JPH09169514A - 三塩化ケイ素の製造方法 - Google Patents
三塩化ケイ素の製造方法Info
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- JPH09169514A JPH09169514A JP33475395A JP33475395A JPH09169514A JP H09169514 A JPH09169514 A JP H09169514A JP 33475395 A JP33475395 A JP 33475395A JP 33475395 A JP33475395 A JP 33475395A JP H09169514 A JPH09169514 A JP H09169514A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属ケイ素と塩化水素との反応で三塩化ケイ
素を高い選択率で製造すること。 【解決手段】 金属ケイ素と塩化水素とを、鉄およびア
ルミニウム含有触媒の存在下、反応系内に鉄原子を０.
１〜５重量％およびアルミニウム原子を０.０５〜５重
量％に維持しつつ、連続的に反応させて三塩化ケイ素を
製造する方法。
素を高い選択率で製造すること。 【解決手段】 金属ケイ素と塩化水素とを、鉄およびア
ルミニウム含有触媒の存在下、反応系内に鉄原子を０.
１〜５重量％およびアルミニウム原子を０.０５〜５重
量％に維持しつつ、連続的に反応させて三塩化ケイ素を
製造する方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、三塩化ケイ素の製
造方法に関する。さらに詳しくは高い選択率で三塩化ケ
イ素を製造する方法に関する。
造方法に関する。さらに詳しくは高い選択率で三塩化ケ
イ素を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】三塩化ケイ素（以下、ＴＣＳと略す）
は、多結晶シリコン製造原料として有用な化合物であ
る。一般に、ＴＣＳは金属ケイ素と塩化水素を反応させ
ることにより製造できるが、この際、かなりの量の四塩
化珪素（以下、ＳＴＣと略す）が副生することが知られ
ている。例えば特公昭６１−４７６８号公報には、鉄化
合物（主に、ＦｅＣｌ2）を触媒とし、その存在下でＴ
ＣＳを得ることが記載されている。この方法において
は、反応温度を変えることでＴＣＳとＳＴＣの生成割合
（以下ＴＣＳの生成割合をＴＣＳ選択率と記す）が決定
されている。
は、多結晶シリコン製造原料として有用な化合物であ
る。一般に、ＴＣＳは金属ケイ素と塩化水素を反応させ
ることにより製造できるが、この際、かなりの量の四塩
化珪素（以下、ＳＴＣと略す）が副生することが知られ
ている。例えば特公昭６１−４７６８号公報には、鉄化
合物（主に、ＦｅＣｌ2）を触媒とし、その存在下でＴ
ＣＳを得ることが記載されている。この方法において
は、反応温度を変えることでＴＣＳとＳＴＣの生成割合
（以下ＴＣＳの生成割合をＴＣＳ選択率と記す）が決定
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、本発明者が
追試したところ、上記方法は、反応温度と鉄化合物触媒
によってＴＣＳ選択率を制御しているが、この反応はか
なりの発熱反応であるため反応温度の制御が難しく、反
応温度の上昇と共にＴＣＳ選択率が激減してＴＣＳの選
択率が十分に満足できないものであった。こうしたこと
から、ＳＴＣの副生を生じることなく高い選択率でＴＣ
Ｓを製造する方法を開発することが大きな課題であっ
た。
追試したところ、上記方法は、反応温度と鉄化合物触媒
によってＴＣＳ選択率を制御しているが、この反応はか
なりの発熱反応であるため反応温度の制御が難しく、反
応温度の上昇と共にＴＣＳ選択率が激減してＴＣＳの選
択率が十分に満足できないものであった。こうしたこと
から、ＳＴＣの副生を生じることなく高い選択率でＴＣ
Ｓを製造する方法を開発することが大きな課題であっ
た。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決すべく鋭意研究を続けた結果、反応系内に、ア
ルミニウム原子を０.０５〜５重量％に維持しつつ、連
続的に金属ケイ素と塩化水素を反応さすと共に、鉄原子
を０.１〜５重量％になるように系外に取り出すこと
で、上記の課題が解決されることを見い出し、本発明を
完成するに至った。
