JPH09167848A - 光半導体アセンブリ - Google Patents

光半導体アセンブリ

Info

Publication number
JPH09167848A
JPH09167848A JP7326041A JP32604195A JPH09167848A JP H09167848 A JPH09167848 A JP H09167848A JP 7326041 A JP7326041 A JP 7326041A JP 32604195 A JP32604195 A JP 32604195A JP H09167848 A JPH09167848 A JP H09167848A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stem
optical semiconductor
lead
read head
semiconductor assembly
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7326041A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3784440B2 (ja
Inventor
Tetsuo Watanabe
哲夫 渡邉
Giichi Sawai
義一 澤井
Tatsuro Kunikane
達郎 国兼
Hironao Hakogi
浩尚 箱木
Sadayuki Miyata
定之 宮田
Toshiya Kishida
俊哉 岸田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP32604195A priority Critical patent/JP3784440B2/ja
Publication of JPH09167848A publication Critical patent/JPH09167848A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3784440B2 publication Critical patent/JP3784440B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/50—Encapsulations or containers

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光半導体アセンブリのコストダウン、小型化
及び信頼性の向上を図ること。 【解決手段】 光半導体アセンブリは、少なくとも1つ
の突起の形成された金属ステムと、それぞれリードヘッ
ドを有し、ステムと絶縁されてステムを貫通するように
設けられた第1及び第2リードとを含んでいる。第1リ
ードのリードヘッド上には光半導体素子が搭載され、第
2リードのリードヘッド及びステムの突起上にはチップ
部品の一対の電極が搭載される。光半導体アセンブリは
更に、ステムに溶接されて内部を密封するキャップを含
んでいる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は受光素子パッケージ
等の光半導体アセンブリに関する。
【0002】
【従来の技術】受光素子、プリアンプIC、チップコン
デンサ等の複数のチップ部品をパッケージ内に封入した
受光素子パッケージが知られている。このような受光素
子パッケージでは、従来は複数のチップ部品を搭載する
のに積層セラミック基板と金属プレートの組み合わせに
よって構成されるステムが使用されてきた。
【0003】このステムのセラミック基板上には各チッ
プ部品を搭載し電気的導通を取るためのメタライズパタ
ーンが施してあり、金属プレートの外周部には各チップ
部品を外気から遮断するためのキャップが気密溶接され
ている。
【0004】この構造では、セラミック基板の外形とメ
タライズパターンの位置ずれ、金属プレートとセラミッ
ク基板の固定位置のずれが生じる。そのため、メタライ
ズパターンを基準に各チップ部品をセラミック基板上に
搭載すると、金属プレートに対してのチップ部品の取り
付け位置のずれが大きくなる。
【0005】特に受光素子は、光を入力する際にステム
の金属プレートに対する位置精度が重要であるが、各部
品の公差により所定の位置に取り付けることが困難であ
る。受光素子の取り付け位置の精度が低下することによ
り、光学系組み立て時に調整箇所が増えてしまい、組み
立て工数が大きくなる。
【0006】一般的に、チップ部品は自動搭載機により
ステム上に搭載される。この場合、自動搭載機のトレイ
上にステムを固定したときのステムの部品実装面とトレ
イの相対位置精度が重要であるが、ステムが円形の場合
