JPH09167925A - 増幅器 - Google Patents

増幅器

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JPH09167925A
JPH09167925A JP26783896A JP26783896A JPH09167925A JP H09167925 A JPH09167925 A JP H09167925A JP 26783896 A JP26783896 A JP 26783896A JP 26783896 A JP26783896 A JP 26783896A JP H09167925 A JPH09167925 A JP H09167925A
Authority
JP
Japan
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transistor
impedance
emitter
amplifier
collector
Prior art date
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Pending
Application number
JP26783896A
Other languages
English (en)
Inventor
Madni Arshad
マドニ アーシャッド
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Plessey Semiconductors Ltd
Original Assignee
Plessey Semiconductors Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/26Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/34Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/72Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier stage being a common gate configuration MOSFET

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フロントエンド無線周波数集積回路に適した
低い雑音、低いひずみ、および制御された入力インピー
ダンスを有する増幅器を提供する。 【解決手段】 増幅器の各々には、入力インピーダンス
を制御するために、引き数等の2個のインピーダンス要
素を利用する負のフィードバックパスが、出力と入力の
間に供給される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、増幅器に関し、特
にフロントエンド無線周波数集積回路アプリケーション
のための増幅器に限定されない。低い雑音、低いひず
み、および制御された入力インピーダンス等が要求され
ているために、アーキテクチャの選択は厳密に制限され
る。
【0002】
【発明が解決しようとする課題】本発明はフロントエン
ド無線周波数集積回路に適した低い雑音、低いひずみ、
および制御された入力インピーダンスを制御する増幅器
を提供することを目的とする。
【0003】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の態様で
は、増幅器は、エミッタ、ベース、およびコレクタの各
電極を備えるトランジスタと、前記トランジスタのエミ
ッタ電極に入力信号を印加する手段と、前記トランジス
タのコレクタ電極に接続された出力回路手段と、引き数
等のインピーダンス値を有する第1および第2のインピ
ーダンス要素を含む負のフィードバック手段と、前記ト
ランジスタのベース電極と基準電位点間のパス上に直列
に第1のインピーダンス要素を接続する手段と、前記出
力回路手段上の1点と前記トランジスタのベース電極間
のパス上に直列に第2のインピーダンス要素を接続する
手段とを有する。
【0004】前記出力回路手段はエミッタフォロワー段
階として接続された第2のトランジスタを有してもよ
く、前記出力回路手段上の前記1点は、前記エミッタフ
ォロワー段階のエミッタ回路上の1点を含んでもよい。
【0005】本発明の第2の態様では、増幅器は、エミ
ッタ、ベース、およびコレクタの各電極を備える第1の
導電型の第1のトランジスタと、前記第1のトランジス
タのエミッタ電極に入力信号を印加する手段と、エミッ
タ、ベース、およびコレクタの各電極を備える第2の導
電型の第2のトランジスタと、前記第1のトランジスタ
のコレクタ回路の電源として前記第2のトランジスタを
接続する手段と、引き数等のインピーダンス値を有する
第1および第2のインピーダンス要素を含む負のフィー
ドバック手段と、前記第1のトランジスタのベース電極
と基準電位点間のパス上に直列に第1のインピーダンス
要素を接続する手段と、前記第1のトランジスタのコレ
クタ回路と前記第1のトランジスタのベース電源間のパ
ス上に直列に第2のインピーダンス要素を接続する手段
とを有する。
【0006】
【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施例が示され
ている図1から図4を参照して、本発明の増幅器につい
て詳細に記述する。
【0007】最初に図1を参照すると、本発明の増幅器
の一実施形態は、結合コンデンサ3によって入力パス2
に接続され抵抗4によって接地されたエミッタ電極を有
するnpn 接合トランジスタ1と、負荷抵抗6によって正
電力供給ライン5およびnpn接合トランジスタのベース
電極に接続されたそのコレクタ電極と、抵抗9によって
バイアス電源8に接続され、直列のコンデンサ10およ
び抵抗11によって接地されたそのベース電極とを有す
る。トランジスタ7のコレクタ電極は、電力供給ライン
5に接続され、エミッタ電極は出力パス12に接続さ
れ、さらに抵抗13により接地され、コンデンサ14に
よってトランジスタ1のベース電極に接続される。
【0008】共通ベースモードで動作するように接続さ
れるトランジスタ1は、所定の周波数、たとえば、1ギ
ガヘルツのオーダーの周波数で動作させるために75オ
ームのオーダーの入力インピーダンスと4ボルト単位の
利得電圧を発生させる増幅器「セル」の素地を形成す
る。出力パス12からの電圧フィードバックが、たとえ
ば、各々、1pFと3pF の値を有するコンデンサ14およ
び10によって供給される。抵抗11は、積ベータ利得
とコンデンサ10および14の並列的な組合せにより、
高周波数で発生する小さな値の負抵抗を補正するために
備えられる。
【0009】図2に増幅器の回路構成のより一般的な例
を示す。図2では、フィードバックコンデンサ14およ
び10は、各々インピーダンス15および16に置き換
えられ、他の構成要素は図1と同様の参照番号を用いて
適切な位置に配置されている。これらのインピーダンス
は、2個の抵抗または2個のインダクタ、あるいは、無
視しうるほどの動作周波数で直流ブロックを提供するコ
ンデンサ17であるかもしれない。図2の回路の場合、
トランジスタ1のエミッタ電極のインピーダンス"
X " 、増幅器構成入力インピーダンス" Zin" 、増幅
器構成の利得電圧"GV " 、および第1段階の第3高調
波ひずみ"D3"は、以下に示す式から求められる。
【0010】
【数1】
【0011】ここで、" Vin" はトランジスタ1のエミ
ッタ電極における入力電圧を示し、" Vt " はトランジ
スタ1のベースエミッタ接合と関連がある熱電圧を示
し、さらに" re" はVt /エミッタ電流として定義され
るエミッタ/ベースインピーダンスを示す。
【0012】
【数2】
【0013】抵抗4の値は、入力の分路を減少させるた
めに、トランジスタ1に向かうエミッタ電流の選択値に
対して出来る限り大きく設定する。ライン5に9ボルト
の電圧を印加した特別な例では、抵抗4の値は300オ
−ムに設定された。
【0014】相補形トランジスタを利用した増幅器構成
の変形例として、図3に一般化された形で示され、図4
は実施例を示している。この形式で、負荷抵抗6は電源
18によって置き換えられる。電源18は、pnp 接合ト
ランジスタ19と、エミッタ抵抗20と、ベースバイア
ス電源21とから構成され、前記トランジスタ1のコレ
クタ電極からフィードバックされる。図4に示されるよ
うに、順方向バイアスダイオード22は、要求される直
流電圧降下を生じさせるために、フィードバックパスに
含まれてもよい。これらのダイオードは、コンデンサ2
3によって動作周波数でバイパスされる。図4の回路
は、所定の要件に合うように生成するのがさらに容易
で、より高い直線性を提供し、入力インピーダンス" Z
in" および利得電圧 "Gv " は以下に示す式から求めら
れる:
【0015】
【数3】
【0016】この高調波ひずみ"D3"の等式は、図1およ
び図2の回路の場合と同様である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の増幅器の一実施形態を示す回路図であ
る。
【図2】本発明の増幅器の他の実施形態を示す回路図で
ある。
【図3】本発明の増幅器の他の実施形態を示す回路図で
ある。
【図4】本発明の増幅器の他の実施形態を示す回路図で
ある。
【符号の説明】
1 npn 接合トランジスタ 2 入力パス 3 結合コンデンサ 4 抵抗 5 正電力供給ライン 6 負荷抵抗 7 トランジスタ 8 バイアス電源 9 抵抗 10 コンデンサ 11 抵抗 12 出力パス 13 抵抗 14 コンデンサ 15、16 インピーダンス 17 コンデンサ 18 電源 19 pnp 接合トランジスタ 20 エミッタ抵抗 21 ベースバイアス電源 22 順方向バイアスダイオード

