JPH0918363A

JPH0918363A - ダブルスーパヘテロダインチューナ

Info

Publication number: JPH0918363A
Application number: JP7168473A
Authority: JP
Inventors: Takaaki Konishi; 孝明小西; Noriaki Oomoto; 紀顕大本; Fusahiro Kameoka; 房浩亀岡; Yoshikazu Hayashi; 芳和林; Akio Takeuchi; 章生竹内
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1995-07-04
Filing date: 1995-07-04
Publication date: 1997-01-17

Abstract

(57)【要約】【目的】ダブルスーパヘテロダインチューナの第１及
び第２局部発振器の基本波信号及び高調波信号により発
生するスプリアス妨害を防ぐためにシールドケースに設
けているかしめをなくす。【構成】第１ミキサ回路６と第２ミキサ回路８との間
の第１中間周波フィルタ７をマイクロストリップライン
で構成することにより、かしめのないシールドケース１
１に表蓋、裏蓋を取り付けるだけで、第１局部発振器の
基本波信号及び高調波信号が第２ミキサ回路に空間から
飛び込むことを防ぐ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はテレビジョンチューナや
ＣＡＴＶチューナに使用するダブルスーパヘテロダイン
チューナに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ケーブルテレビなどの普及によ
り、多チャンネル受信を可能とするＣＡＴＶチューナに
おいては、歪み特性の良いダブルスーパヘテロダイン方
式を用いている。

【０００３】図７にダブルスーパヘテロダインの構成図
を示す。図７において、８５は入力フィルタ、８６はＲ
Ｆ増幅回路、８７は第１ミキサ回路、８８は第１局部発
振回路、８９はＰＬＬ回路、９０は第１中間周波増幅回
路、９１は第１中間周波フィルタ、９２は第２ミキサ回
路、９３は第２局部発振回路、９４は第２中間周波フィ
ルタ、９５は第２中間周波増幅回路である。

【０００４】以下にその動作を説明すると、入力信号は
入力フィルタ８５により帯域制限され、ＲＦ増幅回路８
６で増幅された後、第１ミキサ回路８７で第１中間周波
信号に変換される。第１中間周波信号は第１中間周波増
幅回路９０で増幅され、第１中間周波フィルタ９１で帯
域制限され、第２ミキサ回路９２で第２中間周波信号に
変換される。第２中間周波信号は第２中間周波フィルタ
９４で帯域制限され、第２中間周波増幅回路９５で増幅
され、チューナの中間周波出力９６となる。

【０００５】従来のダブルスーパヘテロダインチューナ
の第１中間周波フィルタ９１の構造を図８に示す。図８
に示すように、第１中間周波フィルタ９１は２枚の金属
板９７、９８を平行に並べて構成するバンドパスフィル
タで、金属板９７、９８を動かし、金属板９７、９８の
距離を変えてフィルタ特性を調整していた。

【０００６】従来のダブルスーパチューナのシールドケ
ースを図９に示す。図９に示すように、シールドケース
９９は各ブロックを仕切り板１００〜１０９で仕切り、
仕切板にはねじることのできるかしめ１１０〜１３１を
設けている。

【０００７】図１０にシールドケースと表蓋、裏蓋の取
り付け図を示す。図１０に示すようにシールドケース９
９を密閉するための表蓋は内蓋２０３、外蓋２０２で構
成し、裏蓋は内蓋２０４、外蓋２０５で構成し、内蓋２
０３、２０４は容易に変形する金属板であり、外蓋２０
２、２０５は内蓋２０３、２０４を覆うための金属板で
ある。

