JPH09175647A - 半導体デバイス搬送処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被試験ＩＣに十分に長い吸熱又は吸冷時間を
与えることができるＩＣハンドラを提供する。 【解決手段】 ターンテーブル４に円形配列の位置決め
用凹部５を同心円状にＮ列形成し、トレイに収容された
被試験ＩＣを、ＩＣ積み込み位置において、最外周又は
最内周の位置決め用凹部配列の位置決め用凹部５に順次
に供給し、ターンテーブル４の回転に伴なって、被試験
ＩＣが１回転する毎に、上記ＩＣ積み込み位置において
他の位置決め用凹部配列の位置決め用凹部５に移し替え
る。被試験ＩＣが上記積み込み位置において上記トレイ
から積み込まれてから少なくとも１回転した後、この積
み込み位置からテスト部７に送り出す位置までの角度範
囲をさらに移動させてテスト部７に送り込む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体デ
バイスの代表例である半導体集積回路素子（以下、ＩＣ
と称す）をテストするためのＩＣ試験装置（一般にＩＣ
テスタと呼ばれる）においてＩＣをテストするためにテ
スト部に搬送し、かつ試験済みＩＣをテスト部から搬出
し、分類処理するために使用して好適な半導体デバイス
搬送処理装置（一般にＩＣハンドラと呼ばれる）に関
し、特に、これからテストを受ける半導体デバイスを、
十分に長い時間の間、所定の温度雰囲気にさらすことが
できるようにした半導体デバイス搬送処理装置及びこの
装置において使用される半導体デバイスの搬送処理方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】図３に従来の水平搬送方式と称される半
導体デバイス搬送処理装置（以下、ＩＣハンドラと称
す）の一例の概略の構成を示す。ベースとなる架台１の
図において下側１Ａに沿ってＩＣを格納した複数のトレ
イ群２が配置される。各トレイ群２Ａ〜２Ｅはそれぞれ
多数個のトレイを垂直方向に積み重ねたものよりなり、
図において一番左側のトレイ群２Ａはローダ部の位置に
ある。ローダ部のトレイ群２Ａにはこれから試験を受け
るＩＣ（被試験ＩＣ）が載置されている。

【０００３】積み重ねられて配置されたトレイ群２Ａの
最上段のトレイから搬送アーム３がこの例ではＩＣを１
個ずつ搬出してソークステージと呼ばれるターンテーブ
ル４に搬送する。ターンテーブル４にはＩＣを受け取る
位置を規定するために、ほぼ正方形の４辺が上向きの傾
斜面で囲まれた位置決め用凹部５が等角度間隔で同心円
状に１列形成されており、ターンテーブル４が例えば図
の例では時計廻り方向に１ピッチずつ回動する毎に、搬
送アーム３が１個のＩＣを各位置決め用凹部５に落とし
込む。

【０００４】６はターンテーブル４で運ばれて来たＩＣ
をテスト部７に送り込むコンタクトアームを示す。コン
タクトアーム６はターンテーブル４の各位置決め用凹部
５から１個のＩＣを吸着して取り出し、そのＩＣをテス
ト部７に搬送する。コンタクトアーム６は３つのアーム
を有し、その３つのアームが回転して順次ＩＣをテスト
部７に送り込む動作と、テスト部７でテストが終了した
ＩＣを出口側の搬送アーム８に引き渡す動作を行なう。
なお、ターンテーブル４とコンタクトアーム６及びテス
ト部７は恒温室（チャンバ）９内に収納され、被試験Ｉ
Ｃをこの恒温室９内で所定の温度に保持した状態でテス
トを行うように構成されている。即ち、恒温室９内が高
温又は低温の適当な温度に制御され、被試験ＩＣに所定
の温度ストレスを加えることができる構造となってい
る。

【０００５】出口側の搬送アーム８で取り出されたＩＣ
は試験の結果に応じてアンローダ部に配置されたこの例
では３つのトレイ群２Ｃ、２Ｄ、２Ｅの何れかに分別さ
れて格納される。例えば、不良のＩＣは一番右側のトレ
イ群２Ｅのトレイに格納され、良品のＩＣはその左側の
トレイ群２Ｄのトレイに格納され、再試験が必要なＩＣ
はさらに左側のトレイ群２Ｃのトレイに格納される。こ
れらの分別はキャリアアーム１０、１１が行なう。な
お、左から２番目のトレイ群２Ｂはローダ部で空になっ
たトレイを収納するバッファ部に配置された空のトレイ
群を示す。この空のトレイ群はアンローダ部の各トレイ
群２Ｃ、２Ｄ、２Ｅの積み重ねられた最上段のトレイが
満杯になると、そのトレイ群の上に運ばれてＩＣの格納
に利用される。

【０００６】図３に示した上記ＩＣハンドラはターンテ
ーブル４にＩＣを受け取る位置を規定するための位置決
め用凹部５を等角度間隔で同心円状に１列形成し、ター
ンテーブル４が時計廻り方向に１ピッチずつ回動する毎
に、搬送アーム３が１個のＩＣを各位置決め用凹部５に
落とし込むように構成されているが、図４に示すよう
に、ターンテーブル４に位置決め用凹部５を等角度間隔
で同心円状に２列形成し、搬送アーム３によってローダ
部のトレイから被試験ＩＣを一度に２個ずつ搬送し、タ
ーンテーブル４が１ピッチずつ回動する毎にターンテー
ブル４の２列の２つの位置決め用凹部５に搬送アーム３
からＩＣを２個ずつ落し込むように構成したＩＣハンド
ラも実用されている。この図４に示すＩＣハンドラは、
コンタクトアーム６、出口側の搬送アーム８、及びキャ
リアアーム１０が同じくＩＣを一度に２個ずつ搬送でき
るように構成され、また、テスト部７において一度に２
個の被試験ＩＣをテストできるように構成されている以
外は上記図３に示したＩＣハンドラと同じ構成であるの
で、対応する部分に同一符号を付してそれらの説明を省
略する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】図３及び図４に示した
ＩＣハンドラにおいて、被試験ＩＣはターンテーブル４
の角度位置Ａでターンテーブル４に載置され、角度位置
Ｂでターンテーブル４からコンタクトアーム６によりテ
スト部７に送り込まれる。この間約２４０°の角度範囲
をターンテーブル４の上に乗せられて移動し、この角度
範囲を移動する間にＩＣの温度を恒温室９内の温度に上
昇（又は降下）させる。

【０００８】通常、ターンテーブル４上には位置決め用
凹部５を約１２°のピッチ（角度間隔）で同心円状に形
成するから、同心円状の位置決め用凹部５は、図３の場
合のように１列であっても、図４の場合のように２列で
あっても、２４０°の範囲には２０個の位置決め用凹部
５が配列される。テスト部７におけるＩＣのテスト時間
は数秒程度と比較的短時間であるけれど、角度位置Ａか
らＢに達するまでの移動距離が短いために、テスト部７
におけるテスト周期に同期させてターンテーブル４を回
転させると、サイズが大きいＩＣの場合には角度位置Ａ
からＢに移動する時間内に目標とする恒温室９内の温度
に達しない場合が生じる。このため、テスト部７におけ
るテストは終了しているにもかかわらず、ＩＣが所定の
温度へ上昇（又は降下）するまで待たなければならない
場合が生じ、結果的に、テストに要する時間が長くなっ
てしまうという欠点がある。

【０００９】この発明の目的は、これから試験を受ける
半導体デバイスを、十分に長い時間の間、温度雰囲気に
さらすことができ、従って、ターンテーブルをテスト部
におけるテスト周期に同期させて回転させて、テスト部
のテスト周期で被試験半導体デバイスのテストを繰返す
ことができる半導体デバイス搬送処理装置を提供するも
のである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この発明によれば、ター
ンテーブル上に同心的に形成されたＮ列（Ｎは２以上の
整数）の円形配列の位置決め用凹部と、上記Ｎ列の位置
決め用凹部の円形配列の内の少なくとも１つの配列の位
置決め用凹部に、半導体デバイス積み込み位置におい
て、トレイに収納された被試験半導体デバイスをこのト
レイから順次に送り込む第１の搬送手段と、上記半導体
デバイス積み込み位置において各位置決め用凹部に収納
された被試験半導体デバイスが上記ターンテーブルの回
転により１回転する毎に、上記被試験半導体デバイス
を、上記半導体デバイス積み込み位置において、空の状
態で到着した他の円形配列の位置決め用凹部に移し替え
る手段と、上記デバイスの移し替えによって空きとなっ
た位置決め用凹部に新たな被試験半導体デバイスを上記
トレイから順次に送り込む手段と、少なくとも１回転し
た被試験半導体デバイスが上記半導体デバイス積み込み
位置からテスト部の近傍まで移動されたときに、この半
導体デバイスを上記テスト部に送り込む第２の搬送手段
とを具備する半導体デバイス搬送処理装置が提供され
る。

【００１１】また、この発明によれば、ターンテーブル
に形成されたＮ列の円形配列の位置決め用凹部の内の少
なくとも１つの配列の位置決め用凹部に、半導体デバイ
ス積み込み位置において、トレイから積み込まれた被試
験半導体デバイスが上記ターンテーブルの回転により１
回転する毎に、上記被試験半導体デバイスを、空の状態
で到着した他の円形配列の位置決め用凹部に移し替える
段階と、上記デバイスの移し替えによって空きとなった
位置決め用凹部に、上記半導体デバイス積み込み位置に
おいて、新たな被試験半導体デバイスを上記トレイから
順次に送り込む段階と、少なくとも１回転した被試験半
導体デバイスが上記半導体デバイス積み込み位置からテ
スト部の近傍まで移動されたときに、この半導体デバイ
スを上記テスト部に送り込む段階とからなる半導体デバ
イスの搬送処理方法が提供される。

【００１２】上記請求項１、２、４、５及び７に記載の
半導体デバイス搬送処理装置、並びに請求項８及び９に
記載の半導体デバイスの搬送処理方法によれば、被試験
半導体デバイスは半導体デバイス積み込み位置において
ターンテーブルに載置されてから少なくとも１回転し、
その後上記半導体デバイス積み込み位置から所定の角度
分移動させられてテスト部に送り込まれる。従って、テ
スト部に至る所定の角度分の移動時間に少なくとも１回
転分の移動時間を加算した時間が被試験半導体デバイス
に所定の温度ストレスを与えるために使用できる。この
加算された少なくとも１回転分の移動時間は半導体デバ
イス積み込み位置からテスト部に至る所定の角度分の移
動時間よりも長いから、従来の装置と比較して２倍以上
の時間が被試験半導体デバイスを所定の温度に上昇又は
降下させるために使用できる。よって、被試験半導体デ
バイスに十分な吸熱又は吸冷時間を与えることができる
ため、テスト部におけるテスト周期に追従してターンテ
ーブルを回転させても全く問題が発生せず、従って、被
試験半導体デバイスのテスト時間を短縮することができ
る。

【００１３】また、上記請求項３及び６に記載の半導体
デバイス搬送処理装置によれば、被試験半導体デバイス
が１回転した後で移し替えられる位置決め用凹部の深さ
が最初に載置された位置決め用凹部の深さより深く形成
されているので、被試験半導体デバイスを吸着保持する
複数の吸着ヘッドの昇降距離を同じにすることが可能と
なり、作業性が向上すると共に、制御が容易になる。ま
た、各吸着ヘッドから吸着保持した被試験半導体デバイ
スを位置決め用凹部に落とし込むときの距離を同じにす
ることができるので、被試験半導体デバイスを正確に位
置決めすることができるだけでなく、被試験半導体デバ
イスのリードピン（端子）の変形や、破損を防止するこ
とができる。さらに、ターンテーブルは、被試験半導体
デバイスと比較すると、恒温室内の温度に保持された大
きな熱源又は冷却源であるから、ターンテーブルの深い
位置決め用凹部に収納された被試験半導体デバイスには
このターンテーブルの熱又は冷気が良好に伝導する。よ
って、被試験半導体デバイスを所定の温度に加熱又は冷
却することをより一層確実にする。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図１及び図２に示すこの発
明の好ましい実施例を参照してこの発明の実施の形態を
詳細に説明する。なお、以下の実施例では半導体デバイ
スの代表例であるＩＣを例にとって説明するが、この発
明はＩＣ以外の半導体デバイスを搬送、処理する装置に
も勿論適用できるものである。

【００１５】図１はこの発明によるＩＣハンドラの第１
の実施例の概略の構成を示す。この実施例ではターンテ
ーブル４上に多数個の位置決め用凹部５を等角度間隔で
同心円状に２列形成した場合を示すが、位置決め用凹部
５の円形配列は２列以上であってもよいことは言うまで
もない。多数個の位置決め用凹部の円形配列を同心的に
２列形成した場合には、位置決め用凹部の円形配列の数
に対応させて、搬送アーム３には２個の吸着ヘッドを取
り付ける。即ち、この実施例では搬送アーム３の先端側
と手前側に各１個ずつ、被試験ＩＣを例えば真空吸引作
用により吸着して搬送する吸着ヘッド３Ｒと３Ｆを設け
る。

【００１６】手前側に設けた吸着ヘッド３Ｆによりロー
ダ部のトレイ群２Ａの最上部のトレイから被試験ＩＣを
１個ずつ拾い上げ、ＩＣ積み込み位置であるターンテー
ブル４上の角度位置Ａにおいて、ターンテーブル４に同
心円状に形成された２列の位置決め用凹部の円形配列の
内の外側の配列５Ａの１つの位置決め用凹部５に吸着保
持した被試験ＩＣを落とし込む。なお、吸着ヘッド３Ｆ
がトレイ群２Ａ上の最上部のトレイから被試験ＩＣを拾
い上げるときには、搬送アーム３が静止した状態におい
て吸着ヘッド３Ｆを下向きに移動させ、その吸着面を被
試験ＩＣに近付けて吸着し、また、吸着した被試験ＩＣ
をＩＣ積み込み位置Ａにおいて位置決め用凹部５に落し
込むときにも、搬送アーム３が静止した状態において吸
着ヘッド３Ｆを下向きに移動させ、被試験ＩＣを位置決
め用凹部５の底面に近付けて放出する。他方の吸着ヘッ
ド３Ｒの動作も同様である。

【００１７】ターンテーブル４が１周し、外側の位置決
め用凹部配列５Ａの位置決め用凹部５の全てに被試験Ｉ
Ｃが載置されると（即ち、満杯になると）、それ以後は
吸着ヘッド３Ｆは今迄と同様にトレイ群２Ａから被試験
ＩＣを拾い上げ、空の状態の吸着ヘッド３Ｒと共にター
ンテーブル４のＩＣ積み込み位置Ａに移動されるが、ま
ず、空の吸着ヘッド３Ｒに外側の位置決め用凹部配列５
Ａから１周廻って来た被試験ＩＣを吸着させ、次に、こ
の被試験ＩＣを吸着保持した吸着ヘッド３Ｒを内側の位
置決め用凹部配列５Ｂの位置決め用凹部５の上に移動さ
せる。このとき、トレイ群２Ａからの被試験ＩＣを保持
する吸着ヘッド３Ｆは外側の凹部配列５Ａの、今空にな
った位置決め用凹部５の上に移動する。

【００１８】吸着ヘッド３Ｒと３Ｆは図２に示すように
同心の凹部配列５Ａと５Ｂの直径方向の間隔ＰＹに合致
した間隔で搬送アーム３に配置されている。従って、先
端側の吸着ヘッド３Ｒは内側の凹部配列５Ｂの位置決め
用凹部５の上部に、また、手前側の吸着ヘッド３Ｆは外
側の凹部配列５Ａの位置決め用凹部５の上部にそれぞれ
位置し、それぞれの位置決め用凹部５に被試験ＩＣを落
とし込むことができる状態にある。ただし、吸着ヘッド
３Ｒと３Ｆの間隔は必ずしも同心の凹部配列５Ａと５Ｂ
の直径方向の間隔ＰＹに合致しなくてもよい。間隔ＰＹ
より吸着ヘッド３Ｒと３Ｆの間隔が大きい場合には、空
の吸着ヘッド３Ｒに外側の位置決め用凹部配列５Ａから
１周廻って来た被試験ＩＣを吸着させ、次に、新たな被
試験ＩＣを吸着保持する吸着ヘッド３Ｆを外側の位置決
め用凹部配列５Ａの位置決め用凹部５の上に移動させて
被試験ＩＣを落とし込み、次に、外側の位置決め用凹部
配列５Ａからの被試験ＩＣを吸着保持する吸着ヘッド３
Ｒを内側の位置決め用凹部配列５Ｂの位置決め用凹部５
の上に移動させて被試験ＩＣを落とし込むようにすれば
よい。

【００１９】被試験ＩＣをそれぞれの位置決め用凹部５
に落とし込んだ後、搬送アーム３は再びトレイ群２Ａの
最上部のトレイ上に戻り、吸着ヘッド３Ｆにトレイ群２
Ａから被試験ＩＣを１個吸着させる。その後搬送ヘッド
３は空の吸着ヘッド３Ｒをターンテーブル４上の外側の
凹部配列５Ａの位置決め用凹部５の上に移動させる。こ
の間にターンテーブル４は１ピッチ分回転しているか
ら、空の吸着ヘッド３Ｒが外側の凹部配列５ＡのＩＣ積
み込み位置Ａに位置する位置決め用凹部５の上に戻った
ときにはこの空の吸着ヘッド３Ｒの下にはターンテーブ
ル４に載置されて１周廻って来た次の被試験ＩＣが到来
している。

【００２０】従って、吸着ヘッド３Ｒはこの被試験ＩＣ
を吸着し、トレイ群２Ａからの被試験ＩＣを吸着保持す
る吸着ヘッド３Ｆと共に間隔ＰＹ分だけ前進し、内側と
外側の凹部配列５Ｂと５Ａの位置決め用凹部５にそれぞ
れが保持するＩＣを落し込む（図２の状態）。この動作
を繰返すことにより、内側の凹部配列５Ｂに外側の凹部
配列５Ａから被試験ＩＣを順次に移し替えて載置するこ
とができる。

【００２１】内側の凹部配列５Ｂに移し替えられた被試
験ＩＣの先頭が被試験ＩＣをテスト部７へ送り出す角度
位置Ｂに達すると、コンタクトアーム６は内側の凹部配
列５Ｂから被試験ＩＣを拾い上げ、テスト部７にその吸
着保持した被試験ＩＣを搬送する。ここで、コンタクト
アーム６は、吸着保持した被試験ＩＣをそのままテスト
部７に配置されたＩＣテスタのコンタクトピン（ソケッ
ト）に電気的に接触させる場合と、吸着保持した被試験
ＩＣをテスト部７への転送台上に搬送する場合とがあ
る。テスト部７におけるテストを終了した試験済みＩＣ
は搬送アーム８に引き渡され、搬送アーム８からキャリ
アアーム１０、１１を通じてアンローダ部のトレイ群２
Ｃ、２Ｄ、２Ｅにテスト結果のデータに基づいて仕分け
され、格納される。

【００２２】なお、図２に示すように、ターンテーブル
４の内側の円形の凹部配列５Ｂの位置決め用凹部５は外
側の円形の凹部配列５Ａの位置決め用凹部５より深く形
成されている。トレイ群２Ａから被試験ＩＣを吸着保持
する吸着ヘッド３Ｆは図２に示すようにターンテーブル
４の表面より所定の距離高い位置で停止して吸着保持し
た被試験ＩＣを外側配列５Ａの位置決め用凹部５内へ落
とし込む。これは被試験ＩＣがある程度の距離を自然落
下しないと正確な位置決めができないためと、吸着ヘッ
ド３Ｆが位置決め用凹部５に接近し過ぎると被試験ＩＣ
のリードピン（端子）が凹部５のテーパー状の壁に接触
して変形したり、破損したりするためである。一方、作
業性の点からは吸着ヘッド３Ｆ、３Ｒの昇降距離は短い
方が良いし、また、制御を簡単にするためには同じ昇降
距離であることが好ましい。このため、この実施例で
は、吸着ヘッド３Ｆの昇降距離はローダ部のトレイ群２
Ａから被試験ＩＣを吸着保持するときの昇降距離と同じ
に設定されている。

【００２３】これに対し、吸着ヘッド３Ｒは、上述した
ように、外側配列５Ａから１周回転して来た被試験ＩＣ
を拾い上げ、内側配列５Ｂの位置決め凹部５内に吸着保
持したＩＣを落し込む動作を行なう。吸着ヘッド３Ｒが
外側配列５ＡからＩＣを拾い上げる場合には吸着ヘッド
３Ｒの先端を位置決め用凹部５内のＩＣの表面近傍まで
降下させて吸着するので、図２においては吸着ヘッド３
Ｒは吸着保持した被試験ＩＣを解放する位置にある状態
で図示されているが、外側配列５Ａの位置決め用凹部５
に関しても吸着ヘッド３Ｒはこの解放位置と同じ位置で
あるターンテーブル４のほぼ表面位置まで降下して被試
験ＩＣを吸着保持する。従って、吸着ヘッド３Ｆが外側
配列５Ａの位置決め用凹部５内へ被試験ＩＣを落し込む
位置よりも低く降下する。この際、吸着ヘッド３Ｒの昇
降距離は短い方が良いから、また、吸着ヘッド３Ｆの昇
降距離と同じ方が制御上好都合であるから、この実施例
では吸着ヘッド３Ｒは吸着ヘッド３Ｆよりも図２に示す
降下位置の差に対応する距離だけ低くなるように搬送ア
ーム３に取り付けられ、吸着ヘッド３Ｆと同じ短い昇降
距離で被試験ＩＣを外側配列５Ａの位置決め用凹部５か
ら吸着できるようになっている。よって、この実施例で
は、吸着ヘッド３Ｒの昇降距離は吸着ヘッド３Ｆの昇降
距離と同じに設定されている。

【００２４】このように吸着ヘッド３Ｒは吸着ヘッド３
Ｆよりも低くなるように搬送アーム３に取り付けられて
おり、かつ吸着ヘッド３Ｒの昇降距離は吸着ヘッド３Ｆ
の昇降距離と同じに設定され、短くなっているので、内
側配列５Ｂの位置決め用凹部５が外側配列５Ａの位置決
め用凹部５の深さと同じであると、図２から明瞭なよう
に、吸着ヘッド３Ｒが吸着した被試験ＩＣを内側配列５
Ｂの位置決め用凹部５に落とし込むときの距離が非常に
短くなり、被試験ＩＣを正確に位置決めすることができ
なくなるばかりでなく、被試験ＩＣのリードピン（端
子）が凹部５のテーパー状の壁に接触して変形したり、
破損したりする。このために、この実施例では、内側配
列５Ｂの位置決め用凹部５は外側配列５Ａの位置決め用
凹部５より深く形成され、吸着ヘッド３Ｆより低い位置
まで降下する吸着ヘッド３Ｒから被試験ＩＣが解放され
たときに、外側配列５Ａの位置決め用凹部５内へ落下す
るときと同じ距離、被試験ＩＣが自然落下するように構
成したのである。

【００２５】さらに、ターンテーブル４は、被試験ＩＣ
と比較すると、恒温室９内の温度に保持された大きな熱
源又は冷却源であるから、ターンテーブル４の内側配列
５Ｂの深い位置決め用凹部５に収納された被試験ＩＣに
はこのターンテーブル４の熱又は冷気が良好に伝導す
る。よって、被試験ＩＣをターンテーブル４の位置決め
用凹部５に深く収納することは被試験ＩＣを所定の温度
に加熱又は冷却することをより一層確実にするという利
点もある。

【００２６】また、上述の実施例では円形の位置決め用
凹部配列を同心的に２列形成した場合を示したが、円形
の凹部配列は２以上のＮ列（Ｎは２以上の整数）とする
ことができる。円形の凹部配列をＮ列とした場合には搬
送アーム３にＮ個の吸着ヘッドを設ければよい。例え
ば、図４に示すように一度に２個のＩＣを搬送するよう
に構成されているＩＣハンドラの場合には、円形の位置
決め用凹部配列を同心的に４列形成し、搬送アーム３に
４個の吸着ヘッドを取り付け、この搬送アーム３により
１度に２個の被試験ＩＣをローダ部のトレイ群２Ａから
例えば外側の２列の凹部配列に積み込み、積み込んだ被
試験ＩＣが１回転した後、外側の２列の凹部配列から内
側の２列の凹部配列へ被試験ＩＣを移し替え、同時に外
側の２列の凹部配列にローダ部のトレイ群２Ａから２個
の被試験ＩＣを積み込み、テスト部へは内側の２列の凹
部配列の被試験ＩＣを送り出すようにすればよい。

【００２７】また、上述の実施例では始めに外側の凹部
配列５Ａにローダ部からの被試験ＩＣを積み込み、各被
試験ＩＣが１回転した後、外側の凹部配列５Ａから内側
の凹部配列５Ｂへ被試験ＩＣを移し替えてテスト部へ送
り出すように構成したが、始めに内側の凹部配列５Ｂに
ローダ部からの被試験ＩＣを積み込み、各被試験ＩＣが
１回転した後、内側の凹部配列５Ｂから外側の凹部配列
５Ａへ被試験ＩＣを移し替え、テスト部へ送り出すよう
にしてもよい。ただし、この場合には、外側の凹部配列
５Ａの各位置決め用凹部の深さを内側の凹部配列５Ｂの
各位置決め用凹部の深さよりも深く形成する。そして、
吸着ヘッド３Ｆを吸着ヘッド３Ｒよりも低くなるように
（両吸着ヘッドの降下位置間の差に対応する距離だけ低
くなるように）搬送アーム３に取り付ける。

【００２８】上記実施例によれば、被試験ＩＣはＩＣ積
み込み位置である角度位置Ａにおいてターンテーブル４
の各位置決め用凹部５内に載置されてから少なくとも１
回転し、その後角度位置Ａからテスト部への送り出し位
置である角度位置Ｂまでの所定の角度分（約２４０°）
移動させられてテスト部７に送り込まれる。従って、テ
スト部７に至る所定の角度分の移動時間に少なくとも１
回転分の移動時間を加算した時間の間、被試験ＩＣは恒
温室９内の温度にさらされ、所定の温度ストレスが与え
られる。この加算された少なくとも１回転分の移動時間
はＩＣ積み込み位置からテスト部７に至る所定の角度分
の移動時間よりも長いから、従来のＩＣハンドラと比較
して２倍以上の時間が被試験ＩＣを所定の温度に上昇又
は降下させるために使用できる。よって、被試験ＩＣに
十分な吸温又は吸冷時間を与えることができるため、テ
スト部７におけるテスト周期に追従してターンテーブル
４を回転させても全く問題が発生せず、従って、被試験
ＩＣのテスト時間を短縮することができる。

【００２９】なお、上記実施例では半導体デバイスの代
表例であるＩＣを例にとって説明したが、ＩＣ以外の他
の半導体デバイスを搬送、処理する半導体デバイス搬送
処理装置及び半導体デバイスの搬送処理方法にもこの発
明が適用でき、同等の作用効果が得られることは言うま
でもない。

【００３０】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、円形の位置決め用凹部配列をターンテーブル上に同
心円状にＮ列形成し、このＮ列の位置決め用凹部配列の
少なくとも１つに被試験ＩＣの積み込み角度位置におい
て被試験ＩＣを積み込み、１周廻って上記積み込み角度
位置に戻って来た被試験ＩＣを他の位置決め用凹部配列
に移し替え、その後被試験ＩＣの送り出し角度位置にお
いて被試験ＩＣをテスト部へ搬送するように構成したか
ら、被試験ＩＣはターンテーブルに乗せられて少なくと
も１回転した後で被試験ＩＣの積み込み角度位置から送
り出し角度位置までの間を移動するから、被試験ＩＣに
少なくとも１回転分の移動時間を余分に与えることがで
きる。従って、被試験ＩＣに恒温室内の温度を十分に吸
収させることができるので、ターンテーブルをテスト部
のテスト周期に同期させて１ピッチ分ずつ回転させて
も、被試験ＩＣを十分に加熱又は冷却して目標とする温
度に到達させることができる。かくして、単位時間当り
にテスト処理できるＩＣの個数を多くすることができ、
しかも、試験に要する時間を短縮することができるとい
う顕著な効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明によるＩＣハンドラの一実施例の概略
の構成を説明するための平面図である。

【図２】図１に示す実施例の要部の構成を説明するため
の拡大断面図である。

【図３】従来の水平搬送方式のＩＣハンドラの一例の概
略の構成を説明するための平面図である。

【図４】従来の水平搬送方式のＩＣハンドラの他の例の
概略の構成を説明するための平面図である。

【符号の説明】

１：架台 ２：トレイ群 ３、８：搬送アーム ３Ｆ、３Ｒ：吸着ヘッド ４：ターンテーブル ５：位置決め用凹部 ５Ａ：外側の位置決め用凹部の円形配列 ５Ｂ：内側の位置決め用凹部の円形配列 ６：コンタクトアーム ７：テスト部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ａ

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 トレイに収納されている被試験半導体デ
   バイスを半導体デバイス積み込み位置においてターンテ
   ーブルに形成された円形配列の位置決め用凹部に順次に
   乗せ替え、このターンテーブルの回転により上記位置決
   め用凹部に載置された被試験半導体デバイスをテスト部
   の近傍まで搬送し、このターンテーブルでの搬送中に所
   定の温度ストレスを被試験半導体デバイスに与え、上記
   テスト部の近傍において、上記ターンテーブル上の被試
   験半導体デバイスをテスト部に送り込み、被試験半導体
   デバイスをテストするように構成されている半導体デバ
   イス搬送処理装置において、 上記ターンテーブル上に同心的に形成されたＮ列（Ｎは
   ２以上の整数）の円形配列の位置決め用凹部と、 上記Ｎ列の位置決め用凹部の円形配列の内の少なくとも
   １つの配列の位置決め用凹部に、上記半導体デバイス積
   み込み位置において、上記トレイから被試験半導体デバ
   イスを順次に送り込む第１の搬送手段と、 上記半導体デバイス積み込み位置において各位置決め用
   凹部に収納された被試験半導体デバイスが上記ターンテ
   ーブルの回転により１回転する毎に、上記被試験半導体
   デバイスを、上記半導体デバイス積み込み位置におい
   て、空の状態で到着した他の円形配列の位置決め用凹部
   に移し替える手段と、 上記デバイスの移し替えによって空きとなった位置決め
   用凹部に新たな被試験半導体デバイスを上記トレイから
   順次に送り込む手段と、 少なくとも１回転した被試験半導体デバイスが上記半導
   体デバイス積み込み位置から上記テスト部の近傍まで移
   動されたときに、この半導体デバイスを上記テスト部に
   送り込む第２の搬送手段と、 を具備することを特徴とする半導体デバイス搬送処理装
   置。
2. 【請求項２】 上記ターンテーブル上に同心的に形成さ
   れた位置決め用凹部の円形配列の数は２列であり、上記
   第１の搬送手段はこの２列の円形配列の内の外側の配列
   の位置決め用凹部に被試験半導体デバイスを上記トレイ
   から順次に１個ずつ送り込むと共に、この外側の配列の
   各位置決め用凹部に収納された被試験半導体デバイスが
   上記ターンテーブルの回転により１回転する毎に、上記
   被試験半導体デバイスを内側の配列の位置決め用凹部に
   移し替えるように動作し、上記第２の搬送手段は、上記
   内側の配列の位置決め用凹部に移し替えられた被試験半
   導体デバイスが上記テスト部の近傍まで移動されたとき
   に、上記被試験半導体デバイスを１個ずつ上記テスト部
   に送り込むように動作することを特徴とする請求項１に
   記載の半導体デバイス搬送処理装置。
3. 【請求項３】 上記内側の配列の位置決め用凹部の深さ
   は上記外側の配列の位置決め用凹部の深さより深く形成
   されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体デ
   バイス搬送処理装置。
4. 【請求項４】 上記第１の搬送手段には被試験半導体デ
   バイスを吸着する吸着ヘッドが２個取り付けられてお
   り、一方の吸着ヘッドが上記トレイから被試験半導体デ
   バイスを外側の円形配列の位置決め用凹部に順次に送り
   込む動作を行い、他方の吸着ヘッドが１回転した上記被
   試験半導体デバイスを外側の配列の位置決め用凹部から
   内側の配列の位置決め用凹部に移し替える動作を行うこ
   とを特徴とする請求項２に記載の半導体デバイス搬送処
   理装置。
5. 【請求項５】 上記ターンテーブル上に同心的に形成さ
   れた位置決め用凹部の円形配列の数は２列であり、上記
   第１の搬送手段はこの２列の円形配列の内の内側の配列
   の位置決め用凹部に被試験半導体デバイスを上記トレイ
   から順次に１個ずつ送り込むと共に、この内側の配列の
   各位置決め用凹部に収納された被試験半導体デバイスが
   上記ターンテーブルの回転により１回転する毎に、上記
   被試験半導体デバイスを外側の配列の位置決め用凹部に
   移し替えるように動作し、上記第２の搬送手段は、上記
   外側の配列の位置決め用凹部に移し替えられた被試験半
   導体デバイスが上記テスト部の近傍まで移動されたとき
   に、上記被試験半導体デバイスを１個ずつ上記テスト部
   に送り込むように動作することを特徴とする請求項１に
   記載の半導体デバイス搬送処理装置。
6. 【請求項６】 上記外側の配列の位置決め用凹部の深さ
   は上記内側の配列の位置決め用凹部の深さより深く形成
   されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体デ
   バイス搬送処理装置。
7. 【請求項７】 上記ターンテーブル上に同心的に形成さ
   れた位置決め用凹部の円形配列の数は４列であり、上記
   第１の搬送手段はこの４列の円形配列の内の外側の２列
   の配列の位置決め用凹部に被試験半導体デバイスを上記
   トレイから順次に２個ずつ送り込むと共に、この外側の
   ２列の各位置決め用凹部に収納された被試験半導体デバ
   イスが上記ターンテーブルの回転により１回転する毎
   に、上記被試験半導体デバイスを内側の２列の配列の位
   置決め用凹部に移し替えるように動作し、上記第２の搬
   送手段は、上記内側の２列の配列の位置決め用凹部に移
   し替えられた被試験半導体デバイスが上記テスト部の近
   傍まで移動されたときに、上記被試験半導体デバイスを
   ２個ずつ上記テスト部に送り込むように動作することを
   特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス搬送処理装
   置。
8. 【請求項８】 トレイに収納されている被試験半導体デ
   バイスを半導体デバイス積み込み位置においてターンテ
   ーブルに形成された円形配列の位置決め用凹部に順次に
   乗せ替え、このターンテーブルの回転により上記位置決
   め用凹部に載置された被試験半導体デバイスをテスト部
   の近傍まで搬送し、このターンテーブルでの搬送中に所
   定の温度ストレスを被試験半導体デバイスに与え、上記
   テスト部の近傍において、上記ターンテーブル上の被試
   験半導体デバイスをテスト部に送り込み、被試験半導体
   デバイスをテストするように構成された半導体デバイス
   搬送処理装置において使用される半導体デバイスの搬送
   処理方法であって、 上記ターンテーブル上に同心的にＮ列（Ｎは２以上の整
   数）形成された位置決め用凹部の円形配列の内の少なく
   とも１つの配列の位置決め用凹部に、上記半導体デバイ
   ス積み込み位置において、上記トレイから被試験半導体
   デバイスを順次に送り込む段階と、 上記半導体デバイス積み込み位置において各位置決め用
   凹部に積み込まれた被試験半導体デバイスが上記ターン
   テーブルの回転により１回転する毎に、上記被試験半導
   体デバイスを、上記半導体デバイス積み込み位置におい
   て、空の状態で到着した他の円形配列の位置決め用凹部
   に移し替える段階と、 上記デバイスの移し替えによって空きとなった位置決め
   用凹部に、新たな被試験半導体デバイスを上記トレイか
   ら順次に送り込む段階と、 少なくとも１回転した被試験半導体デバイスが上記半導
   体デバイス積み込み位置から上記テスト部の近傍まで移
   動されたときに、この半導体デバイスを上記テスト部に
   送り込む段階と、 からなることを特徴とする半導体デバイスの搬送処理方
   法。
9. 【請求項９】 上記被試験半導体デバイスを、上記半導
   体デバイス積み込み位置において、空の状態で到着した
   他の円形配列の位置決め用凹部に移し替える上記段階
   と、上記デバイスの移し替えによって空きとなった位置
   決め用凹部に、新たな被試験半導体デバイスを上記トレ
   イから順次に送り込む上記段階とは実質的に同時に行わ
   れることを特徴とする半導体デバイスの搬送処理方法。