その回転方向の精度が出しにくい。
【0007】円形ステムの回転止め構造として最外周部
にタブを1つ設けることが一般的に行われているが、1
つのタブではステムをトレイに固定する際の精度が不十
分なため、ステム外周部に対して高精度でチップ部品を
自動搭載することが困難である。
【0008】また、ステム自体が積層セラミック基板と
金属プレートとの組み合わせによって構成されるため、
ステムの価格のコストダウンに限界がある。以上の理由
により、積層セラミック基板と金属板の組み合わせによ
って構成される従来のステムでは低コスト化に不利であ
る。
【0009】受光素子パッケージ等の光半導体アセンブ
リでは、各チップ部品を外気から遮断して保護するため
にチップ部品実装部を気密封止する必要がある。同軸型
光半導体アセンブリにおいては、ステムの部品実装部に
光路を確保するための気密窓或いはレンズの付いたキャ
ップをかぶせ、このキャップをステムの金属プレートに
気密溶接する構造が一般的に採用されている。
【0010】従来のようにセラミック基板と金属プレー
トから構成されるステムを使用する場合には、キャップ
をステムの部品実装部にかぶせる際、キャップの裾がセ
ラミック基板に衝突し、セラミック基板、基板に実装し
たチップ部品及びキャップに損傷を与えるおそれがあ
る。
【0011】その対策として、セラミック基板の外周部
に金属のガイドを設けるか、或いはキャップの内径をス
テムのセラミック基板の外径に対して十分な大きさにす
る等の構造が有効である。
【0012】しかし、これらの構造を採用した場合、各
部材の取り付け精度等により公差を考慮する点が多く、
ステムの金属プレート及びキャップの外径を大きくせざ
るを得ない。
【0013】その結果、ステム及びキャップの大型化に
伴い光半導体アセンブリ全体も大きくなってしまう。以
上の理由により、セラミック基板と金属プレートの組み
合わせによって構成される従来のステムでは、信頼性と
小型化の両立が困難である。
【0014】同軸型光受信モジュールの受光素子パッケ
ージ内にコンデンサを搭載する必要がある場合、小型の
マイクロチップコンデンサを使用することが受光素子パ
ッケージの小型化に有利であるが、必要とする容量が大
きくマイクロチップコンデンサでは対応できない場合に
おいては、積層セラミックチップコンデンサを使用する
必要がある。
【0015】マイクロチップコンデンサは下部電極を導
体(ステム上面等)の平面上に実装し、上部電極にワイ
ヤボンディングして使用する。積層セラミックチップコ
ンデンサは両端に電極を有しており、絶縁された導体上
にそれぞれの電極を搭載することにより機能するため、
単一の導体上に両電極を実装することはできない。
【0016】そのため、部品実装面が平面になっている
従来のステムを使用して大容量のコンデンサをパッケー
ジ内に内蔵し、機能させることは困難である。また、積
層セラミックチップコンデンサと同様の実装形態で使用
するチップ抵抗等のチップ部品も同様に使用が困難であ
り、使用できる部品の制約がある。
【0017】光半導体モジュールを構成する上で、光素
子の実装されたパッケージと光学部品(レンズアセンブ
リ、ファイバアセンブリ)を光結合した状態で機械的強
度を保って固定する必要がある。このとき、半導体チッ
プ、チップ部品等を実装し気密封止されたパッケージと
光学部品を連結するために、円筒状のパッケージホルダ
が一般的に使用される。
【0018】パッケージとパッケージホルダとを相互固
定するのに抵抗溶接を用いる場合、パッケージにかかる
応力で気密封止が破壊される可能性がある。通常、バブ
ルリークテスト、ヘリウム加圧リークテストによりパッ
ケージの気密性の確認を行うが、パッケージホルダ取り
付けによる気密封止部の破壊を考慮すると、気密性の確
認はパッケージホルダを取り付けた後に行う必要があ
る。
【0019】パッケージホルダをパッケージに取り付け
た状態でバブルリークテストを行う場合、リークテスト
用の液槽にパッケージホルダの取り付けられたパッケー
ジを浸漬し、パッケージホルダに形成された光路を画成
する穴から出る気泡の有無を観測しなければならない。
【0020】従来のようにパッケージホルダの内側の上
部が平面の場合には、バブルリークテスト時にパッケー
ジホルダ内に空気が溜まりやすく、パッケージホルダに
溜まった空気による気泡とパッケージのリークによる気
泡の区別がつきにくくなり、信頼性の保証が困難であ
る。
【0021】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、積層
セラミック基板と金属プレートの組み合わせによって構
成される従来のステムでは、低コスト化に不利であると
共に、信頼性と小型化の両立が困難であるという問題が
