JPH09181206A - セラミック製リッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 最近、半導体素子の大容量化に伴い、パッケ
ージ基体に形成されるキャビティ部の寸法が大きくなっ
てきており、それに伴ってリッドの寸法も大きくなって
きたため、機械的強度を保持するためにリッドを厚くす
る必要が生じている。リッドが厚くなるに従い、リッド
の外周側壁面の高さも高くなり、大きな半田引き下がり
が生じ易くなっている。 【解決手段】 セラミック基板１２の外周部封着面１６
ａ及び外周側壁面１５ａに半田濡れ性のある下地金属層
１３が形成され、さらに下地金属層１３の表面に半田層
１４が形成されたキャビティ部封止用のセラミック製リ
ッドにおいて、セラミック基板１２の外周部１５両主面
に切取り部１７、１９を形成し、外周側壁面１５ａの高
さを０．７ｍｍ以下に設定し、機械的強度を維持すると
ともに、半田引き下がりをなくす。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はセラミック製リッド
に関し、より詳細にはセラミック製パッケージの封止に
用いられるセラミック製リッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置を構成する集積回路などの半
導体素子は、通常、パッケージ基体に設けられたキャビ
ティ部に収納され、該キャビティ部がリッドで気密に封
止され、実用に供されている。アルミナ等のセラミック
は耐熱性、耐久性、信頼性などに優れるため、このパッ
ケージ基体及びリッドの材料として好適であり、アルミ
ナ等からなるセラミック製のＩＣパッケージは現在盛ん
に使用されている。

【０００３】セラミック製パッケージ基体の前記キャビ
ティ部をセラミック製リッドで封止する際には、封止材
として低コストで、かつ低温封止が可能な半田が利用さ
れる。しかし、半田によりセラミック同士を直接接合さ
せるのは難しいため、通常、パッケージ基体及びリッド
の封止部には下地金属層が形成され、該下地金属層及び
半田層を介して前記パッケージ基体と前記リッドとは接
合される。

【０００４】このような半導体素子を搭載したセラミッ
ク製パッケージ（半導体装置）の構成及び前記半導体装
置の作製方法を具体的に説明する。以下においては、半
導体装置のうち、半導体素子及びワイヤボンディング等
の配線部分を除いた部分をパッケージということにす
る。

【０００５】図２（ａ）はセラミック製パッケージを構
成するリッドを模式的に示した底面図であり、（ｂ）は
（ａ）に示したリッドのＩ−Ｉ線断面図であり、（ｃ）
はこのリッドが用いられた半導体装置を模式的に示した
断面図である。

【０００６】図２（ａ）及び（ｂ）に示したように、リ
ッド３１は、セラミック基板３２、その周縁部（図中上
面外周部及び外周側壁面）に形成された下地金属層３
３、及びこの下地金属層３３を覆う半田層３４から構成
されている。また、半田層３４が形成されていない面
（図中下面）の外周部３５には、外周部３５の厚さを薄
くして、外周側壁面３５ａに形成された下地金属層３３
の高さを低くするために、切取り部（エッジレリーフ）
３７が形成されている。また、半田層３４は、例えばＰ
ｂを主成分とし、この主成分にＢｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｇ
等が添加された組成の半田を用いて形成されている。半
田層３４の詳しい形成方法については後述する。

【０００７】一方、このようなリッド３１が用いられた
半導体装置におけるパッケージ基体２１の中央部にはキ
ャビティ部２２が形成され、その周囲にはリッド３１で
封止する際に用いられる下地金属層２６が形成され、さ
らに下地金属層２６の周囲には図示しないマザーボード
に接続するための外部接続ピン２７が固着されている。
また、キャビティ部２２は通常その周辺部分が階段状に
構成されており、階段部にはワイヤボンディングのため
のパッド部２５が形成され、底面部分にはＬＳＩ等を載
置する半導体素子搭載部２３が形成されている。そし
て、このパッケージ基体２１に形成された下地金属層２
６とリッド３１に形成された下地金属層３３を介して半
田層３４によりパッケージ基体２１とリッド３１とが接
合され、半導体素子２４が封止されている。

