JPH0916941A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 磁気記録媒体の高保磁力化、低浮上走行化及
び高ＣＳＳ耐久性化をより容易に実現できる磁気記録媒
体及びその製造方法を提供する。 【構成】 ガラス基板１上に、順次、第１下地層２及び
第２下地層３を形成し、次に、第２下地層３を形成した
基板を加熱処理し、次に、この第２下地層の上に順次、
第３下地層４、磁性層５、保護層６及び潤滑層７を形成
して磁気記録媒体を得るようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置に使
用される磁気記録媒体及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ハードディスク等の磁気記録媒体に対す
る高記録密度記録化の要請は近年ますます厳しいものに
なっている。

【０００３】ここで、一般に、ハードディスク等の磁気
記録媒体は、非磁性基板に下地層、磁性層及び保護層を
順次形成したもので、この上で磁気ヘッドが搭載された
ヘッドスライダーを浮上走行させながら記録及び再生を
行なう。したがって、この磁気記録媒体の高密度記録化
を実現するためには、磁性層の高保磁力化に加えて、ヘ
ッドスライダーの低浮上走行化及びＣＳＳ（contact st
art and stop）に対する耐久性の向上等を実現すること
が重要である。すなわち、ヘッドスライダーを低浮上走
行させることによって、記録・再生の際の磁気ヘッドと
磁性層との距離を小さくして高密度の記録・再生を可能
にする必要がある。また、この低浮上走行化させると、
ヘッドスライダーの走行開始及び停止時における摺動走
行と浮上走行との切替の繰り返し動作（ＣＳＳ）の際
に、磁気ヘッド及び磁気記録媒体に加わる物理的・機械
的負担が急激に増すので、このＣＳＳにおける磁気ヘッ
ド及び磁気記録媒体の耐久性向上（以下、「高ＣＳＳ耐
久性化」と略称する）も必要になる。さらには、高密度
記録化にともなって再生時のノイズ低減化もより厳しく
要求される。

【０００４】ところで、現状の多くのハードディスク
は、非磁性基板としてアルミ合金基板を用い、その表面
にＮｉーＰめっきを施して研磨した後、テクスチャー加
工を施して表面に適度の表面粗さを付与しておき、しか
る後に、インラインスパッタ装置等によって、下地層、
磁性層及び保護層等を順次形成したものである。すなわ
ち、テクスチャー加工による表面粗さに起因する凹凸が
下地層及び磁性層を介して保護層表面に表われるように
して、ＣＳＳの際にヘッドスライダーが磁気記録媒体に
吸着したり、あるいは、両者の間の摩擦力が所定以上に
大きくならないようにしている。

【０００５】しかしながら、この方式で、上記高保磁力
化、低浮上走行化及び高ＣＳＳ耐久性化を実現させるに
は限界があることがわかってきた。これは、テクスチャ
ーによる表面凹凸が形成された上に、その凹凸にならっ
て凹凸のある下地層及び磁性層を形成していくことにな
るので、スパッタ粒子の入射角度が場所によって異なる
等のことが原因で、下地層及び磁性層の成膜過程で成長
すべき結晶が必ずしも良好に形成されないことが原因の
１つであると考えられる。また、アルミ合金基板の硬度
等の機械的物性が、低浮上走行化及び高ＣＳＳ耐久性化
を図るために必要とされる機械的耐久性を満たすには必
ずしも十分なものでなく、さらに、下地層、磁性層及び
保護層等を良好な特性にするためにより高い温度での加
熱処理をはじめとする物理的・化学的処理を施す必要が
でてきているが、アルミ合金基板はこれら処理に対する
耐熱性や耐食性等の物理的・化学的耐性も十分でないこ
とがわかってきた。

【０００６】高密度記録化がより容易に実現できる可能
性の高いものとして、最近、非磁性基板にガラス基板を
用いた磁気記録媒体が注目されている。これは、ガラス
の機械的・物理的・化学的耐久性やその表面を比較的容
易に高い平面精度に形成できること等の性質が高密度記
録化実現により適していることがわかってきたためであ
る。すなわち、このガラス基板を用いた磁気記録媒体
は、表面を精密研磨したガラス基板上に、ただちに下地
層、磁性層及び保護層等を順次形成したものであり、ア
ルミ基板を用いた場合と異なり、基板の表面にテクスチ
ャー加工を施さず、保護層自体によって凹凸を付与する
ようにしたものである。このため、下地層や磁性層は、
極めて平滑な面上に形成されていくので、下地層や磁性
層の形成の際の各々の結晶成長の制御等が容易であり、
良好な特性の層を比較的容易に得ることができる。ま
た、保護層表面の粗さについても、アルミ基板を用いた
ものは、基板表面の粗さを下地層や磁性層を介して保護
層上に間接的に表しているので、その粗さ制御が必ずし
も容易でないが、これに比較して、ガラス基板を用いた
ものは、保護層自体によって直接粗さを決定できるの
で、比較的粗さ制御も容易である。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明者等が、上述の
ガラス基板を用いた磁気記録媒体で高密度記録化実現の
ための種々の実験や考察を行なった結果、以下の事実が
判明した。

【０００８】すなわち、高保磁力化、低浮上走行化及び
高ＣＳＳ耐久性化を実現させるためには、これらの機能
を直接左右する磁性層や保護層もしくは潤滑剤等の材料
自体の改良をすることが必要であることは勿論である
が、特に、ガラス基板を用いたものについてみると、こ
れら各層の性能は、必ずしもその層自体だけで決まると
いうことはできず、これらの層を形成するガラス基板の
材料や表面状態、あるいは、これらの層の組み合わせや
層形成時における処理条件その他の条件によって予想を
はるかに越えた影響を受けることがわかってきた。

【０００９】このような事実は、特に、ガラス基板を用
いて従来実現できなかった著しい高密度記録化を図るた
めに必要となったより厳しい条件のもとでのより厳密な
実験と考察によって明らかになってきたものである。す
なわち、例えば、ガラス基板を用いたことにより、アル
ミ合金基板の場合（例えば、特開平４ー４７５２７号，
特開平４ー２６８２１３号等の公報参照）では考えられ
なかった高い温度の加熱処理が可能になる。これを利用
してある膜の熱処理温度を高くしてその膜自体の特性を
向上させると、その高い温度での熱処理は他の膜にとっ
ては逆に苛酷なものになってその膜の特性を著しく悪化
させる場合がある。しかし、例えば、この高温度熱処理
による膜特性向上の可能性を利用しなければ、総合特性
向上の可能性も減ぜられることになる。したがって、ガ
ラス基板のこの利点を生かして総合特性を向上させるた
めには、他の膜がこの高温度熱処理に影響されないよう
な措置を施す必要が生ずる。本発明者等の研究によれ
ば、例えば、下地層の膜構成を特定の膜構成にすると同
時にこの下地層の各膜の形成時に特定の順番で特定の加
熱処理を加えたり、あるいは、例えば、磁性層と保護層
との間に他の層を介在させる等の措置を講ずることによ
って、他の層、例えば、磁性層や保護層形成時に高い温
度での加熱処理その他の苛酷な処理を加えてもその処理
による膜質向上効果を生かしながら他の膜の特性を劣化
させずに結果的に総合特性を向上させることができる道
のあることがわかってきた。

【００１０】また、高密度記録化を実現するためには、
上述のように、高保磁力化、低浮上走行化及び高ＣＳＳ
耐久性を実現することが重要であるが、これだけでは十
分でない。すなわち、高密度記録化にともなって、再生
時のノイズやディスク１周内におけるエンベロープモジ
ュレーション等についても、従来は問題とならなかった
ようなレベルを問題にしなければならず、これらの特性
についても改善しなければならないことがわかってき
た。なお、ここで、再生時のノイズとは、磁性粒の不均
一性や記録ビット間に形成される磁化反転幅等の磁気記
録媒体に起因する雑音を意味し、また、ディスク１周内
におけるエンベロープモジュレーションとは、ある半径
位置でのディスク１周内にみられる再生出力の変動を意
味する。

