JPH0917732A - 半導体製造方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体ウェハなどの被処理物の歩留りと半導
体製造装置の稼働率を向上させる半導体製造方法および
装置を提供する。 【構成】 外気と遮断する真空処理容器２を形成しかつ
プロセスガスが導入される外管部材３と、外管部材３の
内部３ａに着脱可能に配置する内管部材４と、外管部材
３と連通しかつ前記プロセスガスが通過するガス導入部
５ａと、ガス導入部５ａに設けられる複数個の多孔質部
材６と、真空処理容器２内の真空または前記プロセスガ
スを排気する真空排気ポンプ７とからなり、多孔質部材
６を通過した前記プロセスガスが内管部材４に導入さ
れ、内管部材４内で半導体ウェハ１のＣＶＤ処理が行わ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハなどの被
処理物に処理を行う半導体製造技術に関し、特にＣＶＤ
法によって半導体ウェハに薄膜形成を行う半導体製造方
法および装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。

【０００３】真空処理容器の内部である真空処理室を有
する半導体製造装置（例えば、ホットウォール型２枚搬
送同時デポ式低圧ＣＶＤ装置など）において、プロセス
ガスや不活性ガスなどのガスを導入するガス導入部は空
間である。

【０００４】また、真空処理容器は石英などによって形
成された単一の管形状である。

【０００５】なお、ホットウォール型のＣＶＤ装置につ
いては、１９９１年１１月２２日、株式会社工業調査会
発行「電子材料１１月号別冊、超ＬＳＩ製造・試験装置
ガイドブック＜１９９２年版＞」２９〜３４頁に記載さ
れている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術における半導体製造装置では、例えば、窒化珪素膜を
形成する場合、ガス導入部の内壁に粉状の反応副生成
物、いわゆる異物（一例として、塩化アンモニウムの白
い粉など）が付着する。

【０００７】その結果、前記異物が真空処理室内で巻き
上がり、搬送中もしくは成膜中の半導体ウェハの表面に
付着するため、半導体ウェハ（製品）の歩留りを低下さ
せるという問題が発生する。

【０００８】また、真空処理室の内面に付着した異物を
除去するには、真空処理容器を形成するフランジ部を取
り外し、真空処理室内を洗浄する。

【０００９】その後、真空処理室内を乾燥し、再びフラ
ンジ部を取り付け、真空気密の確認と真空処理室の空焼
き、成膜時の半導体ウェハの膜厚分布の調整あるいは確
認などの作業を行わなければならない。

【００１０】したがって、作業者の労力と作業時間が大
幅にかかり、半導体製造装置の稼働率が低下するという
問題が発生する。

【００１１】そこで、本発明の目的は、半導体ウェハな
どの被処理物の歩留りと半導体製造装置の稼働率を向上
させる半導体製造方法および装置を提供することにあ
る。

【００１２】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１４】すなわち、本発明による半導体製造方法
は、外気と遮断する真空処理容器内を真空排気し、プロ
セスガスなどのガスを前記真空処理容器の筒部材と連通
したガス導入部に導入し、前記ガスを前記ガス導入部に
設けられた１個または複数個の多孔質部材に通過させた
後、前記筒部材内に導入し、前記筒部材内で前記被処理
物の処理を行うものである。

【００１５】さらに、本発明による半導体製造方法は、
外気と遮断する真空処理容器内を真空排気し、プロセス
ガスまたは不活性ガスなどの複数のガスを前記真空処理
容器の筒部材と連通したガス導入部にそれぞれ別々に導
入し、前記複数のガスを前記ガス導入部に設けられた複
数個の多孔質部材に別々に通過させた後混合し、混合し
た前記複数のガスを前記筒部材内に導入し、前記筒部材
内で前記被処理物の処理を行うものである。

【００１６】また、本発明による半導体製造装置は、外
気と遮断する真空処理容器を形成しかつプロセスガスな
どのガスが導入される筒部材と、前記筒部材と連通しか
つ前記ガスが通過するガス導入部と、前記ガス導入部に
設けられる１個または複数個の多孔質部材と、前記真空
処理容器内の真空または前記ガスを排気する真空排気手
段とを有し、前記多孔質部材を通過した前記ガスが前記
筒部材内に導入され、前記筒部材内で前記被処理物の処
理が行われるものである。