ある。
【0022】また、従来のように平面状の部品搭載面を
有するステムを使用すると、積層セラミックチップコン
デンサ等のチップ部品を使用することができず、使用可
能な部品に制約があるという問題がある。
【0023】従来の光半導体アセンブリでは内側上部が
平面のパッケージホルダを使用していたため、バブルリ
ークテスト時にパッケージホルダ内に空気が溜まりやす
い。そのため、パッケージホルダに溜まった空気による
気泡とパッケージのリークによる気泡の区別がつきにく
くなり、信頼性の保証が困難であるという問題がある。
【0024】故に本発明の目的は、コストダウン、小型
化及び信頼性の向上を図った光半導体アセンブリを提供
することである。本発明の他の目的は、チップ部品搭載
時の位置決め精度が向上すると共に、実装可能な部品の
制約を解消した光半導体アセンブリを提供することであ
る。
【0025】
【課題を解決するための手段】本発明によると、光半導
体アセンブリであって、少なくとも1つの突起の形成さ
れた金属ステムと;それぞれリードヘッドを有し、前記
ステムと絶縁されて該ステムを貫通するように設けられ
た第1及び第2リードと;前記第1リードのリードヘッ
ドに搭載された光半導体素子と;両端に電極を有し、該
電極がそれぞれ前記突起及び前記第2リードのリードヘ
ッドに固定されたチップ部品と;前記ステムに溶接され
て内部を密封するキャップと;を具備したことを特徴と
する光半導体アセンブリが提供される。
【0026】好ましくは、第2リードのリードヘッドに
は切り欠きが形成されている。この切り欠きにより、温
度変化に起因する応力を緩和することができる。またこ
の切り欠きは、チップ部品固定時に使用する蝋材の流れ
止め用としても使用可能である。蝋材流れ止め用とし
て、リードヘッドに段差又は凹部を設けるようにしても
よい。
【0027】本発明の他の側面によると、光半導体アセ
ンブリであって、金属ステムと;それぞれリードヘッド
を有し、前記ステムと絶縁されて該ステムを貫通するよ
うに設けられた第1、第2及び第3リードと;前記第1
リードのリードヘッドに搭載された光半導体素子と;両
端に電極を有し、該電極がそれぞれ前記第2及び第3リ
ードのリードヘッドに固定されたチップ部品と;前記ス
テムに溶接されて内部を密封するキャップと;を具備し
たことを特徴とする光半導体アセンブリが提供される。
【0028】
【発明の実施の形態】まず、図1〜図3を参照して、本
発明第1実施形態の光半導体アセンブリについて説明す
る。符号2は受光素子パッケージ等の光半導体アセンブ
リであり、金属ステム4は厚肉部分4aと、薄肉周辺部
分4bとから構成される。
【0029】厚肉部分4aには平坦な上面を有する突起
6が形成されており、薄肉周辺部分4bには3個のタブ
8が一体的に形成されている。ステム4はコバールから
形成されている。ステム4には3個の穴が貫通してお
り、これらの穴中にリード10a,10b,10cが挿
入され、リード外周とステムの隙間はガラス14により
ハーメチックシールされ、各リード10a,10b,1
0cとステム4とは絶縁されている。他のリード10d
はグランドリードであり、ステム4に連結されている。
【0030】リード10aの上端には平坦状のリードヘ
ッド12aが形成されており、リード10bの上端にも
平坦状のリードヘッド12bが形成されている。突起6
とリードヘッド12aの対向壁面は概略平行に形成され
ている。
【0031】図2及び図3に示すように、ステム4の突
起6とリードヘッド12aに積層セラミックチップコン
デンサ16の電極16aが蝋材18で固定されている。
リードヘッド12b上にはフォトダイオード(PD)チ
ップ20が搭載され、ステム4上にはプリアンプとして
機能するベアチップ集積回路(ベアチップIC)22が
搭載されている。
【0032】そして、図2に示すように、ベアチップI
C22とリードヘッド12a、フォトダイオード20及
びリードヘッド12cは金ワイヤ等のワイヤ24でボン
ディング接続されている。
【0033】リード10aはIC22に電源電圧を供給
する電源端子であり、リード10bはフォトダイオード
20にバイアス電圧を供給するバイアス端子であり、リ
ード10cはフォトダイオード20で検出した信号を外
部に取り出す信号端子である。
【0034】電源供給用のリード10aとステム4の突
起6の間に所望の容量を有する積層セラミックチップコ
ンデンサ16が設けられているため、IC22に供給す
る電源のノイズをICの直近で遮断することができる。
【0035】フォトダイオード20をリードヘッド12
b上に搭載するには、リード10bを挿入したステム4
の穴の輪郭を認識し、その位置を基準としてフォトダイ
オード20をリードヘッド12b上に実装する。
