JPH0918205A - マイクロ波回路 - Google Patents
マイクロ波回路Info
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- JPH0918205A JPH0918205A JP7160489A JP16048995A JPH0918205A JP H0918205 A JPH0918205 A JP H0918205A JP 7160489 A JP7160489 A JP 7160489A JP 16048995 A JP16048995 A JP 16048995A JP H0918205 A JPH0918205 A JP H0918205A
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- microwave
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 シ−ルド効果が高く、低価格なマイクロ波回
路を提供すること。 【構成】 グラウンド用プレ−ト11上に三導体構造の
回路12とマイクロストリップ構造の回路13が形成さ
れるマイクロ波回路において、マイクロストリップ構造
の回路13の上方を覆う電磁シ−ルド用の金属ふた15
を設け、このふた15の端部を、グランウド用プレ−ト
11および三導体構造の回路12の上面導体16に電気
的に接続し、三導体構造の回路12の上面導体16と下
面導体をスル−ホ−ルで接続している。
路を提供すること。 【構成】 グラウンド用プレ−ト11上に三導体構造の
回路12とマイクロストリップ構造の回路13が形成さ
れるマイクロ波回路において、マイクロストリップ構造
の回路13の上方を覆う電磁シ−ルド用の金属ふた15
を設け、このふた15の端部を、グランウド用プレ−ト
11および三導体構造の回路12の上面導体16に電気
的に接続し、三導体構造の回路12の上面導体16と下
面導体をスル−ホ−ルで接続している。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、増幅器や分配・合成回
路、移相器などの複数のマイクロ波ユニットで構成され
るマイクロ波回路に関する。
路、移相器などの複数のマイクロ波ユニットで構成され
るマイクロ波回路に関する。
【0002】
【従来の技術】増幅器や分配・合成回路、移相器などの
複数のマイクロ波ユニットを同一のプレ−ト上に配置し
てマイクロ波回路を構成する場合、例えばマイクロ波ユ
ニット毎というようにマイクロ波回路をある単位毎にシ
−ルドしている。
複数のマイクロ波ユニットを同一のプレ−ト上に配置し
てマイクロ波回路を構成する場合、例えばマイクロ波ユ
ニット毎というようにマイクロ波回路をある単位毎にシ
−ルドしている。
【0003】マイクロ波回路を単位毎にシ−ルドするこ
とにより、a)導波管モ−ドの発生を抑制する。b)高
周波出力が入力側にフィ−ドバックして発振する等の異
状を防ぐ。c)回路全体からのマイクロ波輻射が少なく
なる。d)ユニット間のカップリングによる影響を防止
できる。といった効果がある。
とにより、a)導波管モ−ドの発生を抑制する。b)高
周波出力が入力側にフィ−ドバックして発振する等の異
状を防ぐ。c)回路全体からのマイクロ波輻射が少なく
なる。d)ユニット間のカップリングによる影響を防止
できる。といった効果がある。
【0004】ところである単位毎にシ−ルドする場合、
例えば、ユニット毎を壁で仕切った構造のプレ−トを使
用し、そしてプレ−ト全体をふたで覆う方法がある。こ
のようにプレ−トをユニット毎に壁で仕切り、またプレ
−ト全体にふたをする構造を例にとり、従来のマイクロ
波回路について図5で説明する。51は金属製プレ−ト
で、プレ−ト51上に2つのマイクロ波ユニット52、
53が配置されている。マイクロ波ユニット52、53
間にプレ−ト51と一体の壁54が設けられ、プレ−ト
51は2つの部屋に仕切られている。
例えば、ユニット毎を壁で仕切った構造のプレ−トを使
用し、そしてプレ−ト全体をふたで覆う方法がある。こ
のようにプレ−トをユニット毎に壁で仕切り、またプレ
−ト全体にふたをする構造を例にとり、従来のマイクロ
波回路について図5で説明する。51は金属製プレ−ト
