JPH09180883A - 微小光共振器型有機電界発光素子 - Google Patents

微小光共振器型有機電界発光素子

Info

Publication number
JPH09180883A
JPH09180883A JP8284241A JP28424196A JPH09180883A JP H09180883 A JPH09180883 A JP H09180883A JP 8284241 A JP8284241 A JP 8284241A JP 28424196 A JP28424196 A JP 28424196A JP H09180883 A JPH09180883 A JP H09180883A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
optical resonator
layer
micro
mirror
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8284241A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3528470B2 (ja
Inventor
Seiji Tokitou
静士 時任
Koji Noda
浩司 野田
Yasunori Taga
康訓 多賀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Central R&D Labs Inc
Original Assignee
Toyota Central R&D Labs Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Central R&D Labs Inc filed Critical Toyota Central R&D Labs Inc
Priority to JP28424196A priority Critical patent/JP3528470B2/ja
Publication of JPH09180883A publication Critical patent/JPH09180883A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3528470B2 publication Critical patent/JP3528470B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い発光効率を有するが発光スペクトルの幅
が広い有機発光材料を利用でき、発光ピークの半値幅が
狭く、かつ分光しなくても前方への指向性及び単色性に
優れた微小光共振器型有機電界発光素子を提供する。 【解決手段】 多層膜ミラー１２と金属ミラー２２とに
より微小光共振器が構成されており、これらの間に挟ま
れた透明導電層１４と発光層１６の膜厚と屈折率及び多
層膜ミラー１２への光の浸み込み量から算出される微小
光共振器の光学長が、素子から放出される目標光の波長
の１．５倍でかつその目標光は、発光材料の発光スペク
トルの短波長側の立上がり部に設定されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は微小光共振器構造を
利用して、半値幅の狭い発光スペクトルと前方への鋭い
発光指向性を有する単色発光素子に関するもので、表示
素子、通信用発光デバイスに利用される。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報機器の多様化及び省スペース
化に伴い、ＣＲＴよりも低消費電力で空間占有面積の少
ない平面型表示素子へのニーズが高まっている。この様
な平面型素子としては液晶、プラズマディスプレイなど
があるが、特に最近は自発光型で表示が鮮明な、また直
流電圧で駆動が可能な有機電界発光素子への期待が高ま
っている。
【０００３】現在、達成されている有機電界発光素子の
性能としては、駆動電圧１０Ｖ以下で１０００ｃｄ／ｍ
2 以上の輝度を有し、発光色も青、緑、赤の３原色が可
能となっている。しかし、発光材料の発光スペクトルが
幅広いため、色純度が悪く、また素子からは広い角度に
わたって光が放射され、指向性が低い等の問題がある。
【０００４】最近、金属ミラーあるいは多層膜ミラーを
利用して素子内に微小光共振器を形成するとこの微小光
共振器の間隔に対応した光が強調されて素子から放出さ
れることが報告されている。具体的には、これらにより
発光色の単色化や高指向性の研究が進められている（Ap
pl.Phys.Lett.,63,594(1993),(Appl.Phys.Lett.,63,203
2(1993).) 。
【０００５】図１６には、上述の微小光共振器を取り付
け、素子に対する観察角度が０度、３０度、６０度の場
合の発光スペクトルａ、ｂ、ｃと、微小光共振器がない
場合の発光スペクトルｄとが示される。ここで、観察角
度とは、素子の発光面に立てた法線に対する観察者の見
る角度をいう。
【０００６】図１６に示されるように、微小光共振器が
ない場合の発光スペクトルｄに比べ、微小光共振器を取
り付けた場合の発光スペクトルａ、ｂ、ｃの方が半値幅
の小さいスペクトルの発光が得られている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、微小光共振器
を取り付けた場合の発光スペクトルａ、ｂ、ｃは、測定
する角度によってピーク位置が変化している。つまり観
察角度が大きくなると発光色が短波長側に変化し、様々
な波長の光が見えている。
【０００８】図１７には、微小光共振器を取り付けた場
合の観察角度に対するその方向から見える光の強度の分
布が示される。図１７において、波長１、波長２、波長
３はそれぞれ図１６の発光スペクトルａ、ｂ、ｃに対応
する光の強度であり、これらを含めて光全体すなわち分
光しない光の強度分布は図の全波長によって表される。
図１７からわかるように、分光した光としては、各波長
ごとに指向性が認められるが、分光しない光としての指
向性はほとんどないという問題がある。すなわち、広い
観察角度に亘って光の強度分布が広がっている。
【０００９】また、図１６には目的の発光ピークａ、
ｂ、ｃ以外に長波長側に別の発光ピーク（低次モード）
が観測され、多重モードとなっている。このため、色純
度が低下するという問題もあった。
【００１０】多重モードの原因としては、微小光共振器
内の有機化合物と透明導電層の厚みが厚いことが考えら
れる。一般には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）などの透
明導電層と有機化合物層の合計が３００ｎｍ以上での例
が報告されているが、多重モードから低次モードを除去
した単一モードとするためには、有機化合物と透明導電
層の厚みを更に薄くする必要がある。
【００１１】発光スペクトルの角度依存性に関しては、
鋭いピークの発光スペクトルを有する化合物を利用した
素子で、角度依存性が小さくかつ半値幅の狭い発光スペ
クトルが素子前方へ強く放出されるとの報告がなされて
いる（Appl.Phys.Lett.,65,15(1994))。しかし、この材
