JPH09185994A - エレクトロルミネセンス有機デバイスのパッシベーション方法 - Google Patents

エレクトロルミネセンス有機デバイスのパッシベーション方法

Info

Publication number
JPH09185994A
JPH09185994A JP33490696A JP33490696A JPH09185994A JP H09185994 A JPH09185994 A JP H09185994A JP 33490696 A JP33490696 A JP 33490696A JP 33490696 A JP33490696 A JP 33490696A JP H09185994 A JPH09185994 A JP H09185994A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
organic
stable metal
pixels
disposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP33490696A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3947586B2 (ja
Inventor
Song Q Shi
ソング・キュー・シ
Franky So
フランキー・ソ
Thomas B Harvey Iii
トーマス・ビー・ハーベイ、ザ・サード
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Motorola Solutions Inc
Original Assignee
Motorola Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Publication of JPH09185994A publication Critical patent/JPH09185994A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3947586B2 publication Critical patent/JP3947586B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/846Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/874Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917Electroluminescent
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24851Intermediate layer is discontinuous or differential
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24917Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678Of metal

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 支持基板10上に配置されたエレクトロルミ
ネセンス有機デバイス11をパッシベーション化する方
法を提供する。 【解決手段】 この方法は、エレクトロルミネセンス有
機デバイスのアレイ11を形成する個別のピクセルを、
安定金属20の層でオーバコーティングまたはキャッピ
ングする段階と、安定金属20の層を、有機金属のバッ
ファ層22と、このバッファ層22上の熱係数整合層2
4とを含むバッファ系22,24でオーバコーティング
する段階と、熱係数整合層24上に低浸透率有機層26
を被着させる段階と、エポキシ封入体28またはポリマ
・ラミネート・アルミニウム・フォイル30でエレクト
ロルミネセンス有機デバイスを封止する段階とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、有機デバイスに関し、
さらに詳しくは、パッシベーション化エレクトロルミネ
センス有機デバイスおよびパッシベーション方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】エレクトロルミネセンス有機デバイス、
特に有機発光デバイス(LED)などは、効率的な電子
注入電極および低動作電圧を確保するため、カソードに
おいて仕事関数の低い金属の層を一般に利用する。しか
し、低仕事関数金属は、酸素および湿気に対して反応し
やすく、またその影響を受けやすく、この金属の酸化は
デバイスの寿命を制限する。長期的な安定性および寿命
を達成するために、気密封止が通常必要とされる。いく
つかの種類の気密封止(hermic seal) が利用されている
が、そのうち最も一般的なものは、金属などの非有機材
料である。
【0003】エレクトロルミネセンス有機デバイスの製
造およびパッシベーション中に発生する別の問題点は、
エレクトロルミネセンス有機デバイスの有機層が高温
(すなわち、一般に約300°C以上)に耐えられない
という事実に起因する。多くの場合、有機層の臨界温度
に達することさえも、特に、比較的長い間高温が維持さ
れる場合には、有機材料を劣化させて、最終的なデバイ
スの信頼性および/または寿命を低下させることがあ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】いくつかの種類の気密
封止が利用されるが、そのうち最も一般的なものが金属
缶(metal can) である。しかし、金属缶は製造するのが
きわめて高価で、組み立てるのに多大な労力を必要とす
る。さらに、金属缶は大きくて重いため、エレクトロル
ミネセンス有機デバイスの用途を著しく制限する。
【0005】エレクトロルミネセンス有機デバイスを気
密封止する最近の手段では、誘電体または金属などの非
有機材料でデバイスをオーバコーティングして、気密封
止を達成する。しかし、エレクトロルミネセンス有機デ
バイスは、誘電体および金属の被着中に通常必要とされ
る高温に対して極めて弱い。従って、低温条件を満たす
ためには、一般にPECVD方法によってセラミックま
たは金属材料を被着させなければならない。この封止方
法の大きな問題点は、PECVD被着中に、エレクトロ
ルミネセンス有機デバイスに対する照射破損の可能性が
高いことである。
【0006】現在、エレクトロルミネセンス有機デバイ
スを気密封止する比較的安価で便利な方法を考案する必
要がある。
【0007】本発明の目的は、新規な改善されたパッシ
ベーション化エレクトロルミネセンス有機デバイスおよ
びパッシベーション方法を提供することである。
【0008】本発明の別の目的は、実施するのが比較的
便利で安価な、エレクトロルミネセンス有機デバイスを
パッシベーション化する新規な改善された方法を提供す
ることである。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記の問題等は、支持基
板上に配置されたエレクトロルミネセンス有機デバイス
をパッシベーション化する方法において、少なくとも部
分的に解決され、上記の目的等は実現され、この方法
は、アレイを構成する個別のピクセルを安定金属でオー
バコーティングあるいはキャッピングする段階と、キャ
ッピングされたピクセルを有機材料のバッファ層でオー
バコーティングする段階と、このバッファ層上に熱係数
整合層(thermal coefficient matching layer)を被着さ
せる段階と、熱係数整合層上に低浸透率非有機層を被着
させる段階と、非有機層上に封止層を被着させて、LE
Dディスプレイ領域全体を封入する段階とによって構成
される。
【0010】好適な実施例では、ピクセルを安定金属で
オーバコーティングまたはキャッピングすることは、イ
ンジウム(In)の層でキャッピングすることを含み、
バッファ層は、有機ポリマ層または有機金属錯体層のう
ち一方を含み、熱係数整合層は、ゲッタリング材料とし
て機能する活性金属であり、非有機層は、アルミニウム
(Al)またはインジウム(In)などの安定金属のう
ち一つを含み、LEDの封止は、エポキシ封入体または
ポリマ・ラミネート・アルミニウム・フォイルのうち一
方で行われる。
【0011】
【実施例】同様な参照文字は図面を通じて同様な部分を
表している図面を参照して、図1ないし図3は本発明に