題を解決すべく鋭意研究を続けた結果、反応系内に、ア
ルミニウム原子を０.０５〜５重量％に維持しつつ、連
続的に金属ケイ素と塩化水素を反応さすと共に、鉄原子
を０.１〜５重量％になるように系外に取り出すこと
で、上記の課題が解決されることを見い出し、本発明を
完成するに至った。
【０００５】即ち、本発明は、金属ケイ素と塩化水素と
を、鉄およびアルミニウム含有触媒の存在下、アルミニ
ウム原子を０.０５〜５重量％および鉄原子を０.１〜５
重量％に維持しつつ連続的に反応せしめる三塩化ケイ素
（ＴＣＳ）の製造方法である。
を、鉄およびアルミニウム含有触媒の存在下、アルミニ
ウム原子を０.０５〜５重量％および鉄原子を０.１〜５
重量％に維持しつつ連続的に反応せしめる三塩化ケイ素
（ＴＣＳ）の製造方法である。
【０００６】以下、本発明について更に詳しく説明す
る。まず、本発明で使用する金属ケイ素としては、公知
のものが何ら制限なく使用されるが、鉄原子が０.１〜
５重量％、アルミニウム原子が０.０５〜５重量％含ま
れるものが好ましい。
る。まず、本発明で使用する金属ケイ素としては、公知
のものが何ら制限なく使用されるが、鉄原子が０.１〜
５重量％、アルミニウム原子が０.０５〜５重量％含ま
れるものが好ましい。
【０００７】本発明において、アルミニウム原子は、塩
化水素と反応し塩化アルミニウムに転化した後、昇華し
て系外に取り出されるために、連続的に又は断続的に系
中に供給される必要がある。アルミニウム原子の供給に
は、アルミニウム金属、アルミニウム化合物が何ら制限
なく使用されるが、アルミニウム原子を、使用する金属
ケイ素に含有させて供給するのが好ましい。
化水素と反応し塩化アルミニウムに転化した後、昇華し
て系外に取り出されるために、連続的に又は断続的に系
中に供給される必要がある。アルミニウム原子の供給に
は、アルミニウム金属、アルミニウム化合物が何ら制限
なく使用されるが、アルミニウム原子を、使用する金属
ケイ素に含有させて供給するのが好ましい。
【０００８】本発明において、鉄原子は、アルミニウム
原子と異なり、系内に蓄積する。従って、鉄原子を５重
量％以下に維持するためには、蓄積した鉄原子を系外に
取り出す操作が必要である。鉄原子の系外への取り出し
方法は、反応ガスと共に取り出す他に、反応系内の金属
ケイ素と共に取り出す方法など、何ら制限ない方法が用
いられ、例えば反応器が流動床であれば、サイクロンの
分級効率を低く設定する方法等を用いることができる。
原子と異なり、系内に蓄積する。従って、鉄原子を５重
量％以下に維持するためには、蓄積した鉄原子を系外に
取り出す操作が必要である。鉄原子の系外への取り出し
方法は、反応ガスと共に取り出す他に、反応系内の金属
ケイ素と共に取り出す方法など、何ら制限ない方法が用
いられ、例えば反応器が流動床であれば、サイクロンの
分級効率を低く設定する方法等を用いることができる。
【０００９】本発明において使用される塩化水素として
は、水素などの還元性ガス、窒素、アルゴンなどの不活
性ガス等が混入していても何ら制限なく使用される。そ
の供給速度は、反応器の空塔速度で３〜５０ｃｍ／秒で
あるのが好ましい。反応温度は、未反応の塩化水素の量
を抑制し、目的物のＴＣＳを高選択率で得るために、一
般に２５０〜４００℃の範囲であることが好ましい。本
発明の反応圧力は、好ましくは１気圧以上、より好まし
くは１〜１５気圧である。
は、水素などの還元性ガス、窒素、アルゴンなどの不活
性ガス等が混入していても何ら制限なく使用される。そ
の供給速度は、反応器の空塔速度で３〜５０ｃｍ／秒で
あるのが好ましい。反応温度は、未反応の塩化水素の量
を抑制し、目的物のＴＣＳを高選択率で得るために、一
般に２５０〜４００℃の範囲であることが好ましい。本
発明の反応圧力は、好ましくは１気圧以上、より好まし
くは１〜１５気圧である。
【００１０】また、本発明で使用される反応器として
は、固定層式、流動層式など公知のものが何ら制限なく
使用されるが、反応生成熱の除熱効率を高めるため、流
動層式反応器を用いるのが好ましい。以上の方法でＴＣ
Ｓを高選択率で得ることができる。
は、固定層式、流動層式など公知のものが何ら制限なく
使用されるが、反応生成熱の除熱効率を高めるため、流
動層式反応器を用いるのが好ましい。以上の方法でＴＣ
Ｓを高選択率で得ることができる。
【００１１】
【発明の効果】本発明の方法では、金属ケイ素と塩化水
素を反応せしめる系内に、アルミニウム原子を０.０１
