JPH0916922A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドInfo
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- JPH0916922A JPH0916922A JP16664195A JP16664195A JPH0916922A JP H0916922 A JPH0916922 A JP H0916922A JP 16664195 A JP16664195 A JP 16664195A JP 16664195 A JP16664195 A JP 16664195A JP H0916922 A JPH0916922 A JP H0916922A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 オフトラック特性に優れるとともに、高バイ
アス効率及び高再生出力を得ることを可能とするＭＲヘ
ッドを提供する。 【構成】 下部磁性層２に溝部２ａを形成し、この溝部
２ａ内に絶縁層１２を形成して、ＭＲ素子１をその後端
部にて下部磁性層２と接触させてて設けて当該下部磁性
層２と磁気的に接続する。
アス効率及び高再生出力を得ることを可能とするＭＲヘ
ッドを提供する。 【構成】 下部磁性層２に溝部２ａを形成し、この溝部
２ａ内に絶縁層１２を形成して、ＭＲ素子１をその後端
部にて下部磁性層２と接触させてて設けて当該下部磁性
層２と磁気的に接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体からの記
録磁界によって抵抗率が変化する磁気抵抗効果を有する
磁性層が上部，下部磁性層に狭持されてなる磁気抵抗効
果型磁気ヘッドに関する。
録磁界によって抵抗率が変化する磁気抵抗効果を有する
磁性層が上部，下部磁性層に狭持されてなる磁気抵抗効
果型磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置における小型
大容量化が進行する中で、特にノート型パーソナルコン
ピュータに代表されるような可搬型コンピュータへの適
用が考慮される用途では、例えば２．５インチ程度の小
型ハードディスク装置に対する要求が高まっている。
大容量化が進行する中で、特にノート型パーソナルコン
ピュータに代表されるような可搬型コンピュータへの適
用が考慮される用途では、例えば２．５インチ程度の小
型ハードディスク装置に対する要求が高まっている。
【０００３】このような小型ハードディスクでは、ディ
スク径に依存して媒体速度が遅くなるため、再生出力が
媒体速度に依存する従来の誘導型磁気ヘッドでは、再生
出力が低下し、大容量化の妨げとなっている。
スク径に依存して媒体速度が遅くなるため、再生出力が
媒体速度に依存する従来の誘導型磁気ヘッドでは、再生
出力が低下し、大容量化の妨げとなっている。
【０００４】これに対して、磁界によって抵抗率が変化
する磁気抵抗効果を有する磁性層（以下、単にＭＲ素子
と称する。）の抵抗変化を再生出力電圧として検出する
磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、単にＭＲヘッドと称
する。）は、その再生出力が媒体速度に依存せず、低媒
体速度でも高再生出力が得られるという特徴を有するた
め、小型ハードディスクにおいて大容量化を実現する磁
気ヘッドとして注目されている。
する磁気抵抗効果を有する磁性層（以下、単にＭＲ素子
と称する。）の抵抗変化を再生出力電圧として検出する
磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、単にＭＲヘッドと称
する。）は、その再生出力が媒体速度に依存せず、低媒
体速度でも高再生出力が得られるという特徴を有するた
め、小型ハードディスクにおいて大容量化を実現する磁
気ヘッドとして注目されている。
【０００５】このＭＲヘッドは、遷移金属に見られる磁
化の向きとその内部を流れる電流の向きのなす角によっ
て電気抵抗値が変化する、いわゆる磁気抵抗効果現象を
利用した再生用磁気ヘッドである。すなわち、磁気記録
媒体からの漏洩磁束を上記ＭＲ素子が受けると、その磁
束により上記ＭＲ素子の磁化の向きが反転し、上記ＭＲ
素子内部に流れる電流の向きに対して磁性量に応じた角