【０００８】次に、この半導体装置を作製する方法を説
明する。まず、パッケージ基体２１の半導体素子搭載部
２３に半導体素子２４を接着した後、ワイヤボンディン
グ法により半導体素子２４側のパッド部（図示せず）と
パッケージ基体２１側のパッド部２５とを接続する。

【０００９】次に、リッド３１の半田層３４をパッケー
ジ基体２１の上面に形成されている下地金属層２６に重
ね合わせ、バネ、クリップ等の固定治具によってパッケ
ージ基体２１上にリッド３１を仮固定する。次に、加熱
炉内にリッド３１が仮固定されたパッケージ基体２１を
搬入し、半田層３４を溶融させてリッド３１とパッケー
ジ基体２１とを接合させ、その後冷却することによって
半導体素子２４をパッケージ基体２１内のキャビティ部
２２に気密に封止する。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかし、以下に説明す
るように、セラミック基板３２に形成された半田層３４
の形状が適切でない場合には、リッド３１によりキャビ
ティ部２２を気密に封止することができず、半導体装置
の故障の原因となり易い。

【００１１】通常、セラミック基板３２に半田層３４を
形成する方法としては、セラミック基板３２に形成され
た下地金属層３３上に半田を含むペーストを印刷した
後、３００℃程度でリフローする方法をとる。

【００１２】図３（ａ）は半田を含むペーストを印刷し
た後にリフローさせた際、適切な形状の半田層が形成さ
れた場合のリッドの一部を示した拡大断面図であり、
（ｂ）はリフロー後に半田層が形成されない部分、いわ
ゆる半田引き下がりが生じた場合のリッドの一部を示し
た拡大断面図である。なお、Ｄ₂ は切取り部３７（エッ
ジレリーフ）の高さを、Ｈ₂ は外周側壁面３５ａの高さ
をそれぞれ示しており、リッド３１の外周側壁面３５ａ
の適切な高さＨ₂ とリッド１１自体の機械的特性等を維
持するための必要な厚さとが異なる場合、リッド１１の
外周部３５に図３に示したような形状の切取り部３７が
形成される。

【００１３】図３（ａ）に示したように、リッド３１を
構成するセラミック基板３２の外周側壁面３５ａの高さ
Ｈ₂ が適切な場合には、リフロー後に形成される半田層
３４は、図示したような形状を有し、すなわち封着面３
６側に形成された封着面側半田層３４ａと外周側壁面３
５ａ側に形成された外周側壁面側半田層３４ｂとは連続
して形成され、このような半田層３４（３４ａ、３４
ｂ）が形成されたリッド３１を用いると、パッケージ基
体２１のキャビティ部２２を気密に封止することができ
る。

【００１４】しかし、図３（ｂ）に示したように、外周
側壁面３５ａの高さＨ₂ が高すぎる場合には、半田ペー
ストのリフローを行うと、図示したように外周側壁面３
５ａ側の半田が流動により下部の方に移動してしまい、
封着面側半田層３４ａと外周側壁面側半田層３４ｂとの
間に幅ｔの半田引き下がりが生じる。この幅ｔを半田引
き下がり幅という。半田引き下がり幅ｔが一定値以上の
半田引き下がりが生じたリッド３１を使用してキャビテ
ィ部２２の封止を行うと、気密な封止を行うことができ
ず、封止不良が発生する。

【００１５】最近、半導体素子の大容量化に伴い、パッ
ケージ基体２１に形成されるキャビティ部２２の寸法が
大きくなっており、それに伴ってリッド３１の寸法も大
きくなってきたため、機械的強度を保持するためにリッ
ド３１を厚くする必要が生じている。そして、リッド３
１が厚くなるに従い、リッド３１の外周側壁面３５ａの
高さＨ₂ も高くなっており、大きな半田引き下がりが生
じ易くなるという課題があった。

【００１６】このような課題を解決する一つの方法とし
て、特開平２−１８００５３号公報には、外周側壁面の
一部に下地金属層が形成されたリッド、又は外周側壁面
と封着面が交差する部分に切欠面を有し、前記封着面及
び前記切欠面に下地金属層が形成されたリッド等が提案
されている。図４（ａ）はセラミック基板４２の外周側
壁面４５ａの一部及び外周部封着面４６ａに下地金属層
４３が形成されたリッド４１を模式的に示した断面図で
あり、（ｂ）はセラミック基板５２の外周側壁面５５ａ
と封着面５６とが交差する部分に切欠面５７を有し、こ
のセラミック基板５２の外周部封着面５６ａ及び切欠面
５７に下地金属層５３が形成されたリッド５１を模式的
に示した断面図である。

