JPH0918062A - 超電導磁石装置 - Google Patents
超電導磁石装置Info
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- JPH0918062A JPH0918062A JP7162073A JP16207395A JPH0918062A JP H0918062 A JPH0918062 A JP H0918062A JP 7162073 A JP7162073 A JP 7162073A JP 16207395 A JP16207395 A JP 16207395A JP H0918062 A JPH0918062 A JP H0918062A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】永久電流スイッチの動作に伴って発生する熱が
超電導コイルの配置場に熱負荷として侵入するのを防止
できる超電導磁石装置を提供する。 【構成】超電導コイル2は蓄冷式冷凍機4の第2段冷却
ステージ6によって第1の温度レベルに冷却される。超
電導コイル2の両端には該コイルより高い超電導転移温
度の超電導体で形成され、電流リード21の一部を構成
する電流リード要素23a,23bの一端側が接続され
ている。電流リード要素23a,23bの他端側間には
該要素と同じ超電導体で形成された永久電流スイッチ要
素32が接続され、該要素32および要素23a、23
bの他端側は蓄冷式冷凍機4の第1段冷却ステージ5に
よって第1の温度レベルより高く、上記要素の超電導転
移温度より低い第2の温度レベルに冷却される。永久電
流スイッチ要素32の近くにはこれを選択的に常電導転
移させるための電気ヒータ33が配置されている。
超電導コイルの配置場に熱負荷として侵入するのを防止
できる超電導磁石装置を提供する。 【構成】超電導コイル2は蓄冷式冷凍機4の第2段冷却
ステージ6によって第1の温度レベルに冷却される。超
電導コイル2の両端には該コイルより高い超電導転移温
度の超電導体で形成され、電流リード21の一部を構成
する電流リード要素23a,23bの一端側が接続され
ている。電流リード要素23a,23bの他端側間には
該要素と同じ超電導体で形成された永久電流スイッチ要
素32が接続され、該要素32および要素23a、23
bの他端側は蓄冷式冷凍機4の第1段冷却ステージ5に
よって第1の温度レベルより高く、上記要素の超電導転
移温度より低い第2の温度レベルに冷却される。永久電
流スイッチ要素32の近くにはこれを選択的に常電導転
移させるための電気ヒータ33が配置されている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、永久電流スイッチを備
えた超電導磁石装置に関する。
えた超電導磁石装置に関する。
【0002】
【従来の技術】周知のように、現在実用化されている超
電導磁石装置の多くは、断熱容器内に超電導コイルと液
体ヘリウムで代表される極低温冷媒とを一緒に収容する
浸漬冷却方式を採用するとともに断熱容器の断熱層中に
設けられたサーマルシールドを極低温冷凍機で冷却する
方式を採用している。また、最近では極低温下での比熱
特性に優れた蓄冷材の出現に伴って断熱容器内に収容さ
れている超電導コイルを蓄冷式冷凍機で直接的に冷却す
る冷凍機直冷式の超電導磁石装置も実用化されつつあ
る。
電導磁石装置の多くは、断熱容器内に超電導コイルと液
体ヘリウムで代表される極低温冷媒とを一緒に収容する
浸漬冷却方式を採用するとともに断熱容器の断熱層中に
設けられたサーマルシールドを極低温冷凍機で冷却する
方式を採用している。また、最近では極低温下での比熱
特性に優れた蓄冷材の出現に伴って断熱容器内に収容さ
れている超電導コイルを蓄冷式冷凍機で直接的に冷却す
る冷凍機直冷式の超電導磁石装置も実用化されつつあ
る。
【0003】図4には超電導コイルを蓄冷式冷凍機で直
接的に冷却するようにした従来の冷凍機直冷式の超電導
磁石装置が示されている。この超電導磁石装置では、断
熱容器として真空容器1が用いられている。真空容器1
内には超電導転移温度が15K程度であるNb・Ti等
の合金系超電導体あるいはNb3 Sn等の化合物系超電
導体で形成された超電導コイル2が配置され、さらに超
電導コイル2を包囲するように非磁性金属材で形成され
たサーマルシールド3が配置されている。
接的に冷却するようにした従来の冷凍機直冷式の超電導
磁石装置が示されている。この超電導磁石装置では、断
熱容器として真空容器1が用いられている。真空容器1
内には超電導転移温度が15K程度であるNb・Ti等
の合金系超電導体あるいはNb3 Sn等の化合物系超電
導体で形成された超電導コイル2が配置され、さらに超
電導コイル2を包囲するように非磁性金属材で形成され
たサーマルシールド3が配置されている。
【0004】そして、一部が真空容器1内に位置し、残
りが真空容器1外に位置するように蓄冷式冷凍機、たと
えばギフォード・マクマホン冷凍機(以後、GM冷凍機
と略称する。)4を設け、このGM冷凍機4の第1段冷
却ステージ5をサーマルシールド3に熱的に接続し、こ
のサーマルシールド3を50K程度に冷却している。ま
たGM冷凍機4の第2段冷却ステージ(最終段冷却ステ
ージ)6を銅材などで形成された熱伝導部材7,8を介
して超電導コイル2に熱的に接続し、この超電導コイル
2を4K程度に冷却している。なお、この図では超電導
コイル2やサーマルシールド3の位置保持手段が省略さ
れている。
りが真空容器1外に位置するように蓄冷式冷凍機、たと
えばギフォード・マクマホン冷凍機(以後、GM冷凍機
と略称する。)4を設け、このGM冷凍機4の第1段冷
却ステージ5をサーマルシールド3に熱的に接続し、こ
のサーマルシールド3を50K程度に冷却している。ま
たGM冷凍機4の第2段冷却ステージ(最終段冷却ステ
ージ)6を銅材などで形成された熱伝導部材7,8を介
して超電導コイル2に熱的に接続し、この超電導コイル
2を4K程度に冷却している。なお、この図では超電導
コイル2やサーマルシールド3の位置保持手段が省略さ
れている。
【0005】ここで、GM冷凍機4の構成および冷凍動
作を簡単に説明すると、以下の通りである。この図に示
されているGM冷凍機4は、2段膨張式に構成されてお
り、第1段冷凍部10と第2段冷凍部11とを備えてい
る。第1段冷凍部10内および第2段冷凍部11内には
それぞれ蓄冷器を保持したディスプレーサ12,13が
収容されており、これらディスプレーサ12,13はモ
ータ14の回転に同期して一体に図中上下方向に往復駆
動される。そして、第1段冷凍部10に設けられた第1
段冷却ステージ5がサーマルシールド3に熱的に接続さ
れており、また第2段冷凍部11に設けられた第2段冷
却ステージ6が熱伝導部材7に熱的に接続されている。
なお、ディスプレーサ12が保持している蓄冷器の蓄冷
材としては銅材のメッシュなどが用いられており、ディ
スプレーサ13が保持している蓄冷器の蓄冷材としては
Er3 Ni等からなる磁気相転移に伴う異常磁気比熱等
を利用した磁性蓄冷材などが用いられている。
作を簡単に説明すると、以下の通りである。この図に示
されているGM冷凍機4は、2段膨張式に構成されてお
り、第1段冷凍部10と第2段冷凍部11とを備えてい
る。第1段冷凍部10内および第2段冷凍部11内には
それぞれ蓄冷器を保持したディスプレーサ12,13が
収容されており、これらディスプレーサ12,13はモ
ータ14の回転に同期して一体に図中上下方向に往復駆
動される。そして、第1段冷凍部10に設けられた第1