料の蛍光量子効率は高くないため光の強度が低く効率の
良い発光は得られていない。
【００１２】本発明は上記従来の課題に鑑みなされたも
のであり、その目的は、高い発光効率を有するが発光ス
ペクトルの幅が広い有機発光材料を利用でき、発光ピー
クの半値幅が狭く、かつ分光しなくても前方への指向性
及び単色性に優れた微小光共振器型有機電界発光素子を
提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、屈折率の異なる２種類の層が交互に積層
された多層膜ミラーと、多層膜ミラーの上に形成された
陽極としての透明導電層と、透明導電層の上に形成され
た一層または複数層の有機化合物層と、有機化合物層の
上に形成され、光を反射できる陰極としての金属ミラー
と、を有する微小光共振器型有機電界発光素子であっ
て、多層膜ミラーと金属ミラーとによって有機化合物層
から出力された光の微小光共振器が構成され、微小光共
振器からの発光が、そのスペクトルに低次モードが混在
していない単一モードとなり、かつ素子前方に強い指向
性を有する光となるように微小光共振器の光学長が設定
されていることを特徴とする。
【００１４】上記構成によれば、多層膜ミラーと金属ミ
ラーとによって構成される微小光共振器により有機化合
物層から出力された光のうち特定波長のものが共振し強
められる。従って、有機化合物層から放出された光の中
から所望の波長の光を取り出すことができる。
【００１５】また、本願の他の実施形態によれば、上記
本発明の微小光共振器型有機電界発光素子において、微
小光共振器の光学長Ｌが、多層膜ミラー内部への光の浸
み込み分を考慮した式、
【数１】 ここで、ｎｅｆｆは多層膜ミラーの有効屈折率、Δｎは
多層膜ミラーの２つの層の屈折率の差、ｎｉとｄｉは有
機化合物層と透明導電層の屈折率と層厚、θは有機化合
物層同士または有機化合物層と透明導電層との各界面に
入射する光と界面に立てた法線とのなす角度、で与えら
れ、その光学長Ｌが目的の発光波長の１．５倍であるこ
とを特徴とする。
【００１６】上記構成において、式の第１項のλ／２
（ｎｅｆｆ／Δｎ）は、共振している光が多層膜ミラー
へ浸み込む深さを表している。第１項からわかるよう
に、ｎｅｆｆとΔｎとは、多層膜ミラーを構成する材料
によってきまる定数であるので、光の波長λが決まれば
浸み込む深さも決まることになる。また、第２項におけ
る各層の屈折率ｎｉも材料によってきまる定数であり、
また多層膜ミラーの各層の厚さはλ／４に設定されてい
る。従って、光学長Ｌは、透明導電層及び有機化合物層
の厚さｄｉを変更することにより制御することができ
る。
【００１７】微小光共振器に共振する光の波長は、上述
の光学長Ｌによって決定される。すなわち、光学長Ｌが
１／２波長の整数倍に相当する光が微小光共振器に共振
できる。従って、透明導電層と有機化合物層の合計の厚
みを薄くし、光学長Ｌを小さくして行くと、微小光共振
器に共振して素子から放出される光の波長も短波長側に
変化して行く。この場合、１／２波長の１．５倍が光学
長Ｌと等しい光が共振する光として最も長波長である。
従って、素子から放出される光はこれより短波長とな
る。素子から放出される光が短波長になると、素子前方
への指向性が高い光を得ることができる。また、光学長
Ｌを小さくすると素子の発光モードを単一モードにする
ことができる。
【００１８】また、本願の更に他の実施形態によれば、
上記本発明の微小光共振器型有機電界発光素子におい
て、多層膜ミラーの最上層が透明導電層で構成され、そ
の最上層が多層膜ミラーと透明導電層とで兼用されてい
ることを特徴とする。
【００１９】上記構成によれば、最上層が多層膜ミラー
と透明導電層とで兼用されているので、その分素子の厚
さに余裕ができ、透明導電層を厚くすることができる。
【００２０】また、本願の更に他の実施形態によれば、
上記本発明の微小光共振器型有機電界発光素子におい
て、目的の発光波長が、用いる発光材料の発光スペクト
ルにおいて、ピーク波長λｍより短波長側の立上がり部
に設定されたことを特徴とする。
【００２１】また、本願の更に他の実施形態によれば、
上記本発明の微小光共振器型有機電界発光素子におい
て、有機化合物層が、発光層のみの単層構造、正孔輸送
層と発光層または発光層と電子輸送層の２層構造、正孔
輸送層と発光層と電子輸送層の３層構造のいずれかの構
造からなることを特徴とする。
【００２２】また、本願の更に他の実施形態によれば、
上記本発明の微小光共振器型有機電界発光素子におい
て、多層膜ミラーの各層の光学長が目的の発光波長の１
／４であることを特徴とする。
【００２３】以上の各構成によれば、微小光共振器の光
学長を制御し、目的の発光波長を最適化することによ
り、単色性及び前方への指向性の高い微小光共振器型有
機電界発光素子を得ることができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を図面に基づいて説明する。
【００２５】図１から図４には本発明に係る微小光共振
器型有機電界発光素子の実施形態の断面図が示される。
これらの実施形態において、透明基板１０の上には多層
膜ミラー１２が形成されている。多層膜ミラー１２は、
屈折率の異なる２種類の酸化物、窒化物あるいは半導体
の層を交互に積層した多層膜である。その組合わせの代
表例としては、ＴｉＯ2 とＳｉＯ2 、ＳｉＮｘとＳｉＯ
2 、Ｔａ2 Ｏ5 とＳｉＯ2 などの誘電体やＧａＡｓとＧ
ａＩｎＡｓなどの半導体多層膜がある。
【００２６】多層膜ミラー１２は、各層の界面で光を反
射するが、各界面から反射してくる光が互いに強め合う
ように、使用する光の波長（目的とする発光波長）λに
対してλ／４の厚さに設定される。
【００２７】多層膜ミラー１２の上には透明導電層１４
が形成されている。この透明導電層１４は陽極として機
能するが、これには仕事関数の大きな材料が使用され、
キャリアである正孔が有機化合物層へ注入されやすくし
ている。透明導電層１４としては、例えば、Ｐｔ，Ａ
ｕ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｒｕ，Ｃｒなどの金属とＩＴＯ
（Indium Tin Oxide、酸化インジウム錫),ＳｎＯ2 ，Ｉ
ｎ2 Ｏ3 、ＺｎＯなどの透明導電性酸化物、またはそれ
らの複合物を挙げることができる。
【００２８】透明導電層１４の上には少なくとも一層の
有機化合物層が形成されている。有機化合物層として
は、陽極及び陰極から注入された正孔と電子のキャリア
の再結合により光を放出する発光層１６と発光層１６へ
正孔を輸送する正孔輸送層１８と電子を輸送する電子輸
送層２０の３種類がある。これらは必要に応じて、発光
層１６のみを使用する単層構造、発光層１６と正孔輸送
層１８あるいは発光層１６と電子輸送層２０を使用する
２層構造、発光層１６と正孔輸送層１８と電子輸送層２
０を使用する３層構造として使用される。
【００２９】発光層１６から放出される発光波長は、発
光層１６に用いられる発光材料を変えることにより適宜
選ぶことができる。
【００３０】上述した発光層１６としては、８−ヒドロ
