JPH10229243A - 有機発光素子 - Google Patents

有機発光素子

Info

Publication number
JPH10229243A
JPH10229243A JP9033580A JP3358097A JPH10229243A JP H10229243 A JPH10229243 A JP H10229243A JP 9033580 A JP9033580 A JP 9033580A JP 3358097 A JP3358097 A JP 3358097A JP H10229243 A JPH10229243 A JP H10229243A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
emitting device
light
organic light
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9033580A
Other languages
English (en)
Inventor
Takahiro Nakayama
隆博 中山
Shinya Kobayashi
信也 小林
Akira Shimada
島田  昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP9033580A priority Critical patent/JPH10229243A/ja
Priority to CA002223167A priority patent/CA2223167C/en
Priority to US08/984,041 priority patent/US6133691A/en
Priority to EP97121325.1A priority patent/EP0847094B1/en
Publication of JPH10229243A publication Critical patent/JPH10229243A/ja
Priority to US09/548,681 priority patent/US6563261B1/en
Priority to US10/397,181 priority patent/US6787991B2/en
Priority to US10/933,254 priority patent/US6909232B2/en
Priority to US11/152,254 priority patent/US7084566B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明に従来は膜側面から逃げて損失となって
いた光を利用して効率を向上させ、併せて共振や閉じ込
めの効果を利用した素子の構成を可能とする有機発光素
子。 【解決手段】膜面垂直方向に共振器構造を有する有機発
光素子で、膜平行方向に、近接場光を利用して微細周期
構造を作成する。この加工法により、反射機能を果たす
微細周期構造を膜面平行方向に有し、それによって出射
される発光を変調する素子。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は有機発光素子に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来の微小共振器構造を有する有機発光
素子は、「微小共振器構造を利用した有機発光素子によ
る多色発光素子の検討」:中山,角田,長江:電子情報
通信学会誌,J77−C−II,437(1994)のよ
うに、2平面の反射鏡の間に有機発光薄膜を挟んだ共振
器構造であった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の微小共振器構造
を有する有機電界発光素子では、膜面平行方向に進む光
を閉じ込める構造はなく、その光は活用されずに損失と
なっていた。この点では、共振器構造を持たない通常型
の有機電界発光素子でも同様である。
【0004】本発明の目的は、これらの発光素子で、活
用されずに損失となっていた、有機薄膜膜面平行方向に
進む光を有効に活用する素子構造とその作成方法を示す
ことにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】これは、有機薄膜及びそ
の上下の薄膜の一部について、図1に示したように、屈
折率の異なるラインまたはドットの多周期の反射構造を
膜面内に作成した構造を導入することにより解決され
る。図1では3ラインしか描いていないが、更に多数の
ラインを形成して素子を構成する場合も多い。この微細
な周期構造は、近接場光を照射してパターンを書き込む
装置を使用することにより作成可能である。
【0006】ファイバを用いて光を送り、尖らせたファ
イバの、先端の開口部から光を取り出す機構を考える。
この開口部が、十分小さく、取りだそうとする光の波長
の1/4の程度の大きさになると、通常の光はファイバ
