JPH09181042A - ウェット処理装置 - Google Patents
ウェット処理装置Info
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- JPH09181042A JPH09181042A JP33370995A JP33370995A JPH09181042A JP H09181042 A JPH09181042 A JP H09181042A JP 33370995 A JP33370995 A JP 33370995A JP 33370995 A JP33370995 A JP 33370995A JP H09181042 A JPH09181042 A JP H09181042A
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 133
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 28
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハー表面につくパーティクル数を減少さ
せ歩留の向上が図れ、ウェット処理時間を短くすること
により生産性の向上及びコスト低減が図れるウェット処
理装置を提供することである。 【解決手段】 薬液処理内槽７内に複数枚のウエハー１
を収納するキャリア２を有し、キャリア２内の底部に仕
切り板３ａを等間隔に複数有したウエハー保持治具３を
備える。前記各ウエハーが１枚おきにウエハーの約半分
が上に持ち上げられ、残りのウエハーは仕切り板３ａ間
に保持される。
せ歩留の向上が図れ、ウェット処理時間を短くすること
により生産性の向上及びコスト低減が図れるウェット処
理装置を提供することである。 【解決手段】 薬液処理内槽７内に複数枚のウエハー１
を収納するキャリア２を有し、キャリア２内の底部に仕
切り板３ａを等間隔に複数有したウエハー保持治具３を
備える。前記各ウエハーが１枚おきにウエハーの約半分
が上に持ち上げられ、残りのウエハーは仕切り板３ａ間
に保持される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造に使われ
るウェット処理装置に関するものである。
るウェット処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のウェット処理装置は図８、図９に
示すように、処理槽２９の処理液中にキャリア３１に支
持されたウエハー３０を浸漬し、処理槽２９からオーバ
ーフローした処理液をポンプ３３でフィルター３４に通
し、浄化した処理液を処理槽２９に循環させてウエハー
のウェット処理を行っていた。図１０は従来のウェット
処理装置におけるキャリア内ウエハー位置とウエハー表
面上のパーティクル数との関係を示した図である。処理
液としてバッファドフッ酸を用いウエハー上の酸化膜を
エッチング処理する場合について説明する。処理槽２９
内の温度２０℃のバッファドフッ酸液中に表面が２００
０Åの酸化膜が形成されているウエハー３０を５分間浸
漬してエッチング処理を行う。ウエハーの裏面の酸化膜
がエッチングされると前工程の製造装置によってウエハ
ー裏面に付着した搬送系のパーティクルがバッファドフ
ッ酸液中に混入し隣のウエハー表面に付着してしまう。
これは各ウエハーどうしの間隔が約４ｍｍと狭い為各ウ
エハー間には液の流れが少くウエハー裏面から液中へ混
入したパーティクルは全んど移動せずウエハー間にとど
まりエッチング終了時点ではウエハー表面に達し、エッ
チング終了後キャリアが液外に持ち上げられた時点でウ
エハー表面に液と共にパーティクルも液外へ持ち上げら
れバッファドフッ酸が蒸発、流下した後、パーティクル
のみがウエハー表面に残ることによるものと考えられて
いる。その為、図１０に示したようにウェット処理後の
ウエハー表面上パーティクル数は０．３μｍ以上のもの
で６インチウエハー上に約２００ヶものレベルに達して
いる。そこで、ウエハー表面パーティクル数を少くする
為には、ウエハー間の液の流れを早くしてウエハー間の
パーティクルを処理内槽から運び出してやる必要があ
る。
示すように、処理槽２９の処理液中にキャリア３１に支
持されたウエハー３０を浸漬し、処理槽２９からオーバ
ーフローした処理液をポンプ３３でフィルター３４に通
し、浄化した処理液を処理槽２９に循環させてウエハー