よるパッシベーション方法における段階を示す、有機L
EDアレイの簡略断面図である。
【0012】特に図1を参照して、基板10が示され、
この基板10は、この特定の実施例では、ガラス,石
英,透明な半導体材料など、光学的に透明な材料であ
る。有機発光デバイス(LED)のピクセルのアレイ1
1は、一般にエレクトロルミネセンス有機LEDの各製
造方法のいずれかにおいてアレイ11を基板10上に直
接作成することによって、基板10上に配置される。特
定の例として、アレイ11は、酸化インジウム錫(IT
O:indium-tin-oxide)などの導電材料の透明層12
と、その上に配置された有機エレクトロルミネセンス媒
体などの活性有機媒体13と、低仕事関数金属の薄層を
含む金属層からなるカソード14とを含む。前述のよう
に、有機LEDのアレイと、特に低仕事関数金属の層
は、周辺環境における酸素および湿気に弱く、そのた
め、信頼性およびしかるべき寿命を提供するためにはパ
ッシベーション化しなければならない。
【0013】本発明によるアレイ11のパッシベーショ
ンにおける第1および第2段階を図2に示す。第1段階
として、アレイ11を構成する個別のピクセルは、イン
ジウム(In)などの安定金属20の層でキャッピング
またはオーバコーティングされる。このキャッピングま
たはオーバコーティングは、アレイ11を構成する個別
ピクセルの初期保護コーティングとして機能する。
【0014】次に、安定金属20の層によってキャッピ
ングされたアレイ11は、一般にアレイ11の特性の少
なくとも一部を封入系に整合させるように設計されたバ
ッファ系でオーバコーティングされる。バッファ系は、
以前のおよび/または以降に被着される層を整合するた
めに特に選択された材料の一つまたはそれ以上の層を含
むことができる。この特定の例では、バッファ系は、有
機材料のバッファ層22を含み、この層22は、以降の
プロセス工程および材料からアレイ11をさらに保護す
べく一般に機能する。さらに、バッファ層22は、酸素
および湿気に対する拡散障壁として機能する。一例とし
て、バッファ層22は、有機ポリマまたは有機金属錯体
のいずれでもよい。便宜的に利用できる典型的な有機ポ
リマには、パリレン(parylene)などがある。これらのポ
リマは、モノマーの熱蒸発中に形成できるので、便利で
ある。溶媒は必要なく、そのためパッシベーション・プ
ロセスには最小限しか、あるいは全く異物混入がなく、
それによりアレイ11の信頼性および寿命は増加する。
【0015】これらのポリマ(すなわち、パリレンな
ど)は、アレイ11の熱膨張係数(CTE)に近い、低
いCTEを有し、そのため熱サイクル中にほとんどある
いは全く応力が生じない。また、これらのポリマはとも
に低い誘電率と、酸素および湿気に対する低い浸透率と
を有する。一般に、バッファ層22の厚さは、利用され
る材料の種類と、残りの層の厚さとに依存する。ただ
し、バッファ層22がパリレンからなると仮定すると、
約0.5〜2.0ミルの範囲の厚さを有する層は、所望
の機能を実行するために十分な厚さであるべきである。
【0016】有機ポリマではなく有機金属錯体を内蔵す
る例では、トリス(8−クイノリノラト)アルミニウム
(Alq)(tris (8-quinolinolato)aluminum)などの層
がアレイ11上に被着される。多くのエレクトロルミネ
センス有機デバイスは活性層においてAlqを(エミッ
タおよび/または電子伝達材料として)利用するので、
この材料はアレイ11に対して固有に整合でき、追加材
料および装置を必要とせずに、バッファ層22をアレイ
11に追加するのが便利である。当業者に理解されるよ
うに、エレクトロルミネセンス有機デバイスの特定のア
レイの活性層で利用される他の材料は、バッファ層22
で利用できる。また、バッファ層22は、特定の用途で
必要ならば、異なる有機材料の一つまたはそれ以上のサ
ブ層を含むことができる。
【0017】本発明によるアレイ11のパッシベーショ
ンにおける第3および第4段階を図3に示す。バッファ
層22は、バッファ系における第2層である熱係数整合
層24によって被覆またはコーティングされる。パッシ
ベーション・プロセスにおける次の段階で、熱係数整合
層24は、概して図3に示されるように、低浸透率非有
機層26でコーティングまたは被覆される。熱係数整合
層24は、非有機層26のCTEを整合させるため、バ
ッファ系に一般に含まれる。熱係数整合層24は、バッ
ファ層22のCTEを部分的に整合させて、熱サイクル
による熱応力を低減するため、非有機層26よりも低い
CTEを有する。
【0018】熱係数整合層24および非有機層26の典
型的な例を以下に示す。リチウム(Li)またはマグネ
シウム(Mg)などの活性金属は、熱係数整合層24と
して利用され、非有機層内にトラップされたガスを吸収
するゲッタリング材料として機能する。若干異なる実施
例では、二酸化シリコン(SiO2 )、もしくはリチウ
ム(Li)またはマグネシウム(Mg)などの低仕事関
数金属は、熱係数整合層24として用いられる。アルミ
ニウム(Al)またはインジウム(In)のうち一つな
どの安定金属は、非有機層26として用いられる。
【0019】熱係数整合層24は、機能の組み合わせを
提供するため、一つまたはそれ以上の上記または同様な
材料のサブ層を含むことができることに理解されたい。
また、熱係数整合層24および非有機層26の厚さは、
一般に組み合わせると、約0.05〜10ミクロンの範
囲であるが、所望の機能を実行するために十分な厚さで
あるべきである。複数のサブ層を利用する場合、全体的
な厚さは一般に単一層の厚さにほぼ等しい。
【0020】従って、インジウム(In)などの安定金
属の初期オーバコーティング層20はアレイ11をプロ
セスの以降の工程から保護する働きをする。バッファ層
22は拡散層として機能し、アレイ11を酸素および湿
気から保護し、また以降の層のCTEを整合させるのを
助ける。熱係数整合層24は、バッファ層22のCTE
を非有機層26に整合させる働きをし、周辺酸素および
湿気に対するゲッタリング材料を含む。また、各連続し
た層は、一般に、直前の層よりも低い浸透率を有し、そ
のため構造全体は、非有機材料の層で単純に封入された
従来の構造に比べて、浸透に対する抵抗が良好である。
【0021】アレイ11は、エポキシ封入体またはポリ
マ・ラミネート・アルミニウム・フォイルの層によって
最終的に封止される。図4に示すのは、好適なパッシベ
ーション化エレクトロルミネセンス有機デバイスの実施
例であり、ここで有機LEDアレイ11は、エポキシ封
入体28によって封止される。別の実施例における有機
LEDアレイ11は、図5に示すように、ポリマ・ラミ
ネート・アルミニウム・フォイル30で封止される。バ
ッファ層22および全体を通じた熱係数整合のため、ア
レイ11は、封入工程や、完成品の熱サイクルによっ
て、破損したり、劣化したりあるいは損なわれることが
ない。さらに、本発明は、従来の方法およびデバイスに
比べて製造しやすいプロセスを含む。
【0022】以上、本発明の特定の実施例について図説
してきたが、更なる修正および改善は当業者に想起され
る。従って、本発明は図示の特定の形式に制限されず、
特許請求の範囲は本発明の精神および範囲から逸脱しな
い一切の修正を網羅するものとする。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるパッシベーション方法における段
階を示す、有機LEDアレイの簡略断面図である。
【図2】本発明によるパッシベーション方法における段
階を示す、有機LEDアレイの簡略断面図である。
【図3】本発明によるパッシベーション方法における段
階を示す、有機LEDアレイの簡略断面図である。
【図4】デバイスを封止するエポキシ封入体を示す、本
発明による有機LEDデバイスの実施例である。
【図5】デバイスを封止するポリマ・ラミネート・アル
ミニウム・フォイルを示す、本発明による有機LEDデ
バイスの実施例である。
【符号の説明】
10 基板 11 アレイ 12 透明層 13 活性有機媒体 14 カソード 20 安定金属 22 バッファ層 24 熱係数整合層 26 低浸透率非有機層 28 エポキシ封入体 30 ポリマ・ラミネート・アルミニウム・フォイル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トーマス・ビー・ハーベイ、ザ・サード アメリカ合衆国アリゾナ州スコッツデー ル、ノース・80ス・ウェイ8919

