JPH09174273A - 液晶マスク式レーザマーカ - Google Patents

液晶マスク式レーザマーカ

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JPH09174273A
JPH09174273A JP7340295A JP34029595A JPH09174273A JP H09174273 A JPH09174273 A JP H09174273A JP 7340295 A JP7340295 A JP 7340295A JP 34029595 A JP34029595 A JP 34029595A JP H09174273 A JPH09174273 A JP H09174273A
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JP
Japan
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liquid crystal
crystal mask
laser
laser light
work
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Application number
JP7340295A
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English (en)
Inventor
Kiwamu Takehisa
究 武久
Koji Kuwabara
皓二 桑原
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】従来の液晶マスク式レーザマーカでは困難であ
った金属などにも鮮明にマーキングできる液晶マスク式
レーザマーカを提供する。 【解決手段】液晶マスク式レーザマーカ100の光源で
ある固体レーザ発振器101から取り出されたレーザ光
102aは液晶マスク104を照射する。液晶マスク1
04を通過したレーザ光102bでマーキングさせるパ
ターンを含むレーザ光は、偏光ビームスプリッタ106
を透過する。レンズ103dにより液晶マスク104上
の像は、レーザ増幅器108の直前に配置されたレンズ
103e上に結像され、レーザ増幅器108に入射して
増幅する。増幅したレーザ光102fは反射鏡111で
反射して、金属製のワーク112に照射される。ここ
で、レンズ103fは結像レンズとして作用し、レンズ1
03e上に縮小投影された液晶マスク104上の像がワー
ク112に結像される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光によりマ
ーキングするための装置であるレーザマーカに関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、マーキングさせるパターンを表
示した液晶マスクを用いて、液晶マスクにレーザ光を照
射させて、パターンをワークに転写させてマーキングす
るレーザマーカは液晶マスク式レーザマーカと呼ばれ、
従来、ワークとして、おもにICパッケージが用いられ
ていた。すなわち、液晶マスクに表示させたパターン状
のレーザ光をICパッケージの表面に照射させること
で、表面が温度上昇して変色し、パターンがマーキング
されることになる。なお、従来の液晶マスク式レーザマ
ーカにおける光源としては、例えば、フラッシュランプ
励起の固体レーザ発振器が用いられていた。
【0003】また、液晶マスク式レーザマーカでは、液
晶マスクにおいて、マーキングのパターンを画素の集合
体で構成させる。マーキングのパターンを構成する画素
以外の画素(すなわち、背景を構成する画素)に電圧を
印加することで、それらの画素を通過したレーザ光の偏
光方向を、マーキングのパターンを構成する画素を通過
したレーザ光に対して90度ずらすことができ、これら
を偏光ビームスプリッタによって分離することで、ワー
クにパターン状のレーザ光が照射され、マーキングされ
る。
【0004】なお、液晶マスク式レーザマーカに関して
は、例えば、特開平4−200989号公報で説明されてい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来、特にフラッシュ
ランプ励起の固体レーザ発振器を光源とする液晶マスク
式レーザマーカでは、おもなマーキングの対象であるI
Cパッケージは樹脂からなるが、金属やシリコンなど融
点や熱伝導度の高い材質にマーキングさせることが困難
であることが問題であった。
【0006】そこで、固体レーザ発振器の共振器内に電
気光学効果を用いたQスイッチ(以下、E.O.Qスイッ
チと呼ぶ。)を挿入して動作させると、発振するレーザ
光のパルス幅が数十nsと、従来よりも3〜4桁も短く
なる。これによるとレーザ光の熱が伝導して拡散するま
でに材質が融点以上に温度上昇することから、金属など
にもマーキングできると考えられる。ところが、以下に
述べる2点の問題が発生することが判明した。
【0007】第1に、E.O.Qスイッチ動作の固体レー
ザ発振器から発振するレーザ光のピークパワーは数MW