度をもつようになる。それ故に上記ＭＲ素子の電気抵抗
値が変化し、この変化量に応じた電圧変化が電流が流れ
ているＭＲ素子の両端の電極に現れる。したがって、こ
の電圧変化を電圧信号として磁気記録信号を読みだせる
ことになる。
化の向きとその内部を流れる電流の向きのなす角によっ
て電気抵抗値が変化する、いわゆる磁気抵抗効果現象を
利用した再生用磁気ヘッドである。すなわち、磁気記録
媒体からの漏洩磁束を上記ＭＲ素子が受けると、その磁
束により上記ＭＲ素子の磁化の向きが反転し、上記ＭＲ
素子内部に流れる電流の向きに対して磁性量に応じた角
度をもつようになる。それ故に上記ＭＲ素子の電気抵抗
値が変化し、この変化量に応じた電圧変化が電流が流れ
ているＭＲ素子の両端の電極に現れる。したがって、こ
の電圧変化を電圧信号として磁気記録信号を読みだせる
ことになる。
【０００６】上記ＭＲヘッドは、基板上に薄膜技術によ
り上記ＭＲ素子や電極膜、絶縁層等を成膜し、フォトリ
ソ技術によってこれらを所定形状にエッチングすること
により形成され、再生時のギャップ長を規定して不要な
磁束の上記ＭＲ素子への浸入を防止するために、シール
ド材となる下部磁性層及び上部磁性層を上下に配したシ
ールド構造を採用している。
り上記ＭＲ素子や電極膜、絶縁層等を成膜し、フォトリ
ソ技術によってこれらを所定形状にエッチングすること
により形成され、再生時のギャップ長を規定して不要な
磁束の上記ＭＲ素子への浸入を防止するために、シール
ド材となる下部磁性層及び上部磁性層を上下に配したシ
ールド構造を採用している。
【０００７】具体的に、例えば、センス電流がトラック
幅方向と直交する方向に流れる、いわゆる縦型のＭＲヘ
ッドは、図５に示すように、セラミクスやガラス等の非
磁性基板１０４上に軟磁性膜である下部磁性層１０２、
及びＡｌ2 Ｏ3 或はＳｉＯ2を材料とする絶縁層１０５
が順次積層され、この絶縁層１０４上に、ＭＲ素子１０
１が、その長手方向が磁気記録媒体との対向面（磁気記
録媒体走行面ａ）と垂直となるように配され、且つその
一方の端面が磁気記録媒体走行面ａに露出するかたちに
形成されている。さらに、ＭＲ素子１０１の両端部上
に、このＭＲ素子にセンス電流を提供するための前端電
極１０６ａ及び後端電極１０６ｂが設けられ、ＭＲ素子
１０１上にＡｌ2 Ｏ3 或はＳｉＯ2 を材料とする絶縁層
１０７が形成されている。この絶縁層１０７上にはＭＲ
素子１０１と対向してバイアス導体１０８が配されて、
さらにこの上に絶縁層１０９が形成され、上記絶縁層１
０９上に軟磁性膜である上部磁性層１０３が積層され、
この上部磁性層１０３上にＡｌ2 Ｏ3 やＳｉＯ2 等より
なる保護層１１０が成膜されて上記ＭＲヘッドが構成さ
れている。ここで、ＭＲ素子１０１は前端電極１０６ａ
と後端電極１０６ｂとの間の領域が有効感磁部となる。
幅方向と直交する方向に流れる、いわゆる縦型のＭＲヘ
ッドは、図５に示すように、セラミクスやガラス等の非
磁性基板１０４上に軟磁性膜である下部磁性層１０２、
及びＡｌ2 Ｏ3 或はＳｉＯ2を材料とする絶縁層１０５
が順次積層され、この絶縁層１０４上に、ＭＲ素子１０
１が、その長手方向が磁気記録媒体との対向面（磁気記
録媒体走行面ａ）と垂直となるように配され、且つその
一方の端面が磁気記録媒体走行面ａに露出するかたちに
形成されている。さらに、ＭＲ素子１０１の両端部上
に、このＭＲ素子にセンス電流を提供するための前端電
極１０６ａ及び後端電極１０６ｂが設けられ、ＭＲ素子
１０１上にＡｌ2 Ｏ3 或はＳｉＯ2 を材料とする絶縁層
１０７が形成されている。この絶縁層１０７上にはＭＲ
素子１０１と対向してバイアス導体１０８が配されて、
さらにこの上に絶縁層１０９が形成され、上記絶縁層１
０９上に軟磁性膜である上部磁性層１０３が積層され、
この上部磁性層１０３上にＡｌ2 Ｏ3 やＳｉＯ2 等より
なる保護層１１０が成膜されて上記ＭＲヘッドが構成さ
れている。ここで、ＭＲ素子１０１は前端電極１０６ａ
と後端電極１０６ｂとの間の領域が有効感磁部となる。
【０００８】この縦型のＭＲヘッドとともに、センス電
流がトラック幅方向と平行な方向に流れる、いわゆる横
型のＭＲヘッドもまた利用されている。この横型のＭＲ
ヘッドにおいては、ＭＲ素子１０１がその長手方向が磁
気記録媒体との磁気記録媒体走行面ａと平行となるよう