のウェット処理を行っていた。図１０は従来のウェット
処理装置におけるキャリア内ウエハー位置とウエハー表
面上のパーティクル数との関係を示した図である。処理
液としてバッファドフッ酸を用いウエハー上の酸化膜を
エッチング処理する場合について説明する。処理槽２９
内の温度２０℃のバッファドフッ酸液中に表面が２００
０Åの酸化膜が形成されているウエハー３０を５分間浸
漬してエッチング処理を行う。ウエハーの裏面の酸化膜
がエッチングされると前工程の製造装置によってウエハ
ー裏面に付着した搬送系のパーティクルがバッファドフ
ッ酸液中に混入し隣のウエハー表面に付着してしまう。
これは各ウエハーどうしの間隔が約４ｍｍと狭い為各ウ
エハー間には液の流れが少くウエハー裏面から液中へ混
入したパーティクルは全んど移動せずウエハー間にとど
まりエッチング終了時点ではウエハー表面に達し、エッ
チング終了後キャリアが液外に持ち上げられた時点でウ
エハー表面に液と共にパーティクルも液外へ持ち上げら
れバッファドフッ酸が蒸発、流下した後、パーティクル
のみがウエハー表面に残ることによるものと考えられて
いる。その為、図１０に示したようにウェット処理後の
ウエハー表面上パーティクル数は０．３μｍ以上のもの
で６インチウエハー上に約２００ヶものレベルに達して
いる。そこで、ウエハー表面パーティクル数を少くする
為には、ウエハー間の液の流れを早くしてウエハー間の
パーティクルを処理内槽から運び出してやる必要があ
る。
【０００３】公知技術例として、処理槽内の薬液の流れ
を円滑にし、ウエハー表面に触れる薬液の流れを均一に
し一様に処理する浸漬式ウェット処理装置が特開平５−
２６７２７３号公報にて提案されている。図１１及び図
１２は、本公知技術例を示した図である。底面に薬液を
供給する開口を有し、ウエハー２０を収納すると共に薬
液がもれることのない外壁で囲む箱状のキャリア１７に
し、このキャリア２７の開口より薬液を一定速度で供給
してキャリア外に薬液をオーバーフローさせて処理す
る。この様に薬液の供給を一方向に一定速度に供給する
ことによって、薬液のよどみを無くし、パーティクル付
着を防止している。しかし本公知例だと次の問題があっ
た。第１に、キャリア側面に開口部がない為キャリア内
部から液がキャリアの外へ飛散しない為ウエハー乾燥時
にウエハーのエッヂに液が残り易い。第２に、薬液処理
槽でのウエハー処理液、純水リンス槽へウエハーとキャ
リアが持ち込まれた際、キャリア側面に開口部がない
為、薬液が純水に置き換わる時間が開口部のあるキャリ
アに比べ大きくかかってしまい処理時間が延びてしま
う。
を円滑にし、ウエハー表面に触れる薬液の流れを均一に
し一様に処理する浸漬式ウェット処理装置が特開平５−
２６７２７３号公報にて提案されている。図１１及び図
１２は、本公知技術例を示した図である。底面に薬液を
供給する開口を有し、ウエハー２０を収納すると共に薬
液がもれることのない外壁で囲む箱状のキャリア１７に
し、このキャリア２７の開口より薬液を一定速度で供給
してキャリア外に薬液をオーバーフローさせて処理す
る。この様に薬液の供給を一方向に一定速度に供給する
ことによって、薬液のよどみを無くし、パーティクル付
着を防止している。しかし本公知例だと次の問題があっ
た。第１に、キャリア側面に開口部がない為キャリア内
部から液がキャリアの外へ飛散しない為ウエハー乾燥時
にウエハーのエッヂに液が残り易い。第２に、薬液処理
槽でのウエハー処理液、純水リンス槽へウエハーとキャ
リアが持ち込まれた際、キャリア側面に開口部がない
為、薬液が純水に置き換わる時間が開口部のあるキャリ
アに比べ大きくかかってしまい処理時間が延びてしま
う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したウェット処理
方法だと各ウエハー間の液の流れが少く、ウエハー裏面
から液中に混入したパーティクルが隣のウエハー表面に
付着してしまう。又各ウエハー間の液の流れをスムーズ
にした公知技術例では、第１にウエハー乾燥時にウエハ
ーのエッヂに液が残り易いという問題があり、第２に、
薬液処理槽でのウエハー処理後、純水リンス槽へウエハ
ーとキャリアが持ち込まれた際、キャリア側面に開口部
がない為、薬液が純水に置き換わる時間が開口部のある
キャリアに比べ大きくかかってしまい処理時間が延びて
しまうという問題があった。
方法だと各ウエハー間の液の流れが少く、ウエハー裏面
から液中に混入したパーティクルが隣のウエハー表面に
付着してしまう。又各ウエハー間の液の流れをスムーズ
にした公知技術例では、第１にウエハー乾燥時にウエハ
ーのエッヂに液が残り易いという問題があり、第２に、
薬液処理槽でのウエハー処理後、純水リンス槽へウエハ
ーとキャリアが持ち込まれた際、キャリア側面に開口部
がない為、薬液が純水に置き換わる時間が開口部のある
キャリアに比べ大きくかかってしまい処理時間が延びて
しまうという問題があった。
【０００５】本発明の課題は、ウエハー表面につくパー
ティクル数を減少させ歩留の向上が図れ、ウェット処理
時間を短くすることにより生産性の向上及びコスト低減
が図れるウェット処理装置を提供することである。
ティクル数を減少させ歩留の向上が図れ、ウェット処理
時間を短くすることにより生産性の向上及びコスト低減
が図れるウェット処理装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、薬液処
理内槽内に複数枚のウエハーを収納するキャリアを有
し、該キャリア内の底部に仕切り板を等間隔に複数有し
たウエハー保持手段を備え、前記各ウエハーが互いに間
隔をおいた状態で前記仕切り板間に保持されることを特
徴とするウェット処理装置が得られる。
理内槽内に複数枚のウエハーを収納するキャリアを有
し、該キャリア内の底部に仕切り板を等間隔に複数有し
たウエハー保持手段を備え、前記各ウエハーが互いに間
隔をおいた状態で前記仕切り板間に保持されることを特
徴とするウェット処理装置が得られる。
【０００７】又、本発明によれば、薬液処理内槽内に複
数枚のウエハーを収納するキャリアを有し、該キャリア
内の底部に仕切り板を等間隔に複数有したウエハー保持
手段を備え、前記各ウエハーが１枚おきに前記仕切り板
によって持ち上げられ、残りのウエハーが前記仕切り板
間に保持されることを特徴とするウェット処理装置が得
られる。
数枚のウエハーを収納するキャリアを有し、該キャリア
内の底部に仕切り板を等間隔に複数有したウエハー保持
手段を備え、前記各ウエハーが１枚おきに前記仕切り板
によって持ち上げられ、残りのウエハーが前記仕切り板
間に保持されることを特徴とするウェット処理装置が得
られる。
【０００８】又、本発明によれば、薬液処理内槽内に複
数枚のウエハーを収納するキャリアを有し、該キャリア
内の底部にＮ（Ｎは２以上の自然数）枚以上の仕切り板
を一組として該一組の仕切り板を等間隔に複数組有した
ウエハー保持手段を備え、前記各ウエハーがＮ（Ｎは前
記一組の仕切り板が備えている仕切り板の枚数）枚おき
に前記仕切り板によって持ち上げられ、残りのウエハー
が前記仕切り板間に保持されることを特徴とするウェッ
ト処理装置が得られる。
数枚のウエハーを収納するキャリアを有し、該キャリア
内の底部にＮ（Ｎは２以上の自然数）枚以上の仕切り板
を一組として該一組の仕切り板を等間隔に複数組有した
ウエハー保持手段を備え、前記各ウエハーがＮ（Ｎは前
記一組の仕切り板が備えている仕切り板の枚数）枚おき
に前記仕切り板によって持ち上げられ、残りのウエハー
が前記仕切り板間に保持されることを特徴とするウェッ
ト処理装置が得られる。
【０００９】
【作用】薬液槽において槽底部にキャリア内のウエハー
を１枚おきに上方へ持ち上げることにより、隣り合うウ
エハー間の間隔が大きくなりウエハー間の薬液の流れが
スムーズになる、又ウエハー裏面と隣りのウエハー表面
との距離が大きくなり、薬液処理中にウエハー裏面から
のパーティクルが隣りのウエハー表面に到着、付着する
前にウエハーが薬液槽外へ出る為ウエハー表面上に付着
するパーティクルは少くなる。
を１枚おきに上方へ持ち上げることにより、隣り合うウ
エハー間の間隔が大きくなりウエハー間の薬液の流れが
スムーズになる、又ウエハー裏面と隣りのウエハー表面
との距離が大きくなり、薬液処理中にウエハー裏面から
のパーティクルが隣りのウエハー表面に到着、付着する
前にウエハーが薬液槽外へ出る為ウエハー表面上に付着
するパーティクルは少くなる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００１１】図１及び図２は本発明の第１の実施の形態
におけるウェット処理装置の構成を示した図である。薬
液処理内槽７内からオーバーフローした薬液が薬液処理