【0036】ステム4のリード10a,10b,10c
を挿入する穴は、ステム4をプレス成形で形成するとき
に同時に空けるため、ステム4の外周部との相対位置が
安定している。故に、リード10bを挿入する穴の輪郭
を基準にフォトダイオード20を実装することで搭載位
置が安定し、光学系の組み立て工数の削減を図ることが
できる。
【0037】尚上述した説明では、チップ部品として積
層セラミックチップコンデンサ16を実装した例につい
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、チップ抵抗等の他のチップ部品も同様な方法で実装
することができる。
【0038】図4を参照すると、本発明第2実施形態の
断面図が示されている。本実施形態では、チップコンデ
ンサ16の電極16aを一対のリード10のリードヘッ
ド12上に固定している。
【0039】図5を参照すると、本発明第3実施形態の
断面図が示されている。本実施形態では、ステム4に切
り欠き25を形成し、リードヘッド26の先端部26a
をステム4の上面に対して斜めに折り曲げる。そして、
チップコンデンサ16の電極16aを切り欠き25とリ
ードヘッド26の先端部26aに固定する。
【0040】図6を参照すると、本発明第4実施形態の
平面図が示されている。本実施形態では、リードヘッド
28に熱膨張又は熱収縮を吸収する切り欠き29が設け
られている。
【0041】即ち、ステム4の突起6及びリードヘッド
28が温度変化により熱膨張又は熱収縮すると、これら
に実装したチップコンデンサ16が応力を受けて破損す
る恐れがある。これを防止するために、リードヘッド2
8に切り欠き29を設けて、熱変化に起因する応力を緩
和するようにしたものである。
【0042】図7,図8及び図9は同一リードヘッド上
にチップ部品実装とワイヤボンディングを行う際に、チ
ップ部品実装のための蝋材がワイヤボンディング部に流
れることを防止するようにした実施形態である。
【0043】図7に示した第5実施形態では、リードヘ
ッド30に切り欠き31を形成し、蝋材18がリードヘ
ッド30のワイヤボンディング部30aに流れ込むこと
を防止している。
【0044】図8に示した第6実施形態では、リードヘ
ッド32に設けた段差33により、図9に示した第7実
施形態では、リードヘッド34に設けた凹部35によ
り、蝋材18のワイヤボンディング部への流れ込みをそ
れぞれ防止している。
【0045】図10及び図11は本発明第8実施形態の
リードヘッド36及び突起6を示している。本実施形態
は、リードヘッド36及びステム4の突起6にチップコ
ンデンサ16を実装する際に、搭載したチップコンデン
サ16が脱落することを防止するためにリードヘッド3
6及び突起6に凹部36a,6aをそれぞれ形成したも
のである。
【0046】次いで、図12及び図13を参照して、ス
テムを部品自動搭載機のトレイに固定する方法について
説明する。トレイ40には外周形状が円形のステム40
を収容するための円形の溝42が形成されており、更に
図13に示すようにリード10が挿入される穴44が形
成されている。
【0047】更に、図12に示すように、ステム4の3
個のタブ8を収容するための3個の溝46が溝42に連
続して形成されている。ステム4をトレイ40の溝42
中に収容し、板ばね48でステム4を矢印A方向に押す
ことにより、ステム4に形成した対向する一対のタブ8
の側壁が溝46の壁面に押し当てられ、ステム4はトレ
イ40上に精度良く固定される。
【0048】これにより、トレイ40とステム4の回転
方向の位置精度が向上し、チップ部品の自動搭載が可能
となり、光学系組み立て工数が削減できる。図14
(A)〜図14(D)はステム固定方法の変形例を示し
ている。図14(A)はステム4の外周にV形状の突起
50を形成し、この突起50をトレイに形成したV形状
の溝に突き当てるステム固定方法である。図14(B)
はステムの外周に一対の段差52を形成し、これらの段
差52をトレイに突き当てるステム固定方法である。
【0049】図14(C)はステムの外周に一対の切り
欠き54を形成し、これらの切り欠き54中にトレイの
突起を嵌合させるステム固定方法である。また、図14
(D)は、ステムの外周にV形状の溝56を形成し、更
に板ばね48の突き当て部を平面状に形成したステム固
定方法である。
【0050】次いで、図15を参照して、パッケージホ
ルダの第1実施形態について説明する。符号59は図2
に示すようにステム4上に各チップ部品を実装した後、
キャップ58をステム4に抵抗溶接した受光素子パッケ
ージを示している。
【0051】符号60は鉄ニッケル合金から形成された
パッケージホルダであり、パッケージ59を内部に収容