に配されている。
流がトラック幅方向と平行な方向に流れる、いわゆる横
型のＭＲヘッドもまた利用されている。この横型のＭＲ
ヘッドにおいては、ＭＲ素子１０１がその長手方向が磁
気記録媒体との磁気記録媒体走行面ａと平行となるよう
に配されている。
【０００９】ここで、上記ＭＲヘッドにおいて、ＭＲ素
子１０１の機能について説明する。このＭＲ素子の電気
抵抗Ｒは、ＭＲ素子１０１に入力される磁束強度（磁束
量）に応じて変化する。すなわち、ＭＲ素子１０１の電
気抵抗Ｒの外部磁界依存性がＭＲ特性として図６に示す
特性曲線で表される。
子１０１の機能について説明する。このＭＲ素子の電気
抵抗Ｒは、ＭＲ素子１０１に入力される磁束強度（磁束
量）に応じて変化する。すなわち、ＭＲ素子１０１の電
気抵抗Ｒの外部磁界依存性がＭＲ特性として図６に示す
特性曲線で表される。
【００１０】このＭＲ素子１０１を駆動させる際には、
先ず、外部磁界に対する線形性に優れ且つ最も電気抵抗
Ｒの変化の大きい箇所まで予めＭＲ素子１０１にバイア
ス磁界Ｈｂを加えておく。この箇所を動作点Ａとする。
このとき磁気記録媒体からの信号磁界ΔＨｓが入力する
と、それが抵抗変化ΔＲｓに変換されることになる。す
なわち、ＭＲ素子１０１に所定のセンス電流Ｉｓを流し
ておけば、オームの法則ΔＶｓ＝ΔＲｓ×Ｉｓに基づい
て、この抵抗変化ΔＲｓを出力電圧ΔＶｓとして取り出
せる。
先ず、外部磁界に対する線形性に優れ且つ最も電気抵抗
Ｒの変化の大きい箇所まで予めＭＲ素子１０１にバイア
ス磁界Ｈｂを加えておく。この箇所を動作点Ａとする。
このとき磁気記録媒体からの信号磁界ΔＨｓが入力する
と、それが抵抗変化ΔＲｓに変換されることになる。す
なわち、ＭＲ素子１０１に所定のセンス電流Ｉｓを流し
ておけば、オームの法則ΔＶｓ＝ΔＲｓ×Ｉｓに基づい
て、この抵抗変化ΔＲｓを出力電圧ΔＶｓとして取り出
せる。
【００１１】上記ＭＲヘッドは、上記ＭＲ素子を上部磁
性層及び下部磁性層で挟む構造としているため、分解能
が向上し、これら上部，下部磁性層のないものと比較し
て、再生出力のＳ／Ｎ及び記録密度を向上させることが
できる。
性層及び下部磁性層で挟む構造としているため、分解能
が向上し、これら上部，下部磁性層のないものと比較し
て、再生出力のＳ／Ｎ及び記録密度を向上させることが
できる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】縦型のＭＲヘッドは、
横型のＭＲヘッドに比してオフトラック特性に優れてお
り、今後ＭＲヘッドの主流となりつつある。しかしなが
ら、この縦型のＭＲヘッドは、その有効感磁部がデプス
よりも奥に位置するために信号磁界を引き込み難く、再
生出力を向上させることが困難であり、この点が性能向
上に対する大きな障害となっている。
横型のＭＲヘッドに比してオフトラック特性に優れてお
り、今後ＭＲヘッドの主流となりつつある。しかしなが
ら、この縦型のＭＲヘッドは、その有効感磁部がデプス
よりも奥に位置するために信号磁界を引き込み難く、再
生出力を向上させることが困難であり、この点が性能向
上に対する大きな障害となっている。
【００１３】そこで本発明は、上述の課題に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、オフトラッ
ク特性に優れるとともに、高バイアス効率及び高再生出
力を得ることを可能とするＭＲヘッドを提供することに
ある。
れたものであり、その目的とするところは、オフトラッ
ク特性に優れるとともに、高バイアス効率及び高再生出
力を得ることを可能とするＭＲヘッドを提供することに
ある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の対象となるもの
は、磁界によって抵抗率が変化する磁気抵抗効果を有す
る磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）が設けられてなり、当
該ＭＲ素子の抵抗変化を再生出力電圧として検出する磁
気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）であり、ＭＲ素
子がその長手方向が磁気記録媒体走行方向と略々直交す
るように配されるとともに、当該磁気抵抗効果素子の前
端部，後端部にそれぞれ前端電極，後端電極が配され、
