JPH0917769A - 薄膜層パターニング方法 - Google Patents
薄膜層パターニング方法Info
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- H10P14/6326—Deposition processes
- H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
- H10P14/6334—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H10P14/6336—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
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- H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
- H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
- H10P50/282—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials
- H10P50/283—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials by chemical means
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 予め定められた形状に薄膜層をパターニン
グするための、より分解能を向上させたた薄膜層パター
ニング方法を提供する。 【解決手段】 本発明の薄膜層パターニング方法で
は、平坦な上下面を有する基板を準備し、基板の上面に
薄膜層を形成し、薄膜層の上部に中間層を形成し、中間
層の上部にフォトレジスト層を形成し、このフォトレジ
スト層を予め定められた形状にパターニングし、このフ
ォトレジスト層を適切な現像液を用いて現像し、中間層
及び薄膜層を予め定められた形状にエッチング処理し、
エッチング処理された中間層を除去してパターニングさ
れた薄膜層を形成する。
グするための、より分解能を向上させたた薄膜層パター
ニング方法を提供する。 【解決手段】 本発明の薄膜層パターニング方法で
は、平坦な上下面を有する基板を準備し、基板の上面に
薄膜層を形成し、薄膜層の上部に中間層を形成し、中間
層の上部にフォトレジスト層を形成し、このフォトレジ
スト層を予め定められた形状にパターニングし、このフ
ォトレジスト層を適切な現像液を用いて現像し、中間層
及び薄膜層を予め定められた形状にエッチング処理し、
エッチング処理された中間層を除去してパターニングさ
れた薄膜層を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜層をパターニン
グするための方法に関し、特に、中間層を用いて薄膜層
をパターニングするための改善された方法に関する。
グするための方法に関し、特に、中間層を用いて薄膜層
をパターニングするための改善された方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１には、従来の基板状に薄膜層をパタ
ーニングする方法を説明するための概略的な断面図が示
されている。
ーニングする方法を説明するための概略的な断面図が示
されている。
【０００３】周知のように、従来の薄膜層パターニング
方法は、平坦な上下面を有する基板１２と、薄膜層２０
と、フォトレジスト層３０とからなる半導体基板１０を
準備することから始まる。図１（Ａ）に示すように、基
板１２の上面に、薄膜層２０及びフォトレジスト層３０
が逐次形成される。半導体基板１０は、基板１２の上面
に誘電体からなる薄膜層２０を化学蒸着法（ＣＶＤ）を
用いて形成し、薄膜層２０の上部に、例えば、ポジ型レ
ジストからなるフォトレジスト層３０をスピンコーティ
ング法を用いて形成することによって準備される。露光
される前にフォトレジストは現像液に対して非溶解性を
有する。半導体基板１０が準備された後、フォトマスク
４０はフォトレジスト層３０の上部に設けられる。この
フォトマスク４０は光透過性膜４４と、光吸収部４２と
からなる。この光透過性膜４４は光透過性物質からな
り、光吸収部４２は光吸収性物質からなり（または、光
吸収性物質でコーティングされ）、これによって、フォ
トマスク４０は光透過領域と光吸収領域とに分けられ
る。光ビームがフォトマスク４０へ照射される場合、フ
ォトマスク４０の光透過領域の下部に設けられたフォト
レジスト層３０の部分３２は溶解され、両側の残りの部
分３４は溶解されないまま残ることになる。
方法は、平坦な上下面を有する基板１２と、薄膜層２０
と、フォトレジスト層３０とからなる半導体基板１０を
準備することから始まる。図１（Ａ）に示すように、基
板１２の上面に、薄膜層２０及びフォトレジスト層３０
が逐次形成される。半導体基板１０は、基板１２の上面
に誘電体からなる薄膜層２０を化学蒸着法（ＣＶＤ）を
用いて形成し、薄膜層２０の上部に、例えば、ポジ型レ
ジストからなるフォトレジスト層３０をスピンコーティ
ング法を用いて形成することによって準備される。露光
される前にフォトレジストは現像液に対して非溶解性を
有する。半導体基板１０が準備された後、フォトマスク
４０はフォトレジスト層３０の上部に設けられる。この
フォトマスク４０は光透過性膜４４と、光吸収部４２と
からなる。この光透過性膜４４は光透過性物質からな
り、光吸収部４２は光吸収性物質からなり（または、光
吸収性物質でコーティングされ）、これによって、フォ
トマスク４０は光透過領域と光吸収領域とに分けられ
る。光ビームがフォトマスク４０へ照射される場合、フ
ォトマスク４０の光透過領域の下部に設けられたフォト
レジスト層３０の部分３２は溶解され、両側の残りの部
分３４は溶解されないまま残ることになる。
【０００４】フォトマスク４０の光透過領域の下部に設
けられたフォトレジスト層３０の部分３２が、適切な現
像液を用いて現像され、除去されることによって、フォ
トレジスト３０の両側の残りの部分３４が薄膜層２０を
パターニングするマスクとして用いられることになる。
次に、フォトレジスト３０の残りの部分３４によりカバ
ーされない薄膜層２０の部分が、例えば、イオンミリン
グ(ion milling)やドライエッチングを用いて除去され
る。
けられたフォトレジスト層３０の部分３２が、適切な現
像液を用いて現像され、除去されることによって、フォ
トレジスト３０の両側の残りの部分３４が薄膜層２０を
パターニングするマスクとして用いられることになる。
次に、フォトレジスト３０の残りの部分３４によりカバ
ーされない薄膜層２０の部分が、例えば、イオンミリン
グ(ion milling)やドライエッチングを用いて除去され
る。
【０００５】その後、フォトレジスト層３０の残りの部
分３４を、適当な溶液を用いて除去することによって、
図１（Ｂ）に示されているように、パターニングされた
薄膜層５０が形成される。
分３４を、適当な溶液を用いて除去することによって、
図１（Ｂ）に示されているように、パターニングされた
薄膜層５０が形成される。
【０００６】前述した方法における主な短所の一つは、
鋭いエッジを有するパターニングされた薄膜層、即ち、
高い分解能でパターニングされた薄膜層を得ることが困
難なことである。光ビームは、フォトマスク４０の光透
過領域下のフォトレジスト層３０の部分３２を通過し
て、フォトレジスト層３０と薄膜層２０との間の境界面
上に、一様に垂直に照射されず、フォトマスク４０の光
吸収部４２のエッジにより、入射される光ビームの一部
が散乱される。この散乱された光ビームは、フォトレジ
スト層３０と薄膜層２０との間の屈折率の差のために、
その境界面で反射され、その結果、フォトレジスト層３
０の両側の残りの部分３４を不要に露光させて溶解可能
にさせることによって、薄膜層５０のパターニングにお
ける分解能が低下するという不都合がある。
鋭いエッジを有するパターニングされた薄膜層、即ち、
高い分解能でパターニングされた薄膜層を得ることが困
難なことである。光ビームは、フォトマスク４０の光透
過領域下のフォトレジスト層３０の部分３２を通過し
て、フォトレジスト層３０と薄膜層２０との間の境界面
上に、一様に垂直に照射されず、フォトマスク４０の光
吸収部４２のエッジにより、入射される光ビームの一部
が散乱される。この散乱された光ビームは、フォトレジ
スト層３０と薄膜層２０との間の屈折率の差のために、
その境界面で反射され、その結果、フォトレジスト層３
０の両側の残りの部分３４を不要に露光させて溶解可能
にさせることによって、薄膜層５０のパターニングにお
ける分解能が低下するという不都合がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の主な
目的は、予め定められた形状に薄膜層をパターニングす
るための、より分解能を向上させたた薄膜層パターニン
グ方法を提供することである。
目的は、予め定められた形状に薄膜層をパターニングす
るための、より分解能を向上させたた薄膜層パターニン
グ方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明によれば、半導体デバイスの製造に用いら
れ、薄膜層を予め定められた形状にパターニングする薄
膜層パターニング方法であって、平坦な上下面を有する
基板を準備する第１過程と、前記基板の前記上面に前記
薄膜層を形成する第２過程と、前記薄膜層の上部に中間
層を形成する第３過程と、前記中間層の上部にフォトレ
ジスト層を形成する第４過程と、前記フォトレジスト層
を前記予め定められた形状にパターニングする第５過程
と、前記フォトレジスト層を適切な現像液を用いて現像
する第６過程と、前記中間層及び前記薄膜層を前記予め
定められた形状にエッチング処理する第７過程と、前記
薄膜層から前記エッチング処理された前記中間層を除去
することによって、前記パターニングされた薄膜層を形
成する第８過程とを含むことを特徴とする薄膜層パター
ニング方法が提供される。
めに、本発明によれば、半導体デバイスの製造に用いら
れ、薄膜層を予め定められた形状にパターニングする薄
膜層パターニング方法であって、平坦な上下面を有する
基板を準備する第１過程と、前記基板の前記上面に前記
薄膜層を形成する第２過程と、前記薄膜層の上部に中間
層を形成する第３過程と、前記中間層の上部にフォトレ
ジスト層を形成する第４過程と、前記フォトレジスト層
を前記予め定められた形状にパターニングする第５過程
と、前記フォトレジスト層を適切な現像液を用いて現像
する第６過程と、前記中間層及び前記薄膜層を前記予め
定められた形状にエッチング処理する第７過程と、前記
薄膜層から前記エッチング処理された前記中間層を除去
することによって、前記パターニングされた薄膜層を形
成する第８過程とを含むことを特徴とする薄膜層パター
ニング方法が提供される。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。
いて図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１０】図２には、本発明の薄膜層パターニング方
法を説明するための概略的な断面図が示されている。図
２（Ａ）は、フォトマスク及び半導体基板の配列を概略
的に示す断面図である。
法を説明するための概略的な断面図が示されている。図
２（Ａ）は、フォトマスク及び半導体基板の配列を概略
的に示す断面図である。
【００１１】本発明の薄膜層パターニング方法は、平坦
な上下面を有する基板１１０、薄膜層１２０、中間層１
６０及びフォトレジスト層１３０からなる半導体基板１
００の準備することから始まる。
な上下面を有する基板１１０、薄膜層１２０、中間層１
６０及びフォトレジスト層１３０からなる半導体基板１
００の準備することから始まる。
【００１２】この半導体基板１００は、最初、基板１１
０の上面に化学蒸着（ＣＶＤ）法を用いて誘電体（例え
ば、Ｓｉ０2）からなる薄膜層１２０を形成した後、薄
膜層１２０の上部に、プラズマＳｉＯ2からなり、グレ
ーデッド型の屈折率（gradedrefractive index）を有す
る、即ち屈折率が層の上から下に向かって徐々に小さく
なる中間層１６０を形成し、その後、中間層１６０の上
部に、例えば、ポジ型レジストからなるフォトレジスト
層１３０をスピンコーティング法を用いて形成すること
によって準備される。ここで、グレーデッド型の屈折率
は、中間層１６０を形成するときに、Ｎ2０とシラン
（ＳｉＨ4）との組成比を連続的に変化させることによ
って得られる。
０の上面に化学蒸着（ＣＶＤ）法を用いて誘電体（例え
ば、Ｓｉ０2）からなる薄膜層１２０を形成した後、薄
膜層１２０の上部に、プラズマＳｉＯ2からなり、グレ
ーデッド型の屈折率（gradedrefractive index）を有す
る、即ち屈折率が層の上から下に向かって徐々に小さく
なる中間層１６０を形成し、その後、中間層１６０の上
部に、例えば、ポジ型レジストからなるフォトレジスト
層１３０をスピンコーティング法を用いて形成すること
によって準備される。ここで、グレーデッド型の屈折率
は、中間層１６０を形成するときに、Ｎ2０とシラン
（ＳｉＨ4）との組成比を連続的に変化させることによ
って得られる。
【００１３】図３には、ＳｉＯ2の屈折率が、Ｎ2０とＳ
ｉＨ4との組成比の関数として示されているグラフが示
されている。ポジ型レジストからなるフォトレジスト層
１３０の屈折率は、１．６４〜１．８５の範囲にあり、
ＳｉＯ2からなる薄膜層１２０の屈折率は１．４６であ
る。従って、図３に示されているグラフを用いて、Ｎ2
０とＳｉＨ4との組成比を調節することによって、中間
層１６０が形成される。この中間層１６０のグレーデッ
ド型の屈折率は、第１境界面１２２におけるフォトレジ
スト層１３０の屈折率から第２境界面１２４における薄
膜層１２０の屈折率まで徐々に小さくされている。ここ
で、第１境界面１２２とは、フォトレジスト層１３０と
中間層１６０との間の接触面を指し、第２境界面１２４
とは薄膜層１２０と中間層１６０との間の接触面を指
す。
ｉＨ4との組成比の関数として示されているグラフが示
されている。ポジ型レジストからなるフォトレジスト層
１３０の屈折率は、１．６４〜１．８５の範囲にあり、
ＳｉＯ2からなる薄膜層１２０の屈折率は１．４６であ
る。従って、図３に示されているグラフを用いて、Ｎ2
０とＳｉＨ4との組成比を調節することによって、中間
層１６０が形成される。この中間層１６０のグレーデッ
ド型の屈折率は、第１境界面１２２におけるフォトレジ
スト層１３０の屈折率から第２境界面１２４における薄
膜層１２０の屈折率まで徐々に小さくされている。ここ
で、第１境界面１２２とは、フォトレジスト層１３０と
中間層１６０との間の接触面を指し、第２境界面１２４
とは薄膜層１２０と中間層１６０との間の接触面を指
す。
【００１４】次の過程において、フォトマスク１４０は
フォトレジスト層１３０の上部に設けられる。このフォ
トマスク１４０は、光透過性膜１４４と、光吸収領域１
４２とからなる。ここで、光透過性膜１４４は光透過性
物質（例えば、Ｓｉ3Ｎ4）からなり、光吸収領域１４２
は光吸収性物質（例えば、金（Ａｕ））からなり（また
は、光吸収性物質でコーティングされ）、これによっ
て、フォトマスク１４０は光透過領域と光吸収領域とに
分けられる。露光される前のフォトレジスト現像液に対
して非溶解性を有する。光ビームがフォトマスク１４０
へ照射される場合、フォトマスク１４０の光透過領域の
下部に設けられたフォトレジスト層１３０の部分１３２
は現像液で溶解され、フォトレジスト層１３０の両側の
残りの部分１３４はそのまま残ることになる。図２
（Ａ）の中の矢印は、入射される光ビームの経路を指
す。
フォトレジスト層１３０の上部に設けられる。このフォ
トマスク１４０は、光透過性膜１４４と、光吸収領域１
４２とからなる。ここで、光透過性膜１４４は光透過性
物質（例えば、Ｓｉ3Ｎ4）からなり、光吸収領域１４２
は光吸収性物質（例えば、金（Ａｕ））からなり（また
は、光吸収性物質でコーティングされ）、これによっ
て、フォトマスク１４０は光透過領域と光吸収領域とに
分けられる。露光される前のフォトレジスト現像液に対
して非溶解性を有する。光ビームがフォトマスク１４０
へ照射される場合、フォトマスク１４０の光透過領域の
下部に設けられたフォトレジスト層１３０の部分１３２
は現像液で溶解され、フォトレジスト層１３０の両側の
残りの部分１３４はそのまま残ることになる。図２
（Ａ）の中の矢印は、入射される光ビームの経路を指
す。
【００１５】本発明の薄膜層パターニング方法におい
て、光ビームはフォトマスク１４０の上部から第１境界
面１２２へ垂直に入射するようになっている。しかし、
フォトマスク１４０の光吸収領域１４２のエッジにより
一部の光ビームが散乱される。この場合に、中間層１６
０の屈折率が、第１境界面１２２ではフォトレジスト層
１３０の屈折率と、第２境界面１２４では薄膜層１２０
の屈折率と各々一致するため、フォトマスク１４０の光
透過領域の下部に設けられたフォトレジスト層１３０の
部分１３２を通過して、第１及び第２境界面１２２、１
２４で反射され散乱される光ビ−ムの量は、従来技術に
比べて、非常に減らされることとなる。即ち、殆どの散
乱された光ビームは各境界面１２２、１２４で透過され
るのである。この散乱された光ビ−ムの一部は、薄膜層
１２０と基板１１０との間の境界で反射されたり透過さ
れたりする。透過された光ビームは基板１１０によって
吸収され、反射された光ビ−ムは薄膜層１２０によって
吸収されるため、フォトレジスト層１３０は境界面で反
射されたり透過されたりした光ビ−ムの影響を全く受け
ないこととなる。
て、光ビームはフォトマスク１４０の上部から第１境界
面１２２へ垂直に入射するようになっている。しかし、
フォトマスク１４０の光吸収領域１４２のエッジにより
一部の光ビームが散乱される。この場合に、中間層１６
０の屈折率が、第１境界面１２２ではフォトレジスト層
１３０の屈折率と、第２境界面１２４では薄膜層１２０
の屈折率と各々一致するため、フォトマスク１４０の光
透過領域の下部に設けられたフォトレジスト層１３０の
部分１３２を通過して、第１及び第２境界面１２２、１
２４で反射され散乱される光ビ−ムの量は、従来技術に
比べて、非常に減らされることとなる。即ち、殆どの散
乱された光ビームは各境界面１２２、１２４で透過され
るのである。この散乱された光ビ−ムの一部は、薄膜層
１２０と基板１１０との間の境界で反射されたり透過さ
れたりする。透過された光ビームは基板１１０によって
吸収され、反射された光ビ−ムは薄膜層１２０によって
吸収されるため、フォトレジスト層１３０は境界面で反
射されたり透過されたりした光ビ−ムの影響を全く受け
ないこととなる。
【００１６】次の過程において、フォトマスク１４０の
光透過領域の下部に設けられたフォトレジスト層１３０
の両側の部分１３２を適当な現像液（例えば、ＮａＯＨ
またはＫＨＯ）を用いて除去することによって、フォト
レジスト層１３０の両側の残りの部分１３４は、中間層
１６０をパタ−ニングするマスクとして用いられること
になる。フォトレジスト層１３０の残りの部分１３４に
よりカバーされない中間層１６０の部分を、イオンミリ
ングやドライエッチングを用いて除去することによっ
て、パタ−ニングされた中間層を形成する。このパタ−
ニングされた中間層は、薄膜層１２０をパタ−ニングす
るためのマスクとして用いられる。その後、パタ−ニン
グされた中間層によりカバーされない薄膜層１２０の部
分は、ウェットエッチングやドライエッチングを用いて
除去される。
光透過領域の下部に設けられたフォトレジスト層１３０
の両側の部分１３２を適当な現像液（例えば、ＮａＯＨ
またはＫＨＯ）を用いて除去することによって、フォト
レジスト層１３０の両側の残りの部分１３４は、中間層
１６０をパタ−ニングするマスクとして用いられること
になる。フォトレジスト層１３０の残りの部分１３４に
よりカバーされない中間層１６０の部分を、イオンミリ
ングやドライエッチングを用いて除去することによっ
て、パタ−ニングされた中間層を形成する。このパタ−
ニングされた中間層は、薄膜層１２０をパタ−ニングす
るためのマスクとして用いられる。その後、パタ−ニン
グされた中間層によりカバーされない薄膜層１２０の部
分は、ウェットエッチングやドライエッチングを用いて
除去される。
【００１７】その後、図２（Ｂ）に示されているよう
に、適切な溶液を用いるかまたは機械的なポリシング処
理を行い、パタ−ニングされた中間層を除去することに
よって、パターニングされた薄膜層１５０が形成され
る。
に、適切な溶液を用いるかまたは機械的なポリシング処
理を行い、パタ−ニングされた中間層を除去することに
よって、パターニングされた薄膜層１５０が形成され
る。
【００１８】また、従来の薄膜層パターニング方法と比
べて、本発明の薄膜層パタ−ニング方法は、薄膜層１５
０のパタ−ニングに於ける分解能を向上させる。このよ
うな高い分解能は、グレーデッド型の屈折率を有する中
間層１６０を用いて、即ちフォトレジスト層１３０から
薄膜層１２０まで屈折率を徐々に小さくさせて、光吸収
領域１４２のエッジにより散乱された光ビ−ムの、フォ
トレジスト層１３０と中間層１６０との境界面、薄膜層
１２０と中間層１６０との境界面での反射を低減するこ
とによって得られる。
べて、本発明の薄膜層パタ−ニング方法は、薄膜層１５
０のパタ−ニングに於ける分解能を向上させる。このよ
うな高い分解能は、グレーデッド型の屈折率を有する中
間層１６０を用いて、即ちフォトレジスト層１３０から
薄膜層１２０まで屈折率を徐々に小さくさせて、光吸収
領域１４２のエッジにより散乱された光ビ−ムの、フォ
トレジスト層１３０と中間層１６０との境界面、薄膜層
１２０と中間層１６０との境界面での反射を低減するこ
とによって得られる。
【００１９】上記において、本発明の特定の実施例につ
いて説明したが、本発明に記載した特許請求の範囲を逸
脱することなく、当業者は種々の変更を加え得ることは
勿論である。
いて説明したが、本発明に記載した特許請求の範囲を逸
脱することなく、当業者は種々の変更を加え得ることは
勿論である。
【００２０】
【発明の効果】従って、本発明によれば、予め定められ
た形状に薄膜層をパターニングするための、より分解能
を向上させたた薄膜層パターニング方法を提供される。
た形状に薄膜層をパターニングするための、より分解能
を向上させたた薄膜層パターニング方法を提供される。
【図１】Ａ及びＢからなり、従来の薄膜層パタ−ニング
方法を説明するための概略的な断面図で、Ａはフォトマ
スクと半導体基板の配置を示し、Ｂはパタ−ニングされ
た薄膜層の断面図である。
方法を説明するための概略的な断面図で、Ａはフォトマ
スクと半導体基板の配置を示し、Ｂはパタ−ニングされ
た薄膜層の断面図である。
【図２】Ａ及びＢからなり、本発明による薄膜層パター
ニング方法を説明するための概略的な断面図で、Ａはフ
ォトマスクと半導体基板の配置を示し、Ｂはパタ−ニン
グされた薄膜層の断面図である。
ニング方法を説明するための概略的な断面図で、Ａはフ
ォトマスクと半導体基板の配置を示し、Ｂはパタ−ニン
グされた薄膜層の断面図である。
【図３】プラズマＳｉＯ2の屈折率をＮ2ＯとＳｉＨ4と
の組成比の関数として示したグラフである。
の組成比の関数として示したグラフである。
１０ 半導体基板 １２ 基板 ２０ 薄膜層 ３０ フォトレジスト層 ４０ フォトマスク ４２ 光吸収部 ４４ 光透過性膜 ５０ パターニングされた薄膜層 １００ 半導体基板 １１０ 基板 １２０ 薄膜層 １２２ 第１境界面 １２４ 第２境界面 １３０ フォトレジスト層 １４０ フォトマスク １４２ 光吸収領域 １４４ 光透過性膜 １５０ パタ−ニングされた薄膜層 １６０ 中間層
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体デバイスの製造に用いられ、薄
膜層を予め定められた形状にパターニングする薄膜層パ
ターニング方法であって、 平坦な上下面を有する基板を準備する第１過程と、 前記基板の前記上面に前記薄膜層を形成する第２過程
と、 前記薄膜層の上部に中間層を形成する第３過程と、 前記中間層の上部にフォトレジスト層を形成する第４過
程と、 前記フォトレジスト層を前記予め定められた形状にパタ
ーニングする第５過程と、 前記フォトレジスト層を適切な現像液を用いて現像する
第６過程と、 前記中間層及び前記薄膜層を前記予め定められた形状に
エッチング処理する第７過程と、 前記薄膜層から前記エッチング処理された前記中間層を
除去することによって、前記パターニングされた薄膜層
を形成する第８過程とを含むことを特徴とする薄膜層パ
ターニング方法。 - 【請求項２】 前記中間層が、Ｎ2Ｏとシラン（Ｓｉ
Ｈ4）との混合により形成されることを特徴とする請求
項１に記載の薄膜層パターニング方法。 - 【請求項３】 前記中間層が、グレーデッド型の屈折
率を有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜層パ
ターニング方法。 - 【請求項４】 前記中間層の前記グレーデッド型の屈
折率が、前記フォトレジスト層の屈折率から前記薄膜層
の屈折率まで連続的に変化することを特徴とする請求項
３に記載の薄膜層パターニング方法。 - 【請求項５】 前記グレーデッド型の屈折率が、前記
中間層の形成の際、Ｎ2０とシラン（ＳｉＨ4）との組成
比を変化させることによって得られることを特徴とする
請求項４に記載の薄膜層パターニング方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950018640A KR0174951B1 (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 미세 패턴 형성 방법 |
| KR1995/18640 | 1995-06-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917769A true JPH0917769A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=19419084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7349864A Pending JPH0917769A (ja) | 1995-06-30 | 1995-12-21 | 薄膜層パターニング方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0917769A (ja) |
| KR (1) | KR0174951B1 (ja) |
| CN (1) | CN1139767A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100383667C (zh) * | 2002-02-08 | 2008-04-23 | 旺宏电子股份有限公司 | 半导体元件的图案转移的方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102024127152A1 (de) * | 2024-09-20 | 2026-03-26 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Verfahren zur Umsetzung von mindestens einer Kontrollfunktion in einem Fahrzeug sowie Fahrzeuganordnung |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950018640A patent/KR0174951B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1995-12-21 JP JP7349864A patent/JPH0917769A/ja active Pending
- 1995-12-28 CN CN95121173A patent/CN1139767A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100383667C (zh) * | 2002-02-08 | 2008-04-23 | 旺宏电子股份有限公司 | 半导体元件的图案转移的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0174951B1 (ko) | 1999-04-01 |
| CN1139767A (zh) | 1997-01-08 |
| KR970003554A (ko) | 1997-01-28 |
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