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 有機デバイスをパッシベーション化する
    方法であって:複数のピクセルを画定する支持基板上に
    有機デバイス(11)を設ける段階;前記複数のピクセ
    ルを安定金属(20)の層でキャッピングする段階;前
    記安定金属(20)によってキャッピングされた前記有
    機デバイス(11)の前記ピクセルを、前記安定金属の
    層上に配置された有機金属のバッファ層(22)を含む
    バッファ系(22,24)でオーバコーティングする段
    階;前記バッファ系(22,24)上に低浸透率非有機
    層(26)を被着させる段階;および前記有機デバイス
    (11)を封止する段階;によって構成されることを特
    徴とする方法。
  2. 【請求項2】 有機デバイスをパッシベーション化する
    方法であって:複数のピクセルを画定する支持基板上に
    有機LEDのアレイ(11)を設ける段階;前記複数の
    ピクセルを安定金属(20)の層でオーバコーティング
    する段階;前記安定金属(20)の層を、有機ポリマま
    たは有機金属錯体のうち一方のバッファ層(22)でオ
    ーバコーティングする段階;仕事関数の低いゲッタリン
    グ金属の熱係数整合層(24)を前記バッファ層(2
    2)上に被着させる段階;安定金属の低浸透率非有機層
    (26)を前記熱係数整合層(24)上に被着させる段
    階;およびエポキシ封入体(28)またはポリマ・ラミ
    ネート・アルミニウム・フォイル(30)の少なくとも
    一方で前記有機デバイスを封止する段階;によって構成
    されることを特徴とする方法。
  3. 【請求項3】 パッシベーション化有機デバイスであっ
    て:複数のピクセルを画定する支持基板(10)上の有
    機デバイス(11);前記複数のピクセルをキャッピン
    グする、安定金属のオーバコーティング層(20);前
    記安定金属の層を被覆する有機材料のオーバコーティン
    グ層(22)を含み、前記ピクセルをキャッピングす
    る、バッファ系(22,24);前記バッファ系上に配
    置された低浸透率非有機層(26);および前記非有機
    層(26)上に配置された封止層(28,30);によ
    って構成されることを特徴とするパッシベーション化有
    機デバイス。
  4. 【請求項4】 パッシベーション化有機デバイスであっ
    て:支持基板(10)上に配置され、複数のピクセルを
    画定する有機LEDのアレイ(11);前記有機デバイ
    ス(11)の前記複数のピクセルをオーバコーティング
    する安定金属の層(20);前記安定金属の層をオーバ
    コーティングする、有機ポリマまたは有機金属錯体のう
    ち一方のバッファ層(22);前記バッファ層(22)
    上に配置された、活性金属の熱係数整合層(24);前
    記熱係数整合層(24)上に配置された、安定金属の低
    浸透率非有機層(26);および前記低浸透率非有機層
    (26)上に配置された、エポキシ封入体(28)また
    はポリマ・ラミネート・アルミニウム・フォイル(3
    0)のうち少なくとも一方の封止層;によって構成され
    ることを特徴とするパッシベーション化有機デバイス。
  5. 【請求項5】 パッシベーション化有機デバイスであっ
    て:支持基板上に配置され、複数のピクセルを画定する
    有機LEDのアレイ;前記複数のピクセルをオーバコー
    ティングする安定金属の層;前記安定金属をオーバコー
    ティングする、有機ポリマまたは有機金属錯体のうち一
    方のバッファ層;前記バッファ層上に配置された、仕事
    関数の低いゲッタリング金属の熱係数整合層;前記熱係
    数整合層上に配置された、安定金属の低浸透率非有機
    層;および前記低浸透率非有機層上に配置された、エポ
    キシ封入体またはポリマ・ラミネート・アルミニウム・
    フォイルのうち少なくとも一方の封止層;によって構成
    されることを特徴とするパッシベーション化有機デバイ
    ス。
JP33490696A 1995-11-30 1996-11-29 エレクトロルミネセンス有機デバイスのパッシベーション方法 Expired - Fee Related JP3947586B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/565,123 US5811177A (en) 1995-11-30 1995-11-30 Passivation of electroluminescent organic devices
US565123 1995-11-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09185994A true JPH09185994A (ja) 1997-07-15
JP3947586B2 JP3947586B2 (ja) 2007-07-25

Family

ID=24257298

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33490696A Expired - Fee Related JP3947586B2 (ja) 1995-11-30 1996-11-29 エレクトロルミネセンス有機デバイスのパッシベーション方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5811177A (ja)
EP (1) EP0777281B1 (ja)
JP (1) JP3947586B2 (ja)
KR (1) KR100423376B1 (ja)
DE (1) DE69613945T2 (ja)
TW (1) TW395063B (ja)