段冷却ステージ5がサーマルシールド3に熱的に接続さ
れており、また第2段冷凍部11に設けられた第2段冷
却ステージ6が熱伝導部材7に熱的に接続されている。
なお、ディスプレーサ12が保持している蓄冷器の蓄冷
材としては銅材のメッシュなどが用いられており、ディ
スプレーサ13が保持している蓄冷器の蓄冷材としては
Er3 Ni等からなる磁気相転移に伴う異常磁気比熱等
を利用した磁性蓄冷材などが用いられている。
【0006】モータ14を回転開始させると、ディスプ
レーサ12,13が往復動作を開始する。これに同期し
て高圧弁15,低圧弁16が開閉動作して冷凍機として
の運転が開始される。すなわち、ディスプレーサ12,
13が上死点(図中最下点)に達した時点で高圧弁15
が開き、コンプレッサ17から送り出された高圧ヘリウ
ムガスが第1段冷凍部10および第2段冷凍部11内に
流入する。ディスプレーサ12,13が下死点(図中最
上点)へと移動すると、流入している高圧ヘリウムガス
がディスプレーサ12,13に保持されている蓄冷器の
蓄冷材に接触して冷却される。ディスプレーサ12,1
3が下死点に達すると、高圧弁15が閉じ、低圧弁16
が開く。低圧弁16が開くと、第1段膨張室18内およ
び第2段膨張室19内の高圧ヘリウムガスが断熱膨張し
て寒冷を発生する。この寒冷によって第1段冷却ステー
ジ5が外部から吸熱し、また第2段冷却ステージ6も外
部から吸熱する。そして、ディスプレーサ12,13が
再び上死点へと移動すると、これに伴って第1段膨張室
18内および第2段膨張室19内の低温のヘリウムガス
が各蓄冷器に保持されている蓄冷材に接触してこれらを
冷却する。温度の上昇したヘリウムガスは、低圧弁16
を介してコンプレッサ17へと排出される。上述したサ
イクルが繰り返されてサーマルシールド3が50K程度
に、また超電導コイル2が4K程度に冷却される。
レーサ12,13が往復動作を開始する。これに同期し
て高圧弁15,低圧弁16が開閉動作して冷凍機として
の運転が開始される。すなわち、ディスプレーサ12,
13が上死点(図中最下点)に達した時点で高圧弁15
が開き、コンプレッサ17から送り出された高圧ヘリウ
ムガスが第1段冷凍部10および第2段冷凍部11内に
流入する。ディスプレーサ12,13が下死点(図中最
上点)へと移動すると、流入している高圧ヘリウムガス
がディスプレーサ12,13に保持されている蓄冷器の
蓄冷材に接触して冷却される。ディスプレーサ12,1
3が下死点に達すると、高圧弁15が閉じ、低圧弁16
が開く。低圧弁16が開くと、第1段膨張室18内およ
び第2段膨張室19内の高圧ヘリウムガスが断熱膨張し
て寒冷を発生する。この寒冷によって第1段冷却ステー
ジ5が外部から吸熱し、また第2段冷却ステージ6も外
部から吸熱する。そして、ディスプレーサ12,13が
再び上死点へと移動すると、これに伴って第1段膨張室
18内および第2段膨張室19内の低温のヘリウムガス
が各蓄冷器に保持されている蓄冷材に接触してこれらを
冷却する。温度の上昇したヘリウムガスは、低圧弁16
を介してコンプレッサ17へと排出される。上述したサ
イクルが繰り返されてサーマルシールド3が50K程度
に、また超電導コイル2が4K程度に冷却される。
【0007】一方、超電導コイル2には、この超電導コ
イル2に真空容器1外から電流を供給するための電流リ
ード21が接続されている。この電流リード21は、温
度レベル範囲に対応させて使用材料が異なっている。す
なわち、室温から50Kレベルまでの範囲ではリン脱酸
銅等の銅製の電流リード要素22a,22bが用いられ
ており、50K以下の温度範囲では超電導転移温度がサ
ーマルシールド3の温度より高い、たとえばビスマス系
の酸化物超電導体(超電導転移温度が約130K)製の
電流リード要素23a,23bが用いられている。そし
て、電流リード要素22a,22bにおけるサーマルシ
ールド3を貫通する部分および真空容器1の壁を貫通す
る部分はブッシング構成に形成されている。また、電流
リード要素22a,22bにおける電流リード要素23
a,23bに近い部分は、表面が窒化アルミニウムのよ
うに熱伝導性および電気絶縁性に優れた部材で覆われた
サーマルアンカ24a,24bを介してサーマルシール
ド3に熱的に接続されている。この構成によって、電流
リード要素23a,23bは、全体が超電導転移温度以
下、つまり図中上端部が50K程度に、また図中下端部
が4K程度に保持される。
イル2に真空容器1外から電流を供給するための電流リ
ード21が接続されている。この電流リード21は、温
度レベル範囲に対応させて使用材料が異なっている。す
なわち、室温から50Kレベルまでの範囲ではリン脱酸
銅等の銅製の電流リード要素22a,22bが用いられ
ており、50K以下の温度範囲では超電導転移温度がサ
ーマルシールド3の温度より高い、たとえばビスマス系
の酸化物超電導体(超電導転移温度が約130K)製の
電流リード要素23a,23bが用いられている。そし
て、電流リード要素22a,22bにおけるサーマルシ
ールド3を貫通する部分および真空容器1の壁を貫通す
る部分はブッシング構成に形成されている。また、電流
リード要素22a,22bにおける電流リード要素23
a,23bに近い部分は、表面が窒化アルミニウムのよ
うに熱伝導性および電気絶縁性に優れた部材で覆われた
サーマルアンカ24a,24bを介してサーマルシール
ド3に熱的に接続されている。この構成によって、電流
リード要素23a,23bは、全体が超電導転移温度以
下、つまり図中上端部が50K程度に、また図中下端部
が4K程度に保持される。
【0008】また、超電導コイル2の両端間には永久電
流スイッチ25が接続されている。この永久電流スイッ
チ25は、超電導コイル2を形成している超電導体と同
じ超電導体で形成されて超電導コイル2の両端間に接続
された永久電流スイッチ要素26と、この永久電流スイ
ッチ要素26に選択的に熱を加えて常電導転移状態(オ
フ状態)にさせる電気ヒータ27とで構成されている。
なお、電気ヒータ27の両端は図示しないリード線を介
して真空容器1の外部に導かれている。
流スイッチ25が接続されている。この永久電流スイッ
チ25は、超電導コイル2を形成している超電導体と同
じ超電導体で形成されて超電導コイル2の両端間に接続
された永久電流スイッチ要素26と、この永久電流スイ
ッチ要素26に選択的に熱を加えて常電導転移状態(オ
フ状態)にさせる電気ヒータ27とで構成されている。
なお、電気ヒータ27の両端は図示しないリード線を介
して真空容器1の外部に導かれている。
【0009】電気ヒータ27が付勢されていないときに
は、永久電流スイッチ要素26は第2段冷却ステージ6
によって4K程度に冷却され、超電導転移状態(オン状
態)に保持される。したがって、電気ヒータ27の付勢
および付勢停止によって永久電流スイッチ25をオン、
オフさせることができる。すなわち、電流リード21を
介して超電導コイル2を励磁したり、消磁したりすると
きには電気ヒータ27を付勢することによって永久電流
スイッチ25をオフさせればよい。また、励磁状態にお
いて電気ヒータ27の付勢を停止し、永久電流スイッチ
25をオンさせることによって超電導コイル2を永久電
流モードに移行させることができる。
は、永久電流スイッチ要素26は第2段冷却ステージ6
によって4K程度に冷却され、超電導転移状態(オン状
態)に保持される。したがって、電気ヒータ27の付勢
および付勢停止によって永久電流スイッチ25をオン、
オフさせることができる。すなわち、電流リード21を