〜５重量％になるように供給することで、反応温度の上
昇によるＴＣＳ選択率の低下を抑制すると共に、高選択
率でＴＣＳを生成させる触媒作用を有効に発現させる。
一方、鉄原子はＳＴＣの副生を促進する触媒作用を示す
ため、反応系内に０.１〜５重量％に維持するように抜
き出すことで、反応温度の影響を受けずにＴＣＳを高選
択率で製造することができるようになる。
素を反応せしめる系内に、アルミニウム原子を０.０１
〜５重量％になるように供給することで、反応温度の上
昇によるＴＣＳ選択率の低下を抑制すると共に、高選択
率でＴＣＳを生成させる触媒作用を有効に発現させる。
一方、鉄原子はＳＴＣの副生を促進する触媒作用を示す
ため、反応系内に０.１〜５重量％に維持するように抜
き出すことで、反応温度の影響を受けずにＴＣＳを高選
択率で製造することができるようになる。
【００１２】
【実施例】以下、実施例をあげて本発明を具体的に説明
するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるも
のではない。
するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるも
のではない。
【００１３】実施例１ 内径５０ｍｍのステンレス製流動層式反応器でＴＣＳを
製造した。反応器に金属ケイ素（鉄０.１５重量％、ア
ルミニウム０.２５重量％含有する）を５００ｇ仕込
み、次いで塩化水素３.９１ｇ（０.１０７モル）／ｍｉ
ｎと水素０.２１４ｇ（０.１０７モル）／ｍｉｎを混合
し、反応器に供給した。反応温度３５０℃、大気圧下、
金属ケイ素を６０ｇ（２.１４モル）／ｈｒの速度で供
給した。５時間後にＴＣＳ選択率をガスクロマトグラフ
ィーで分析したところ、９３モル％であった。反応器内
の鉄およびアルミニウムの濃度は、それぞれ０.２１重
量％および０.１８重量％であった。
製造した。反応器に金属ケイ素（鉄０.１５重量％、ア
ルミニウム０.２５重量％含有する）を５００ｇ仕込
み、次いで塩化水素３.９１ｇ（０.１０７モル）／ｍｉ
ｎと水素０.２１４ｇ（０.１０７モル）／ｍｉｎを混合
し、反応器に供給した。反応温度３５０℃、大気圧下、
金属ケイ素を６０ｇ（２.１４モル）／ｈｒの速度で供
給した。５時間後にＴＣＳ選択率をガスクロマトグラフ
ィーで分析したところ、９３モル％であった。反応器内
の鉄およびアルミニウムの濃度は、それぞれ０.２１重
量％および０.１８重量％であった。
【００１４】実施例２〜４ 実施例１において、反応温度をそれぞれ表１に示したよ
うに代えた以外は、実施例１と同様にしてＴＣＳを製造
した。結果を表１に示す。
うに代えた以外は、実施例１と同様にしてＴＣＳを製造
した。結果を表１に示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】実施例５〜１０ 実施例１において、金属ケイ素のアルミニウムおよび鉄
の含有量を表２に示したように代えた以外は、実施例１
と同様にしてＴＣＳを製造した結果を表２に示す。
の含有量を表２に示したように代えた以外は、実施例１
と同様にしてＴＣＳを製造した結果を表２に示す。
【００１７】
【表２】
【００１８】実施例１１ 実施例１において、金属ケイ素のアルミニウムおよび鉄
の含有量をそれぞれ、痕跡と０.５重量％に代え、供給
する金属ケイ素に金属アルミニウムを０.５重量％含ま
せて供給した以外は実施例１と同様にＴＣＳの製造をし
たところ、ＴＣＳ選択率は９４モル％であった。反応器
内のアルミニウムおよび鉄の濃度は、それぞれ０.１５
重量％および０.８９重量％であった。
の含有量をそれぞれ、痕跡と０.５重量％に代え、供給
する金属ケイ素に金属アルミニウムを０.５重量％含ま
せて供給した以外は実施例１と同様にＴＣＳの製造をし
たところ、ＴＣＳ選択率は９４モル％であった。反応器
内のアルミニウムおよび鉄の濃度は、それぞれ０.１５
重量％および０.８９重量％であった。
【００１９】実施例１２ 内径２９８ｍｍのステンレス製流動層式反応器でＴＣＳ
を製造した。反応器に金属ケイ素（鉄０.５１重量％、
アルミニウム０.３２重量％含有する）を１８０００ｇ
仕込み、次いで塩化水素２７９.８ｇ（７.６０モル）／
ｍｉｎ、水素１５.２０ｇ（７.６０モル）／ｍｉｎを混
合し、反応器に供給した。反応温度を３５０℃、大気圧
下、金属ケイ素を４２６２ｇ（１５２.０モル）／ｈｒ
の速度で供給した。反応開始から５０ｈｒ毎に反応器内
の金属ケイ素を９,０００ｇ抜き出した後、新たに金属