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000058258A (ja) * 1998-07-30 2000-02-25 Hewlett Packard Co <Hp> 有機電界発光デバイス用浸透バリヤ―
JP2001307873A (ja) * 2000-04-21 2001-11-02 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法
JP2002184569A (ja) * 2000-10-03 2002-06-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US6525339B2 (en) 1999-12-16 2003-02-25 Nec Corporation Organic electroluminescent element
KR20040013221A (ko) * 2002-08-05 2004-02-14 주식회사 래도 세그먼트 디스플레이 구조
JP2005510851A (ja) * 2001-11-28 2005-04-21 エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ 有機発光ダイオード(oled)
JP2007066580A (ja) * 2005-08-29 2007-03-15 Toyota Industries Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
KR100722941B1 (ko) * 2005-01-17 2007-05-30 세이코 엡슨 가부시키가이샤 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 전자 기기
JP2007157606A (ja) * 2005-12-08 2007-06-21 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器
KR100819413B1 (ko) * 2005-11-22 2008-04-07 세이코 엡슨 가부시키가이샤 발광 장치 및 전자 기기
KR100843181B1 (ko) * 2005-11-22 2008-07-02 세이코 엡슨 가부시키가이샤 발광 장치 및 전자 기기
JP2008251292A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Fujifilm Corp 有機el発光装置
US7452738B2 (en) 2004-10-22 2008-11-18 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing organic electroluminescent device and organic electroluminescent device
JP2009295601A (ja) * 2009-09-25 2009-12-17 Casio Comput Co Ltd 封止構造
US7667395B2 (en) 2005-01-17 2010-02-23 Seiko Epson Corporation Light emitting device, method of manufacturing light emitting device, and electronic apparatus
JP2010147023A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光装置及びその製造方法
US7986096B2 (en) 2006-06-14 2011-07-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device with minimized infiltration of oxygen and moisture and manufacturing method thereof
KR101234335B1 (ko) * 2011-11-08 2013-02-18 포항공과대학교 산학협력단 유기전자소자의 봉지방법, 봉지된 유기전자소자 및 봉합재
KR101458899B1 (ko) * 2007-03-28 2014-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2018061237A1 (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 パイオニア株式会社 発光装置