【００１１】本発明者等の研究によれば、これらの特性
は、下地層や磁性層を構成する膜の組み合わせ、あるい
は、これら膜形成時の処理条件、さらには、これら各層
と磁性層の上に形成される保護層との組み合わせ等によ
っても少なからず左右されるが、その中で、下地層を構
成する膜の組み合わせが極めて重要な要因の１つである
ことがわかってきた。

【００１２】本発明は、上述の背景のもとでなされたも
のであり、高保磁力を有するとともに再生時のノイズや
ディスク１周内におけるエンベロープモジュレーション
が小く、かつ、低浮上走行化及び高ＣＳＳ耐久性化をよ
り容易に実現できる磁気記録媒体及びその製造方法を提
供することを目的としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明にかかる磁気記録媒体は、 （構成１） ガラス基板上に形成された下地層と、この
下地層の上に形成された磁性層と、この磁性層の上に他
の層を介して又は介さずに形成された保護層と、この保
護層上に形成された潤滑層とを有する磁気記録媒体にお
いて、前記下地層は、前記ガラス基板に接する側に形成
されたＡｌ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｐｂ，Ｃ
ｕ，Ｔｎから選ばれた少なくとも１種を主成分とする第
１下地層と、この第１下地層の上に形成されたＣｒ，Ｔ
ｉＷ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｚｒ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｚ
ｎ，Ｉｎ，Ｓｎから選ばれた少なくとも１種を主成分と
する第２下地層とを有することを特徴とする構成とし、
この構成１の態様として、 （構成２） 前記第１下地層の厚さを１０〜１００オン
グストロームとし、前記第２下地層の厚さを前記第１下
地層の厚さの２〜１０倍にしたことを特徴とする構成、
及び、 （構成３） 前記下地層は、前記第２下地層の上に、Ｃ
ｒ，Ｍｏ，Ｚｒ，Ｂ，Ｓｉ，Ｚｎ，Ｔｉ，Ｗ，Ｖ，Ｔ
ａ，Ａｌから選ばれる少なくとも１種の元素を含む１層
以上の層からなる第３下地層を有することを特徴とする
構成とし、構成３の態様として、 （構成４） 前記第３下地層が膜厚２００〜１６００オ
ングストロームのＣｒ膜からなることを特徴とする構成
とし、構成１ないし４の態様として、 （構成５） 前記ガラス基板及び第１下地層にはテクス
チャーを形成しないことを特徴とする構成とし、この構
成５の態様として、 （構成６） 前記第１下地層の表面粗さが前記ガラス基
板の表面粗さの１〜２倍であることを特徴とする構成と
した。

【００１４】また、本発明に係る磁気記録媒体の製造方
法は、 （構成７） ガラス基板上に非磁性材料からなる第１下
地層を形成する第１下地層形成工程と、前記第１下地層
の上に該第１下地層と異なる非磁性材料からなる第２下
地層を形成する第２下地層形成工程と、前記第２下地層
を形成したガラス基板に加熱処理を施す第２下地層付基
板加熱工程と、前記加熱処理後の第２下地層の上に非磁
性材料からなる第３下地層を形成する第３下地層形成工
程と、前記第３下地層の上に磁性層を形成する磁性層形
成工程と、前記磁性層の上に他の層を介してまたは介さ
ずに保護層を形成する保護層形成工程と、前記保護層の
上に潤滑層を形成する潤滑層形成工程とを有することを
特徴とする構成とし、構成７の態様として、 （構成８） 前記第１下地層の表面粗さが前記ガラス基
板の表面粗さの１〜２倍であることを特徴とする構成、
及び、 （構成９） 前記第１下地層を形成する前に前記ガラス
基板を加熱する基板加熱工程を有することを特徴とする
構成とし、構成７ないし９のいずれかの態様として、 （構成１０） 前記第１下地層がＧｅ，Ｇａ，Ｚｒ，Ｔ
ｉ，Ｓｉ，Ｐｂ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ａｌから選ばれた少なく
とも１種を主たる成分とし、前記第２下地層がＣｒを主
たる成分とするものであることを特徴とする構成とし、
構成７ないし１０のいずれかの態様として、 （構成１１） 前記磁性層がＣｏーＮｉーＣｒ系の材料
からなり、前記第２下地層付基板加熱工程における加熱
温度が２００〜４００℃であることを特徴とする構成と
し、構成７ないし１１のいずれかの態様として、 （構成１２） 前記磁性層がＣｏーＰｔーＣｒ系の材料
であり、前記第２下地層付基板加熱工程における加熱温
度が２５０〜４５０℃であることを特徴とする構成と
し、構成７ないし１２のいずれかの態様として、 （１３） 前記第３下地層が、２層以上からなり、前記
第２下地層側の第１層がＣｒを主たる成分とする材料か
らなり、この第１層の上に形成される２層目以上の層が
Ｃｒ，Ｍｏ，Ｚｒ，Ｂ，Ｓｉ，Ｚｎ，Ｔｉ，Ｗ，Ｖ，Ｔ
ａ，Ａｌから選ばれる少なくとも１種以上の元素を主た
る成分とするものであることを特徴とする構成とし、こ
の構成１３の態様として、 （構成１４） 前記第１下地層、第２下地層及び第３下
地層の厚さが、それぞれ１０〜１００オングストロー
ム、１０〜１０００オングストローム及び１０〜２００
０オングストロームであることを特徴とする構成とし
た。

【００１５】

【作用】上述の構成１によれば、下地層を、「ガラス基
板に接する側に形成されたＡｌ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｚｒ，Ｔ
ｉ，Ｓｉ，Ｐｂ，Ｃｕ，Ｔｎから選ばれた１種を主成分
とする第１下地層と、この第１下地層の上に形成された
Ｃｒ，ＴｉＷ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｚｒ，Ｃｕ，Ａ
ｌ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｓｎの少なくとも１種を主成分とする
第２下地層とを有することを特徴とする」もので構成し
たことにより、高保磁力を有するとともに、再生時のノ
イズやディスク１周内におけるエンベロープモジュレー
ションが小さい磁気記録媒体が得られるようになった。
この場合、構成２のように、第１下地層の厚さを１０〜
１００オングストロームとし、第２下地層の厚さを第１
下地層の厚さの２〜１０倍にすることが好ましい。

【００１６】ここで、第１下地層の厚さを１０〜１００
オングストロームとするのは、第１下地層の厚さを１０
オングストローム未満にすると、保磁力が小さくなるか
らであり、１００オングストロームを越えるものにする
と、媒体ノイズが増大するからである。

【００１７】また、第２下地層の厚さを第１下地層の厚
さの２〜１０倍にしたのは、２倍未満にすると、十分な
保磁力を得られないと共にノイズが高くなってしまうか
らであり、１０倍を越えるものにすると、エンベロープ
モジュレーションが大きくなってしまうからである。