磁気抵抗効果素子の前端電極と後端電極との間の領域が
有効感磁部とされてなるＭＲヘッドである。
は、磁界によって抵抗率が変化する磁気抵抗効果を有す
る磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）が設けられてなり、当
該ＭＲ素子の抵抗変化を再生出力電圧として検出する磁
気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）であり、ＭＲ素
子がその長手方向が磁気記録媒体走行方向と略々直交す
るように配されるとともに、当該磁気抵抗効果素子の前
端部，後端部にそれぞれ前端電極，後端電極が配され、
磁気抵抗効果素子の前端電極と後端電極との間の領域が
有効感磁部とされてなるＭＲヘッドである。
【００１５】本発明のＭＲヘッドは、上記ＭＲ素子がそ
の後端部にて上部磁性層，下部磁性層の少なくとも一方
と磁気的に接続されていることを特徴とするものであ
る。
の後端部にて上部磁性層，下部磁性層の少なくとも一方
と磁気的に接続されていることを特徴とするものであ
る。
【００１６】この場合、上記ＭＲ素子の有効感磁部と下
部磁性層との最大離間距離を０．５μｍ以上２μｍ以下
とすることが好適である。ここで、上記最大離間距離を
０．５μｍ以上とすることにより更なる出力向上が実現
され、下部磁性層の厚みを確保する必要から最大離間距
離が２μｍ以下に規制されることになる。
部磁性層との最大離間距離を０．５μｍ以上２μｍ以下
とすることが好適である。ここで、上記最大離間距離を
０．５μｍ以上とすることにより更なる出力向上が実現
され、下部磁性層の厚みを確保する必要から最大離間距
離が２μｍ以下に規制されることになる。
【００１７】
【作用】本発明に係るＭＲヘッドにおいては、ＭＲ素子
がその後端部にて上部，下部磁性層の少なくとも一方と
磁気的に接続されており、ＭＲ素子と上部，下部磁性層
とが磁気的に隔絶している場合に比して当該ＭＲ素子の
磁気抵抗値が低減する。したがって、ＭＲ素子にバイア
ス磁界が安定且つ効率よく印加されるとともに、ＭＲ素
子の前端電極と後端電極との間の領域である有効感磁部
における信号磁界強度が増大し、低消費電力で高い再生
出力が得られる。
がその後端部にて上部，下部磁性層の少なくとも一方と
磁気的に接続されており、ＭＲ素子と上部，下部磁性層
とが磁気的に隔絶している場合に比して当該ＭＲ素子の
磁気抵抗値が低減する。したがって、ＭＲ素子にバイア
ス磁界が安定且つ効率よく印加されるとともに、ＭＲ素
子の前端電極と後端電極との間の領域である有効感磁部
における信号磁界強度が増大し、低消費電力で高い再生
出力が得られる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明に係るＭＲヘッドの実施例を図
面を参照しながら詳細に説明する。
面を参照しながら詳細に説明する。
【００１９】この実施例に係るＭＲヘッドは、図１に示
すように、長手方向が磁気記録媒体走行面ａと直交する
ように形成された磁気抵抗効果を奏するＭＲ素子１が下
部磁性層２と上部磁性層３とで挟持された構造とされて
おり、いわゆる縦型のＭＲヘッドとして構成されてい
る。
すように、長手方向が磁気記録媒体走行面ａと直交する
ように形成された磁気抵抗効果を奏するＭＲ素子１が下
部磁性層２と上部磁性層３とで挟持された構造とされて
おり、いわゆる縦型のＭＲヘッドとして構成されてい
る。
【００２０】具体的には、セラミクスやガラス等を材料
とする非磁性基板１１上にＮｉ−Ｆｅ等よりなるシール
ド磁性膜である下部磁性層２が設けられ、この下部磁性
層２に形成された溝部２ａ内に二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）
等よりなる絶縁層１２が形成されている。ここで、下部
磁性層２に溝部２ａを形成するには、一例として、下部
磁性層２をメッキ成膜或はスパッタ成膜した後、下部磁
性層２上にフォトレジストを塗布して所定のパターンを
形成し、フォトリソグラフィー技術によりレジストマス
クを形成する。そして、このレジストマスクのパターン
に倣ってエッチングを施すことにより溝部２ａを形成す
る。
とする非磁性基板１１上にＮｉ−Ｆｅ等よりなるシール
ド磁性膜である下部磁性層２が設けられ、この下部磁性