【０００８】図１１はシールドケース９９に表蓋２０
２、２０３、裏蓋２０４、２０５を取り付け、かしめ１
１０〜１３１でかしめた図である。

【０００９】図１２にシールドケース９９の上面図を示
す。図１２において、２が入力フィルタブロック、３が
ＲＦ増幅回路ブロック、４が第１局部発振回路ブロッ
ク、５がＰＬＬ回路ブロック、６が第１ミキサ回路ブロ
ック、７が第１中間周波フィルタブロック、２０６が第
２局部発振回路、第２ミキサ回路ブロック、１０が第２
中間周波フィルタ、第２中間周波増幅回路ブロックであ
る。図１０に示すように表蓋、裏蓋の内蓋２０３、２０
４、外蓋２０２、２０５に開けた穴１３２〜２０１から
シールドケース９９のかしめ１１０〜１３１を通し、図
９に示すようにかしめ１１０〜１３１をねじることによ
りシールドケース９９と内蓋２０３、２０４の密着度を
良くし、第１局部発振信号の基本波及び高調波が、第１
局部発振器ブロック４から第２局部発振回路、第２ミキ
サ回路ブロック２０６に漏れ出ないようにしている。

【００１０】上記で説明したように、第１中間周波フィ
ルタ９１を２枚の金属板９７、９８をを平行に並べて構
成するバンドパスフィルタにしており、２枚の金属板９
７、９８に生じる電磁界は、図１２に示す第１中間周波
フィルタブロック７の空間に発生しているため、第１ミ
キサ回路ブロック６を通り、第１中間周波フィルタブロ
ック７に伝送されてきた第１局部発振信号の基本波信号
及び高調波信号が、第１中間周波フィルタブロック７の
空間から、第２局部発振回路、第２ミキサ回路ブロック
２０６に飛び込んだりする。

【００１１】従って、シールドケース９９と表蓋、裏蓋
の内蓋２０３、２０４の密着性を良くし、第１局部発振
回路ブロック４で発生する第１局部発振信号の基本波信
号及び高調波信号が、第１中間周波フィルタブロック７
から第２局部発振回路、第２ミキサ回路ブロック２０６
へ飛び込むのを防ぐことで、第１局部発振回路の基本波
信号及び高調波信号と第２局部発振回路の基本波信号及
び高調波信号が第２ミキサ回路で周波数変換されること
により、第２中間周波信号帯域内に発生する妨害信号
（以後スプリアス妨害と記す）を抑圧している。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】従来のダブルスーパヘ
テロダインチューナにおいて、第１中間周波フィルタ９
１は２枚の金属板９７、９８を平行に並べて構成したバ
ンドパスフィルタである。その２枚の金属板９７、９８
に生じる電磁界が、第１中間周波フィルタ９１の空間に
発生するため、第１局部発振信号の基本波及び高調波
が、第１中間周波フィルタ９１の空間から第２ミキサ回
路９２に直接飛び込んだりする。従ってシールドケース
９９と、内蓋２０３、２０４、外蓋２０２、２０５から
なる表蓋、裏蓋をかしめて密着させ、第１局部発振回路
８８の基本波信号及び高調波信号を第１中間周波フィル
タ９１内に閉じこめ、第１局部発振回路の基本波信号及
び高調波信号が第１中間周波フィルタ９１の空間から第
２ミキサ回路９２に直接飛び込まないようにしている。

【００１３】上記のような構成では、シールドケース９
９に、内蓋２０３、２０４、外蓋２０２、２０５からな
る表蓋、裏蓋を取り付けた後にかしめているため、チュ
ーナの生産性を考慮すると非常に不効率をなる。

【００１４】本発明は上記問題点に鑑み、シールドケー
スと表蓋、裏蓋をかしめることなく、スプリアス妨害を
抑圧するダブルスーパヘテロダインチューナを提供しよ
うとするものである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記問題点を鑑み、本発
明のダブルスーパヘテロダインチューナは、第１ミキサ
回路と第２ミキサ回路間のフィルタを、第１局部発振回
路の基本波信号及び高調波信号を減衰するマイクロスト
リップラインで構成したフィルタにしている。

