JPH0917929A - ボンディングポスト及びその選別装置 - Google Patents
ボンディングポスト及びその選別装置Info
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- JPH0917929A JPH0917929A JP7163899A JP16389995A JPH0917929A JP H0917929 A JPH0917929 A JP H0917929A JP 7163899 A JP7163899 A JP 7163899A JP 16389995 A JP16389995 A JP 16389995A JP H0917929 A JPH0917929 A JP H0917929A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】熱疲労の小さいボンディングポスト及び誤判定
なくボンディングポストの表裏判別ができる選別装置を
提供する。 【構成】Fe−Ni合金板4を母材としプレス金型で打
ち抜いたボンディングポスト1の側面に幅0.3mm以
上の破断面(無光沢部)2又はせん断面(光沢部)3を
形成し光センサで検出し表裏判別をする。
なくボンディングポストの表裏判別ができる選別装置を
提供する。 【構成】Fe−Ni合金板4を母材としプレス金型で打
ち抜いたボンディングポスト1の側面に幅0.3mm以
上の破断面(無光沢部)2又はせん断面(光沢部)3を
形成し光センサで検出し表裏判別をする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、厚膜混成集積回路に用
いられるボンディングポスト及びその選別装置に関す
る。
いられるボンディングポスト及びその選別装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】一般にボンディングポストは、厚膜混成
集積回路の基板上に固定され、半導体チップ等、Al線
をボンディングする面との高さの不揃をなくすと共に、
ボンディングされたAl線を切断する時のバッファ用と
して用いられている。図5(a)〜(c)は従来のボン
ディングポストの上面図,側面図及びB−B線断面図で
ある。
集積回路の基板上に固定され、半導体チップ等、Al線
をボンディングする面との高さの不揃をなくすと共に、
ボンディングされたAl線を切断する時のバッファ用と
して用いられている。図5(a)〜(c)は従来のボン
ディングポストの上面図,側面図及びB−B線断面図で
ある。
【0003】従来のボンディングポスト1Aは、図5
(a)〜(c)に示すように、厚さ約0.8mmのアル
ミニウム(Al)板7を母材とし、一方の面に厚さ約5
〜10μmのCu(又はNi)層8をメッキ等で設け、
さらにその上に約数10〜100μmの半田層6を設け
た複合材を、プレス金型により直径2mmの形状に打ち
抜いた構造をしている。
(a)〜(c)に示すように、厚さ約0.8mmのアル
ミニウム(Al)板7を母材とし、一方の面に厚さ約5
〜10μmのCu(又はNi)層8をメッキ等で設け、
さらにその上に約数10〜100μmの半田層6を設け
た複合材を、プレス金型により直径2mmの形状に打ち
抜いた構造をしている。
【0004】この複合材はビッカース硬度HV =40〜
60程度で軟いため、プレス金型で打ち抜くときの圧力
により、図5(b)のように、せん断面(光沢部)3の
エッヂ部に大きい丸味が形成される。また反対側の破断
面(無光沢部)2は平坦状態になっている。従ってこの
形状差を利用し図6に示す選別装置の傾斜角および振動
によりボンディングポストの表裏の判別を行い選別され
ている。
60程度で軟いため、プレス金型で打ち抜くときの圧力
により、図5(b)のように、せん断面(光沢部)3の
エッヂ部に大きい丸味が形成される。また反対側の破断
面(無光沢部)2は平坦状態になっている。従ってこの
形状差を利用し図6に示す選別装置の傾斜角および振動
によりボンディングポストの表裏の判別を行い選別され
ている。
【0005】ボンディングポストの選別装置は、図6に
示したように、回転振動部10上に設けられらせん状に
形成された第1搬送部9Aと、この第1搬送部9Aに接
続された直線状の第2搬送部9Bとから主に構成され、
第1搬送部9Aの底面部におかれたボンディングポスト
1Aを回転振動させ上部に搬送し、第1搬送部9Aの終
端部において、例えば裏面を上部としたボンディングポ