キシキノリン金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公
報）等の金属キレート化オキシノイド化合物や、ブタジ
エン誘導体、ペリノン誘導体、ビススチリルベンゼン誘
導体（特開平３−１１６３１８６号公報）などを挙げる
ことができる。高分子系の材料では、ポリ（パラフェニ
レンビニレン）系の誘導体が代表的な例である。発光ス
ペクトルの形としては、短波長側の立ち上がりが鋭いも
のが望ましい。
【００３１】また、正孔輸送層１８の材料としては、芳
香族３級アミンを有する化合物が代表的である。この例
としては、アリールアミン、トリアリールアミンである
化合物がある（USP No.4175960,USP No.453950) 。特
に、耐熱性の高い３級アミン系化合物が望ましく、これ
には、トリアリールアミンの多量体がある。
【００３２】電子輸送層２０としては、代表例として８
−ヒドロキシキノリン金属錯体（特開昭５９−１９４３
９３）やオキサゾール誘導体（Appl.Phys.Lett.55,1489
(1989)) がある。
【００３３】これら発光層１６、正孔輸送層１８、電子
輸送層２０の材料としては、有機発光素子用として用い
られてきた従来公知の材料すべてを用いることができ
る。また、有機化合物層は前述の有機化合物単体のみで
なく、ドーピングによって高効率化したもの、ポリ（パ
ラフェニレンビニレン）の誘導体、汎用の高分子に分散
させた混合層も利用可能である。これらの有機化合物の
種類や積層構造の構成は特には限定されない。
【００３４】これらの有機化合物層の上には金属ミラー
２２が形成されている。金属ミラー２２は陰極として機
能するほかに、発光層１６から放出された光を反射する
機能も合わせ持っている。
【００３５】この金属ミラー２２としては、仕事関数の
小さなものを用い、キャリアである電子が有機化合物層
へ注入されやすくしている。また、光の反射率が高いこ
とが望ましく、具体的には９０％以上の反射率を有する
ことが望ましい。金属ミラー２２の具体例としては、Ａ
ｌ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｌｉ，Ｎａ，Ａｇ，Ｙおよびその合金
がある。
【００３６】このようにして得られた微小光共振器型有
機電界発光素子は安定性の向上、特に大気中の水分、酸
素に対する保護のために、別途保護層を設けたり、素子
全体をセル中に入れたりしても良い。また、素子から発
生する熱を放出するために熱伝導性の保護層で覆う方法
や、金属ミラーの上をさらに同種金属あるいは他の金属
で覆う方法が考えられる．これらにより素子の安定性は
向上する．以上述べた本発明に係る微小光共振器型有機
電界発光素子においては、多層膜ミラー１２と金属ミラ
ー２２の対で微小光共振器が形成されている。この微小
光共振器により発光層１６から放出された光のうち特定
波長のものが共振し強められる。従って、発光層１６か
ら放出された光の中から所望の波長の光を取り出すこと
ができるので、高い発光効率を有するが発光スペクトル
の幅が広い有機発光材料を発光層１６に使用しても、半
値幅の狭い鋭いピークの発光を得ることができる。
【００３７】図５には、本発明の微小光共振器型有機電
界発光素子における微小光共振器の部分の断面図が示さ
れる。尚、図５には有機化合物層が発光層１６のみの単
層構造の例が示されているが、２層構造、３層構造の場
合においても以下に述べる原理は同様である。
【００３８】図５に示されるように、微小光共振器は、
多層膜ミラー１２と金属ミラー２２とによって構成さ
れ、その中に透明導電層１４と発光層１６（有機化合物
層）とが存在する。従って、微小光共振器においては、
発光層１６の厚さ、透明導電層１４の厚さとそれぞれの
屈折率との積及び共振している時に光が多層膜ミラー１
２へ浸み込む深さとを加えたものが光学長となる。
【００３９】微小光共振器の光学長Ｌは、以下の式によ
り算出される。
【００４０】
【数２】 ここで、λは共振している光の波長、ｎｅｆｆは多層膜
ミラーの有効屈折率、Δｎは多層膜ミラーの２つの層の
屈折率の差、ｎｉとｄｉは微小光共振器内の透明導電層
及び有機化合物層の屈折率と層厚、θは有機化合物層同
士または有機化合物層と透明導電層との各界面に入射す
る光と界面に立てた法線とのなす角度である。
【００４１】上式において、第１項のλ／２（ｎｅｆｆ
／Δｎ）は、共振している光が多層膜ミラー１２へ浸み
込む深さを表している。第１項からわかるように、ｎｅ
ｆｆとΔｎとは、多層膜ミラー１２を構成する材料によ
ってきまる定数であるので、光の波長λが決まれば浸み
込む深さも決まることになる。また、第２項における各
層の屈折率ｎｉも材料によってきまる定数であり、また
多層膜ミラー１２の各層の厚さは上述の通りλ／４に設
定されている。従って、光学長Ｌは、透明導電層１４及
び発光層１６の厚さｄｉを変更することにより制御する
ことができる。
【００４２】微小光共振器に共振する光の波長は、上述
の光学長Ｌによって決定される。すなわち、光学長Ｌが
１／２波長の整数倍に相当する光が微小光共振器に共振
できる。図５には、１／２波長の３倍すなわち１．５波
長が光学長Ｌに等しい光が描かれているが、共振する光
の波長としてはこれが最も長波長である。
【００４３】以上述べた通り、透明導電層１４と有機化
合物層の合計の厚みを薄くし、光学長Ｌを小さくして行
くと、微小光共振器に共振して素子から放出される光の
波長も短波長側に変化して行く。素子から放出される光
が短波長になると、素子前方への指向性が高い光を得る
ことができる。また、光学長Ｌを小さくすると素子の発
光モードを単一モードにすることができる。
【００４４】すなわち、微小光共振器の光学長Ｌを制御
して、素子から放出される光の波長を、図６に示される
ように、微小光共振器がない場合、つまり用いられる発
光材料そのものの発光スペクトルのピークの波長λｍよ
りも短波長側であり、かつ発光スペクトルの立ち上がり
部であるＡの波長（ｎｍ）範囲とする。Ａの波長（ｎ
ｍ）範囲としては、例えば（λｍ−１０）から（λｍ−
５０）の範囲がよい。（λｍ−５０）より短波長側では
発光層１６から放出される光の発光強度が低下するので
発光素子として機能できなくなる。また、（λｍ−１
０）より長波長側では、観察角度が変化して、素子から
放出される光が短波長側に変化した場合に、微小光共振
器がない場合の発光スペクトルにはその波長に対応する
光が高い強度で存在するので、その角度から観察すると
これらの光が見えてしまい、素子から放出される光に観
察角度への依存性が表れてしまう。このため、素子から
放出される光は、分光しないと素子前方への強い指向性
を得ることができない。
【００４５】これに対して、上述のＡの範囲内では、観
察角度が変化して、素子から放出される光が短波長側に
変化しても、微小光共振器がない場合の発光スペクトル
にはその波長に対応する光が存在しないかまたは強度が
極めて低いので、素子から出力される光の観察角度への
依存性を除去することができ、素子前方への指向性が高
い光を得ることができる。
【００４６】また、図５に示される光学長Ｌを大きな値
に設定した場合、素子から放出させる目標となる光は、