してステム4に抵抗溶接される。パッケージホルダ60
は側壁60aと、光路用の穴62を有する上壁60b
と、側壁60aと上壁60bを連結するコーナー壁60
cとから構成される。
【0052】コーナー壁60cの内周面64は側壁60
aの内周面と穴62を連結するテーパ状に形成されてい
る。テーパ状内周面64はキャップ58に干渉しないよ
うに、キャップ58の高さに対して十分なクリアランス
を持つ位置に形成する。
【0053】このようにパッケージホルダ60がステム
4に溶接された光半導体アセンブリをバブルリークテス
ト用の液槽に漬け込むと、パッケージホルダ60内に溜
まっている空気がテーパ状内周面64を伝わって効果的
に外部に排出される。
【0054】更に、パッケージ59の気密に不良があっ
た場合にも、パッケージ59から排出された気泡がパッ
ケージホルダ60の穴62から排出されやすいため、観
察が容易になる。
【0055】図16はパッケージホルダ60Aの第2実
施形態を示しており、コーナー壁60cの内周面65を
曲面状に形成したものである。この実施形態でも、図1
5に示した実施形態と同様に気泡の観察が容易になる。
【0056】図17(A)及び図17(B)はパッケー
ジホルダ60Bの第3実施形態を示している。本実施形
態のパッケージホルダ60Bは上壁60bに空気抜き用
の複数の穴66を有している。本実施形態でも、図15
に示した実施形態と同様に気泡の観察が容易になる。
【0057】パッケージホルダをメタルインジェクショ
ンモールドで製造する場合、型抜きのための押し出し用
のピンを突き当てる部分が必要となる。図18(A)及
び図18(B)はこれに対応したパッケージホルダの実
施形態を示しており、図18(A)は断面図、図18
(B)はその低面図である。
【0058】本実施形態では、テーパ状内周面64にパ
ッケージホルダ上面に平行な平面を有する複数の突起6
8を設け、これらの突起68の平面部に押し出し用のピ
ンを突き当てて型抜きをし易くしたものである。
【0059】上述した実施形態では本発明を主に受光素
子アセンブリについて説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、発光素子アセンブリを含む一般的
な光半導体アセンブリにも同様に適用可能である。
【0060】
【発明の効果】本発明は以上詳述したように金属ステム
及びリードヘッド上にチップ部品を搭載するようにした
ので、光半導体アセンブリのコストダウン、小型化及び
信頼性の向上を図ることができる。更に、特殊形状のパ
ッケージホルダを採用することにより、信頼性の向上及
び検査工数の削減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】キャップ及びチップ部品を搭載しない状態の本
発明第1実施形態の斜視図である。
【図2】部品実装後の第1実施形態平面図である。
【図3】第1実施形態の部分拡大断面図である。
【図4】第2実施形態の一部を示す断面図である。
【図5】第3実施形態の一部を示す断面図である。
【図6】第4実施形態の一部を示す平面図である。
【図7】第5実施形態の一部を示す平面図である。
【図8】第6実施形態の一部を示す断面図である。
【図9】第7実施形態の一部を示す断面図である。
【図10】第8実施形態の一部を示す分解斜視図であ
る。
【図11】第8実施形態の一部を示す分解斜視図であ
る。
【図12】ステムをトレイに固定する方法を示す平面図
である。
【図13】図12の断面図である。
【図14】ステム固定方法の変形例を示す図である。
【図15】パッケージホルダの第1実施形態断面図であ
る。
【図16】パッケージホルダの第2実施形態断面図であ
る。
【図17】パッケージホルダの第3実施形態を示す図で
あり、図17(A)が断面図、図17(B)がその平面
図である。
【図18】パッケージホルダの第4実施形態を示す図で
あり、図18(A)が断面図、図18(B)がその底面
図である。
【符号の説明】
4 ステム 6 突起 8 タブ 10,10a〜10d リード 12a,12b,12c, リードヘッド 14 ガラス 16 チップコンデンサ 20 PD 22 ベアチップIC
フロントページの続き (72)発明者 国兼 達郎 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 箱木 浩尚 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 宮田 定之 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 岸田 俊哉 北海道札幌市中央区北一条西2丁目1番地 富士通北海道ディジタル・テクノロジ株 式会社内