Families Citing this family (197)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11510647A (ja) * 1996-05-28 1999-09-14 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
US5952778A (en) * 1997-03-18 1999-09-14 International Business Machines Corporation Encapsulated organic light emitting device
JP3290375B2 (ja) * 1997-05-12 2002-06-10 松下電器産業株式会社 有機電界発光素子
US6069443A (en) * 1997-06-23 2000-05-30 Fed Corporation Passive matrix OLED display
WO1999003309A1 (en) * 1997-07-11 1999-01-21 Fed Corporation An electrode structure for high resolution organic light-emitting diode displays and method for making the same
US6016033A (en) * 1997-07-11 2000-01-18 Fed Corporation Electrode structure for high resolution organic light-emitting diode displays and method for making the same
US6224948B1 (en) 1997-09-29 2001-05-01 Battelle Memorial Institute Plasma enhanced chemical deposition with low vapor pressure compounds
KR100249784B1 (ko) * 1997-11-20 2000-04-01 정선종 고분자복합막을이용한유기물혹은고분자전기발광소자의패키징방법
DE69831243T2 (de) 1998-10-13 2006-08-10 Sony Deutschland Gmbh Herstellungsverfahren einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix
US7126161B2 (en) 1998-10-13 2006-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having El layer and sealing material
JP2000195670A (ja) * 1998-10-20 2000-07-14 Rohm Co Ltd 有機el素子
CA2353506A1 (en) 1998-11-02 2000-05-11 3M Innovative Properties Company Transparent conductive oxides for plastic flat panel displays
US6274887B1 (en) * 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US7141821B1 (en) 1998-11-10 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an impurity gradient in the impurity regions and method of manufacture
US7022556B1 (en) 1998-11-11 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Exposure device, exposure method and method of manufacturing semiconductor device
US6277679B1 (en) 1998-11-25 2001-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing thin film transistor
US6268695B1 (en) 1998-12-16 2001-07-31 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
US6228434B1 (en) 1998-12-16 2001-05-08 Battelle Memorial Institute Method of making a conformal coating of a microtextured surface
EP1145338B1 (en) 1998-12-16 2012-12-05 Samsung Display Co., Ltd. Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
US6274204B1 (en) 1998-12-16 2001-08-14 Battelle Memorial Institute Method of making non-linear optical polymer
US6228436B1 (en) * 1998-12-16 2001-05-08 Battelle Memorial Institute Method of making light emitting polymer composite material
US6207238B1 (en) * 1998-12-16 2001-03-27 Battelle Memorial Institute Plasma enhanced chemical deposition for high and/or low index of refraction polymers
US6217947B1 (en) 1998-12-16 2001-04-17 Battelle Memorial Institute Plasma enhanced polymer deposition onto fixtures
US6207239B1 (en) 1998-12-16 2001-03-27 Battelle Memorial Institute Plasma enhanced chemical deposition of conjugated polymer
CN1150639C (zh) * 1998-12-17 2004-05-19 剑桥显示技术有限公司 有机发光装置
JP3817081B2 (ja) * 1999-01-29 2006-08-30 パイオニア株式会社 有機el素子の製造方法
US7697052B1 (en) 1999-02-17 2010-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic view finder utilizing an organic electroluminescence display
US6358570B1 (en) 1999-03-31 2002-03-19 Battelle Memorial Institute Vacuum deposition and curing of oligomers and resins
US6506461B2 (en) 1999-03-31 2003-01-14 Battelle Memorial Institute Methods for making polyurethanes as thin films
JP2000294369A (ja) * 1999-04-05 2000-10-20 Chisso Corp 有機el素子
IL145317A0 (en) * 1999-04-28 2002-06-30 Du Pont Flexible organic electronic device with improved resistance to oxygen and moisture degradation
US6383664B2 (en) 1999-05-11 2002-05-07 The Dow Chemical Company Electroluminescent or photocell device having protective packaging
US7091605B2 (en) * 2001-09-21 2006-08-15 Eastman Kodak Company Highly moisture-sensitive electronic device element and method for fabrication
US6680487B1 (en) 1999-05-14 2004-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor comprising a TFT provided on a substrate having an insulating surface and method of fabricating the same
US7288420B1 (en) 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
TW527735B (en) 1999-06-04 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
US8853696B1 (en) 1999-06-04 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
TW522453B (en) * 1999-09-17 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Display device
JP3942770B2 (ja) * 1999-09-22 2007-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 El表示装置及び電子装置
TW480722B (en) * 1999-10-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of electro-optical device
US20100330748A1 (en) 1999-10-25 2010-12-30 Xi Chu Method of encapsulating an environmentally sensitive device
US6573652B1 (en) * 1999-10-25 2003-06-03 Battelle Memorial Institute Encapsulated display devices
US6548912B1 (en) * 1999-10-25 2003-04-15 Battelle Memorial Institute Semicoductor passivation using barrier coatings
US6866901B2 (en) * 1999-10-25 2005-03-15 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US7198832B2 (en) 1999-10-25 2007-04-03 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6623861B2 (en) * 2001-04-16 2003-09-23 Battelle Memorial Institute Multilayer plastic substrates
US6413645B1 (en) 2000-04-20 2002-07-02 Battelle Memorial Institute Ultrabarrier substrates
US6587086B1 (en) * 1999-10-26 2003-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
KR100720066B1 (ko) 1999-11-09 2007-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 제작방법
US6646287B1 (en) 1999-11-19 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with tapered gate and insulating film
US7394153B2 (en) * 1999-12-17 2008-07-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation of electronic devices
JP2003517182A (ja) * 1999-12-17 2003-05-20 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 有機ledデバイスのカプセル封じ
US20010053559A1 (en) * 2000-01-25 2001-12-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating display device
TWI226205B (en) * 2000-03-27 2005-01-01 Semiconductor Energy Lab Self-light emitting device and method of manufacturing the same
US6492026B1 (en) 2000-04-20 2002-12-10 Battelle Memorial Institute Smoothing and barrier layers on high Tg substrates
US6867539B1 (en) * 2000-07-12 2005-03-15 3M Innovative Properties Company Encapsulated organic electronic devices and method for making same
US6605826B2 (en) 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
SG125891A1 (en) * 2000-09-08 2006-10-30 Semiconductor Energy Lab Light emitting device, method of manufacturing thesame, and thin film forming apparatus
US6924594B2 (en) * 2000-10-03 2005-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7495390B2 (en) * 2000-12-23 2009-02-24 Lg Display Co., Ltd. Electro-luminescence device with improved thermal conductivity
US7222981B2 (en) * 2001-02-15 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device
US6822391B2 (en) * 2001-02-21 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, electronic equipment, and method of manufacturing thereof
TW493358B (en) * 2001-06-14 2002-07-01 Ritdisplay Corp Package method and apparatus of organic light-emitting diode display device
US6692326B2 (en) 2001-06-16 2004-02-17 Cld, Inc. Method of making organic electroluminescent display
US7294517B2 (en) * 2001-06-18 2007-11-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of fabricating the same
US7211828B2 (en) 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
TW548860B (en) * 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
TW546857B (en) * 2001-07-03 2003-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
US6664730B2 (en) 2001-07-09 2003-12-16 Universal Display Corporation Electrode structure of el device
US7469558B2 (en) 2001-07-10 2008-12-30 Springworks, Llc As-deposited planar optical waveguides with low scattering loss and methods for their manufacture
US8415208B2 (en) * 2001-07-16 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
TW490868B (en) * 2001-08-10 2002-06-11 Ritdisplay Corp Method for forming a waterproof layer of organic light emitting device
US7351300B2 (en) 2001-08-22 2008-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
JP4166455B2 (ja) * 2001-10-01 2008-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 偏光フィルム及び発光装置
JP4019690B2 (ja) * 2001-11-02 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
US7404877B2 (en) 2001-11-09 2008-07-29 Springworks, Llc Low temperature zirconia based thermal barrier layer by PVD
US6589675B2 (en) * 2001-11-13 2003-07-08 Kuan-Chang Peng Organic electro-luminescence device
JP4010394B2 (ja) * 2001-12-14 2007-11-21 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセント素子
JP3865056B2 (ja) 2002-01-22 2007-01-10 セイコーエプソン株式会社 封止用基板の製造方法
US6884327B2 (en) 2002-03-16 2005-04-26 Tao Pan Mode size converter for a planar waveguide
US7378356B2 (en) 2002-03-16 2008-05-27 Springworks, Llc Biased pulse DC reactive sputtering of oxide films
US8808457B2 (en) 2002-04-15 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US8900366B2 (en) 2002-04-15 2014-12-02 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
JP2003323973A (ja) * 2002-04-26 2003-11-14 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
TWI254591B (en) 2002-05-07 2006-05-01 Au Optronics Corp Organic electroluminescence device
KR100447499B1 (ko) * 2002-05-07 2004-09-07 주식회사 엘리아테크 유기 전계 발광 디스플레이 및 그의 제조방법
US7164155B2 (en) * 2002-05-15 2007-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7230271B2 (en) 2002-06-11 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof
TWI283914B (en) * 2002-07-25 2007-07-11 Toppoly Optoelectronics Corp Passivation structure
US6734625B2 (en) * 2002-07-30 2004-05-11 Xerox Corporation Organic light emitting device (OLED) with multiple capping layers passivation region on an electrode
US20070264564A1 (en) 2006-03-16 2007-11-15 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof
US8431264B2 (en) 2002-08-09 2013-04-30 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
US8021778B2 (en) 2002-08-09 2011-09-20 Infinite Power Solutions, Inc. Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
US8445130B2 (en) 2002-08-09 2013-05-21 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
US8404376B2 (en) 2002-08-09 2013-03-26 Infinite Power Solutions, Inc. Metal film encapsulation
US8236443B2 (en) 2002-08-09 2012-08-07 Infinite Power Solutions, Inc. Metal film encapsulation
US8394522B2 (en) 2002-08-09 2013-03-12 Infinite Power Solutions, Inc. Robust metal film encapsulation
US7993773B2 (en) 2002-08-09 2011-08-09 Infinite Power Solutions, Inc. Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
AU2003261463A1 (en) 2002-08-27 2004-03-19 Symmorphix, Inc. Optically coupling into highly uniform waveguides
KR100885843B1 (ko) * 2002-08-31 2009-02-27 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법
TWI236862B (en) * 2002-09-03 2005-07-21 Au Optronics Corp Package for OLED device
US6887733B2 (en) * 2002-09-11 2005-05-03 Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd Method of fabricating electronic devices
US20040048033A1 (en) * 2002-09-11 2004-03-11 Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd. Oled devices with improved encapsulation
US7224116B2 (en) * 2002-09-11 2007-05-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation of active electronic devices
US7193364B2 (en) * 2002-09-12 2007-03-20 Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd Encapsulation for organic devices
TWI232693B (en) * 2002-10-24 2005-05-11 Toppoly Optoelectronics Corp Hygroscopic passivation structure of an organic electroluminescent display
US6869698B2 (en) * 2002-12-04 2005-03-22 Canon Kabushiki Kaisha Organic light-emitting device using paracyclophane
US7710019B2 (en) 2002-12-11 2010-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting diode display comprising auxiliary electrodes
TW582186B (en) * 2003-01-29 2004-04-01 Au Optronics Corp Method of fabricating organic light emitting display with passivation structure
CN1756856B (zh) 2003-02-27 2011-10-12 希莫菲克斯公司 电介质阻挡层膜
US7365442B2 (en) * 2003-03-31 2008-04-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation of thin-film electronic devices
US7746600B2 (en) * 2003-04-08 2010-06-29 Seagate Technology Llc Encapsulant for a disc drive component
US20070042154A1 (en) * 2003-04-08 2007-02-22 Seagate Technology Llc Self-assembled monolayer enhanced DLC coatings
US6930861B2 (en) 2003-04-08 2005-08-16 Seagate Technology Llc Encapsulant for microactuator suspension
US7510913B2 (en) 2003-04-11 2009-03-31 Vitex Systems, Inc. Method of making an encapsulated plasma sensitive device
US7648925B2 (en) 2003-04-11 2010-01-19 Vitex Systems, Inc. Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks
US7238628B2 (en) 2003-05-23 2007-07-03 Symmorphix, Inc. Energy conversion and storage films and devices by physical vapor deposition of titanium and titanium oxides and sub-oxides
US8728285B2 (en) 2003-05-23 2014-05-20 Demaray, Llc Transparent conductive oxides
US20040238846A1 (en) * 2003-05-30 2004-12-02 Georg Wittmann Organic electronic device
KR100544121B1 (ko) * 2003-07-19 2006-01-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광표시장치
JP4479381B2 (ja) * 2003-09-24 2010-06-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP2005123012A (ja) * 2003-10-16 2005-05-12 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネセンス表示パネルとその製造方法
JP3794407B2 (ja) * 2003-11-17 2006-07-05 セイコーエプソン株式会社 マスク及びマスクの製造方法、表示装置の製造方法、有機el表示装置の製造方法、有機el装置、及び電子機器
US7495644B2 (en) * 2003-12-26 2009-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing display device
KR100666550B1 (ko) * 2004-04-07 2007-01-09 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
US7202504B2 (en) * 2004-05-20 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
US7205717B2 (en) 2004-06-24 2007-04-17 Eastman Kodak Company OLED display having thermally conductive material
US7205718B2 (en) 2004-06-24 2007-04-17 Eastman Kodak Company OLED display having thermally conductive adhesive
US7342356B2 (en) * 2004-09-23 2008-03-11 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device having protective structure with boron oxide layer and inorganic barrier layer
US20060063015A1 (en) * 2004-09-23 2006-03-23 3M Innovative Properties Company Protected polymeric film
US7959769B2 (en) 2004-12-08 2011-06-14 Infinite Power Solutions, Inc. Deposition of LiCoO2
US8636876B2 (en) 2004-12-08 2014-01-28 R. Ernest Demaray Deposition of LiCoO2
US20060145599A1 (en) * 2005-01-04 2006-07-06 Reza Stegamat OLEDs with phosphors
