JPH09181031A - 基板洗浄装置 - Google Patents

基板洗浄装置

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JPH09181031A
JPH09181031A JP33930595A JP33930595A JPH09181031A JP H09181031 A JPH09181031 A JP H09181031A JP 33930595 A JP33930595 A JP 33930595A JP 33930595 A JP33930595 A JP 33930595A JP H09181031 A JPH09181031 A JP H09181031A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の種類および洗浄条件に応じて洗浄液の
吐出圧力を自動的に変更することができる基板洗浄装置
を提供することである。 【解決手段】 空気源6の空気は、電空レギュレータ
7、空気供給管L1および電磁弁を介してプランジャポ
ンプに供給される。制御部11は、洗浄条件設定パネル
31、CPU32、メモリ33および操作パネル34を
含む。洗浄条件設定パネル31は、基板の回転数、洗浄
時間、吐出ノズルの走査速度、吐出ノズルの走査回数等
の洗浄条件を設定するために用いられる。洗浄条件には
純水の吐出圧力も含められる。洗浄条件はメモリ33に
記憶される。CPU32はメモリ33に記憶された洗浄
条件に従って電空レギュレータ7に制御信号CTを与え
る。電空レギュレータ7は、CPU32から与えられる
制御信号CTに応答して空気の供給圧力を調整する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の表面に洗浄
液を高圧で吐出して基板の表面を洗浄する基板洗浄装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基
板、マスク基板等の基板の表面を洗浄するために、基板
の表面に純水等の洗浄液を高圧で吐出することにより基
板の表面を洗浄する基板洗浄装置が用いられている。
【0003】図4は従来の基板洗浄装置の一例を示す概
略図である。図4において、基板100は、回転保持機
構の保持台101に水平姿勢で吸引保持され、水平面内
において鉛直軸の周りで回転駆動される。基板100の
上方に吐出ノズル102が配設されている。吐出ノズル
102には基板100の表面に対向するノズルチップ1
03が設けられている。このノズルチップ103は、孔
径が例えば0.1mm程度の吐出口を有する。
【0004】吐出ノズル102は、供給配管104を介
して純水の供給源105に接続されている。供給配管1
04には、設定された圧力で純水を吐出する高圧圧縮ポ
ンプ106およびフィルタ107が介挿されている。フ
ィルタ107の出口側には純水の吐出圧力の管理に用い
る圧力計108が取り付けられている。
【0005】この基板洗浄装置では、基板100を所定
の回転数で回転させ、予め設定された圧力で吐出ノズル
102から純水を基板100の表面に吐出しつつ吐出ノ
ズル102を基板100の一方の外周部から中心部を通
って他方の外周部まで走査させたり、中心部から外周部
まで走査する間のみ吐出する動作を繰り返させる。これ
により、基板100の表面の全域が洗浄される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来の基板洗浄
装置では、洗浄する基板の種類によって純水の吐出圧力
を変更する必要がある。例えば、軟質の基板やパターン
が形成された基板を洗浄する場合には、純水の吐出圧力
を低く設定し、硬質の基板やパターン未形成の基板を洗
浄する場合には、吐出圧力を高く設定する。
【0007】また、基板の回転数、洗浄時間、吐出ノズ
ルの走査速度、吐出ノズルの走査回数等の洗浄条件によ
っても純水の吐出圧力を変更する必要がある。そのた
め、従来の基板洗浄装置では、洗浄する基板の種類や洗
浄条件を変更するごとに、手動操作で純水の吐出圧力を
再設定している。
【0008】しかしながら、多くの種類の基板を順次洗
浄する場合や基板の種類を頻繁に変更する場合には、設
定圧力を変更し忘れたり、設定圧力を戻し忘れたりする
ことがある。それにより、基板の表面を十分に洗浄する