層２に形成された溝部２ａ内に二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）
等よりなる絶縁層１２が形成されている。ここで、下部
磁性層２に溝部２ａを形成するには、一例として、下部
磁性層２をメッキ成膜或はスパッタ成膜した後、下部磁
性層２上にフォトレジストを塗布して所定のパターンを
形成し、フォトリソグラフィー技術によりレジストマス
クを形成する。そして、このレジストマスクのパターン
に倣ってエッチングを施すことにより溝部２ａを形成す
る。
【００２１】次いで、絶縁層１２上にＭＲ素子１が形成
され、さらにこのＭＲ素子１上にＳｉＯ2 等よりなる絶
縁層１３が成膜されている。すなわち、当該ＭＲヘッド
においては、ＭＲ素子１を、その長手方向が磁気記録媒
体との対向面、即ち磁気記録媒体走行面ａと垂直になる
ように配置し、その一方の端面を当該磁気記録媒体走行
面ａに露出させるとともに、他方の端面を絶縁層１２の
成膜領域より長く延在するかたちとされている。
され、さらにこのＭＲ素子１上にＳｉＯ2 等よりなる絶
縁層１３が成膜されている。すなわち、当該ＭＲヘッド
においては、ＭＲ素子１を、その長手方向が磁気記録媒
体との対向面、即ち磁気記録媒体走行面ａと垂直になる
ように配置し、その一方の端面を当該磁気記録媒体走行
面ａに露出させるとともに、他方の端面を絶縁層１２の
成膜領域より長く延在するかたちとされている。
【００２２】そして、この絶縁層１３上にはＭＲ素子１
に所定のバイアス磁界を印加するためのバイアス導体１
４が成膜され、このバイアス導体１４上に絶縁層１５が
成膜されている。ここで、このバイアス導体１４は絶縁
層１５内に埋め込まれたかたちに成膜されていることに
なる。
に所定のバイアス磁界を印加するためのバイアス導体１
４が成膜され、このバイアス導体１４上に絶縁層１５が
成膜されている。ここで、このバイアス導体１４は絶縁
層１５内に埋め込まれたかたちに成膜されていることに
なる。
【００２３】ここで、ＭＲ素子１の磁気記録媒体走行面
ａ側の一端部と、この一端部から所定距離隔てた他端部
に、それぞれ導電膜による電極（前端電極１６ａ及び後
端電極１６ｂ）が形成されている。これら前端電極１６
ａ及び後端電極１６ｂは、ＭＲ素子１の長手方向に沿っ
て（即ち、上記磁気記録媒体走行面ａと直交する方向
に）センス電流を流す目的で形成される。すなわち、前
端電極１６ａ及び後端電極１６ｂによりＭＲ素子１が狭
持されたかたちとなっており、当該ＭＲ素子１のうち、
前端，後端電極１６ａ，１６ｂ間の領域ｄが磁気抵抗効
果を示す有効感磁部となる。このとき、磁気記録媒体走
行面ａから前端電極１６ａを介して当該有効感磁部に至
るまでの距離がデプス長となる。ここで、これら前端電
極１６ａ及び後端電極１６ｂもバイアス導体１４と同様
に絶縁層１５内に埋め込まれたかたちに成膜されている
ことになる。
ａ側の一端部と、この一端部から所定距離隔てた他端部
に、それぞれ導電膜による電極（前端電極１６ａ及び後
端電極１６ｂ）が形成されている。これら前端電極１６
ａ及び後端電極１６ｂは、ＭＲ素子１の長手方向に沿っ
て（即ち、上記磁気記録媒体走行面ａと直交する方向
に）センス電流を流す目的で形成される。すなわち、前
端電極１６ａ及び後端電極１６ｂによりＭＲ素子１が狭
持されたかたちとなっており、当該ＭＲ素子１のうち、
前端，後端電極１６ａ，１６ｂ間の領域ｄが磁気抵抗効
果を示す有効感磁部となる。このとき、磁気記録媒体走
行面ａから前端電極１６ａを介して当該有効感磁部に至
るまでの距離がデプス長となる。ここで、これら前端電
極１６ａ及び後端電極１６ｂもバイアス導体１４と同様
に絶縁層１５内に埋め込まれたかたちに成膜されている
ことになる。
【００２４】そして、絶縁層１２上にＭＲ素子１を挟み
込むようにＮｉ−Ｆｅ等の磁性膜による上部磁性層３が
積層され、この上部磁性層３上にＡｌ2 Ｏ3 やＳｉＯ2
等よりなる保護層１７が成膜されて上記ＭＲヘッドが構
成されている。
込むようにＮｉ−Ｆｅ等の磁性膜による上部磁性層３が
積層され、この上部磁性層３上にＡｌ2 Ｏ3 やＳｉＯ2
等よりなる保護層１７が成膜されて上記ＭＲヘッドが構
成されている。
【００２５】ここで特に、上記の如く下部磁性層２に溝
部２ａが形成され、この溝部２ａ内に絶縁層１２が形成
