JPH09180937A - 平面インダクタおよび平面インダクタの製造方法 - Google Patents
平面インダクタおよび平面インダクタの製造方法Info
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- JPH09180937A JPH09180937A JP33547095A JP33547095A JPH09180937A JP H09180937 A JPH09180937 A JP H09180937A JP 33547095 A JP33547095 A JP 33547095A JP 33547095 A JP33547095 A JP 33547095A JP H09180937 A JPH09180937 A JP H09180937A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 平面インダクタの保磁力の増大による磁気特
性の悪化を抑制すると共に、平面インダクタの製造工程
における歩留まりと製造された平面インダクタの信頼性
の向上を達成した平面インダクタおよび平面インダクタ
の製造方法を提供すること。 【解決手段】支持基板上に形成された第１磁性体層と、
前記第１磁性体層上に形成された第１絶縁体層と、前記
第１絶縁体層上に形成された導体パターンと、前記導体
パターン上に形成された第２絶縁体層と、前記第２絶縁
体層上に形成された第２磁性体層とを有する平面インダ
クタにおいて、前記支持基板の少なくとも一方の面に樹
脂層を具備したことを特徴とする平面インダクタおよび
その製造方法。
性の悪化を抑制すると共に、平面インダクタの製造工程
における歩留まりと製造された平面インダクタの信頼性
の向上を達成した平面インダクタおよび平面インダクタ
の製造方法を提供すること。 【解決手段】支持基板上に形成された第１磁性体層と、
前記第１磁性体層上に形成された第１絶縁体層と、前記
第１絶縁体層上に形成された導体パターンと、前記導体
パターン上に形成された第２絶縁体層と、前記第２絶縁
体層上に形成された第２磁性体層とを有する平面インダ
クタにおいて、前記支持基板の少なくとも一方の面に樹
脂層を具備したことを特徴とする平面インダクタおよび
その製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話等の各種
電子機器に用いられる平面インダクタおよび平面インダ
クタの製造方法に関する。
電子機器に用いられる平面インダクタおよび平面インダ
クタの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、各種電子機器の小型化、軽量化が
進められている。これに伴い、電子機器に搭載されるス
イッチング電源に対しても小型化の要求が高まってい
る。
進められている。これに伴い、電子機器に搭載されるス
イッチング電源に対しても小型化の要求が高まってい
る。
【０００３】従来、このスイッチング電源に使用されて
いる磁気素子、すなわちチョークコイルやトランスに
は、フェライトを用いて形成されたＥΙコアやΡＱドラ
ム等の各種形状のもの、あるいはアモルファス磁性合金
薄帯を巻き回したコアを用いたもの等が使用されていた
が、近年、小型化、軽量化、薄型化の要求に応えるため
に、薄膜プロセスを利用した平面インダクタが開発され
ている。
いる磁気素子、すなわちチョークコイルやトランスに
は、フェライトを用いて形成されたＥΙコアやΡＱドラ
ム等の各種形状のもの、あるいはアモルファス磁性合金
薄帯を巻き回したコアを用いたもの等が使用されていた
が、近年、小型化、軽量化、薄型化の要求に応えるため
に、薄膜プロセスを利用した平面インダクタが開発され
ている。
【０００４】平面インダクタは、例えば図６および図７
に示すようにアルミナセラミック基板１、Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｂ−Ｃ膜からなる第１磁性体層２、Ａｌ−Ｎ膜からなる
第１絶縁体層３、渦巻状の導体パターン４あるいはつづ
れ折り状の導体パターン６、Ａｌ−Ｎ膜からなる第２絶
縁体層７およびＦｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｃ膜からなる第２磁性
体層８を順に積層した構造を有している。そして、平面
インダクタの導体パターンは、フォトリソグラフィ−に
より第１絶縁体層３上に渦巻状の導体パターン４あるい
はつづれ折り状の導体パターン６を形成した平面コイル
素子５と、導体パターン４あるいは６間を絶縁し、導体
パターン４あるいは６の表面を平滑とするために、平面
コイル素子５を被覆するポリイミド等の絶縁被膜とから
なっている。
に示すようにアルミナセラミック基板１、Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｂ−Ｃ膜からなる第１磁性体層２、Ａｌ−Ｎ膜からなる
第１絶縁体層３、渦巻状の導体パターン４あるいはつづ
れ折り状の導体パターン６、Ａｌ−Ｎ膜からなる第２絶
縁体層７およびＦｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｃ膜からなる第２磁性