ストのみを第2搬送部9に送るようになっている。
示したように、回転振動部10上に設けられらせん状に
形成された第1搬送部9Aと、この第1搬送部9Aに接
続された直線状の第2搬送部9Bとから主に構成され、
第1搬送部9Aの底面部におかれたボンディングポスト
1Aを回転振動させ上部に搬送し、第1搬送部9Aの終
端部において、例えば裏面を上部としたボンディングポ
ストのみを第2搬送部9に送るようになっている。
【0006】ボンディングポスト1Aを選別する第1搬
送部9Aの終端部には、図7(a)に示すように段差1
9が設けられており、ボンディングポスト1Aが大きな
丸味のある裏面を下にして送られてくると、この段差1
9の部分で落下し除外される。一方、平坦な表面を下に
して送られてくるボンディングポスト1Aは、図7
(b)に示すように、摩擦が大きい為段差19上を通り
落下することなく第2搬送部に送られ、例えば、テーピ
ングマシンにより自動的にテーピングされる。
送部9Aの終端部には、図7(a)に示すように段差1
9が設けられており、ボンディングポスト1Aが大きな
丸味のある裏面を下にして送られてくると、この段差1
9の部分で落下し除外される。一方、平坦な表面を下に
して送られてくるボンディングポスト1Aは、図7
(b)に示すように、摩擦が大きい為段差19上を通り
落下することなく第2搬送部に送られ、例えば、テーピ
ングマシンにより自動的にテーピングされる。
【0007】図8にボンディングポスト1Aを厚膜混成
集積回路に適用した場合を示す。図8に示すように、ア
ルミナセラミック基板21上に印刷、焼成により回路形
成した、厚み8〜15μmのAg−Pd,Ag−Pt等
の厚膜導体22上に半導体チップ23とボンディングポ
スト1Aを半田6等で接合し、さらに半導体チップ23
とボンディングポスト1Aとは直径50〜500μmの
Al線24で接続される。
集積回路に適用した場合を示す。図8に示すように、ア
ルミナセラミック基板21上に印刷、焼成により回路形
成した、厚み8〜15μmのAg−Pd,Ag−Pt等
の厚膜導体22上に半導体チップ23とボンディングポ
スト1Aを半田6等で接合し、さらに半導体チップ23
とボンディングポスト1Aとは直径50〜500μmの
Al線24で接続される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】この従来のボンディン
グポストは、複合材の厚み,組成およびプレス金型の調
整等で打ち抜き形状が変化することと、複合材の表面荒
さが変わるため、搬送部との摩擦が不安定となり、搬送
部の傾斜角および振動での表裏の判定で約0.5%の不
具合が発生していた。従ってアルミナセラミック基板へ
の自動実装での表裏誤搭載が生じる等の問題があった。
グポストは、複合材の厚み,組成およびプレス金型の調
整等で打ち抜き形状が変化することと、複合材の表面荒
さが変わるため、搬送部との摩擦が不安定となり、搬送
部の傾斜角および振動での表裏の判定で約0.5%の不
具合が発生していた。従ってアルミナセラミック基板へ
の自動実装での表裏誤搭載が生じる等の問題があった。
【0009】また、アルミナセラミック基板の厚膜導体
上にアルミニウムを母材とするボンディングポスト1A
を半田で接続した混成集積回路装置では、熱膨張率に大
きな差があるため、実使用上の冷熱サイクルで、アルミ
ナセラミック基板とボンディングポスト間の接続部に熱
応力が生じ接続劣化を起すという問題もあった。
上にアルミニウムを母材とするボンディングポスト1A
を半田で接続した混成集積回路装置では、熱膨張率に大
きな差があるため、実使用上の冷熱サイクルで、アルミ
ナセラミック基板とボンディングポスト間の接続部に熱
応力が生じ接続劣化を起すという問題もあった。
【0010】この対策として、例えば特開昭61−15
0359号公報に示されているように、ボンディングポ
ストの材質を、例えば鉄・ニッケル合金に変更すると、
ビッカース硬度HV =100〜150程度と硬くなるた
め、プレス金型で打ち抜くと、ボンディングポストのエ
ッヂ部の丸味が小さくなり、反対面の形状と同様となる
ため、従来のボンディングポストの選別装置では、表裏
判別が不可能になるという問題があった。
0359号公報に示されているように、ボンディングポ
ストの材質を、例えば鉄・ニッケル合金に変更すると、
ビッカース硬度HV =100〜150程度と硬くなるた
め、プレス金型で打ち抜くと、ボンディングポストのエ