【００１７】このような構成のリッド４１、５１を使用
すると、下地金属層４３、５３の上に形成された半田ペ
ーストをリフローさせても半田引き下がりが発生せず、
良好な形状を有する半田層（図示せず）の形成が容易に
なり、このリッド４１、５１を用いてパッケージ基体の
キャビティ部を気密に封止することが可能になる。しか
し、前記構成のセラミック基板４２、５２に下地金属層
４３、５３を形成する場合、通常の印刷装置を用いてペ
ースト層を印刷しようとすると、印刷が困難であるとい
う別の課題が新たに生ずる。

【００１８】すなわち、通常、セラミック基板３２の外
周側壁面３５ａに下地金属層３３を形成する場合、自動
メタライズ装置を用い、メタライズ用ペーストが塗布さ
れた板状体に、吸着板等を有する保持部に保持されたセ
ラミック基板３２の外周側壁面３５ａを当接させ、セラ
ミック基板３２を回転させながら移動させることによ
り、セラミック基板３２の外周側壁面３５ａ全体にメタ
ライズ用ペーストを塗布する。

【００１９】しかし、図４に示したような構成のリッド
４１、５１を作製する場合、すなわちセラミック基板４
２の外周側壁面４５ａの一部に下地金属層４３を形成し
たり、セラミック基板５２の切欠面５７に下地金属層５
３を形成する場合には、前記メタライズ装置を使用する
ことはできず、その他の方法によっても前記形状の下地
金属層４３、５３を形成する必要があり、自動的にメタ
ライズ用ペーストを印刷することは難しく、前記公報に
記載されているリッド４１、５１の実用化は困難であ
る。

【００２０】また、特開平７−５０３５５号公報には、
封着面と外周側壁面とが交差する角の部分に面取りが施
されたセラミック製リッドが開示されている。図５は前
記セラミック製リッドの下地金属層が形成された部分を
模式的に示した拡大断面図である。

【００２１】セラミック基板６２の封着面６６と外周側
壁面６５ａとが交差する角６７には面取りが施され、曲
面が形成されており、この曲面形状の角６７、外周側壁
面６５ａ及び外周部封着面６６ａに下地金属層６３が形
成されている。このような形状のリッド６１に半田層６
４を形成すると、角６７の部分も完全に下地金属層６３
で被覆されるので、半田濡れ性が良好になり、半田引き
下がり等が形成されにくいとされている。

【００２２】しかし、外周側壁面６５ａの高さＨ₃ が一
定以上（例えば０．８ｍｍ以上）の値となった場合に
は、面取りの効果はなく、半田のリフロー時に大きな半
田引き下がりが生じてしまうという課題があった。

【００２３】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、半田ペーストをリフローさせても半田引き下がりを
発生させず、かつ下地金属層を容易に形成することがで
きるセラミック製リッドを提供することを目的としてい
る。

【００２４】

【課題を解決するための手段及びその効果】上記目的を
達成するために本発明に係るセラミック製リッドは、セ
ラミック基板の外周部封着面及び外周側壁面に半田濡れ
性のある下地金属層が形成され、さらに該下地金属層の
表面に半田層が形成されたキャビティ部封止用のセラミ
ック製リッドにおいて、前記セラミック基板の外周部両
主面に切取り部が形成され、前記外周側壁面の高さが
０．７ｍｍ以下に設定されていることを特徴としてい
る。

【００２５】上記セラミック製リッドによれば、前記外
周部封着面及び前記外周側壁面の前記下地金属層表面に
塗布された半田ペーストをリフローさせて半田層を形成
しても、大きな半田引き下がりが生じることはなく、パ
ッケージ基体のキャビティ部の封止に好適な形状の半田
層を形成することができる。従って、前記セラミック製
リッドを用いてキャビティ部の封止を行うと、パッケー
ジ基体のキャビティ部を気密に封止することができる。