ことができなかったり、あるいは基板の表面を傷めると
いう問題が生じる。
【0009】本発明の目的は、基板の種類および洗浄条
件に応じて洗浄液の吐出圧力を自動的に変更することが
できる基板洗浄装置を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段および発明の効果】第1の
発明に係る基板洗浄装置は、洗浄液を洗浄液供給手段に
より吐出ノズルに供給しその吐出ノズルから基板の表面
へ高圧で吐出することにより基板の表面を洗浄する基板
洗浄装置であって、吐出ノズルから吐出されるべき洗浄
液の吐出圧力を含む基板の洗浄条件を設定するための設
定手段と、設定手段により設定された洗浄条件に応じて
洗浄液供給手段による洗浄液の供給圧力を制御する制御
手段とを備えたものである。
【0011】第2の発明に係る基板洗浄装置は、第1の
発明に係る基板洗浄装置の構成において、洗浄液供給手
段が、供給される流体の圧力に応じた圧力で洗浄液を駆
動する高圧発生手段を含み、制御手段が、設定手段によ
り設定された洗浄条件に基づく制御信号を発生する制御
信号発生手段と、制御信号発生手段により発生された制
御信号に応答して高圧発生手段に供給する流体の圧力を
調整する圧力調整手段とを含むものである。
【0012】第3の発明に係る基板洗浄装置は、第1ま
たは第2の発明に係る基板洗浄装置の構成において、流
体が気体からなり、圧力調整手段が電気信号に応答して
気体の圧力を調整するレギュレータからなるものであ
る。
【0013】第1〜第3の発明に係る基板洗浄装置にお
いては、設定手段により設定された洗浄条件に応じて洗
浄液供給手段による洗浄液の供給圧力が可変制御され
る。それにより、基板の種類および洗浄条件に応じて洗
浄液の吐出圧力も自動的に変更される。したがって、基
板の種類および洗浄条件を変更するごとに純水の吐出圧
力を手動操作で変更することなく、基板を最適な吐出圧
力で自動的に洗浄することが可能となる。
【0014】特に、第2の発明に係る基板洗浄装置にお
いては、設定手段により設定された洗浄条件に基づく制
御信号が発生され、その制御信号に応答して高圧発生手
段に供給する流体の圧力が自動的に調整される。それに
より、高圧発生手段により流体の圧力に応じた圧力で洗
浄液が駆動され、吐出ノズルから洗浄液が高圧で吐出さ
れる。したがって、吐出ノズルから吐出される洗浄液の
圧力を基板の種類および洗浄条件に応じて電気的に可変
制御することが可能となる。
【0015】また、第3の発明に係る基板洗浄装置にお
いては、圧力調整手段が電気信号に応答して気体の圧力
を調整するレギュレータからなるので、簡単な構成によ
り高圧発生手段の吐出圧力を可変制御することが可能と
なる。
【0016】
【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施例における
基板洗浄装置の主として高圧発生ユニットの構成を示す
図である。
【0017】図1において、プランジャポンプ(昇圧ポ
ンプ)1は、シリンダ2内に摺動自在に挿入されたプラ
ンジャ3を有する。プランジャ3の前方側(矢印Xの方
向)には、洗浄液として純水が供給される純水室4が形
成され、プランジャ3の後方側には空気が供給される空
気室5が形成されている。プランジャ3の後端部には、
空気室5内に摺動自在に設けられた摺動部材3aが取り
付けられている。プランジャポンプ1の空気室5の外部
には、ポンプの動作状態確認用のオートスイッチ5cが
設けられている。
【0018】空気源6の空気は、電空レギュレータ7、
空気供給管L1および電磁弁8を介してプランジャポン
プ1の第1の空気供給口5aまたは第2の空気供給口5
bに供給される。
【0019】電空レギュレータ7は、与えられる電流値
に応じて空気の圧力を可変に調整するものである。この
電空レギュレータ7および電磁弁8は、後述する制御部
11により制御される。電磁弁8には、プランジャポン
プ1の動作回数を計数するカウンタ8aが接続されてい
る。また、電空レギュレータ7の出口側には、第1の圧
力計9および第2の圧力計10が取り付けられている。
【0020】ポンプ吸い込み時には、第1の空気供給口
5aから摺動部材3aの前方側に空気が供給されるよう
に電磁弁8が切り換えられる。それにより、摺動部材3
aがプランジャ3とともに矢印Yの方向に移動する。こ