光学長Ｌに対して１／２波長の３倍で共振する光ではな
く４倍あるいはそれ以上で共振する光となる。この場
合、１／２波長の３倍で共振する光も存在し、この光が
上述の発光スペクトルにおける強度の高い領域に残って
しまい低次モードとなる（図１２参照）ので素子から放
出される光が多重モードとなってしまう。
【００４７】以上より、単一モードの光を得るには、光
学長Ｌを目標となる光の波長の１．５倍（１／２波長の
３倍）とすることが必要である。このための１つの方法
として、上記式（１）の第２項における透明導電層１４
と有機化合物層の厚さｄｉを小さくすればよい。この場
合、光学長Ｌを発光波長の１．５倍にするには、透明導
電層１４と有機化合物層の合計膜厚を少なくとも１５０
ｎｍ以下にする必要がある。また、他の方法として、最
上層を透明導電層１４で置き換えた多層膜ミラー１２を
使用する方法がある。この方法では、図１２に示される
ように、透明基板１０の上に、低屈折率化合物と高屈折
率化合物とが交互に積層され、最後の低屈折率化合物の
上に透明導電性化合物が形成されている。図１２におい
て、多層膜ミラー１２の最上層が多層膜ミラー１２と透
明導伝層１４とで兼用されている。このような多層膜ミ
ラー１２を使用した微小光共振器型有機電界発光素子の
例が図１３に示される。図１３において、多層膜ミラー
１２の最上層自体が透明導伝層１４として作用するの
で、透明導伝層１４を独立して設ける必要がない。従っ
て、微小光共振器の厚さとしては余裕がでることにな
り、その分透明導伝層１４の厚さを厚くすることが出来
る。これにより、透明導伝層１４の電気抵抗を低くする
ことが出来る。
【００４８】尚、図６には、多層膜ミラー１２の光透過
率も示される。図６に示された光透過率において、高反
射領域すなわちストップバンドの幅は、微小光共振器を
もたない場合の発光スペクトルを覆うことができるよう
に設定される。その領域での反射率は５０から９９．９
％（透過率では５０から０．１％）の範囲が好ましい
が、素子の用途に応じて適宜選択することができる。一
般に、反射率が高いほど得られる光のスペクトルの半値
幅が狭くなり鋭いピークとなる。
【００４９】以下に本発明に係る微小光共振器型有機電
界発光素子の具体的な実施例とそれに対する比較例を説
明する。
【００５０】実施例１．素子から放出される光の波長を
５００ｎｍとして、以下の条件により微小光共振器型有
機電界発光素子を制作した。
【００５１】透明ガラス基板上にＲＦマグネトロンスパ
ッタ法でＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 の順で最後がＴｉＯ2 層に
なるように、交互に各４層積層した多層膜ミラーを形成
した。その際のストップバンドの中心波長は５５０ｎｍ
で設計した。この多層膜ミラーのストップバンドでの透
過率は１０％であった。この多層膜ミラーの上にＲＦマ
グネトロンスパッタ法で透明導電層（ＩＴＯ）を６０ｎ
ｍ形成した。これら基板を有機溶剤で十分に洗浄後、真
空蒸着装置内に固定した。まず、正孔輸送層として、ト
リフェニルジアミン誘導体を２０ｎｍ、発光層としてア
ルミキノリノール錯体を３０ｎｍ蒸着した。これによ
り、透明導電層と有機化合物層の合計が１１０ｎｍとな
った。
【００５２】以下に、トリフェニルジアミン誘導体とア
ルミキノリノール錯体の構造式を示す。
【００５３】
【化１】
【化２】 この素子における微小光共振器の光学長は、透明導電層
と有機化合物層の厚さと屈折率及び多層膜ミラーへの浸
み込み量から、上述の式（１）により、目的とする波長
５００ｎｍの１．５倍すなわち７５０ｎｍになった。最
後に陰極としてＭｇＡｇ合金（１０：１）を１８０ｎｍ
蒸着した。
【００５４】以上により、図２に相当する微小光共振器
型有機電界発光素子が制作された。この素子に８Ｖの電
圧を印加したところ、鮮明な青緑の発光が得られた。そ
の発光スペクトルを図７に示す。発光スペクトルは５１
０ｎｍのみピークがあり、他にピークは観察されず、単
一モードの発光であることが分る。また、観察角度θを
変えても発光ピークの移動は小さく、かつ強度も急激に
小さくなっている。これより、素子から放出される光の
観察角度依存性が除去されていることがわかる。
【００５５】分光しないで測定した全体の放出光の放射
パターンを図８に示す。分光していないにもかかわら
ず、素子前方（角度＝０°）へ強い指向性が得られた。
素子前方に微小光共振器をもたない素子よりも強い光が
放出されていることもわかった。
【００５６】比較例１．ＲＦマグネストロンスパッタ法
でＴｉＯ2 、ＳｉＯ2 の順で最後がＳｉＯ2 層になるよ
うに、交互に各４層積層した多層膜ミラーを形成した。
最後をＳｉＯ2層としたのは、従来そのような構成の素
子が提案されていたからである。
【００５７】その上にＲＦマグネトロンスパッタ法でＩ
ＴＯを約２００ｎｍ形成した。この基板上に、トリフェ
ニルジアミン誘導体を５０ｎｍとアルミキノリノール錯
体を６０ｎｍ蒸着した。これにより、透明導電層と有機
化合物層の厚さの合計は３１０ｎｍとなった。
【００５８】本比較例においては、多層膜ミラーの最上
部が屈折率の低いＳｉＯ2 なので、ＩＴＯとの界面での
反射があまりなく、式（１）を適用する際には、この層
の膜厚を透明導電層、正孔輸送層、発光層の膜厚に加え
る必要がある。従って、最上部のＳｉＯ2 、透明導電
層、正孔輸送層、発光層の膜厚と屈折率及び多層膜ミラ
ーへの浸み込み量から、微小光共振器の光学長は、目的
とする波長５００ｎｍの約２．５倍となった。最後に陰
極としてＭｇＡｇ合金（１０：１）を１８０ｎｍ部のＳ
ｉＯ2 、透明導電層、正孔輸送層、発光層の膜厚と屈折
率及び多層膜ミラー蒸着した。
【００５９】本比較例の発光スペクトルを図９に示す。
５００ｎｍに鋭いピークを持つ発光が確認できる。ま
た、長波長側にも、他の発光ピークが観察され、多重モ
ードとなった。この長波長側の発光スペクトルにおいて
は、観察角度θを変えると発光ピークが短波長側へ大き
く移動した。
【００６０】比較例２．実施例１と同様に多層膜ミラー
を形成した基板上に、厚さ６０ｎｍのＩＴＯを形成し
た。この上に、トリフェニルジアミン誘導体４０ｎｍと
アルミキノリノール錯体５０ｎｍを順次成膜した。光学
長は目的とする波長５７０ｎｍの約１．５倍となった。
最後に、ＭｇＡｇ電極を１８０ｎｍ真空蒸着した。
【００６１】本比較例の素子の発光スペクトルを図１０
に示す。５７０ｎｍに鋭い発光ピークが認められる。そ
の他の発光ピークは観察されず、単一モードの発光とな
っていることが分る。しかし、本比較例においては、目
的とする波長５７０ｎｍが、図６に示される範囲Ａより
も長波長であるため、観察角度θを変えると、発光ピー
クは短波長側へ大きく移動した。分光した特定の光では
強い指向性が認められたが、全放射光の放射パターンは
図１１に示すように指向性はほとんど認められなかっ
た。
【００６２】実施例２．発光層の材料を変更し、実施例
１とは異なる色の光を放出する微小光共振器型有機電界
発光素子を制作した。
【００６３】透明ガラス基板上にＲＦマグネトロンスパ
ッタ法でＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 の順で最後がＴｉＯ2 層に