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 エミッタベース、およびコレクタの各電
    極を備えるトランジスタと、入力信号を前記トランジス
    タのエミッタ電極に印加する手段と、前記トランジスタ
    のコレクタ電極に接続された出力回路手段と、引き数等
    のインピーダンス値を有する第1および第2のインピー
    ダンス要素を含む負のフィードバック手段と、前記トラ
    ンジスタのベース電極と基準電位点との間のパス上に直
    列に第1のインピーダンス要素を接続する手段と、前記
    出力回路手段の1点と前記トランジスタのベース電極と
    の間のパス上に直列に第2のインピーダンスを接続する
    手段とを有することを特徴とする増幅器。
  2. 【請求項2】 前記出力回路手段が前記トランジスタの
    コレクタ回路に接続された電源を備え、前記第2のイン
    ピーダンス要素が前記トランジスタのコレクタ回路と前
    記トランジスタのベース電極との間に接続されることを
    特徴とする請求項1記載の増幅器。
  3. 【請求項3】 前記出力回路手段がエミッタフォロワー
    段階として接続された第2のトランジスタを備え、前記
    出力回路手段の前記1点が前記エミッタフォロワー段階
    のエミッタ回路の1点を含むことを特徴とする請求項1
    記載の増幅器。
  4. 【請求項4】 エミッタ、ベース、およびコレクタの各
    電極を備える第1の導電型の第1のトランジスタと、前
    記第1トランジスタのエミッタ電極に入力信号を印加す
    る手段と、エミッタ、ベース、およびコレクタの各電極
    を備える第2の導電型の第2のトランジスタと、前記第
    1のトランジスタのコレクタ回路の電源として前記第2
    のトランジスタを接続する手段と、引き数等のインピー
    ダンス値を有する第1および第2のインピーダンス要素
    を含む負のフィードバック手段と、前記第1のトランジ
    スタのベース電極と基準電位点との間のパス上に直列に
    前記第1のインピーダンス要素を接続する手段と、前記
    第1のトランジスタのコレクタ回路と前記第1のトラン
    ジスタのベース電極との間のパス上に直列に第2のイン
    ピーダンス要素を接続する手段とを有することを特徴と
    する増幅器。
  5. 【請求項5】 前記第1および第2のインピーダンス要
    素がコンデンサである請求項1から4のいずれかに記載
    の増幅器。
JP26783896A 1995-09-20 1996-09-18 増幅器 Pending JPH09167925A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GBGB9519233.2A GB9519233D0 (en) 1995-09-20 1995-09-20 Amplifier arrangements
GB9519233.2 1995-09-20

Publications (1)

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JPH09167925A true JPH09167925A (ja) 1997-06-24

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JP26783896A Pending JPH09167925A (ja) 1995-09-20 1996-09-18 増幅器

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EP (1) EP0765028A3 (ja)
JP (1) JPH09167925A (ja)
GB (1) GB9519233D0 (ja)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7123073B2 (en) 2002-03-28 2006-10-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Amplifier and frequency converter

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EP0765028A2 (en) 1997-03-26
GB9519233D0 (en) 1995-11-22
EP0765028A3 (en) 1998-02-04

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