のとき、摺動部材3aの後方側の空気は第2の空気供給
口5bから電磁弁8を介して排出される。ポンプ吐出時
には、第2の空気供給口5bから摺動部材3aの後方側
に空気が供給されるように電磁弁8が切り換えられる。
それにより、摺動部材3aがプランジャ3とともに矢印
Xの方向に移動する。このとき、摺動部材3aの前方側
の空気は第1の空気供給口5aから電磁弁8を介して排
出される。
【0021】プランジャポンプ1内のプランジャ3が矢
印Yの方向に移動すると、純水源12の純水が純水供給
管L2、吐出弁13、純水供給口4aおよび逆止弁14
を介してプランジャポンプ1の純水室4内に吸い込まれ
る。純水供給管L2内の圧力が所定値を越えると、純水
の一部がリリーフ弁15を介して排出される。
【0022】プランジャポンプ1内のプランジャ3が矢
印Xの方向に移動すると、純水室4内の純水が純水吐出
口4bから純水供給管L3、吐出弁13およびフィルタ
16を介して吐出ノズル17に供給される。吐出ノズル
17は、基板100の表面に対向するノズルチップを有
する。このノズルチップは、例えば孔径0.1mm程度
の吐出口を有する。吐出ノズル17に供給された純水
は、ノズルチップの吐出口から基板100の表面に高圧
で吐出される。基板100は、回転保持機構の保持台1
8に水平姿勢で吸引保持され、水平面内において鉛直軸
の周りで回転駆動される。
【0023】基板100の洗浄時には、基板100を所
定の回転数で回転させ、吐出ノズル17から純水を基板
100の表面に高圧で吐出しつつ吐出ノズル17を基板
100の一方の外周部から中心部を通って他方の外周部
まで走査させたり、中心部から外周部まで走査する間の
み吐出する動作を繰り返させる。
【0024】図2は図1の電空レギュレータ7および制
御部11の構成を示すブロック図である。図2に示すよ
うに、制御部11は、洗浄条件設定パネル31、CPU
(中央演算処理装置)32、メモリ33および操作パネ
ル34を含む。
【0025】洗浄条件設定パネル31は、基板100の
回転数、洗浄時間、吐出ノズル17の走査速度、吐出ノ
ズル17の走査回数、吐出ノズル17の移動範囲、吐出
ノズル17の移動方向等の洗浄条件(レシピ)を設定す
るために用いられる。本実施例では、この洗浄条件に純
水の吐出圧力が含められる。基板の種類に応じて複数の
洗浄条件を設定することができる。洗浄条件設定パネル
31により設定された洗浄条件はCPU32を介してメ
モリ33に記憶される。
【0026】CPU32は、メモリ33に記憶された洗
浄条件に従って電空レギュレータ7に制御信号CTを与
えるとともに、図1の電磁弁8、回転保持機構(図示せ
ず)等の各部分に種々の制御信号を与える。操作パネル
34は、基板100の洗浄時に作業者が洗浄条件を選択
するために用いられる。
【0027】電空レギュレータ7は、弁7aおよび弁駆
動部7bからなり、CPU32から与えられる制御信号
CTに応答して空気の供給圧力を調整する。第1の圧力
計9は、電空レギュレータ7による空気の供給圧力(1
次圧力)を表示する。第2の圧力計10は、1次圧力を
プランジャポンプ1の面積比率(空気室5と純水室4の
横断面の面積比率)に換算した圧力(2次圧力)を表示
する。
【0028】本実施例では、プランジャポンプ1が洗浄
液供給手段を構成し、洗浄条件設定パネル31およびメ
モリ33が設定手段を構成する。また、CPU32およ
び電空レギュレータ7が制御手段を構成する。CPU3
2が制御信号発生手段に相当し、電空レギュレータ7が
圧力調整手段に相当する。
【0029】次に、図3のフローチャートを参照しなが
ら本実施例の基板洗浄装置の動作を説明する。なお、予
め洗浄条件設定パネル31を用いて基板の種類に応じた
複数の洗浄条件がメモリ33に設定されているものとす
る。この洗浄条件には、基板の回転数、洗浄時間、吐出
ノズル17の走査速度、吐出ノズル17の走査回数等の
通常の洗浄条件とともに、吐出ノズル17からの純水の
吐出圧力も含まれる。
【0030】基板100の洗浄時には、作業者が、操作
パネル34を用いてその基板100の種類に応じた洗浄
条件を選択する(ステップS1)。CPU32は、選択
された洗浄条件をメモリ33から読み出し、その洗浄条
件に基づいて基板100の回転数、洗浄時間、吐出ノズ
ル17の走査速度、吐出ノズル17の走査回数等を設定
するとともに、高圧発生ユニットの発生圧力(プランジ
ャポンプ1の吐出圧力)を設定された純水の吐出圧力に
応じた圧力(設定圧力)に設定する。
【0031】そして、高圧発生ユニットの発生圧力が設
定圧力になったかどうかを判別する(ステップS2)。
高圧発生ユニットの発生圧力が設定圧力になった場合に
は、吐出ノズル17を動作させるとともに、プランジャ
ポンプ1から吐出ノズル17に純水を供給して基板10
0の表面に吐出させる(ステップS3)。
【0032】故障や空気の未供給等により高圧発生ユニ
ットの発生圧力が設定圧力にならない場合には、所定の
エラー処理を行う(ステップS4)。本実施例の基板洗
浄装置においては、作業者が選択した洗浄条件に応じて
純水の吐出圧力が自動的に可変制御される。したがっ
て、作業者は、基板の種類または洗浄条件を変更するご
とに吐出圧力を設定する必要がなくなる。その結果、吐
出圧力の設定忘れや誤設定がなくなり、基板の種類に応
じて基板の表面を最適な条件で自動的に洗浄することが
可能となる。
【0033】なお、上記実施例では、高圧発生手段を駆
動するために空気を用いているが、空気の代わりに油等
の液体を用いてもよい。この場合には、圧力調整手段と
して例えば可変入力液体レギュレータを用いる。
【0034】また、上記実施例では、洗浄条件設定パネ
ル31を用いて洗浄条件を設定する際に、通常の洗浄条
件とともに吐出圧力も設定しているが、通常の洗浄条件
を設定することによりその洗浄条件に応じた吐出圧力が
自動的に設定されるように構成してもよい。
【0035】また、上記実施例における洗浄条件設定パ
ネル31を、操作パネル34で兼用させるようにしても
よい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例における基板洗浄装置の構成
を示す図である。
【図2】図1の電空レギュレータおよび制御部の構成を
示すブロック図である。
【図3】図1の基板洗浄装置の動作を示すフローチャー
トである。
【図4】従来の基板洗浄装置の一例を示す概略図であ
る。
【符号の説明】
1 プランジャポンプ 6 空気源 7 電空レギュレータ 11 制御部 12 純水源 17 吐出ノズル 31 洗浄条件設定パネル 32 CPU 33 メモリ 34 操作パネル

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 洗浄液を洗浄液供給手段により吐出ノズ
    ルへ供給しその吐出ノズルから基板の表面へ高圧で吐出
    することにより基板の表面を洗浄する基板洗浄装置であ
    って、前記吐出ノズルから吐出されるべき洗浄液の吐出
    圧力を含む基板の洗浄条件を設定するための設定手段
    と、 前記設定手段により設定された前記洗浄条件に応じて前
    記洗浄液供給手段による洗浄液の供給圧力を可変制御す
    る制御手段とを備えたことを特徴とする基板洗浄装置。
  2. 【請求項2】 前記洗浄液供給手段は、供給される流体
    の圧力に応じた圧力で洗浄液を駆動する高圧発生手段を
    含み、 前記制御手段は、前記設定手段により設定された前記洗
    浄条件に基づく制御信号を発生する制御信号発生手段
    と、前記制御信号発生手段により発生された前記制御信
    号に応答して前記高圧発生手段に供給する前記流体の圧
    力を調整する圧力調整手段とを含むことを特徴とする請
    求項1記載の基板洗浄装置。
  3. 【請求項3】 前記流体は気体からなり、前記圧力調整
    手段は電気信号に応答して気体の圧力を調整するレギュ
    レータからなることを特徴とする請求項1または2記載
    の基板洗浄装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010046064A (ko) * 1999-11-10 2001-06-05 황인길 반도체 웨이퍼 스피너 회전속도 제어 장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20010046064A (ko) * 1999-11-10 2001-06-05 황인길 반도체 웨이퍼 스피너 회전속도 제어 장치

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