【００１８】また、この場合、構成３のように、第３下
地層を設けることが上記ノイズ特性やモジュレーション
特性をより良好にする上で好ましく、さらに、構成４の
ように、第３下地層として厚さ２００〜１６００オング
ストロームのＣｒとすることが好ましく、さらに、構成
５のように、ガラス基板及び第１下地層にはテクスチャ
ーを形成せず、しかも構成６のように、前記第１下地層
の表面粗さが前記ガラス基板の表面粗さの１〜１．５倍
に、より好ましくは１〜１．２場合にすることが望まし
いことが確認されている 上述の構成７によれば、第１下地層形成工程、第２下地
層形成工程、第２下地層加熱処理工程、第３下地層形成
工程、磁性層形成工程、保護層形成工程及び潤滑層形成
工程を有することにより、高記録密度に対応できる高い
保磁力と低い媒体ノイズによって高い分解能と高いＳ／
Ｎ比を有し、低浮上走行を可能にして高い再生出力を得
ることができ、しかも、低浮上走行におけるＣＳＳに対
する高い耐久性を備えた磁気記録媒体を得ることが可能
になった。これは、基板としてガラス基板を用い、下地
層を第１，２，３の３層で構成する工程を設けると同時
に第２下地層を形成した後の基板を加熱する第２下地層
付基板加熱工程を設けたことによる。すなわち、高い平
坦性を維持できるガラス基板の上に３層の下地層及び磁
性層を形成するようにし、同時に、第２下地層を形成し
た後に基板を加熱することによって基板温度の低下を抑
える等により下地層や磁性層の形成の際にこれらの層の
結晶成長の制御が容易になり、これにより、下地層の上
に良好な結晶構造の磁性層が形成されるようになり、か
つ、各層の物理的・化学的特性も著しく向上できるよう
になったためである。この効果は、構成８のように、第
１下地層の表面粗さが前記ガラス基板の表面粗さの１〜
２倍である場合により顕著である。

【００１９】また、構成９によれば、第１下地層を形成
する前にガラス基板を加熱する基板加熱処理工程を有す
ることにより、基板温度の低下を抑えて良好な下地層の
形成を容易にし、構成１による効果をより顕著なものに
することが可能になる。

【００２０】この場合、構成１０のように、第１下地層
をＧｅ，Ｇａ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｐｂ，Ｃｕ，Ｉｎ，
Ａｌから選ばれる１種とし、第２下地層をＣｒとするこ
とが各層の結晶成長の制御の上で好ましい。Ｇｅ，Ｇ
ａ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｐｂ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ａｌから選
ばれる１種は、いずれも低融点でかつ非磁性である点で
共通し、第２下地層のＣｒの結晶成長を促すと同時に、
基板を加熱する場合には加熱時のガラス基板からの放出
ガスをシャットアウトする役割を果たすことができ、こ
れらの相乗効果によって下地層全体の膜厚を薄くするこ
とが可能になり、膜の表面粗さを小さくすることもでき
る。また、これによって、ガラス基板を用いた効果と相
俟って低いヘッド浮上量を実現することができ、再生出
力を高くすることができる。すなわち、基板としてガラ
ス基板を採用し、第１，２下地層としてそれぞれＡｌ，
Ｃｒを採用するとともに、第２下地層付基板加熱工程を
設けるという工程が有機的一体になって、高い保磁力、
高い分解能、高い出力、低い媒体ノイズ、小さい表面粗
さを同時に有する磁気記録媒体を得ることができる。

【００２１】さらに、構成１１のように、磁性層がＣｏ
ーＮｉーＣｒ系の材料からなるときは、第２下地層付基
板加熱工程における加熱温度を２００〜４００℃とする
必要がある。加熱温度が２００℃より低いと基板加熱の
効果が現れず、保磁力の向上は望めない。したがって、
高記録密度域での再生出力の向上が見られない。また、
４００℃より高いと残留磁化膜厚積（Ｍｒｔ）の低下が
みられ、やはり再生出力の低下が生じてしまう。

【００２２】また、構成１２のように、磁性層がＣｏー
ＰｔーＣｒ系の材料からなるときは、第２下地層付基板
加熱工程における加熱温度が２５０℃〜４５０℃とする
必要があり、特に、３００〜４５０℃であることが望ま
しい。加熱温度が２５０℃より低いと前述のＣｏ−Ｎｉ
−Ｃｒ系同様、保磁力の向上が見られず、結果として再
生出力の向上が見られない。Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ系の場合
は基板加熱の温度はより高い方が望ましいが、４５０℃
より高い温度では基板であるガラス材の変形が生じ易く
なり、ディスクの平坦度が悪くなると共に、ヘッドの浮
上量が一定せずディスク１周内の再生出力に変動（以降
モジュレーションと称する）を生じてしまう。

【００２３】さらに、構成１３のように、第３下地層
が、２層以上からなり、前記第２下地層側の第１層がＣ
ｒからなり、この第１層の上に形成される２層目以上の
層がＣｒ，Ｍｏ，Ｚｒ，Ｂ，Ｓｉ，Ｚｎ，Ｔｉ，Ｗ，
Ｖ，Ｔａ，Ａｌから選ばれる少なくとも１種以上の元素
を含むものであることが好ましい。この第２層目以上の
層の元素の組み合わせはその上に成膜する磁性層の材料
によって決められ、磁性結晶が記録再生特性に適するよ
うに配向されるものが選ばれる。

【００２４】第１下地層、第２下地層及び第３下地層の
厚さは、構成１４のように、それぞれ１０〜１００オン
グストローム、１０〜１０００オングストローム及び１
０〜２０００オングストロームであることが望ましい。

【００２５】なお、本発明の加熱処理（基板加熱工程、
第２下地層付基板加熱工程）のより望ましい態様及び作
用効果は以下の通りである。

【００２６】基板加熱は、基板が変型しない範囲で可能
な限り高温で行う。これによって、可能な限りの熱の蓄
積を行なっておく。そうすると、次の、第２下地層付基
板加熱工程では、ガラス基板上に第１、２下地層が形成
されているので、表面からの放熱が抑制された状態で行
われるので、さらに熱の蓄積が進む。

【００２７】ここで、第１下地層を形成した後ではな
く、第２下地層を形成した後に加熱を行なうのは、第１
下地層は相対的に薄く、熱の蓄積効果が乏しいからであ
る。

【００２８】基板加熱の好ましい温度は３００〜４００
℃であり、第２下地層付基板加熱の好ましい温度は磁性
層の膜材料によって異なる。基板加熱の温度のほうを第
２下地層付基板加熱温度よりも高く設定するのが好まし
い。そうすると基板加熱温度の方が第２下地層付基板加
熱温度より相対的に高いので、硝種によっては、先に行
われる基板加熱によってガラスに含まれる有害ガスを放
出させることも可能となり、第１，２下地層に悪影響を
与えることが少なくなる。このような加熱処理によって
その後に形成される磁性層の磁気特性を向上させること
ができる。

【００２９】また、一般に、磁性層の形成後に最終的な
熱処理が行なわれるが、その前に本発明の上記基板加熱
工程及び第２下地層付基板加熱工程を行っておくと、本
発明の加熱工程を行なわなかったものに比較して、保磁
力、分解能が約１０％向上し、ノイズが約３０〜５０％
低減することが確認されている。

【００３０】また、第２下地層付基板加熱工程は、第２
下地層と磁性層の直下の下地層との間にある一又は複数
のいずれかの層を形成した後に行うのが好ましい。磁性
層直下の下地層に第２下地層付基板加熱処理を行うと、
磁性層の結晶成長が悪影響を受けることがあるからであ
る。

【００３１】本発明に係る磁気記録媒体及びその製造方
法は、主として、上述の熱処理工程と、ガラス基板に被
着した第１下地層とによって著しいＳ／Ｎ比の向上を得
ているものである。

【００３２】

【実施の形態】

（実施例１）図１は本発明の実施例１にかかる磁気記録
媒体の構成を示す模式的断面図である。以下、図１を用
いて実施例１にかかる磁気記録媒体及びその製造方法を
説明する。

【００３３】図１に示されるように、この実施例の磁気
記録媒体は、要するに、ガラス基板１の上に、順次、第
１下地層２、第２下地層３、第３下地層４、磁性層５、
保護層６及び潤滑層７を形成した磁気ディスクである。

【００３４】ガラス基板１は、化学強化ガラスを、外径
６５ｍｍφ、中心部の穴径２０ｍｍφ、厚さ０．９ｍｍ
のディスク状に形成し、その両主表面を表面粗さがＲｍ
ａｘで３０オングストロームとなるように精密研磨した
ものである。なお、ガラス基板１の表面粗さはＲｍａｘ
で３０〜１００オングストロームであることが好まし
く、より好ましくは、Ｒｍａｘで３０〜６０オングスト
ロームであることが望ましい。

【００３５】ここで、ガラス基板１を構成する化学強化
ガラスとしては、主たる成分として重量％で、ＳｉＯ₂
が６２〜７５％、Ａｌ₂ Ｏ₃ が５〜１５％、Ｌｉ₂ Ｏが
４〜１０％、Ｎａ₂ Ｏが４〜１２％、ＺｒＯ₂ が５．５
〜１５％それぞれ含有するとともに、Ｎａ₂ Ｏ／ＺｒＯ
₂ の重量比が０．５〜２．０、Ａｌ₂ Ｏ₃ ／ＺｒＯ₂の
重量比が０．４〜２．５である化学強化用ガラスを、Ｎ
ａイオン及び／又はＫイオンを含有する処理浴でイオン
交換処理して化学強化したもの（詳しくは、特開平５ー
３２４３１号公報参照）を用いた。

【００３６】第１下地層２は、厚さ約６０オングストロ
ームのＡｌの薄膜である。第１下地層２の表面粗さはＲ
ｍａｘで３０〜１３０オングストロームであることが好
ましく、より好ましくは、Ｒｍａｘで３０〜９０オング
ストロームであることが望ましい。

【００３７】第２下地膜３は、厚さ約６００オングスト
ロームのＣｒ膜である。

【００３８】第３下地層４は、厚さ約１２００オングス
トロームのＣｒ膜である。

【００３９】磁性層５は、厚さ約５００オングストロー
ムのＣｏＮｉＣｒ膜である。ここで、ＣｏＮｉＣｒ膜の
組成は、原子％で、Ｃｏ：Ｎｉ：Ｃｒ＝６５：２５：１
０の組成を有している。なお、ＣｏＮｉＣｒ膜の組成
は、Ｃｏが５０〜７４．５原子％、Ｎｉが２０〜３０原
子％、Ｃｒが５〜１５原子％、Ｔａが０．５〜５原子％
の範囲にあることが望ましい。

【００４０】保護層６は、磁性層５の上に形成された厚
さ約５０オングストロームのＣｒ層６１と、このＣｒ層
６１の上に形成された厚さ約３００オングストロームの
カーボン（Ｃ）膜の２層からなる。

【００４１】潤滑層７は、パーフルオロポリエーテルか
らなる潤滑剤を浸漬法により、保護膜６上に塗布して膜
厚約２０オングストロームに形成したものである。

【００４２】次に、上述の実施例の磁気記録媒体の製造
方法を説明する。

【００４３】まず、化学強化ガラスを、外径６５ｍｍ
φ、中心部の穴径２０ｍｍφ、厚さ０．９ｍｍのディス
ク状に形成し、その両主表面を表面粗さがＲｍａｘで３
０オングストロームとなるように精密研磨してガラス基
板１を得る。

【００４４】次に、上記ガラス基板１に、該ガラス基板
１の加熱処理、第１下地層２の成膜、第２下地層３の成
膜、第３下地層４の成膜、磁性層５の成膜及び保護層６
の成膜の各工程をインラインスパッタ装置を用いて連続
的に行う。

【００４５】インラインスパッタ装置としては、周知の
インライン型のＤＣマグネトロンスパッタ装置を用い
た。図示しないが、このインラインスパッタ装置は、搬
送方向に向かって、基板加熱ヒータが設けられた第１の
チャンバー、Ａｌターゲット及びＣｒターゲットが順次
設置された第２のチャンバー、加熱ヒータが設置された
第３のチャンバー、Ｃｒターゲット及びＣｏＮｉＣｒタ
ーゲットが順次設置された第４のチャンバー、並びに、
Ｃｒターゲット及びＣ（カーボン）ターゲットが順次設
置された第４のチャンバーがそれぞれ設けられたもので
ある。

【００４６】そして、ガラス基板１をロードロック室を
介して第１のチャンバー内に導入すると、該ガラス基板
１は、所定の搬送装置によって上記各チャンバー内を次
々と所定の一定の速度で搬送され、その間に以下の成膜
や処理がなされる。

【００４７】すなわち、まず、第１のチャンバー内で
は、基板を３７５℃で２分間加熱する処理がなされる。
第２のチャンバー内では、第１下地層２たる膜厚６０オ
ングストロームのＡｌ膜及び第２下地層３たる膜厚６０
０オングストロームのＣｒ膜が順次成膜される。第３の
チャンバー内では、第３下地層４たる膜厚１２００オン
グストロームのＣｒ膜及び磁性層５たる膜厚５００オン
グストロームのＣｏＮｉＣｒ膜が順次成膜される。第５
のチャンバー内では、保護層６を構成する膜厚５０オン
グストロームのＣｒ膜６１及び膜厚３００オングストロ
ームのＣ膜６２が順次成膜される。なお、上記各チャン
バー内は１×１０^-5Ｔｏｒｒ以下の圧力まで減圧され、
スパッタガスとしてアルゴンが用いられる。スパッタガ
ス圧は、第２のチャンバー内では５ｍＴｏｒｒ、第３の
チャンバー内では３ｍＴｏｒｒ、第４のチャンバー内で
は５ｍＴｏｒｒである。

【００４８】次いで、保護層６の形成までを行った基板
を上記インラインスパッタ装置から取り出し、その保護
層６の表面に、浸漬法によってパーフルオロポリエーテ
ルを塗布し、厚さ２０オングストロームの潤滑層７を形
成して実施例１にかかる磁気記録媒体を得た。

【００４９】（実施例２〜３）上述の実施例１における
第１下地層２の膜厚を１００オングストローム、第２下
地層３の膜厚を１０００オングストロームとした（第１
下地層の膜厚／第２下地層の膜厚＝１０）外は同一の構
成及び同一の製造方法で製造した磁気記録媒体を実施例
２とした。同様に、第１下地層２の膜厚を８０オングス
トローム、第２下地層３の膜厚を４００オングストロー
ムとした（第１下地層の膜厚／第２下地層の膜厚＝５）
磁気記録媒体を実施例３とした。

【００５０】（比較例１〜４）上述の実施例１における
第１下地層２の膜厚を５０オングストローム、第２下地
層３の膜厚を１０００オングストロームとした（第１下
地層の膜厚／第２下地層の膜厚＝２０）外は同一の構成
及び同一の製造方法で製造した磁気記録媒体を比較例１
とした。同様に、第１下地層２の膜厚を８０オングスト
ローム、第２下地層３の膜厚を２０００オングストロー
ムとした（第１下地層の膜厚／第２下地層の膜厚＝２
５）磁気記録媒体を比較例２とした。同様に、第１下地
層２の膜厚を１５０オングストローム、第２下地層３の
膜厚を１５００オングストロームとした（第１下地層の
膜厚／第２下地層の膜厚＝１０）磁気記録媒体を比較例
３とした。同様に、第１下地層２の膜厚を０オングスト
ローム（第１下地層なし）、第２下地層３の膜厚を１０
００オングストロームとした（第１下地層の膜厚／第２
下地層の膜厚＝０）磁気記録媒体を比較例４とした。

