JPH09180968A - 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 - Google Patents
電解コンデンサ電極用アルミニウム箔Info
- Publication number
- JPH09180968A JPH09180968A JP33360495A JP33360495A JPH09180968A JP H09180968 A JPH09180968 A JP H09180968A JP 33360495 A JP33360495 A JP 33360495A JP 33360495 A JP33360495 A JP 33360495A JP H09180968 A JPH09180968 A JP H09180968A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ppm
- foil
- thickness
- aluminum
- electrolytic capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 静電容量を増大し得る電解コンデンサ電極用
アルミニウム箔の提供を目的とする。 【解決手段】 表面から厚さ０．１μｍを除く芯部にお
いて、アルミニウム純度が９９．８％以上であり、かつ
箔の少なくとも片面の表面から厚さ０．１μｍの表層部
において、Ｓｂ；１００〜１００００ｐｐｍおよびＰ
ｂ；１０〜１０００ｐｐｍを含有することを特徴とす
る。
アルミニウム箔の提供を目的とする。 【解決手段】 表面から厚さ０．１μｍを除く芯部にお
いて、アルミニウム純度が９９．８％以上であり、かつ
箔の少なくとも片面の表面から厚さ０．１μｍの表層部
において、Ｓｂ；１００〜１００００ｐｐｍおよびＰ
ｂ；１０〜１０００ｐｐｍを含有することを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電解コンデンサ
電極用アルミニウム箔に関する。
電極用アルミニウム箔に関する。
【０００２】
【従来の技術】アルミニウム電解コンデンサ用電極材と
して一般に用いられるＡｌ箔には、その実効面積を拡大
して単位面積当たりの静電容量を増大するため、通常、
電気化学的あるいは化学的エッチング処理が施される。
して一般に用いられるＡｌ箔には、その実効面積を拡大
して単位面積当たりの静電容量を増大するため、通常、
電気化学的あるいは化学的エッチング処理が施される。
【０００３】しかし、箔を単にエッチング処理するのみ
では十分な静電容量が得られない。このため、一般的に
は箔圧延後の最終焼鈍工程において、立方体方位を多く
有する集合組織にして箔のエッチング特性を向上させる
べく、４５０℃程度以上の高温加熱処理が施されてい
る。また、箔の化学組成に関しては、箔全体あるいは表
層部に微量元素を添加することが行われている（特開平
６−３１６７３７号等）。
では十分な静電容量が得られない。このため、一般的に
は箔圧延後の最終焼鈍工程において、立方体方位を多く
有する集合組織にして箔のエッチング特性を向上させる
べく、４５０℃程度以上の高温加熱処理が施されてい
る。また、箔の化学組成に関しては、箔全体あるいは表
層部に微量元素を添加することが行われている（特開平
６−３１６７３７号等）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の高温加
熱処理を施したアルミニウム箔、あるいは微量元素を添
加したアルミニウム箔は、昨今の電解コンデンサの高静
電容量化の要求に対して十分な満足を得るものではなか
った。
熱処理を施したアルミニウム箔、あるいは微量元素を添
加したアルミニウム箔は、昨今の電解コンデンサの高静
電容量化の要求に対して十分な満足を得るものではなか
った。
【０００５】この発明は、かかる技術的背景に鑑みてな
されたものであって、静電容量を増大し得る電解コンデ
ンサ電極用アルミニウム箔の提供を目的とする。
されたものであって、静電容量を増大し得る電解コンデ
ンサ電極用アルミニウム箔の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、発明者は鋭意研究の結果、アルミニウム箔にＳｂ−
Ｐｂ表面濃化層を設け、さらに微量元素を添加し、ある
いはさらに結晶粒界の方位差を規定することで、エッチ
ングピットを均一かつ高密度に分布させ、高静電容量箔
が得られることを見出した。
に、発明者は鋭意研究の結果、アルミニウム箔にＳｂ−
Ｐｂ表面濃化層を設け、さらに微量元素を添加し、ある
いはさらに結晶粒界の方位差を規定することで、エッチ
ングピットを均一かつ高密度に分布させ、高静電容量箔
が得られることを見出した。
【０００７】この発明は、かかる知見に基いてなされた
ものであって、表面から厚さ０．１μｍを除く芯部にお
いて、アルミニウム純度が９９．８％以上であり、かつ
箔の少なくとも片面の表面から厚さ０．１μｍの表層部
において、Ｓｂ；１００〜１００００ｐｐｍおよびＰ
ｂ；１０〜１０００ｐｐｍを含有することを基本要旨と
する。
ものであって、表面から厚さ０．１μｍを除く芯部にお
いて、アルミニウム純度が９９．８％以上であり、かつ
箔の少なくとも片面の表面から厚さ０．１μｍの表層部
において、Ｓｂ；１００〜１００００ｐｐｍおよびＰ
ｂ；１０〜１０００ｐｐｍを含有することを基本要旨と
する。
【０００８】この発明に係るアルミニウム箔のアルミニ
ウム純度に９９．８％以上を必要とするのは、９９．８
％未満の純度では、エッチング時にエッチングピットの
成長が多くの不純物の存在によって阻害され、本発明範
囲のＳｂ−Ｐｂ濃化層の形成によってもなお均一な深い
トンネル状のエッチングピットを形成できず、従って静
電容量の高いアルミニウム箔を得ることができないから
である。好ましくはアルミニウム純度を９９．９％以上
とするのが良い。
ウム純度に９９．８％以上を必要とするのは、９９．８
％未満の純度では、エッチング時にエッチングピットの
成長が多くの不純物の存在によって阻害され、本発明範
囲のＳｂ−Ｐｂ濃化層の形成によってもなお均一な深い
トンネル状のエッチングピットを形成できず、従って静
電容量の高いアルミニウム箔を得ることができないから
である。好ましくはアルミニウム純度を９９．９％以上
とするのが良い。
【０００９】アルミニウム箔表層部のＳｂおよびＰｂ
は、エッチングによりピットを高密度かつ均一に分布さ
せるために必要な元素である。即ち、一般にエッチング
初期には箔表面に存在する表面の凹凸や油、ロールコー
ティングなどの付着物、あるいはそれらが変質したもの
から発生する不均一な局部溶解ピットが発生し、エッチ
ングピット密度の不均一性（疎・密）を生じ、著しい場
合には表面がクレーター状に溶解する。この不均一性は
エッチング終了後も残り、静電容量低下の原因となって
いる。そこで、このような不具合点を防止するために、
これら表面に存在するエッチングピットの不均一要因を
制御する試みが行われているが、発明者は、この点につ
いて鋭意研究の結果、Ｓｂ−Ｐｂ表面濃化層を有するア
ルミニウム箔がエッチングピットの局部性をなくすとと
もに、高密度に形成させる効果を有することを知見し
た。即ち、Ｓｂ−Ｐｂ表面濃化層があると、Ｓｂ単独あ
るいはＰｂ単独で存在する場合よりもＡｌとの濡れ性が
向上し、Ａｌマトリックス中に均一に分散しやすくな
り、かつこの合金層がエッチピットの核となるため、均
一かつ高密度に分散したエッチングピットが発生するの
である。このような効果を得るために、表面から厚さ
０．１μｍの表層部において、Ｓｂ含有量は１００ｐｐ
ｍ以上必要であるが、１００００ｐｐｍを越えると濃度
が高すぎて著しい表面溶解が起こり、高静電容量箔を得
ることができない。そこで、表面から厚さ０．１μｍの
表層部におけるＳｂ含有量は、１００〜１００００ｐｐ
ｍとする必要がある。特に好ましくは２００〜５０００
ｐｐｍとするのが良い。また、同様の理由により、Ｐｂ
含有量は１０〜１０００ｐｐｍとする必要があり、特に
２０〜５００ｐｐｍが好ましい。このようなＳｂ−Ｐｂ
濃化層は、箔の少なくとも片面に存在すれば良い。もち
ろん両面に存在していても良い。
は、エッチングによりピットを高密度かつ均一に分布さ
せるために必要な元素である。即ち、一般にエッチング
初期には箔表面に存在する表面の凹凸や油、ロールコー
ティングなどの付着物、あるいはそれらが変質したもの
から発生する不均一な局部溶解ピットが発生し、エッチ
ングピット密度の不均一性（疎・密）を生じ、著しい場
合には表面がクレーター状に溶解する。この不均一性は
エッチング終了後も残り、静電容量低下の原因となって
いる。そこで、このような不具合点を防止するために、
これら表面に存在するエッチングピットの不均一要因を
制御する試みが行われているが、発明者は、この点につ
いて鋭意研究の結果、Ｓｂ−Ｐｂ表面濃化層を有するア
ルミニウム箔がエッチングピットの局部性をなくすとと
もに、高密度に形成させる効果を有することを知見し
た。即ち、Ｓｂ−Ｐｂ表面濃化層があると、Ｓｂ単独あ
るいはＰｂ単独で存在する場合よりもＡｌとの濡れ性が
向上し、Ａｌマトリックス中に均一に分散しやすくな
り、かつこの合金層がエッチピットの核となるため、均
一かつ高密度に分散したエッチングピットが発生するの
である。このような効果を得るために、表面から厚さ
０．１μｍの表層部において、Ｓｂ含有量は１００ｐｐ
ｍ以上必要であるが、１００００ｐｐｍを越えると濃度
が高すぎて著しい表面溶解が起こり、高静電容量箔を得
ることができない。そこで、表面から厚さ０．１μｍの
表層部におけるＳｂ含有量は、１００〜１００００ｐｐ
ｍとする必要がある。特に好ましくは２００〜５０００
ｐｐｍとするのが良い。また、同様の理由により、Ｐｂ
含有量は１０〜１０００ｐｐｍとする必要があり、特に
２０〜５００ｐｐｍが好ましい。このようなＳｂ−Ｐｂ
濃化層は、箔の少なくとも片面に存在すれば良い。もち
ろん両面に存在していても良い。
【００１０】上述の如く表層部にＳｂおよびＰｂを高濃
度に含有するアルミニウム箔の製造は、特に規定される
ことはないが、次のような方法を例示できる。即ち、芯
部を構成する組成のアルミニウム鋳塊に、面削、熱間圧
延、冷間圧延（中間焼鈍を含む）、最終焼鈍を経て製作
したアルミニウム箔の表面に、Ｓｂ−Ｐｂ合金を蒸着
し、あるいは溶融Ｓｂ−Ｐｂ合金中にアルミニウム箔を
浸漬することにより、箔表面にＳｂ−Ｐｂ合金層を形成
したのち、４００〜６００℃で１時間以上の加熱により
拡散処理を施す。その際、蒸着あるいは浸漬に使用する
Ｓｂ−Ｐｂ合金の組成比率は、重量比でＳｂ／Ｐｂ≧６
５／３５となることが好ましい。これは、Ｓｂ−Ｐｂの
合金相状態図における固液相線を越えて完全に液化する
と、粒界拡散性が強まりＳｂとＰｂとの濃度分布が不均
一になるためである。また、表層部の厚さおよび該層に
おけるＳｂ含有量およびＰｂ含有量は、前記Ｓｂ−Ｐｂ
合金層の組成および厚さ、拡散処理処理条件等により調
節することができる。
度に含有するアルミニウム箔の製造は、特に規定される
ことはないが、次のような方法を例示できる。即ち、芯
部を構成する組成のアルミニウム鋳塊に、面削、熱間圧
延、冷間圧延（中間焼鈍を含む）、最終焼鈍を経て製作
したアルミニウム箔の表面に、Ｓｂ−Ｐｂ合金を蒸着
し、あるいは溶融Ｓｂ−Ｐｂ合金中にアルミニウム箔を
浸漬することにより、箔表面にＳｂ−Ｐｂ合金層を形成
したのち、４００〜６００℃で１時間以上の加熱により
拡散処理を施す。その際、蒸着あるいは浸漬に使用する
Ｓｂ−Ｐｂ合金の組成比率は、重量比でＳｂ／Ｐｂ≧６
５／３５となることが好ましい。これは、Ｓｂ−Ｐｂの
合金相状態図における固液相線を越えて完全に液化する
と、粒界拡散性が強まりＳｂとＰｂとの濃度分布が不均
一になるためである。また、表層部の厚さおよび該層に
おけるＳｂ含有量およびＰｂ含有量は、前記Ｓｂ−Ｐｂ
合金層の組成および厚さ、拡散処理処理条件等により調
節することができる。
【００１１】また、箔の芯部に次の各微量元素を添加す
ることにより、さらに静電容量の増大を図ることができ
る。
ることにより、さらに静電容量の増大を図ることができ
る。
【００１２】ＣｕおよびＺｎは、Ａｌマトリックス中に
固溶することにより、箔の溶解性を増してエッチングピ
ットの成長を促進し、静電容量を増大させる。このよう
な効果においてＣｕ、Ｚｎは均等物であり、少なくとも
１種を含有すれば良い。Ｃｕ含有量は５ｐｐｍ未満では
前記効果が乏しく、また８０ｐｐｍを越えると局部溶解
性が強まり、エッチピットの均一分布を妨げる。そのた
め、Ｃｕ含有量は５〜８０ｐｐｍの範囲が好ましく、特
に好ましくは８〜５０ｐｐｍである。また、Ｚｎ含有量
も、Ｃｕと同様の理由により５〜５０ｐｐｍが好まし
く、特に好ましくは８〜２０ｐｐｍである。
固溶することにより、箔の溶解性を増してエッチングピ
ットの成長を促進し、静電容量を増大させる。このよう
な効果においてＣｕ、Ｚｎは均等物であり、少なくとも
１種を含有すれば良い。Ｃｕ含有量は５ｐｐｍ未満では
前記効果が乏しく、また８０ｐｐｍを越えると局部溶解
性が強まり、エッチピットの均一分布を妨げる。そのた
め、Ｃｕ含有量は５〜８０ｐｐｍの範囲が好ましく、特
に好ましくは８〜５０ｐｐｍである。また、Ｚｎ含有量
も、Ｃｕと同様の理由により５〜５０ｐｐｍが好まし
く、特に好ましくは８〜２０ｐｐｍである。
【００１３】Ｇａは、結晶粒界または亜粒界に偏析しや
すく、単独ではエッチピットの不均一分布をもたらす元
素であるが、ＳｂおよびＰｂの存在下ではこれら元素の
侵入を抑止し、エッチピットの均一分散性を高める効果
がある。Ｇａ含有量は、５ｐｐｍ未満では前記効果に乏
しく、５０ｐｐｍを越えると局部溶解性が強まり、エッ
チピットの均一分布を妨げる。そのため、Ｇａ含有量は
５〜５０ｐｐｍが好ましく、特に好ましくは８〜２０ｐ
ｐｍである。
すく、単独ではエッチピットの不均一分布をもたらす元
素であるが、ＳｂおよびＰｂの存在下ではこれら元素の
侵入を抑止し、エッチピットの均一分散性を高める効果
がある。Ｇａ含有量は、５ｐｐｍ未満では前記効果に乏
しく、５０ｐｐｍを越えると局部溶解性が強まり、エッ
チピットの均一分布を妨げる。そのため、Ｇａ含有量は
５〜５０ｐｐｍが好ましく、特に好ましくは８〜２０ｐ
ｐｍである。
【００１４】Ｆｅ、Ｓｉは、マトリックス中でＡｌとの
化合物を形成しやすく、これらの元素の分散状態を制御
することにより、エッチピット分布を均一にすることが
できる。このような効果においてＦｅ、Ｓｉは均等物で
あり、少なくとも１種を含有すれば良い。しかし、含有
量が多いとエッチング時の過溶解の原因となり静電容量
が低下する。そのため、Ｆｅ含有量は５〜６０ｐｐｍが
好ましく、特に好ましくは１０〜２０ｐｐｍである。ま
た、Ｓｉ含有量は５〜８０ｐｐｍが好ましく、特に好ま
しくは１５〜３０ｐｐｍである。
化合物を形成しやすく、これらの元素の分散状態を制御
することにより、エッチピット分布を均一にすることが
できる。このような効果においてＦｅ、Ｓｉは均等物で
あり、少なくとも１種を含有すれば良い。しかし、含有
量が多いとエッチング時の過溶解の原因となり静電容量
が低下する。そのため、Ｆｅ含有量は５〜６０ｐｐｍが
好ましく、特に好ましくは１０〜２０ｐｐｍである。ま
た、Ｓｉ含有量は５〜８０ｐｐｍが好ましく、特に好ま
しくは１５〜３０ｐｐｍである。
【００１５】以上の添加元素は、アルミニウム箔の芯部
に含有することにより静電容量の増大に寄与するが、表
層部における含有を制限するものではない。
に含有することにより静電容量の増大に寄与するが、表
層部における含有を制限するものではない。
【００１６】さらに、芯部における結晶粒界の方位差を
規定することによっても、静電容量の増大を図ることが
できる。即ち、マトリックスの結晶粒界の方位差が大き
くなると、添加元素の拡散は結晶粒界で優先的に進むた
めに、粒界エッチング性が強まり却ってエッチピットの
不均一性が増す。そのため、方位差が１０゜以下の結晶
粒界が全体の８０％以上を占めることが好ましく、特に
好ましくは、方位差が５゜以下であり、占有率９０％以
上である。
規定することによっても、静電容量の増大を図ることが
できる。即ち、マトリックスの結晶粒界の方位差が大き
くなると、添加元素の拡散は結晶粒界で優先的に進むた
めに、粒界エッチング性が強まり却ってエッチピットの
不均一性が増す。そのため、方位差が１０゜以下の結晶
粒界が全体の８０％以上を占めることが好ましく、特に
好ましくは、方位差が５゜以下であり、占有率９０％以
上である。
【００１７】
【実施例】次に、この発明の電解コンデンサ電極用アル
ミニウム箔の具体的実施例について説明する。
ミニウム箔の具体的実施例について説明する。
【００１８】まず、アルミニウム箔の芯部を構成するた
めに、表１に示すａ〜ｋの各種組成のアルミニウム鋳塊
を面削した後、熱間圧延、冷間圧延（中間焼鈍を含む）
を施し、さらに最終焼鈍を行った。次いで、箔表面に、
組成の異なるＳｂ−Ｐｂ合金を蒸着したのち、５５０℃
×３時間の加熱拡散処理を施し、最終的に厚さが１００
μｍで、表層部にＳｂ−Ｐｂ濃化層を有するアルミニウ
ム箔を作製した。なお、表２のNo. １４はＳｂおよびＰ
ｂの蒸着を行わず、No. １５はＰｂのみを蒸着したのち
同一条件で加熱拡散処理を行った。
めに、表１に示すａ〜ｋの各種組成のアルミニウム鋳塊
を面削した後、熱間圧延、冷間圧延（中間焼鈍を含む）
を施し、さらに最終焼鈍を行った。次いで、箔表面に、
組成の異なるＳｂ−Ｐｂ合金を蒸着したのち、５５０℃
×３時間の加熱拡散処理を施し、最終的に厚さが１００
μｍで、表層部にＳｂ−Ｐｂ濃化層を有するアルミニウ
ム箔を作製した。なお、表２のNo. １４はＳｂおよびＰ
ｂの蒸着を行わず、No. １５はＰｂのみを蒸着したのち
同一条件で加熱拡散処理を行った。
【００１９】上述のようにして作製した各アルミニウム
箔について、表面から厚さ０．１μｍの表層部における
Ｓｂ含有量およびＰｂ含有量を測定するとともに、芯部
における方位差が１０゜以下の結晶粒界の占有率を調べ
た。表２にこれらの結果を示す。
箔について、表面から厚さ０．１μｍの表層部における
Ｓｂ含有量およびＰｂ含有量を測定するとともに、芯部
における方位差が１０゜以下の結晶粒界の占有率を調べ
た。表２にこれらの結果を示す。
【００２０】次に、各アルミニウム箔について、以下の
条件でエッチングを実施したのち、得られたアルミニウ
ム箔を５％ホウ酸液中で２５０Ｖに化成したときの静電
容量を測定した。その結果を、試料No. １５の静電容量
を１００％としたときの相対比較にて表２に示す。
条件でエッチングを実施したのち、得られたアルミニウ
ム箔を５％ホウ酸液中で２５０Ｖに化成したときの静電
容量を測定した。その結果を、試料No. １５の静電容量
を１００％としたときの相対比較にて表２に示す。
【００２１】 ［エッチング条件］ 前処理：なし 一次エッチング 液組成：５％ＨＣｌ＋１０％Ｈ2 ＳＯ4 、液温：７０℃ 電流密度：直流２０Ａ／ｄｍ2 、時間：１００秒 二次エッチング 液組成：５％ＨＣｌ、液温：８０℃、 電流密度：直流５Ａ／ｄｍ2 、時間：８分
【表１】
【００２２】
【表２】
【００２３】表１および表２の結果から、表面に本発明
範囲のＳｂ−Ｐｂ表面濃化層を有する本発明実施品は、
本発明範囲を逸脱する比較品に較べて静電容量を増大し
得ることを確認し得た。また、芯部にＣｕ、Ｚｎ、Ｇ
ａ、Ｆｅ、Ｓｉを所定範囲で添加すること、あるいは方
位差の小さい結晶粒界の占有率を高めることにより、さ
らに静電容量の増大しうることも確認し得た。
範囲のＳｂ−Ｐｂ表面濃化層を有する本発明実施品は、
本発明範囲を逸脱する比較品に較べて静電容量を増大し
得ることを確認し得た。また、芯部にＣｕ、Ｚｎ、Ｇ
ａ、Ｆｅ、Ｓｉを所定範囲で添加すること、あるいは方
位差の小さい結晶粒界の占有率を高めることにより、さ
らに静電容量の増大しうることも確認し得た。
【００２４】
【発明の効果】この発明に係る電解コンデンサ電極用ア
ルミニウム箔は、基本的に、表面から厚さ０．１μｍを
除く芯部において、アルミニウム純度が９９．８％以上
であり、かつ箔の少なくとも片面の表面から厚さ０．１
μｍの表層部において、Ｓｂ；１００〜１００００ｐｐ
ｍおよびＰｂ；１０〜１０００ｐｐｍを含有することを
特徴とするものであるから、エッチピットの密度を高め
るとともに均一に分散させ、エッチング処理により極め
て大きな拡面率を得ることができる。従って、大きな静
電容量を有し電気的特性に優れた電解コンデンサ電極用
アルミニウム箔となしうる。
ルミニウム箔は、基本的に、表面から厚さ０．１μｍを
除く芯部において、アルミニウム純度が９９．８％以上
であり、かつ箔の少なくとも片面の表面から厚さ０．１
μｍの表層部において、Ｓｂ；１００〜１００００ｐｐ
ｍおよびＰｂ；１０〜１０００ｐｐｍを含有することを
特徴とするものであるから、エッチピットの密度を高め
るとともに均一に分散させ、エッチング処理により極め
て大きな拡面率を得ることができる。従って、大きな静
電容量を有し電気的特性に優れた電解コンデンサ電極用
アルミニウム箔となしうる。
【００２５】また、上記のＳｂ−Ｐｂ濃化層を有する箔
の芯部の組成として、アルミニウム純度を９９．８％以
上とするとともに、Ｃｕ：５〜８０ｐｐｍ、Ｚｎ：５〜
５０ｐｐｍのうちの少なくとも１種を含有させることに
より、エッチング時の箔の溶解性が増し、さらに大きな
静電容量を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム箔
となしうる。また、前記芯部におけるＧａ含有量を５〜
５０ｐｐｍとすることにより、一層エッチピットの均一
分散性が高まり、さらに大きな静電容量を有する電解コ
ンデンサ電極用アルミニウム箔となしうる。また、前記
芯部におけるＦｅ含有量を５〜６０ｐｐｍおよび／また
はＳｉ含有量を５〜８０ｐｐｍとすることにより、エッ
チピットの分布が一層均一になり、さらに大きな静電容
量を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム箔となし
うる。
の芯部の組成として、アルミニウム純度を９９．８％以
上とするとともに、Ｃｕ：５〜８０ｐｐｍ、Ｚｎ：５〜
５０ｐｐｍのうちの少なくとも１種を含有させることに
より、エッチング時の箔の溶解性が増し、さらに大きな
静電容量を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム箔
となしうる。また、前記芯部におけるＧａ含有量を５〜
５０ｐｐｍとすることにより、一層エッチピットの均一
分散性が高まり、さらに大きな静電容量を有する電解コ
ンデンサ電極用アルミニウム箔となしうる。また、前記
芯部におけるＦｅ含有量を５〜６０ｐｐｍおよび／また
はＳｉ含有量を５〜８０ｐｐｍとすることにより、エッ
チピットの分布が一層均一になり、さらに大きな静電容
量を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム箔となし
うる。
【００２６】さらに、上記のＳｂ−Ｐｂ濃化層を有する
箔の芯部において、方位差が１０゜以下の結晶粒界の占
有率を８０％以上とすることにより、粒界での優先的な
エッチングが抑制されてエッチピットの分布が一層均一
になり、さらに大きな静電容量を有する電解コンデンサ
電極用アルミニウム箔となしうる。
箔の芯部において、方位差が１０゜以下の結晶粒界の占
有率を８０％以上とすることにより、粒界での優先的な
エッチングが抑制されてエッチピットの分布が一層均一
になり、さらに大きな静電容量を有する電解コンデンサ
電極用アルミニウム箔となしうる。
フロントページの続き (72)発明者 杉本 公徳 堺市海山町６丁224番地 昭和アルミニウ ム株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 表面から厚さ０．１μｍを除く芯部にお
いて、アルミニウム純度が９９．８％以上であり、かつ
箔の少なくとも片面の表面から厚さ０．１μｍの表層部
において、Ｓｂ；１００〜１００００ｐｐｍおよびＰ
ｂ；１０〜１０００ｐｐｍを含有することを特徴とする
電解コンデンサ電極用アルミニウム箔。 - 【請求項２】 表面から厚さ０．１μｍを除く芯部にお
いて、Ｃｕ：５〜８０ｐｐｍ、Ｚｎ：５〜５０ｐｐｍの
うちの少なくとも１種を含有するとともに、アルミニウ
ム純度が９９．８％以上であり、かつ箔の少なくとも片
面の表面から厚さ０．１μｍの表層部において、Ｓｂ；
１００〜１００００ｐｐｍおよびＰｂ；１０〜１０００
ｐｐｍを含有することを特徴とする電解コンデンサ電極
用アルミニウム箔。 - 【請求項３】 表面から厚さ０．１μｍを除く芯部にお
いて、Ｇａ；５〜５０ｐｐｍを含有するとともに、アル
ミニウム純度が９９．８％以上であり、かつ箔の少なく
とも片面の表面から厚さ０．１μｍの表層部において、
Ｓｂ；１００〜１００００ｐｐｍおよびＰｂ；１０〜１
０００ｐｐｍを含有することを特徴とする電解コンデン
サ電極用アルミニウム箔。 - 【請求項４】 表面から厚さ０．１μｍを除く芯部にお
いて、Ｆｅ：５〜６０ｐｐｍ、Ｓｉ：５〜８０ｐｐｍの
うちの少なくとも１種を含有するとともに、アルミニウ
ム純度が９９．８％以上であり、かつ箔の少なくとも片
面の表面から厚さ０．１μｍの表層部において、Ｓｂ；
１００〜１００００ｐｐｍおよびＰｂ；１０〜１０００
ｐｐｍを含有することを特徴とする電解コンデンサ電極
用アルミニウム箔。 - 【請求項５】 表面から厚さ０．１μｍを除く芯部にお
いて、Ｃｕ：５〜８０ｐｐｍ、Ｚｎ：５〜５０ｐｐｍの
うちの少なくとも１種と、Ｇａ；５〜５０ｐｐｍとを含
有するとともに、アルミニウム純度が９９．８％以上で
あり、かつ箔の少なくとも片面の表面から厚さ０．１μ
ｍの表層部において、Ｓｂ；１００〜１００００ｐｐｍ
およびＰｂ；１０〜１０００ｐｐｍを含有することを特
徴とする電解コンデンサ電極用アルミニウム箔。 - 【請求項６】 表面から厚さ０．１μｍを除く芯部にお
いて、Ｃｕ：５〜８０ｐｐｍ、Ｚｎ：５〜５０ｐｐｍの
うちの少なくとも１種と、Ｆｅ：５〜６０ｐｐｍ、Ｓ
ｉ：５〜８０ｐｐｍのうちの少なくとも１種とを含有す
るとともに、アルミニウム純度が９９．８％以上であ
り、かつ箔の少なくとも片面の表面から厚さ０．１μｍ
の表層部において、Ｓｂ；１００〜１００００ｐｐｍお
よびＰｂ；１０〜１０００ｐｐｍを含有することを特徴
とする電解コンデンサ電極用アルミニウム箔。 - 【請求項７】 表面から厚さ０．１μｍを除く芯部にお
いて、Ｇａ；５〜５０ｐｐｍと、Ｆｅ：５〜６０ｐｐ
ｍ、Ｓｉ：５〜８０ｐｐｍのうちの少なくとも１種とを
含有するとともに、アルミニウム純度が９９．８％以上
であり、かつ箔の少なくとも片面の表面から厚さ０．１
μｍの表層部において、Ｓｂ；１００〜１００００ｐｐ
ｍおよびＰｂ；１０〜１０００ｐｐｍを含有することを
特徴とする電解コンデンサ電極用アルミニウム箔。 - 【請求項８】 表面から厚さ０．１μｍを除く芯部にお
いて、Ｃｕ：５〜８０ｐｐｍ、Ｚｎ：５〜５０ｐｐｍの
うちの少なくとも１種と、Ｇａ；５〜５０ｐｐｍと、Ｆ
ｅ：５〜６０ｐｐｍ、Ｓｉ：５〜８０ｐｐｍのうちの少
なくとも１種とを含有するとともに、アルミニウム純度
が９９．８％以上であり、かつ箔の少なくとも片面の表
面から厚さ０．１μｍの表層部において、Ｓｂ；１００
〜１００００ｐｐｍおよびＰｂ；１０〜１０００ｐｐｍ
を含有することを特徴とする電解コンデンサ電極用アル
ミニウム箔。 - 【請求項９】 前記芯部において、方位差が１０゜以下
の結晶粒界が全体の８０％以上を占める請求項１乃至８
のいずれかに記載の電解コンデンサ電極用アルミニウム
箔。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33360495A JPH09180968A (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33360495A JPH09180968A (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09180968A true JPH09180968A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=18267910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33360495A Pending JPH09180968A (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09180968A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3886221A4 (en) * | 2018-11-22 | 2022-08-03 | Sumitomo Chemical Company Limited | NEGATIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR ANHYDROUS SECONDARY BATTERY, NEGATIVE ELECTRODE, CELL AND LAMINATE |
-
1995
- 1995-12-21 JP JP33360495A patent/JPH09180968A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3886221A4 (en) * | 2018-11-22 | 2022-08-03 | Sumitomo Chemical Company Limited | NEGATIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR ANHYDROUS SECONDARY BATTERY, NEGATIVE ELECTRODE, CELL AND LAMINATE |
| US12148924B2 (en) | 2018-11-22 | 2024-11-19 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Anode active material for non-aqueous electrolyte secondary battery, anode, battery, and laminate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100854202B1 (ko) | 전해 콘덴서 전극용 알루미늄재 및 전해 콘덴서 전극용 알루미늄박의 제조방법, 및 전해 콘덴서 | |
| JP4198584B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔およびその製造方法 | |
| JP3293081B2 (ja) | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔及びその製造方法 | |
| US5714271A (en) | Electrolytic condenser electrode and aluminum foil therefor | |
| JP3478918B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| JPH09180968A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| CN112646990A (zh) | 低压电解电容器阳极用铝轧制材料及其制造方法 | |
| EP0049115B1 (en) | Aluminium alloy foil for cathode of electrolytic capacitors | |
| JP3218176B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| JPH09213586A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| JP4916605B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材およびアルミニウム箔、ならびにアルミニウム箔の製造方法 | |
| JP2002118035A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| JPH0489118A (ja) | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔の製造方法 | |
| JP3590228B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| JP2006002225A (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔および電解コンデンサ | |
| JP3594858B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| JP2809988B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔及びそのエッチング方法 | |
| CN112646999A (zh) | 高压电解电容器阳极用铝轧制材料及其制造方法 | |
| JPH0517844A (ja) | 陽極酸化処理用アルミニウム合金板およびその製造方法 | |
| JPH10223486A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| JP2006152402A (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 | |
| JP3480209B2 (ja) | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム合金 | |
| JPH08273988A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔のエッチング方法 | |
| JP2005336557A (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔および電解コンデンサ | |
| JPH0681064A (ja) | 陽極酸化処理用アルミニウム合金板およびその製造方法 |