から出ることはできない。近接場と呼ばれる、光の波長
の1/4の程度の大きさの局所的な場のみがファイバの
外側,先端部の周辺に形成される。その模式図を、図2
に示す。ファイバの先端を精密に移動させることによっ
て、この場で物質を微細加工することが可能であること
は1992年にE. Betzingらにより報告されている(Ap
p. Phys. Lett.61,p.142)。その方法の概念を図
2に示す。
【0007】有機物質は、良く知られているように、
光,熱などの、外部からのエネルギ照射により、分子間
の結合を形成したり、分解したり、結晶化などの相変化
をしたりする物質が数多く存在する。多くの場合、この
ような外部からのエネルギ照射による物質変化は、屈折
率の変化を伴っている。そこで、この物質変化により、
波長の1/4,3/4,5/4といった光学的距離の間
隔で、ラインまたはドットを膜面内に形成することによ
って、膜自らに半透明反射鏡の機能を持たせることがで
き、横方向に逃げる光を閉じ込めることができる。
【0008】図1は誘電体多積層薄膜の半透明反射膜を
用いた、膜面垂直方向に、共振器構造を有する有機薄膜
発光素子である。発光層には、ライン状の周期構造を形
成している。有機薄膜の構造は、図中の横に引き出して
示している。最上部の金属薄膜は、ライン状の周期構造
を形成後に蒸着する。有機薄膜は、紫外光による励起で
可視光を発する。
【0009】図3は発光層をドット状に加工した素子で
ある。ライン状に加工した場合は、膜面内で、ラインと
垂直方向に進む光のみを反射する機能を果たし、ドット
状に加工した場合は、直角な2方向に進む光について反
射する機能を果たす。
【0010】図4は、有機薄膜形成−周期構造加工−有
機薄膜形成−周期構造上加工−・・・・を繰り返すことによ
り、膜積層方向にも多周期構造を構成した素子である。
【0011】このように、発光する領域を閉じ込めるこ
とにより素子内部に光共振器を構成し、閉じ込めや共振
による古典的,量子的効果(遷移確率の、構造による修
正など)を利用した素子を実現することができる。
【0012】本発明は、誘電体多積層反射膜などの、有
機薄膜の上下に反射の機能を果たす構造を導入し、膜面
垂直方向にも共振器とした発光素子で、特に有効であ
る。
【0013】膜面平行方向,垂直方向のそれぞれについ
て、最も明確な効果が得られるのは、周期長(周期構造
の1成分又はそれぞれの成分の光学的距離)が発光波長
の1/4の時である。また、共振器長(反射鏡間の光学
的距離)が、1/4又は1/2倍であるときである(ミ
ラー面での反射による位相シフト分の合計が半波長か、
1波長かに依存する)。周期長、及び、共振器長につい
て、これらの最小の長さから、1/2ずつ大きくした長
さでも共振条件を満足する。
【0014】しかし、本発明が有効なのは、実際には、
界面の凹凸に応じて、共振器長及び周期長の一定の上限
までとなる。共振器長及び周期長が大きい程、微小共振
器効果などの量子的効果が弱くなること、膜表面や周期
界面の凹凸の寄与により共振の強さが小さくなることが
生じる。図5に共振特性(発光のピーク強度)の膜厚変
化に対する依存性の計算を示すが、10%以上に本発明
の効果が現れるのは、それぞれの光学的距離が、波長の
10倍程度の膜厚が限界となる。
【0015】加工した膜は、隣り合うラインまたはドッ
トとの屈折率の差によって半透明反射鏡として機能し、
膜面平行方向に走る光のうちの一定の割合について、膜
内部に戻す作用をする。
【0016】
【発明の実施の形態】図6に本発明による一実施例の断
面図を示す。図5は酸化チタン(54nm厚)と酸化シリ
コン(86nm厚)の薄膜を合計で6層積層した、誘電
体半透明反射膜を用いている。図6中には、発光層の例
として、ポリアセチレン誘導体の構造を示した。ポリア
セチレンは、主鎖の炭素結合を光反応などで成長させ、
膜の屈折率を変えることが可能である。図6では、10
3Aが光未照射部分、103Bが照射部分である。ま
た、ポリアセチレンは、分岐に付ける分子により、発光
スペクトルを変えることができる。101はガラス基
板、102は酸化チタンと酸化シリコンを6積層した半
透明反射膜、103A,Bは有機薄膜であり、104は
背面金属電極Al:Li合金(厚さ200nm)であ
る。105は透明電極ITO(厚さ200nm)であ
り、104との間に電圧を印加することにより発光層に
電子とホールが注入されて再結合して有機物質を励起
し、発光を生じる。図6で素子構造は1層型EL(電界
発光)素子を用いて示しているが、有機層の機能分担や
機能併合により、2層や3層以上の積層構造の有機電界
発光素子が報告されており、いずれの構造も用いること
ができる。
【0017】
【発明の効果】膜の周期構造の、一定の割合の光を膜内
部に戻す作用によって損失を低減させ、膜前面に出る有
効な光の総量を増大させ、発光素子の、入力エネルギ当
たりの出力発光量を向上させる効果がある。また、この