ッヂ部の丸味が小さくなり、反対面の形状と同様となる
ため、従来のボンディングポストの選別装置では、表裏
判別が不可能になるという問題があった。
【0011】本発明の第1の目的は、実装した時の熱疲
労を小さくできるボンディングポストを提供することに
ある。
労を小さくできるボンディングポストを提供することに
ある。
【0012】本発明の第2の目的は、誤判定なしで表裏
の判別ができるボンディングポストの選別装置を提供す
ることにある。
の判別ができるボンディングポストの選別装置を提供す
ることにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】第1の発明のボンディン
グポストは、Fe−Ni合金板を母材とし、その一方の
面にAl層を他方の面に半田層を被着した複合材をプレ
ス金型により打ち抜いて形成したボンディングポストに
おいて、打ち抜きにより少くとも幅0.3mmのせん断
面又は破断面を側面の周囲全体に設けたことを特徴とす
るものである。
グポストは、Fe−Ni合金板を母材とし、その一方の
面にAl層を他方の面に半田層を被着した複合材をプレ
ス金型により打ち抜いて形成したボンディングポストに
おいて、打ち抜きにより少くとも幅0.3mmのせん断
面又は破断面を側面の周囲全体に設けたことを特徴とす
るものである。
【0014】第2の発明のボンディングポストの選別装
置は、らせん状に形成され振動によりボンディングポス
トを上部に送る第1搬送部と、この第1搬送部に接続さ
れた直線状の第2搬送部とを有し、ボンディングポスト
の表面をそろえて送るボンディングポストの選別装置に
おいて、前記ボンディングポストのせん断面又は破断面
を検出する光センサを含む表裏判別手段を前記第1搬送
部の終端部に設けたことを特徴とするものである。
置は、らせん状に形成され振動によりボンディングポス
トを上部に送る第1搬送部と、この第1搬送部に接続さ
れた直線状の第2搬送部とを有し、ボンディングポスト
の表面をそろえて送るボンディングポストの選別装置に
おいて、前記ボンディングポストのせん断面又は破断面
を検出する光センサを含む表裏判別手段を前記第1搬送
部の終端部に設けたことを特徴とするものである。
【0015】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1(a)〜(c)は本発明の第1の実施
例のボンディングポストの上面図,側面図及びA−A線
断面図である。
て説明する。図1(a)〜(c)は本発明の第1の実施
例のボンディングポストの上面図,側面図及びA−A線
断面図である。
【0016】図1(a)〜(c)においてボンディング
ポスト1は、厚さ0.8mmのFe−Ni合金板4を母
材とし、表面に厚さ10〜15μmのAl(又はAl−
Si)層5を、又裏面に厚さ30〜50μmの半田層6
を被着した複合材をプレス金型により打ち抜いて形成さ
れるが、特にその側面の周囲全体に幅0.3mm以上の
破断面2又はせん断面3を設けたものである。
ポスト1は、厚さ0.8mmのFe−Ni合金板4を母
材とし、表面に厚さ10〜15μmのAl(又はAl−
Si)層5を、又裏面に厚さ30〜50μmの半田層6
を被着した複合材をプレス金型により打ち抜いて形成さ
れるが、特にその側面の周囲全体に幅0.3mm以上の
破断面2又はせん断面3を設けたものである。
【0017】図2は第1の実施例のボンディングポスト
1を打ち抜く為の金型の断面図である。打ち抜かれたボ
ンディングポスト1の側面の周囲全体に破断面2又はせ
ん断面3を形成する為には、ポンチ16とダイ17との
クリアランスlを調整する必要がある。ボンディングポ
スト1の厚さTに対する破断面2の幅tとクリアランス
lは図3に示すように比例する。従ってクリアランスl
を適当に選ぶことにより破断面2の幅tを所望の値にす
ることが可能である。
1を打ち抜く為の金型の断面図である。打ち抜かれたボ
ンディングポスト1の側面の周囲全体に破断面2又はせ
ん断面3を形成する為には、ポンチ16とダイ17との
クリアランスlを調整する必要がある。ボンディングポ
スト1の厚さTに対する破断面2の幅tとクリアランス
lは図3に示すように比例する。従ってクリアランスl
を適当に選ぶことにより破断面2の幅tを所望の値にす
ることが可能である。
【0018】例えば、図2においてポンチ16の直径を
1.98〜1.99mm,ポンチ16とダイ17とのク
リアランスlを10〜20μmとし、厚さ約0.8mm