【００２６】また、セラミック基板の封着面以外の面の
みに切取り部が形成されている場合、前記切取り部以外
の部分（厚肉部）の厚さを従来よりも厚くすると、金型
に成形体が接着したり、成形体の角の部分が欠ける等、
焼成用の成形体の作製が困難になる場合があるが、本発
明に係るセラミック製リッドによれば、前記セラミック
基板の外周部両主面に切取り部が形成されているので、
セラミック基板の切取り部以外の部分（厚肉部）の厚さ
を従来よりも厚くしても、焼成用の成形体の作製が困難
になることはなく、容易に製造された安価なセラミック
製リッドを提供することができる。

【００２７】なお、前記セラミック製リッドの前記外周
側壁面に形成される下地金属層の範囲は、特に限定され
るものではないが、前記外周側壁面の全体に形成された
ものが、製造の容易さの点から言っても好ましく、この
ようなセラミック製リッドも当然上記効果を奏するもの
である。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るセラミック製
リッドの実施の形態を図面に基づいて説明する。図１
は、実施の形態に係るセラミック製リッドの外周部付近
を模式的に示した拡大断面図である。

【００２９】セラミック製リッド１１を構成するセラミ
ック基板１２の外周部１５の両主面（封着面１６、露出
面１８）には、それぞれ切取り部１７、１９が形成さ
れ、切取り部１７を含む外周部封着面１６ａ及び外周側
壁面１５ａに下地金属層１３が形成されている。また、
下地金属層１３の上には半田層１４が形成されている。
なお、図１において、外周側壁面１５ａの高さをＨ₁ 、
封着面１６側の切取り部１７の高さをＤ_1a、露出面１８
側の切取り部１９の高さをＤ_1bとしている。

【００３０】セラミック基板１２の形成材料は特に限定
されるものではないが、その具体例としては、例えばア
ルミナ、窒化アルミニウム、ムライト等が挙げられ、そ
れらの中でもアルミナが好ましい。また、セラミック基
板１２の大きさは、通常、短辺の長さが２５．４〜３
４．０ｍｍ、長辺の長さが２５．４〜５４．１ｍｍ程度
が好ましい。また、外周側壁面の高さＨ₁ は０．４〜
０．７ｍｍの範囲が好ましく、０．４〜０．６ｍｍの範
囲がより好ましい。

【００３１】外周部１５を除いた部分（厚肉部）のセラ
ミック基板１２の厚さは、Ｈ₁ ＋Ｄ_1a＋Ｄ_1bとなるが、
この厚肉部の厚さは、パッケージ基体２１を封止した後
に反り等が発生した場合でもセラミック製リッド１１に
クラック等が発生しないように、ある程度以上であるの
が好ましい。すなわち、セラミック製リッド１１がアル
ミナにより形成されている場合には、その厚さは１ｍｍ
以上あるのが好ましい。また、切取り部１７及び切取り
部１９の高さの合計（Ｄ_1a＋Ｄ_1b）は（厚肉部の厚さ−
Ｈ₁ ）で表されるが、Ｈ₁ は０．４〜０．７ｍｍの範囲
内にあるので、結局切取り部１７及び切取り部１９の高
さの合計（Ｄ_1a＋Ｄ_1b）は０．３〜０．６ｍｍとなる。

【００３２】通常、露出面１８側の切取り部１９の高さ
Ｄ_1bが０．３６ｍｍを超えると、金型に成形体が接着し
て金型より剥しにくくなったり、成形体の角の部分が欠
ける等、焼成用の成形体の作製が困難になる。このた
め、封着面１６側に切取り部１７を形成する必要が生じ
る。切取り部１７を含む部分にはスクリーン印刷等によ
る導体ペースト層を印刷し、焼成により下地金属層１３
を形成するが、このスクリーン印刷等を良好に行うた
め、及び半田による封着を良好に行うために、切取り部
１７の高さＤ_1aは、０＜Ｄ_1a≦０．２ｍｍの範囲内にす
るのが好ましい。

【００３３】セラミック基板１１に形成される下地金属
層１３の材質はＡｇ−Ｐｔが好ましく、その厚さは２０
μｍ程度が好ましい。また、封着面１６側に形成する下
地金属層１３の幅は２〜５ｍｍが好ましい。