介して超電導コイル2を励磁したり、消磁したりすると
きには電気ヒータ27を付勢することによって永久電流
スイッチ25をオフさせればよい。また、励磁状態にお
いて電気ヒータ27の付勢を停止し、永久電流スイッチ
25をオンさせることによって超電導コイル2を永久電
流モードに移行させることができる。
【0010】しかしながら、上記のように構成された従
来の超電導磁石装置にあっては、次のような問題があっ
た。すなわち、永久電流スイッチ25をオフさせるため
に電気ヒータ27を付勢すると、この電気ヒータ27で
発生した余剰熱は、結果的に第2段冷却ステージ6の熱
負荷を増加させることになる。第2段冷却ステージ6の
冷凍能力は、第1段冷却ステージ5のそれより大幅に小
さい。このため、電気ヒータ27の発生熱量が小さい場
合であっても、第2段冷却ステージ6の温度を上昇させ
てしまい、これが原因して超電導コイル2を常電導転移
(クエンチ)させてしまうことが往々にしてあった。
来の超電導磁石装置にあっては、次のような問題があっ
た。すなわち、永久電流スイッチ25をオフさせるため
に電気ヒータ27を付勢すると、この電気ヒータ27で
発生した余剰熱は、結果的に第2段冷却ステージ6の熱
負荷を増加させることになる。第2段冷却ステージ6の
冷凍能力は、第1段冷却ステージ5のそれより大幅に小
さい。このため、電気ヒータ27の発生熱量が小さい場
合であっても、第2段冷却ステージ6の温度を上昇させ
てしまい、これが原因して超電導コイル2を常電導転移
(クエンチ)させてしまうことが往々にしてあった。
【0011】この現象は、コイルを使って永久電流スイ
ッチ要素に臨界磁界以上の磁場を印加したり、磁場の印
加を停止したりすることによってオフ、オンするタイプ
の永久電流スイッチを組み込んだ超電導磁石装置につい
ても同じである。すなわち、磁場を印加するためにコイ
ルに電流を流すとコイルが発熱するので、この発熱が第
2段冷却ステージの熱負荷を増加させることになる。ま
た、液体ヘリウムで代表される極低温液中に超電導コイ
ルを浸漬して冷却する浸漬冷却方式を採用した超電導磁
石装置にあっても同様のことがいえる。この場合には、
超電導コイルが極低温液によって囲まれているので、永
久電流スイッチをオフさせる際に発生した熱で超電導コ
イルがクエンチするようなことはほとんどないが、永久
電流スイッチのオフ時に発生した熱で極低温液の蒸発量
増加を招くことになる。
ッチ要素に臨界磁界以上の磁場を印加したり、磁場の印
加を停止したりすることによってオフ、オンするタイプ
の永久電流スイッチを組み込んだ超電導磁石装置につい
ても同じである。すなわち、磁場を印加するためにコイ
ルに電流を流すとコイルが発熱するので、この発熱が第
2段冷却ステージの熱負荷を増加させることになる。ま
た、液体ヘリウムで代表される極低温液中に超電導コイ
ルを浸漬して冷却する浸漬冷却方式を採用した超電導磁
石装置にあっても同様のことがいえる。この場合には、
超電導コイルが極低温液によって囲まれているので、永
久電流スイッチをオフさせる際に発生した熱で超電導コ
イルがクエンチするようなことはほとんどないが、永久
電流スイッチのオフ時に発生した熱で極低温液の蒸発量
増加を招くことになる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、永久電流
スイッチを備えた従来の超電導磁石装置にあっては、永
久電流スイッチをオフさせるときに発生した熱が超電導
コイルの配置場における熱負荷を増加させるように作用
し、これが原因して超電導コイルをクエンチさせたり、
超電導コイルを冷却する極低温液の蒸発量を増加させた
りするなどの問題があった。
スイッチを備えた従来の超電導磁石装置にあっては、永
久電流スイッチをオフさせるときに発生した熱が超電導
コイルの配置場における熱負荷を増加させるように作用
し、これが原因して超電導コイルをクエンチさせたり、
超電導コイルを冷却する極低温液の蒸発量を増加させた
りするなどの問題があった。
【0013】そこで本発明は、永久電流スイッチを動作
させたときに発生する熱が超電導コイルの配置場に熱負
荷として侵入するのを防止でき、もって装置としての経
済性および信頼性を向上できる超電導磁石装置を提供す
ることを目的としている。
させたときに発生する熱が超電導コイルの配置場に熱負
荷として侵入するのを防止でき、もって装置としての経
済性および信頼性を向上できる超電導磁石装置を提供す
ることを目的としている。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る超電導磁石装置は、超電導コイルと、
この超電導コイルを超電導転移温度以下の第1の温度レ
ベルに冷却する第1の冷却手段と、それぞれが前記超電
導コイルの超電導転移温度より高い超電導転移温度の超
電導体で形成され、それぞれの一端側が前記超電導コイ
ルに接続されて上記超電導コイルへ電流を供給する電流
リードの一部を構成する一対の電流リード要素と、前記
超電導コイルの超電導転移温度より高い超電導転移温度
の超電導体で形成され、前記一対の電流リード要素の他
端側間に接続された永久電流スイッチ要素と、この永久
電流スイッチ要素および前記一対の電流リード要素の他
端側を前記第1の温度レベルより高く、かつ上記一対の
電流リード要素および上記永久電流スイッチ要素の超電
導転移温度より低い第2の温度レベルに冷却する第2の
冷却手段と、前記永久電流スイッチ要素を選択的に常電
導転移させる手段とを備えている。
に、本発明に係る超電導磁石装置は、超電導コイルと、
この超電導コイルを超電導転移温度以下の第1の温度レ
ベルに冷却する第1の冷却手段と、それぞれが前記超電
導コイルの超電導転移温度より高い超電導転移温度の超
電導体で形成され、それぞれの一端側が前記超電導コイ
ルに接続されて上記超電導コイルへ電流を供給する電流
リードの一部を構成する一対の電流リード要素と、前記
超電導コイルの超電導転移温度より高い超電導転移温度
の超電導体で形成され、前記一対の電流リード要素の他
端側間に接続された永久電流スイッチ要素と、この永久
電流スイッチ要素および前記一対の電流リード要素の他
端側を前記第1の温度レベルより高く、かつ上記一対の
電流リード要素および上記永久電流スイッチ要素の超電
導転移温度より低い第2の温度レベルに冷却する第2の
冷却手段と、前記永久電流スイッチ要素を選択的に常電
導転移させる手段とを備えている。
【0015】なお、前記超電導コイルが合金系超電導体
または化合物系超電導体、つまり超電導転移させるのに
液体ヘリウム温度近くまで冷却しなければならない超電
導体で形成されている場合には、液体窒素温度の冷却で
超電導転移させることのできる酸化物超電導体で前記一
対の電流リード要素および前記永久電流スイッチ要素を
形成することが好ましい。
または化合物系超電導体、つまり超電導転移させるのに
液体ヘリウム温度近くまで冷却しなければならない超電
導体で形成されている場合には、液体窒素温度の冷却で
超電導転移させることのできる酸化物超電導体で前記一
対の電流リード要素および前記永久電流スイッチ要素を
形成することが好ましい。
【0016】また、前記第1の冷却手段は、前記第1の
温度レベルの液体あるいはガスの冷媒を有し、該液体あ
るいはガスの冷媒で前記超電導コイルを直接的または間
接的に冷却する冷却系統で構成されていてもよい。同様
に、前記第2の冷却手段は、前記第2の温度レベルの液
体あるいはガスの冷媒を有し、該液体あるいはガスの冷
媒で前記永久電流スイッチ要素および前記一対の電流リ