【００１６】また第２の発明におけるダブルスーパヘテ
ロダインチューナは、第１ミキサ回路と第２ミキサ回路
間のフィルタを、第１局部発振回路の基本波信号及び高
調波信号を減衰するマイクロストリップラインで構成し
たフィルタにし、且つチューナをシールドするシールド
ケースとシールドケースを覆う内蓋と外蓋から成る表
蓋、裏蓋を有し、表蓋の内蓋の一部には表蓋に向けて飛
び出ている突起物があり、裏蓋の内蓋の一部には裏蓋に
向けて飛び出ている突起物があり、表蓋の外蓋は表蓋の
内蓋に向けて折り曲げている切り込みがあり、裏蓋の外
蓋は裏蓋の内蓋に向けて折り曲げている切り込みがあ
り、表蓋、裏蓋の外蓋はシールドケースの側面を挟み込
んで固定できる構造であり、基板に挿入したシールドケ
ースに、基板の表側から表蓋の内蓋をはめ、その後に表
蓋の外蓋をはめ、基板の裏側から裏蓋の内蓋をはめ、そ
の後に裏蓋の外蓋をはめてシールドケースと表蓋、裏蓋
を取り付けている。

【００１７】また第３の発明のおけるダブルスーパヘテ
ロダインチューナは、第１ミキサ回路と第２ミキサ回路
間の第１局部発振回路の基本波信号及び高調波信号を減
衰するマイクロストリップラインで構成したフィルタ
を、第１中間周波信号を通過し、第１局部発振信号の基
本波信号及び高調波信号を減衰するバンドパスフィルタ
と、第１中間周波信号を通過し、第１局部発振信号の高
調波信号を減衰するローパスフィルタからなる。

【００１８】また第４の発明のおけるダブルスーパヘテ
ロダインチューナは、第１ミキサ回路と第２ミキサ回路
間の第１局部発振回路の基本波信号及び高調波信号を減
衰するマイクロストリップラインで構成したフィルタ
を、第１中間周波信号を通過し、第１局部発振信号の基
本波信号及び高調波信号を減衰するバンドパスフィルタ
と、第１中間周波信号を通過し、第１局部発振信号の高
調波信号を減衰するローパスフィルタからなり、且つバ
ンドパスフィルタとローパスフィルタを結合したフィル
タの入力と出力の距離が最大になる配置にしている。

【００１９】また第５の発明におけるダブルスーパヘテ
ロダインチューナは、第１ミキサ回路と第２ミキサ回路
間の第１局部発振回路の基本波信号及び高調波信号を減
衰するマイクロストリップラインで構成したフィルタ
を、第１中間周波信号を通過し、第１局部発振信号の基
本波信号及び高調波信号を減衰するバンドパスフィルタ
と、第１中間周波信号を通過し、第１局部発振信号の高
調波信号を減衰するローパスフィルタからなり、そのバ
ンドパスフィルタとローパスフィルタ間をシールドケー
スの仕切板で仕切っている。

【００２０】

【作用】本発明のダブルスーパヘテロダインチューナに
よれば、第１ミキサ回路と第２ミキサ回路間の第１中間
周波フィルタをマイクロストリップラインで構成するこ
とで、基板上に作成したマイクロストリップラインと裏
面のグランド間に電界が発生し、第１中間周波フィルタ
の空間に発生する電界は少なくなり、第１局部発振回路
の基本波信号及び高調波信号が第１中間周波フィルタの
空間から第２ミキサ回路に直接飛び込みにくくなり、シ
ールドケースと、内蓋、外蓋で構成する表蓋、裏蓋をか
しめずに、単にシールドケースと、内蓋、外蓋で構成す
る表蓋、裏蓋取り付けるだけで、第２中間周波帯に発生
するスプリアス妨害を防ぐことができる。

【００２１】また、第１ミキサ回路と第２ミキサ回路間
の第１中間周波フィルタを、マイクロストリップライン
で構成するバンドパスフィルタとローパスフィルタにす
ることで、第１局部発振回路の基本波信号だけでなく、
高次の高調波信号をも減衰することができる。さらに第
１中間周波フィルタをマイクロストリップラインにして
いるために、マイクロストリップラインと裏面のグラン
ド間に電界が発生し、第１中間周波フィルタの空間に発
生する電界は少なくなり、第１局部発振回路の基本波信
号及び高調波信号が第１中間周波フィルタの空間から第
２ミキサ回路に直接飛びにくくなり、シールドケース
と、内蓋、外蓋で構成する表蓋、裏蓋をかしめずに、単
にシールドケースと、内蓋、外蓋で構成する表蓋、裏蓋
取り付けるだけで、第２中間周波帯に発生するスプリア
ス妨害を防ぐことができる。