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光半導体アセンブリであって、 少なくとも1つの突起の形成された金属ステムと;それ
    ぞれリードヘッドを有し、前記ステムと絶縁されて該ス
    テムを貫通するように設けられた第1及び第2リード
    と;前記第1リードのリードヘッドに搭載された光半導
    体素子と;両端に電極を有し、該電極がそれぞれ前記突
    起及び前記第2リードのリードヘッドに固定されたチッ
    プ部品と;前記ステムに溶接されて内部を密封するキャ
    ップと;を具備したことを特徴とする光半導体アセンブ
    リ。
  2. 【請求項2】 前記ステム上に搭載されたベアチップ集
    積回路を更に具備し;該ベアチップ集積回路と、前記光
    半導体素子及び前記チップ部品を搭載した前記第2リー
    ドのリードヘッドとはそれぞれワイヤボンディング接続
    されている請求項1記載の光半導体アセンブリ。
  3. 【請求項3】 前記第2リードのリードヘッドは切り欠
    きを有している請求項1記載の光半導体アセンブリ。
  4. 【請求項4】 前記チップ部品は前記第2リードのリー
    ドヘッドに蝋付けされており、前記第2リードのリード
    ヘッドは蝋材流れ止め用の段差を有している請求項1記
    載の光半導体アセンブリ。
  5. 【請求項5】 前記チップ部品は前記第2リードのリー
    ドヘッドに蝋付けされており、前記第2リードのリード
    ヘッドは蝋材流れ止め用の凹部を有している請求項1記
    載の光半導体アセンブリ。
  6. 【請求項6】 前記ステムの突起及び前記第2リードの
    リードヘッドはそれぞれ前記チップ部品搭載用の凹部を
    有している請求項1記載の光半導体アセンブリ。
  7. 【請求項7】 前記ステムはその外周に複数の位置決め
    用タブを有している請求項1記載の光半導体アセンブ
    リ。
  8. 【請求項8】 前記ステムはその外周に複数の位置決め
    用の切り欠きを有している請求項1記載の光半導体アセ
    ンブリ。
  9. 【請求項9】 前記ステムに溶接されたホルダを更に具
    備し;該ホルダは側壁と、中心穴を有する上部壁と、側
    壁内面と中心穴とを連結するテーパ状内面を有するコー
    ナー壁とを含んでいる請求項1記載の光半導体アセンブ
    リ。
  10. 【請求項10】 前記ホルダはその内面に複数の押し出
    しピン突き当て面を有している請求項9記載の光半導体
    アセンブリ。
  11. 【請求項11】 前記ステムに溶接されたホルダを更に
    具備し;該ホルダは側壁と、中心穴を有する上部壁と、
    側壁内面と中心穴とを連結する円弧状内周面を有するコ
    ーナー壁とを含んでいる請求項1記載の光半導体アセン
    ブリ。
  12. 【請求項12】 前記ステムに溶接されたホルダを更に
    具備し;該ホルダは側壁と、中心穴を有する上部壁とを
    含んでおり、該上部壁は複数の空気抜き用の穴を有して
    いる請求項1記載の光半導体アセンブリ。
  13. 【請求項13】 光半導体アセンブリであって、 金属ステムと;それぞれリードヘッドを有し、前記ステ
    ムと絶縁されて該ステムを貫通するように設けられた第
    1、第2及び第3リードと;前記第1リードのリードヘ
    ッドに搭載された光半導体素子と;両端に電極を有し、
    該電極がそれぞれ前記第2及び第3リードのリードヘッ
    ドに固定されたチップ部品と;前記ステムに溶接されて
    内部を密封するキャップと;を具備したことを特徴とす
    る光半導体アセンブリ。
  14. 【請求項14】 光半導体アセンブリであって、 上面に少なくとも1つの切り欠きの形成された金属ステ
    ムと;それぞれリードヘッドを有し、前記ステムと絶縁
    されて該ステムを貫通するように設けられた第1及び第
    2リードと;前記第1リードのリードヘッドに搭載され
    た光半導体素子と;両端に電極を有し、該電極がそれぞ
    れ前記ステムの切り欠き及び前記第2リードのリードヘ
    ッドに固定されたチップ部品と;前記ステムに溶接され
    て内部を密封するキャップと;を具備したことを特徴と
    する光半導体アセンブリ。
  15. 【請求項15】 光半導体アセンブリに使用するステム
    のトレイへの固定方法であって、 前記ステム外周に複数のタブを形成し;前記タブが嵌合
    する複数の凹部を有するトレイを用意し;前記各タブが
    前記各凹部にそれぞれ嵌合するように前記ステムを前記
    トレイ中に収容し;付勢手段により前記ステムを一方向
    に付勢して、前記各タブの側面を前記凹部の壁面に押し
    つけることにより、ステムをトレイに固定することを特
    徴とするステムのトレイへの固定方法。
JP32604195A 1995-12-14 1995-12-14 光半導体アセンブリ Expired - Lifetime JP3784440B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32604195A JP3784440B2 (ja) 1995-12-14 1995-12-14 光半導体アセンブリ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32604195A JP3784440B2 (ja) 1995-12-14 1995-12-14 光半導体アセンブリ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09167848A true JPH09167848A (ja) 1997-06-24
JP3784440B2 JP3784440B2 (ja) 2006-06-14