で、プレ−ト51上に2つのマイクロ波ユニット52、
53が配置されている。マイクロ波ユニット52、53
間にプレ−ト51と一体の壁54が設けられ、プレ−ト
51は2つの部屋に仕切られている。
【0005】マイクロ波ユニット52、53は、それぞ
れ止めネジ55でプレ−ト51に固定され、入出力コネ
クタ56によって外部に接続されている。また、マイク
ロ波ユニット52、53間は2つの壁54の間を通る接
続線路57によって接続される。そして、プレ−ト51
全体は上方からふた58がされ、ふた58はプレ−ト5
1に形成されたネジ穴59を利用してネジ60で固定さ
れる。なお、61はマイクロ波ユニット52、53に形
成されたマイクロ波パターンである。また、マイクロ波
ユニット52、53の幅は、使用周波数の波長の半分以
下になるようにし、使用周波数で導波管モ−ドが発生し
ないようにしている。そして接続線路57周辺の基板の
幅はできるだけ狭くし、マイクロ波ユニット52、53
間のアイソレ−ションがとれる構造にしている。
れ止めネジ55でプレ−ト51に固定され、入出力コネ
クタ56によって外部に接続されている。また、マイク
ロ波ユニット52、53間は2つの壁54の間を通る接
続線路57によって接続される。そして、プレ−ト51
全体は上方からふた58がされ、ふた58はプレ−ト5
1に形成されたネジ穴59を利用してネジ60で固定さ
れる。なお、61はマイクロ波ユニット52、53に形
成されたマイクロ波パターンである。また、マイクロ波
ユニット52、53の幅は、使用周波数の波長の半分以
下になるようにし、使用周波数で導波管モ−ドが発生し
ないようにしている。そして接続線路57周辺の基板の
幅はできるだけ狭くし、マイクロ波ユニット52、53
間のアイソレ−ションがとれる構造にしている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のマイク
ロ波回路には、以下のような欠点がある。
ロ波回路には、以下のような欠点がある。
【0007】a)マイクロ波ユニット毎を仕切る壁は、
例えば削り加工で製作される。したがって、プレ−トの
加工が複雑になりコストが上がる。なお、壁を別部品と
して構成し、壁をプレ−トに固定する方法もある。しか
し、この場合、部品点数が増し、コストが上がる。
例えば削り加工で製作される。したがって、プレ−トの
加工が複雑になりコストが上がる。なお、壁を別部品と
して構成し、壁をプレ−トに固定する方法もある。しか
し、この場合、部品点数が増し、コストが上がる。
【0008】b)マイクロ波ユニットをプレ−ト上に配
置した後、マイクロ波ユニットを接続する接線等の作業
が行われる。このとき、プレ−トに壁があると作業性が
悪くなる。
置した後、マイクロ波ユニットを接続する接線等の作業
が行われる。このとき、プレ−トに壁があると作業性が
悪くなる。
【0009】c)マイクロ波ユニット間の接線作業を容
易にするために、接続する線路周辺の開口部の断面積を
広くすると、マイクロ波ユニット間のアイソレ−ション
が低下する。
易にするために、接続する線路周辺の開口部の断面積を
広くすると、マイクロ波ユニット間のアイソレ−ション
が低下する。
【0010】なお、部屋同士を仕切る壁をプレ−ト上に
設けずに、壁に相当するものをふたに形成し、ふたをし
た際にマイクロ波ユニット間が壁で仕切られる構造が考
えられる。この場合は、ふたの形状が複雑になりコスト
増になる。また、マイクロ波ユニット間を接続する線路
部分の開口部の断面積を小さくすることが難しく、マイ
クロ波ユニット間のアイソレ−ション効果が低くなる。
設けずに、壁に相当するものをふたに形成し、ふたをし
た際にマイクロ波ユニット間が壁で仕切られる構造が考
えられる。この場合は、ふたの形状が複雑になりコスト
増になる。また、マイクロ波ユニット間を接続する線路
部分の開口部の断面積を小さくすることが難しく、マイ
クロ波ユニット間のアイソレ−ション効果が低くなる。
【0011】本発明は、上記した欠点を解決するもの
で、シ−ルド効果が高く、低価格なマイクロ波回路を提
供することを目的とする。
で、シ−ルド効果が高く、低価格なマイクロ波回路を提
供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、グラウンド用