【００１７】さらに、本発明による半導体製造装置は、
外気と遮断する真空処理容器を形成しかつプロセスガス
などのガスが導入される筒部材と、前記筒部材の内部に
着脱可能に配置する内管部材と、前記筒部材と連通しか
つ前記ガスが通過するガス導入部と、前記ガス導入部に
設けられる１個または複数個の多孔質部材と、前記真空
処理容器内の真空または前記ガスを排気する真空排気手
段とを有し、前記多孔質部材を通過した前記ガスが前記
内管部材に導入され、前記内管部材内で前記被処理物の
処理が行われるものである。

【００１８】なお、本発明による半導体製造装置は、前
記ガス導入部に金属ブロック部材が設置され、前記多孔
質部材が前記金属ブロック部材によって保持されている
ものである。

【００１９】また、本発明による半導体製造装置は、前
記ガス導入部の近傍に前記多孔質部材を介して前記ガス
を加熱する第１加熱手段が設けられているものである。

【００２０】さらに、本発明による半導体製造装置は、
前記筒部材の外周面に補強リブが取り付けられているも
のである。

【００２１】

【作用】上記した手段によれば、真空処理容器を形成す
る筒部材と連通したガス導入部にプロセスガスまたは不
活性ガスなどのガスが通過する多孔質部材が設けられた
ことにより、筒部材内に導入するガスを濾過することが
できる。

【００２２】これにより、反応副生成物、すなわち異物
の発生を低減することができ、ガス導入部の内壁に付着
する異物の量を低減することができる。

【００２３】また、ガス導入部に金属ブロック部材が設
置されていることにより、ガス導入部の空間を埋めるこ
とができる。

【００２４】これにより、ガス導入部の内壁に異物が付
着しにくくなり、その結果、真空処理容器内に入り込む
異物の量を低減することができる。

【００２５】さらに、筒部材の内部に内管部材が着脱可
能に配置されることにより、内管部材を容易に取り出す
ことができ、かつ交換できる。つまり、真空処理容器の
内部である真空処理室を筒部材と内管部材との二重構造
にして、内管部材内で被処理物の処理を行うことによ
り、真空処理室を洗浄する際に、内管部材を交換するだ
けでその洗浄を行うことができる。

【００２６】また、ガス導入部の近傍に多孔質部材を介
してガスを加熱する第１加熱手段が設けられ、前記多孔
質部材を加熱して多孔質部材を通過するガスの温度制御
を行うことにより、異物を発生させる化学反応を起こり
にくくすることができる。

【００２７】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。

【００２８】図１は本発明の半導体製造装置の構造の一
実施例を示す部分断面図、図２は本発明の半導体製造装
置における筒部材の構造の一実施例を示す斜視図、図３
は本発明の半導体製造装置における内管部材の構造の一
実施例を示す斜視図、図４は本発明の半導体製造装置に
おける多孔質部材と金属ブロック部材の構造の一実施例
を一部破断して示す図であり、（ａ）は部分断面図、
（ｂ）は平面図、（ｃ）は側面図である。

【００２９】本実施例による半導体製造装置は、被処理
物の一例である半導体ウェハ１に成膜処理を行うホット
ウォール型２枚搬送同時デポ式低圧ＣＶＤ装置であり、
その構成について説明すると、外気と遮断する真空処理
容器２を形成しかつプロセスガスなどのガスが導入され
る筒部材である外管部材３と、外管部材３の内部３ａに
着脱可能に配置する内管部材４と、外管部材３と連通し
かつ前記ガスが通過するガス導入部５ａと、ガス導入部
５ａに設けられる複数個の多孔質部材６と、真空処理容
器２内の真空または前記ガスを排気する真空排気手段で
ある真空排気ポンプ７とからなり、多孔質部材６を通過
した前記ガスが内管部材４に導入され、内管部材４内で
半導体ウェハ１のＣＶＤ処理が行われるものである。

【００３０】ここで、多孔質部材６は、多数の細かな孔
が設けられたいわゆるフィルタであり、ガスが前記細か
な孔を通過することにより、真空処理容器２内に導入さ
れるプロセスガスや不活性ガスを濾過するものである。

【００３１】なお、前記半導体製造装置の真空処理容器
２は、筒部材である外管部材３の内部３ａに内管部材４
を配置するものである。つまり、真空処理容器２の内部
２ａである真空処理室２ｂを外管部材３と内管部材４と
の二重構造にするものであり、内管部材４内で半導体ウ
ェハ１のＣＶＤ処理を行う。

【００３２】ただし、外管部材３の内部３ａに内管部材
４を配置せずに、外管部材３の内部３ａで直接半導体ウ
ェハ１のＣＶＤ処理を行うものであってもよい。

【００３３】また、真空処理容器２は、外管部材３と、
ガス導入部５ａを有したフランジ部５と、半導体ウェハ
１を搬入出するゲートバルブ８と、外管部材３または内
管部材４のメンテナンスを行う際に開閉する開閉バルブ
９とによって構成され、密閉することにより、外気の雰
囲気と遮断することができる。

【００３４】なお、ゲートバルブ８および開閉バルブ９
は、それぞれの内面に気密を保持するフランジ面８ａま
たはフランジ面９ｂを各々有している。

【００３５】さらに、本実施例の半導体製造装置におい
ては、フランジ部５内に形成されかつ外管部材３と連通
するガス導入部５ａに、複数個の多孔質部材６を保持す
る金属ブロック部材１０が設置されている。

【００３６】ここで、本実施例の外管部材３は、例え
ば、図２に示すように、角柱の筒状のものであり、石英
や炭化珪素などによって形成されている。

【００３７】さらに、外管部材３の大きさは、幅３ｃが
２５０〜３５０ｍｍ、奥行き３ｄが５００〜９００ｍ
ｍ、高さ３ｅが３０〜６０ｍｍ程度であり、両側に真空
気密を保持する鍔部３ｆを有している。

【００３８】なお、外管部材３は角柱の筒状のものに限
らず、円筒状などのものであってもよい。

【００３９】また、本実施例の内管部材４は、例えば、
図３に示すように、角柱の筒状のものであり、外管部材
３と同様に、石英や炭化珪素などによって形成されるも
のである。

【００４０】さらに、内管部材４の外形の大きさは、幅
４ａが２４０〜３４０ｍｍ、奥行き４ｂが４９０〜９０
０ｍｍ、高さ４ｃが３０〜６０ｍｍ程度である。

【００４１】なお、外管部材３が円筒状のものである場
合、内管部材４も円筒状のものであってもよい。

【００４２】また、本実施例の多孔質部材６は、好まし
くは、セラミック、あるいはステンレス鋼やニッケル合
金などの金属によって形成されるものであるが、ＣＶＤ
処理が室温に近い低温で行われる場合は、ポリイミド系
の樹脂などによって形成されるものであってもよい。

【００４３】ここで、本実施例においては、図４に示す
ように、８個の多孔質部材６が金属ブロック部材１０の
内部１０ａにはめ込まれて保持されている。

【００４４】なお、多孔質部材６は長さ５〜６０ｍｍ程
度の円柱形のものであり、各々に導入口６ａと排出口６
ｂとを有しており、ガス導入部５ａに導入された１種類
または複数のガスが各々の多孔質部材６にほぼ均等に導
入され、さらに、多孔質部材６内で濾過されて各々の排
出口６ｂからほぼ均等量のガスが排出される。

【００４５】また、本実施例の金属ブロック部材１０
は、アルミニウム合金やステンレス鋼などによって形成
された角柱のものであり、多孔質部材６を保持するとと
もに金属ブロック部材１０が加熱された時に多孔質部材
６へ熱を伝え、さらにガスに熱を伝えるものである。

【００４６】なお、金属ブロック部材１０の大きさは、
幅１０ｂが２５０〜３４０ｍｍ、厚さ１０ｃが２０〜４
８ｍｍ、高さ１０ｄが５〜６０ｍｍ程度である。

【００４７】ここで、金属ブロック部材１０はガス導入
部５ａの空間を埋め込むように、例えば、貫通孔１０ｅ
などを用いてフランジ部５にねじ固定されている。ま
た、金属ブロック部材１０の形状は角柱のものに限ら
ず、ガス導入部５ａの空間を埋め込むものであれば、他
の形状であってもよい。

【００４８】また、本実施例の半導体製造装置は、ガス
導入部５ａの近傍、すなわちフランジ部５の多孔質部材
６の設置箇所近傍に、多孔質部材６を介してガスを加熱
するヒータなどの第１加熱手段１２が設けられている。

【００４９】これにより、ガス導入部５ａ、多孔質部材
６または金属ブロック部材１０を、例えば、５０〜２０
０℃程度の範囲で加熱することができ、その結果、多孔
質部材６を通過するガスの温度制御を行うことができ
る。

【００５０】また、本実施例の半導体製造装置は、ホッ
トウォール型２枚搬送同時デポ式低圧ＣＶＤ装置である
ため、外管部材３の周囲に外管部材３を介して半導体ウ
ェハ１を加熱する抵抗加熱ヒータなどの第２加熱手段１
３が複数個設置されている。

【００５１】なお、第２加熱手段１３が複数個設けられ
ているため、外管部材３を加熱する際に、外管部材３の
中央付近と端部とで加熱する温度を変えることも可能で
ある。

【００５２】また、前記半導体製造装置の真空処理容器
２のゲートバルブ８は、駆動部材１４によってその開閉
が行われ、半導体ウェハ１は搬送ロボット１５によって
搬送される。

【００５３】さらに、真空処理容器２の開閉バルブ９に
は、温度測定用の熱電対１６を差し込む挿入口９ａが設
けられている。したがって、挿入口９ａに熱電対１６を
差し込むことにより、ＣＶＤ処理中の外管部材３内の温
度を測定できる。

【００５４】また、第２加熱手段１３および外管部材３
の周囲における半導体ウェハ１の処理が行われる付近
は、カバー部材１７によって覆われて保護されている。

【００５５】なお、本実施例の半導体製造装置で用いる
ガスは、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガス、も
しくはジクロルシランガスやアンモニアガスなどのプロ
セスガスである。

【００５６】さらに、前記半導体製造装置、すなわちホ
ットウォール型２枚搬送同時デポ式低圧ＣＶＤ装置によ
って半導体ウェハ１に形成される薄膜は、例えば、窒化
珪素膜、酸化珪素膜、多結晶珪素膜、非晶質珪素膜など
である。

【００５７】また、前記半導体製造装置に設けられてい
る第１加熱手段１２および第２加熱手段１３は、必ずし
も取り付けられるものではないが、好ましくは、両者と
も設置されるものである。

【００５８】次に、本実施例の半導体製造方法について
説明する。

【００５９】まず、駆動部材１４によって真空処理容器
２のゲートバルブ８を開け、搬送ロボット１５によって
２枚の半導体ウェハ１を真空処理室２ｂに搬送した後、
ゲートバルブ８を閉じる。

【００６０】これによって、真空処理室２ｂを外気と遮
断、すなわち密閉し、さらに、真空排気ポンプ７によっ
て真空処理室２ｂを真空排気して所定圧力に設定する。

【００６１】その後、前記プロセスガスを真空処理容器
２の外管部材３と連通したガス導入部５ａに導入する。

【００６２】なお、ヒータなどの第１加熱手段１２によ
って、予め多孔質部材６を加熱しておく。この時の加熱
温度は、５０℃程度である。

【００６３】ここで、前記プロセスガスまたは不活性ガ
スをガス導入部５ａに設けられた複数個の多孔質部材６
に通過させる。すなわち、少なくとも２種類のガスをガ
ス導入部５ａに導入し、そこでガスを混合し、さらに、
多孔質部材６の導入口６ａに導入した後、排出口６ｂか
ら排出する。

【００６４】これにより、複数のガスの混合を均一に行
うことができ、さらに、多孔質部材６を通過するガスの
濾過および温度制御を行うことができる。

【００６５】その後、加熱および濾過された所定量のガ
スを筒部材３内および内管部材４内に導入する。

【００６６】ここで、真空処理容器２を抵抗加熱ヒータ
などの第２加熱手段１３によって加熱することにより、
真空処理室２ｂが所定の温度に設定され、半導体ウェハ
１を加熱する。

【００６７】これにより、内管部材４内で半導体ウェハ
１にＣＶＤ処理、すなわち、所望の膜質および膜厚を有
した窒化珪素膜を形成することができる。

【００６８】次に、本実施例の半導体製造方法および装
置によって得られる作用効果について説明する。

【００６９】すなわち、真空処理容器２を形成する筒部
材３と連通したガス導入部５ａにプロセスガスまたは不
活性ガスなどのガスが通過する多孔質部材６が設けられ
たことにより、外管部材３内に導入する前記ガスを濾過
することができる。

【００７０】これにより、反応副生成物、すなわち異物
（本実施例では塩化アンモニウムの白い粉）の発生を低
減することができ、ガス導入部５ａの内壁に付着する異
物の量を低減することができる。

【００７１】その結果、半導体ウェハ１の処理が行われ
る内管部材４内で異物が巻き起こることを低減でき、半
導体ウェハ１の歩留りを向上させることができる。

【００７２】また、ガス導入部５ａに金属ブロック部材
１０が設置されていることにより、ガス導入部５ａの空
間を埋めることができる。

【００７３】これにより、ガス導入部５ａの前記内壁に
異物が付着しにくくなるため、外管部材３内に入り込む
前記異物の量を低減することができる。

【００７４】その結果、前記同様、内管部材４内で前記
異物が巻き起こることを低減でき、半導体ウェハ１の歩
留りを向上させることができる。

【００７５】さらに、外管部材３の内部３ａに内管部材
４が着脱可能に配置されることにより、内管部材４を容
易に取り出すことができ、かつ交換できる。つまり、真
空処理容器２の内部２ａである真空処理室２ｂを外管部
材３と内管部材４との二重構造にして、内管部材４内で
半導体ウェハ１の処理を行うことにより、真空処理室２
ｂを洗浄する際に、内管部材４を交換するだけでその洗
浄を行うことができる。

【００７６】これにより、真空処理室２ｂの洗浄の際
に、フランジ部５を取り外す作業や組み立てる作業など
を省略でき、さらに、真空気密の確認と真空処理室２ｂ
の空焼き、または成膜時の半導体ウェハ１の膜厚分布の
調整あるいは確認などの作業全般の時間を短縮すること
ができる。

【００７７】その結果、真空処理室２ｂのメンテナンス
の時間が短縮することができ、半導体製造装置の稼働率
を向上させることができる。

【００７８】なお、半導体ウェハ１の歩留りと半導体製
造装置の稼働率を向上することができるため、半導体ウ
ェハ１（製品）の製造原価を低減することができる。

【００７９】また、ガス導入部５ａの近傍に多孔質部材
６を介してガスを加熱する第１加熱手段１２が設けら
れ、多孔質部材６を加熱して、多孔質部材６を通過する
ガスの温度制御を行うことにより、異物を発生させる化
学反応を起こりにくくすることができる。

【００８０】これにより、異物の発生を低減することが
でき、その結果、前記同様、半導体ウェハ１の歩留りを
向上させることができる。

【００８１】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。

【００８２】例えば、前記実施例の半導体製造装置は、
複数個の多孔質部材が設けられるものであったが、図５
に示す他の実施例のように、大形の多孔質部材１８を１
つ設けてもよい。

【００８３】ここで、図５に示す多孔質部材１８は、前
記実施例で説明した金属ブロック部材とほぼ同じ大き
さ、かつ同様の材料によって形成されるものであり、そ
の全面に渡って多数の細孔１８ａが設けられている。

【００８４】なお、多孔質部材１８を用いる場合、前記
金属ブロック部材は用いなくてもよく、その場合におい
ても、前記実施例と同様の効果を得ることができる。

【００８５】また、図６に示す他の実施例のように、多
孔質部材１９を複数個の配管２０に接続したものであっ
てもよい（図６に示す配管２０は２種類の場合）。

【００８６】つまり、２つの配管２０に２種類のガスを
別々に供給し、各々のガスを別々に多孔質部材１９に通
過させ、濾過後に前記２種類のガスを混合し、外管部材
３（図１参照）に導入する。

【００８７】なお、図６に示す多孔質部材１９は、各々
の側面１９ａからガスを排出するものである。これによ
り、排出後にそれぞれのガスが衝突しあうため、２種類
のガスを混合して前記外管部材３に導入することができ
る。

【００８８】その結果、多孔質部材１９を用いた場合に
おいても、前記実施例と同様の効果を得ることができ
る。

【００８９】また、前記実施例においては、導入したガ
スを多孔質部材を介して加熱するものであったが、例え
ば、予め加熱された高温の不活性ガスと低温のプロセス
ガスとを準備し、両者を多孔質部材に通過させる前また
は通過後に混合してガス導入部へ導入してもよい。

【００９０】つまり、プロセスガスを加熱する際に、不
活性ガスを介して加熱するものである。

【００９１】また、前記実施例で説明したプロセスガス
を多孔質部材を介して加熱する手段は、ヒータに限定す
ることなく、多孔質部材の近傍に温水や加熱されたオイ
ルなどを循環させて多孔質部材を加熱するものであって
もよい。

【００９２】なお、前記実施例の半導体製造方法および
装置は、ＣＶＤ処理だけでなく、真空処理室を有して半
導体ウェハなどの被処理物に処理を行うものであれば、
エッチング処理やスパッタ処理などを行う半導体製造方
法および装置であってもよい。

【００９３】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。

【００９４】（１）．真空処理容器を形成する外管部材
と連通したガス導入部にプロセスガスまたは不活性ガス
などのガスが通過する多孔質部材が設けられたことによ
り、外管部材内に導入するガスを濾過することができ
る。これにより、反応副生成物、すなわち異物の発生を
低減することができる。その結果、被処理物の処理が行
われる外管部材内で異物が巻き起こることを低減でき、
半導体ウェハなどの被処理物の歩留りを向上させること
ができる。

【００９５】（２）．ガス導入部に金属ブロック部材が
設置されていることにより、ガス導入部の空間を埋める
ことができる。これにより、ガス導入部の内壁に異物が
付着しにくくなるため、真空処理容器内に入り込む異物
の量を低減することができる。その結果、半導体ウェハ
などの被処理物の歩留りを向上させることができる。

【００９６】（３）．外管部材の内部に内管部材が着脱
可能に配置されることにより、内管部材を容易に取り出
すことができ、かつ交換できる。つまり、真空処理室を
外管部材と内管部材との二重構造にすることにより、真
空処理室を洗浄する際に、内管部材を交換するだけでそ
の洗浄を行うことができる。

【００９７】その結果、真空処理室のメンテナンスの時
間が短縮することができ、半導体製造装置の稼働率を向
上させることができる。

【００９８】（４）．ガス導入部の近傍に多孔質部材を
介してガスを加熱する第１加熱手段が設けられ、前記多
孔質部材を加熱して、多孔質部材を通過するガスの温度
制御を行うことにより、異物を発生させる化学反応を起
こりにくくすることができる。これにより、異物の発生
を低減することができ、その結果、半導体ウェハなどの
被処理物の歩留りを向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体製造装置の構造の一実施例を示
す部分断面図である。

【図２】本発明の半導体製造装置における筒部材の構造
の一実施例を示す斜視図である。

【図３】本発明の半導体製造装置における内管部材の構
造の一実施例を示す斜視図である。

【図４】本発明の半導体製造装置における多孔質部材と
金属ブロック部材の構造の一実施例を一部破断して示す
図であり、（ａ）は部分断面図、（ｂ）は平面図、
（ｃ）は側面図である。

【図５】本発明の他の実施例である半導体製造装置にお
ける多孔質部材の構造の一例を示す図であり、（ａ）は
正面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は側面図である。

【図６】本発明の他の実施例である半導体製造装置にお
ける多孔質部材の構造の一例を示す図であり、（ａ）は
正面図、（ｂ）は側面図である。

【符号の説明】

１ 半導体ウェハ（被処理物） ２ 真空処理容器 ２ａ 内部 ２ｂ 真空処理室 ３ 外管部材（筒部材） ３ａ 内部 ３ｃ 幅 ３ｄ 奥行き ３ｅ 高さ ３ｆ 鍔部 ４ 内管部材 ４ａ 幅 ４ｂ 奥行き ４ｃ 高さ ５ フランジ部 ５ａ ガス導入部 ６ 多孔質部材 ６ａ 導入口 ６ｂ 排出口 ７ 真空排気ポンプ（真空排気手段） ８ ゲートバルブ ８ａ フランジ面 ９ 開閉バルブ ９ａ 挿入口 ９ｂ フランジ面 １０ 金属ブロック部材 １０ａ 内部 １０ｂ 幅 １０ｃ 厚さ １０ｄ 高さ １０ｅ 貫通孔 １２ 第１加熱手段 １３ 第２加熱手段 １４ 駆動部材 １５ 搬送ロボット １６ 熱電対 １７ カバー部材 １８ 多孔質部材 １８ａ 細孔 １９ 多孔質部材 １９ａ 側面 ２０ 配管

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笠原 修 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 安藤 敏夫 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 外気と遮断する真空処理容器の筒部材内
   で被処理物の処理を行う半導体製造方法であって、 前記真空処理容器内を真空排気し、 プロセスガスなどのガスを前記筒部材と連通したガス導
   入部に導入し、 前記ガスを前記ガス導入部に設けられた１個または複数
   個の多孔質部材に通過させた後、前記筒部材内に導入
   し、 前記筒部材内で前記被処理物の処理を行うことを特徴と
   する半導体製造方法。
2. 【請求項２】 外気と遮断する真空処理容器の筒部材内
   で被処理物の処理を行う半導体製造方法であって、 前記真空処理容器内を真空排気し、 プロセスガスまたは不活性ガスなどの複数のガスを前記
   筒部材と連通したガス導入部にそれぞれ別々に導入し、 前記複数のガスを前記ガス導入部に設けられた複数個の
   多孔質部材に別々に通過させた後混合し、 混合した前記複数のガスを前記筒部材内に導入し、 前記筒部材内で前記被処理物の処理を行うことを特徴と
   する半導体製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体製造方法
   であって、前記多孔質部材を加熱することにより、前記
   多孔質部材を通過する前記ガスの温度制御を行うことを
   特徴とする半導体製造方法。
4. 【請求項４】 外気と遮断する真空処理容器を形成し、
   かつプロセスガスなどのガスが導入される筒部材と、 前記筒部材と連通し、かつ前記ガスが通過するガス導入
   部と、 前記ガス導入部に設けられる１個または複数個の多孔質
   部材と、 前記真空処理容器内の真空または前記ガスを排気する真
   空排気手段とを有し、 前記多孔質部材を通過した前記ガスが前記筒部材内に導
   入され、前記筒部材内で前記被処理物の処理が行われる
   ことを特徴とする半導体製造装置。
5. 【請求項５】 外気と遮断する真空処理容器を形成し、
   かつプロセスガスなどのガスが導入される筒部材と、 前記筒部材の内部に着脱可能に配置する内管部材と、 前記筒部材と連通し、かつ前記ガスが通過するガス導入
   部と、 前記ガス導入部に設けられる１個または複数個の多孔質
   部材と、 前記真空処理容器内の真空または前記ガスを排気する真
   空排気手段とを有し、 前記多孔質部材を通過した前記ガスが前記内管部材に導
   入され、前記内管部材内で前記被処理物の処理が行われ
   ることを特徴とする半導体製造装置。
6. 【請求項６】 請求項４または５記載の半導体製造装置
   であって、前記ガス導入部に金属ブロック部材が設置さ
   れ、前記多孔質部材が前記金属ブロック部材によって保
   持されていることを特徴とする半導体製造装置。
7. 【請求項７】 請求項４，５または６記載の半導体製造
   装置であって、前記ガス導入部の近傍に前記多孔質部材
   を介して前記ガスを加熱する第１加熱手段が設けられて
   いることを特徴とする半導体製造装置。
8. 【請求項８】 請求項４，５，６または７記載の半導体
   製造装置であって、前記筒部材の周囲に前記被処理物を
   加熱する第２加熱手段が設けられていることを特徴とす
   る半導体製造装置。