Family

ID=18183450

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32604195A Expired - Lifetime JP3784440B2 (ja) 1995-12-14 1995-12-14 光半導体アセンブリ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3784440B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005158874A (ja) * 2003-11-21 2005-06-16 Toshiba Corp 光受信装置及びその製造方法
JP2007123745A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Sony Corp 光素子実装基板、光モジュール及び光モジュールの実装方法
JP2008112966A (ja) * 2006-10-05 2008-05-15 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
CN114289820A (zh) * 2021-12-30 2022-04-08 河北中瓷电子科技股份有限公司 光电外壳的金锡钎焊模具及钎焊方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005158874A (ja) * 2003-11-21 2005-06-16 Toshiba Corp 光受信装置及びその製造方法
JP2007123745A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Sony Corp 光素子実装基板、光モジュール及び光モジュールの実装方法
JP2008112966A (ja) * 2006-10-05 2008-05-15 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
US7709854B2 (en) 2006-10-05 2010-05-04 Nichia Corporation Light emitting device
CN114289820A (zh) * 2021-12-30 2022-04-08 河北中瓷电子科技股份有限公司 光电外壳的金锡钎焊模具及钎焊方法
CN114289820B (zh) * 2021-12-30 2023-08-18 河北中瓷电子科技股份有限公司 光电外壳的金锡钎焊模具及钎焊方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3784440B2 (ja) 2006-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6987312B2 (en) Semiconductor device with sensor and/or actuator surface and method for producing it
US8399897B2 (en) Optical device package
JP3830583B2 (ja) 光半導体アセンブリ
KR100780522B1 (ko) 반도체 레이저
US20030095759A1 (en) Optical device package for flip-chip mounting
WO2004019417A1 (ja) 受光素子モジュール
US5444286A (en) Packaged semiconductor pressure sensor including lead supports within the package
JP3784440B2 (ja) 光半導体アセンブリ
US6833999B2 (en) Optical module and method of making the same
JPS60180183A (ja) 光半導体素子気密パツケ−ジ
JP4031605B2 (ja) サージ保護付き半導体レーザおよび光ピックアップ
JPH08307153A (ja) パッケージの構造
EP0477801A1 (en) Optical semiconductor device
JPH11160176A (ja) 圧力検出装置
US20020067554A1 (en) Optical module
KR20000062648A (ko) 반도체 레이저
JPH059689Y2 (ja)
JPH10213723A (ja) 光半導体モジュール及びその製造方法
US20020134919A1 (en) Optical detector-preamplifier subassembly
JP2736197B2 (ja) 光半導体素子用パッケージ
JP3787184B2 (ja) 半導体レーザ
US20070279876A1 (en) Device for passivating at least one component by a housing and method for manufacturing a device
JP3048818B2 (ja) 半導体レーザ装置
JPH10223788A (ja) 光電子装置およびその製造方法
JP3138419B2 (ja) 半導体レーザ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050518

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050823

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050913

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060314

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060315

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100324

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100324

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110324

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110324

Year of fee payment: 5

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110324

Year of fee payment: 5

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110324

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120324

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130324

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140324

Year of fee payment: 8

EXPY Cancellation because of completion of term