぞれ上キャビティ2a、下キャビティ2
bとして対向するように設けられ、ポット3は上型1a
に、ランナー4とゲート5、及びリードフレーム載置部
6は下型1bに設けられている。
The molding die 1 as described above is shown in FIG.
As shown in the sectional view of (b), it is composed of an upper mold 1a and a lower mold 1b, and in the case of this embodiment, the cavity 2 is composed of an upper cavity 2a and a lower cavity 2 in upper and lower molds, respectively.
It is provided so as to face each other as b and the pot 3 is the upper mold 1a.
In addition, the runner 4, the gate 5, and the lead frame mounting portion 6 are provided on the lower mold 1b.

【0018】このようなモールド金型を用いて半導体素
子の樹脂封止を行うが、半導体素子は長尺のリードフレ
ーム上に複数個が搭載された状態で実施される。図1
(b)に示すように、複数のステージ8と、ステージ8
の周囲に設けられる多数本の外部接続用リード端子9と
が備えられるリードフレーム10に対して、まずステー
ジ8上に銀ペースト等の接着材を塗布し、その後ステー
ジ8上に半導体素子7を搭載する。
A semiconductor element is sealed with a resin using such a molding die, and a plurality of semiconductor elements are mounted on a long lead frame. FIG.
As shown in (b), a plurality of stages 8 and stage 8
First, an adhesive such as silver paste is applied on the stage 8 to the lead frame 10 provided with a large number of external connection lead terminals 9 provided around the periphery of the lead frame, and then the semiconductor element 7 is mounted on the stage 8. To do.

【0019】更に、半導体素子7の複数の電極と外部接
続用のリード端子9との間をワイヤー11を介して電気
的に接続される状態とする。そして上型1aと下型1b
とを開いた状態とし、上記複数の半導体素子7を搭載し
たリードフレーム10を下型1bの太枠(図1a)で示
すリードフレーム載置部6に載置する。その後、上型1
aと下型1bとの型閉めを行い、図1bに示す状態とす
る。
Further, a plurality of electrodes of the semiconductor element 7 and the lead terminals 9 for external connection are electrically connected via wires 11. And upper mold 1a and lower mold 1b
The lead frame 10 having the plurality of semiconductor elements 7 mounted thereon is mounted on the lead frame mounting portion 6 shown by the thick frame (FIG. 1a) of the lower mold 1b. Then, upper mold 1
1a and the lower mold 1b are closed to obtain the state shown in FIG. 1b.

【0020】図1(b)の状態において、上型1aのポ
ット3から溶融する樹脂を注入し、ランナー4及び各ゲ
ート5を介して複数のキャビティ2(2a,2b)内に
樹脂を充填する。本実施例では、ランナー4とリードフ
レーム10の一側辺が一致しており、ゲート5の周辺部
において上型1aと下型1b間の隙間がないため、ゲー
ト5の周辺からの樹脂の滲み出しが発生することがな
い。
In the state shown in FIG. 1 (b), a molten resin is injected from the pot 3 of the upper mold 1a, and the plurality of cavities 2 (2a, 2b) are filled with the resin via the runner 4 and each gate 5. . In this embodiment, the runner 4 and one side of the lead frame 10 are aligned with each other, and there is no gap between the upper mold 1a and the lower mold 1b in the peripheral portion of the gate 5, so that the resin bleeds from the periphery of the gate 5. There is no sticking out.

【0021】樹脂が冷却固化した後、上下の金型を開
き、半導体素子7の部分が樹脂封止されたリードフレー
ム10を取り出す。図2は、以上のモールド工程後のリ
ードフレームを示す平面図である。但し、図1の金型と
は素子数及び大きさ等は対応していない。リードフレー
ム10は、図に示すように半導体素子の部分が樹脂パッ
ケージ12に覆われ、その周辺部にリード端子9(一部
図示)が導出している。また、本実施例におけるリード
フレーム10のクレドール13には、金型1のポット3
を逃げるためのポット用切欠き14を有している。
After the resin has cooled and solidified, the upper and lower molds are opened, and the lead frame 10 in which the semiconductor element 7 is sealed with resin is taken out. FIG. 2 is a plan view showing the lead frame after the above molding process. However, the number of elements, size, and the like do not correspond to the mold of FIG. As shown in the figure, in the lead frame 10, the semiconductor element portion is covered with the resin package 12, and the lead terminals 9 (partially shown) are led out to the peripheral portion thereof. In addition, the cradle 13 of the lead frame 10 according to the present embodiment includes the pot 3 of the mold 1.
It has a pot notch 14 for escaping.