されているので、ＭＲ素子１はその後端部にて下部磁性
層２と接触して設けられて当該下部磁性層２と磁気的に
接続される。
部２ａが形成され、この溝部２ａ内に絶縁層１２が形成
されているので、ＭＲ素子１はその後端部にて下部磁性
層２と接触して設けられて当該下部磁性層２と磁気的に
接続される。
【００２６】したがって、ＭＲ素子１にバイアス磁界が
安定且つ効率よく印加されるとともに、ＭＲ素子１と上
部，下部磁性層３，２とが磁気的に隔絶している場合に
比して当該ＭＲ素子１の磁気抵抗値が低減し、ＭＲ素子
の前端電極１６ａと後端電極１６ｂとの間の領域である
有効感磁部における信号磁界強度が増大し、低消費電力
で高い再生出力が得られる。
安定且つ効率よく印加されるとともに、ＭＲ素子１と上
部，下部磁性層３，２とが磁気的に隔絶している場合に
比して当該ＭＲ素子１の磁気抵抗値が低減し、ＭＲ素子
の前端電極１６ａと後端電極１６ｂとの間の領域である
有効感磁部における信号磁界強度が増大し、低消費電力
で高い再生出力が得られる。
【００２７】ここで、１つの実験例について説明する。
この実験は、本実施例のＭＲヘッドにおける信号磁界強
度の分布について調べた実験１と、本実施例のＭＲヘッ
ドにおけるバイアス磁界強度の分布について調べた実験
２とから構成されており、それぞれＭＲ素子と上部，下
部磁性層とが磁気的に隔絶している従来のＭＲヘッドと
の比較に基づいて調べたものである。
この実験は、本実施例のＭＲヘッドにおける信号磁界強
度の分布について調べた実験１と、本実施例のＭＲヘッ
ドにおけるバイアス磁界強度の分布について調べた実験
２とから構成されており、それぞれＭＲ素子と上部，下
部磁性層とが磁気的に隔絶している従来のＭＲヘッドと
の比較に基づいて調べたものである。
【００２８】先ず、実験１の結果を図２に示す。従来の
ＭＲヘッドについては、曲線Ａに示すように、ＭＲ素子
の有効感磁部内において前端電極から後端電極にかけて
信号磁界強度が単調に減少する。ここで、ＭＲ素子の前
端電極部及び後端電極部において信号磁界強度が極端に
変化しているが、ＭＲ素子の再生出力に影響はない。一
方、本実施例のＭＲヘッドについては、曲線Ｂに示すよ
うに、ＭＲ素子１の有効感磁部内において前端電極１６
ａから後端電極１６ｂにかけて信号磁界強度が従来のＭ
Ｒヘッドに比して常に高値を保ちつつ単調に減少する。
ＭＲヘッドについては、曲線Ａに示すように、ＭＲ素子
の有効感磁部内において前端電極から後端電極にかけて
信号磁界強度が単調に減少する。ここで、ＭＲ素子の前
端電極部及び後端電極部において信号磁界強度が極端に
変化しているが、ＭＲ素子の再生出力に影響はない。一
方、本実施例のＭＲヘッドについては、曲線Ｂに示すよ
うに、ＭＲ素子１の有効感磁部内において前端電極１６
ａから後端電極１６ｂにかけて信号磁界強度が従来のＭ
Ｒヘッドに比して常に高値を保ちつつ単調に減少する。
【００２９】このように、本実施例のＭＲヘッドは、従
来のそれに比してＭＲ素子の有効感磁部に入る信号磁界
強度が大きく、高再生出力を得ることが可能となること
がわかる。
来のそれに比してＭＲ素子の有効感磁部に入る信号磁界
強度が大きく、高再生出力を得ることが可能となること
がわかる。
【００３０】次いで、実験２の結果を図３に示す。従来
のＭＲヘッドについては、曲線Ａに示すように、上記有
効感磁部内において、最も大きな抵抗変化ΔＲｓを得る
ことができる最適バイアス点Ｐに到達することなく前端
電極から後端電極にかけて上に凸の曲線を描いてバイア
ス磁界強度が変化する。一方、本実施例のＭＲヘッドに
ついては、曲線Ｂに示すように、上記有効感磁部内の略
々全域においてバイアス磁界強度が最適バイアス点Ｐ近
傍にて略々一定の高値を保っている。
のＭＲヘッドについては、曲線Ａに示すように、上記有
効感磁部内において、最も大きな抵抗変化ΔＲｓを得る
ことができる最適バイアス点Ｐに到達することなく前端
電極から後端電極にかけて上に凸の曲線を描いてバイア
ス磁界強度が変化する。一方、本実施例のＭＲヘッドに
ついては、曲線Ｂに示すように、上記有効感磁部内の略
々全域においてバイアス磁界強度が最適バイアス点Ｐ近
傍にて略々一定の高値を保っている。
【００３１】このように、本実施例のＭＲヘッドは、従
来のそれに比してＭＲ素子１の有効感磁部に印加される
バイアス磁界が大きく、バイアス効率が向上するととも