ード要素の他端側を直接的または間接的に冷却する冷却
系統で構成されていてもよい。
温度レベルの液体あるいはガスの冷媒を有し、該液体あ
るいはガスの冷媒で前記超電導コイルを直接的または間
接的に冷却する冷却系統で構成されていてもよい。同様
に、前記第2の冷却手段は、前記第2の温度レベルの液
体あるいはガスの冷媒を有し、該液体あるいはガスの冷
媒で前記永久電流スイッチ要素および前記一対の電流リ
ード要素の他端側を直接的または間接的に冷却する冷却
系統で構成されていてもよい。
【0017】さらに、前記第1の冷却手段は蓄冷器を備
えた複数段膨張式の蓄冷式冷凍機における最終段冷却ス
テージを吸熱源として前記超電導コイルを冷却する第1
の吸熱系によって構成され、前記第2の冷却手段は上記
蓄冷式冷凍機の前記最終段以外の冷却ステージを吸熱源
とする第2の吸熱系によって構成されていてもよい。
えた複数段膨張式の蓄冷式冷凍機における最終段冷却ス
テージを吸熱源として前記超電導コイルを冷却する第1
の吸熱系によって構成され、前記第2の冷却手段は上記
蓄冷式冷凍機の前記最終段以外の冷却ステージを吸熱源
とする第2の吸熱系によって構成されていてもよい。
【0018】ここで、上記第1の吸熱系は、上記最終段
冷却ステージと上記超電導コイルとを熱的に接続する熱
伝導部材を備え、超電導コイルを直接冷却する構成でも
よい。また、前記第2の冷却手段は、前記超電導コイル
の配置場への熱侵入を阻止するサーマルシールドの冷却
も兼ねている構成でもよい。
冷却ステージと上記超電導コイルとを熱的に接続する熱
伝導部材を備え、超電導コイルを直接冷却する構成でも
よい。また、前記第2の冷却手段は、前記超電導コイル
の配置場への熱侵入を阻止するサーマルシールドの冷却
も兼ねている構成でもよい。
【0019】
【作用】超電導コイルは第1の冷却手段によって超電導
転移温度以下の第1の温度レベルに冷却される。一方、
一対の電流リード要素と永久電流スイッチ要素とは超電
導コイルの超電導転移温度より高い超電導転移温度の超
電導体で形成されている。そして、これら一対の電流リ
ード要素の他端側と永久電流スイッチ要素とは第2の冷
却手段によって前記第1の温度レベルより高く、かつ上
記一対の電流リード要素および上記永久電流スイッチ要
素の超電導転移温度より低い第2の温度レベルに冷却さ
れる。
転移温度以下の第1の温度レベルに冷却される。一方、
一対の電流リード要素と永久電流スイッチ要素とは超電
導コイルの超電導転移温度より高い超電導転移温度の超
電導体で形成されている。そして、これら一対の電流リ
ード要素の他端側と永久電流スイッチ要素とは第2の冷
却手段によって前記第1の温度レベルより高く、かつ上
記一対の電流リード要素および上記永久電流スイッチ要
素の超電導転移温度より低い第2の温度レベルに冷却さ
れる。
【0020】今、第1の温度レベルを4Kとし、第2の
温度レベルを50Kとすると、超電導コイルは第1の冷
却手段によって4Kに冷却され、永久電流スイッチ要素
は第2の冷却手段によって50Kに冷却されることにな
る。一般に、冷却手段による冷凍能力は、温度によって
左右され、温度が高い程大きい。上記の温度関係の場合
には、第1の冷却手段の冷凍能力に比べて第2の冷却手
段の冷凍能力の方がはるかに大きい。このため、超電導
スイッチ要素を選択的に常電導転移させる手段を動作さ
せたときに発熱が生じても、この発熱は冷凍能力の大き
い第2の冷却手段によって速やかに吸収され、第1の冷
却手段の熱負荷となることは少ない。したがって、永久
電流スイッチを動作させたときに発生する熱が超電導コ
イルの配置場に熱負荷として侵入するのを防止すること
が可能となる。
温度レベルを50Kとすると、超電導コイルは第1の冷
却手段によって4Kに冷却され、永久電流スイッチ要素
は第2の冷却手段によって50Kに冷却されることにな
る。一般に、冷却手段による冷凍能力は、温度によって
左右され、温度が高い程大きい。上記の温度関係の場合
には、第1の冷却手段の冷凍能力に比べて第2の冷却手
段の冷凍能力の方がはるかに大きい。このため、超電導
スイッチ要素を選択的に常電導転移させる手段を動作さ
せたときに発熱が生じても、この発熱は冷凍能力の大き
い第2の冷却手段によって速やかに吸収され、第1の冷
却手段の熱負荷となることは少ない。したがって、永久
電流スイッチを動作させたときに発生する熱が超電導コ
イルの配置場に熱負荷として侵入するのを防止すること
が可能となる。
【0021】
【実施例】以下、図面を参照しながら実施例を説明す
る。図1には本発明の一実施例に係る超電導磁石装置、
ここには冷凍機直冷式の超電導磁石装置に本発明を適用
した例が示されている。なお、この図では図4と同一機
能部分が同一符号で示されている。したがって、重複す
る部分の詳しい説明は省略する。
る。図1には本発明の一実施例に係る超電導磁石装置、
ここには冷凍機直冷式の超電導磁石装置に本発明を適用
した例が示されている。なお、この図では図4と同一機
能部分が同一符号で示されている。したがって、重複す
る部分の詳しい説明は省略する。
【0022】真空容器1内に配置されている超電導コイ
ル2は、超電導転移温度が8〜15K程度であるNb・
Ti等の合金系超電導体あるいはNb3 Sn等の化合物
系超電導体で形成されている。そして、GM冷凍機4の
第1段冷却ステージ5を吸熱源としてサーマルシールド
3が50K程度(第2の温度レベル)に冷却され、また
GM冷凍機4の第2段冷却ステージ(最終段冷却ステー
ジ)6を吸熱源として超電導コイル2が4K程度(第1
の温度レベル)に冷却される。
ル2は、超電導転移温度が8〜15K程度であるNb・
Ti等の合金系超電導体あるいはNb3 Sn等の化合物
系超電導体で形成されている。そして、GM冷凍機4の
第1段冷却ステージ5を吸熱源としてサーマルシールド
3が50K程度(第2の温度レベル)に冷却され、また
GM冷凍機4の第2段冷却ステージ(最終段冷却ステー
ジ)6を吸熱源として超電導コイル2が4K程度(第1
の温度レベル)に冷却される。
【0023】一方、超電導コイル2には、この超電導コ
イル2に真空容器1外から電流を供給するための電流リ
ード21が接続されている。この電流リード21は、温
度レベル範囲に対応させて使用材料が異なっている。す
なわち、室温から50Kレベルまでの範囲ではリン脱酸
銅等の銅製の電流リード要素22a,22bが用いられ
ており、50K以下の温度範囲では超電導転移温度がサ
ーマルシールド3の温度より高い、たとえばビスマス系
の酸化物超電導体(超電導転移温度が約130K)製の
電流リード要素23a,23bが用いられている。電流
リード要素22a,22bにおけるサーマルシールド3
を貫通する部分および真空容器1の壁を貫通する部分は
ブッシング構成に形成されている。電流リード要素22
a,22bにおける電流リード要素23a,23bに近
い部分は、表面が窒化アルミニウムのように熱伝導性お
よび電気絶縁性に優れた部材で覆われたサーマルアンカ
24a,24bを介してサーマルシールド3に熱的に接
続されている。この構成によって、電流リード要素23
a,23bは、全体が超電導転移温度以下、つまり図中
上端部が50K程度(第2の温度レベル)に、また図中
下端部が4K程度(第1の温度レベル)に保持される。
イル2に真空容器1外から電流を供給するための電流リ
ード21が接続されている。この電流リード21は、温
度レベル範囲に対応させて使用材料が異なっている。す
なわち、室温から50Kレベルまでの範囲ではリン脱酸
銅等の銅製の電流リード要素22a,22bが用いられ