の複合材15を打ち抜いて直径2mmのボンディングポ
スト1を形成した場合その側面の周囲全体に幅約0.4
mmの破断面2とせん断面3とが形成される。クリアラ
ンスlの値が10〜20μm以外では破断面2又はせん
断面3の幅が大きくなる。
1.98〜1.99mm,ポンチ16とダイ17とのク
リアランスlを10〜20μmとし、厚さ約0.8mm
の複合材15を打ち抜いて直径2mmのボンディングポ
スト1を形成した場合その側面の周囲全体に幅約0.4
mmの破断面2とせん断面3とが形成される。クリアラ
ンスlの値が10〜20μm以外では破断面2又はせん
断面3の幅が大きくなる。
【0019】図4(a),(b)は本発明の第2の実施
例のボンディングポストの選別装置の構成図であり、特
にボンディングポストの選別時の状態を示している。以
下図6を併用して説明する。
例のボンディングポストの選別装置の構成図であり、特
にボンディングポストの選別時の状態を示している。以
下図6を併用して説明する。
【0020】図4(a),(b)及び図6を参照すると
ボンディングポストの選別装置は、らせん状に形成され
振動によりボンディングポスト1を上部に送る第1搬送
部9Aと、この第1搬送部9Aに接続された直線状の第
2搬送部9Bと、第1搬送部9Aの終端部に設けられボ
ンディングポスト1の破断面2又はせん断面3を検出す
る発光素子及び受光素子を含む光センサ11と、この光
センサ11で検出した光量の値とあらかじめ記憶させて
おいた基準値とを比較する比較部12と、この比較部1
2からの信号によりコンプレッサを制御するコンプレッ
サ制御部と、この制御部13の信号により第1搬送部9
A上のボンディングポスト1を除く為の空気18を第1
搬送部にあけられた穴20に送るコンプレッサ14とか
ら主に構成されている。以下この選別装置の動作につい
て説明する。
ボンディングポストの選別装置は、らせん状に形成され
振動によりボンディングポスト1を上部に送る第1搬送
部9Aと、この第1搬送部9Aに接続された直線状の第
2搬送部9Bと、第1搬送部9Aの終端部に設けられボ
ンディングポスト1の破断面2又はせん断面3を検出す
る発光素子及び受光素子を含む光センサ11と、この光
センサ11で検出した光量の値とあらかじめ記憶させて
おいた基準値とを比較する比較部12と、この比較部1
2からの信号によりコンプレッサを制御するコンプレッ
サ制御部と、この制御部13の信号により第1搬送部9
A上のボンディングポスト1を除く為の空気18を第1
搬送部にあけられた穴20に送るコンプレッサ14とか
ら主に構成されている。以下この選別装置の動作につい
て説明する。
【0021】振動により第1搬送部9Aの端部の段差1
9の所にボンディングポスト1が送られてくると、その
側面の下部に光センサ11から光が照射されその反射光
が検出される。例えば、表面が下になっているボンディ
ングポスト1を選別して第2搬送部9Bに送る場合、反
射光が破断面(無光沢部)2からのものか否かを比較部
12によって判別し、せん断面(光沢部)3からのもの
であれば図4(a)に示したように、コンプレッサ14
を制御して空気18を穴20に送ってボンディングポス
ト1を除去する。一方図4(b)に示すように、ボンデ
ィングポスト1からの反射光が破断面2からのものであ
ればボンディングポスト1はそのまま第2搬送部9Bへ
送られ次工程に移される。
9の所にボンディングポスト1が送られてくると、その
側面の下部に光センサ11から光が照射されその反射光
が検出される。例えば、表面が下になっているボンディ
ングポスト1を選別して第2搬送部9Bに送る場合、反
射光が破断面(無光沢部)2からのものか否かを比較部
12によって判別し、せん断面(光沢部)3からのもの
であれば図4(a)に示したように、コンプレッサ14
を制御して空気18を穴20に送ってボンディングポス
ト1を除去する。一方図4(b)に示すように、ボンデ
ィングポスト1からの反射光が破断面2からのものであ
ればボンディングポスト1はそのまま第2搬送部9Bへ
送られ次工程に移される。
【0022】光センサ11から照射される光ビーム径を
0.1〜0.2mmとすると、ボンデングポスト1の側
面に形成される破断面2又はせん断面3の幅は0.3m
m以上が望ましい。0.3mm以下になると破断面2又
はせん断面3の幅のばらつきにより反射光検出に誤差を
生じ、ボンディングポスト1の選別精度が低下する。
0.1〜0.2mmとすると、ボンデングポスト1の側