なるように、交互に各４層積層した多層膜ミラーを形成
した。ストップバンドの中心波長は６２０ｎｍで設計し
た。この多層膜ミラーのストップバンドでの透過率は１
０％であった。多層膜ミラーの上にＲＦマグネトロンス
パッタ法でＩＴＯを６０ｎｍ形成した。これら基板は有
機溶剤で十分に洗浄後、真空蒸着装置内に固定した。
【００６４】次に、正孔輸送層として、トリフェニルジ
アミン誘導体を５０ｎｍ、発光層としてフタロペリノン
誘導体を５０ｎｍ蒸着した。最後に金属電極であるＭｇ
Ａｇ合金を１８０ｎｍ蒸着した。
【００６５】以下に、フタロペリノン誘導体の構造式を
示す。
【００６６】
【化３】 本実施例の素子に１０Ｖの電圧を印加したところ、鮮明
な黄緑色の発光が得られた。発光スペクトルからは５４
０ｎｍのみピークがあり、他にピークは観察されなかっ
た。放射パターンは素子前方への強い指向性が達成でき
た。
【００６７】実施例３．実施例２とは更に発光色の異な
る微小光共振器型有機電界発光素子を制作した。
【００６８】透明ガラス基板上にＲＦマグネトロンスパ
ッタ法でＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 の順で最後がＴｉＯ2 層に
なるように、交互に各４層積層した多層膜ミラーを形成
した。この多層膜ミラーのストップバンドの中心波長は
７００ｎｍで設計した。この多層膜ミラーのストップバ
ンドでの透過率は１０％であった。多層膜ミラーの上に
ＲＦマグネトロンスパッタ法でＩＴＯを６０ｎｍ形成し
た。
【００６９】次に、正孔輸送層として、トリフェニルジ
アミン誘導体を６０ｎｍ、発光層としてペリレン誘導体
を６０ｎｍ蒸着した。最後に金属電極であるＭｇＡｇ合
金を１８０ｎｍ蒸着した。
【００７０】以下に、ペリレン誘導体の構造式を示す。
【００７１】
【化４】 本実施例の素子に１０Ｖの電圧を印加したところ、鮮明
なオレンジ色の発光が得られた。発光スペクトルからは
６００ｎｍのみピークがあり、他にピークは観察されな
かった。放射パターンは素子前方への強い指向性が達成
できた。
【００７２】実施例４．ガラス基板上にＲＦマグネトロ
ンスパッタ法で、低屈折率化合物であるＳｉＯ2 を９
６．５ｎｍ、高屈折率化合物であるＴｉＯ2 を５８．３
ｎｍ、この順で交互に各３回積層し、次にＳｉＯ2、最
後に透明導電性化合物としてのＩＴＯを７３．７ｎｍ形
成して、図１２に示されるような多層膜ミラーを形成し
た。この多層膜ミラーは、ＳｉＯ2 、ＴｉＯ2のみの場
合と同程度の性能であり、反射率として９０％以上を達
成できた。この多層膜ミラーの上に、トリフェニルアミ
ン４量体を５０ｎｍ形成し、次にアルミキノリノール錯
体とキナクリドンの共蒸着によってキナクリドンが１％
ドープされた発光層を６０ｎｍ形成した。その後、Ｍｇ
Ａｇの電極（金属ミラー）を１８０ｎｍ形成した。
【００７３】以下に、トリフェニルアミン４量体及びキ
ナクリドンの構造式を示す。
【００７４】
【化５】
【化６】 本実施例の素子に、６Ｖの電圧を印加したところ、鮮明
な緑色の発光が得られ、その発光ピークは、図１４に示
されるように、５３０ｎｍであった。図１４において
は、横軸に波長が、縦軸に発光強度がそれぞれ示されて
いる。また、図１５には、本実施例の素子からの発光の
放射パターンが示される。図１２から分かるように、非
常に高効率に前方への指向性を達成できた。この場合、
前方側での光強度は、最高で５０００ｃｄ／ｍ2 に達し
た。光強度を高くできるのは、前述したように、透明導
電層の厚さを厚くでき、電気抵抗を低くすることができ
るので、電流による発熱を低く押さえることができ、電
流を多く流すことができるからである。
【００７５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レンズやフィルターを使用せずとも、単色性に優れ、か
つ高効率で前方への指向性を持った微小光共振器型有機
電界発光素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係る微小光共振器型有機電界発光素
子の例の断面図である。
【図２】 本発明に係る微小光共振器型有機電界発光素
子の他の例の断面図である。
【図３】 本発明に係る微小光共振器型有機電界発光素
子の更に他の例の断面図である。
【図４】 本発明に係る微小光共振器型有機電界発光素
子の更に他の例の断面図である。
【図５】 本発明に係る微小光共振器型有機電界発光素
子における微小光共振器の部分の断面図である。
【図６】 微小光共振器がない場合の発光スペクトルと
多層膜ミラーの透過率、および発光モード位置の関係を
示す図である。
【図７】 実施例１の発光スペクトルとその角度依存性
を示す図である。
【図８】 実施例１の放射パターンを示す図である。
【図９】 比較例１の発光スペクトルとその角度依存性
を示す図である。
【図１０】 比較例２の発光スペクトルとその角度依存
性を示す図である。
【図１１】 比較例２の放射パターンを示す図である。
【図１２】 本発明に係る微小光共振器型有機電界発光
素子における微小光共振器の部分の他の例の断面図であ
る。
【図１３】 本発明に係る微小光共振器型有機電界発光
素子の更に他の例の断面図である。
【図１４】 実施例４の発光スペクトルを示す図であ
る。
【図１５】 実施例４の放射パターンを示す図である。
【図１６】 微小光共振器をもつ従来の有機電界発光素
子の一般的な発光スペクトルトとその角度依存性を示す
図である。
【図１７】 微小光共振器をもつ従来の有機電界発光素
子の一般的な放射パターンを示す図である。
【符号の説明】
１０ 透明基板、１２ 多層膜ミラー、１４ 透明導電
層、１６ 発光層、１８ 正孔輸送層、２０ 電子輸送
層、２２ 金属ミラー。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 屈折率の異なる２種類の層が交互に積層
    された多層膜ミラーと、 前記多層膜ミラーの上に形成された陽極としての透明導
    電層と、 前記透明導電層の上に形成された一層または複数層の有
    機化合物層と、 前記有機化合物層の上に形成され、光を反射できる陰極
    としての金属ミラーと、 を有し、 前記多層膜ミラーと前記金属ミラーとによって前記有機
    化合物層から出力された光の微小光共振器が構成され、
    前記微小光共振器からの発光が、そのスペクトルに低次
    モードが混在していない単一モードとなり、かつ素子前
    方に強い指向性を有する光となるように前記微小光共振
    器の光学長が設定されていることを特徴とする微小光共
    振器型有機電界発光素子。
JP28424196A 1995-10-27 1996-10-25 微小光共振器型有機電界発光素子 Expired - Fee Related JP3528470B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28424196A JP3528470B2 (ja) 1995-10-27 1996-10-25 微小光共振器型有機電界発光素子

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7-280162 1995-10-27
JP28016295 1995-10-27
JP28424196A JP3528470B2 (ja) 1995-10-27 1996-10-25 微小光共振器型有機電界発光素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09180883A true JPH09180883A (ja) 1997-07-11
JP3528470B2 JP3528470B2 (ja) 2004-05-17

Family

ID=26553656

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28424196A Expired - Fee Related JP3528470B2 (ja) 1995-10-27 1996-10-25 微小光共振器型有機電界発光素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3528470B2 (ja)

Cited By (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10229243A (ja) * 1997-02-18 1998-08-25 Hitachi Ltd 有機発光素子
JPH11199864A (ja) * 1997-10-10 1999-07-27 Koto Gijutsu Kenkyuin Kenkyu Kumiai 電気発光素子の製造方法
JPH11288786A (ja) * 1998-02-04 1999-10-19 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 光共振型有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1999064912A1 (en) * 1998-06-05 1999-12-16 Seiko Epson Corporation Light source and display device
WO2000005702A1 (en) * 1998-07-24 2000-02-03 Seiko Epson Corporation Display
JP2000323279A (ja) * 1999-03-10 2000-11-24 Fuji Photo Film Co Ltd 露光光源用有機発光素子
JP2001066366A (ja) * 1999-08-30 2001-03-16 Fuji Photo Film Co Ltd 画像情報読取方法および装置
WO2001039554A1 (fr) * 1999-11-22 2001-05-31 Sony Corporation Dispositif d'affichage
US6259423B1 (en) 1997-08-26 2001-07-10 Kabushiki Kaisha Toyoto Chuo Kenkyusho Display device using organic electroluminescent elements
JP2001202827A (ja) * 1999-11-10 2001-07-27 Matsushita Electric Works Ltd 透明導電性基板、発光素子、平面発光板、平面発光板の製造方法、平面蛍光ランプ、プラズマディスプレイ
JP2001267074A (ja) * 2000-03-22 2001-09-28 Fuji Photo Film Co Ltd 有機発光素子
US6392338B1 (en) 1998-04-23 2002-05-21 Matsushita Electrical Industrial Co., Ltd. Organic light emitter having optical waveguide for propagating light along the surface of the substrate
JP2002518803A (ja) * 1998-06-19 2002-06-25 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド バックライトディスプレイ
JP2002244073A (ja) * 2001-02-15 2002-08-28 Hitachi Ltd 光学的共振器構造を有する投射型表示装置およびそれを用いた会話翻訳システム
JP2002299057A (ja) * 2001-03-21 2002-10-11 Agilent Technol Inc 有機発光装置
JP2003123987A (ja) * 2001-10-11 2003-04-25 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 光共振器
JP2003151761A (ja) * 2001-11-14 2003-05-23 Osaka Industrial Promotion Organization 有機ｅｌ素子を含む発光素子およびそれを用いた光インターコネクション装置
US6661445B2 (en) 1998-08-31 2003-12-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus with an array of light emitting devices
US6724140B2 (en) 2001-09-21 2004-04-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Organic light-emitting device
JP2004146067A (ja) * 2001-09-21 2004-05-20 Fuji Photo Film Co Ltd 有機発光素子
WO2004068910A1 (ja) * 2003-01-24 2004-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 発光装置及びその製造方法、並びに前記発光装置を用いた電気機器
JP2004327373A (ja) * 2003-04-28 2004-11-18 Shoka Kagi Kofun Yugenkoshi 光色純度調整可能な有機ｅｌフルカラーパネル及びその製造方法
US6903506B2 (en) 2001-03-27 2005-06-07 Konica Corporation Organic electroluminescent element, displaying apparatus, light emitting method, displaying method and transparent substrate
JP2005524958A (ja) * 2002-05-08 2005-08-18 ゼオラックス コーポレーション フィードバック増強型発光デバイス＜関連出願の記載＞本願は、２００２年５月８日出願の米国仮出願第６０／３７９，１４１号（その全部が引用により本文書に組み込まれている）の利益を主張する。本願は、２００３年５月８日出願の「フィードバック増強型発光ダイオードを使用した照明装置（ｌｉｇｈｔｉｎｇｄｅｖｉｃｅｓｕｓｉｎｇｆｅｅｄｂａｃｋｅｎｈａｎｃｅｄｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅ）」と称するの米国特許出願第号、および２００３年５月８日出願の「フィードバック増強型照明ダイオードを使用したディスプレイデバイス（ｄｉｓｐｌａｙｄｅｖｉｃｅｓｕｓｉｎｇｆｅｅｄｂａｃｋｅｎｈａｎｃｅｄｌｉｇｈｔｉｎｇｄｉｏｄｅ）」と称するの米国特許出願第号（これら出願は、その全部が引用により本文書に組み込まれている）に関連している。
JP2005531899A (ja) * 2002-06-28 2005-10-20 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 透明な陰極を備える電場発光装置
JP2007043104A (ja) * 2005-06-30 2007-02-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、及び電子機器
WO2007032526A1 (ja) * 2005-09-15 2007-03-22 Pioneer Corporation 有機エレクトロルミネセンス表示パネル
JP2007180037A (ja) * 1999-11-10 2007-07-12 Matsushita Electric Works Ltd 発光素子、平面発光板、平面発光板の製造方法、平面蛍光ランプ、プラズマディスプレイ
CN1332586C (zh) * 2001-06-05 2007-08-15 索尼株式会社 显示器件
US7453426B2 (en) 2004-01-14 2008-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
JP2008544449A (ja) * 2005-06-14 2008-12-04 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ マルチビュー表示装置
EP2031037A1 (en) 2007-08-29 2009-03-04 Fujifilm Corporation Organic electroluminescence device
EP2061086A2 (en) 2007-11-15 2009-05-20 FUJIFILM Corporation Thin film field effect transistor and display using the same
EP2061087A2 (en) 2007-11-15 2009-05-20 FUJIFILM Corporation Thin film field effect transistor and display using the same
US7566902B2 (en) 2003-05-16 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
EP2096690A2 (en) 2008-02-28 2009-09-02 FUJIFILM Corporation Organic electroluminescence device
JP2009205886A (ja) * 2008-02-27 2009-09-10 Hitachi Ltd 自発光素子および表示装置
EP2105967A1 (en) 2008-03-24 2009-09-30 FUJIFILM Corporation Thin film field effect transistor and display
JP2009295581A (ja) * 2008-06-05 2009-12-17 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機電界発光表示装置
WO2010084690A1 (ja) 2009-01-22 2010-07-29 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
EP2214223A2 (en) 2009-02-03 2010-08-04 Fujifilm Corporation Organic electroluminescence display device
WO2010093062A1 (en) 2009-02-13 2010-08-19 Fujifilm Corporation Organic electroluminescence device, and method for producing the same
KR100978012B1 (ko) * 2002-06-28 2010-08-25 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 투명 캐쏘드를 구비한 전기발광 디바이스
EP2226867A2 (en) 2009-03-05 2010-09-08 Fujifilm Corporation Organic electroluminescence device
WO2011013626A1 (ja) 2009-07-31 2011-02-03 富士フイルム株式会社 有機デバイス用蒸着材料及び有機デバイスの製造方法
WO2011013507A1 (ja) 2009-07-31 2011-02-03 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子及びその製造方法
WO2011024976A1 (ja) 2009-08-31 2011-03-03 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
JP2011071012A (ja) * 2009-09-28 2011-04-07 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置
JP2011081334A (ja) * 2009-09-14 2011-04-21 Fujifilm Corp カラーフィルタ及び発光表示素子
EP2320490A2 (en) 2009-11-09 2011-05-11 FUJIFILM Corporation Organic electroluminescent device
WO2011114886A1 (ja) 2010-03-15 2011-09-22 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子の製造方法
US8339033B2 (en) 2009-06-11 2012-12-25 Pioneer Corporation Light emitting element and display device
JP2014508317A (ja) * 2011-12-22 2014-04-03 アスペルマイアー マルクス 基板転移単結晶ブラッグミラー
US8729795B2 (en) 2005-06-30 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
JP2017521673A (ja) * 2014-07-25 2017-08-03 フラウンホーファー−ゲゼルシャフト ツゥア フェアデルング デア アンゲヴァンドテン フォァシュング エー．ファウ． 少なくとも１つのｏｌｅｄまたはｌｅｄから放射される光放射の空間分解及び波長分解検出のための装置
WO2018135525A1 (ja) * 2017-01-18 2018-07-26 パイオニア株式会社 光装置
CN109936045A (zh) * 2017-12-17 2019-06-25 首都师范大学 一种有效调控微腔腔长的方法
CN111103714A (zh) * 2019-12-05 2020-05-05 广州纪光新媒体系统有限公司 一种带有方便展示的液晶显示装置及方法
JP2021166186A (ja) * 2019-02-28 2021-10-14 セイコーエプソン株式会社 画像表示装置および虚像表示装置
JP2021170533A (ja) * 2019-02-28 2021-10-28 セイコーエプソン株式会社 画像表示装置および虚像表示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03163882A (ja) * 1989-11-22 1991-07-15 Daido Steel Co Ltd 光反射層を備えた発光ダイオード
JPH06275381A (ja) * 1993-03-18 1994-09-30 Hitachi Ltd 多色発光素子とその基板
JPH06283271A (ja) * 1993-03-26 1994-10-07 Ricoh Co Ltd 有機電界発光素子
JPH07142171A (ja) * 1993-11-15 1995-06-02 Hitachi Ltd 可変波長発光素子とその制御方法
JPH07282981A (ja) * 1994-04-11 1995-10-27 Hitachi Ltd 電界発光素子
JPH088061A (ja) * 1993-11-22 1996-01-12 At & T Corp 発光素子の層構造およびこれを含むフラットパネルディスプレイ
JPH0992466A (ja) * 1995-09-20 1997-04-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03163882A (ja) * 1989-11-22 1991-07-15 Daido Steel Co Ltd 光反射層を備えた発光ダイオード
JPH06275381A (ja) * 1993-03-18 1994-09-30 Hitachi Ltd 多色発光素子とその基板
JPH06283271A (ja) * 1993-03-26 1994-10-07 Ricoh Co Ltd 有機電界発光素子
JPH07142171A (ja) * 1993-11-15 1995-06-02 Hitachi Ltd 可変波長発光素子とその制御方法
JPH088061A (ja) * 1993-11-22 1996-01-12 At & T Corp 発光素子の層構造およびこれを含むフラットパネルディスプレイ
JPH07282981A (ja) * 1994-04-11 1995-10-27 Hitachi Ltd 電界発光素子
JPH0992466A (ja) * 1995-09-20 1997-04-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子

Cited By (86)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10229243A (ja) * 1997-02-18 1998-08-25 Hitachi Ltd 有機発光素子
US6259423B1 (en) 1997-08-26 2001-07-10 Kabushiki Kaisha Toyoto Chuo Kenkyusho Display device using organic electroluminescent elements
JPH11199864A (ja) * 1997-10-10 1999-07-27 Koto Gijutsu Kenkyuin Kenkyu Kumiai 電気発光素子の製造方法
JPH11288786A (ja) * 1998-02-04 1999-10-19 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 光共振型有機エレクトロルミネッセンス素子
US6406801B1 (en) 1998-02-04 2002-06-18 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Optical resonator type organic electroluminescent element
US6392338B1 (en) 1998-04-23 2002-05-21 Matsushita Electrical Industrial Co., Ltd. Organic light emitter having optical waveguide for propagating light along the surface of the substrate
US6882379B1 (en) 1998-06-05 2005-04-19 Seiko Epson Corporation Light source device including a planar light source having a single, substantially continuous light emission area and display device incorporating the light source device
WO1999064912A1 (en) * 1998-06-05 1999-12-16 Seiko Epson Corporation Light source and display device
US7126652B2 (en) 1998-06-05 2006-10-24 Seiko Epson Corporation Light source device including a planar light source having a single, substantially continuous light emission area and display device incorporating the light source device
CN100390599C (zh) * 1998-06-05 2008-05-28 精工爱普生株式会社 光源装置和显示装置
US7402091B2 (en) 1998-06-19 2008-07-22 Cambridge Display Technology Ltd. Backlit displays including organic light-emissive material
US8529309B2 (en) 1998-06-19 2013-09-10 Cambridge Display Technology Limited Backlit displays including organic light-emissive material
US7116308B1 (en) 1998-06-19 2006-10-03 Cambridge Display Technology Limited Backlit displays
JP2002518803A (ja) * 1998-06-19 2002-06-25 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド バックライトディスプレイ
US6741228B1 (en) 1998-07-24 2004-05-25 Seiko Epson Corporation Display apparatus
CN100365672C (zh) * 1998-07-24 2008-01-30 精工爱普生株式会社 显示装置
WO2000005702A1 (en) * 1998-07-24 2000-02-03 Seiko Epson Corporation Display
KR100500518B1 (ko) * 1998-07-24 2005-07-12 세이코 엡슨 가부시키가이샤 표시 장치
US6661445B2 (en) 1998-08-31 2003-12-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus with an array of light emitting devices
JP2000323279A (ja) * 1999-03-10 2000-11-24 Fuji Photo Film Co Ltd 露光光源用有機発光素子
JP2001066366A (ja) * 1999-08-30 2001-03-16 Fuji Photo Film Co Ltd 画像情報読取方法および装置
JP2007180037A (ja) * 1999-11-10 2007-07-12 Matsushita Electric Works Ltd 発光素子、平面発光板、平面発光板の製造方法、平面蛍光ランプ、プラズマディスプレイ
JP2001202827A (ja) * 1999-11-10 2001-07-27 Matsushita Electric Works Ltd 透明導電性基板、発光素子、平面発光板、平面発光板の製造方法、平面蛍光ランプ、プラズマディスプレイ
WO2001039554A1 (fr) * 1999-11-22 2001-05-31 Sony Corporation Dispositif d'affichage
JP4174989B2 (ja) * 1999-11-22 2008-11-05 ソニー株式会社 表示装置
US7218049B2 (en) 1999-11-22 2007-05-15 Sony Corporation Display device
US7102282B1 (en) 1999-11-22 2006-09-05 Sony Corporation Display device with a cavity structure for resonating light
JP2001267074A (ja) * 2000-03-22 2001-09-28 Fuji Photo Film Co Ltd 有機発光素子
JP2002244073A (ja) * 2001-02-15 2002-08-28 Hitachi Ltd 光学的共振器構造を有する投射型表示装置およびそれを用いた会話翻訳システム
JP2002299057A (ja) * 2001-03-21 2002-10-11 Agilent Technol Inc 有機発光装置
US6903506B2 (en) 2001-03-27 2005-06-07 Konica Corporation Organic electroluminescent element, displaying apparatus, light emitting method, displaying method and transparent substrate
CN1332586C (zh) * 2001-06-05 2007-08-15 索尼株式会社 显示器件
JP2004146067A (ja) * 2001-09-21 2004-05-20 Fuji Photo Film Co Ltd 有機発光素子
US6724140B2 (en) 2001-09-21 2004-04-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Organic light-emitting device
JP2003123987A (ja) * 2001-10-11 2003-04-25 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 光共振器
JP2003151761A (ja) * 2001-11-14 2003-05-23 Osaka Industrial Promotion Organization 有機ｅｌ素子を含む発光素子およびそれを用いた光インターコネクション装置
JP2005524958A (ja) * 2002-05-08 2005-08-18 ゼオラックス コーポレーション フィードバック増強型発光デバイス＜関連出願の記載＞本願は、２００２年５月８日出願の米国仮出願第６０／３７９，１４１号（その全部が引用により本文書に組み込まれている）の利益を主張する。本願は、２００３年５月８日出願の「フィードバック増強型発光ダイオードを使用した照明装置（ｌｉｇｈｔｉｎｇｄｅｖｉｃｅｓｕｓｉｎｇｆｅｅｄｂａｃｋｅｎｈａｎｃｅｄｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅ）」と称するの米国特許出願第号、および２００３年５月８日出願の「フィードバック増強型照明ダイオードを使用したディスプレイデバイス（ｄｉｓｐｌａｙｄｅｖｉｃｅｓｕｓｉｎｇｆｅｅｄｂａｃｋｅｎｈａｎｃｅｄｌｉｇｈｔｉｎｇｄｉｏｄｅ）」と称するの米国特許出願第号（これら出願は、その全部が引用により本文書に組み込まれている）に関連している。
JP2005524964A (ja) * 2002-05-08 2005-08-18 ゼオラックス コーポレーション フィードバック増強型発光ダイオードを使用したディスプレイデバイス＜関連出願の記載＞本願は、２００２年５月８日出願の米国仮出願第６０／３７９，１４１号（その全部が引用により本文書に組み込まれている）の利益を主張する。本願は、２００３年５月８日出願の「フィードバック増強型発光デバイス（ｆｅｅｄｂａｃｋｅｎｈａｎｃｅｄｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇｄｅｖｉｃｅ）」と称する米国特許出願第号、および２００３年５月８日出願の「フィードバック増強型発光ダイオードを使用した照明装置（ｌｉｇｈｔｉｎｇｄｅｖｉｃｅｓｕｓｉｎｇｆｅｅｄｂａｃｋｅｎｈａｎｃｅｄｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅ）」と称する米国特許出願第号（これら出願は、その全部が引用により本文書に組み込まれている）に関連している。
JP2005531899A (ja) * 2002-06-28 2005-10-20 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 透明な陰極を備える電場発光装置
KR100978012B1 (ko) * 2002-06-28 2010-08-25 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 투명 캐쏘드를 구비한 전기발광 디바이스
WO2004068910A1 (ja) * 2003-01-24 2004-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 発光装置及びその製造方法、並びに前記発光装置を用いた電気機器
US7199520B2 (en) 2003-01-24 2007-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting emitting device and electronic apparatus having the same
US8084081B2 (en) 2003-01-24 2011-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting emitting device, manufacturing method of the same, electronic apparatus having the same
US8860011B2 (en) 2003-01-24 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and electronic book including double-sided light emitting display panel
US9324773B2 (en) 2003-01-24 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel including a plurality of lighting emitting elements
JP2004327373A (ja) * 2003-04-28 2004-11-18 Shoka Kagi Kofun Yugenkoshi 光色純度調整可能な有機ｅｌフルカラーパネル及びその製造方法
US7566902B2 (en) 2003-05-16 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
US8907868B2 (en) 2004-01-14 2014-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
US7453426B2 (en) 2004-01-14 2008-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
JP2008544449A (ja) * 2005-06-14 2008-12-04 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ マルチビュー表示装置
US9391128B2 (en) 2005-06-30 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
JP2007043104A (ja) * 2005-06-30 2007-02-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、及び電子機器
US8729795B2 (en) 2005-06-30 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
WO2007032526A1 (ja) * 2005-09-15 2007-03-22 Pioneer Corporation 有機エレクトロルミネセンス表示パネル
EP2031037A1 (en) 2007-08-29 2009-03-04 Fujifilm Corporation Organic electroluminescence device
EP2061086A2 (en) 2007-11-15 2009-05-20 FUJIFILM Corporation Thin film field effect transistor and display using the same
EP2061087A2 (en) 2007-11-15 2009-05-20 FUJIFILM Corporation Thin film field effect transistor and display using the same
JP2009205886A (ja) * 2008-02-27 2009-09-10 Hitachi Ltd 自発光素子および表示装置
EP2096690A2 (en) 2008-02-28 2009-09-02 FUJIFILM Corporation Organic electroluminescence device
EP2105967A1 (en) 2008-03-24 2009-09-30 FUJIFILM Corporation Thin film field effect transistor and display
JP2009295581A (ja) * 2008-06-05 2009-12-17 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機電界発光表示装置
US8154197B2 (en) 2008-06-05 2012-04-10 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device having refraction layers that improve light extraction efficiency and color reproducibility
WO2010084690A1 (ja) 2009-01-22 2010-07-29 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
EP2214223A2 (en) 2009-02-03 2010-08-04 Fujifilm Corporation Organic electroluminescence display device
WO2010093062A1 (en) 2009-02-13 2010-08-19 Fujifilm Corporation Organic electroluminescence device, and method for producing the same
EP2226867A2 (en) 2009-03-05 2010-09-08 Fujifilm Corporation Organic electroluminescence device
US8339033B2 (en) 2009-06-11 2012-12-25 Pioneer Corporation Light emitting element and display device
US8541941B2 (en) 2009-06-11 2013-09-24 Pioneer Corporation Light emitting element
KR101410455B1 (ko) * 2009-06-11 2014-06-27 파이오니아 가부시키가이샤 발광소자 및 표시장치
WO2011013507A1 (ja) 2009-07-31 2011-02-03 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子及びその製造方法
WO2011013626A1 (ja) 2009-07-31 2011-02-03 富士フイルム株式会社 有機デバイス用蒸着材料及び有機デバイスの製造方法
WO2011024976A1 (ja) 2009-08-31 2011-03-03 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
JP2011081334A (ja) * 2009-09-14 2011-04-21 Fujifilm Corp カラーフィルタ及び発光表示素子
JP2011071012A (ja) * 2009-09-28 2011-04-07 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置
EP2320490A2 (en) 2009-11-09 2011-05-11 FUJIFILM Corporation Organic electroluminescent device
WO2011114886A1 (ja) 2010-03-15 2011-09-22 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子の製造方法
JP2014508317A (ja) * 2011-12-22 2014-04-03 アスペルマイアー マルクス 基板転移単結晶ブラッグミラー
JP2017521673A (ja) * 2014-07-25 2017-08-03 フラウンホーファー−ゲゼルシャフト ツゥア フェアデルング デア アンゲヴァンドテン フォァシュング エー．ファウ． 少なくとも１つのｏｌｅｄまたはｌｅｄから放射される光放射の空間分解及び波長分解検出のための装置
WO2018135525A1 (ja) * 2017-01-18 2018-07-26 パイオニア株式会社 光装置
JPWO2018135525A1 (ja) * 2017-01-18 2019-11-07 パイオニア株式会社 光装置
US10904963B2 (en) 2017-01-18 2021-01-26 Pioneer Corporation Optical device
CN109936045A (zh) * 2017-12-17 2019-06-25 首都师范大学 一种有效调控微腔腔长的方法
JP2021166186A (ja) * 2019-02-28 2021-10-14 セイコーエプソン株式会社 画像表示装置および虚像表示装置
JP2021170533A (ja) * 2019-02-28 2021-10-28 セイコーエプソン株式会社 画像表示装置および虚像表示装置
US11675205B2 (en) 2019-02-28 2023-06-13 Seiko Epson Corporation Image display device and virtual image display apparatus
CN111103714A (zh) * 2019-12-05 2020-05-05 广州纪光新媒体系统有限公司 一种带有方便展示的液晶显示装置及方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3528470B2 (ja) 2004-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3528470B2 (ja) 微小光共振器型有機電界発光素子
KR101094736B1 (ko) 튜닝된 미세공동 컬러 ｏｌｅｄ 디스플레이
US5780174A (en) Micro-optical resonator type organic electroluminescent device
JP3297619B2 (ja) 有機ｅｌカラーディスプレイ
JP5241128B2 (ja) 多色表示装置
EP2175505B1 (en) Organic electroluminescent display apparatus
US5952779A (en) Organic electroluminescent light emitting device comprising an anode having a light transmittance of 30 to 70%
JP5410842B2 (ja) 有機電界発光表示装置
JP3783937B2 (ja) 有機ｅｌ素子
JP5975831B2 (ja) 表示装置
KR20040070102A (ko) 방출이 개선된 컬러 ｏｌｅｄ 디스플레이
EP2017907A2 (en) Display apparatus
US8188500B2 (en) Organic light-emitting element and light-emitting device using the same
JP2003115377A (ja) 発光素子、その製造方法およびこれを用いた表示装置
KR20040066721A (ko) 미세공동 ｏｌｅｄ 디바이스
US20100237335A1 (en) Multicolor display apparatus
US20060049419A1 (en) Light emitting diode device
JP2013118173A (ja) 表示装置
JP5627809B2 (ja) 有機ｅｌ表示装置
JP2004079421A (ja) 有機ｅｌ素子
JP6995569B2 (ja) 有機ｅｌ素子及びこれを用いた表示装置と照明装置
JP4785034B2 (ja) Ｅｌ素子
JP4438364B2 (ja) 有機発光素子および表示装置
JP2006165034A (ja) 有機ｅｌ素子
JP2006040784A (ja) 有機ｅｌ素子

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20031211

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20031211

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040203

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040216

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080305

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090305

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100305

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees