JPH09181021A - ウェーハのベベリング加工方法 - Google Patents
ウェーハのベベリング加工方法Info
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- JPH09181021A JPH09181021A JP33546695A JP33546695A JPH09181021A JP H09181021 A JPH09181021 A JP H09181021A JP 33546695 A JP33546695 A JP 33546695A JP 33546695 A JP33546695 A JP 33546695A JP H09181021 A JPH09181021 A JP H09181021A
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- beveling
- average particle
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来に比べてウェーハのワレ、チッピング等
の発生を低減することができ、デバイス製造における歩
留りの向上を図ることのできるウェーハのベベリング加
工方法を提供する。 【解決手段】 含有されるダイヤモンド粒子が、平均粒
径が３〜１８ｎｍの超微粒子を５〜３０重量％含有し、
且つ、７０〜９５％のダイヤモンド粒子の平均粒径が５
〜８μｍである砥石２を用いて単結晶からなるウェーハ
１の周縁部をベベリング加工する。
の発生を低減することができ、デバイス製造における歩
留りの向上を図ることのできるウェーハのベベリング加
工方法を提供する。 【解決手段】 含有されるダイヤモンド粒子が、平均粒
径が３〜１８ｎｍの超微粒子を５〜３０重量％含有し、
且つ、７０〜９５％のダイヤモンド粒子の平均粒径が５
〜８μｍである砥石２を用いて単結晶からなるウェーハ
１の周縁部をベベリング加工する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電性単結晶から
なる弾性表面波デバイス用ウェーハ等のウェーハのベベ
リング加工方法に関する。
なる弾性表面波デバイス用ウェーハ等のウェーハのベベ
リング加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体デバイス用のＳｉ単結
晶からなるウェーハや、テレビ用等の弾性表面波デバイ
ス用のＬｉＴａＯ3 からなるウェーハ等においては、輸
送工程やデバイス工程等でのウェーハのクラック、チッ
ピング、ワレ等の発生を低減するために、ウェーハの周
縁部を砥石によって面取りするベベリング加工が広く行
われている。
晶からなるウェーハや、テレビ用等の弾性表面波デバイ
ス用のＬｉＴａＯ3 からなるウェーハ等においては、輸
送工程やデバイス工程等でのウェーハのクラック、チッ
ピング、ワレ等の発生を低減するために、ウェーハの周
縁部を砥石によって面取りするベベリング加工が広く行
われている。
【０００３】このような従来のベベリング加工、例え
ば、弾性表面波デバイス用ウェーハのベベリング加工
は、ダイヤモンド製のＲ砥石または台形砥石が使用さ
れ、一般的に、砥石に含有されるダイヤモンドの平均粒
径が１５〜３０μｍの砥石が使用されている。
ば、弾性表面波デバイス用ウェーハのベベリング加工
は、ダイヤモンド製のＲ砥石または台形砥石が使用さ
れ、一般的に、砥石に含有されるダイヤモンドの平均粒
径が１５〜３０μｍの砥石が使用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たようにしてベベリング加工を施したウェーハにおいて
も、ウェーハのクラック、ワレ、チッピング等は発生
し、例えば、弾性表面波デバイスを形成する場合、特に
ハンドリング、キャリヤー移送、熱工程等において、ベ
ベリング部からのクラックが発生し易く、デバイス工程
歩留りを５〜３０％も低下させることがあった。
たようにしてベベリング加工を施したウェーハにおいて
も、ウェーハのクラック、ワレ、チッピング等は発生
し、例えば、弾性表面波デバイスを形成する場合、特に
ハンドリング、キャリヤー移送、熱工程等において、ベ
ベリング部からのクラックが発生し易く、デバイス工程
歩留りを５〜３０％も低下させることがあった。
【０００５】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、従来に比べてウェーハのワレ、チッピン
グ等の発生を低減することができ、デバイス製造におけ
る歩留りの向上を図ることのできるウェーハのベベリン
グ加工方法を提供しようとするものである。
されたもので、従来に比べてウェーハのワレ、チッピン
グ等の発生を低減することができ、デバイス製造におけ
る歩留りの向上を図ることのできるウェーハのベベリン
グ加工方法を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、単結
晶からなるウェーハの周縁部を砥石を用いてベベリング
加工するにあたり、前記砥石に含有されるダイヤモンド
粒子が、平均粒径が３〜１８ｎｍの超微粒子を５〜３０
重量％含有し、且つ、７０〜９５重量％のダイヤモンド
粒子の平均粒径が５〜８μｍであることを特徴とする。
晶からなるウェーハの周縁部を砥石を用いてベベリング
加工するにあたり、前記砥石に含有されるダイヤモンド
粒子が、平均粒径が３〜１８ｎｍの超微粒子を５〜３０
重量％含有し、且つ、７０〜９５重量％のダイヤモンド
粒子の平均粒径が５〜８μｍであることを特徴とする。
【０００７】請求項２の発明は、請求項１記載のウェー
ハのベベリング加工方法において、前記超微粒子の平均
粒径が５〜８ｎｍであることを特徴とする。
ハのベベリング加工方法において、前記超微粒子の平均
粒径が５〜８ｎｍであることを特徴とする。
【０００８】請求項３の発明は、請求項１〜２記載のウ
ェーハのベベリング加工方法において、前記砥石が台形
砥石であり、ベベリング角度が２２±５゜であることを
特徴とする。
ェーハのベベリング加工方法において、前記砥石が台形
砥石であり、ベベリング角度が２２±５゜であることを
特徴とする。
【０００９】請求項４の発明は、請求項１〜３記載のウ
ェーハのベベリング加工方法において、前記ウェーハが
圧電性単結晶からなる弾性表面波用ウェーハであること
を特徴とする。
ェーハのベベリング加工方法において、前記ウェーハが
圧電性単結晶からなる弾性表面波用ウェーハであること
を特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の詳細を、発明の実施の形態について説明する。
本発明の詳細を、発明の実施の形態について説明する。
【００１１】図１は、本発明に係るウェーハのベベリン
グ加工工程を模式的に示すもので、同図に示す様に、ベ
ベリング加工工程においては、ウェーハ１を回転させつ
つ、台形砥石等の回転させた砥石２に、ウェーハ１の周
縁部を当接させて、その面取りを行う。なお、ベベリン
グ角度は、２２±５゜程度である。
グ加工工程を模式的に示すもので、同図に示す様に、ベ
ベリング加工工程においては、ウェーハ１を回転させつ
つ、台形砥石等の回転させた砥石２に、ウェーハ１の周
縁部を当接させて、その面取りを行う。なお、ベベリン
グ角度は、２２±５゜程度である。
【００１２】そして、本発明においては、上記砥石２と
して、平均粒径が数ｎｍ〜数十ｎｍ程度の超微粒子のダ
イヤモンド粒子を５〜３０重量％含有し、且つ、７０〜
９５重量％のダイヤモンド粒子の平均粒径が５〜８μｍ
のものを使用する。これは、以下のような理由による。
して、平均粒径が数ｎｍ〜数十ｎｍ程度の超微粒子のダ
イヤモンド粒子を５〜３０重量％含有し、且つ、７０〜
９５重量％のダイヤモンド粒子の平均粒径が５〜８μｍ
のものを使用する。これは、以下のような理由による。
【００１３】前述したように、従来においては、弾性表
面波デバイス用ウェーハ等のベベリング加工には、ダイ
ヤモンド製のＲ砥石または台形砥石が使用されており、
これらの砥石としては、一般的に含有されたダイヤモン
ド粒子の平均粒径が１５〜３０μｍのものが使用されて
いる。
面波デバイス用ウェーハ等のベベリング加工には、ダイ
ヤモンド製のＲ砥石または台形砥石が使用されており、
これらの砥石としては、一般的に含有されたダイヤモン
ド粒子の平均粒径が１５〜３０μｍのものが使用されて
いる。
【００１４】しかしながら、本発明等が詳査したとこ
ろ、このような方法によりウェーハのベベリングを行う
と、ウェーハのベベリング加工部の破砕層が４０μｍ以
上にもおよび、このため、弾性表面波デバイス等を形成
する際に、ハンドリングやキャリヤー移送等の機械的振
動により破砕層からクラックが入り、後工程に行くにつ
れて熱工程等においてベベリング部からのクラックが進
行することが判明した。そして、砥石の中に平均粒径が
数ｎｍ乃至十数ｎｍ程度の非常に微細なダイヤモンド小
径粒子（所謂超微粒子）を含有させることにより、研削
能力を保ちながらそのベベリングの破砕層を数ミクロン
以下とすることができること、および、このダイヤモン
ド超微粒子の含有率と、その他のダイヤモンド粒子の粒
径とを最適に設定することにより、ウェーハのチッピン
グやワレの発生率を大幅に低減できることを見出だし
た。なお、所謂超微粒子としてのダイヤモンド小径粒子
の平均粒径は、３〜１８ｎｍ、好ましくは５〜８ｎｍで
ある。
ろ、このような方法によりウェーハのベベリングを行う
と、ウェーハのベベリング加工部の破砕層が４０μｍ以
上にもおよび、このため、弾性表面波デバイス等を形成
する際に、ハンドリングやキャリヤー移送等の機械的振
動により破砕層からクラックが入り、後工程に行くにつ
れて熱工程等においてベベリング部からのクラックが進
行することが判明した。そして、砥石の中に平均粒径が
数ｎｍ乃至十数ｎｍ程度の非常に微細なダイヤモンド小
径粒子（所謂超微粒子）を含有させることにより、研削
能力を保ちながらそのベベリングの破砕層を数ミクロン
以下とすることができること、および、このダイヤモン
ド超微粒子の含有率と、その他のダイヤモンド粒子の粒
径とを最適に設定することにより、ウェーハのチッピン
グやワレの発生率を大幅に低減できることを見出だし
た。なお、所謂超微粒子としてのダイヤモンド小径粒子
の平均粒径は、３〜１８ｎｍ、好ましくは５〜８ｎｍで
ある。
【００１５】図２は、縦軸をチッピング発生率（％）、
横軸を砥石のダイヤモンド粒径（μｍ）として、ベベリ
ング加工を行う砥石のダイヤモンド粒径と、チッピング
発生率との関係を調べた結果を表したもので、同図に示
すように、ダイヤモンド粒径を５〜１３μｍとすること
によって、チッピング発生率を略ゼロにすることができ
る。
横軸を砥石のダイヤモンド粒径（μｍ）として、ベベリ
ング加工を行う砥石のダイヤモンド粒径と、チッピング
発生率との関係を調べた結果を表したもので、同図に示
すように、ダイヤモンド粒径を５〜１３μｍとすること
によって、チッピング発生率を略ゼロにすることができ
る。
【００１６】また、図３は、縦軸をウェーハワレ率
（％）、横軸を砥石のダイヤモンド粒径（μｍ）とし
て、ベベリング加工を行う砥石のダイヤモンド粒径と、
ウェーハのワレの発生率との関係を調べた結果を表した
もので、同図に示すように、ダイヤモンド粒径を８μｍ
以下とすることによって、ウェーハのワレ率を略ゼロに
することができる。
（％）、横軸を砥石のダイヤモンド粒径（μｍ）とし
て、ベベリング加工を行う砥石のダイヤモンド粒径と、
ウェーハのワレの発生率との関係を調べた結果を表した
もので、同図に示すように、ダイヤモンド粒径を８μｍ
以下とすることによって、ウェーハのワレ率を略ゼロに
することができる。
【００１７】また、図４は、縦軸をチッピング発生率
（％）、横軸を砥石のダイヤモンド超微粒子（平均粒径
５ｎｍ）の含有率として、ベベリング加工を行う砥石の
ダイヤモンド超微粒子の含有率と、チッピング発生率と
の関係を調べた結果を表したもので、同図に示すよう
に、ダイヤモンド超微粒子の含有率を略２０％以下とす
ることによって、チッピング発生率を略ゼロにすること
ができる。なお、ダイヤモンド超微粒子の含有率を５％
未満とすると、ベベリングの破砕層を低減する効果が不
十分となってしまう。
（％）、横軸を砥石のダイヤモンド超微粒子（平均粒径
５ｎｍ）の含有率として、ベベリング加工を行う砥石の
ダイヤモンド超微粒子の含有率と、チッピング発生率と
の関係を調べた結果を表したもので、同図に示すよう
に、ダイヤモンド超微粒子の含有率を略２０％以下とす
ることによって、チッピング発生率を略ゼロにすること
ができる。なお、ダイヤモンド超微粒子の含有率を５％
未満とすると、ベベリングの破砕層を低減する効果が不
十分となってしまう。
【００１８】以上の結果から、平均粒径が３〜１８ｎｍ
（好ましくは５〜８ｎｍ）のダイヤモンド超微粒子の含
有率を５〜２０重量％とし、且つ、８０〜９５重量％の
ダイヤモンド粒子の平均粒径を５〜８μｍとすることに
よって、従来に比べてウェーハのワレ、チッピング等の
発生を低減することができ、デバイス製造における歩留
りの向上を図ることができる。
（好ましくは５〜８ｎｍ）のダイヤモンド超微粒子の含
有率を５〜２０重量％とし、且つ、８０〜９５重量％の
ダイヤモンド粒子の平均粒径を５〜８μｍとすることに
よって、従来に比べてウェーハのワレ、チッピング等の
発生を低減することができ、デバイス製造における歩留
りの向上を図ることができる。
【００１９】すなわち本発明では、平均粒径か５〜８μ
ｍと、平均粒径が数ｎｍ乃至十数ｎｍ程度のダイヤモン
ド超微粒子の２種類のダイヤモンドを含有する砥石を用
いてベベリング加工を行うことにより、研削能力を保ち
ながら且つ、そのベベリングの破砕層を数ミクロン以下
とすることを可能とし、耐機械性、耐熱性に優れた強い
ウェーハを得ることができる。これによって、ウェーハ
のエッジ部からのカケの発生よる異物の発生が減少し、
デバイス工程の歩留りを数％乃至１０％以上も向上させ
ることができ、さらに、ウェーハ研磨歩留りを向上さ
せ、輸送時の割れをも減少させることが可能となる。
ｍと、平均粒径が数ｎｍ乃至十数ｎｍ程度のダイヤモン
ド超微粒子の２種類のダイヤモンドを含有する砥石を用
いてベベリング加工を行うことにより、研削能力を保ち
ながら且つ、そのベベリングの破砕層を数ミクロン以下
とすることを可能とし、耐機械性、耐熱性に優れた強い
ウェーハを得ることができる。これによって、ウェーハ
のエッジ部からのカケの発生よる異物の発生が減少し、
デバイス工程の歩留りを数％乃至１０％以上も向上させ
ることができ、さらに、ウェーハ研磨歩留りを向上さ
せ、輸送時の割れをも減少させることが可能となる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００２１】（実施例１）平均粒径が５ｎｍのダイヤモ
ンドの球状粒子を１２重量％含有し、且つ、８８重量％
のダイヤモンド粒子の平均粒径が６μｍであるベベリン
グ砥石を用いて、ラップされた７６Φ×０．４ｍｍのＬ
ｉＴａＯ3 ウェーハの周縁部を０．３ｍｍベベリング加
工した。なお、ベベリング角度は、２２±５゜の範囲と
した。
ンドの球状粒子を１２重量％含有し、且つ、８８重量％
のダイヤモンド粒子の平均粒径が６μｍであるベベリン
グ砥石を用いて、ラップされた７６Φ×０．４ｍｍのＬ
ｉＴａＯ3 ウェーハの周縁部を０．３ｍｍベベリング加
工した。なお、ベベリング角度は、２２±５゜の範囲と
した。
【００２２】この後、このウェーハを洗浄し、ホーニン
グ加工により、裏面全面をＲａ〜２．５μｍに粗した
後、ポリッシングマシンを用いて、コロイダルシリカに
より表面の鏡面仕上げを行った。
グ加工により、裏面全面をＲａ〜２．５μｍに粗した
後、ポリッシングマシンを用いて、コロイダルシリカに
より表面の鏡面仕上げを行った。
【００２３】上記加工を施したＬｉＴａＯ3 ウェーハ５
００ｐを用い、５７ΜΗｚのテレビ用弾性表面波デバイ
スを製作した所、輸送、デバイス工程でのウェーハのク
ラックはなく、工程歩留りも７％向上した。
００ｐを用い、５７ΜΗｚのテレビ用弾性表面波デバイ
スを製作した所、輸送、デバイス工程でのウェーハのク
ラックはなく、工程歩留りも７％向上した。
【００２４】（実施例２）平均粒径が５ｎｍのダイヤモ
ンドの球状粒子を１０重量％含有し、且つ、９０重量％
のダイヤモンド粒子の平均粒径が７μｍであるベベリン
グ砥石を用いて、ラップされた１００Φ×０．４ｍｍの
ＬｉＴａＯ3 ウェーハの周縁部を０．４ｍｍベベリング
加工した。なお、ベベリング角度は、２２±５゜の範囲
とした。
ンドの球状粒子を１０重量％含有し、且つ、９０重量％
のダイヤモンド粒子の平均粒径が７μｍであるベベリン
グ砥石を用いて、ラップされた１００Φ×０．４ｍｍの
ＬｉＴａＯ3 ウェーハの周縁部を０．４ｍｍベベリング
加工した。なお、ベベリング角度は、２２±５゜の範囲
とした。
【００２５】この後、このウェーハを洗浄し、ホーニン
グ加工により、裏面全面をＲａ〜２．５μｍに粗した
後、ポリッシングマシンを用いて、コロイダルシリカに
より表面の鏡面仕上げを行った。
グ加工により、裏面全面をＲａ〜２．５μｍに粗した
後、ポリッシングマシンを用いて、コロイダルシリカに
より表面の鏡面仕上げを行った。
【００２６】上記加工を施したＬｉＴａＯ3 ウェーハ６
００ｐを用い、５７ΜΗｚのテレビ用弾性表面波デバイ
スを製作した所、輸送、デバイス工程でのウェーハのク
ラックはなく、工程歩留りも１０％向上した。
００ｐを用い、５７ΜΗｚのテレビ用弾性表面波デバイ
スを製作した所、輸送、デバイス工程でのウェーハのク
ラックはなく、工程歩留りも１０％向上した。
【００２７】（比較例１）ラップされた７６Φ×０．４
ｍｍのＬｉＴａＯ3 ウェーハの周縁部を、ダイヤモンド
の平均粒径が２５μｍであるベベリング砥石を用いて
０．３ｍｍベベリング加工した。
ｍｍのＬｉＴａＯ3 ウェーハの周縁部を、ダイヤモンド
の平均粒径が２５μｍであるベベリング砥石を用いて
０．３ｍｍベベリング加工した。
【００２８】この後、このウェーハを洗浄し、ホーニン
グ加工により、裏面全面をＲａ〜２．５μｍに粗した
後、ポリッシングマシンを用いて、コロイダルシリカに
より表面の鏡面仕上げを行った。
グ加工により、裏面全面をＲａ〜２．５μｍに粗した
後、ポリッシングマシンを用いて、コロイダルシリカに
より表面の鏡面仕上げを行った。
【００２９】上記ウェーハにおいて、加工時のワレは２
％であり、加工したウェーハ５００ｐを用い５７ＭＨｚ
のテレビ用弾性表面波デバイスを製作した所、輸送で４
ｐ、デバイス工程でのクラック３ｐ、ワレは４ｐ発生
し、工程歩留りは８５％と悪かった。
％であり、加工したウェーハ５００ｐを用い５７ＭＨｚ
のテレビ用弾性表面波デバイスを製作した所、輸送で４
ｐ、デバイス工程でのクラック３ｐ、ワレは４ｐ発生
し、工程歩留りは８５％と悪かった。
【００３０】（比較例２）ラップされた１００Φ×０．
４ｍｍのＬｉＴａＯ3 ウェーハの周縁部を、ダイヤモン
ドの平均粒径が２５μｍであるベベリング砥石を用いて
０．３ｍｍベベリング加工した。
４ｍｍのＬｉＴａＯ3 ウェーハの周縁部を、ダイヤモン
ドの平均粒径が２５μｍであるベベリング砥石を用いて
０．３ｍｍベベリング加工した。
【００３１】この後、このウェーハを洗浄し、ホーニン
グ加工により、裏面全面をＲａ〜２．５μｍに粗した
後、ポリッシングマシンを用いて、コロイダルシリカに
より表面の鏡面仕上げを行った。
グ加工により、裏面全面をＲａ〜２．５μｍに粗した
後、ポリッシングマシンを用いて、コロイダルシリカに
より表面の鏡面仕上げを行った。
【００３２】上記ウェーハにおいて、加工時のワレは３
％であり、加工したウェーハ５００ｐを用い５７ΜΗｚ
のテレビ用弾性表面波デバイスを製作した所、輸送で３
ｐ、デバイス工程でのクラック５ｐ、ワレは６ｐ発生
し、工程歩留りは８０％と悪かった。
％であり、加工したウェーハ５００ｐを用い５７ΜΗｚ
のテレビ用弾性表面波デバイスを製作した所、輸送で３
ｐ、デバイス工程でのクラック５ｐ、ワレは６ｐ発生
し、工程歩留りは８０％と悪かった。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来に比べてウェーハのワレ、チッピング等の発生を低
減することができ、デバイス製造における歩留りの向上
を図ることができる。
従来に比べてウェーハのワレ、チッピング等の発生を低
減することができ、デバイス製造における歩留りの向上
を図ることができる。
【図１】本発明のウェーハのベベリング加工工程を模式
的に示す図。
的に示す図。
【図２】ベベリング砥石のダイヤモンド粒径とチッピン
グ発生率の関係を示す図。
グ発生率の関係を示す図。
【図３】ベベリング砥石のダイヤモンド粒径とワレ発生
率の関係を示す図。
率の関係を示す図。
【図４】ベベリング砥石のダイヤモンド小径粒子含有率
とチッピング発生率の関係を示す図。
とチッピング発生率の関係を示す図。
１……ウェーハ ２……砥石
Claims (4)
- 【請求項１】 単結晶からなるウェーハの周縁部を砥石
を用いてベベリング加工するにあたり、 前記砥石に含有されるダイヤモンド粒子が、平均粒径が
３〜１８ｎｍの超微粒子を５〜３０重量％含有し、且
つ、７０〜９５重量％のダイヤモンド粒子の平均粒径が
５〜８μｍであることを特徴とするウェーハのベベリン
グ加工方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のウェーハのベベリング加
工方法において、 前記超微粒子の平均粒径が５〜８ｎｍであることを特徴
とするウェーハのベベリング加工方法。 - 【請求項３】 請求項１〜２記載のウェーハのベベリン
グ加工方法において、 前記砥石が台形砥石であり、ベベリング角度が２２±５
゜であることを特徴とするウェーハのベベリング加工方
法。 - 【請求項４】 請求項１〜３記載のウェーハのベベリン
グ加工方法において、 前記ウェーハが圧電性単結晶からなる弾性表面波用ウェ
ーハであることを特徴とするウェーハのベベリング加工
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33546695A JPH09181021A (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | ウェーハのベベリング加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33546695A JPH09181021A (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | ウェーハのベベリング加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09181021A true JPH09181021A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=18288885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33546695A Withdrawn JPH09181021A (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | ウェーハのベベリング加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09181021A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7195545B2 (en) | 2003-04-02 | 2007-03-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Chamfered freestanding nitride semiconductor wafer and method of chamfering nitride semiconductor wafer |
| US7798889B2 (en) | 2006-11-15 | 2010-09-21 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Chamfering apparatus for chamfering glass substrates |
| US7806751B2 (en) | 2006-11-15 | 2010-10-05 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing disk substrate |
| WO2020040203A1 (ja) * | 2018-08-21 | 2020-02-27 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波素子用基板及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-12-22 JP JP33546695A patent/JPH09181021A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7550780B2 (en) | 2003-04-02 | 2009-06-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Chamfered freestanding nitride semiconductor wafer and method of chamfering nitride semiconductor wafer |
| US8022438B2 (en) | 2003-04-02 | 2011-09-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Chamfered freestanding nitride semiconductor wafer and method of chamfering nitride semiconductor wafer |
| US8482032B2 (en) | 2003-04-02 | 2013-07-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Chamfered freestanding nitride semiconductor wafer and method of chamfering nitride semiconductor wafer |
| US8723219B2 (en) | 2003-04-02 | 2014-05-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Chamfered freestanding nitride semiconductor wafer and method of chamfering nitride semiconductor wafer |
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