に、有効感磁部内の比較的広い範囲で動作点Ａを最適バ
イアス点Ｐに合わせることが可能となることがわかる。
来のそれに比してＭＲ素子１の有効感磁部に印加される
バイアス磁界が大きく、バイアス効率が向上するととも
に、有効感磁部内の比較的広い範囲で動作点Ａを最適バ
イアス点Ｐに合わせることが可能となることがわかる。
【００３２】以上に示すように、本実施例のＭＲヘッド
によれば、縦型のＭＲヘッドであるためオフトラック特
性に優れるとともに、高バイアス効率及び高再生出力を
得ることが可能となる。
によれば、縦型のＭＲヘッドであるためオフトラック特
性に優れるとともに、高バイアス効率及び高再生出力を
得ることが可能となる。
【００３３】次いで、本実施例に係るＭＲヘッドの変形
例について説明する。この変形例のＭＲヘッドは、上記
実施例のＭＲヘッドと略々同様の構成を有するが、ＭＲ
素子１下の絶縁層１２の膜厚が異なる点で相違する。な
お、上記実施例と対応する部材等については同符号を付
して説明を省略する。
例について説明する。この変形例のＭＲヘッドは、上記
実施例のＭＲヘッドと略々同様の構成を有するが、ＭＲ
素子１下の絶縁層１２の膜厚が異なる点で相違する。な
お、上記実施例と対応する部材等については同符号を付
して説明を省略する。
【００３４】上記変形例のＭＲヘッドは、図４に示すよ
うに、ＭＲ素子１の有効感磁部と下部磁性層２との最大
離間距離、すなわち絶縁層１２の膜厚（溝部２ａの深
さ）の最大値Ｍが０．５μｍ以上２μｍ以下とされて構
成されている。ここで、上記最大値Ｍを０．５μｍ以上
とすることにより更なる出力向上が実現され、下部磁性
層２の厚みを確保する必要から最大値Ｍが２μｍ以下に
規制されることになる。
うに、ＭＲ素子１の有効感磁部と下部磁性層２との最大
離間距離、すなわち絶縁層１２の膜厚（溝部２ａの深
さ）の最大値Ｍが０．５μｍ以上２μｍ以下とされて構
成されている。ここで、上記最大値Ｍを０．５μｍ以上
とすることにより更なる出力向上が実現され、下部磁性
層２の厚みを確保する必要から最大値Ｍが２μｍ以下に
規制されることになる。
【００３５】この場合、ＭＲ素子１がその後端部にて下
部磁性層２と磁気的に接続されており、ＭＲ素子と下部
磁性層とが磁気的に隔絶している場合に比して当該ＭＲ
素子の磁気抵抗値が低減する。したがって、ＭＲ素子１
にバイアス磁界が安定且つ効率よく印加されるととも
に、ＭＲ素子１の前端電極１６ａと後端電極１６ｂとの
間の領域である有効感磁部における信号磁界強度が増大
し、更に低消費電力で高い再生出力が得られる。
部磁性層２と磁気的に接続されており、ＭＲ素子と下部
磁性層とが磁気的に隔絶している場合に比して当該ＭＲ
素子の磁気抵抗値が低減する。したがって、ＭＲ素子１
にバイアス磁界が安定且つ効率よく印加されるととも
に、ＭＲ素子１の前端電極１６ａと後端電極１６ｂとの
間の領域である有効感磁部における信号磁界強度が増大
し、更に低消費電力で高い再生出力が得られる。
【００３６】
【発明の効果】本発明に係るＭＲヘッドにおいては、Ｍ
Ｒ素子がその後端部にて上部，下部磁性層の少なくとも
一方と磁気的に接続されており、ＭＲ素子と上部，下部
磁性層とが磁気的に隔絶している場合に比して当該ＭＲ
素子の磁気抵抗値が低減する。したがって、ＭＲ素子に
バイアス磁界が安定且つ効率よく印加されるとともに、
ＭＲ素子の前端電極と後端電極との間の領域である有効
感磁部における信号磁界強度が増大し、低消費電力で高
い再生出力が得られる。
Ｒ素子がその後端部にて上部，下部磁性層の少なくとも
一方と磁気的に接続されており、ＭＲ素子と上部，下部
磁性層とが磁気的に隔絶している場合に比して当該ＭＲ
素子の磁気抵抗値が低減する。したがって、ＭＲ素子に
バイアス磁界が安定且つ効率よく印加されるとともに、
ＭＲ素子の前端電極と後端電極との間の領域である有効
感磁部における信号磁界強度が増大し、低消費電力で高
い再生出力が得られる。
【００３７】すなわち、本発明のＭＲヘッドによれば、
横型のＭＲヘッドであるためにオフトラック特性に優れ
るとともに、高バイアス効率及び高再生出力を得ること
が可能となる。
横型のＭＲヘッドであるためにオフトラック特性に優れ
るとともに、高バイアス効率及び高再生出力を得ること
が可能となる。
【図１】本実施例に係るＭＲヘッドを模式的に示す縦断
面図である。