ており、50K以下の温度範囲では超電導転移温度がサ
ーマルシールド3の温度より高い、たとえばビスマス系
の酸化物超電導体(超電導転移温度が約130K)製の
電流リード要素23a,23bが用いられている。電流
リード要素22a,22bにおけるサーマルシールド3
を貫通する部分および真空容器1の壁を貫通する部分は
ブッシング構成に形成されている。電流リード要素22
a,22bにおける電流リード要素23a,23bに近
い部分は、表面が窒化アルミニウムのように熱伝導性お
よび電気絶縁性に優れた部材で覆われたサーマルアンカ
24a,24bを介してサーマルシールド3に熱的に接
続されている。この構成によって、電流リード要素23
a,23bは、全体が超電導転移温度以下、つまり図中
上端部が50K程度(第2の温度レベル)に、また図中
下端部が4K程度(第1の温度レベル)に保持される。
【0024】この実施例の場合、電流リード要素23
a,23bの他端側、つまり電流リード22a,22b
との境界に近い部分に永久電流スイッチ31が接続され
ている。この永久電流スイッチ31は、電流リード要素
23a,23bを形成している超電導体と同じビスマス
系の酸化物超電導体で形成されて電流リード要素23
a,23bの他端側間に接続された永久電流スイッチ要
素32と、この永久電流スイッチ要素32に選択的に熱
を加えて常電導転移状態(オフ状態)にさせる電気ヒー
タ33とで構成されている。なお、電気ヒータ33の両
端は図示しないリード線を介して真空容器1の外部に導
かれている。
a,23bの他端側、つまり電流リード22a,22b
との境界に近い部分に永久電流スイッチ31が接続され
ている。この永久電流スイッチ31は、電流リード要素
23a,23bを形成している超電導体と同じビスマス
系の酸化物超電導体で形成されて電流リード要素23
a,23bの他端側間に接続された永久電流スイッチ要
素32と、この永久電流スイッチ要素32に選択的に熱
を加えて常電導転移状態(オフ状態)にさせる電気ヒー
タ33とで構成されている。なお、電気ヒータ33の両
端は図示しないリード線を介して真空容器1の外部に導
かれている。
【0025】前述の如く、電流リード22a,22bの
電流リード23a,23bとの境界部分がサーマルアン
カ24a,24bを介してサーマルシールド3に熱的に
接続されているので、永久電流スイッチ要素32もサー
マルシールド3と同じ50Kに冷却され、電気ヒータ3
3が付勢されていないときには超電導転移状態(オン状
態)に保持される。そして、電気ヒータ33が付勢され
て超電導転移温度を越えるレベルまで温度上昇すると、
永久電流スイッチ要素32は常電導転移状態(オフ状
態)となる。
電流リード23a,23bとの境界部分がサーマルアン
カ24a,24bを介してサーマルシールド3に熱的に
接続されているので、永久電流スイッチ要素32もサー
マルシールド3と同じ50Kに冷却され、電気ヒータ3
3が付勢されていないときには超電導転移状態(オン状
態)に保持される。そして、電気ヒータ33が付勢され
て超電導転移温度を越えるレベルまで温度上昇すると、
永久電流スイッチ要素32は常電導転移状態(オフ状
態)となる。
【0026】上記構成から判るように、蓄冷式冷凍機4
の第2段(最終段)冷却ステージ6と熱伝導部材7,8
とで、第2段冷却ステージ6を吸熱源として超電導コイ
ル2を4K(第1の温度レベル)に冷却するための第1
の冷却手段が構成されている。また、蓄冷式冷凍機4の
第1段冷却ステージ5とサーマルシールド3とサーマル
アンカ24a,24bとで、第1段冷却ステージ5を吸
熱源として永久電流スイッチ要素32および電流リード
要素23a,23bの他端側を50K(第2の温度レベ
ル)に冷却するための第2の冷却手段が構成されてい
る。
の第2段(最終段)冷却ステージ6と熱伝導部材7,8
とで、第2段冷却ステージ6を吸熱源として超電導コイ
ル2を4K(第1の温度レベル)に冷却するための第1
の冷却手段が構成されている。また、蓄冷式冷凍機4の
第1段冷却ステージ5とサーマルシールド3とサーマル
アンカ24a,24bとで、第1段冷却ステージ5を吸
熱源として永久電流スイッチ要素32および電流リード
要素23a,23bの他端側を50K(第2の温度レベ
ル)に冷却するための第2の冷却手段が構成されてい
る。
【0027】第1段冷却ステージ5の温度は第2段冷却
ステージ6のそれよりはるかに高い。したがって、第1
段冷却ステージ5の冷凍能力は、第2段冷却ステージ6
の冷凍能力に比べてはるかに大きい。この冷凍能力の大
きい第1の冷却ステージ5を吸熱源として永久電流スイ
ッチ要素32および電流リード要素23a,23bの他
端側が50K(第2の温度レベル)に冷却される。この
ため、永久電流スイッチ31をオフさせるために電気ヒ
ータ33を付勢したとき、この電気ヒータ33で発生し
た余剰発熱分はサーマルアンカ24a,24bおよびサ
ーマルシールド3を介して冷凍能力の大きい第1段冷却
ステージ5によって速やかに吸収され、第2段冷却ステ
ージ6の熱負荷となることは少ない。したがって、永久
電流スイッチ31を動作させたときに発生する熱が原因
で超電導コイル2がクエンチするのを防止することが可
能となる。
ステージ6のそれよりはるかに高い。したがって、第1
段冷却ステージ5の冷凍能力は、第2段冷却ステージ6
の冷凍能力に比べてはるかに大きい。この冷凍能力の大
きい第1の冷却ステージ5を吸熱源として永久電流スイ
ッチ要素32および電流リード要素23a,23bの他
端側が50K(第2の温度レベル)に冷却される。この
ため、永久電流スイッチ31をオフさせるために電気ヒ
ータ33を付勢したとき、この電気ヒータ33で発生し
た余剰発熱分はサーマルアンカ24a,24bおよびサ
ーマルシールド3を介して冷凍能力の大きい第1段冷却
ステージ5によって速やかに吸収され、第2段冷却ステ
ージ6の熱負荷となることは少ない。したがって、永久
電流スイッチ31を動作させたときに発生する熱が原因
で超電導コイル2がクエンチするのを防止することが可
能となる。
【0028】図2には本発明の別の実施例に係る超電導
磁石装置、ここにも冷凍機直冷式の超電導磁石装置に本
発明を適用した例が示されている。なお、この図では図
1と同一機能部分が同一符号で示されている。したがっ
て、重複する部分の詳しい説明は省略する。
磁石装置、ここにも冷凍機直冷式の超電導磁石装置に本
発明を適用した例が示されている。なお、この図では図
1と同一機能部分が同一符号で示されている。したがっ
て、重複する部分の詳しい説明は省略する。
【0029】この実施例が図1に示した実施例と異なる
点は、永久電流スイッチ31aの構成にある。永久電流
スイッチ31aは、超電導体に臨界磁界以上の磁場を印
加することによってオフ動作を行わせる磁場印加タイプ
に構成されている。
点は、永久電流スイッチ31aの構成にある。永久電流
スイッチ31aは、超電導体に臨界磁界以上の磁場を印
加することによってオフ動作を行わせる磁場印加タイプ
に構成されている。
【0030】すなわち、永久電流スイッチ31aは、電
流リード要素23a,23bを形成している超電導体と
同じビスマス系の酸化物超電導体で形成されて電流リー
ド要素23a,23bの他端側間に接続された永久電流
スイッチ要素32と、この永久電流スイッチ要素32の
回りに同心的に配置されて永久電流スイッチ要素32に
臨界磁界以上の磁場を選択的に印加して常電導転移(オ
フ状態)させるコイル34とで構成されている。なお、
コイル34は電流リード要素23a,23bを形成して