ケイ素を９,０００ｇ供給する操作を繰り返した。結果
を表３に示す。
を製造した。反応器に金属ケイ素（鉄０.５１重量％、
アルミニウム０.３２重量％含有する）を１８０００ｇ
仕込み、次いで塩化水素２７９.８ｇ（７.６０モル）／
ｍｉｎ、水素１５.２０ｇ（７.６０モル）／ｍｉｎを混
合し、反応器に供給した。反応温度を３５０℃、大気圧
下、金属ケイ素を４２６２ｇ（１５２.０モル）／ｈｒ
の速度で供給した。反応開始から５０ｈｒ毎に反応器内
の金属ケイ素を９,０００ｇ抜き出した後、新たに金属
ケイ素を９,０００ｇ供給する操作を繰り返した。結果
を表３に示す。
【００２０】
【表３】
【００２１】比較例１〜４ 実施例１において、金属ケイ素のアルミニウムおよび鉄
の含有量を、それぞれ０.０４重量％と０.１５重量％に
代え、反応温度を表１に示したように代えた以外は実施
例１と同様にしてＴＣＳを製造した結果を表１に示す。
の含有量を、それぞれ０.０４重量％と０.１５重量％に
代え、反応温度を表１に示したように代えた以外は実施
例１と同様にしてＴＣＳを製造した結果を表１に示す。
【００２２】比較例５ 実施例１において、金属ケイ素のアルミニウムおよび鉄
の含有量を、それぞれ痕跡と０.５重量％に代え、塩化
第一鉄を１００ｇ添加した以外は実施例１と同様にＴＣ
Ｓを製造したところ、ＴＣＳ選択率は６０モル％であっ
た。アルミニウムおよび鉄の濃度は、それぞれ痕跡と１
１.２重量％であった。
の含有量を、それぞれ痕跡と０.５重量％に代え、塩化
第一鉄を１００ｇ添加した以外は実施例１と同様にＴＣ
Ｓを製造したところ、ＴＣＳ選択率は６０モル％であっ
た。アルミニウムおよび鉄の濃度は、それぞれ痕跡と１
１.２重量％であった。
【００２３】比較例６ 実施例１２において、金属ケイ素の抜き出し後、金属ケ
イ素を新たに供給する操作を行わず、実施例１２と同様
にＴＣＳを製造した。３００ｈｒ後のＴＣＳ選択率は６
５モル％であった。アルミニウムおよび鉄の濃度は、そ
れぞれ０.６５重量％と３１.５重量％であった。
イ素を新たに供給する操作を行わず、実施例１２と同様
にＴＣＳを製造した。３００ｈｒ後のＴＣＳ選択率は６
５モル％であった。アルミニウムおよび鉄の濃度は、そ
れぞれ０.６５重量％と３１.５重量％であった。
Claims (1)
- 【請求項１】 金属ケイ素と塩化水素とを、鉄およびア
ルミニウム含有触媒の存在下、反応系内に鉄原子を０.
１〜５重量％およびアルミニウム原子を０.０５〜５重
量％に維持しつつ、連続的に反応せしめることを特徴と
する三塩化ケイ素の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33475395A JP3324922B2 (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 三塩化ケイ素の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33475395A JP3324922B2 (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 三塩化ケイ素の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09169514A true JPH09169514A (ja) | 1997-06-30 |
| JP3324922B2 JP3324922B2 (ja) | 2002-09-17 |
Family
ID=18280852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33475395A Expired - Lifetime JP3324922B2 (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 三塩化ケイ素の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3324922B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011111335A1 (ja) | 2010-03-10 | 2011-09-15 | 信越化学工業株式会社 | トリクロロシランの製造方法 |
| CN102753478A (zh) * | 2010-02-18 | 2012-10-24 | 株式会社德山 | 三氯硅烷的制造方法 |