膜内部に光を戻す効果により、発光する領域を閉じ込め
て素子内部に光共振器を構成し、閉じ込めや共振による
古典的,量子的効果(遷移確率の構造による修正など)
を利用した素子を実現することも可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】微小共振器構造を有する有機発光素子で、発光
層にライン状のパターン形成を行った素子の説明図。
【図2】本発明の素子の発光層の微細パターンを作成す
る手法の説明図。
【図3】発光層にドット状のパターン形成を行った素子
の説明図。
【図4】膜積層方向にも多周期構造を構成した素子の説
明図。
【図5】共振の強さ(発光のピーク強度)と膜厚(共振
器の光学的長さを発光ピーク波長で割った値)の関係の
特性図。
【図6】電界発光素子を用いて、発光層にライン状のパ
ターン形成を行った素子の説明図。
【符号の説明】
101…透明基板、102…半透明反射膜、103…有
機薄膜、104…金属薄膜、105…透明導電膜。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】有機薄膜を反射鏡で挟み、膜面垂直方向に
    共振器構造を有する有機発光素子において、上記有機薄
    膜及びその上下の薄膜の一部について、膜面平行方向
    に、それぞれの物質中における発光波長の光学的長さの
    1/4(発光ピーク波長と屈折率の積)の組成または物
    質構造の周期を有することを特徴とする有機発光素子。
  2. 【請求項2】請求項1において、上記周期の長さが、そ
    れぞれの物質中における発光波長の光学的長さの1/4
    の(1+2m)倍である有機発光素子(mは1〜19の
    整数)。
  3. 【請求項3】請求項2において、上記有機薄膜の周期構
    造を、近接場光を用いて作成している有機発光素子。
  4. 【請求項4】請求項3において、誘電体多積層膜による
    半透明反射膜,透明導電膜を有し、電圧印加により発光
    する有機発光素子。
  5. 【請求項5】請求項4において、上記屈折率の差を利用
    した反射により2次元または3次元の共振器とした構造
    を有する有機発光素子。
JP9033580A 1996-04-12 1997-02-18 有機発光素子 Pending JPH10229243A (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9033580A JPH10229243A (ja) 1997-02-18 1997-02-18 有機発光素子
CA002223167A CA2223167C (en) 1996-12-04 1997-12-02 Organic light emitting element and producing method thereof
US08/984,041 US6133691A (en) 1996-04-12 1997-12-03 Organic light emitting element with resonant structure
EP97121325.1A EP0847094B1 (en) 1996-12-04 1997-12-04 Organic light emitting element and producing method thereof
US09/548,681 US6563261B1 (en) 1996-12-04 2000-04-13 Organic light emitting element and method of producing the same
US10/397,181 US6787991B2 (en) 1996-12-04 2003-03-27 Organic light emitting element and method of producing the same
US10/933,254 US6909232B2 (en) 1996-12-04 2004-09-03 Organic light emitting element and method of producing the same
US11/152,254 US7084566B2 (en) 1996-12-04 2005-06-15 Organic light emitting element with insulation film and metal reflection film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9033580A JPH10229243A (ja) 1997-02-18 1997-02-18 有機発光素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10229243A true JPH10229243A (ja) 1998-08-25

Family

ID=12390474

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9033580A Pending JPH10229243A (ja) 1996-04-12 1997-02-18 有機発光素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10229243A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6661034B2 (en) 2000-04-14 2003-12-09 Seiko Epson Corporation Organic light emitting device with corrugated light emitting layer
US6815886B2 (en) 2000-04-14 2004-11-09 Seiko Epson Corporation Light emitting device comprising a substrate, a transparent electrode, a layer of light emitting material and a second electrode and a method of manufacturing the light emitting device
JP4174989B2 (ja) * 1999-11-22 2008-11-05 ソニー株式会社 表示装置
WO2011024753A1 (ja) * 2009-08-25 2011-03-03 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2011058957A1 (ja) * 2009-11-10 2011-05-19 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR101354303B1 (ko) * 2006-03-13 2014-01-23 소니 주식회사 표시 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02170486A (ja) * 1988-12-23 1990-07-02 Hitachi Ltd 半導体発光装置
JPH03291985A (ja) * 1990-04-09 1991-12-24 Nec Corp 半導体発光素子
JPH04289601A (ja) * 1991-03-18 1992-10-14 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置の製造方法
JPH05327109A (ja) * 1992-03-26 1993-12-10 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機光学利得素子およびその励起方法
JPH09180883A (ja) * 1995-10-27 1997-07-11 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 微小光共振器型有機電界発光素子

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02170486A (ja) * 1988-12-23 1990-07-02 Hitachi Ltd 半導体発光装置
JPH03291985A (ja) * 1990-04-09 1991-12-24 Nec Corp 半導体発光素子
JPH04289601A (ja) * 1991-03-18 1992-10-14 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置の製造方法
JPH05327109A (ja) * 1992-03-26 1993-12-10 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機光学利得素子およびその励起方法
JPH09180883A (ja) * 1995-10-27 1997-07-11 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 微小光共振器型有機電界発光素子

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4174989B2 (ja) * 1999-11-22 2008-11-05 ソニー株式会社 表示装置
US7710025B2 (en) 1999-11-22 2010-05-04 Sony Corporation Display device using an organic electroluminescence device having resonant cavity
US6661034B2 (en) 2000-04-14 2003-12-09 Seiko Epson Corporation Organic light emitting device with corrugated light emitting layer
US6815886B2 (en) 2000-04-14 2004-11-09 Seiko Epson Corporation Light emitting device comprising a substrate, a transparent electrode, a layer of light emitting material and a second electrode and a method of manufacturing the light emitting device
KR101354303B1 (ko) * 2006-03-13 2014-01-23 소니 주식회사 표시 장치
WO2011024753A1 (ja) * 2009-08-25 2011-03-03 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2011049199A (ja) * 2009-08-25 2011-03-10 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2011058957A1 (ja) * 2009-11-10 2011-05-19 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US8773015B2 (en) 2009-11-10 2014-07-08 Sumitomo Chemical Company, Limited Method for manufacturing organic electroluminescent element having organic layers with periodic structure

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5312145B2 (ja) エレクトロルミネッセンス素子
JP3274527B2 (ja) 有機発光素子とその基板
Barnes Electromagnetic crystals for surface plasmon polaritons and the extraction of light from emissive devices
Gifford et al. Emission through one of two metal electrodes of an organic light-emitting diode via surface-plasmon cross coupling
KR102805279B1 (ko) 메타 표면, 이를 포함하는 발광 소자 및 디스플레이 장치와 메타 표면의 제조 방법
US5554911A (en) Light-emitting elements
US8618727B2 (en) Transparent organic light emitting diode
JP5479582B2 (ja) 有機発光ダイオード
JP2025010229A5 (ja)
EP1464088B1 (en) Electroluminescent device
US6587620B2 (en) Surface emitting device
JP2003123987A (ja) 光共振器
Kim et al. Nanohole-templated organic light-emitting diodes fabricated using laser-interfering lithography: moth-eye lighting
EP1105926B1 (en) Organic light emitting devices
CN1592525B (zh) 有机发光元件
JPH10177896A (ja) 有機発光素子
JP4155569B2 (ja) 高効率有機発光素子
CN110518152B (zh) 有机发光显示面板以及显示装置
JP3786160B2 (ja) El装置
JP2011222244A (ja) エレクトロルミネッセンス素子
JP5623501B2 (ja) 有機オプトエレクトロニクス素子の製造方法
JP5324287B2 (ja) 発光素子
US7738756B2 (en) Energy coupled superlattice structures for silicon based lasers and modulators
KR100978584B1 (ko) 표면 플라즈몬 공명을 이용한 형광 강화 oled
KR20180003164A (ko) 밴드 에지 방출 증대 유기 발광 다이오드

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050329

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050530

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060228