【００２２】また、第１ミキサ回路と第２ミキサ回路間
の第１中間周波フィルタを、マイクロストリップライン
で構成するバンドパスフィルタとローパスフィルタにす
ることで、第１局部発振回路の基本波信号だけでなく、
高次の高調波信号をも減衰することができる。さらに第
１中間周波フィルタをマイクロストリップラインにして
いるために、マイクロストリップラインと裏面のグラン
ド間に電界が発生し、第１中間周波フィルタの空間に発
生する電界を少なくし、第１局部発振回路の基本波信号
及び高調波信号が第１中間周波フィルタの空間から第２
ミキサ回路に直接飛び込みにくくなり、さらにバンドパ
スフィルタとローパスフィルタを組み合わせた第１中間
周波フィルタの入力、出力間の距離が最大になるように
バンドパスフィルタとローパスフィルタを配置し、バン
ドパスフィルタ上部の空間に発生する微少な電界とバン
ドパスフィルタ上部の空間に発生する微少な電界が重な
る空間が少なくして、第１局部発振回路の基本波信号及
び高調波信号がバンドパスフィルタとローパスフィルタ
間の空間を飛びにくくし、シールドケースと、内蓋、外
蓋で構成する表蓋、裏蓋をかしめずに、単にシールドケ
ースと、内蓋、外蓋で構成する表蓋、裏蓋取り付けるだ
けで、第２中間周波帯に発生するスプリアス妨害を防ぐ
ことができる。

【００２３】また、第１ミキサ回路と第２ミキサ回路間
の第１中間周波フィルタを、マイクロストリップライン
で構成するさバンドパスフィルタとローパスフィルタに
することで、第１局部発振回路の基本波信号だけでな
く、高次の高調波信号をも減衰することができる。さら
に第１中間周波フィルタをマイクロストリップラインに
しているために、マイクロストリップラインと裏面のグ
ランド間に電界が発生し、第１中間周波フィルタの空間
に発生する電界は少なくなり、第１局部発振回路の基本
波信号及び高調波信号が第１中間周波フィルタの空間か
ら第２ミキサ回路に直接飛び込みにくくなる。さらにバ
ンドパスフィルタとローパスフィルタ間をシールドケー
スの仕切板で仕切ることで、わずかに空間に発生した電
磁界により、第１局部発振回路の基本波信号及び高調波
信号が、バンドパスフィルタとローパスフィルタ間を空
間から直接飛び込むことを防いで、シールドケースと、
内蓋、外蓋で構成する表蓋、裏蓋をかしめずに、単にシ
ールドケースと、内蓋、外蓋で構成する表蓋、裏蓋取り
付けるだけで、第２中間周波帯に発生するスプリアス妨
害を防ぐことができる。

【００２４】

【実施例】

（実施例１）以下に第１の実施例におけるダブルスーパ
ヘテロダインチューナについて図１〜図３を用いて説明
する。

【００２５】図１は本発明のダブルスーパヘテロダイン
チューナのシールドケースの構造を示している。１１は
シールドケースで、１は入力端子、２は入力フィルタブ
ロック、３はＲＦ増幅回路ブロック、４は第１局部発振
回路ブロック、５はＰＬＬ回路ブロック、６は第１ミキ
サ回路ブロック、７は第１中間周波フィルタブロック、
８は第２ミキサ回路ブロック、９は第２局部発振回路ブ
ロック、１０は第２中間周波フィルタ、第２中間周波増
幅回路ブロックである。

【００２６】第１中間周波フィルタは、図２（ａ）に示
すようなマイクロストリップラインで構成したカップル
ドラインから成るバンドパスフィルタと、図２（ｂ）に
示すようなマイクロストリップラインで構成したローパ
スフィルタを基板上に作成している。

【００２７】図２（ａ）において１３、１４、１７、１
８は基板上に作成したバンドパスフィルタのパターン
で、１５、１６はコンデンサ、１２はバンドパスフィル
タの入力、１９はバンドパスフィルタの出力であり、図
２（ｂ）において２１〜２７は基板上に作成したローパ
スフィルタのパターンで、２０はローパスフィルタの入
力、２８はローパスフィルタの出力である。

【００２８】このようにバンドパスフィルタとローパス
フィルタをマイクロストリップラインで構成することに
より、基板上に作成したマイクロストリップラインと裏
面のグランド間に電界が発生し、バンドパスフィルタと
ローパスフィルタの空間に発生する電界は少なくなるた
め、第１中間周波フィルタブロッ７に伝送される第１局
部発振信号の基本は信号及び高調波信号が、第１中間周
波フィルタブロック７の空間から第２ミキサ回路ブロッ
ク８に飛び込みにくくなる。

【００２９】図３にシールドケースと内蓋、外蓋から成
る表蓋、裏蓋を取り付ける図面、図４（ａ）に表蓋の外
蓋の側面図、図４（ｂ）に表蓋の内蓋の側面図、図４
（ｃ）に裏蓋の内蓋の側面図、図４（ｄ）に裏蓋の外蓋
の側面図を示す。

【００３０】２９は表蓋の外蓋、３０は表蓋の内蓋、３
１は裏蓋の内蓋、３２は裏蓋の外蓋であり、図４（ｂ）
に示すように、内蓋３０に外蓋２９側に向けて突起物４
３〜５９を設け、図４（ｄ）に示すように内蓋３１に外
蓋３２側に向けて突起物６０〜７１を設け、図４（ａ）
に示すように、外蓋２９に内蓋３０に向けて折り曲げた
の切り込み３３〜４２を設け、図４（ｃ）に示すよう
に、外蓋３２に内蓋３１に向けて折り曲げたの切り込み
７２〜８０を設け、外蓋２９、３２には内蓋３０、３１
に向けて折り曲げた側片２９ａ〜２９ｄ、３２ａ〜３２
ｄを設けている。

【００３１】まずシールドケース１１に内蓋３０、３１
を取り付け、その後でシールドケース１１に外蓋２９、
３２を取り付けると、外蓋２９の２９ａ〜２９ｃでシー
ルドケース１１を挟み込んで固定し、外蓋２９の切り込
み３３〜４２で内蓋３０に当たり、内蓋３０の突起物４
３〜５９が表蓋に当たることで表蓋２９が内蓋３０を押
さえ込みシールドケース１１と内蓋が接触する。また外
蓋３２の３２ａ〜３２ｄでシールドケース１１を挟み込
んで固定し、外蓋３２の切り込み７２〜８０で内蓋３１
に当たり、内蓋３１の突起物６０〜７１が表蓋に当たる
ことで表蓋３２が内蓋３１を押さえ込みシールドケース
１１と内蓋が接触する。

【００３２】このように第１中間周波フィルタ９１をマ
イクロストリップラインで構成するバンドパスフィルタ
とローパスフィルタにすることで、第１局部発振回路８
８の基本波信号及び高調波信号が第１中間周波フィルタ
９１の空間から第２ミキサ回路９２に直接飛びにくくな
り、シールドケース１１と、内蓋３０、３１と外蓋２
９、３２で構成する表蓋、裏蓋取り付けるだけで、第２
中間周波帯に発生するスプリアス妨害比をＳ／ｉ＝７０
ｄＢ以上に抑圧することができる。

【００３３】なおこのカップルドラインから成るバンド
パスフィルタはスリーカップルドラインで構成して、バ
ンドパスフィルタの帯域を狭帯域にしてもよい。

【００３４】なお内蓋３１、外蓋３２から成る裏蓋の代
わりに、裏面をグランドにし、入力信号、第１中間周波
信号の通過ラインを基板の表面のみに構成し、シールド
ケースと、内蓋３０、外蓋２９から成る表蓋を取り付け
ても良い。

【００３５】（実施例２）本発明の第２の実施例におけ
るダブルスーパヘテロダインチューナについて図５を用
いて説明する。

【００３６】図５はバンドパスフィルタとローパスフィ
ルタを結合した第１中間周波フィルタ９１を示す。

【００３７】図５は図２（ａ）、（ｂ）に示すように、
バンドパスフィルタとローパスフィルタを結合した第１
中間周波フィルタ９１の入力１２と出力２８の距離が最
大となるように、バンドパスフィルタとローパスフィル
タを配置することで、バンドパスフィルタ上部の空間に
発生する微少な電界とバンドパスフィルタ上部の空間に
発生する微少な電界が重なる空間が少なくなり、バンド
パスフィルタとローパスフィルタ間において、第１局部
発振信号の基本波信号及び高調波信号の飛び込みが少な
くなり、実施例１よりもさらに第２中間周波帯に発生す
るスプリアス妨害を実施例１よりさらに約２ｄＢ抑圧す
ることができ、スプリアス妨害比をＳ／ｉ＝７２ｄＢ以
上に抑圧することができる。

【００３８】（実施例３）本発明の第３の実施例におけ
るダブルスーパヘテロダインチューナについて図６を用
いて説明する。

【００３９】図６は図１において第１中間周波フィルタ
ブロック７に仕切板８１を加えたシールドケース１１
‘で、バンドパスフィルタブロック８２とローパスフィ
ルタブロック８３の間に仕切板８１を入れている。この
ようにバンドパスフィルタとローパスフィルタ間を仕切
板８１で仕切ることで、わずかに空間に発生した電磁界
により、第１局部発振回路の基本波信号及び高調波信号
が、バンドパスフィルタとローパスフィルタ間の空間を
直接飛び込むことを防いで、第２中間周波帯に発生する
スプリアス妨害を実施例１よりさらに約５ｄＢ抑圧する
ことができ、スプリアス妨害比をＳ／ｉ＝７５ｄＢ以上
に抑圧することができる。

【００４０】

【発明の効果】このように本発明によれば、第１ミキサ
回路と第２ミキサ回路間の第１中間周波フィルタをマイ
クロストリップラインで構成したバンドパスフィルタ、
ローパスフィルタにすることにより、基板上に作成した
マイクロストリップラインと裏面のグランド間に電界が
発生し、第１中間周波フィルタの空間に発生する電界が
少なくなり、第１局部発振回路の基本波信号及び高調波
信号が第１中間周波フィルタから第２ミキサ回路に直接
飛び込みにくくすることができ、従来のようにシールド
ケースと、内蓋、外蓋から成る表蓋、裏蓋をかしめて、
各ブロックの密閉性を高める必要がなくなり、単にシー
ルドケースに内蓋、外蓋から成る表蓋、裏蓋を取り付け
るだけで、第２中間周波帯に発生するスプリアス妨害を
抑圧することができる。

【００４１】また第１中間周波フィルタをマイクロスト
リップラインで構成したバンドパスフィルタとローパス
フィルタを組み合わせたフィルタにし、入力、出力間の
距離が最大になるようにバンドパスフィルタとローパス
フィルタを配置することで、第１局部発振信号の基本波
信号及び高調波信号が、バンドパスフィルタとローパス
フィルタ間において、空間から飛び込みにくくすること
ができ、さらに第２中間周波帯に発生するスプリアス妨
害を抑圧することができる。

【００４２】また第１中間周波フィルタを構成するバン
ドパスフィルタとローパスフィルタ間に仕切板を入れる
ことで、第１局部発振信号の基本波信号及び高調波信号
が、バンドパスフィルタからローパスフィルタへ直接飛
び込みにくくすることができ、さらに第２中間周波帯に
発生するスプリアス妨害を抑圧することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示すダブルスーパヘテ
ロダインチューナのシールドケースの斜視図

【図２】本発明の一実施例を示すダブルスーパヘテロダ
インチューナのバンドパスフィルタ及びローパスフィル
タのパターン図

【図３】本発明の一実施例を示すダブルスーパヘテロダ
インチューナのシールドケースと表蓋、裏蓋の取り付け
図

【図４】本発明の一実施例を示すダブルスーパヘテロダ
インチューナの表蓋及び裏蓋の外蓋及び内蓋の側面図

【図５】本発明の第２の実施例を示すダブルスーパヘテ
ロダインチューナのバンドパスフィルタとローパスフィ
ルタを組み合わせたパターン図

【図６】本発明の第２の実施例を示すダブルスーパヘテ
ロダインチューナのシールドケースの斜視図

【図７】ダブルスーパヘテロダインチューナの構成を示
すブロック図

【図８】従来のダブルスーパヘテロダインチューナの金
属板を結合させたバンドパスフィルタの斜視図

【図９】従来のダブルスーパヘテロダインチューナのシ
ールドケースの斜視図

【図１０】従来のダブルスーパヘテロダインチューナの
シールドケースと表蓋、裏蓋の組立図

【図１１】従来のダブルスーパヘテロダインチューナの
シールドケースに表蓋、裏蓋を取り付けた斜視図

【図１２】従来のダブルスーパヘテロダインチューナの
シールドケースの上視図

【符号の説明】

１、８４入力２入力フィルタブロック３ＲＦ増幅回路ブロック４第１局部発振回路ブロック５ＰＬＬ回路ブロック６第１ミキサ回路ブロック７第１中間周波フィルタブロック８第２ミキサ回路ブロック９第２局部発振回路ブロック１０第２中間周波フィルタ、第２中間周波増幅回路ブ
ロック１１、１１‘、９９シールドケース１２バンドパスフィルタ入力１３、１４、１７、１８、２１〜２７パターン１５、１６コンデンサ１９バンドパスフィルタ出力２０ローパスフィルタ入力２８ローパスフィルタ出力２９、２０２表蓋の外蓋３０、２０３表蓋の内蓋３１、２０４裏蓋の内蓋３２、２０５裏蓋の外蓋２９ａ〜２９ｄ表蓋の外蓋の側片３２ａ〜３２ｄ表蓋の外蓋の側片４３〜７１出っ張り３３〜４２、７２〜８０切り込み８５入力フィルタ８６ＲＦ増幅回路８７第１ミキサ回路８８第１局部発振回路８９ＰＬＬ回路９０第１中間周波増幅回路９１第１中間周波フィルタ９２第１ミキサ回路９３第２局部発振回路９４第２中間周波フィルタ９５第２中間周波増幅回路９６中間周波出力９７、９８金属板１００〜１０９仕切板１１０〜１３１かしめ１３２〜２０１穴

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者林芳和大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者竹内章生大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】入力信号を第１中間周波信号に変換する
第１ミキサ回路と、前記第１ミキサ回路に入力する発振
信号を生成する第１局部発振回路と、前記第１中間周波
信号を第２中間周波信号に変換する第２ミキサ回路と、
前記第２ミキサ回路に入力する発振信号を生成する第２
局部発振回路を有し、前記第１ミキサ回路と前記第２ミ
キサ回路の間に、前記第１局部発振回路の基本波信号及
び高調波信号を減衰するマイクロストリップラインで構
成したフィルタを備えることを特徴とするダブルスーパ
ヘテロダインチューナ。
【請求項２】基板に挿入したシールドケースと、前記
シールドケースを覆う内蓋と外蓋から構成される表蓋と
裏蓋とを有し、前記内蓋には前記外蓋に向けて飛び出て
いる突起物が構成され、前記外蓋は前記内蓋に向けて折
り曲げている切り込みが構成され、前記外蓋の切り込み
は前記内蓋の突起物と接触し、前記内蓋を内側に押圧す
ることを特徴とする請求項１記載のダブルスーパヘテロ
ダインチューナ。
【請求項３】マイクロストリップラインで構成された
フィルタは、第１中間周波信号を通過し、第１局部発振
信号の基本波信号及び高調波信号を減衰するバンドパス
フィルタと、第１中間周波信号を通過し、第１局部発振
信号の高調波信号を減衰するローパスフィルタから成る
請求項１記載のダブルスーパヘテロダインチューナ。
【請求項４】バンドパスフィルタとローパスフィルタ
を結合したフィルタの入力と出力の距離が最大になる配
置にしたことを特徴とする請求項３記載のダブルスーパ
ヘテロダインチューナ。
【請求項５】バンドパスフィルタとローパスフィルタ
間にシールドケースの仕切板を挿入したことを特徴とす
る請求項３記載のダブルスーパヘテロダインチューナ。