体層８を順に積層した構造を有している。そして、平面
インダクタの導体パターンは、フォトリソグラフィ−に
より第１絶縁体層３上に渦巻状の導体パターン４あるい
はつづれ折り状の導体パターン６を形成した平面コイル
素子５と、導体パターン４あるいは６間を絶縁し、導体
パターン４あるいは６の表面を平滑とするために、平面
コイル素子５を被覆するポリイミド等の絶縁被膜とから
なっている。
【０００５】ところで、支持基盤として通常用いられる
アルミナ等のセラミックス基板には表面に微細な凹凸が
有り、この凹凸を有するセラミックス基板上に磁性体層
を形成すると磁性体層にも凹凸を生じてしまう。一般
に、磁性体層は、平面インダクタの動作時の効率（Ｑ
値）の確保とインダクタンス値の低下を抑制するために
低保磁力を求められており、保磁力は、基板表面の凹凸
の深さ、数および形状等に依存している。したがって、
セラミックス基板上に形成された磁性体層に凹凸が存在
するとここで反磁界が大きくなり、磁気的な特異点（磁
化されにくい場所）が生じてしまう。その結果、磁性体
層には局所異方性が生じるため平面インダクタの保磁力
が増大し、上記した磁気特性が悪くなるという問題があ
った。
アルミナ等のセラミックス基板には表面に微細な凹凸が
有り、この凹凸を有するセラミックス基板上に磁性体層
を形成すると磁性体層にも凹凸を生じてしまう。一般
に、磁性体層は、平面インダクタの動作時の効率（Ｑ
値）の確保とインダクタンス値の低下を抑制するために
低保磁力を求められており、保磁力は、基板表面の凹凸
の深さ、数および形状等に依存している。したがって、
セラミックス基板上に形成された磁性体層に凹凸が存在
するとここで反磁界が大きくなり、磁気的な特異点（磁
化されにくい場所）が生じてしまう。その結果、磁性体
層には局所異方性が生じるため平面インダクタの保磁力
が増大し、上記した磁気特性が悪くなるという問題があ
った。
【０００６】また、支持基盤として、表面に微細な凹凸
の少ないシリコン等の単結晶基板を使用した場合には、
支持基板上に形成された磁性体層に生じる凹凸が減少す
るために平面インダクタの保磁力の増大および磁気特性
の劣化がほぼ抑制されるが、シリコン等の単結晶基板は
腕いために製造工程中で基板が破損し易く、平面インダ
クタの製造に際して歩留まりが低下するという問題があ
った。
の少ないシリコン等の単結晶基板を使用した場合には、
支持基板上に形成された磁性体層に生じる凹凸が減少す
るために平面インダクタの保磁力の増大および磁気特性
の劣化がほぼ抑制されるが、シリコン等の単結晶基板は
腕いために製造工程中で基板が破損し易く、平面インダ
クタの製造に際して歩留まりが低下するという問題があ
った。
【０００７】さらに、シリコン等の単結晶基板上に磁性
体層を形成すると、磁性体層に凹状の膜応力がかかる
（磁性体層の中心部が最も凹む形態）ことから基板が反
るので磁性体層成膜後の製造工程中における製造装置内
での搬送トラブルや導体パターン形成時に際するマスク
合わせでのズレ等が発生し、平面インダクタの製造に際
する歩留まりおよび製造された平面インダクタの信頼性
が低下するという問題があった。
体層を形成すると、磁性体層に凹状の膜応力がかかる
（磁性体層の中心部が最も凹む形態）ことから基板が反
るので磁性体層成膜後の製造工程中における製造装置内
での搬送トラブルや導体パターン形成時に際するマスク
合わせでのズレ等が発生し、平面インダクタの製造に際
する歩留まりおよび製造された平面インダクタの信頼性
が低下するという問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
問題を解決すべくなされたもので、平面インダクタの保
磁力の増大による磁気特性の劣化を抑制すると共に、平
面インダクタの製造工程における歩留まりと製造された
平面インダクタの信頼性の向上を達成した平面インダク
タおよび平面インダクタの製造方法を提供することを目
的とする。
問題を解決すべくなされたもので、平面インダクタの保
磁力の増大による磁気特性の劣化を抑制すると共に、平
面インダクタの製造工程における歩留まりと製造された
平面インダクタの信頼性の向上を達成した平面インダク
タおよび平面インダクタの製造方法を提供することを目
的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る平面インダ
クタは、支持基板上に形成された第１磁性体層と、前記
第１磁性体層上に形成された第１絶縁体層と、前記第１
絶縁体層上に形成された導体パターンと、前記導体パタ
ーン上に形成された第２絶縁体層と、前記第２絶縁体層
上に形成された第２磁性体層とを有する平面インダクタ
において、前記支持基板の少なくとも一方の面に樹脂層
を具備したことを特徴としている。
クタは、支持基板上に形成された第１磁性体層と、前記
第１磁性体層上に形成された第１絶縁体層と、前記第１
絶縁体層上に形成された導体パターンと、前記導体パタ
ーン上に形成された第２絶縁体層と、前記第２絶縁体層
上に形成された第２磁性体層とを有する平面インダクタ
において、前記支持基板の少なくとも一方の面に樹脂層
を具備したことを特徴としている。
【００１０】本発明の平面インダクタにおいては、支持
基板の少なくとも一方の面に樹脂層を具備するように構
成したので、支持基板としてアルミナ等の焼結体を用い
た場合においても凹凸部に樹脂が埋め込まれて支持基板
の表面が平坦化され、磁性体層が平滑となる結果、磁性
体層の凹凸に起因する局所異方性の発生が防止され、平
面インダクタの保磁力の増大による磁気特性の悪化が抑
制される。
基板の少なくとも一方の面に樹脂層を具備するように構
成したので、支持基板としてアルミナ等の焼結体を用い
た場合においても凹凸部に樹脂が埋め込まれて支持基板
の表面が平坦化され、磁性体層が平滑となる結果、磁性
体層の凹凸に起因する局所異方性の発生が防止され、平
面インダクタの保磁力の増大による磁気特性の悪化が抑
制される。
【００１１】また、支持基板として、表面の凹凸は小さ
いが、割れ、反りが生じやすいシリコン等の支持基板を
用いた場合においても、樹脂が衝突等による衝撃から支
持基板を保護し、かつ支持基盤の反りを防止するため、
基板に亀裂等が入り難くなると共に、導体パターン形成
時に際するマスク合わせでのズレ等が発生しないため基
板破壊による歩留まりの低下が抑制され、平面インダク
タの信頼性の向上が達成される。
いが、割れ、反りが生じやすいシリコン等の支持基板を
用いた場合においても、樹脂が衝突等による衝撃から支
持基板を保護し、かつ支持基盤の反りを防止するため、
基板に亀裂等が入り難くなると共に、導体パターン形成
時に際するマスク合わせでのズレ等が発生しないため基
板破壊による歩留まりの低下が抑制され、平面インダク
タの信頼性の向上が達成される。
【００１２】本発明の平面インダクタにおいて、支持基
板の「面」とは、支持基板上の磁性体層が形成される領
域あるいはこの領域と相対する領域のことを示す。
板の「面」とは、支持基板上の磁性体層が形成される領
域あるいはこの領域と相対する領域のことを示す。
【００１３】また、樹脂層は、少なくとも２５０〜４０
０℃の範囲内で耐熱性を有するものであり、より好まし
くは、３００〜４００℃の範囲内で耐熱性を有するもの
である。このような耐熱性を有する樹脂としては、ポリ
イミド、ポリアミドイミド、芳香族ポリアミド、ポリイ
ミダゾール等に代表されるポリイミド系樹脂が好適に用
いられるが、例えばエポキシ系樹脂等の使用も可能であ
り、これらの樹脂は上記した温度条件と平面インダクタ
に要求される特性に基づいて適宜決定される。このと
き、樹脂層は、その層厚が４〜１５μｍ、好ましくは５
〜８μｍとなるように形成される。
０℃の範囲内で耐熱性を有するものであり、より好まし
くは、３００〜４００℃の範囲内で耐熱性を有するもの
である。このような耐熱性を有する樹脂としては、ポリ
イミド、ポリアミドイミド、芳香族ポリアミド、ポリイ
ミダゾール等に代表されるポリイミド系樹脂が好適に用
いられるが、例えばエポキシ系樹脂等の使用も可能であ
り、これらの樹脂は上記した温度条件と平面インダクタ
に要求される特性に基づいて適宜決定される。このと
き、樹脂層は、その層厚が４〜１５μｍ、好ましくは５
〜８μｍとなるように形成される。
【００１４】平面コイル素子を構成する絶縁体層として
は、セラミック等の基板上に形成された二酸化珪素、ア
ルミナあるいはタンタルからなる絶縁膜またはＳｉ−Ｎ
系あるいはＡｌ−Ｎ系絶縁膜でもよい。しかしながら、
Ａｌ−Ｎ系絶縁膜の使用は平面インダクタに高い特性を
付与するのでより好ましい。セラミック等の基板上に形
成された絶縁体層の層厚は、通常、０．０５〜５．０μ
ｍ程度に調整される。また、平面コイル素子を構成する
導体パターンは、通常のフォトリソグラフィーにより形
成され、その形状は渦巻状あるいはつづれ折り状であ
る。ここで渦巻とは、螺旋状に巻いた曲線の他、図５に
示された導体パターン４のように、端点以外に微分不可
能な点を複数有する形状をも包含する概念である。さら
に、つづれ折りとは、図６に示された導体パターン６の
ように、導体パターンが振幅する形状を示す概念であ
る。すなわち、平面コイル素子を構成する導体パターン
は、絶縁体層上に最大の占有領域を持つ形態で形成され
るのである。導体パターンは通常銅からなるが、例えば
アルミニウム等の使用も可能である。
は、セラミック等の基板上に形成された二酸化珪素、ア
ルミナあるいはタンタルからなる絶縁膜またはＳｉ−Ｎ
系あるいはＡｌ−Ｎ系絶縁膜でもよい。しかしながら、
Ａｌ−Ｎ系絶縁膜の使用は平面インダクタに高い特性を
付与するのでより好ましい。セラミック等の基板上に形
成された絶縁体層の層厚は、通常、０．０５〜５．０μ
ｍ程度に調整される。また、平面コイル素子を構成する
導体パターンは、通常のフォトリソグラフィーにより形
成され、その形状は渦巻状あるいはつづれ折り状であ
る。ここで渦巻とは、螺旋状に巻いた曲線の他、図５に
示された導体パターン４のように、端点以外に微分不可
能な点を複数有する形状をも包含する概念である。さら
に、つづれ折りとは、図６に示された導体パターン６の
ように、導体パターンが振幅する形状を示す概念であ
る。すなわち、平面コイル素子を構成する導体パターン
は、絶縁体層上に最大の占有領域を持つ形態で形成され
るのである。導体パターンは通常銅からなるが、例えば
アルミニウム等の使用も可能である。
【００１５】なお、通常、平面インダクタは、導体パタ
ーンを形成する磁性体層上の表面を平滑としたり、導体
パターン間を絶縁し、かつ平面コイル素子の表面を平滑
とするために、磁性体層および平面コイル素子を絶縁体
である樹脂により被覆することが多い。このとき用いら
れる樹脂としては、上記したようなポリイミド系樹脂等
が好適に用いられる。
ーンを形成する磁性体層上の表面を平滑としたり、導体
パターン間を絶縁し、かつ平面コイル素子の表面を平滑
とするために、磁性体層および平面コイル素子を絶縁体
である樹脂により被覆することが多い。このとき用いら
れる樹脂としては、上記したようなポリイミド系樹脂等
が好適に用いられる。
【００１６】本発明に係る平面インダクタの製造方法
は、支持基板の少なくとも一方の面に樹脂層を形成する
工程と、前記少なくとも一方の面に樹脂層が形成された
支持基板上に第１磁性体層を形成する工程と、前記第１
磁性体層上に第１絶縁体層を形成する工程と、前記第１
絶縁体層上に導体パターンを形成する工程と、前記導体
パターン上に第２絶縁体層を形成する工程と、前記第２
絶縁体層上に第２磁性体層を形成する工程とを有するこ
とを特徴としている。
は、支持基板の少なくとも一方の面に樹脂層を形成する
工程と、前記少なくとも一方の面に樹脂層が形成された
支持基板上に第１磁性体層を形成する工程と、前記第１
磁性体層上に第１絶縁体層を形成する工程と、前記第１
絶縁体層上に導体パターンを形成する工程と、前記導体
パターン上に第２絶縁体層を形成する工程と、前記第２
絶縁体層上に第２磁性体層を形成する工程とを有するこ
とを特徴としている。
【００１７】本発明の平面インダクタの製造方法におい
ては、支持基板の少なくとも一方の面に樹脂層が形成さ
れ、少なくとも一方の面に樹脂層が形成された支持基板
上に第１磁性体層が形成される。次に、第１磁性体層上
に第１絶縁体層が形成され、第１絶縁体層上に導体パタ
ーンが形成される。次いで、導体パターン上に第２絶縁
体層が形成され、第２絶縁体層上に第２磁性体層が形成
される。
ては、支持基板の少なくとも一方の面に樹脂層が形成さ
れ、少なくとも一方の面に樹脂層が形成された支持基板
上に第１磁性体層が形成される。次に、第１磁性体層上
に第１絶縁体層が形成され、第１絶縁体層上に導体パタ
ーンが形成される。次いで、導体パターン上に第２絶縁
体層が形成され、第２絶縁体層上に第２磁性体層が形成
される。
【００１８】支持基板の少なくとも一方の面への樹脂層
の形成方法は、特に限定はされないが、通常はスピンコ
ートにより行うことができる。例えば、ポリイミド系の
樹脂により樹脂層を形成する場合には、通常Ｎ−メチル
−２−ピロリドン（ＮＭＰ）を溶剤とし、これにポリア
ミック酸を溶解したワニスをスピンコートして塗布した
後加熱することにより樹脂層を形成する。また、支持基
板の両方の面へ樹脂層を形成する場合には、一方の面に
樹脂層を形成した後、他方の面に改めて樹脂層を形成す
る。
の形成方法は、特に限定はされないが、通常はスピンコ
ートにより行うことができる。例えば、ポリイミド系の
樹脂により樹脂層を形成する場合には、通常Ｎ−メチル
−２−ピロリドン（ＮＭＰ）を溶剤とし、これにポリア
ミック酸を溶解したワニスをスピンコートして塗布した
後加熱することにより樹脂層を形成する。また、支持基
板の両方の面へ樹脂層を形成する場合には、一方の面に
樹脂層を形成した後、他方の面に改めて樹脂層を形成す
る。
【００１９】また、樹脂層が形成された支持基板上への
第１磁性体層、第１磁性体層上への第１絶縁体層、導体
パターン上への第２絶縁体層および第２絶縁体層上への
第２磁性体層の形成は、通常、スパッタリングにより行
われる。スパッタリングの条件は、通常の平面インダク
タの製造における条件と同様である。
第１磁性体層、第１磁性体層上への第１絶縁体層、導体
パターン上への第２絶縁体層および第２絶縁体層上への
第２磁性体層の形成は、通常、スパッタリングにより行
われる。スパッタリングの条件は、通常の平面インダク
タの製造における条件と同様である。
【００２０】スパッタリングにより形成された第１絶縁
体層上への導体パターンの形成および導体パターン上へ
の第２絶縁体層の形成においては、導体パターンが形成
される第１絶縁体層上の面および第２絶縁体層が形成さ
れる導体パターン上を平滑にするために、絶縁層を通常
形成する。この絶縁層は、樹脂により形成されることが
多いが、この場合も上記したような材質を用いてスピン
コートにより形成することができる。
体層上への導体パターンの形成および導体パターン上へ
の第２絶縁体層の形成においては、導体パターンが形成
される第１絶縁体層上の面および第２絶縁体層が形成さ
れる導体パターン上を平滑にするために、絶縁層を通常
形成する。この絶縁層は、樹脂により形成されることが
多いが、この場合も上記したような材質を用いてスピン
コートにより形成することができる。
【００２１】
（実施例１および比較例１）以下に、図面を参照しなが
ら本発明の実施例について詳細に説明する。
ら本発明の実施例について詳細に説明する。
【００２２】図１は、本発明による平面インダクタの一
実施例を示した断面図で、断面方向は図６に示したＡ−
Ｂ間に沿ったものである。
実施例を示した断面図で、断面方向は図６に示したＡ−
Ｂ間に沿ったものである。
【００２３】はじめに、アルミナセラミックス基板１の
表面に、ポリイミド系の絶縁ワニスであるＣＴ−４１５
０（東芝ケミカル株式会社）をスピンコーターで塗布
し、７５℃で１０分、１４５℃で３０分、続いて３５０
℃で６０分間ベークして、層厚が８μｍのポリイミドか
らなる樹脂層９を形成した。なお、２５℃および６０℃
におけるＣＴ−４１５０の粘度は、それぞれ８０Ｐ（ポ
アズ）、２０Ｐであり、溶剤としてはＮΜΡを用いてい
る。
表面に、ポリイミド系の絶縁ワニスであるＣＴ−４１５
０（東芝ケミカル株式会社）をスピンコーターで塗布
し、７５℃で１０分、１４５℃で３０分、続いて３５０
℃で６０分間ベークして、層厚が８μｍのポリイミドか
らなる樹脂層９を形成した。なお、２５℃および６０℃
におけるＣＴ−４１５０の粘度は、それぞれ８０Ｐ（ポ
アズ）、２０Ｐであり、溶剤としてはＮΜΡを用いてい
る。
【００２４】次に、樹脂層９上に、層厚１．５μｍのＦ
ｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｃ膜からなる第１磁性体層２、層厚０．
４μｍのＡｌ−Ｎ系からなる第１絶縁体層３をスパッタ
リングにより形成した。
ｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｃ膜からなる第１磁性体層２、層厚０．
４μｍのＡｌ−Ｎ系からなる第１絶縁体層３をスパッタ
リングにより形成した。
【００２５】続いて、第１絶縁体層３上に樹脂層９と同
様にして層厚が８μｍのポリイミドからなる樹脂層１０
を形成し、その上にフォトリソグラフィーによりアスペ
クト比１：１の銅の導体パターン４を形成した。なお、
導体パターン間のピッチは５０μｍ、導体パターンの膜
厚は５０μｍである。そして、平面コイル素子５上に樹
脂層９と同様にして、層厚が８μｍのポリイミドからな
る樹脂層１１を形成した。
様にして層厚が８μｍのポリイミドからなる樹脂層１０
を形成し、その上にフォトリソグラフィーによりアスペ
クト比１：１の銅の導体パターン４を形成した。なお、
導体パターン間のピッチは５０μｍ、導体パターンの膜
厚は５０μｍである。そして、平面コイル素子５上に樹
脂層９と同様にして、層厚が８μｍのポリイミドからな
る樹脂層１１を形成した。
【００２６】最後に、樹脂層１１上に、層厚０．４μｍ
のＡｌ−Ｎ系からなる第２絶縁体層７および層厚１．５
μｍのＦｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｃ膜からなる第２磁性体層８を
スパッタリングにより形成し、本発明の平面インダクタ
を得た（実施例１）。
のＡｌ−Ｎ系からなる第２絶縁体層７および層厚１．５
μｍのＦｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｃ膜からなる第２磁性体層８を
スパッタリングにより形成し、本発明の平面インダクタ
を得た（実施例１）。
【００２７】一方、対照として、アルミナセラミックス
基板１の表面にポリイミドからなる樹脂層９を形成しな
い以外は、実施例１と全く同様にして、図２に示す平面
インダクタを得た（比較例１）。
基板１の表面にポリイミドからなる樹脂層９を形成しな
い以外は、実施例１と全く同様にして、図２に示す平面
インダクタを得た（比較例１）。
【００２８】そして、実施例１および比較例１の平面イ
ンダクタを用いて、磁気特性を比較検討したところ、実
施例１の平面インダクタにおいては保磁力が１０Ａ／ｍ
であったが、比較例１の平面インダクタにおいては保磁
力が１８０Ａ／ｍであり、本発明の平面インダクタにお
いて著しい磁気特性の向上が達成された。
ンダクタを用いて、磁気特性を比較検討したところ、実
施例１の平面インダクタにおいては保磁力が１０Ａ／ｍ
であったが、比較例１の平面インダクタにおいては保磁
力が１８０Ａ／ｍであり、本発明の平面インダクタにお
いて著しい磁気特性の向上が達成された。
【００２９】（実施例２および比較例２）図３は、本発
明による平面インダクタの他の実施例を示した断面図
で、断面方向は図６に示したＡ−Ｂ間に沿ったものであ
る。
明による平面インダクタの他の実施例を示した断面図
で、断面方向は図６に示したＡ−Ｂ間に沿ったものであ
る。
【００３０】はじめに、シリコン基板１３の表面に、ポ
リイミド系の絶縁ワニスであるＣＴ−４１５０（東芝ケ
ミカル株式会社）をスピンコーターで塗布し、７５℃で
１０分、１４５℃で３０分、続いて３５０℃で６０分間
ベークして、層厚が８μｍのポリイミドからなる樹脂層
９を形成した。
リイミド系の絶縁ワニスであるＣＴ−４１５０（東芝ケ
ミカル株式会社）をスピンコーターで塗布し、７５℃で
１０分、１４５℃で３０分、続いて３５０℃で６０分間
ベークして、層厚が８μｍのポリイミドからなる樹脂層
９を形成した。
【００３１】次に、樹脂層９が形成されたシリコン基板
１３の裏面に、層厚１．５μｍのＦｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｃ膜
からなる第１磁性体層２、層厚０．４μｍのＡｌ−Ｎ系
からなる第１絶縁体層３をスパッタリングにより形成し
た。
１３の裏面に、層厚１．５μｍのＦｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｃ膜
からなる第１磁性体層２、層厚０．４μｍのＡｌ−Ｎ系
からなる第１絶縁体層３をスパッタリングにより形成し
た。
【００３２】続いて、第１絶縁体層３上に樹脂層９と同
様にして層厚が８μｍのポリイミドからなる樹脂層１０
を形成し、フォトリソグラフィーによりアスペクト比
１：１の銅の導体パターン４を形成した。なお、導体パ
ターン間のピッチは５０μｍ、導体パターンの膜厚は３
０μｍである。そして、平面コイル素子５上に樹脂層９
と同様にして層厚が８μｍのポリイミドからなる樹脂層
１１を形成した。
様にして層厚が８μｍのポリイミドからなる樹脂層１０
を形成し、フォトリソグラフィーによりアスペクト比
１：１の銅の導体パターン４を形成した。なお、導体パ
ターン間のピッチは５０μｍ、導体パターンの膜厚は３
０μｍである。そして、平面コイル素子５上に樹脂層９
と同様にして層厚が８μｍのポリイミドからなる樹脂層
１１を形成した。
【００３３】最後に、樹脂層１１上に、層厚０．４μｍ
のＡｌ−Ｎ系からなる第２絶縁体層７および層厚１．５
μｍのＦｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｃ膜からなる第２磁性体層８を
スパッタリングにより形成し、本発明の平面インダクタ
を得た（実施例２）。
のＡｌ−Ｎ系からなる第２絶縁体層７および層厚１．５
μｍのＦｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｃ膜からなる第２磁性体層８を
スパッタリングにより形成し、本発明の平面インダクタ
を得た（実施例２）。
【００３４】一方、対照として、シリコン基板１３にポ
リイミドからなる樹脂層９を形成しない以外は、実施例
２と全く同様にして、図４に示す平面インダクタを得た
（比較例２）。
リイミドからなる樹脂層９を形成しない以外は、実施例
２と全く同様にして、図４に示す平面インダクタを得た
（比較例２）。
【００３５】ここで、実施例２および比較例２の平面イ
ンダクタの製造工程を追跡したところ、実施例２の平面
インダクタの製造工程においては、比較例２の平面イン
ダクタの製造工程に比べてシリコン基板の破損がほぼ防
止され、平面インダクタの製造歩留まりが３０％向上し
た。
ンダクタの製造工程を追跡したところ、実施例２の平面
インダクタの製造工程においては、比較例２の平面イン
ダクタの製造工程に比べてシリコン基板の破損がほぼ防
止され、平面インダクタの製造歩留まりが３０％向上し
た。
【００３６】さらに、実施例２の平面インダクタの製造
工程においては、比較例２の平面インダクタの製造工程
に比べて、第１および第２磁性体層の形成後におけるシ
リコン基板の反り返りがほぼ防止され、製造装置内での
搬送トラブルや導体パターン形成時に際するマスク合わ
せでのズレ等が減少したので、平面インダクタの信頼性
の向上が達成された。
工程においては、比較例２の平面インダクタの製造工程
に比べて、第１および第２磁性体層の形成後におけるシ
リコン基板の反り返りがほぼ防止され、製造装置内での
搬送トラブルや導体パターン形成時に際するマスク合わ
せでのズレ等が減少したので、平面インダクタの信頼性
の向上が達成された。
【００３７】（実施例３）図５は、本発明による平面イ
ンダクタの他の実施例を示した断面図で、断面方向は図
６に示したＡ−Ｂ間に沿ったものである。
ンダクタの他の実施例を示した断面図で、断面方向は図
６に示したＡ−Ｂ間に沿ったものである。
【００３８】はじめに、シリコン基板１３の表面に、ポ
リイミド系の絶縁ワニスであるＣＴ−４１５０（東芝ケ
ミカル株式会社）をスピンコーターで塗布し、７５℃で
１０分、１４５℃で３０分、続いて３５０℃で６０分間
ベークして、層厚が８μｍのポリイミドからなる樹脂層
９を形成した。
リイミド系の絶縁ワニスであるＣＴ−４１５０（東芝ケ
ミカル株式会社）をスピンコーターで塗布し、７５℃で
１０分、１４５℃で３０分、続いて３５０℃で６０分間
ベークして、層厚が８μｍのポリイミドからなる樹脂層
９を形成した。
【００３９】次に、樹脂層９が形成されたシリコン基板
１３の裏面に、樹脂層９の形成と同様にして樹脂層１２
を形成した。
１３の裏面に、樹脂層９の形成と同様にして樹脂層１２
を形成した。
【００４０】そして、樹脂層９上に、層厚１．５μｍの
Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｃ膜からなる第１磁性体層２、層厚
０．４μｍのＡｌ−Ｎ系からなる第１絶縁体層３をスパ
ッタリングにより形成した。
Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｃ膜からなる第１磁性体層２、層厚
０．４μｍのＡｌ−Ｎ系からなる第１絶縁体層３をスパ
ッタリングにより形成した。
【００４１】続いて、第１絶縁体層３上に樹脂層９と同
様にして層厚が８μｍのポリイミドからなる樹脂層１０
を形成し、フォトリソグラフィーによりアスペクト比
１：１の銅の導体パターン４を形成した。なお、導体パ
ターン間のピッチは５０μｍ、導体パターンの膜厚は３
０μｍである。そして、平面コイル素子５上に樹脂層９
と同様にして層厚が８μｍのポリイミドからなる樹脂層
１１を形成した。
様にして層厚が８μｍのポリイミドからなる樹脂層１０
を形成し、フォトリソグラフィーによりアスペクト比
１：１の銅の導体パターン４を形成した。なお、導体パ
ターン間のピッチは５０μｍ、導体パターンの膜厚は３
０μｍである。そして、平面コイル素子５上に樹脂層９
と同様にして層厚が８μｍのポリイミドからなる樹脂層
１１を形成した。
【００４２】最後に、樹脂層１１上に、層厚０．４μｍ
のＡｌ−Ｎ系からなる第２絶縁体層７および層厚１．５
μｍのＦｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｃ膜からなる第２磁性体層８を
スパッタリングにより形成し、本発明の平面インダクタ
を得た（実施例３）。
のＡｌ−Ｎ系からなる第２絶縁体層７および層厚１．５
μｍのＦｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｃ膜からなる第２磁性体層８を
スパッタリングにより形成し、本発明の平面インダクタ
を得た（実施例３）。
【００４３】ここで、実施例３および実施例２の平面イ
ンダクタの製造工程を追跡したところ、実施例３の平面
インダクタの製造工程においては、実施例２の平面イン
ダクタの製造工程に比べてシリコン基板の破損がほぼ完
全に防止され、平面インダクタの製造歩留まりが、さら
に６０％向上した。
ンダクタの製造工程を追跡したところ、実施例３の平面
インダクタの製造工程においては、実施例２の平面イン
ダクタの製造工程に比べてシリコン基板の破損がほぼ完
全に防止され、平面インダクタの製造歩留まりが、さら
に６０％向上した。
【００４４】さらに、実施例３の平面インダクタの製造
工程においては、比較例２の平面インダクタの製造工程
に比べて、第１および第２磁性体層の形成後におけるシ
リコン基板の反り返りがほぼ防止され、製造装置内での
搬送トラブルや導体パターン形成時に際するマスク合わ
せでのズレ等が減少したので、平面インダクタの信頼性
の向上も併せて達成された。
工程においては、比較例２の平面インダクタの製造工程
に比べて、第１および第２磁性体層の形成後におけるシ
リコン基板の反り返りがほぼ防止され、製造装置内での
搬送トラブルや導体パターン形成時に際するマスク合わ
せでのズレ等が減少したので、平面インダクタの信頼性
の向上も併せて達成された。
【００４５】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、支持基板の少なくとも一方の面に形成した樹脂層に
より、セラミックス等からなる支持基板上の表面が円滑
となって磁性体層が平坦化されると共に、シリコン等か
らなる支持基板の破損および反りをほぼ防止できるの
で、平面インダクタの保磁力の増大による磁気特性の向
上が達成され、破損による歩留まりおよび信頼性の向上
が達成された平面インダクタおよび平面インダクタの製
造方法を提供することができる。
ば、支持基板の少なくとも一方の面に形成した樹脂層に
より、セラミックス等からなる支持基板上の表面が円滑
となって磁性体層が平坦化されると共に、シリコン等か
らなる支持基板の破損および反りをほぼ防止できるの
で、平面インダクタの保磁力の増大による磁気特性の向
上が達成され、破損による歩留まりおよび信頼性の向上
が達成された平面インダクタおよび平面インダクタの製
造方法を提供することができる。
【図１】本発明による平面インダクタの一実施例を示し
た断面図。
た断面図。
【図２】比較例１において得られた平面インダクタを示
した断面図。
した断面図。
【図３】本発明による平面インダクタの他の実施例を示
した断面図。
した断面図。
【図４】比較例２において得られた平面インダクタを示
した断面図。
した断面図。
【図５】本発明による平面インダクタの他の実施例を示
した断面図。
した断面図。
【図６】一般的な平面インダクタの構成を示した図。
【図７】一般的な平面インダクタの構成を示した図。
１……アルミナセラミック基板 ２……第１磁性体層 ３……第１絶縁体層 ４……導体パターン ５……
平面コイル素子 ６……導体パターン ７……第２絶縁体層 ８……
第２磁性体層 ９……樹脂層 １０……樹脂層 １１……樹脂層
１２……樹脂層 １３……シリコン基板
平面コイル素子 ６……導体パターン ７……第２絶縁体層 ８……
第２磁性体層 ９……樹脂層 １０……樹脂層 １１……樹脂層
１２……樹脂層 １３……シリコン基板
Claims (8)
- 【請求項１】 支持基板上に形成された第１磁性体層
と、前記第１磁性体層上に形成された第１絶縁体層と、
前記第１絶縁体層上に形成された導体パターンと、前記
導体パターン上に形成された第２絶縁体層と、前記第２
絶縁体層上に形成された第２磁性体層とを有する平面イ
ンダクタにおいて、前記支持基板の少なくとも一方の面
に樹脂層を具備したことを特徴とする平面インダクタ。 - 【請求項２】 前記樹脂層は、少なくとも２５０〜４０
０℃の範囲内で耐熱性を有することを特徴とする請求項
１に記載の平面インダクタ。 - 【請求項３】 前記樹脂層は、ポリイミド系の樹脂から
なることを特徴とする請求項１あるいは２に記載の平面
インダクタ。 - 【請求項４】 前記導体パターンは、渦巻状あるいはつ
づれ折り状であることを特徴とする請求項１ないし３の
いずれか１に記載の平面インダクタ。 - 【請求項５】 支持基板の少なくとも一方の面に樹脂層
を形成する工程と、前記少なくとも一方の面に樹脂層が
形成された支持基板上に第１磁性体層を形成する工程
と、前記第１磁性体層上に第１絶縁体層を形成する工程
と、前記第１絶縁体層上に導体パターンを形成する工程
と、前記導体パターン上に第２絶縁体層を形成する工程
と、前記第２絶縁体層上に第２磁性体層を形成する工程
とを有することを特徴とする平面インダクタの製造方
法。 - 【請求項６】 前記樹脂層は、少なくとも２５０〜４０
０℃の範囲内で耐熱性を有することを特徴とする請求項
５に記載の平面インダクタの製造方法。 - 【請求項７】 前記樹脂層は、ポリイミド系の樹脂から
なることを特徴とする請求項５あるいは６に記載の平面
インダクタの製造方法。 - 【請求項８】 前記導体パターンは、渦巻状あるいはつ
づれ折り状であることを特徴とする請求項５ないし７の
いずれか１に記載の平面インダクタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33547095A JPH09180937A (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 平面インダクタおよび平面インダクタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33547095A JPH09180937A (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 平面インダクタおよび平面インダクタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09180937A true JPH09180937A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=18288928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33547095A Withdrawn JPH09180937A (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 平面インダクタおよび平面インダクタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09180937A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006128335A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Jfe Mineral Co Ltd | 平面磁気素子 |
| JP2015056628A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
| WO2019058967A1 (ja) * | 2017-09-25 | 2019-03-28 | 日東電工株式会社 | インダクタおよびその製造方法 |
-
1995
- 1995-12-22 JP JP33547095A patent/JPH09180937A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006128335A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Jfe Mineral Co Ltd | 平面磁気素子 |
| JP2015056628A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
| WO2019058967A1 (ja) * | 2017-09-25 | 2019-03-28 | 日東電工株式会社 | インダクタおよびその製造方法 |
| JP2019062002A (ja) * | 2017-09-25 | 2019-04-18 | 日東電工株式会社 | インダクタおよびその製造方法 |
| CN111149177A (zh) * | 2017-09-25 | 2020-05-12 | 日东电工株式会社 | 电感器及其制造方法 |
| US11735355B2 (en) | 2017-09-25 | 2023-08-22 | Nitto Denko Corporation | Inductor and producing method thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030304 |