| WO2013187070A1 (ja) | 2012-06-14 | 2013-12-19 | 信越化学工業株式会社 | 高純度多結晶シリコンの製造方法 |
| WO2014125762A1 (ja) | 2013-02-13 | 2014-08-21 | 信越化学工業株式会社 | トリクロロシランの製造方法 |
| WO2014167757A1 (ja) | 2013-04-11 | 2014-10-16 | 信越化学工業株式会社 | シラン化合物またはクロロシラン化合物の精製方法、多結晶シリコンの製造方法、および、弱塩基性イオン交換樹脂の再生処理方法 |
| WO2015059919A1 (ja) | 2013-10-23 | 2015-04-30 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンの製造方法 |
| KR20170027824A (ko) | 2014-07-10 | 2017-03-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 클로로실레인의 정제 방법 |
| US11007499B2 (en) | 2017-11-20 | 2021-05-18 | Tokuyama Corporation | Fluidized-bed-type reactor, and method for manufacturing trichlorosilane |
| US11071961B2 (en) | 2017-11-20 | 2021-07-27 | Tokuyama Corporation | Fluidized bed reaction container and method for producing trichlorosilane |
| KR20210130161A (ko) * | 2019-03-05 | 2021-10-29 | 가부시키가이샤 도쿠야마 | 클로로 실란류의 제조방법 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MY179882A (en) | 2013-09-30 | 2020-11-18 | Lg Chemical Ltd | Method for producing trichlorosilane |
| WO2015047043A1 (ko) | 2013-09-30 | 2015-04-02 | 주식회사 엘지화학 | 트리클로로실란 제조방법 |
| KR101754457B1 (ko) | 2014-12-08 | 2017-07-06 | 주식회사 엘지화학 | 금속 실리콘 입자 분산액 및 이를 이용한 클로로실란의 제조방법 |
| KR20160069380A (ko) | 2014-12-08 | 2016-06-16 | 주식회사 엘지화학 | 금속 실리콘 입자 분산액 및 이를 이용한 클로로실란의 제조방법 |
| KR20160102807A (ko) | 2015-02-23 | 2016-08-31 | 주식회사 엘지화학 | 금속 실리콘 입자 분산액 및 이를 이용한 클로로실란의 제조방법 |
| KR102012910B1 (ko) | 2015-06-26 | 2019-08-22 | 주식회사 엘지화학 | 트리클로로실란 제조장치 및 제조방법 |
| KR102012914B1 (ko) | 2015-09-14 | 2019-08-22 | 주식회사 엘지화학 | 트리클로로실란 제조장치 및 제조방법 |
| KR102009929B1 (ko) | 2015-09-15 | 2019-08-12 | 주식회사 엘지화학 | 트리클로로실란 제조방법 |
| CN118159491A (zh) | 2021-11-01 | 2024-06-07 | 株式会社德山 | 三氯硅烷的制造方法和多晶硅棒的制造方法 |
-
1995
- 1995-12-22 JP JP33475395A patent/JP3324922B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102753478A (zh) * | 2010-02-18 | 2012-10-24 | 株式会社德山 | 三氯硅烷的制造方法 |
| CN102753478B (zh) * | 2010-02-18 | 2015-08-12 | 株式会社德山 | 三氯硅烷的制造方法 |