面に形成される破断面2又はせん断面3の幅は0.3m
m以上が望ましい。0.3mm以下になると破断面2又
はせん断面3の幅のばらつきにより反射光検出に誤差を
生じ、ボンディングポスト1の選別精度が低下する。
【0023】このように本発明のボンディングポスト
は、その側面に幅0.3mm以上の破断面又はせ断面が
形成されてる為、光センサを有する選別装置により精度
良く選別することができる。又図5に示した従来のボン
ディングポスト1Aのように、裏面に大きな丸味を形成
する必要がない為、ボンディングポストの母材をセラミ
ック基板の線膨張率(約2.0×10-6/℃)に近い値
(約5.0×10-6/℃)のFe−Ni合金にすること
ができる。従って図8に示したように、ボンディングポ
スト1をセラミック基板21上に接続し冷熱サイクルを
行っても熱応力が小さい為、半田層6及び厚膜導体22
の熱疲労を抑えることができ、接続劣化を防止できる。
は、その側面に幅0.3mm以上の破断面又はせ断面が
形成されてる為、光センサを有する選別装置により精度
良く選別することができる。又図5に示した従来のボン
ディングポスト1Aのように、裏面に大きな丸味を形成
する必要がない為、ボンディングポストの母材をセラミ
ック基板の線膨張率(約2.0×10-6/℃)に近い値
(約5.0×10-6/℃)のFe−Ni合金にすること
ができる。従って図8に示したように、ボンディングポ
スト1をセラミック基板21上に接続し冷熱サイクルを
行っても熱応力が小さい為、半田層6及び厚膜導体22
の熱疲労を抑えることができ、接続劣化を防止できる。
【0024】尚、上記第2の実施例においては、ボンデ
ィングポスト1の表裏を判別したのち、空気を用いてボ
ンディングポストを除く場合について説明したが、これ
に限定されるものでなく、針状のものでボンディングポ
ストを突いて除去するようにしてもよい。
ィングポスト1の表裏を判別したのち、空気を用いてボ
ンディングポストを除く場合について説明したが、これ
に限定されるものでなく、針状のものでボンディングポ
ストを突いて除去するようにしてもよい。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、プレス金
型で打ち抜いて形成したボンディングポストの側面に幅
0.3mm以上の破断面(無光沢部)またはせん断面
(光沢部)を形成し、光センサでその光沢差を光学的に
検知することにより、誤判定なくボンディングポストの
表裏を判別することができる。従って集積回路装置への
実装による誤搭載を従来の0.5%から0%に改善する
ことができる。
型で打ち抜いて形成したボンディングポストの側面に幅
0.3mm以上の破断面(無光沢部)またはせん断面
(光沢部)を形成し、光センサでその光沢差を光学的に
検知することにより、誤判定なくボンディングポストの
表裏を判別することができる。従って集積回路装置への
実装による誤搭載を従来の0.5%から0%に改善する
ことができる。
【0026】また、ボンディングポストにアルミナセラ
ミック基板と同等の熱膨張率を有する材料が適用できる
為、厚膜混成集積回路に適用した場合、冷熱サイクルで
の熱疲労による接続部の劣化を少なくできるという効果
もある。
ミック基板と同等の熱膨張率を有する材料が適用できる
為、厚膜混成集積回路に適用した場合、冷熱サイクルで
の熱疲労による接続部の劣化を少なくできるという効果
もある。
【図1】本発明のボンディングポストの平面図、側面図
及びA−A線断面図。
及びA−A線断面図。
【図2】ボンディングポストを形成する為の金型の断面
図。
図。
【図3】ボンディングポストの厚さに対する破断面の幅
の割合と金型のクリアランスとの関係を示す図。
の割合と金型のクリアランスとの関係を示す図。
【図4】本発明のボンディングポストの選別装置の構成
図。
図。
【図5】従来のボンディングポストの平面図,側面図及
びB−B線断面図。
びB−B線断面図。
【図6】従来の選別装置の断面図。
【図7】従来のボンディングポストの選別方法を説明す
る為の断面図。
る為の断面図。
【図8】従来のボンディングポストを搭載した混成集積
回路の断面図。
回路の断面図。
1,1A ボンディングポスト 2 破断面 3 せん断面 4 Fe−Ni合金板 5 Al層 6 半田層 7 Al板 9 Cu層 9A 第1搬送部 9B 第2搬送部 10 回転振動部 11 光センサ 12 比較部 13 コンプレッサ制御部 14 コンプレッサ 15 複合材 16 ポンチ 17 ダイ 18 空気 19 段差 20 穴 21 アルミナセラミック基板 22 厚膜導体 23 半導体チップ 24 Al線