と通常の固体レーザ発振器よりも2〜3桁も高くなる。
そのため、液晶マスクがレーザ光の照射により劣化しや
すくなり、長期間使用できなくなることがある。
【0008】第2に、従来のパターン表示方法によりマ
ーキングさせると、マーキングのパターンの背景も変色
してしまうことがあり、マーキングのパターンが認識し
にくくなることがあった。
【0009】本発明の目的は、従来の液晶マスク式レー
ザマーカによるマーキングでは困難であった金属などに
も鮮明にマーキングでき、しかも液晶マスクが劣化しに
くい液晶マスク式レーザマーカを提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、液晶マスク式レーザマーカの光源であるレーザ光発
生部がE.O.Qスイッチを備え、かつ前記レーザ光発生
部が発振器と増幅器とで構成され、かつ前記発振器と前
記増幅器との間に前記液晶マスクを配置したものであ
る。
【0011】また、鮮明にマーキングさせるために、前
記液晶マスクを、表示パターンを構成する画素に対して
電圧を印加するモードで駆動したものである。
【0012】液晶マスク式レーザマーカの光源であるレ
ーザ光発生部を発振器と増幅器とで構成させることで、
前記発振器からピークパワーの低いレーザ光を発振させ
ても、増幅器によって金属などにもマーキングできる程
度にピークパワーを十分高めることができる。そこで、
前記発振器と前記増幅器との間に液晶マスクを配置する
ことで、液晶マスクに照射されるレーザ光のピークパワ
ーを十分低くすることができる。
【0013】また、液晶マスクを、表示パターンを構成
する画素に電圧を印加するモードで駆動することで、画
素間の隙間を通過したレーザ光をワークに照射させない
ようにできる。なお、液晶マスクにおける画素とは、直
交する2本の透明電極(走査線と信号線)との交差部の
ことを示す。これによると、以下に説明する理由から、
パターンの背景は変色しなくなることがわかった。
【0014】固体レーザ発振器にE.O.Qスイッチを適
用させて発振させたレーザ光のパルス幅は、一般に、数
十nsとなり、通常のフラッシュランプ励起固体レーザ
に比べてパルス幅は3〜4桁も短くなり、上述したよう
に、十分短い時間内にレーザ光のエネルギが全て注入さ
れることになる。すなわち、ワークでレーザ光が照射さ
れる部分の面積が小さくても、その部分は急激に温度上
昇して変色することになる。したがって、液晶マスクを
従来と同様に駆動させるならば、ワークに対して、画素
間の隙間に対応する小さな面積にもレーザ光が照射され
るため、その部分は高く温度上昇して変色したものと考
えられた。これに対して、本発明では、特に、前記のよ
うに液晶が駆動されるため、画素間の隙間を通過したレ
ーザ光をワークに照射させないようにでき、ワーク上で
マーキングのパターンを構成する画素以外の部分が変色
することはない。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を用
いて説明する。
【0016】図1は、本発明の一実施例である液晶マス
ク式レーザマーカ100の構成図であり、図2は、液晶
マスク式レーザマーカ100で用いられている固体レー
ザ発振器101の構成図である。
【0017】液晶マスク式レーザマーカ100では、光
源であるレーザ装置に固体レーザ発振器101が用いら
れている。固体レーザ発振器101から取り出されたレ
ーザ光102aは、レンズ103a,103bによりビ
ーム断面が拡大されて、液晶マスク104を照射する。
液晶マスク104を通過したレーザ光102bには、マ
ーキングさせるパターンが形成されている。すなわち、
パターン状のレーザ光と、それ以外のレーザ光とでは、
偏光方向が互いに90度ずれていることになる。レーザ
光102bは、波長板105を通過して、偏光ビームス
プリッタ106に入射する。波長板105では、ここを
通過するレーザ光の偏光方向を回転できるため、パター
ン状のレーザ光は偏光ビームスプリッタ106を透過
し、それ以外のレーザ光は偏光ビームスプリッタ106
を反射するように、各レーザ光の偏光方向が調整され
る。これにより、マーキングに不要なレーザ光102d
は偏光ビームスプリッタ106を反射して、ストッパ1
07で止められる。マーキングさせるパターンが形成さ
れているレーザ光102eは、レンズ103dとレンズ
103eによりビーム断面が縮小されて、図中で点線で
囲まれたレーザ増幅器108に入射する。レンズ103
dは、本発明を構成する結像光学系として機能してお
り、これにより液晶マスク104上の像が、レーザ増幅
器108の直前に配置されたレンズ103e上に結像さ
れる。一方、レーザ増幅器108に入射したレーザ光
は、固体レーザ媒質109を通過することで増幅される
ため、液晶マスク104上の像がそのまま増幅されるこ
とになる。なお、固体レーザ媒質109としてはスラブ状
の固体レーザ媒質が用いられており、これは励起用のフ
ラッシュランプ110a,110bにより励起される。
【0018】また、スラブ状の固体レーザ媒質は、以下
に説明するように、加熱されても、内部を進むレーザ光
が固体レーザ媒質から出射する方向は変化しない。すな
わち、図3に示した固体レーザ媒質109の断面図から
わかるように、内部を進むレーザ光は、点線で示した光
軸に沿ってジグザグに全反射を繰り返して進むようにな
っている。その結果、レーザ光に対しては、固体レーザ
媒質109内部に生じる不均一な温度分布の影響がキャ
ンセルされて、熱レンズ効果を受けず、レーザ光が伝搬
する方向が変化することはない。レーザ光102fは反
射鏡111で反射して、レンズ103fを通り、金属製
のワーク112に照射される。なお、レンズ103fは
結像レンズとして作用しており、レンズ103e上に縮
小投影された液晶マスク104上の像が、ワーク112
に結像される。これによって、ワーク112には、液晶
マスク104で表示させたパターン状のレーザ光が照射
され、パターンがマーキングされる。なお、固体レーザ
媒質109では熱レンズ効果が発生しないため、レンズ
103fによって、ワーク112上に結像されたレンズ
103e上の像(すなわち、マーキングさせるパターン
が表示された液晶マスク104上の像)がぼけることが
ない。
【0019】次に、図2を用いて、液晶マスク式レーザ
マーカにおける固体レーザ発振器101の構成を説明す
る。固体レーザ発振器101では、固体レーザ媒質12
2としてYAG結晶が用いられており、全反射鏡123
と出力鏡124とで共振器が構成されている。固体レー
ザ媒質122は励起光源であるフラッシュランプ125
a,125bとにより励起する。共振器中にはE.O.Q
スイッチ127と偏光ビームスプリッタ126が配置さ
れる。フラッシュランプ125a,125bが発光して、
固体レーザ媒質122が励起してエネルギが十分蓄積さ
れてからE.O.Qスイッチ127を動作させる。それに
よってジャイアントパルスと呼ばれる高ピークパワーの
パルスレーザ光102aが出力鏡124から共振器外部
に取り出される。
【0020】本実施例では、固体レーザ発振器101
で、E.O.Qスイッチ127が用いられているが、一般
にE.O.Qスイッチは透明な結晶からなるが、レーザ光
を3%程度吸収するため、レーザの平均出力が高くなる
と、温度上昇して正常に機能しなくなることがある。し
かし、本発明の液晶マスク式レーザマーカにおけるレー
ザ装置は、レーザ発振器とレーザ増幅器とで構成される
ため、E.O.Qスイッチが正常に動作し続ける程度の低
出力でレーザ発振器を動作させても、レーザ増幅器によ
りマーキングに十分なパワーのレーザ光に高めることが
できる。
【0021】本実施例では、ワーク112は金属からな
るが、従来の液晶マスク式レーザマーカではマーキング
は困難であっただけでなく、たとえ光源の固体レーザ発
振器にE.O.Qスイッチを適用したとしても、マーキン
グのパターンが認識しにくくなることが問題であった。
これに関して以下に説明する。
【0022】従来と本発明の液晶マスク式レーザマーカ
によるマーキングの違いを図4ないし図6を用いて説明
する。ここでは、画素数5×5個の液晶マスクを用い
て、十文字のパターンをマーキングさせる場合を例にと
ったものである。図4は従来の液晶マスク式レーザマー
カを用いて、従来と同じ方式で液晶マスクを駆動して、
ワークとしてICパッケージなどの樹脂にマーキングし
た場合に関するものである。図5は、図2に示した本発
明で用いるE.O.Qスイッチ動作の固体レーザ発振器1
01を用いて、従来と同様の方式で液晶マスクを駆動し
て、ワークとして金属にマーキングした場合に関するも
のである。図6は、図2に示した本発明で用いるE.O.
Qスイッチ動作の固体レーザ発振器101を用いて、本
発明の方式で液晶マスクを駆動して、ワークとして金属
にマーキングした場合に関するものである。なお、図4
ないし図6で、(a)は液晶マスクの表示モード、
(b)はレーザ照射されたワークで(a)に示したXと
Yに対応するライン上の温度分布、及び(c)はワーク
にマーキングされたパターンを示したものである。な
お、各図(a)に示した液晶マスクの表示モードで、斜
線で示された画素に電圧が印加されており、ここを通過
したレーザ光は、それ以外の部分を通過したレーザ光
と、偏光方向が90度ずれるようになる。
【0023】従来では、図4(a)に示したように、液
晶マスクで、十文字のパターン以外の背景の画素(斜線
で示した画素)に電圧を印加して、これらを通過したレ
ーザ光を分離し、ワークに照射させないようにしてい
た。これによると、ワークでは、十文字のパターンを構
成する画素と、画素間の隙間を通過したレーザ光がワー
クに照射される。その結果、ワークの温度分布として
は、図4(b)に示したように、液晶マスクでXに対応
するライン上では、レーザ光が横方向につながって照射
され、点線で示した変色するしきい値の温度を越える。
したがって、図4(c)に示したように、横方向につな
がった線状にマーキングされる。ただし、液晶マスク上
でYに対応するライン上では、マーキングさせない画素
間の隙間を通過したレーザ光が照射されても、レーザ光
が照射されない隣接する領域に熱が伝導して逃げてしま
うことから、図4(b)に示したように、変色するしき
い値の温度を越えにくくなり、マーキングされない。
【0024】ところが、液晶マスクを従来の駆動方式の
ままで、図1に示した本発明の液晶マスク式レーザマー
カを用いてマーキングするならば、液晶マスク上でYに
対応するライン上におけるワークの温度分布は図5
(b)に示したように、変色のしきい値を越えてしま
う。すなわち、画素間の隙間を通過したレーザ光が照射
される部分でも、照射されるレーザ光のエネルギがパル
ス幅数十nsの短時間にワークに注入されるため、部分
では、熱が伝導して拡散する前に、急激に温度上昇す
る。すなわち、E.O.Qスイッチ動作によって発振する
レーザ光のパルス幅は、通常のフラッシュランプ励起固
体レーザから発振するレーザ光のパルス幅に比べて、4
桁程度も短くなるからである。したがって、マーキング
されるパターンの背景における画素間の隙間に対応する
部分でも、温度がしきい値を越え変色してしまい、図5
(c)に示したように、パターンの背景でも画素間の隙
間に対応する線がマーキングされ、マーキングすべきパ
ターンが認識しにくくなってしまう。
【0025】これに対して、本実施例における駆動方式
で液晶マスクを駆動するならば、図6に示したように、
マーキングさせるパターンを構成する画素に電圧を印加
させ、これらの画素を通過したレーザ光のみをワークに
照射させるため、マーキングさせるパターンの背景の画
素間の隙間を通過したレーザ光をワークに照射させない
ようになる。したがって、図6(c)に示したように、
パターンは画素の集合体としてマーキングされるが、図
5(c)に示したような余分な線がマーキングされるこ
とはなく、マーキングされるパターンは認識しやすくな
る。
【0026】
【発明の効果】本発明によれば、E.O.Qスイッチを用
いて高ピークパワーのレーザ光を発生させても、液晶マ
スクにダメージが生じることはなく、液晶マスクを十分
長期間使用することができる。
【0027】また、特に本発明の方式で液晶マスクを駆
動すれば、液晶マスクにおける画素間の隙間を通過する
レーザ光はワークを照射しないため、マーキングのパタ
ーンの背景が変色することはなく、パターンが認識しや
すくなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の液晶マスク式レーザマーカの説明図。
【図2】本発明の液晶マスク式レーザマーカにおける固
体レーザ発振器の説明図。
【図3】本発明の液晶マスク式レーザマーカにおける固
体レーザ媒質における光軸を示す説明図。
【図4】従来の液晶マスク式レーザマーカによるマーキ
ングの説明図。
【図5】従来の液晶マスク式レーザマーカによるマーキ
ングの説明図。
【図6】本発明の液晶マスク式レーザマーカによるマー
キングの説明図。
【符号の説明】
100…液晶マスク式レーザマーカ、101…固体レー
ザ発振器、102a,102b,102c,102d,
102e,102f…レーザ光、103a,103b,
103c,103d,103e,103f…レンズ、1
04…液晶マスク、105…波長板、106…偏光ビー
ムスプリッタ、107…ストッパ、108…レーザ増幅
器、109…固体レーザ媒質、110a,110b…フ
ラッシュランプ、111…反射鏡、112…ワーク。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】レーザ光発生部からのレーザ光を液晶マス
    クに照射し、前記液晶マスクに表示したパターンをワー
    ク上に転写する液晶マスク式レーザマーカにおいて、前
    記レーザ光発生部が電気光学効果を用いたQスイッチを
    備え、前記レーザ光発生部が発振器と増幅器とで構成さ
    れ、前記発振器と前記増幅器との間に前記液晶マスクが
    配置されることを特徴とする液晶マスク式レーザマー
    カ。
  2. 【請求項2】レーザ光発生部からのレーザ光を液晶マス
    クに照射し、前記液晶マスクに表示したパターンをワー
    ク上に転写する液晶マスク式レーザマーカにおいて、前
    記レーザ光発生部が電気光学効果を用いたQスイッチを
    備え、前記液晶マスクを、表示パターンを構成する画素
    に対して電圧を印加するモードで駆動することを特徴と
    する液晶マスク式レーザマーカ。
JP7340295A 1995-12-27 1995-12-27 液晶マスク式レーザマーカ Pending JPH09174273A (ja)

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JP7340295A JPH09174273A (ja) 1995-12-27 1995-12-27 液晶マスク式レーザマーカ

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6558882B2 (en) * 2000-02-03 2003-05-06 Canon Kabushiki Kaisha Laser working method
CN100431767C (zh) * 2005-08-31 2008-11-12 江苏大学 一种基于液晶掩模技术的激光表面冲击加工的方法和装置

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