| WO2011111335A1 (ja) | 2010-03-10 | 2011-09-15 | 信越化学工業株式会社 | トリクロロシランの製造方法 |
| US9266742B2 (en) | 2010-03-10 | 2016-02-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing trichlorosilane |
| US9355918B2 (en) | 2012-06-14 | 2016-05-31 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing high-purity polycrystalline silicon |
| WO2013187070A1 (ja) | 2012-06-14 | 2013-12-19 | 信越化学工業株式会社 | 高純度多結晶シリコンの製造方法 |
| EP3170791A1 (en) | 2012-06-14 | 2017-05-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing high-purity polycrystalline silicon |
| WO2014125762A1 (ja) | 2013-02-13 | 2014-08-21 | 信越化学工業株式会社 | トリクロロシランの製造方法 |
| WO2014167757A1 (ja) | 2013-04-11 | 2014-10-16 | 信越化学工業株式会社 | シラン化合物またはクロロシラン化合物の精製方法、多結晶シリコンの製造方法、および、弱塩基性イオン交換樹脂の再生処理方法 |
| US9669400B2 (en) | 2013-04-11 | 2017-06-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for purifying silane compound or chlorosilane compound, method for producing polycrystalline silicon, and method for regenerating weakly basic ion-exchange resin |
| EP3296261A1 (en) | 2013-04-11 | 2018-03-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for regenerating weakly basic ion-exchange resin |
| KR20160074466A (ko) | 2013-10-23 | 2016-06-28 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 다결정 실리콘의 제조 방법 |
| WO2015059919A1 (ja) | 2013-10-23 | 2015-04-30 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンの製造方法 |
| KR20170027824A (ko) | 2014-07-10 | 2017-03-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 클로로실레인의 정제 방법 |
| US11007499B2 (en) | 2017-11-20 | 2021-05-18 | Tokuyama Corporation | Fluidized-bed-type reactor, and method for manufacturing trichlorosilane |
| US11071961B2 (en) | 2017-11-20 | 2021-07-27 | Tokuyama Corporation | Fluidized bed reaction container and method for producing trichlorosilane |
| KR20210130161A (ko) * | 2019-03-05 | 2021-10-29 | 가부시키가이샤 도쿠야마 | 클로로 실란류의 제조방법 |
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