KR100770257B1 (ko) * 2005-03-21 2007-10-25 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
US20070020451A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings
US7767498B2 (en) 2005-08-25 2010-08-03 Vitex Systems, Inc. Encapsulated devices and method of making
US7838133B2 (en) 2005-09-02 2010-11-23 Springworks, Llc Deposition of perovskite and other compound ceramic films for dielectric applications
US20070196673A1 (en) * 2006-02-17 2007-08-23 Seagate Technology Llc Lubricative and protective thin film
US20080006819A1 (en) * 2006-06-19 2008-01-10 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings for organic light emitting diode devices
TWI421607B (zh) * 2006-08-24 2014-01-01 Creator Technology Bv 可撓性裝置上的滲透阻障
US8088502B2 (en) 2006-09-20 2012-01-03 Battelle Memorial Institute Nanostructured thin film optical coatings
CN101523571A (zh) 2006-09-29 2009-09-02 无穷动力解决方案股份有限公司 柔性基板上沉积的电池层的掩模和材料限制
US8197781B2 (en) 2006-11-07 2012-06-12 Infinite Power Solutions, Inc. Sputtering target of Li3PO4 and method for producing same
KR101511799B1 (ko) 2006-12-28 2015-04-13 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 박막 금속 층 형성을 위한 핵형성 층
KR100796129B1 (ko) * 2007-01-30 2008-01-21 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
JP5208591B2 (ja) 2007-06-28 2013-06-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、及び照明装置
KR20090042574A (ko) * 2007-10-26 2009-04-30 삼성전자주식회사 반도체 모듈 및 이를 구비하는 전자 장치
KR100977704B1 (ko) * 2007-12-21 2010-08-24 주성엔지니어링(주) 표시소자 및 그 제조방법
KR20150128817A (ko) 2007-12-21 2015-11-18 사푸라스트 리써치 엘엘씨 전해질 막을 위한 표적을 스퍼터링하는 방법
US8268488B2 (en) 2007-12-21 2012-09-18 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film electrolyte for thin film batteries
WO2009089417A1 (en) 2008-01-11 2009-07-16 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film encapsulation for thin film batteries and other devices
KR101672254B1 (ko) 2008-04-02 2016-11-08 사푸라스트 리써치 엘엘씨 에너지 수확과 관련된 에너지 저장 장치를 위한 수동적인 과전압/부족전압 제어 및 보호
KR101563763B1 (ko) * 2008-05-07 2015-10-27 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 전자 장치들 또는 다른 물품들 위의 코팅들에 사용하기 위한 혼성 층들
US8350451B2 (en) 2008-06-05 2013-01-08 3M Innovative Properties Company Ultrathin transparent EMI shielding film comprising a polymer basecoat and crosslinked polymer transparent dielectric layer
EP2319101B1 (en) 2008-08-11 2015-11-04 Sapurast Research LLC Energy device with integral collector surface for electromagnetic energy harvesting and method thereof
EP2332127A4 (en) 2008-09-12 2011-11-09 Infinite Power Solutions Inc ENERGY DEVICE HAVING AN INTEGRATED CONDUCTIVE SURFACE FOR DATA COMMUNICATION VIA ELECTROMAGNETIC ENERGY AND ASSOCIATED METHOD
WO2010042594A1 (en) 2008-10-08 2010-04-15 Infinite Power Solutions, Inc. Environmentally-powered wireless sensor module
EP2178133B1 (en) 2008-10-16 2019-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Flexible Light-Emitting Device, Electronic Device, and Method for Manufacturing Flexible-Light Emitting Device
US9337446B2 (en) 2008-12-22 2016-05-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated RGB OLEDs having enhanced optical output
US9184410B2 (en) 2008-12-22 2015-11-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output
US8219408B2 (en) * 2008-12-29 2012-07-10 Motorola Mobility, Inc. Audio signal decoder and method for producing a scaled reconstructed audio signal
JP5471035B2 (ja) * 2009-05-26 2014-04-16 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の製造方法、および電子機器
US8766269B2 (en) 2009-07-02 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and electronic device
KR101792287B1 (ko) 2009-09-01 2017-10-31 사푸라스트 리써치 엘엘씨 집적된 박막 배터리를 갖는 인쇄 회로 보드
KR101084230B1 (ko) * 2009-11-16 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US8590338B2 (en) 2009-12-31 2013-11-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Evaporator with internal restriction
TWI589042B (zh) * 2010-01-20 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置,撓性發光裝置,電子裝置,照明設備,以及發光裝置和撓性發光裝置的製造方法
US9000442B2 (en) * 2010-01-20 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, flexible light-emitting device, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device and flexible-light emitting device
JP5197666B2 (ja) * 2010-03-23 2013-05-15 株式会社東芝 有機発光装置、照明装置、表示装置及び有機発光装置の製造方法
KR101930561B1 (ko) 2010-06-07 2018-12-18 사푸라스트 리써치 엘엘씨 재충전 가능한 고밀도 전기 화학 장치
TWI540939B (zh) 2010-09-14 2016-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 固態發光元件,發光裝置和照明裝置
JP5827104B2 (ja) 2010-11-19 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置
TWI591871B (zh) 2010-12-16 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置及照明裝置
US8735874B2 (en) 2011-02-14 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, display device, and method for manufacturing the same
KR101922603B1 (ko) 2011-03-04 2018-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 조명 장치, 기판, 기판의 제작 방법
KR20130124844A (ko) * 2012-05-07 2013-11-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102079188B1 (ko) 2012-05-09 2020-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
KR101987683B1 (ko) * 2012-12-28 2019-06-11 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
WO2014129519A1 (en) 2013-02-20 2014-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method, semiconductor device, and peeling apparatus
KR102133433B1 (ko) * 2013-05-24 2020-07-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102047398B1 (ko) * 2013-06-28 2019-11-21 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR20150006727A (ko) * 2013-07-09 2015-01-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102093391B1 (ko) * 2013-07-12 2020-03-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9385342B2 (en) 2013-07-30 2016-07-05 Global Oled Technology Llc Local seal for encapsulation of electro-optical element on a flexible substrate
US9494792B2 (en) 2013-07-30 2016-11-15 Global Oled Technology Llc Local seal for encapsulation of electro-optical element on a flexible substrate
US9287522B2 (en) 2013-07-30 2016-03-15 Global Oled Technology Llc Local seal for encapsulation of electro-optical element on a flexible substrate
CN105793957B (zh) 2013-12-12 2019-05-03 株式会社半导体能源研究所 剥离方法及剥离装置
WO2016084256A1 (ja) * 2014-11-28 2016-06-02 パイオニア株式会社 発光装置
TWI570983B (zh) * 2015-12-24 2017-02-11 群創光電股份有限公司 發光裝置及其製作方法
KR102660937B1 (ko) * 2016-09-29 2024-04-26 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크 곤포체 및 증착 마스크 곤포 방법
CN106711354A (zh) * 2016-12-02 2017-05-24 武汉华星光电技术有限公司 有机半导体器件的封装方法
CN110048017A (zh) * 2019-04-01 2019-07-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示面板的封装方法
US11588137B2 (en) 2019-06-05 2023-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, display device, input/output device, and data processing device
US11659758B2 (en) 2019-07-05 2023-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display unit, display module, and electronic device
CN113994494A (zh) 2019-07-12 2022-01-28 株式会社半导体能源研究所 功能面板、显示装置、输入输出装置、数据处理装置
US11997766B2 (en) 2019-10-11 2024-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, display device, input/output device, and data processing device
DE102021119709A1 (de) * 2021-07-29 2023-02-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Anordnung, verfahren zur montage eines optoelektronischen bauteils und optoelektronisches bauteil

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4317086A (en) * 1979-09-13 1982-02-23 Xerox Corporation Passivation and reflector structure for electroluminescent devices
US4720432A (en) * 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US5059861A (en) * 1990-07-26 1991-10-22 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilizing cathode capping layer
DE69129907T2 (de) * 1990-11-30 1998-12-10 Idemitsu Kosan Co. Ltd., Tokio/Tokyo Organische elektroluminszente vorrichtung
US5652067A (en) * 1992-09-10 1997-07-29 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent device
JPH07169567A (ja) * 1993-12-16 1995-07-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el素子
US5587589A (en) * 1995-03-22 1996-12-24 Motorola Two dimensional organic light emitting diode array for high density information image manifestation apparatus
US5686360A (en) * 1995-11-30 1997-11-11 Motorola Passivation of organic devices

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000058258A (ja) * 1998-07-30 2000-02-25 Hewlett Packard Co <Hp> 有機電界発光デバイス用浸透バリヤ―
US6525339B2 (en) 1999-12-16 2003-02-25 Nec Corporation Organic electroluminescent element
JP2001307873A (ja) * 2000-04-21 2001-11-02 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法
JP2002184569A (ja) * 2000-10-03 2002-06-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2005510851A (ja) * 2001-11-28 2005-04-21 エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ 有機発光ダイオード(oled)
KR20040013221A (ko) * 2002-08-05 2004-02-14 주식회사 래도 세그먼트 디스플레이 구조
US7452738B2 (en) 2004-10-22 2008-11-18 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing organic electroluminescent device and organic electroluminescent device
US7667284B2 (en) 2004-10-22 2010-02-23 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing organic electroluminescent device and organic electroluminescent device
US7956355B2 (en) 2004-10-22 2011-06-07 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing organic electroluminescent device and organic electroluminescent device
US7642715B2 (en) 2005-01-17 2010-01-05 Seiko Epson Corporation Light-emitting device comprising an improved gas barrier layer, method for manufacturing light-emitting device, and electronic apparatus
KR100722941B1 (ko) * 2005-01-17 2007-05-30 세이코 엡슨 가부시키가이샤 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 전자 기기
US7667395B2 (en) 2005-01-17 2010-02-23 Seiko Epson Corporation Light emitting device, method of manufacturing light emitting device, and electronic apparatus
JP2007066580A (ja) * 2005-08-29 2007-03-15 Toyota Industries Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
KR100843181B1 (ko) * 2005-11-22 2008-07-02 세이코 엡슨 가부시키가이샤 발광 장치 및 전자 기기
USRE43442E1 (en) 2005-11-22 2012-06-05 Seiko Epson Corporation Light-emitting device and electronic apparatus
KR100819413B1 (ko) * 2005-11-22 2008-04-07 세이코 엡슨 가부시키가이샤 발광 장치 및 전자 기기
US7538354B2 (en) 2005-11-22 2009-05-26 Seiko Epson Corporation Light-emitting device and electronic apparatus
US7898165B2 (en) 2005-11-22 2011-03-01 Seiko Epson Corporation Light-emitting device and electronic apparatus
US7741769B2 (en) 2005-11-22 2010-06-22 Seiko Epson Corporation Light-emitting device for sealing light-emitting elements and electronic apparatus
JP2007157606A (ja) * 2005-12-08 2007-06-21 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器
US8164258B2 (en) 2005-12-08 2012-04-24 Seiko Epson Corporation Emissive device having a layer that relieves external forces on adjacent layer, process for producing the emissive device and an electronic apparatus including the emissive device
US7986096B2 (en) 2006-06-14 2011-07-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device with minimized infiltration of oxygen and moisture and manufacturing method thereof
KR101458899B1 (ko) * 2007-03-28 2014-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2008251292A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Fujifilm Corp 有機el発光装置
JP2010147023A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光装置及びその製造方法
US8049245B2 (en) 2008-12-17 2011-11-01 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting apparatus and method of manufacturing the same
JP2009295601A (ja) * 2009-09-25 2009-12-17 Casio Comput Co Ltd 封止構造
KR101234335B1 (ko) * 2011-11-08 2013-02-18 포항공과대학교 산학협력단 유기전자소자의 봉지방법, 봉지된 유기전자소자 및 봉합재
WO2013069891A1 (ko) * 2011-11-08 2013-05-16 포항공과대학교 산학협력단 유기전자소자의 봉지방법, 봉지된 유기전자소자 및 봉합재
WO2018061237A1 (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 パイオニア株式会社 発光装置
JPWO2018061237A1 (ja) * 2016-09-30 2019-07-11 パイオニア株式会社 発光装置
US11056673B2 (en) 2016-09-30 2021-07-06 Pioneer Corporation Light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
EP0777281B1 (en) 2001-07-18
JP3947586B2 (ja) 2007-07-25
KR970030950A (ko) 1997-06-26
DE69613945D1 (de) 2001-08-23
EP0777281A3 (en) 1997-09-03
EP0777281A2 (en) 1997-06-04
KR100423376B1 (ko) 2004-07-31
US5811177A (en) 1998-09-22
TW395063B (en) 2000-06-21
DE69613945T2 (de) 2002-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3947586B2 (ja) エレクトロルミネセンス有機デバイスのパッシベーション方法
JP3579556B2 (ja) 有機デバイスのパッシベーション
EP0741419B1 (en) Passivation of organic devices
US5731661A (en) Passivation of electroluminescent organic devices
US7002294B2 (en) Method of protecting organic optoelectronic devices
US6897474B2 (en) Protected organic electronic devices and methods for making the same
US20030197197A1 (en) Organic electronic devices with pressure sensitive adhesive layer
US6537688B2 (en) Adhesive sealed organic optoelectronic structures
US6994906B2 (en) Flexible substrates for organic devices
US6198220B1 (en) Sealing structure for organic light emitting devices
US7226333B2 (en) Method of manufacturing an organic electroluminescent display device
US20050023974A1 (en) Protected organic electronic devices and methods for making the same
CN102106018B (zh) 发射辐射的装置和用于制造发射辐射的装置的方法
EP1278244A2 (en) Panel display device and method for forming protective layer within the same
JPH10312883A (ja) 有機電界発光素子
WO2005119808A2 (en) Protected organic electronic devices and methods for making the same
JP2012504304A (ja) 有機光電子装置及び前記装置をカプセル化する方法
US7030557B2 (en) Display device with passivation structure
US6103541A (en) Encapsulation method of an organic electroluminescent device
JP2007059407A (ja) 有機電界発光表示装置およびこれに備えられる有機薄膜トランジスタ
TWI276231B (en) Organic light-emitting diode with drying film and method for manufacturing thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060421

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20060720

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20060725

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061023

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061205

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070305

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070329

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070416

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110420

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120420

Year of fee payment: 5

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120420

Year of fee payment: 5

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120420

Year of fee payment: 5

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120420

Year of fee payment: 5

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120420

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130420

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130420

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140420

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees