JPH0455323B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0455323B2 JPH0455323B2 JP58146398A JP14639883A JPH0455323B2 JP H0455323 B2 JPH0455323 B2 JP H0455323B2 JP 58146398 A JP58146398 A JP 58146398A JP 14639883 A JP14639883 A JP 14639883A JP H0455323 B2 JPH0455323 B2 JP H0455323B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light
- photoresist
- photoresist film
- reflected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はエツチング方法に関し、詳しくは半導
体素子、磁気バルブ素子などの作製における微細
加工などに有用なホトリングラフイを用いたエツ
チング方法に関する。
体素子、磁気バルブ素子などの作製における微細
加工などに有用なホトリングラフイを用いたエツ
チング方法に関する。
ホトレジスト膜を用いたパターン形成におい
て、ホトレジスト膜内で光が多重干渉を起こし、
それが原因となつてホトレジスト膜厚の変化とと
もにパターン寸法が変動する。この効果を低減す
るために反射防止膜を用いて多重干渉を低減する
方法がある。しかし、従来の反射防止膜は基板面
上に形成していたので、露光々と同一波長の光を
使つてマスク合わせを行なうと反射防止膜によつ
てマスク合わせ検出信号も弱くなり、反射防止の
効果を大きくするとマスク合わせができないとい
う欠点があつた。またホトレジストパターンを精
度よく反射防止膜へパターン転写する必要があ
り、基板上に形成された反射防止膜を素子に影響
を与えずに除去する必要もあつた。そのために工
程数も増加してしまい、必ずしもすべての基板加
工に適用できなかつた。
て、ホトレジスト膜内で光が多重干渉を起こし、
それが原因となつてホトレジスト膜厚の変化とと
もにパターン寸法が変動する。この効果を低減す
るために反射防止膜を用いて多重干渉を低減する
方法がある。しかし、従来の反射防止膜は基板面
上に形成していたので、露光々と同一波長の光を
使つてマスク合わせを行なうと反射防止膜によつ
てマスク合わせ検出信号も弱くなり、反射防止の
効果を大きくするとマスク合わせができないとい
う欠点があつた。またホトレジストパターンを精
度よく反射防止膜へパターン転写する必要があ
り、基板上に形成された反射防止膜を素子に影響
を与えずに除去する必要もあつた。そのために工
程数も増加してしまい、必ずしもすべての基板加
工に適用できなかつた。
本発明の目的は上記従来の問題点を解決し、簡
便な方法で微細かつ高精度なパターンを形成でき
る方法を提供することにある。
便な方法で微細かつ高精度なパターンを形成でき
る方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明はホトレジス
ト膜上に光透過型の反射防止膜を形成して露光を
行なうものである。反射防止膜によりレジスト膜
内での光多重干渉は低減し、しかも、光透過型の
反射防止膜を使用するのでマスク合わせ検出信号
も良好となる。
ト膜上に光透過型の反射防止膜を形成して露光を
行なうものである。反射防止膜によりレジスト膜
内での光多重干渉は低減し、しかも、光透過型の
反射防止膜を使用するのでマスク合わせ検出信号
も良好となる。
本発明の要旨は、被処理物上にフオトレジスト
膜を形成し、投影露光法によりマスクを用いて前
記フオトレジスト膜上に光を照射して所定にフオ
トレジスト膜パターンを形成し、前記フオトレジ
スト膜パターンに基づき前記被処理物をエツチン
グするエツチング方法において、 前記フオトレジスト膜上に第一の膜を形成する
工程を有し、 前記第一の膜は前記光を透過する性質を有し、 前記第一の膜中および前記フオトレジスト膜中
に入射した前記光が前記被処理物表面で第一の反
射光として反射し、前記第一の反射光の一部が前
記フオトレジスト膜と前記第一の膜との第一の境
界面で反射して前記フオトレジスト膜に入射する
光および、前記第一の反射光の他の一部が前記第
一の膜と前記第一の膜の外側との第二の境界面で
反射して前記第一の膜内を通過して前記フオトレ
ジスト膜に入射する光を第二の反射光とすると
き、前記第二の反射光が前記フオトレジスト膜内
で干渉を起こすことにより前記第二の反射光の強
度を前記干渉を起こす前よりも弱めるように前記
第一の膜は構成されていることを特徴とするエツ
チング方法にある。
膜を形成し、投影露光法によりマスクを用いて前
記フオトレジスト膜上に光を照射して所定にフオ
トレジスト膜パターンを形成し、前記フオトレジ
スト膜パターンに基づき前記被処理物をエツチン
グするエツチング方法において、 前記フオトレジスト膜上に第一の膜を形成する
工程を有し、 前記第一の膜は前記光を透過する性質を有し、 前記第一の膜中および前記フオトレジスト膜中
に入射した前記光が前記被処理物表面で第一の反
射光として反射し、前記第一の反射光の一部が前
記フオトレジスト膜と前記第一の膜との第一の境
界面で反射して前記フオトレジスト膜に入射する
光および、前記第一の反射光の他の一部が前記第
一の膜と前記第一の膜の外側との第二の境界面で
反射して前記第一の膜内を通過して前記フオトレ
ジスト膜に入射する光を第二の反射光とすると
き、前記第二の反射光が前記フオトレジスト膜内
で干渉を起こすことにより前記第二の反射光の強
度を前記干渉を起こす前よりも弱めるように前記
第一の膜は構成されていることを特徴とするエツ
チング方法にある。
ホトレジスト膜内での光多重干渉の中でパター
ン寸法精度に影響を与える因子はホトレジスト膜
内で同方向に進行する光同士の干渉である。例え
ばSi基板上にホトレジストパターンを形成した場
合、第１図に示すようにレジストの膜厚変化に対
し約0.3μｍの寸法変動が生ずる。そこでホトレジ
スト上面からの反射光を低減することにより、入
射光と同方向に進行する反射光を低減し、この多
重干渉によるパターン寸法変動量を低減する。マ
スク検出信号強度を十分なものとし、しかも露光
時間を長くしないためにホトレジスト膜上の反射
防止膜は露光光を十分透過する吸収係数の十分小
さい膜とし、干渉効果を利用して低反射化する。
ン寸法精度に影響を与える因子はホトレジスト膜
内で同方向に進行する光同士の干渉である。例え
ばSi基板上にホトレジストパターンを形成した場
合、第１図に示すようにレジストの膜厚変化に対
し約0.3μｍの寸法変動が生ずる。そこでホトレジ
スト上面からの反射光を低減することにより、入
射光と同方向に進行する反射光を低減し、この多
重干渉によるパターン寸法変動量を低減する。マ
スク検出信号強度を十分なものとし、しかも露光
時間を長くしないためにホトレジスト膜上の反射
防止膜は露光光を十分透過する吸収係数の十分小
さい膜とし、干渉効果を利用して低反射化する。
すなわち第２図に示すように、基板１からの反
射光４のホトレジスト／反射防止膜面３ａからの
反射光５と反射防止膜／大気面３ｂからの反射光
６を干渉させてその合成光を十分小さくする。ホ
トレジスト膜の屈折率をｎ、露光光の波長をλと
すると反射防止膜の屈折率n′を√、その膜厚を
λ／4n′の奇数倍に近づけるほどこの反射防止膜
の反射率（振幅比）は第３図に示すように低減す
る。このようにして低反射化することによりレジ
ストパターン寸法精度は向上する。またこの反射
防止条件は光を透過する条件なので、この反射防
止膜を付加したことによりマスク検出信号が弱ま
ることはない。
射光４のホトレジスト／反射防止膜面３ａからの
反射光５と反射防止膜／大気面３ｂからの反射光
６を干渉させてその合成光を十分小さくする。ホ
トレジスト膜の屈折率をｎ、露光光の波長をλと
すると反射防止膜の屈折率n′を√、その膜厚を
λ／4n′の奇数倍に近づけるほどこの反射防止膜
の反射率（振幅比）は第３図に示すように低減す
る。このようにして低反射化することによりレジ
ストパターン寸法精度は向上する。またこの反射
防止条件は光を透過する条件なので、この反射防
止膜を付加したことによりマスク検出信号が弱ま
ることはない。
ところで、特公昭56−12011号公報には、入射
光が基板に反射して反射光となり、この入射光と
反射光が干渉を起して、レジスト膜内に定在波が
発生させることが記載されている。
光が基板に反射して反射光となり、この入射光と
反射光が干渉を起して、レジスト膜内に定在波が
発生させることが記載されている。
本発明のように、レジスト膜に光を入射させて
レジスト膜を感光させる場合にも、入射光に対し
て反射光が発生するので、定在波が存在する。
レジスト膜を感光させる場合にも、入射光に対し
て反射光が発生するので、定在波が存在する。
しかしながら、現在は、実用上問題がない程度
に定在波の影響を減少させる方法が知られてい
る。
に定在波の影響を減少させる方法が知られてい
る。
これは、レジストにパターンを露光した後に熱
処理を行い、さらにその後に現象を行う方法であ
る。これをさらに詳しく述べると、レジストを露
光すると定在波が発生し、レジストの膜厚方向に
沿つて露光むらが生じる（すなわち、定在波によ
り生じる露光強度の分布に応じて、感光物質の変
質の程度に差ができる）。そして、露光後に適切
な熱処理を施すと、レジスト内の膜厚方向に感光
物質が拡散して、感光物質の変質の程度の差が緩
和される。
処理を行い、さらにその後に現象を行う方法であ
る。これをさらに詳しく述べると、レジストを露
光すると定在波が発生し、レジストの膜厚方向に
沿つて露光むらが生じる（すなわち、定在波によ
り生じる露光強度の分布に応じて、感光物質の変
質の程度に差ができる）。そして、露光後に適切
な熱処理を施すと、レジスト内の膜厚方向に感光
物質が拡散して、感光物質の変質の程度の差が緩
和される。
その後に現象することにより、定在波の影響を
十分に低減したレジストパターンを形成すること
ができる。
十分に低減したレジストパターンを形成すること
ができる。
従つて、本発明を用いる場合にも、この公知の
方法を併用することにより、定在波の影響は無視
することができる。
方法を併用することにより、定在波の影響は無視
することができる。
なお、特公昭56−12011号公報に記載された発
明がフオトレジスト膜中に存在する定在波の存在
を問題としているのに対して、本発明では第一の
境界面で反射する光と第二の境界面で反射する光
との干渉を問題としている。よつて、両者は別個
の事柄であることに言及しておく。
明がフオトレジスト膜中に存在する定在波の存在
を問題としているのに対して、本発明では第一の
境界面で反射する光と第二の境界面で反射する光
との干渉を問題としている。よつて、両者は別個
の事柄であることに言及しておく。
以下本発明を実施例を用いて説明する。
実施例 １
まず第４図ａに示すように段差をもつSi基板７
上に通常の方法でホトレジスト８を形成し、次に
第４図ｂに示すようにホトレジスト８上に反射防
止膜としてポリシロキサン９（屈折率約1.4）を
約60〜100nｍの膜厚で塗布形成した。ポリシロ
キサンの吸収係数は露光光の波長436nｍで10-2以
下であり光を十分透過する。その後第４図ｃに示
すように波長436nｍの光を用いて通常の露光を
行なつた。露光々と同じ波長の光を用いてマスク
合わせを行なつたところ、合わせパターン検出信
号の強度はこの反射防止膜のないホトレジストの
みの場合と同様に良好であり、レジスト膜内の多
重干渉の影響が少なくなつたのでその波形はホト
レジストのみの場合より良好となつた。その後第
４図ｄに示すようにキシレンを用いてポリシロキ
サン９を除去した。キシレンに限らずクロルベン
ゼンなどのように、パターン形成が困難なほどホ
トレジストを変質させないでこの反射防止膜を除
去できれば何んでもかまわない。その後通常の現
象を行ない第４図ｅに示すようにSi基板上にホト
レジストパターン８′を形成した。反射防止膜９
のない場合のパターン寸法精度は約±0.15μｍで
あつたが、以上の工程により寸法精度が±0.08μ
ｍ以下の高精度なホトレジストパターン８′をSi
基板上に形成することができた。
上に通常の方法でホトレジスト８を形成し、次に
第４図ｂに示すようにホトレジスト８上に反射防
止膜としてポリシロキサン９（屈折率約1.4）を
約60〜100nｍの膜厚で塗布形成した。ポリシロ
キサンの吸収係数は露光光の波長436nｍで10-2以
下であり光を十分透過する。その後第４図ｃに示
すように波長436nｍの光を用いて通常の露光を
行なつた。露光々と同じ波長の光を用いてマスク
合わせを行なつたところ、合わせパターン検出信
号の強度はこの反射防止膜のないホトレジストの
みの場合と同様に良好であり、レジスト膜内の多
重干渉の影響が少なくなつたのでその波形はホト
レジストのみの場合より良好となつた。その後第
４図ｄに示すようにキシレンを用いてポリシロキ
サン９を除去した。キシレンに限らずクロルベン
ゼンなどのように、パターン形成が困難なほどホ
トレジストを変質させないでこの反射防止膜を除
去できれば何んでもかまわない。その後通常の現
象を行ない第４図ｅに示すようにSi基板上にホト
レジストパターン８′を形成した。反射防止膜９
のない場合のパターン寸法精度は約±0.15μｍで
あつたが、以上の工程により寸法精度が±0.08μ
ｍ以下の高精度なホトレジストパターン８′をSi
基板上に形成することができた。
なお、本実施例においては反射防止膜はポリシ
ロキサンを用いているがこれに限らず例えばポリ
ビニルアルコールなどのように上記反射防止の原
理に基づいて反射を低減し、かつ露光々を十分透
過し、くわえてホトレジストに変質を与えない材
料であればなんでもかまわない。
ロキサンを用いているがこれに限らず例えばポリ
ビニルアルコールなどのように上記反射防止の原
理に基づいて反射を低減し、かつ露光々を十分透
過し、くわえてホトレジストに変質を与えない材
料であればなんでもかまわない。
実施例 ２
上記実施例１においてホトレジスト８とポリシ
ロキサン９との間に、反射防止膜およびその除去
がホトレジストに全く影響を与えないように中間
層を形成した。中間層として膜厚が約10〜50nｍ
であるポリビニルアルコールを用いた。その後上
記実施例１と同様の工程にしたがつてポリシロキ
サンまで除去した後、水洗あるいはMF312
（Shipley社製）現象液を用いてポリビニールアル
コールを除去する工程を加えてホトレジストパタ
ーンを形成した。ポリビニルアルコールを中間層
に用いることによつて、上記キシレンによる膜厚
減少あるいはクロルベンゼンによる現象時のホト
レジスト表面の不溶化、の影響を全く受けないパ
ターンを形成することができた。また中間層を用
いることによりOCD（東京応化社製）のようなホ
トレジストと反応し、ホトレジストを変質させる
材料でも反射防止膜として用いることができた。
ロキサン９との間に、反射防止膜およびその除去
がホトレジストに全く影響を与えないように中間
層を形成した。中間層として膜厚が約10〜50nｍ
であるポリビニルアルコールを用いた。その後上
記実施例１と同様の工程にしたがつてポリシロキ
サンまで除去した後、水洗あるいはMF312
（Shipley社製）現象液を用いてポリビニールアル
コールを除去する工程を加えてホトレジストパタ
ーンを形成した。ポリビニルアルコールを中間層
に用いることによつて、上記キシレンによる膜厚
減少あるいはクロルベンゼンによる現象時のホト
レジスト表面の不溶化、の影響を全く受けないパ
ターンを形成することができた。また中間層を用
いることによりOCD（東京応化社製）のようなホ
トレジストと反応し、ホトレジストを変質させる
材料でも反射防止膜として用いることができた。
なお本実施例においては中間層にポリビニルア
ルコールを用いたがポリビニルアルコールに限ら
ず、光を透過させ、ホトレジストおよび反射防止
膜と混じらず、またホトレジストを変質させずに
除去できるものであればなんでもよい。
ルコールを用いたがポリビニルアルコールに限ら
ず、光を透過させ、ホトレジストおよび反射防止
膜と混じらず、またホトレジストを変質させずに
除去できるものであればなんでもよい。
本実施例においてはSi基板を用いたがSi基板に
限らずすべての基板に適用可能である。また本実
施例においては基板に段差がある場合について説
明したが、本発明は基板に段差がない場合におい
ても有効である。ウエハー内、ウエハー間あるい
はロツト間でホトレジスト膜厚に変化が生じた場
合それにともなつてレジスト膜内多重干渉の様子
が変化しパターン寸法変動が生ずるが、本発明を
適用してこの寸法変動量を低減することができ
た。
限らずすべての基板に適用可能である。また本実
施例においては基板に段差がある場合について説
明したが、本発明は基板に段差がない場合におい
ても有効である。ウエハー内、ウエハー間あるい
はロツト間でホトレジスト膜厚に変化が生じた場
合それにともなつてレジスト膜内多重干渉の様子
が変化しパターン寸法変動が生ずるが、本発明を
適用してこの寸法変動量を低減することができ
た。
なお本実施例においては露光波長を436nｍと
したが、この波長に限らず反射防止膜が上述した
反射防止の条件を満たせばなんでもよい。
したが、この波長に限らず反射防止膜が上述した
反射防止の条件を満たせばなんでもよい。
なお本実施例に示したように、本発明は通常の
ホトレジストパターン形成工程に２〜４工程付加
しただけの簡便な工程であり、付加した各処理時
間も１〜２分なのでスループツトが高い。
ホトレジストパターン形成工程に２〜４工程付加
しただけの簡便な工程であり、付加した各処理時
間も１〜２分なのでスループツトが高い。
以上述べたように本発明によれば簡便な方法
で、精度の高いホトレジストパターンを形成で
き、マスク合わせ検出信号も良好である。
で、精度の高いホトレジストパターンを形成で
き、マスク合わせ検出信号も良好である。
また、この反射防止膜はレジストの上面に形成
するので基板材料と無関係に適用可能であり、ま
た素子に影響を与えることもない。
するので基板材料と無関係に適用可能であり、ま
た素子に影響を与えることもない。
第１図はレジスト膜内多重干渉による寸法変動
を示す図、第２図は反射防止膜の原理を説明する
ための図、第３図は反射防止膜の効果を表わす
図、第４図は本発明の一実施例を示す工程図であ
る。 １……Si基板、２……ホトレジスト、３……反
射防止膜、３ａ……反射防止膜／ホトレジスト界
面、３ｂ……大気／反射防止膜界面、４……基板
から反射防止膜へ向かう反射光、５……反射防止
膜／ホトレジスト界面から基板へ向かう反射光、
６……大気／反射防止膜界面から基板へ向かう反
射光、７……Si基板、８……ホトレジスト、８′
……ホトレジストパターン、９……ポリシロキサ
ン。
を示す図、第２図は反射防止膜の原理を説明する
ための図、第３図は反射防止膜の効果を表わす
図、第４図は本発明の一実施例を示す工程図であ
る。 １……Si基板、２……ホトレジスト、３……反
射防止膜、３ａ……反射防止膜／ホトレジスト界
面、３ｂ……大気／反射防止膜界面、４……基板
から反射防止膜へ向かう反射光、５……反射防止
膜／ホトレジスト界面から基板へ向かう反射光、
６……大気／反射防止膜界面から基板へ向かう反
射光、７……Si基板、８……ホトレジスト、８′
……ホトレジストパターン、９……ポリシロキサ
ン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被処理物上にフオトレジスト膜を形成し、投
影露光法によりマスクを用いて前記フオトレジス
ト膜上に光を照射して所定にフオトレジスト膜パ
ターンを形成し、前記フオトレジスト膜パターン
に基づいて前記被処理物をエツチングするエツチ
ング方法において、 前記フオトレジスト膜上に第一の膜を形成する
工程を有し、 前記第一の膜は前記光を透過する性質を有し、 前記第一の膜中および前記フオトレジスト膜中
に入射した前記光が前記被処理物表面で第一の反
射光として反射し、前記第一の反射光の一部が前
記フオトレジスト膜と前記第一の膜との第一の境
界面で反射して前記フオトレジスト膜に入射する
光および、前記第一の反射光の他の一部が前記第
一の膜と前記第一の膜の外側との第二の境界面で
反射して前記第一の膜内を通過して前記フオトレ
ジスト膜に入射する光を第二の反射光とすると
き、前記第二の反射光が前記フオトレジスト膜内
で干渉を起こすことにより前記第二の反射光の強
度を前記干渉を起こす前よりも弱めるように前記
第一の膜は構成されていることを特徴とするエツ
チング方法。 ２ 前記光は実質的に単一波長の光であり、前記
光の波長をλ、前記フオトレジスト膜の屈折率を
ｎ、前記第一の膜の屈折率をn′としたとき、前記
第一の膜は前記n′の値が実質的に√の値に等し
い値を材料からなる物質であり、かつ、前記第一
の膜の膜厚は実質的にλ／4n′の奇数倍近傍の値
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のエツチング方法。 ３ 前記被処理物は基板であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項または第２項記載のエツチ
ング方法。 ４ 前記フオトレジスト膜上に前記第一の膜を形
成することにより前記第一の膜と前記フオトレジ
スト膜とが接触することにより前記第一の膜に基
づいて前記フオトレジスト膜に化学的変化を与え
ることを防止するために、前記フオトレジスト膜
と前記第一の膜との間には第二の膜が設けられて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第
２項または第３項記載のエツチング方法。 ５ 前記第一の膜を構成する材料は、ポリシロキ
サンまたはポリビニールアルコールであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項または
第３項記載のエツチング方法。 ６ 前記被処理物上には、前記被処理物とフオト
マスクとの位置合わせを行なうための手段が形成
されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項、第２項、第４項または第５項記載のエツチン
グ方法。 ７ 前記フオトレジスト膜を露光させるための前
記光は、実質的に単一波長の光であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項、第２項、第３項、
第４項、第５項または第６項記載のエツチング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58146398A JPS6038821A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58146398A JPS6038821A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | エッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6038821A JPS6038821A (ja) | 1985-02-28 |
| JPH0455323B2 true JPH0455323B2 (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=15406797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58146398A Granted JPS6038821A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6038821A (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2578930B2 (ja) * | 1988-08-18 | 1997-02-05 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
| WO1993024860A1 (fr) * | 1992-06-02 | 1993-12-09 | Mitsubishi Kasei Corporation | Composition pour former un film antireflet sur du resist et procede de formation de motif |
| JPH0697065A (ja) * | 1992-09-17 | 1994-04-08 | Mitsubishi Electric Corp | 微細レジストパターンの形成方法 |
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1983
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