いる超電導体と同じビスマス系の酸化物超電導体で形成
されており、サーマルアンカ35を介してサーマルシー
ルド3に熱的に接続されている。また、コイル34の両
端は図示しないリード線を介して真空容器1の外部に導
かれている。
流リード要素23a,23bを形成している超電導体と
同じビスマス系の酸化物超電導体で形成されて電流リー
ド要素23a,23bの他端側間に接続された永久電流
スイッチ要素32と、この永久電流スイッチ要素32の
回りに同心的に配置されて永久電流スイッチ要素32に
臨界磁界以上の磁場を選択的に印加して常電導転移(オ
フ状態)させるコイル34とで構成されている。なお、
コイル34は電流リード要素23a,23bを形成して
いる超電導体と同じビスマス系の酸化物超電導体で形成
されており、サーマルアンカ35を介してサーマルシー
ルド3に熱的に接続されている。また、コイル34の両
端は図示しないリード線を介して真空容器1の外部に導
かれている。
【0031】このような構成であると、コイル34はサ
ーマルシールド3およびサーマルアンカ35を介して常
時、超電導転移温度以下に保持される。すなわち、コイ
ル34も超電導状態に保持される。そして、コイル34
に選択的に通電することによって永久電流スイッチ要素
32を常電導転移(オフ状態)させることができる。こ
の場合、コイル34に通電しても、コイル34での発熱
はないので、結局、永久電流スイッチ31aを動作させ
たときに発生した熱が原因で超電導コイル2がクエンチ
するのを防止することができる。
ーマルシールド3およびサーマルアンカ35を介して常
時、超電導転移温度以下に保持される。すなわち、コイ
ル34も超電導状態に保持される。そして、コイル34
に選択的に通電することによって永久電流スイッチ要素
32を常電導転移(オフ状態)させることができる。こ
の場合、コイル34に通電しても、コイル34での発熱
はないので、結局、永久電流スイッチ31aを動作させ
たときに発生した熱が原因で超電導コイル2がクエンチ
するのを防止することができる。
【0032】図3には本発明のさらに別の実施例に係る
超電導磁石装置、ここには浸漬冷却方式の超電導磁石装
置に本発明を適用した例が示されている。図中、41は
断熱容器を示している。この断熱容器41は、非磁性金
属材で形成された内槽42と、非磁性材で形成された外
槽43と、内・外槽間に形成された真空断熱層44と、
真空断熱層44内に内槽42を包囲するように設けられ
た非磁性金属材製のサーマルシールド45とを備えてい
る。
超電導磁石装置、ここには浸漬冷却方式の超電導磁石装
置に本発明を適用した例が示されている。図中、41は
断熱容器を示している。この断熱容器41は、非磁性金
属材で形成された内槽42と、非磁性材で形成された外
槽43と、内・外槽間に形成された真空断熱層44と、
真空断熱層44内に内槽42を包囲するように設けられ
た非磁性金属材製のサーマルシールド45とを備えてい
る。
【0033】内槽2内には極低温冷媒である液体ヘリウ
ム46が収容され、この液体ヘリウム46中に没するよ
うに超電導コイル47が配置されている。超電導コイル
47は、超電導転移温度が8〜15K程度であるNb・
Ti等の合金系超電導体あるいはNb3 Sn等の化合物
系超電導体で形成されている。なお、この図では内槽4
2へ液体ヘリウム46を注入するための注液管や、内槽
42内で発生したヘリウムガスを回収するための排気管
や、超電導コイル47の位置を保持する手段などが省略
されている。
ム46が収容され、この液体ヘリウム46中に没するよ
うに超電導コイル47が配置されている。超電導コイル
47は、超電導転移温度が8〜15K程度であるNb・
Ti等の合金系超電導体あるいはNb3 Sn等の化合物
系超電導体で形成されている。なお、この図では内槽4
2へ液体ヘリウム46を注入するための注液管や、内槽
42内で発生したヘリウムガスを回収するための排気管
や、超電導コイル47の位置を保持する手段などが省略
されている。
【0034】一方、輻射等によって内槽42内へ侵入し
ようとする熱を吸収して超電導コイル47の温度環境を
保持するための蓄冷式冷凍機49が設けられている。こ
の蓄冷式冷凍機49は、断熱容器41の内外に跨がる関
係に設けてあり、第1段冷凍部50と第2段冷凍部51
とを備えている。
ようとする熱を吸収して超電導コイル47の温度環境を
保持するための蓄冷式冷凍機49が設けられている。こ
の蓄冷式冷凍機49は、断熱容器41の内外に跨がる関
係に設けてあり、第1段冷凍部50と第2段冷凍部51
とを備えている。
【0035】第1段冷凍部50は、ギフォード・マクマ
ホン冷凍サイクルを採用しており、内部に蓄冷器を保持
したディスプレーサ52を有している。このディスプレ
ーサ52はモータ53の回転に同期して図中上下方向に
往復駆動される。そして、ディスプレーサ52が上死点
(図中最下点)に達した時点で高圧弁54が開き、コン
プレッサ55から送り出された高圧ヘリウムガスが第1
段冷凍部50内に流入する。また、ディスプレーサ52
が下死点(図中最上点)に達した時点で低圧弁56が開
き、第1段冷凍部50内の高圧ヘリウムガスを断熱膨張
させて第1段冷却ステージ57に寒冷を発生させる。す
なわち、この第1段冷凍部50は、1段のGM冷凍機を
構成し、第1段冷却ステージ57でサーマルシールド4
5を50K程度に冷却している。
ホン冷凍サイクルを採用しており、内部に蓄冷器を保持
したディスプレーサ52を有している。このディスプレ
ーサ52はモータ53の回転に同期して図中上下方向に
往復駆動される。そして、ディスプレーサ52が上死点
(図中最下点)に達した時点で高圧弁54が開き、コン
プレッサ55から送り出された高圧ヘリウムガスが第1
段冷凍部50内に流入する。また、ディスプレーサ52
が下死点(図中最上点)に達した時点で低圧弁56が開
き、第1段冷凍部50内の高圧ヘリウムガスを断熱膨張
させて第1段冷却ステージ57に寒冷を発生させる。す
なわち、この第1段冷凍部50は、1段のGM冷凍機を
構成し、第1段冷却ステージ57でサーマルシールド4
5を50K程度に冷却している。
【0036】一方、第2段冷凍部51は、ダブルインレ
ット方式のパルスチューブ冷凍サイクルを採用してい
る。すなわち、第1段冷凍部50における低温空間を配
管58、蓄冷器59、吸熱管60、パルスチューブ6
1、キャピラリーチューブ62を介して配管58に接続
するとともにパルスチューブ61の高温端空間をバッフ
ァータンク63に接続し、第2の冷却ステージ81を構
成する吸熱管60で4K程度の寒冷を発生させている。
そして、吸熱管60で内槽42を直接的に冷却してい
る。
ット方式のパルスチューブ冷凍サイクルを採用してい
る。すなわち、第1段冷凍部50における低温空間を配
管58、蓄冷器59、吸熱管60、パルスチューブ6
1、キャピラリーチューブ62を介して配管58に接続
するとともにパルスチューブ61の高温端空間をバッフ
ァータンク63に接続し、第2の冷却ステージ81を構
成する吸熱管60で4K程度の寒冷を発生させている。
そして、吸熱管60で内槽42を直接的に冷却してい
る。
【0037】超電導コイル47には、この超電導コイル
47に断熱容器41外から電流を供給するための電流リ
ード64が接続されている。この電流リード64は、温
度レベル範囲に対応させて使用材料が異なっている。す
なわち、室温から50Kレベルまでの範囲ではリン脱酸
銅等の銅製の電流リード要素65a,65bが用いられ
ており、50K以下の温度範囲では超電導転移温度がサ
ーマルシールド45の温度より高い、たとえビスマス系
の酸化物超電導体(超電導転移温度が約130K)製の
電流リード要素66a,66bが用いられている。そし
て、電流リード要素65a,65bにおける外槽43お
よびサーマルシールド45を貫通する部分はブッシング
構成に形成されている。同様に、超電導コイル47から
延び、内槽42の上壁を貫通する部分もブッシング構成
に形成されている。また、電流リード要素65a,65
bにおける電流リード要素66a,66bに近い部分
は、表面が窒化アルミニウムのように熱伝導性および電
気絶縁性に優れた部材で覆われたサーマルアンカ67
a,67bを介してサーマルシールド45に熱的に接続
されている。
47に断熱容器41外から電流を供給するための電流リ
ード64が接続されている。この電流リード64は、温
度レベル範囲に対応させて使用材料が異なっている。す
なわち、室温から50Kレベルまでの範囲ではリン脱酸
銅等の銅製の電流リード要素65a,65bが用いられ
ており、50K以下の温度範囲では超電導転移温度がサ
ーマルシールド45の温度より高い、たとえビスマス系
の酸化物超電導体(超電導転移温度が約130K)製の
電流リード要素66a,66bが用いられている。そし
て、電流リード要素65a,65bにおける外槽43お
よびサーマルシールド45を貫通する部分はブッシング
構成に形成されている。同様に、超電導コイル47から
延び、内槽42の上壁を貫通する部分もブッシング構成
に形成されている。また、電流リード要素65a,65
bにおける電流リード要素66a,66bに近い部分
は、表面が窒化アルミニウムのように熱伝導性および電
気絶縁性に優れた部材で覆われたサーマルアンカ67
a,67bを介してサーマルシールド45に熱的に接続
されている。
【0038】この構成によって、電流リード要素66
a,66bは、全体が超電導転移温度以下、つまり図中
上端部が50K程度(第2の温度レベル)に、また図中
下端部が4K程度(第1の温度レベル)に保持される。
a,66bは、全体が超電導転移温度以下、つまり図中
上端部が50K程度(第2の温度レベル)に、また図中
下端部が4K程度(第1の温度レベル)に保持される。
【0039】電流リード要素66a,66bの他端側、
つまり電流リード65a,65bとの境界に近い部分に
永久電流スイッチ70が接続されている。この永久電流
スイッチ70は、電流リード要素66a,66bを形成
している超電導体と同じビスマス系の酸化物超電導体で
形成されて電流リード要素66a,66bの他端側間に
接続された永久電流スイッチ要素71と、この永久電流
スイッチ要素71に選択的に熱を加えて常電導転移状態
(オフ状態)にさせる電気ヒータ72とで構成されてい
る。なお、電気ヒータ72の両端は図示しないリード線
を介して断熱容器41の外部に導かれている。
つまり電流リード65a,65bとの境界に近い部分に
永久電流スイッチ70が接続されている。この永久電流
スイッチ70は、電流リード要素66a,66bを形成
している超電導体と同じビスマス系の酸化物超電導体で
形成されて電流リード要素66a,66bの他端側間に
接続された永久電流スイッチ要素71と、この永久電流
スイッチ要素71に選択的に熱を加えて常電導転移状態
(オフ状態)にさせる電気ヒータ72とで構成されてい
る。なお、電気ヒータ72の両端は図示しないリード線
を介して断熱容器41の外部に導かれている。
【0040】上記構成から判るように、蓄冷式冷凍機4
9の第1段冷却ステージ57とサーマルシールド45と
サーマルアンカ67a,67bとで、第1段冷却ステー
ジ57を吸熱源として永久電流スイッチ要素71および
電流リード要素66a,66bの他端側を50K(第2
の温度レベル)に冷却するための第2の冷却手段が構成
されている。
9の第1段冷却ステージ57とサーマルシールド45と
サーマルアンカ67a,67bとで、第1段冷却ステー
ジ57を吸熱源として永久電流スイッチ要素71および
電流リード要素66a,66bの他端側を50K(第2
の温度レベル)に冷却するための第2の冷却手段が構成
されている。
【0041】第1段冷却ステージ57の温度は第2の冷
却ステージ81を構成している吸熱管60のそれよりは
るかに高い。したがって、第1段冷却ステージ57の冷
凍能力は、第2段冷却ステージ81の冷凍能力に比べて
はるかに大きい。この冷凍能力の大きい第1の冷却ステ
ージ57を吸熱源として永久電流スイッチ要素71およ
び電流リード要素66a,66bの他端側が50K(第
2の温度レベル)に冷却される。このため、永久電流ス
イッチ70をオフさせるために電気ヒータ72を付勢し
たとき、この電気ヒータ72で発生した余剰発熱分はサ
ーマルアンカ67a,67bおよびサーマルシールド4
5を介して冷凍能力の大きい第1段冷却ステージ57に
よって速やかに吸収され、液体ヘリウム46に対して熱
負荷となることは少ない。したがって、永久電流スイッ
チ70を動作させたときに発生する熱が原因で液体ヘリ
ウム46の蒸発量が増加するのを防止することができ
る。
却ステージ81を構成している吸熱管60のそれよりは
るかに高い。したがって、第1段冷却ステージ57の冷
凍能力は、第2段冷却ステージ81の冷凍能力に比べて
はるかに大きい。この冷凍能力の大きい第1の冷却ステ
ージ57を吸熱源として永久電流スイッチ要素71およ
び電流リード要素66a,66bの他端側が50K(第
2の温度レベル)に冷却される。このため、永久電流ス
イッチ70をオフさせるために電気ヒータ72を付勢し
たとき、この電気ヒータ72で発生した余剰発熱分はサ
ーマルアンカ67a,67bおよびサーマルシールド4
5を介して冷凍能力の大きい第1段冷却ステージ57に
よって速やかに吸収され、液体ヘリウム46に対して熱
負荷となることは少ない。したがって、永久電流スイッ
チ70を動作させたときに発生する熱が原因で液体ヘリ
ウム46の蒸発量が増加するのを防止することができ
る。
【0042】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。すなわち、超電導磁石装置の中には、
超電導コイルを液体ヘリウムで直接的あるいは間接的に
冷却し、サーマルシールドを液体窒素で直接的あるいは
間接的に冷却するものもあるが、このようなものについ
ても本発明を適用することができる。
るものではない。すなわち、超電導磁石装置の中には、
超電導コイルを液体ヘリウムで直接的あるいは間接的に
冷却し、サーマルシールドを液体窒素で直接的あるいは
間接的に冷却するものもあるが、このようなものについ
ても本発明を適用することができる。
【0043】さらに、冷凍機とヘリウムガスあるいは窒
素ガス等を循環させる冷媒ガス循環系とを組合せて用
い、冷凍機の第1段および第2段冷却ステージと超電導
コイルおよびサーマルシールドとを上記冷媒ガス循環系
によって熱的に連結し、冷媒ガスを循環させることで冷
却する方式の超電導磁石装置についても本発明を適用す
ることができる。
素ガス等を循環させる冷媒ガス循環系とを組合せて用
い、冷凍機の第1段および第2段冷却ステージと超電導
コイルおよびサーマルシールドとを上記冷媒ガス循環系
によって熱的に連結し、冷媒ガスを循環させることで冷
却する方式の超電導磁石装置についても本発明を適用す
ることができる。
【0044】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
永久電流スイッチを動作させたときに発生する熱が超電
導コイルの配置場に熱負荷として侵入するのを防止する
ことが可能となる。
永久電流スイッチを動作させたときに発生する熱が超電
導コイルの配置場に熱負荷として侵入するのを防止する
ことが可能となる。
【図1】本発明の一実施例に係る超電導磁石装置の模式
的構成図
的構成図
【図2】本発明の別の実施例に係る超電導磁石装置の模
式的構成図
式的構成図
【図3】本発明のさらに別の実施例に係る超電導磁石装
置の模式的構成図
置の模式的構成図
【図4】従来の代表的な超電導磁石装置の模式的構成図
1…真空容器 2、47…超電導コイル 3,45…アーマルシールド 4、49…蓄冷式冷凍機 5、57…第1段冷却ステージ 6、81…第2段冷却ステージ 7、8…熱伝導部材 21、64…電流リード 22a,22b、65a,65b…銅製の電流リード要
素 23a,23b、66a,66b…超電導体製の電流リ
ード要素 24a,24b、67a,67b…サーマルアンカ 30、31a、70…超電導スイッチ 32、71…超電導スイッチ要素 33、72…電気ヒータ 34…コイル
素 23a,23b、66a,66b…超電導体製の電流リ
ード要素 24a,24b、67a,67b…サーマルアンカ 30、31a、70…超電導スイッチ 32、71…超電導スイッチ要素 33、72…電気ヒータ 34…コイル
Claims (9)
- 【請求項1】超電導コイルと、この超電導コイルを超電
導転移温度以下の第1の温度レベルに冷却する第1の冷
却手段と、それぞれが前記超電導コイルの超電導転移温
度より高い超電導転移温度の超電導体で形成され、それ
ぞれの一端側が前記超電導コイルに接続されて上記超電
導コイルへ電流を供給する電流リードの一部を構成する
一対の電流リード要素と、前記超電導コイルの超電導転
移温度より高い超電導転移温度の超電導体で形成され、
前記一対の電流リード要素の他端側間に接続された永久
電流スイッチ要素と、この永久電流スイッチ要素および
前記一対の電流リード要素の他端側を前記第1の温度レ
ベルより高く、かつ上記一対の電流リード要素および上
記永久電流スイッチ要素の超電導転移温度より低い第2
の温度レベルに冷却する第2の冷却手段と、前記永久電
流スイッチ要素を選択的に常電導転移させる手段とを具
備してなることを特徴とする超電導磁石装置。 - 【請求項2】前記超電導コイルは合金系超電導体または
化合物系超電導体で形成されており、前記一対の電流リ
ード要素および前記永久電流スイッチ要素は酸化物超電
導体で形成されていることを特徴とする請求項1に記載
の超電導磁石装置。 - 【請求項3】前記第1の冷却手段は蓄冷器を備えた複数
段膨張式の蓄冷式冷凍機における最終段冷却ステージを
吸熱源として前記超電導コイルを冷却する第1の吸熱系
によって構成されており、前記第2の冷却手段は上記蓄
冷式冷凍機の前記最終段以外の冷却ステージを吸熱源と
する第2の吸熱系によって構成されていることを特徴と
する請求項1に記載の超電導磁石装置。 - 【請求項4】前記第1の冷却手段は前記第1の温度レベ
ルの液体あるいはガスの冷媒を有し、該液体あるいはガ
スの冷媒で前記超電導コイルを直接的または間接的に冷
却する第1の冷却系統で構成されており、前記第2の冷
却手段は前記第2の温度レベルの液体あるいはガスの冷
媒を有し、該液体あるいはガスの冷媒で前記永久電流ス
イッチ要素および前記一対の電流リード要素の他端側を
直接的または間接的に冷却する第2の冷却系統で構成さ
れていることを特徴とする請求項1に記載の超電導磁石
装置。 - 【請求項5】前記第1の吸熱系は、前記最終段冷却ステ
ージと前記超電導コイルとを熱的に接続する熱伝導部材
を備えていることを特徴とする請求項3に記載の超電導
磁石装置。 - 【請求項6】前記第2の冷却手段は、前記超電導コイル
の配置場への熱侵入を阻止するサーマルシールドの冷却
も兼ねていることを特徴とする請求項1,3,4のいず
れか1項に記載の超電導磁石装置。 - 【請求項7】前記永久電流スイッチ要素を選択的に常電
導転移させる手段は、前記永久電流スイッチ要素に熱を
加える熱発生手段から構成されていることを特徴とする
請求項1に記載の超電導磁石装置。 - 【請求項8】前記永久電流スイッチ要素を選択的に常電
導転移させる手段は、前記永久電流スイッチ要素に磁場
を印加する磁場発生手段から構成されていることを特徴
とする請求項1に記載の超電導磁石装置。 - 【請求項9】前記磁場発生手段は、酸化物超電導体から
成るコイルを備えていることを特徴とする請求項8に記
載の超電導磁石装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7162073A JPH0918062A (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 超電導磁石装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7162073A JPH0918062A (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 超電導磁石装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0918062A true JPH0918062A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15747584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7162073A Pending JPH0918062A (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 超電導磁石装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0918062A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002270913A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-09-20 | Hitachi Ltd | 超電導コイル装置、mri装置 |
| JP2015149421A (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-20 | 古河電気工業株式会社 | 超電導導体の冷却構造 |
| WO2015136676A1 (ja) * | 2014-03-13 | 2015-09-17 | 株式会社日立製作所 | 永久電流スイッチ |
-
1995
- 1995-06-28 JP JP7162073A patent/JPH0918062A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002270913A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-09-20 | Hitachi Ltd | 超電導コイル装置、mri装置 |
| JP2015149421A (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-20 | 古河電気工業株式会社 | 超電導導体の冷却構造 |
| WO2015136676A1 (ja) * | 2014-03-13 | 2015-09-17 | 株式会社日立製作所 | 永久電流スイッチ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040309 |