プレ−ト上に三導体構造の回路とマイクロストリップ構
造の回路が形成されるマイクロ波回路において、前記マ
イクロストリップ構造の回路の上方を覆う電磁シ−ルド
用の金属ふたを設け、このふたの端部を、前記グランウ
ド用プレ−トおよび前記三導体構造の回路の上面導体に
電気的に接続し、前記三導体構造の回路の前記上面導体
と下面導体をスル−ホ−ルまたは側面メタライズで接続
している。
プレ−ト上に三導体構造の回路とマイクロストリップ構
造の回路が形成されるマイクロ波回路において、前記マ
イクロストリップ構造の回路の上方を覆う電磁シ−ルド
用の金属ふたを設け、このふたの端部を、前記グランウ
ド用プレ−トおよび前記三導体構造の回路の上面導体に
電気的に接続し、前記三導体構造の回路の前記上面導体
と下面導体をスル−ホ−ルまたは側面メタライズで接続
している。
【0013】また、電磁シ−ルド用の金属ふたの止めネ
ジと、三導体構造の回路の止めネジを共通化している。
ジと、三導体構造の回路の止めネジを共通化している。
【0014】また、マイクロストリップ構造の回路の面
にグランドパタ−ンを形成し、電磁シ−ルド用の金属ふ
たの一端を、前記グランドパタ−ンに接続している。
にグランドパタ−ンを形成し、電磁シ−ルド用の金属ふ
たの一端を、前記グランドパタ−ンに接続している。
【0015】また、三導体構造の回路とマイクロストリ
ップ構造の回路とを同一基板上に形成している。
ップ構造の回路とを同一基板上に形成している。
【0016】
【作用】上記の構成によれば、グラウンド用プレ−ト上
に三導体構造の回路とマイクロストリップ構造の回路を
形成する場合に、マイクロストリップ構造の回路の上方
を覆う電磁シ−ルド用の金属ふたを設け、このふたの端
部を、グランウド用プレ−トおよび三導体構造の回路の
上面導体と電気的に接続し、また三導体構造の回路の上
面導体と下面導体をスル−ホ−ルまたは側面メタライズ
で接続している。したがって、マイクロストリップ構造
の回路は、電磁シ−ルド用の金属ふたや隣接する三導体
構造の回路の上面導体、そして、上面導体と下面導体を
接続するスル−ホ−ルまたは側面メタライズによって良
好なシ−ルド効果が得られる。また、グラウンド用プレ
−トや金属ふたに特別な加工が必要でないため、コスト
を減少できる。
に三導体構造の回路とマイクロストリップ構造の回路を
形成する場合に、マイクロストリップ構造の回路の上方
を覆う電磁シ−ルド用の金属ふたを設け、このふたの端
部を、グランウド用プレ−トおよび三導体構造の回路の
上面導体と電気的に接続し、また三導体構造の回路の上
面導体と下面導体をスル−ホ−ルまたは側面メタライズ
で接続している。したがって、マイクロストリップ構造
の回路は、電磁シ−ルド用の金属ふたや隣接する三導体
構造の回路の上面導体、そして、上面導体と下面導体を
接続するスル−ホ−ルまたは側面メタライズによって良
好なシ−ルド効果が得られる。また、グラウンド用プレ
−トや金属ふたに特別な加工が必要でないため、コスト
を減少できる。
【0017】また、電磁シ−ルド用の金属ふたの止めネ
ジや、三導体構造の回路の止めネジの形状を同じにすれ
ば、これらの止めネジを共通化でき、コストをより減少
できる。
ジや、三導体構造の回路の止めネジの形状を同じにすれ
ば、これらの止めネジを共通化でき、コストをより減少
できる。
【0018】また、マイクロストリップ構造の回路上に
グランドパタ−ンを形成した場合は、電磁シ−ルド用の
金属ふたをグランドパタ−ンに接続することにより、グ
ランウド用プレ−トに接続できる。この場合、金属ふた
の両端をグラウンド用プレ−トに直接接続する構造に比
較して、金属ふたの幅を狭く形成でき、使用周波数を高
くすることができる。
グランドパタ−ンを形成した場合は、電磁シ−ルド用の
金属ふたをグランドパタ−ンに接続することにより、グ
ランウド用プレ−トに接続できる。この場合、金属ふた
の両端をグラウンド用プレ−トに直接接続する構造に比
較して、金属ふたの幅を狭く形成でき、使用周波数を高
くすることができる。
【0019】また、マイクロストリップ構造のマイクロ
波ユニットの一部に三導体構造部分を構成する場合は、
隣接するマイクロストリップ構造のマイクロ波ユニット
やマイクロストリップ構造部分を電磁シ−ルドする金属
ふたの端部を、三導体構造部分の上面導体に接続でき、
マイクロストリップ構造のマイクロ波ユニットやマイク
ロストリップ構造部分に対し良好なシ−ルド効果が得ら
れる。
波ユニットの一部に三導体構造部分を構成する場合は、
隣接するマイクロストリップ構造のマイクロ波ユニット
やマイクロストリップ構造部分を電磁シ−ルドする金属
ふたの端部を、三導体構造部分の上面導体に接続でき、
マイクロストリップ構造のマイクロ波ユニットやマイク
ロストリップ構造部分に対し良好なシ−ルド効果が得ら
れる。
【0020】
【実施例】本発明の一実施例について図1を参照して説
明する。図1は、マイクロ波回路が、三導体構造のユニ
ットとマイクロストリップ構造のユニットから構成され
ている例である。
明する。図1は、マイクロ波回路が、三導体構造のユニ
ットとマイクロストリップ構造のユニットから構成され
ている例である。
【0021】11は金属製プレ−トで、周囲に壁が形成
され全体が矩形状になっている。そして、プレ−ト11
上に、三導体構造のマイクロ波ユニット12とマイクロ
ストリップ構造のマイクロ波ユニット13が配置されて
いる。なお、マイクロ波ユニット12とマイクロ波ユニ
ット13は、回路パターン12a、13a同士が接続線
路14で接続されている。マイクロストリップ構造のマ
イクロ波ユニット13の上方には、電磁シ−ルド用の金
属ふた15がかぶせられている。ふた15は、マイクロ
波ユニット13を跨ぐように両端部が折れ曲がった構造
になっている。そして、ふた15の先端部は三導体構造
のマイクロ波ユニット12の上面導体16に接続され、
両端部はプレ−ト11の底面に接続されている。この場
合、ふた15は、ネジ穴17を利用して止めネジ18に
よって上面導体16やプレ−ト11に固定される。また
19は、マイクロ波ユニット12、13をプレ−ト11
に固定する止めネジである。そしてC1、C2は、マイ
クロ波ユニット12、13を外部回路に接続するコネク
タである。
され全体が矩形状になっている。そして、プレ−ト11
上に、三導体構造のマイクロ波ユニット12とマイクロ
ストリップ構造のマイクロ波ユニット13が配置されて
いる。なお、マイクロ波ユニット12とマイクロ波ユニ
ット13は、回路パターン12a、13a同士が接続線
路14で接続されている。マイクロストリップ構造のマ
イクロ波ユニット13の上方には、電磁シ−ルド用の金
属ふた15がかぶせられている。ふた15は、マイクロ
波ユニット13を跨ぐように両端部が折れ曲がった構造
になっている。そして、ふた15の先端部は三導体構造
のマイクロ波ユニット12の上面導体16に接続され、
両端部はプレ−ト11の底面に接続されている。この場
合、ふた15は、ネジ穴17を利用して止めネジ18に
よって上面導体16やプレ−ト11に固定される。また
19は、マイクロ波ユニット12、13をプレ−ト11
に固定する止めネジである。そしてC1、C2は、マイ
クロ波ユニット12、13を外部回路に接続するコネク
タである。
【0022】ここで、三導体構造のマイクロ波ユニット
12について、図2の断面図で説明する。三導体構造の
マイクロ波ユニット12は、例えば多層の誘電体基板2
1、22によって作られている。そして、多層の誘電体
基板21、22の上面に上面導体23が、下面に下面導
体24が形成され、また、誘電体基板21、22間に信
号伝送用の回路パターン25が形成されている。なお、
回路パターン25に沿ってその両側に複数のスル−ホ−
ル26が形成され、上面導体23と下面導体24はスル
−ホ−ル26で接続されている。なお、両端部分に位置
するスル−ホ−ル26は内側に入り込み、スル−ホ−ル
26の対向間隔が小さくなっている。この場合、三導体
構造のマイクロ波ユニット12の回路パターン25は、
これら両側のスル−ホ−ル26によって外部から電気的
にシ−ルドされる。
12について、図2の断面図で説明する。三導体構造の
マイクロ波ユニット12は、例えば多層の誘電体基板2
1、22によって作られている。そして、多層の誘電体
基板21、22の上面に上面導体23が、下面に下面導
体24が形成され、また、誘電体基板21、22間に信
号伝送用の回路パターン25が形成されている。なお、
回路パターン25に沿ってその両側に複数のスル−ホ−
ル26が形成され、上面導体23と下面導体24はスル
−ホ−ル26で接続されている。なお、両端部分に位置
するスル−ホ−ル26は内側に入り込み、スル−ホ−ル
26の対向間隔が小さくなっている。この場合、三導体
構造のマイクロ波ユニット12の回路パターン25は、
これら両側のスル−ホ−ル26によって外部から電気的
にシ−ルドされる。
【0023】なお、マイクロストリップ構造のマイクロ
波ユニット13は、その上方を覆うふた15や、隣接す
るマイクロ波ユニット12の上面導体16、スル−ホ−
ル20によって外部から電気的にシ−ルドされる。
波ユニット13は、その上方を覆うふた15や、隣接す
るマイクロ波ユニット12の上面導体16、スル−ホ−
ル20によって外部から電気的にシ−ルドされる。
【0024】上記した構成の場合、三導体構造のマイク
ロ波ユニット12とマイクロストリップ構造のマイクロ
波ユニット13を接続する接続線路14周辺の開口部の
断面積は、マイクロ波ユニット12の基板の厚さと、ス
ル−ホ−ル20の接続部周辺における間隔で決まる。こ
のとき、2つのマイクロ波ユニット12、13同士を接
続する接続線路14とスル−ホ−ル20との距離は、そ
の後の接線作業などに影響がない。したがって、接続部
周辺のスル−ホ−ル20間の間隔を、例えば内側に入り
込むようにして狭く形成でき、マイクロ波ユニット1
2、13間のアイソレ−ション効果を高めることができ
る。また金属ふた15の幅は、使用周波数の波長の半分
以下程度とし、使用周波数で導波管モ−ドが発生しない
ようにしている。
ロ波ユニット12とマイクロストリップ構造のマイクロ
波ユニット13を接続する接続線路14周辺の開口部の
断面積は、マイクロ波ユニット12の基板の厚さと、ス
ル−ホ−ル20の接続部周辺における間隔で決まる。こ
のとき、2つのマイクロ波ユニット12、13同士を接
続する接続線路14とスル−ホ−ル20との距離は、そ
の後の接線作業などに影響がない。したがって、接続部
周辺のスル−ホ−ル20間の間隔を、例えば内側に入り
込むようにして狭く形成でき、マイクロ波ユニット1
2、13間のアイソレ−ション効果を高めることができ
る。また金属ふた15の幅は、使用周波数の波長の半分
以下程度とし、使用周波数で導波管モ−ドが発生しない
ようにしている。
【0025】上記した構成の場合、プレ−ト11は、平
面に側壁を付けた単純な構造で、また、金属ふた15も
板金等で簡単に製作でき、装置を低価格にできる。ま
た、金属ふた15の止めネジ18と、三導体構造のマイ
クロ波ユニット12の止めネジ19とを同一の形状にし
共通化すれば、部品点数が削減でき、その分、コストを
低下できる。
面に側壁を付けた単純な構造で、また、金属ふた15も
板金等で簡単に製作でき、装置を低価格にできる。ま
た、金属ふた15の止めネジ18と、三導体構造のマイ
クロ波ユニット12の止めネジ19とを同一の形状にし
共通化すれば、部品点数が削減でき、その分、コストを
低下できる。
【0026】次に、マイクロストリップ構造のマイクロ
波ユニットの他の例について図3で説明する。31はマ
イクロ波ユニットで、その表面にマイクロストリップ線
路32が形成されている。また、マイクロストリップ線
路32を挟んで両側にグランドパタ−ン33が形成され
ている。そして、マイクロストリップ線路32の延長方
向に沿ってグランドパタ−ン33部分に複数のスル−ホ
−ル34が形成され、グランドパタ−ン33はこれらス
ル−ホ−ル34を通して、プレ−ト(図示せず)と電気
的に接続される。また35は、マイクロ波ユニットをプ
レ−トに固定するネジ穴である。そして、図1の場合と
同様に、ユニット31の上面にシ−ルド用の金属ふた
(図示せず)がかぶせられ、ふたの端部は、隣接する三
導体構造のマイクロ波ユニット(図示せず)の上面導体
に接続される。また、ふたの端部は、ユニット31のグ
ランドパタ−ン33にも接続され、グランドパタ−ン3
3からスル−ホ−ル34を通してプレ−トと電気的に接
続される。
波ユニットの他の例について図3で説明する。31はマ
イクロ波ユニットで、その表面にマイクロストリップ線
路32が形成されている。また、マイクロストリップ線
路32を挟んで両側にグランドパタ−ン33が形成され
ている。そして、マイクロストリップ線路32の延長方
向に沿ってグランドパタ−ン33部分に複数のスル−ホ
−ル34が形成され、グランドパタ−ン33はこれらス
ル−ホ−ル34を通して、プレ−ト(図示せず)と電気
的に接続される。また35は、マイクロ波ユニットをプ
レ−トに固定するネジ穴である。そして、図1の場合と
同様に、ユニット31の上面にシ−ルド用の金属ふた
(図示せず)がかぶせられ、ふたの端部は、隣接する三
導体構造のマイクロ波ユニット(図示せず)の上面導体
に接続される。また、ふたの端部は、ユニット31のグ
ランドパタ−ン33にも接続され、グランドパタ−ン3
3からスル−ホ−ル34を通してプレ−トと電気的に接
続される。
【0027】この場合、金属ふたの両端部はグランドパ
タ−ン33に接続される。このため、金属ふたの幅はマ
イクロ波ユニット31の幅に関係なく形成できる。した
がって、金属ふたの幅を狭くでき、使用周波数をより高
くできる。
タ−ン33に接続される。このため、金属ふたの幅はマ
イクロ波ユニット31の幅に関係なく形成できる。した
がって、金属ふたの幅を狭くでき、使用周波数をより高
くできる。
【0028】上記した実施例では、マイクロ波回路が、
三導体構造のユニットとマイクロストリップ構造のユニ
ットとで構成されている。しかし、マイクロ波回路が、
マイクロストリップ構造のユニットだけで構成される場
合は、例えば、1つのマイクロストリップ構造のユニッ
トの一部に三導体構造の部分を設け、マイクロストリッ
プ構造の部分や隣接するマイクロストリップ構造のユニ
ットをそれぞれ電磁シ−ルドする金属ふたを、三導体構
造の部分の上面導体に接続する構造が取られる。 ここ
で、マイクロストリップ構造のユニットの一部に三導体
構造の部分を設けた場合を例にとり、本発明の他の実施
例について図4で説明する。図4で、41は金属製プレ
−トで、周囲が壁で囲まれ全体が矩形状になっている。
そして、2つのユニット42、43がプレ−ト41上に
配置されている。この場合、一方のマイクロ波ユニット
42は、三導体構造の部分42aとマイクロストリップ
構造の部分42bが同一の基板上に形成されている。
三導体構造のユニットとマイクロストリップ構造のユニ
ットとで構成されている。しかし、マイクロ波回路が、
マイクロストリップ構造のユニットだけで構成される場
合は、例えば、1つのマイクロストリップ構造のユニッ
トの一部に三導体構造の部分を設け、マイクロストリッ
プ構造の部分や隣接するマイクロストリップ構造のユニ
ットをそれぞれ電磁シ−ルドする金属ふたを、三導体構
造の部分の上面導体に接続する構造が取られる。 ここ
で、マイクロストリップ構造のユニットの一部に三導体
構造の部分を設けた場合を例にとり、本発明の他の実施
例について図4で説明する。図4で、41は金属製プレ
−トで、周囲が壁で囲まれ全体が矩形状になっている。
そして、2つのユニット42、43がプレ−ト41上に
配置されている。この場合、一方のマイクロ波ユニット
42は、三導体構造の部分42aとマイクロストリップ
構造の部分42bが同一の基板上に形成されている。
【0029】そして、他方のマイクロ波ユニット43に
近い側に三導体構造の部分42aが位置し、三導体構造
の部分42aの回路パタ−ンと、マイクロストリップ構
造の部分42bの回路パタ−ンL1は、両者の位置が上
下するためスル−ホ−ル44によって接続されている。
また、三導体構造の部分42aの回路パタ−ンともう1
つのユニット43の回路パタ−ンL2は、接続線路45
で直接接続されている。また、回路パタ−ンL1、L2
はそれぞれコネクタC1、C2によって外部回路に接続
される。また、三導体構造の部分42aには、回路パタ
−ンの両側に沿うように2列にスル−ホ−ル46が形成
され、回路パタ−ンL1、L2との接続部周辺では、ス
ル−ホ−ル46の配列が内側に曲がり間隔が狭くなって
いる。
近い側に三導体構造の部分42aが位置し、三導体構造
の部分42aの回路パタ−ンと、マイクロストリップ構
造の部分42bの回路パタ−ンL1は、両者の位置が上
下するためスル−ホ−ル44によって接続されている。
また、三導体構造の部分42aの回路パタ−ンともう1
つのユニット43の回路パタ−ンL2は、接続線路45
で直接接続されている。また、回路パタ−ンL1、L2
はそれぞれコネクタC1、C2によって外部回路に接続
される。また、三導体構造の部分42aには、回路パタ
−ンの両側に沿うように2列にスル−ホ−ル46が形成
され、回路パタ−ンL1、L2との接続部周辺では、ス
ル−ホ−ル46の配列が内側に曲がり間隔が狭くなって
いる。
【0030】そして、ユニット42のマイクロストリッ
プ構造の部分42bの上面にふた47が、また、ユニッ
ト43の上面にふた48が、それぞれかぶせられ電気的
にシ−ルドされる。なお、ふた47、48は止めネジ4
9、50によってプレ−ト41に固定される。また、こ
の場合、ふた47の右端、48の左端は、それぞれ三導
体構造部分42aの上面導体に接続される。この実施例
の場合は、三導体構造部分42aに形成されるスル−ホ
−ル46が回路パタ−ンL1、L2との接続部周辺で狭
くなっているので、接続部でのアイドレーションが良好
になる。
プ構造の部分42bの上面にふた47が、また、ユニッ
ト43の上面にふた48が、それぞれかぶせられ電気的
にシ−ルドされる。なお、ふた47、48は止めネジ4
9、50によってプレ−ト41に固定される。また、こ
の場合、ふた47の右端、48の左端は、それぞれ三導
体構造部分42aの上面導体に接続される。この実施例
の場合は、三導体構造部分42aに形成されるスル−ホ
−ル46が回路パタ−ンL1、L2との接続部周辺で狭
くなっているので、接続部でのアイドレーションが良好
になる。
【0031】なお、上記した各実施例では、三導体構造
の回路の上面導体と下面導体をスル−ホ−ルで接続して
いる。しかし、三導体構造の回路の側面をメタライズ
し、このメタライズした部分で接続するようにすること
もできる。
の回路の上面導体と下面導体をスル−ホ−ルで接続して
いる。しかし、三導体構造の回路の側面をメタライズ
し、このメタライズした部分で接続するようにすること
もできる。
【0032】
【発明の効果】この発明によれば、同一プレ−ト上に複
数のユニットを配置してマイクロ波回路を構成する場合
に、シ−ルド効果が高く、しかも低価格なマイクロ波回
路を実現できる。
数のユニットを配置してマイクロ波回路を構成する場合
に、シ−ルド効果が高く、しかも低価格なマイクロ波回
路を実現できる。
【図1】本発明の一実施例を示す概略構成図である。
【図2】本発明を構成する三導体構造のユニットを説明
する断面図である。
する断面図である。
【図3】本発明を構成するマイクロストリップ構造のユ
ニットの例を示す概略構成図である。
ニットの例を示す概略構成図である。
【図4】本発明の他の実施例を示す概略構成図である。
【図5】従来例を説明する概略構成図である。
11…プレ−ト 12…三導体構造のマイクロ波ユニット 13…マイクロストリップ構造のマイクロ波ユニット 12a、13a…回路パターン 14…接続線路 15…金属ふた 16…上面導体 17…ネジ穴 18、19…止めネジ 20…スルーホール
Claims (4)
- 【請求項1】 グラウンド用プレ−ト上に三導体構造の
回路とマイクロストリップ構造の回路が形成されるマイ
クロ波回路において、前記マイクロストリップ構造の回
路の上方を覆う電磁シ−ルド用の金属ふたを設け、この
ふたの端部を、前記グランウド用プレ−トおよび前記三
導体構造の回路の上面導体に電気的に接続し、前記三導
体構造の回路の前記上面導体と下面導体をスル−ホ−ル
または側面メタライズで接続したことを特徴とするマイ
クロ波回路。 - 【請求項2】 電磁シ−ルド用の金属ふたの止めネジ
と、三導体構造の回路の止めネジを共通化したことを特
徴とする請求項1記載のマイクロ波回路。 - 【請求項3】 マイクロストリップ構造の回路の面にグ
ランドパタ−ンを形成し、電磁シ−ルド用の金属ふたの
一端を、前記グラウンドパタ−ンに接続したことを特徴
とする請求項1記載のマイクロ波回路。 - 【請求項4】 三導体構造の回路とマイクロストリップ
構造の回路とを同一基板上に形成したことを特徴とする
請求項1記載のマイクロ波回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7160489A JPH0918205A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | マイクロ波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7160489A JPH0918205A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | マイクロ波回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0918205A true JPH0918205A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15716050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7160489A Pending JPH0918205A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | マイクロ波回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0918205A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002084784A1 (fr) * | 2001-04-12 | 2002-10-24 | Nec Corporation | Dispositif mettant en oeuvre un radiotelephone mobile |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6397001A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波半導体装置 |
| JPH01135102A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-05-26 | American Teleph & Telegr Co <Att> | セラミックパッケージ |
| JPH02135802A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | 混成集積回路装置 |
| JPH05191111A (ja) * | 1992-01-14 | 1993-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | ストリップ線路デバイス及びそのデバイス使用方法 |
-
1995
- 1995-06-27 JP JP7160489A patent/JPH0918205A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6397001A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波半導体装置 |
| JPH01135102A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-05-26 | American Teleph & Telegr Co <Att> | セラミックパッケージ |
| JPH02135802A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | 混成集積回路装置 |
| JPH05191111A (ja) * | 1992-01-14 | 1993-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | ストリップ線路デバイス及びそのデバイス使用方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002084784A1 (fr) * | 2001-04-12 | 2002-10-24 | Nec Corporation | Dispositif mettant en oeuvre un radiotelephone mobile |
| US7164898B2 (en) | 2001-04-12 | 2007-01-16 | Nec Corporation | Wireless portable device |
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