【0022】また、図示していないが、キャビティ2内
にエアーが残ることによる樹脂の未充填が生じることを
防止するために、金型1のリードフレーム10の外側ク
レドール13’に対応する部分にダミーキャビティを設
けることもある。図3(a)(b)は、本発明で使用す
るリードフレームの他の構成を示す平面図である。
Although not shown, in order to prevent the resin from not being filled due to air remaining in the cavity 2, a portion corresponding to the outer cradle 13 'of the lead frame 10 of the mold 1 is provided. A dummy cavity may be provided. 3A and 3B are plan views showing another configuration of the lead frame used in the present invention.

【0023】図3(a)は、クレドール21にスリット
(切断用溝)22を設けたリードフレーム20であり、
図1に示すモールド金型にて樹脂封止を行った後の離型
の際にスリット22を切断する構造になっている。樹脂
封止を行った段階では、モールド金型1のランナー4内
にある樹脂23が点線で示すようにクレドール21に沿
って存在するが、スリット22を切断することによっ
て、確実且つ容易にこの不要な樹脂、即ちランナー内樹
脂23を除去することが可能となる。
FIG. 3A shows a lead frame 20 in which a slit (cutting groove) 22 is provided in a cradle 21.
It has a structure in which the slit 22 is cut at the time of releasing from the mold after the resin is sealed with the molding die shown in FIG. At the stage of resin sealing, the resin 23 in the runner 4 of the molding die 1 exists along the cradle 21 as shown by the dotted line, but by cutting the slit 22, this unnecessary It is possible to remove such a resin, that is, the resin 23 in the runner.

【0024】図3(b)は、クレドール31に樹脂との
密着性の悪い銀メッキ32を施したリードフレーム30
である。このようなリードフレーム30によれば、図1
に示すモールド金型にて樹脂封止を行った後、金型のラ
ンナーに対応するランナー内樹脂33が点線で示すよう
に残るが、銀メッキ32が施されていることにより容易
に除去することができる。
FIG. 3B shows a lead frame 30 in which a cradle 31 is plated with silver 32 which has poor adhesion to resin.
It is. According to such a lead frame 30, as shown in FIG.
After performing resin sealing with the mold die shown in, the resin 33 in the runner corresponding to the runner of the die remains as shown by the dotted line, but it can be easily removed because the silver plating 32 is applied. You can

【0025】図4(a)(b)は、本発明で使用する更
に他の構成のリードフレーム平面図であり、図4(a)
は樹脂封止前、図4(b)は樹脂封止後のリードフレー
ムである。本実施例のリードフレームは40は、図4
(a)に示すように、モールド金型のゲート側に位置す
るクレドール41のやはりモールド金型のポットに対応
する位置に円を4分割した形状の貫通孔42を設けたこ
とを特徴としている。(モールド金型は図1を参照) このようなリードフレーム40を2枚用意して、それぞ
れに半導体素子を搭載した後、図4(a)の如く、それ
ぞれ貫通孔42が対向するようにモールド金型内にセッ
トする。この時2枚のリードフレーム40は、そのクレ
ドール41の一辺同士が接触する。
FIGS. 4 (a) and 4 (b) are plan views of lead frames of still another structure used in the present invention.
Is a lead frame before resin sealing, and FIG. 4B is a lead frame after resin sealing. The lead frame 40 of this embodiment is shown in FIG.
As shown in (a), the cradle 41 located on the gate side of the molding die is characterized in that a through hole 42 having a shape obtained by dividing a circle into four is provided at a position corresponding to the pot of the molding die. (Refer to FIG. 1 for the molding die.) After preparing two such lead frames 40 and mounting semiconductor elements on them, as shown in FIG. 4A, molding is performed so that the through holes 42 face each other. Set in the mold. At this time, the two lead frames 40 are in contact with each other at one side thereof.

【0026】尚、本実施例の実際のリードフレーム40
には、半導体素子を搭載するステージやその周辺にリー
ド端子を有するが、図4(a)では省略している。以上
のように、モールド金型内にリードフレーム40をセッ
トした後、モールド金型のポットより樹脂を注入するこ
とにより、キャビティ内に樹脂を充填して半導体素子を
樹脂パッケージにて封止する。
The actual lead frame 40 of this embodiment is
In FIG. 4A, although a lead terminal is provided on the stage on which the semiconductor element is mounted and in the periphery thereof, it is omitted in FIG. As described above, after the lead frame 40 is set in the molding die, the resin is injected from the pot of the molding die to fill the resin in the cavity and seal the semiconductor element with the resin package.

【0027】図4(b)が、この樹脂封止後のリードフ
レームを示しており、半導体素子の部分に樹脂パッケー
ジ44が、貫通孔42の部分にポットに対応して樹脂で
構成される円状のカル45が形成される。カル45は、
2枚のリードフレーム40のそれぞれ貫通孔42入り込
むと共に、その周囲を覆うことで、2枚のリードフレー
ム40を連結している。
FIG. 4 (b) shows the lead frame after this resin sealing, in which a resin package 44 is formed in the semiconductor element portion and a resin is formed in the through hole 42 corresponding to the pot. Shaped culls 45 are formed. Cal 45
The two lead frames 40 are connected to each other by entering the through holes 42 of the two lead frames 40 and covering the peripheries thereof.

【0028】以上のように、本実施例のリードフレーム
40を使用すると、樹脂封止後に2枚のリードフレーム
が連結された状態となり、その後の工程、例えばメッキ
工程や捺印工程において同時に搬送処理することが可能
となり、効率アップとなる。そして、上記カル45はリ
ードフレーム40の切断工程時にクレドール41と共に
除去することができるため、特に切断工程が煩雑になる
ことはない。
As described above, when the lead frame 40 of this embodiment is used, the two lead frames are connected after the resin sealing, and they are simultaneously conveyed in the subsequent steps such as the plating step and the marking step. It is possible to improve efficiency. Since the cull 45 can be removed together with the cradle 41 during the cutting process of the lead frame 40, the cutting process is not particularly complicated.

【0029】[0029]

【効果】以上説明した本発明による半導体装置の製造方
法によれば、樹脂封止工程において、リードフレームの
一側辺とゲートまでの樹脂流路であるランナーの一辺と
が一致した状態でキャビティ内に樹脂充填されるため、
ゲート周辺部に上下の金型間に隙間がないため、樹脂の
滲み出しが発生することがなく、後の工程に影響を及ぼ
すこともない。
According to the semiconductor device manufacturing method of the present invention described above, in the resin sealing step, the inside of the cavity is aligned with one side of the lead frame and one side of the runner that is the resin flow path to the gate. Because it is filled with resin,
Since there is no gap between the upper and lower molds in the peripheral portion of the gate, the resin does not exude and the subsequent steps are not affected.

【0030】また、ランナーがポットの直下に位置して
おり、リードフレーム載置部もランナー辺に一致してい
るため、ランナー及びゲート共に短くできる。従って、
ポットからキャビティまでの距離を短くでき、樹脂充填
時の圧力等の制御が容易となることから、樹脂パッケー
ジの成形性の向上及び樹脂の使用効率の向上を実現でき
る。
Further, since the runner is located directly below the pot and the lead frame mounting portion is also aligned with the runner side, both the runner and the gate can be shortened. Therefore,
Since the distance from the pot to the cavity can be shortened and the pressure at the time of resin filling can be easily controlled, the moldability of the resin package and the efficiency of use of the resin can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るモールド方法を説明するための金
型図である。
FIG. 1 is a mold diagram for explaining a molding method according to the present invention.

【図2】本発明に係るモールド工程後のリードフレーム
の平面図である。
FIG. 2 is a plan view of a lead frame after a molding process according to the present invention.

【図3】本発明で使用する他の構成のリードフレーム平
面図である。
FIG. 3 is a plan view of a lead frame having another structure used in the present invention.

【図4】本発明で使用する更に他の構成のリードフレー
ム平面図である。
FIG. 4 is a plan view of a lead frame having still another structure used in the present invention.

【図5】従来のマルチプランジャー方式のモールド方法
を説明する金型平面図である。
FIG. 5 is a plan view of a mold for explaining a conventional multi-plunger molding method.

【図6】従来のコンベンショナル方式のモールド方法を
説明する金型平面図である。
FIG. 6 is a plan view of a mold for explaining a conventional conventional molding method.

【図7】従来のモールド工程後のリードフレームの平面
図である。
FIG. 7 is a plan view of a lead frame after a conventional molding process.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 リードフレームのステージ上に搭載され
た状態で樹脂パッケージに封止さてなる半導体素子と、
該半導体素子と電気的に接続され樹脂パッケージ外部に
導出されるリード端子を有する半導体装置の製造方法に
おいて、 前記樹脂パッケージを形成するための樹脂充填部となる
複数の上キャビティ(2a)、及び該上キャビティ(2
a)へ充填する樹脂の注入口となり、所定数のキャビテ
ィに対して1個設けられるポット(3)を有する上型
(1a)と、 前記上キャビティ(2a)に対向する位置にあり、樹脂
パッケージを形成するための樹脂充填部となる下キャビ
ティ(2b)、前記ポット(3)の直下を横切る位置に
あり、該ポット(3)に注入される樹脂を前記上下のキ
ャビティ(2)の近傍に流入させるランナー(4)、該
ランナー(4)から前記上下のキャビティ(2)内へ樹
脂を流入させるゲート(5)、及び一辺が前記ランナー
(4)の辺と一致するリードフレーム載置部(6)を有
する下型(1b)とからなるモールド金型(1)を用い
るもので、 ステージ(8)上に半導体素子(7)を搭載すると共
に、該半導体素子(7)と外部接続用のリード端子とを
電気的に接続した状態のリードフレーム(10)を前記
下型(1b)のリードフレーム載置部(6)に載置した
後、前記上型(1a)と下型(1b)との型閉めを行
い、前記ポット(3)から溶融する樹脂を注入すること
によって、前記上下のキャビティ(2)内に樹脂を充填
する樹脂封止工程を含むことを特徴とする半導体装置の
製造方法。
1. A semiconductor element which is mounted on a stage of a lead frame and sealed in a resin package,
A method of manufacturing a semiconductor device having a lead terminal electrically connected to the semiconductor element and led out of a resin package, comprising: a plurality of upper cavities (2a) serving as a resin-filled portion for forming the resin package; Upper cavity (2
It is an injection port for resin to be filled in a) and has an upper mold (1a) having one pot (3) provided for a predetermined number of cavities, and a position opposite to the upper cavity (2a). The lower cavity (2b), which serves as a resin filling portion for forming the resin, is located just below the pot (3), and the resin injected into the pot (3) is placed near the upper and lower cavities (2). A runner (4) to flow in, a gate (5) to flow resin from the runner (4) into the upper and lower cavities (2), and a lead frame mounting part (one side of which corresponds to the side of the runner (4) ( A mold die (1) including a lower die (1b) having a semiconductor element (6) is used. The semiconductor element (7) is mounted on the stage (8) and is used for external connection with the semiconductor element (7). Lead terminal After mounting the lead frame (10) in the state of being electrically connected to the lead frame mounting portion (6) of the lower mold (1b), the mold of the upper mold (1a) and the lower mold (1b) A method of manufacturing a semiconductor device, comprising a resin sealing step of closing and filling a resin into the upper and lower cavities (2) by injecting a molten resin from the pot (3).
【請求項2】 前記リードフレーム(10)のゲート側
クレドール(13)には、前記モールド金型(1)のポ
ット(3)を回避するポット用切欠き(14)を形成し
ておくことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製
造方法。
2. The gate-side cradle (13) of the lead frame (10) is provided with a pot notch (14) for avoiding the pot (3) of the molding die (1). The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein
【請求項3】 前記リードフレーム(20)のゲート側
クレドール(21)には、該クレドール(21)の端部
を除去するための切断用溝(22)を形成しておくこと
を特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
3. The gate side cradle (21) of the lead frame (20) is characterized in that a cutting groove (22) for removing an end of the cradle (21) is formed. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1.
【請求項4】 前記リードフレーム(30)のゲート側
クレドール(31)の表面には、樹脂との密着性の悪い
材料(32)を塗布しておくことを特徴とする請求項1
記載の半導体装置の製造方法。
4. The material (32) having poor adhesion to a resin is applied to the surface of the gate side cradle (31) of the lead frame (30).
The manufacturing method of the semiconductor device described in the above.
【請求項5】 前記リードフレーム(40)のゲート側
クレドール(43)には、前記モールド金型のポットに
対応する位置に、貫通孔(42)を形成しておくことを
特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
5. The through hole (42) is formed in the gate side cradle (43) of the lead frame (40) at a position corresponding to the pot of the molding die. 1. The method for manufacturing a semiconductor device according to 1.
【請求項6】 請求項5記載のリードフレーム(40)
2枚を、それぞれの貫通孔(42)を対向させると共
に、クレドール(41)の一辺同士を接触させた状態で
樹脂封止し、前記貫通孔(42)の部分に樹脂を被覆す
ることで、2枚を連結した状態にすることを特徴とする
請求項5記載の半導体装置の製造方法。
6. The lead frame (40) according to claim 5.
The two through holes (42) are opposed to each other, and the two halves are resin-sealed with one side of the cradle (41) in contact with each other, and the through holes (42) are coated with resin. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 5, wherein the two are connected to each other.
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