面図である。
【図２】ＭＲ素子の信号磁界強度分布を示す特性図であ
る。
る。
【図３】ＭＲ素子のバイアス磁界強度分布を示す特性図
である。
である。
【図４】本実施例の変形例のＭＲヘッドを模式的に示す
縦断面図である。
縦断面図である。
【図５】従来のＭＲヘッドを模式的に示す縦断面図であ
る。
る。
【図６】ＭＲヘッドの磁気抵抗効果特性を示す特性図で
ある。
ある。
１ ＭＲ素子 ２ 下部磁性層 ３ 上部磁性層 １１ 非磁性基板 １２，１３，１５ 絶縁層 １４ バイアス導体 １６ａ 前端電極 １６ｂ 後端電極
Claims (2)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子がその長手方向が磁気
記録媒体走行方向と略々直交するように配されるととも
に、当該磁気抵抗効果素子の前端部，後端部にそれぞれ
前端電極，後端電極が配され、磁気抵抗効果素子，前端
電極，及び後端電極が上部磁性層と下部磁性層とによっ
て狭持されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、 磁気抵抗効果素子がその後端部にて上部磁性層，下部磁
性層の少なくとも一方と磁気的に接続されていることを
特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項２】 磁気抵抗効果素子の前端電極と後端電極
との間の領域である有効感磁部と下部磁性層との最大離
間距離が０．５μｍ以上２μｍ以下とされていることを
特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16664195A JPH0916922A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16664195A JPH0916922A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0916922A true JPH0916922A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15835047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16664195A Withdrawn JPH0916922A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0916922A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6525912B2 (en) * | 1997-12-09 | 2003-02-25 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin magnetic head with intermediate gap layer, magnetoresistive layer and electrode layers disposed between upper and lower gap layers |
-
1995
- 1995-06-30 JP JP16664195A patent/JPH0916922A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6525912B2 (en) * | 1997-12-09 | 2003-02-25 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin magnetic head with intermediate gap layer, magnetoresistive layer and electrode layers disposed between upper and lower gap layers |
| US6550131B1 (en) | 1997-12-09 | 2003-04-22 | Alps Electric Co., Ltd. | Method for making a thin-film magnetic head |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020903 |