【００３４】上記構成のセラミック製リッド１１の下地
金属層１３に半田ペーストを塗布し、２５０〜３１０℃
程度でリフローすることにより半田層１４を形成する。
半田層１４の組成は特に限定されるものではないが、Ｐ
ｂを主成分とし、その他にＳｎを３．５〜４．５重量
％、Ｉｎを０．７〜１．３重量％、Ａｇを０．７〜１．
３重量％、Ｂｉを７．５〜８．５重量％程度含むものが
好ましい。

【００３５】

【実施例及び比較例】以下、本発明に係るセラミック製
リッドの実施例を説明する。なお、比較例に係るセラミ
ック製リッドについても説明する。

【００３６】（１） セラミック製リッド用の成形体の
作製 作製条件 アルミナ粉末の平均粒径：８０μｍ以上 成形体の組成（アルミナ：９１ｗｔ％） 成形体の焼成により製造されるセラミック基板の寸法 試験例１の場合（図１と同一の形状） 辺部の寸法：約５４．１ｍｍ×約３４．０ｍｍ 外周側壁面１５ａの高さＨ₁ ：０．６１ｍｍ 切取り部１７の高さＤ_1a：０．０５ｍｍ 切取り部１９の高さＤ_1b：０．３６ｍｍ 比較試験例１の場合（図３と同一の形状） 辺部の寸法：約５４．１ｍｍ×約３４．０ｍｍ 外周側壁面３５ａの高さＨ₂ ：０．６１ｍｍ 切取り部３７の高さＤ₂ ：０．４１ｍｍ 結果 試験例１の場合には、作製した成形体２００個の全てに
つき、金型への接着や欠けが見られなかったのに対し、
比較試験例１の場合には、作製した成形体２００個のう
ち、５０個が金型に接着して剥すのが容易でなく、また
２５個に欠けが発生した。

【００３７】（２） セラミック製リッドの製造及びそ
の評価 セラミック製リッドの製造条件 製造するセラミック基板の寸法 実施例１の場合 辺部の寸法：約５４．１ｍｍ×約３４．０ｍｍ 外周側壁面１５ａの高さＨ₁ ：０．６１ｍｍ 切取り部１７の高さＤ_1a：０．０５ｍｍ 切取り部１９の高さＤ_1b：０．３６ｍｍ 実施例２の場合 外周側壁面１５ａの高さＨ₁ ：０．６６ｍｍ その他の寸法：実施例１と同様 比較例１の場合 外周側壁面１５ａの高さＨ₁ ：０．８１ｍｍ その他の寸法：実施例１と同様 比較例２の場合 外周側壁面１５ａの高さＨ₁ ：０．９１ｍｍ その他の寸法：実施例１と同様 比較例３の場合 辺部の寸法：約５４．１ｍｍ×約３４．０ｍｍ 外周側壁面３５ａの高さＨ₂ ：０．６６ｍｍ 切取り部３７の寸法：０．３６ｍｍ 封着面３６における切取り部：なし 比較例４の場合 外周側壁面６５ａの高さＨ₃ ：０．８１ｍｍ その他の部分の寸法等：比較例３と同様 但し、実施例１〜２及び比較例１〜２の場合には、セラ
ミック基板として図１に示した形状のもの（比較例１〜
２の場合、Ｈ₁ ＞０．７ｍｍ）を、比較例３〜４の場合
には、セラミック基板として、図３に示した形状を基本
とし、外周側壁面３５ａと封着面３６とが形成する角の
部分にＲが０．０８５ｍｍの曲面を形成したものを使
用。

【００３８】下地金属層１３、６３の材質：Ａｇ−Ｐｔ
合金（Ａｇ：約７２ｗｔ％、Ｐｔ：０．５〜１．０ｗｔ
％） 厚さ：約２０μｍ 封着面１６側に形成された下地金属層１３、６３の幅：
２〜５ｍｍ 半田層１４、６４の形成（実施例、比較例の場合と
も同様の条件） サンプル数：４４個 半田ペーストの組成（フラックス：１０ｗｔ％、半田合
金：９０ｗｔ％） 半田合金の組成（Ｓｎ：４．１ｗｔ％、Ａｇ：１．０ｗ
ｔ％、Ｉｎ：１．１ｗｔ％、Ｂｉ：８．２ｗｔ％、Ｐ
ｂ：残部） リフロー時の温度：３００℃、雰囲気：酸素１００ｐｐ
ｍ未満の窒素雰囲気 セラミック製リッドによるパッケージ基体２１（図
２（ｃ）に示したものと同形状）の封止 パッケージ基体２１の材質：アルミナ 辺部の長さ：６７ｍｍ×６２ｍｍ キャビティ部２２が形成された中央部分の厚さ：１ｍｍ 外周部の厚さ：３ｍｍ キャビティ部２２の外形寸法：４９ｍｍ×２３ｍｍ 封止の温度：３０５℃、雰囲気；窒素：水素＝９０vol
%：１０vol% 評価（実施例、比較例の場合とも同様） の半田層１４、６４の形成については、全てのサンプ
ルの外周側壁部１５ａ、６５ａの全面につき、半田引き
下がり幅ｔを測定し、ｔが０．１ｍｍ未満のものを半田
引き下がり不良の発生なしとした。下記の表１に半田引
き下がり不良の発生率、及びセラミック製リッドの全周
のうち、半田引き下がりが発生した長さの割合（半田引
き下がり発生率）を示している。前記半田引き下がり発
生率の場合には、半田引き下がりが観察されたものは
０．１ｍｍ未満であっても計算に入れている。

【００３９】また、のパッケージ基体２１の封止につ
いては、ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３の方法１０１４により
封止が完全に行われているか否かについての評価を行っ
た。同じく下記の表１に封止不良の発生率を記載してい
る。

【００４０】

【表１】

【００４１】表１に示した結果より明らかなように、実
施例に係るセラミック製リッドでは、半田引き下がり不
良の発生が極めて小さく、半田引き下がり発生率も小さ
くなっており、そのために封止不良も発生していない。

【００４２】一方、比較例に係るセラミック製リッドに
おいては、半田引き下がりが発生しており、半田引き下
がり発生率も大きくなっている。また、封止不良も多く
発生している。なお、半田引き下がり幅ｔが０．１ｍｍ
以上の半田引き下がりが広い範囲で発生したものについ
ては、封止不良が発生する確率が高いので、封止を行っ
ていない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係るセラミック製リッド
の外周部付近を模式的に示した拡大断面図である。

【図２】（ａ）はセラミック製パッケージを構成するリ
ッドを模式的に示した底面図であり、（ｂ）は（ａ）に
示したリッドのＩ−Ｉ線断面図であり、（ｃ）はこのリ
ッドが用いられた半導体装置を模式的に示した断面図で
ある。

【図３】（ａ）は半田を含むペーストを印刷した後にリ
フローさせた際、適切な形状の半田層が形成された場合
のリッドの一部を示した拡大断面図であり、（ｂ）はリ
フロー後に半田層が形成されない部分、いわゆる半田引
き下がりが生じた場合のリッドの一部を示した拡大断面
図である。

【図４】（ａ）はセラミック基板の外周側壁面の一部及
び封着面の外周部に下地金属層が形成されたリッドを模
式的に示した断面図であり、（ｂ）はセラミック基板の
外周側壁面と封着面が交差する部分に切欠面を有し、こ
のセラミック基板の封着面の外周部及び切欠面の表面に
下地金属層が形成されたリッドを模式的に示した断面図
である。

【図５】封着面と外周側壁面とが交差する角の部分に面
取りが施されたセラミック製リッドの面取り部の付近を
模式的に示した拡大断面図である。

【符号の説明】

１１ セラミック製リッド １２ セラミック基板 １３ 下地金属層 １４ 半田層 １５ 外周部 １５ａ 外周側壁面 １６ 封着面 １６ａ 外周部封着面 １８ 露出面 １７、１９ 切取り部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 セラミック基板の外周部封着面及び外周
   側壁面に半田濡れ性のある下地金属層が形成され、さら
   に該下地金属層の表面に半田層が形成されたキャビティ
   部封止用のセラミック製リッドにおいて、前記セラミッ
   ク基板の外周部両主面に切取り部が形成され、前記外周
   側壁面の高さが０．７ｍｍ以下に設定されていることを
   特徴とするセラミック製リッド。