Claims (2)
- 【請求項1】 Fe−Ni合金板を母材とし、その一方
の面にAl層を他方の面に半田層を被着した複合材をプ
レス金型により打ち抜いて形成したボンディングポスト
において、打ち抜きにより少くとも幅0.3mmのせん
断面又は破断面を側面の周囲全体に設けたことを特徴と
するボンディングポスト。 - 【請求項2】 らせん状に形成され振動によりボンディ
ングポストを上部に送る第1搬送部と、この第1搬送部
に接続された直線状の第2搬送部とを有し、ボンディン
グポストの表面をそろえて送るボンディングポストの選
別装置において、前記ボンディングポストのせん断面又
は破断面を検出する光センサを含む表裏判別手段を前記
第1搬送部の終端部に設けたことを特徴とするボンディ
ングポストの選別装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7163899A JP2624220B2 (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | ボンディングポスト及びその選別装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7163899A JP2624220B2 (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | ボンディングポスト及びその選別装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917929A true JPH0917929A (ja) | 1997-01-17 |
| JP2624220B2 JP2624220B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=15782939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7163899A Expired - Fee Related JP2624220B2 (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | ボンディングポスト及びその選別装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2624220B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7322075B2 (en) * | 2004-02-25 | 2008-01-29 | Ykk Corporation | Metallic slide fastener element and method for manufacturing the same |
| CN113517255A (zh) * | 2021-04-23 | 2021-10-19 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构及其制作方法 |
-
1995
- 1995-06-29 JP JP7163899A patent/JP2624220B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7322075B2 (en) * | 2004-02-25 | 2008-01-29 | Ykk Corporation | Metallic slide fastener element and method for manufacturing the same |
| CN113517255A (zh) * | 2021-04-23 | 2021-10-19 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构及其制作方法 |
| CN113517255B (zh) * | 2021-04-23 | 2023-09-22 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2624220B2 (ja) | 1997-06-25 |
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