外槽６へ入り、薬液処理外槽６からポンプ５、フィルタ
ー４を通して薬液処理内槽７へもどる。薬液処理内槽７
内にウエハー１入りのキャリア２が存在してキャリア２
の真下に仕切り板３ａを複数備えたウエハー保持治具３
が設けてありウエハー１枚おきにウエハーの約半分が上
に持ち上げられている。ポンプ５、フィルター４を通っ
た薬液はキャリア底部にキャリアと平行に設けられた吹
き出し配管８より薬液処理内槽７へもどる。図３は、第
１の実施の形態におけるキャリア内ウエハー位置とウエ
ハー表面上のパーティクル数との関係を示した図であ
る。従来例（図８参照）と比較してウエハー表面上パー
ティクル数が少い。このような結果が得られる理由とし
て隣り合うウエハーの対向面積を小さくすることで隣り
合うウエハーどうしの間隔が大きくなりウエハー間の薬
液の流れがスムーズになる、又ウエハー裏面と隣りのウ
エハー表面との距離が大きくなり、薬液処理中にウエハ
ー裏面からのパーティクルが隣りのウエハー表面に到
着、付着する前にウエハーが薬液槽外へ出るためウエハ
ー表面上に付着するパーティクルは少くなることが考え
られる。図４は、ウエハー表面に付着するパーティクル
数と隣り合うウエハーの対向面積との関係を示した図で
ある。対向面積が大きいとウエハー表面上のパーティク
ル数が大きい。これは上述の理由を裏付けている。
におけるウェット処理装置の構成を示した図である。薬
液処理内槽７内からオーバーフローした薬液が薬液処理
外槽６へ入り、薬液処理外槽６からポンプ５、フィルタ
ー４を通して薬液処理内槽７へもどる。薬液処理内槽７
内にウエハー１入りのキャリア２が存在してキャリア２
の真下に仕切り板３ａを複数備えたウエハー保持治具３
が設けてありウエハー１枚おきにウエハーの約半分が上
に持ち上げられている。ポンプ５、フィルター４を通っ
た薬液はキャリア底部にキャリアと平行に設けられた吹
き出し配管８より薬液処理内槽７へもどる。図３は、第
１の実施の形態におけるキャリア内ウエハー位置とウエ
ハー表面上のパーティクル数との関係を示した図であ
る。従来例（図８参照）と比較してウエハー表面上パー
ティクル数が少い。このような結果が得られる理由とし
て隣り合うウエハーの対向面積を小さくすることで隣り
合うウエハーどうしの間隔が大きくなりウエハー間の薬
液の流れがスムーズになる、又ウエハー裏面と隣りのウ
エハー表面との距離が大きくなり、薬液処理中にウエハ
ー裏面からのパーティクルが隣りのウエハー表面に到
着、付着する前にウエハーが薬液槽外へ出るためウエハ
ー表面上に付着するパーティクルは少くなることが考え
られる。図４は、ウエハー表面に付着するパーティクル
数と隣り合うウエハーの対向面積との関係を示した図で
ある。対向面積が大きいとウエハー表面上のパーティク
ル数が大きい。これは上述の理由を裏付けている。
【００１２】図５及び図６は本発明の第２の実施の形態
におけるウェット処理装置の構成を示した図である。薬
液処理内槽１６内からオーバーフローした薬液が薬液処
理外槽１５へ入り、薬液処理外槽１５からポンプ１４、
フィルター１３を通して薬液処理内槽１６へもどる。薬
液処理内槽１６内にウエハー１０入りのキャリア１１が
存在してキャリア１１の真下にウエハー保持治具１２が
設けられている。ウエハー保持治具１２は、２つの仕切
り板１１ａを１セットとして、複数セット有している。
ウエハー２枚おきに２枚のウエハー１０の約半分が２枚
の仕切り板によって上に持ち上げられている。図７は、
第２の実施の形態におけるキャリア内ウエハー位置とウ
エハー表面上のパーティクル数との関係を示した図であ
る。従来例と比較してウエハー表面上のパーティクル数
が少い。しかし上記した第１の実施の形態と比較すると
ウエハー保持治具で持ち上げられたウエハーと持ち上げ
られないウエハーの両方とも完全にウエハー面が重って
いるウエハーの裏面と対しているウエハー表面のパーテ
ィクル数は従来例のパーティクル数と変らない。
におけるウェット処理装置の構成を示した図である。薬
液処理内槽１６内からオーバーフローした薬液が薬液処
理外槽１５へ入り、薬液処理外槽１５からポンプ１４、
フィルター１３を通して薬液処理内槽１６へもどる。薬
液処理内槽１６内にウエハー１０入りのキャリア１１が
存在してキャリア１１の真下にウエハー保持治具１２が
設けられている。ウエハー保持治具１２は、２つの仕切
り板１１ａを１セットとして、複数セット有している。
ウエハー２枚おきに２枚のウエハー１０の約半分が２枚
の仕切り板によって上に持ち上げられている。図７は、
第２の実施の形態におけるキャリア内ウエハー位置とウ
エハー表面上のパーティクル数との関係を示した図であ
る。従来例と比較してウエハー表面上のパーティクル数
が少い。しかし上記した第１の実施の形態と比較すると
ウエハー保持治具で持ち上げられたウエハーと持ち上げ
られないウエハーの両方とも完全にウエハー面が重って
いるウエハーの裏面と対しているウエハー表面のパーテ
ィクル数は従来例のパーティクル数と変らない。
【００１３】以上よりウエハー保持治具により持ち上げ
るウエハーは１枚おきの場合が良いことが判明した。
るウエハーは１枚おきの場合が良いことが判明した。
【００１４】尚、上記した第１及び第２の実施の形態で
は、各仕切り板の延在方向長は同じであるが、各々延在
方向長を異ならせてもよい。従って異なる大きさのウエ
ハー同志を同一キャリア内に収容することも可能とな
る。
は、各仕切り板の延在方向長は同じであるが、各々延在
方向長を異ならせてもよい。従って異なる大きさのウエ
ハー同志を同一キャリア内に収容することも可能とな
る。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、ウェット処理されたウ
エハー表面上に付着するパーティクルを少くすることが
できる。
エハー表面上に付着するパーティクルを少くすることが
できる。
【００１６】その理由は、薬液処理内槽にウエハー入り
キャリアの真下にウエハー保持治具が設けてありウエハ
ー１枚おきにウエハーの約半分が上に持ち上げられる事
により隣り合うウエハー対向面積を小さくし、ウエハー
間の間隔を大きくする事でウエハー間の薬液の流れが早
く、スムーズになり、又ウエハー裏面と隣りのウエハー
表面との距離が大きくなり、薬液処理中にウエハー裏面
からのパーティクルが隣りのウエハー表面に到着、付着
する前にウエハーが薬液槽外へ出るためである。
キャリアの真下にウエハー保持治具が設けてありウエハ
ー１枚おきにウエハーの約半分が上に持ち上げられる事
により隣り合うウエハー対向面積を小さくし、ウエハー
間の間隔を大きくする事でウエハー間の薬液の流れが早
く、スムーズになり、又ウエハー裏面と隣りのウエハー
表面との距離が大きくなり、薬液処理中にウエハー裏面
からのパーティクルが隣りのウエハー表面に到着、付着
する前にウエハーが薬液槽外へ出るためである。
【図１】本発明の第１の実施の形態におけるウェット処
理装置の構成を示した正面図である。
理装置の構成を示した正面図である。
【図２】図１の側面図である。
【図３】第１の実施の形態におけるキャリア内ウエハー
位置とウエハー表面上のパーティクル数との関係図であ
る。
位置とウエハー表面上のパーティクル数との関係図であ
る。
【図４】ウエハー表面に付着するパーティクル数と隣り
合うウエハーの対向面積との関係図である。
合うウエハーの対向面積との関係図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態におけるウェット処
理装置の構成を示した図である。
理装置の構成を示した図である。
【図６】図５の側面図である。
【図７】第２の実施の形態におけるキャリア内ウエハー
位置とウエハー表面上のパーティクル数との関係図であ
る。
位置とウエハー表面上のパーティクル数との関係図であ
る。
【図８】従来のウェット処理装置の構成を示した図であ
る。
る。
【図９】図８の側面図である。
【図１０】従来のウェット処理装置におけるキャリア内
ウエハー位置とウエハー表面上のパーティクル数との関
係図である。
ウエハー位置とウエハー表面上のパーティクル数との関
係図である。
【図１１】従来の他のウェット処理装置の構成を示した
図である。
図である。
【図１２】図１１のウェット処理装置に使われるウェッ
トキャリアを示した図である。
トキャリアを示した図である。
１ ウエハー ２ キャリア ３ ウエハー保持治具 ４ フィルター ５ ポンプ ６ 薬液処理外槽 ７ 薬液処理内槽 ８ 液吹き出し配管 ９ キャリア受け治具
Claims (3)
- 【請求項１】 薬液処理内槽内に複数枚のウエハーを収
納するキャリアを有し、該キャリア内の底部に仕切り板
を等間隔に複数有したウエハー保持手段を備え、前記各
ウエハーが互いに間隔をおいた状態で前記仕切り板間に
保持されることを特徴とするウェット処理装置。 - 【請求項２】 薬液処理内槽内に複数枚のウエハーを収
納するキャリアを有し、該キャリア内の底部に仕切り板
を等間隔に複数有したウエハー保持手段を備え、前記各
ウエハーが１枚おきに前記仕切り板によって持ち上げら
れ、残りのウエハーが前記仕切り板間に保持されること
を特徴とするウェット処理装置。 - 【請求項３】 薬液処理内槽内に複数枚のウエハーを収
納するキャリアを有し、該キャリア内の底部にＮ（Ｎは
２以上の自然数）枚以上の仕切り板を一組として該一組
の仕切り板を等間隔に複数組有したウエハー保持手段を
備え、前記各ウエハーがＮ（Ｎは前記一組の仕切り板が
備えている仕切り板の枚数）枚おきに前記仕切り板によ
って持ち上げられ、残りのウエハーが前記仕切り板間に
保持されることを特徴とするウェット処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33370995A JPH09181042A (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | ウェット処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33370995A JPH09181042A (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | ウェット処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09181042A true JPH09181042A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=18269095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33370995A Pending JPH09181042A (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | ウェット処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09181042A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030021300A (ko) * | 2001-09-05 | 2003-03-15 | 동부전자 주식회사 | 뱃치 타입 웨이퍼 세정장치의 약액 세정조 |
| JP2015035502A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 三洋電機株式会社 | シリコン基板のエッチング方法 |
| JP2016009729A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
| CN119361505A (zh) * | 2024-12-25 | 2025-01-24 | 北京日扬弘创智能装备有限公司 | 一种装载晶圆减震装置 |
-
1995
- 1995-12-21 JP JP33370995A patent/JPH09181042A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030021300A (ko) * | 2001-09-05 | 2003-03-15 | 동부전자 주식회사 | 뱃치 타입 웨이퍼 세정장치의 약액 세정조 |
| JP2015035502A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 三洋電機株式会社 | シリコン基板のエッチング方法 |
| JP2016009729A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
| CN119361505A (zh) * | 2024-12-25 | 2025-01-24 | 北京日扬弘创智能装备有限公司 | 一种装载晶圆减震装置 |
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| A02 | Decision of refusal |
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