【００５１】図２は上述の実施例１〜３及び比較例１〜
４の磁気記録媒体の特性を測定した結果を表にして示し
た図である。

【００５２】なお、保磁力（Ｈｃ）の測定は、製造した
磁気記録媒体から８ｍｍφの試料を切り出して、膜面方
向に磁場を印加し、振動試料型磁力計により最大外部印
加磁場１０ｋＯｅで測定した。

【００５３】また、記録再生特性（エンベロープモジュ
レーション及び媒体ノイズ）の測定は、次のようにして
行った。すなわち、得られた磁気ディスクを用いて、磁
気ヘッド浮上量が０．０５５μｍの薄膜ヘッドを用い、
薄膜ヘッドと磁気ディスクの相対速度を６ｍ／ｓで、線
記録密度７０ｋｆｃｃ（１インチあたり７０，０００ビ
ットの線記録密度）における記録再生出力を測定した。
また、キャリア周波数８．５ＭＨｚで、測定帯域を１５
ＭＨｚとしてスペクトルアナライザーにより信号記録再
生時のノイズスペクトラムを測定した。本測定に用いた
薄膜ヘッドは、コイルターン数５０、トラック幅６μ
ｍ、磁気ヘッドギャップ長０．２５μｍである。

【００５４】図２の表から明らかなように、第１下地層
２（Ａｌ）の厚さを１０〜１００オングストロームとす
ると同時に、第２下地層３（Ｃｒ）の厚さを第１下地層
２の厚さの２〜１０倍にした実施例１〜３においては、
保磁力が１６００ Ｏｅ以上、エンベロープモジュレー
ションが４．０％以下、媒体ノイズが２．７μＶｒｍｓ
以下であり、十分な保磁力を確保しつつエンベロープモ
ジュレーションや媒体ノイズが十分に低い値に抑えられ
ている。これに対して、第１下地層２（Ａｌ）の膜厚は
適度の値を有するが第２下地層３（Ｃｒ）の膜厚が厚い
ために両者の膜厚の比率が１０倍を越える比較例１及び
２においては、実施例に比較してエンベロープモジュレ
ーションがかなり大きくなっている。さらに、第１下地
層２（Ａｌ）の膜厚を１００オングストローム以上（１
５０オングストローム）にした比較例３（比率は１００
倍）及び第１下地層２（Ａｌ）の膜厚を１０オングスト
ローム未満（０オングストローム；第１下地層なし）に
した比較例４（比率は０倍）では、いずれもエンベロー
プモジュレーション及び媒体ノイズともに実施例に比較
して大きくなっていると共に、保磁力はかなり小さくな
っている。

【００５５】（実施例４〜８、比較例５〜６）図３は本
発明の実施例４に係る磁気記録媒体の構成を示す模式的
断面図である。

【００５６】実施例４は、上述の実施例１における第３
下地層４（Ｃｒ膜）に相当する膜の形成を省略し、ま
た、第２下地層３の上に形成される磁性層５として膜厚
３００オングストロームのＣｏＰｔＣｒ膜（Ｃｏ：Ｐ
ｔ：Ｃｒ＝７３：１１：１６）を採用し、保護層６を膜
厚１３０オングストロームのＣの単独層にしてＣｒ層６
１に相当する膜の形成は行なわないようにした点で、実
施例１とその膜構成自体が異なる。さらに、第１下地層
２（Ａｌ膜）の膜厚を４８オングストロームとし、第２
下地層３（Ｃｒ）の膜厚を１３０オングストロームと
し、また、保護層６の表面には、スパッタ条件をコント
ロールすることによってテクスチャー６１（表面粗さ；
Ｒmax で２００オングストローム）を設けたものであ
る。その他の構成は実施例１と同様の構成を有するので
その詳細説明は省略する。なお、ＣｏＰｔＣｒ膜の組成
は、Ｃｏが３５〜９１原子％、Ｐｔが４〜１５原子％、
Ｃｒが５〜２０原子％の範囲にあることが望ましい。

【００５７】また、実施例５，６は、実施例４における
第１下地層２（Ａｌ膜）の膜厚を、それぞれ５０オング
ストローム、６０オングストローム及び７０オングスト
ロームに変えたほかは同一の構成を有し、実施例７は、
実施例４における第１下地層２（Ａｌ膜）の膜厚を７０
オングストロームにするとともに第２下地層３の膜厚を
１４０オングストロームに変えたほかは同一の構成を有
するので、その詳細説明は省略する。

【００５８】比較例５は、実施例４における第１下地層
２（Ａｌ膜）を形成せず、また、比較例６は、ガラス基
板１の代わりにＡｌ基板を用いた点のみがそれぞれ異な
るほかは実施例４と同一の構成を有するものである。

【００５９】さらに、実施例８は、実施例５において、
テクスチャーを保護層６の表面に形成する代わりに、第
２下地層３（膜厚１３０オングストロームのＣｒ膜）の
上に島状の凹凸Ａｌ薄膜（平均膜厚；５０オングストロ
ーム、島の大きさ；平均１００オングストローム、表面
粗さにするとＲmax で１６０オングストローム程度）を
形成してテクスチャーとし、その上に磁性層５を形成し
たほかは実施例５と同一の構成を有するものである。

【００６０】図４は上述の実施例４〜８及び比較例５〜
６の磁気記録媒体の特性を測定した結果を表にして示し
た図である。

【００６１】なお、保磁力（Ｈｃ）の測定は、製造した
磁気記録媒体から８ｍｍφの試料を切り出して、膜面方
向に磁場を印加し、振動試料型磁力計により最大外部印
加磁場１０ｋＯｅで測定した。

【００６２】また、記録再生特性（エンベロープモジュ
レーション及び媒体ノイズ）の測定は、次のようにして
行った。すなわち、得られた磁気ディスクを用いて、磁
気ヘッド浮上量が０．０６μｍのＭＲヘッドを用い、Ｍ
Ｒヘッドと磁気ディスクの相対速度を６ｍ／ｓで、線記
録密度１００ｋｆｃｃ（１インチあたり１００，０００
ビットの線記録密度）における記録再生出力を測定し
た。また、キャリア周波数９．５ＭＨｚで、測定帯域を
１８ＭＨｚとしてスペクトルアナライザーにより信号記
録再生時のノイズスペクトラムを測定した。本測定に用
いたＭＲヘッドは、コイルターン数３０、書き込み／読
み取り側でそれぞれトラック幅４．８／３．５μｍ、磁
気ヘッドギャップ長０．４３／０．３１μｍである。

【００６３】（実施例９）図５は本発明の実施例９にか
かる磁気記録媒体の製造方法で製造される磁気記録媒体
の構成を示す模式的断面図である。以下、図５を用いて
実施例９にかかる磁気記録媒体の製造方法で製造される
磁気記録媒体の構成を簡単に説明し、次に実施例９にか
かる磁気記録媒体の製造方法を説明する。

【００６４】図５に示されるように、この実施例の磁気
記録媒体は、要するに、ガラス基板１の上に、順次、第
１下地層２、第２下地層３、第３下地層４、磁性層５、
保護層６及び潤滑層７を形成したものである。

【００６５】ガラス基板１は、化学強化ガラスを、外径
６５ｍｍφ、中心部の穴径２０ｍｍφ、厚さ０．９ｍｍ
のディスク状に形成し、その両主表面を表面粗さがＲｍ
ａｘで３０オングストロームとなるように精密研磨した
ものである。

【００６６】ここで、ガラス基板１を構成する化学強化
ガラスとしては、主たる成分として重量％で、ＳｉＯ₂
が６２〜７５％、Ａｌ₂ Ｏ₃ が５〜１５％、Ｌｉ₂ Ｏが
４〜１０％、Ｎａ₂ Ｏが４〜１２％、ＺｒＯ₂ が５．５
〜１５％それぞれ含有するとともに、Ｎａ₂ Ｏ／ＺｒＯ
₂ の重量比が０．５〜２．０、Ａｌ₂ Ｏ₃ ／ＺｒＯ₂の
重量比が０．４〜２．５である化学強化用ガラスを、Ｎ
ａイオン及び／又はＫイオンを含有する処理浴でイオン
交換処理して化学強化したもの（詳しくは、特開平５ー
３２４３１号公報参照）を用いた。

【００６７】第１下地層２は、厚さ約６０オングストロ
ームのＡｌの薄膜である。

【００６８】第２下地膜３は、厚さ約４００オングスト
ロームのＣｒ膜である。

【００６９】第３下地膜４は、厚さ約１２００オングス
トロームのＣｒ膜である。

【００７０】磁性層５は、厚さ約６００オングストロー
ムのＣｏＮｉＣｒＴａ膜である。ここで、ＣｏＮｉＣｒ
Ｔａ膜の組成は、原子組成比で、Ｃｏ：Ｎｉ：Ｃｒ：Ｔ
ａ＝６６：２５：８：１の組成を有している。

【００７１】保護層６は、磁性層５の上に形成された厚
さ約５０オングストロームのＣｒ層６１と、このＣｒ層
６１の上に形成された厚さ約３００オングストロームの
カーボン（Ｃ）膜の２層からなる。

【００７２】潤滑層７は、厚さ約２０オングストローム
のパーフルオロポリエーテル層である。

【００７３】次に、実施例９の磁気記録媒体の製造方法
を説明する。

【００７４】まず、化学強化ガラスの板材を切り出し
て、外径６５ｍｍφ、中心部の穴径２０ｍｍφ、厚さ
０．９ｍｍのディスク状に形成し、その両主表面を表面
粗さがＲｍａｘで３０オングストロームとなるように精
密研磨してガラス基板１を得る。

【００７５】次に、上記ガラス基板１に、該ガラス基板
１の加熱処理、第１下地層２の成膜、第２下地層３の成
膜、第２下地層付基板の加熱処理、第３下地層４の成
膜、磁性層５の成膜及び保護層６の成膜の各工程をイン
ラインスパッタ装置を用いて連続的に行う。インライン
スパッタ装置としては、周知のインライン型のＤＣマグ
ネトロンスパッタ装置を用いた。図示しないが、このイ
ンラインスパッタ装置は、搬送方向に向かって、基板加
熱ヒータが設けられた第１のチャンバー、Ａｌターゲッ
ト及びＣｒターゲットが順次設置された第２のチャンバ
ー、加熱ヒータが設置された第３のチャンバー、Ｃｒタ
ーゲット及びＣｏＮｉＣｒＴａターゲットが順次設置さ
れた第４のチャンバー、並びに、Ｃｒターゲット及びＣ
（カーボン）ターゲットが順次設置された第５のチャン
バーがそれぞれ設けられたものである。そして、ガラス
基板１をロードロック室を介して第１のチャンバー内に
導入すると、該ガラス基板１は、所定の搬送装置によっ
て上記各チャンバー内を次々と所定の一定の速度で搬送
され、その間に以下の成膜や処理がなされる。すなわ
ち、まず、第１のチャンバー内では、基板を３７５℃で
２分間加熱する処理がなされる。第２のチャンバー内で
は、第１下地層２たる膜厚６０オングストロームのＡｌ
膜及び第２下地層３たる膜厚４００オングストロームの
Ｃｒ膜が順次成膜される。第３のチャンバー内では、第
２下地層付基板を３５０℃で１分間加熱する処理がなさ
れる。第４のチャンバー内では、第３下地層４たる膜厚
１２００オングストロームのＣｒ膜及び磁性層５たる膜
厚６００オングストロームのＣｏＮｉＣｒＴａ膜が順次
成膜される。第５のチャンバー内では、保護層６を構成
する膜厚５０オングストロームのＣｒ膜６１及び膜厚３
００オングストロームのＣ膜６２が順次成膜される。な
お、上記各チャンバー内は１×１０^-5Ｔｏｒｒ以下の圧
力まで減圧され、スパッタガスとしてアルゴンが用いら
れる。スパッタガス圧は、第２のチャンバー内では５ｍ
Ｔｏｒｒ、第４のチャンバー内では３ｍＴｏｒｒ、第５
のチャンバー内では５ｍＴｏｒｒである。

【００７６】次いで、保護層６の形成までを行った基板
を上記インラインスパッタ装置から取り出し、その保護
層６の表面に、ディップ法によってパーフルオロポリエ
ーテルを塗布し、厚さ２０オングストロームの潤滑層７
を形成して実施例９にかかる磁気記録媒体を得た。

【００７７】（比較例７〜１０）次に比較のために、第
１下地層２にＡｌの代わりにＣｒを用いた以外は全て実
施例９と同様にして磁気ディスクを作製した（比較例
７）。

【００７８】また、第１下地層２及び第２下地層３を成
膜しなかった以外は全て実施例９と同様にして磁気ディ
スクを作製した（比較例８）。

【００７９】また、第２下地層３の成膜後に基板加熱を
行わなかった以外は全て実施例９と同様にして磁気ディ
スクを作製した（比較例９）。

【００８０】また、基板としてガラス基板を用いる代わ
りにＮｉ−ＰをメッキしたＡｌ合金を使用した以外は全
て実施例９と同様にして磁気ディスクを作製した（比較
例１０）。

【００８１】こうして製造した磁気記録媒体の保磁力
（Ｈｃ）及び残留磁化膜厚積（Ｍｒ・δ）並びに記録再
生特性（再生出力、媒体ノイズ、Ｓ／Ｎ比）の測定を行
った結果を図６に表にして示した。

【００８２】なお、保磁力（Ｈｃ）及び残留磁化膜厚積
（Ｍｒ・δ）の測定は、製造した磁気記録媒体から８ｍ
ｍφの試料を切り出して、膜面方向に磁場を印加し、振
動試料型磁力計により最大外部印加磁場１０ｋＯｅで測
定した。

【００８３】また、記録再生特性の測定は、次のように
して行った。すなわち、得られた磁気ディスクを用い
て、磁気ヘッド浮上量が０．０５５μｍの薄膜ヘッドを
用い、薄膜ヘッドと磁気ディスクの相対速度を６ｍ／ｓ
で、線記録密度７０ｋｆｃｃ（１インチあたり７０，０
００ビットの線記録密度）における記録再生出力を測定
した。また、キャリア周波数８．５ＭＨｚで、測定帯域
を１５ＭＨｚとしてスペクトルアナライザーにより信号
記録再生時のノイズスペクトラムを測定した。本測定に
用いた薄膜ヘッドは、コイルターン数５０、トラック幅
６μｍ、磁気ヘッドギャップ長０．２５μｍである。

【００８４】図６の表から明らかなように、実施例９に
比べて、比較例７のディスクは保磁力及び再生出力が同
等かやや小さくなっているが、媒体ノイズが非常に大き
くＳ／Ｎ比が小さくなっている事が分かる。また、比較
例８では、保磁力及び再生出力共に実施例９よりも大幅
に小さくなり、しかも媒体ノイズが大きいためにＳ／Ｎ
比がかなり低下していることが分かる。比較例９につい
ても保磁力、再生出力が小さく媒体ノイズが大きくなっ
ているためにＳ／Ｎ比の低下が見られる。比較例１０で
はＮｉ−Ｐのメッキ層が磁化しており、図９に示すよう
に２段の磁化曲線になっている。この為に再生出力が小
さくなると共に媒体ノイズが非常に大きくなりＳ／Ｎ比
が大幅に低下している。

【００８５】このように、ガラス基板上にＡｌ、Ｃｒの
第１下地層２、第２下地層３を設け、これを加熱した後
に第３下地層４、磁性層５を成膜した実施例９が良好な
特性を有しており、本実施例の磁気記録媒体が高記録密
度に有効に使用できることがわかる。

【００８６】（実施例１０〜１４、比較例１１〜１２）
これらの実施例及び比較例は、磁性層５として、実施例
９の場合のＣｏＮｉＣｒＴａ膜の代わりに、ＣｏＮｉＣ
ｒ膜を用い、かつ、第２下地層付基板加熱処理の温度を
２００℃（実施例１０）、２５０℃（実施例１１）、３
００℃（実施例１２）、３５０℃（実施例１３）、４０
０℃（実施例１４）、１５０℃（比較例１１）、４５０
℃（比較例１２）、としたほかは、実施例９と同じ構成
を有する例である。

【００８７】これらの製造方法によって製造した磁気記
録媒体について、実施例９と同様にしてそれぞれの保磁
力及び残留磁化膜厚積（Ｍｒ・δ）並びに記録再生特性
（再生出力、媒体ノイズ、Ｓ／Ｎ比）の測定を行った結
果を図７に表にして示した。

【００８８】図７の表から明らかなように、保磁力は基
板温度の上昇と共に増加する。再生出力は４００℃まで
増加を続けるが、これ以上の温度では逆に低下している
ことがわかる。また、媒体ノイズは基板温度の増加と共
に徐々に増加しており、結果として４００℃以上でＳ／
Ｎ比の急激な減少が見られている。また、２５０℃未満
でもＳ／Ｎ比の低下がみられ、２５０℃から４００℃の
温度範囲がこの材料系には適していることが分かる。

【００８９】（実施例１５〜１９、比較例１３〜１４）
これらの実施例及び比較例は、第３下地層４として、膜
厚６００オングストロームのＣｒ膜と膜厚６０オングス
トロームのＣｒＭｏ膜（Ｃｒが９５原子％、Ｍｏが５原
子％）の２層構造にし、磁性層５としてＣｏＣｒＰｔ膜
（Ｃｏが７８原子％、Ｃｒが１１原子％、Ｐｔが１１原
子％）を用い、かつ、第２下地層付基板加熱処理の温度
を２５０℃（実施例１５）、３００℃（実施例１６）、
３５０℃（実施例１７）、４００℃（実施例１８）、４
５０℃（実施例１９）、２００℃（比較例１３）、５０
０℃（比較例１４）としたほかは、実施例１と同じ構成
を有する例である。

【００９０】これらの製造方法によって製造した磁気記
録媒体について、実施例９と同様にしてそれぞれの保磁
力及び残留磁化膜厚積（Ｍｒ・δ）並びに記録再生特性
（再生出力、媒体ノイズ、Ｓ／Ｎ比）の測定を行った結
果を図８に表にして示した。

【００９１】図８の表から明らかなように、保磁力は基
板温度と共に上昇しているが、媒体ノイズは４５０℃以
上で急激に増加している。この再生出力とノイズの変化
に対応してＳ／Ｎ比は４５０℃以上で急激な低下を示
す。しかしこの４５０℃以上での変化は、ディスクの磁
気的な変化ではなく基板の変形によるものであることが
ディスク形状の観察結果から分かっている。すなわち、
ディスクの変形によってヘッドがディスク上の一定の高
さを浮上しておらず、モジューレーションが生じている
ためであることが分かった。また、３００℃未満ではＳ
／Ｎ比の低下がみられており、３００℃から４５０℃の
温度範囲がこの材料系には適している事が分かる。

【００９２】以上実施例により本発明を説明してきた
が、本発明は以下の変形例及び応用例を含むものであ
る。

【００９３】上述の実施例では、基板として、アルミノ
シリケート系の化学強化ガラスを用いた例を掲げたが、
ボロシリケート、アルミノボロシリケート、石英ガラ
ス、ソーダライムガラス及び結晶化ガラス等の他のガラ
スを使用することができる。これらは、その表面を表面
粗さがＲｍａｘで１００オングストローム以下に容易に
研磨して仕上げることができるものであり、かつまた、
研磨手法によりＲmax ２００オングストローム程度にし
ても通常の放置下でカケやクラックが発生しないもので
ある。また、基板の外径をより小径にしまた厚さを薄く
してもよい。基板の表面粗さについても、実施例ではＲ
max ３０オングストロームとした例を掲げたが、これよ
りも大きくても本発明の効果を得ることはできる。

【００９４】また、実施例では、第１下地層がＡｌであ
る場合を掲げたが、これは、Ｇｅ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｔｉ、
Ｓｉ、Ｐｂ、Ｃｕ又はＩｎのいずれか１又は２以上を主
たる成分とするものでもよい。

【００９５】また、実施例では、第２下地層及び第３下
地層がＣｒである場合を掲げたが、これは、ＴｉＷ、Ｍ
ｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｉｎ、
Ｓｎ等の非磁性材料を用いることができる。なお、これ
ら下地層は２層以上で構成したものでもよい。

【００９６】磁性層としては、実施例で掲げた例のほか
にＣｏＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒＳｉ、ＣｏＮｉＰｔ、Ｃ
ｏＮｉＺｒ、ＣｏＰｔ、ＣｏＮｉＰ、ＣｏＣｒＰｔＢ、
ＣｏＰ、ＣｏＰｔＣｒＴａ等の他のＣｏ系合金やＦｅ₂
Ｏ₃ 等の磁性材料により磁性層を構成してもよい。

【００９７】なお、下地層、磁性層、保護層等の形成
は、インラインスパッタ装置でなく、通常のスパッタ装
置を用いても形成できることは勿論である。

【００９８】また、保護層をＣｒ層とＣ層との２層構造
で構成する例を掲げたが、この場合にはＣｒ層の代わり
に、他の材料を用いてもよく、その例として、Ｍｏ、Ｔ
ｉ、ＴｉＷ、ＣｒＭｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｓｉ、Ｇｅ等の非磁
性材料、あるいはこれらの合金、酸化物、窒化物、炭化
物等を用いてもよい。また、この層を２層以上の層にし
てもよい。さらには、Ｃ層の代わりに、例えば、水素及
び又は窒素を含むカーボン、ＺｒＯ₂ 、ＳｉＣ、Ｓｉ
Ｎ、ＳｉＯ₂ 膜でもよく、あるいは、有機シリコン化合
物等の膜材にシリカ微粒子等の硬質微粒子を分散させた
ものでもよい。

【００９９】さらに、実施例では潤滑層の材料としてパ
ーフルオロポリエーテルを用いたが、フルオロカーボン
系の液体潤滑剤やスルホン酸のアルカリ金属塩からなる
潤滑剤を用いることもできる。その膜厚は６〜３０オン
グストロームであることが好ましく、その理由は６オン
グストローム未満であると耐摩耗性の向上を計ることが
充分でなく、また３０オングストロームを越えると耐摩
耗性の向上がみられず、しかも吸着の問題が生ずるから
である。

【０１００】また、実施例では、図４に示されるよう
に、磁性層５の上の保護層６にスパッタテクスチャーを
形成した例を掲げた。これによれば、磁性層５の下の下
地層にテクスチャー形成した場合に比較して、磁性層が
波打つ等のことがないからより磁性層性の特性を向上さ
せることが可能である。しかし、これは、例えば、図１
０に示したように、第２下地層３に形成するようにして
もよい。このテクスチャー３１は第２下地層の形成の際
にスパッタ条件を制御する等によって行う。

【０１０１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる磁
気記録媒体によれば、ガラス基板上に形成された下地層
と、この下地層の上に形成された磁性層と、この磁性層
の上に他の層を介して又は介さずに形成された保護層
と、この保護層上に形成された潤滑層とを有する磁気記
録媒体において、下地層を、ガラス基板に接する側に形
成されたＡｌからなる第１下地層と、この第１下地層の
上に形成されたＣｒからなる第２下地層とを有し、第１
下地層の厚さを１０〜１００オングストロームとし、第
２下地層の厚さを第１下地層の厚さの２〜１０倍にした
構成とすることにより、高保磁力を有するとともに、再
生時のノイズやディスク１周内におけるエンベロープモ
ジュレーションが小さい磁気記録媒体を得ているもので
ある。

【０１０２】また、本発明にかかる磁気記録媒体の製造
方法によれば、第１下地層形成工程、第２下地層形成工
程、第２下地層加熱処理工程、第３下地層形成工程、磁
性層形成工程、保護層形成工程及び潤滑層形成工程を有
することにより、高記録密度に対応できる高い保磁力と
低い媒体ノイズによって高い分解能と高いＳ／Ｎ比を有
し、低浮上走行を可能にして高い再生出力を得ることが
でき、しかも、低浮上走行におけるＣＳＳに対する高い
耐久性を備えた磁気記録媒体を得ることが可能になっ
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１にかかる磁気記録媒体の構成
を示す模式的断面図である。

【図２】実施例１〜３及び比較例１〜４の磁気記録媒体
の特性を測定した結果を表にして示した図である。

【図３】実施例４にかかる磁気記録媒体の構成を示す模
式的断面図である。

【図４】実施例４〜８及び比較例５〜６の磁気記録媒体
の特性を測定した結果を表にして示した図である。

【図５】実施例９及び比較例７〜１０についての磁気特
性の測定を行った結果を表にして示した図である。

【図６】実施例９及び比較例７〜１０についての磁気特
性の測定を行った結果を表にして示した図である。

【図７】実施例１０〜１４及び比較例１１〜１２につい
ての磁気特性の測定を行った結果を表にして示した図で
ある。

【図８】実施例１５〜１９及び比較例１３〜１４につい
ての磁気特性の測定を行った結果を表にして示した図で
ある。

【図９】比較例４の磁気記録媒体の磁化曲線を示す図で
ある。

【図１０】本発明の変形例にかかる磁気記録媒体の構成
を示す模式的断面図である。

【符号の説明】

１…ガラス基板、２…第１下地層、３…第２下地層、４
…第３下地層、５…磁性層、６…保護層、７…潤滑層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河合 久雄 東京都新宿区中落合２丁目７番５号 ホー ヤ株式会社内 (72)発明者 堀川 順一 東京都新宿区中落合２丁目７番５号 ホー ヤ株式会社内 (72)発明者 佐藤 孝 東京都新宿区中落合２丁目７番５号 ホー ヤ株式会社内

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガラス基板上に形成された下地層と、こ
   の下地層の上に形成された磁性層と、この磁性層の上に
   他の層を介して又は介さずに形成された保護層と、この
   保護層上に形成された潤滑層とを有する磁気記録媒体に
   おいて、 前記下地層は、前記ガラス基板に接する側に形成された
   Ａｌ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｐｂ，Ｃｕ，Ｔ
   ｎから選ばれた少なくとも１種を主成分とする第１下地
   層と、この第１下地層の上に形成されたＣｒ，ＴｉＷ，
   Ｍｏ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｚｒ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｉ
   ｎ，Ｓｎから選ばれた少なくとも１種を主成分とする第
   ２下地層とを有することを特徴とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 前記第１下地層の厚さを１０〜１００オ
   ングストロームとし、前記第２下地層の厚さを前記第１
   下地層の厚さの２〜１０倍にしたことを特徴とする請求
   項１に記載の磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 前記下地層は、前記第２下地層の上に、
   Ｃｒ，Ｍｏ，Ｚｒ，Ｂ，Ｓｉ，Ｚｎ，Ｔｉ，Ｗ，Ｖ，Ｔ
   ａ，Ａｌから選ばれる少なくとも１種の元素を含む１層
   以上の層からなる第３下地層を有することを特徴とする
   請求項１及び２に記載の磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 前記第３下地層が膜厚２００〜１６００
   オングストロームのＣｒ膜からなることを特徴とする請
   求項３に記載の磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 前記ガラス基板及び第１下地層にはテク
   スチャーを形成しないことを特徴とする請求項１ないし
   ４に記載の磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 前記第１下地層の表面粗さが前記ガラス
   基板の表面粗さの１〜２倍であることを特徴とする請求
   項５に記載の磁気記録媒体。
7. 【請求項７】 ガラス基板上に非磁性材料からなる第１
   下地層を形成する第１下地層形成工程と、 前記第１下地層の上に該第１下地層と異なる非磁性材料
   からなる第２下地層を形成する第２下地層形成工程と、 前記第２下地層を形成した後のガラス基板に加熱処理を
   施す第２下地層付基板加熱工程と、 前記加熱処理後の第２下地層の上に非磁性材料からなる
   第３下地層を形成する第３下地層形成工程と、 前記第３下地層の上に磁性層を形成する磁性層形成工程
   と、 前記磁性層の上に他の層を介してまたは介さずに保護層
   を形成する保護層形成工程と、 前記保護層の上に潤滑層を形成する潤滑層形成工程とを
   有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
8. 【請求項８】 前記第１下地層の表面粗さが前記ガラス
   基板の表面粗さの１〜２倍であることを特徴とする請求
   項７に記載の磁気記録媒体の製造方法。
9. 【請求項９】 前記第１下地層を形成する前に前記ガラ
   ス基板を加熱する基板加熱工程を有することを特徴とす
   る請求項７に記載の磁気記録媒体の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記第１下地層がＧｅ，Ｇａ，Ｚｒ，
    Ｔｉ，Ｓｉ，Ｐｂ，Ｃｕ，Ｉｎから選ばれた少なくとも
    １種を主たる成分とし、前記第２下地層がＣｒを主たる
    成分とするものであることを特徴とする請求項７ないし
    ９に記載の磁気記録媒体の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記磁性層がＣｏーＮｉーＣｒ系の材
    料からなり、前記第２下地層付基板加熱工程における加
    熱温度が２００〜４００℃であることを特徴とする請求
    項７ないし１０のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造
    方法。
12. 【請求項１２】 前記磁性層がＣｏーＰｔーＣｒ系の材
    料であり、前記第２下地層付基板加熱工程における加熱
    温度が２５０〜４５０℃であることを特徴とする請求項
    ７ないし１１のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方
    法。
13. 【請求項１３】 前記第３下地層が、２層以上からな
    り、前記第２下地層側の第１層がＣｒを主たる成分とす
    る材料からなり、この第１層の上に形成される２層目以
    上の層がＣｒ，Ｍｏ，Ｚｒ，Ｂ，Ｓｉ，Ｚｎ，Ｔｉ，
    Ｗ，Ｖ，Ｔａ，Ａｌから選ばれる少なくとも１種以上の
    元素を主たる成分とするものであることを特徴とする請
    求項７ないし１２のいずれかに記載の磁気記録媒体の製
    造方法。
14. 【請求項１４】 前記第１下地層、第２下地層及び第３
    下地層の厚さが、それぞれ１０〜１００オングストロー
    ム、１０〜１０００オングストローム及び１０〜２００
    ０オングストロームであることを特徴とする請求項１３
    に記載の磁気記録媒体の製造方法。