JPH09186062A - 荷電粒子ビームによる位置検出方法 - Google Patents
荷電粒子ビームによる位置検出方法Info
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- JPH09186062A JPH09186062A JP7343829A JP34382995A JPH09186062A JP H09186062 A JPH09186062 A JP H09186062A JP 7343829 A JP7343829 A JP 7343829A JP 34382995 A JP34382995 A JP 34382995A JP H09186062 A JPH09186062 A JP H09186062A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＤＡ変換器の精度に無関係に、精度良くマー
ク位置やビーム位置の検出を行うことができる荷電粒子
ビームによる位置検出方法を実現する。 【解決手段】 マーク部材１８を横切っての電子ビーム
ＥＢの多数回の走査を複数回行い、各多数回走査ごとに
電子ビーム光軸Ｏとマーク部材１８との間の距離を変更
させるようにし、各多数回走査に基づいて得られた複数
の位置信号を平均化してＤＡ変換器１６の精度によら
ず、正確な位置検出を行う。
ク位置やビーム位置の検出を行うことができる荷電粒子
ビームによる位置検出方法を実現する。 【解決手段】 マーク部材１８を横切っての電子ビーム
ＥＢの多数回の走査を複数回行い、各多数回走査ごとに
電子ビーム光軸Ｏとマーク部材１８との間の距離を変更
させるようにし、各多数回走査に基づいて得られた複数
の位置信号を平均化してＤＡ変換器１６の精度によら
ず、正確な位置検出を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、電子ビーム描画装置や
イオンビーム装置などの荷電粒子ビームを用いた装置に
おける荷電粒子ビームによるマーク等の位置検出方法に
関する。
イオンビーム装置などの荷電粒子ビームを用いた装置に
おける荷電粒子ビームによるマーク等の位置検出方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、電子ビーム描画装置では、実際
の描画動作に先だって、描画に用いる電子ビームのサイ
ズや位置、あるいは、電子ビームのフォーカスの状態を
測定し、その測定結果に基づいて電子ビームの調整を行
っている。図１はこのような電子ビームの測定に用いら
れる装置の一例を示しており、１は測定される電子ビー
ムである。電子ビーム１は図示していないが、２枚の矩
形スリットと、２枚の矩形スリットの間に設けられた偏
向器によって断面が矩形に形成されている。
の描画動作に先だって、描画に用いる電子ビームのサイ
ズや位置、あるいは、電子ビームのフォーカスの状態を
測定し、その測定結果に基づいて電子ビームの調整を行
っている。図１はこのような電子ビームの測定に用いら
れる装置の一例を示しており、１は測定される電子ビー
ムである。電子ビーム１は図示していないが、２枚の矩
形スリットと、２枚の矩形スリットの間に設けられた偏
向器によって断面が矩形に形成されている。
【０００３】電子ビーム１は、最終段レンズ２によって
集束され、更に、静電偏向器３によって偏向を受ける。
偏向器３の下部には、ナイフエッジ部材４が配置されて
いるが、ナイフエッジ部材４は矩形の開口が設けられて
おり、その各内側は薄く直線状に形成されている。ナイ
フエッジ部材４の下部には、散乱された電子ビームをカ
ットするアパーチャ５が設けられ、更にその下部には、
電子ビームの電流量を検出するファラデーカップ６が配
置されている。
集束され、更に、静電偏向器３によって偏向を受ける。
偏向器３の下部には、ナイフエッジ部材４が配置されて
いるが、ナイフエッジ部材４は矩形の開口が設けられて
おり、その各内側は薄く直線状に形成されている。ナイ
フエッジ部材４の下部には、散乱された電子ビームをカ
ットするアパーチャ５が設けられ、更にその下部には、
電子ビームの電流量を検出するファラデーカップ６が配
置されている。
【０００４】上記の構成で、偏向器２に図２（ａ）に示
す鋸歯状の偏向信号を印加すると、矩形の電子ビーム１
は、Ｘ方向に偏向を受ける。電子ビームの偏向により、
電子ビームは徐々にナイフエッジ部材４によって遮蔽さ
れ、ファラデーカップ６に入射する電子ビームの量は減
少する。電子ビーム１がナイフエッジ部材４によって完
全に遮蔽されると、ファラデーカップ６の検出電流は０
となる。
す鋸歯状の偏向信号を印加すると、矩形の電子ビーム１
は、Ｘ方向に偏向を受ける。電子ビームの偏向により、
電子ビームは徐々にナイフエッジ部材４によって遮蔽さ
れ、ファラデーカップ６に入射する電子ビームの量は減
少する。電子ビーム１がナイフエッジ部材４によって完
全に遮蔽されると、ファラデーカップ６の検出電流は０
となる。
【０００５】図２（ｂ）は、ファラデーカップ６の検出
電流を示しており、この検出電流信号を１回微分する
と、図２（ｃ）の信号が得られる。更に、図２（ｃ）の
信号を再度微分すると、図２（ｄ）の信号が得られる。
この図２（ｄ）で横軸は電子ビームの走査位置であり、
信号の２つのピーク間の距離に基づいて電子ビームのサ
イズが求められる。また、２つのピーク位置の中間位置
に基づいて、電子ビームの位置が判明する。更に、ピー
クの波高値は、電子ビームのフォーカスの状態を示して
いる。このようにして得られたビームサイズ、ビーム位
置、フォーカス状態により、電子ビームの各種調整が行
われ、その後に正規の描画動作が実行される。
電流を示しており、この検出電流信号を１回微分する
と、図２（ｃ）の信号が得られる。更に、図２（ｃ）の
信号を再度微分すると、図２（ｄ）の信号が得られる。
この図２（ｄ）で横軸は電子ビームの走査位置であり、
信号の２つのピーク間の距離に基づいて電子ビームのサ
イズが求められる。また、２つのピーク位置の中間位置
に基づいて、電子ビームの位置が判明する。更に、ピー
クの波高値は、電子ビームのフォーカスの状態を示して
いる。このようにして得られたビームサイズ、ビーム位
置、フォーカス状態により、電子ビームの各種調整が行
われ、その後に正規の描画動作が実行される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】さて、上記した電子ビ
ームの位置の測定において、電子ビームは偏向器２に供
給される走査信号によって走査される。この偏向器２に
供給される走査信号は、ディジタル走査信号をＤＡ変換
器によってアナログ信号に変換されて作成される。ここ
で、電子ビームは４ビットのＤＡ変換器によって変換さ
れた信号で走査されるとすると、このときの１６個のデ
ータは、４つのビット２0〜２3で表現され、それぞれの
ビットの電圧の和となる。
ームの位置の測定において、電子ビームは偏向器２に供
給される走査信号によって走査される。この偏向器２に
供給される走査信号は、ディジタル走査信号をＤＡ変換
器によってアナログ信号に変換されて作成される。ここ
で、電子ビームは４ビットのＤＡ変換器によって変換さ
れた信号で走査されるとすると、このときの１６個のデ
ータは、４つのビット２0〜２3で表現され、それぞれの
ビットの電圧の和となる。
【０００７】いま、２0（＝１）ビットが−０．５ＬＳ
Ｂ（０．５Ｖ）で、２1（＝２）ビットが＋０．５ＬＳ
Ｂ（２．５Ｖ）の精度であるとすると、全てのデータ範
囲の電圧は、図３に示すようになる。また、２0と２1と
２2と２3の各ビットと電圧との関係を図４に示す。な
お、電圧は全てのデータ範囲で±０．５ＬＳＢ以下の条
件を満足しており、通常のＤＡ変換器の標準的な精度と
なっている。この図３のデータと設定電圧からのずれを
グラフにして図５に示す。
Ｂ（０．５Ｖ）で、２1（＝２）ビットが＋０．５ＬＳ
Ｂ（２．５Ｖ）の精度であるとすると、全てのデータ範
囲の電圧は、図３に示すようになる。また、２0と２1と
２2と２3の各ビットと電圧との関係を図４に示す。な
お、電圧は全てのデータ範囲で±０．５ＬＳＢ以下の条
件を満足しており、通常のＤＡ変換器の標準的な精度と
なっている。この図３のデータと設定電圧からのずれを
グラフにして図５に示す。
【０００８】図５のグラフから明らかなように、各デー
タ（ポイント）における設定電圧からのずれは周期的に
変化し、このようなずれのある走査信号によってマーク
やナイフエッジを走査してマーク位置や電子ビームの位
置の検出を行っても正確に位置の検出が行えない。通
常、マーク位置などの検出精度を向上させるため、同じ
位置で複数回走査を行い、各走査によって得られた位置
信号を平均化しているが、図５に示したようなずれは、
平均化してもその影響をなくすことはできない。
タ（ポイント）における設定電圧からのずれは周期的に
変化し、このようなずれのある走査信号によってマーク
やナイフエッジを走査してマーク位置や電子ビームの位
置の検出を行っても正確に位置の検出が行えない。通
常、マーク位置などの検出精度を向上させるため、同じ
位置で複数回走査を行い、各走査によって得られた位置
信号を平均化しているが、図５に示したようなずれは、
平均化してもその影響をなくすことはできない。
【０００９】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、ＤＡ変換器の精度に無関係に、精
度良くマーク位置やビーム位置の検出を行うことができ
る荷電粒子ビームによる位置検出方法を実現するにあ
る。
もので、その目的は、ＤＡ変換器の精度に無関係に、精
度良くマーク位置やビーム位置の検出を行うことができ
る荷電粒子ビームによる位置検出方法を実現するにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に基づく
荷電粒子ビームによる位置検出方法は、荷電粒子ビーム
を偏向する偏向器にＤＡ変換器を介して走査信号を供給
し、荷電粒子ビームを直線状のエッジを有した部材を横
切って多数回走査し、この多数回の走査に伴って検出さ
れた荷電粒子ビームの信号を平均化し、平均化した信号
に基づいて荷電粒子ビームと部材との相対的な位置を検
出する方法において、部材を横切っての荷電粒子ビーム
の多数回の走査を複数回行い、各多数回走査ごとに荷電
粒子ビーム光軸と部材との間の距離を変更させるように
し、各多数回走査に基づいて得られた複数の位置信号を
平均化するようにしたことを特徴としている。
荷電粒子ビームによる位置検出方法は、荷電粒子ビーム
を偏向する偏向器にＤＡ変換器を介して走査信号を供給
し、荷電粒子ビームを直線状のエッジを有した部材を横
切って多数回走査し、この多数回の走査に伴って検出さ
れた荷電粒子ビームの信号を平均化し、平均化した信号
に基づいて荷電粒子ビームと部材との相対的な位置を検
出する方法において、部材を横切っての荷電粒子ビーム
の多数回の走査を複数回行い、各多数回走査ごとに荷電
粒子ビーム光軸と部材との間の距離を変更させるように
し、各多数回走査に基づいて得られた複数の位置信号を
平均化するようにしたことを特徴としている。
【００１１】請求項２の発明に基づく荷電粒子ビームに
よる位置検出方法は、荷電粒子ビームの各走査ごとに部
材の位置を機械的に移動させるようにしたことを特徴と
している。
よる位置検出方法は、荷電粒子ビームの各走査ごとに部
材の位置を機械的に移動させるようにしたことを特徴と
している。
【００１２】請求項３の発明に基づく荷電粒子ビームに
よる位置検出方法は、荷電粒子ビームの各走査ごとに荷
電粒子ビームの光軸を移動させるようにしたことを特徴
としている。
よる位置検出方法は、荷電粒子ビームの各走査ごとに荷
電粒子ビームの光軸を移動させるようにしたことを特徴
としている。
【００１３】請求項４の発明に基づく荷電粒子ビームに
よる位置検出方法は、荷電粒子ビーム光軸と部材との間
の距離を、ＤＡ変換器の±１／２ＬＳＢに対応した距離
だけ変更させるようにしたことを特徴としている。
よる位置検出方法は、荷電粒子ビーム光軸と部材との間
の距離を、ＤＡ変換器の±１／２ＬＳＢに対応した距離
だけ変更させるようにしたことを特徴としている。
【００１４】請求項１〜４の発明では、部材を横切って
の荷電粒子ビームの多数回の走査を複数回行い、各多数
回走査ごとに荷電粒子ビーム光軸と部材との間の距離を
変更させるようにし、各多数回走査に基づいて得られた
複数の位置信号を平均化してＤＡ変換器の精度によら
ず、正確な位置検出を行う。
の荷電粒子ビームの多数回の走査を複数回行い、各多数
回走査ごとに荷電粒子ビーム光軸と部材との間の距離を
変更させるようにし、各多数回走査に基づいて得られた
複数の位置信号を平均化してＤＡ変換器の精度によら
ず、正確な位置検出を行う。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図６は本発明を実施するた
めの電子ビーム描画装置の一例を示している。電子ビー
ム描画を行う際には、被描画材料にマークを設け、この
マークの位置を検出し、マーク位置に基づいて実際の描
画位置を正確に設定しているが、この図６の例では、本
発明の方法をこのマーク位置の検出に用いている。
施の形態を詳細に説明する。図６は本発明を実施するた
めの電子ビーム描画装置の一例を示している。電子ビー
ム描画を行う際には、被描画材料にマークを設け、この
マークの位置を検出し、マーク位置に基づいて実際の描
画位置を正確に設定しているが、この図６の例では、本
発明の方法をこのマーク位置の検出に用いている。
【００１６】図６において、７は最終段集束レンズ（対
物レンズ）であり、電子ビームＥＢは、最終段集束レン
ズ７によって被描画材料８上にフォーカスされる。９は
静電偏向器であり、電子ビームＥＢを走査するために用
いられる。被描画材料８は移動ステージ１０上に載せら
れており、移動ステージ１０は駆動機構１１によって２
次元的に移動させられる。
物レンズ）であり、電子ビームＥＢは、最終段集束レン
ズ７によって被描画材料８上にフォーカスされる。９は
静電偏向器であり、電子ビームＥＢを走査するために用
いられる。被描画材料８は移動ステージ１０上に載せら
れており、移動ステージ１０は駆動機構１１によって２
次元的に移動させられる。
【００１７】移動ステージ１０の端部には反射鏡１２が
設けられており、この反射鏡１２にはレーザー測長器１
３からのレーザー光が照射され、良く知られているよう
に、レーザー干渉を利用してステージの移動量や位置の
測定が行われる。レーザー測長器１３によって測定され
たステージ１０の位置信号は、制御装置１４に供給され
る。この制御装置１４は、駆動機構１１を制御してい
る。
設けられており、この反射鏡１２にはレーザー測長器１
３からのレーザー光が照射され、良く知られているよう
に、レーザー干渉を利用してステージの移動量や位置の
測定が行われる。レーザー測長器１３によって測定され
たステージ１０の位置信号は、制御装置１４に供給され
る。この制御装置１４は、駆動機構１１を制御してい
る。
【００１８】静電偏向器９には、走査回路１５からの走
査信号がＤＡ変換器１６を介して供給される。被描画材
料８上にはマーク１８が設けられており、このマーク１
８を横切って電子ビームＥＢは走査される。被描画材料
８への電子ビームの照射に伴って発生した、例えば、反
射電子は、反射電子検出器１９によって検出される。検
出器１９からの検出信号は、増幅器２０、ＡＤ変換器２
１を介して制御装置１４に供給される。このような構成
の動作を次に説明する。
査信号がＤＡ変換器１６を介して供給される。被描画材
料８上にはマーク１８が設けられており、このマーク１
８を横切って電子ビームＥＢは走査される。被描画材料
８への電子ビームの照射に伴って発生した、例えば、反
射電子は、反射電子検出器１９によって検出される。検
出器１９からの検出信号は、増幅器２０、ＡＤ変換器２
１を介して制御装置１４に供給される。このような構成
の動作を次に説明する。
【００１９】まず、通常の描画動作について説明する。
被描画材料８に対して集束された電子ビームＥＢが照射
され、材料上の電子ビームの照射位置は、静電偏向器９
に偏向信号を供給することによって行われる。制御装置
１４には、予め描画データが記憶されており、この描画
データに基づいて走査回路１５が制御され、静電偏向器
９に描画パターンに応じた偏向信号が印加される。
被描画材料８に対して集束された電子ビームＥＢが照射
され、材料上の電子ビームの照射位置は、静電偏向器９
に偏向信号を供給することによって行われる。制御装置
１４には、予め描画データが記憶されており、この描画
データに基づいて走査回路１５が制御され、静電偏向器
９に描画パターンに応じた偏向信号が印加される。
【００２０】被描画材料８への描画は静電偏向器９への
偏向信号の供給と、ステージ１０を駆動機構１１によっ
て移動させることによって行われる。制御装置１４は、
描画データに応じて駆動機構１１を制御する。ステージ
１０の移動量は、レーザー測長器１３によって監視され
ており、レーザー測長器１３からのステージ１０の位置
信号は、制御装置１４に供給される。制御装置１４は、
ステージの移動誤差を駆動機構１１にフィードバックし
て、ステージを正確に移動させる。あるいは、制御装置
１４は、ステージ１０の移動誤差を電子ビームの偏向系
にフィードバックし、電子ビームの偏向量によって移動
誤差の補正を行う。
偏向信号の供給と、ステージ１０を駆動機構１１によっ
て移動させることによって行われる。制御装置１４は、
描画データに応じて駆動機構１１を制御する。ステージ
１０の移動量は、レーザー測長器１３によって監視され
ており、レーザー測長器１３からのステージ１０の位置
信号は、制御装置１４に供給される。制御装置１４は、
ステージの移動誤差を駆動機構１１にフィードバックし
て、ステージを正確に移動させる。あるいは、制御装置
１４は、ステージ１０の移動誤差を電子ビームの偏向系
にフィードバックし、電子ビームの偏向量によって移動
誤差の補正を行う。
【００２１】さて、被描画材料８への描画の際には、良
く知られているように、被描画材料８上に設けられたマ
ーク１８の位置を検出し、マーク位置に応じてパターン
の描画位置を決めている。このマーク１８の位置検出
は、マーク１８を横切って多数回電子ビームを走査し、
各走査によって得られたマーク１８のエッジ信号に基づ
いて行う。
く知られているように、被描画材料８上に設けられたマ
ーク１８の位置を検出し、マーク位置に応じてパターン
の描画位置を決めている。このマーク１８の位置検出
は、マーク１８を横切って多数回電子ビームを走査し、
各走査によって得られたマーク１８のエッジ信号に基づ
いて行う。
【００２２】すなわち、電子ビームを走査することによ
って被描画材料８やマーク１８から発生した反射電子を
反射電子検出器１９によって検出し、この検出信号を増
幅器２０，ＡＤ変換器２１を介して制御装置１４に供給
する。制御装置１４は、検出信号の内、マークのエッジ
部分で得られた２つのピーク位置に基づき、その中間位
置を求め、マーク位置としている。なお、この際、電子
ビームＥＢは多数回マーク１８を横切って走査され、各
走査によって得られたマーク位置の平均を求めることに
よってマーク位置検出のＳＮ比を向上させている。
って被描画材料８やマーク１８から発生した反射電子を
反射電子検出器１９によって検出し、この検出信号を増
幅器２０，ＡＤ変換器２１を介して制御装置１４に供給
する。制御装置１４は、検出信号の内、マークのエッジ
部分で得られた２つのピーク位置に基づき、その中間位
置を求め、マーク位置としている。なお、この際、電子
ビームＥＢは多数回マーク１８を横切って走査され、各
走査によって得られたマーク位置の平均を求めることに
よってマーク位置検出のＳＮ比を向上させている。
【００２３】図７は本発明によるマーク位置検出方法を
説明するための図であり、電子ビームＥＢは、偏向器９
によってマーク１８を横切って走査される。マーク１８
ａは、第１の位置に配置されている状態を示しており、
この位置でマーク１８ａを横切って電子ビームＥＢは多
数回走査される。この際、マーク１８ａの２つのエッジ
に基づく反射電子信号により、上記したように、マーク
の中心位置Ｐａが求められる。
説明するための図であり、電子ビームＥＢは、偏向器９
によってマーク１８を横切って走査される。マーク１８
ａは、第１の位置に配置されている状態を示しており、
この位置でマーク１８ａを横切って電子ビームＥＢは多
数回走査される。この際、マーク１８ａの２つのエッジ
に基づく反射電子信号により、上記したように、マーク
の中心位置Ｐａが求められる。
【００２４】次に、制御装置１４からの指令により、ス
テージ１０が移動させられ、それにともなって、マーク
１８はマーク１８ａの位置からＬだけずらされて１８ｂ
の位置に移動させられる。このマーク１８ｂに対しても
電子ビームＥＢが横切って走査され、マークの中心位置
Ｐｂが求められる。
テージ１０が移動させられ、それにともなって、マーク
１８はマーク１８ａの位置からＬだけずらされて１８ｂ
の位置に移動させられる。このマーク１８ｂに対しても
電子ビームＥＢが横切って走査され、マークの中心位置
Ｐｂが求められる。
【００２５】ここで、検出されたマーク位置Ｐａには課
題の欄で説明したように、ＤＡ変換器１６の精度に基づ
く検出エラーが発生している。したがって、マーク１８
ａの位置Ｐａに対しては、エラー成分Δａが加算され
る。また、マーク１８ｂの位置Ｐｂに対しては、エラー
成分Δｂが加算される。すなわち、１回目のマーク検出
結果Ａと２回目のマーク検出結果Ｂとは、それぞれ次の
ように表される。
題の欄で説明したように、ＤＡ変換器１６の精度に基づ
く検出エラーが発生している。したがって、マーク１８
ａの位置Ｐａに対しては、エラー成分Δａが加算され
る。また、マーク１８ｂの位置Ｐｂに対しては、エラー
成分Δｂが加算される。すなわち、１回目のマーク検出
結果Ａと２回目のマーク検出結果Ｂとは、それぞれ次の
ように表される。
【００２６】Ａ＝Ｐａ＋Δａ Ｂ＝Ｐｂ＋Δｂ−Ｌ＝Ｐａ＋Δｂ この２回のマーク検出結果の平均（Ａ＋Ｂ）／２は、次
のようになる。
のようになる。
【００２７】 （Ａ＋Ｂ）／２＝Ｐａ＋（Δａ＋Δｂ）／２ ここで、ＬをΔａ＝−Δｂとなるように選べば、１回目
と２回目のマーク検出結果の平均は、Ｐａとなり、ＤＡ
変換器１６の精度に影響されず、正確なマーク位置の検
出ができることになる。Ｌの長さは、使用するＤＡ変換
器の精度によって異なるが、一例として、Ｌを０．４μ
ｍとすることにより、Δａ＝−Δｂの条件を満足させる
ことができる。Ｌの長さの正確な調整は、レーザー測長
器１３によってステージ１０の移動距離を測長し、測長
結果を制御装置１４を介して駆動機構１１にフィードバ
ックすることにより行うことができる。
と２回目のマーク検出結果の平均は、Ｐａとなり、ＤＡ
変換器１６の精度に影響されず、正確なマーク位置の検
出ができることになる。Ｌの長さは、使用するＤＡ変換
器の精度によって異なるが、一例として、Ｌを０．４μ
ｍとすることにより、Δａ＝−Δｂの条件を満足させる
ことができる。Ｌの長さの正確な調整は、レーザー測長
器１３によってステージ１０の移動距離を測長し、測長
結果を制御装置１４を介して駆動機構１１にフィードバ
ックすることにより行うことができる。
【００２８】図８は本発明の他の実施の形態を示してお
り、この実施の形態では、マーク１８を機械的に移動さ
せず、電子ビームＥＢの光軸をＬだけ移動させるように
している。図中、２２，２３は光軸調整のための偏向コ
イルであり、この２つのコイル２２，２３は光軸移動の
ために用いられる。
り、この実施の形態では、マーク１８を機械的に移動さ
せず、電子ビームＥＢの光軸をＬだけ移動させるように
している。図中、２２，２３は光軸調整のための偏向コ
イルであり、この２つのコイル２２，２３は光軸移動の
ために用いられる。
【００２９】最初の状態では、偏向コイル２２，２３を
動作させず、マーク１８は光軸Ｏ1の電子ビームによっ
て走査され、１回目のマーク位置検出が行われる。次
に、偏向コイル２２によって電子ビームＥＢを点線で示
すように一定量偏向させ、偏向コイル２３によって偏向
された電子ビームを光軸Ｏ1と平行になるように更に偏
向する。
動作させず、マーク１８は光軸Ｏ1の電子ビームによっ
て走査され、１回目のマーク位置検出が行われる。次
に、偏向コイル２２によって電子ビームＥＢを点線で示
すように一定量偏向させ、偏向コイル２３によって偏向
された電子ビームを光軸Ｏ1と平行になるように更に偏
向する。
【００３０】この結果、光軸はＯ1から距離Ｌだけ離れ
た光軸Ｏ2となり、この状態で２回目のマーク位置検出
を行うことによって、ＤＡ変換器の精度によらず、正確
なマーク位置検出を行うことができる。
た光軸Ｏ2となり、この状態で２回目のマーク位置検出
を行うことによって、ＤＡ変換器の精度によらず、正確
なマーク位置検出を行うことができる。
【００３１】以上本発明の実施の形態を説明したが、本
発明は上記形態に限定されない。例えば、上記実施の形
態では電子ビームを用いて説明したが、イオンビーム装
置にも本発明を適用することができる。また、被描画材
料上のマークの位置検出を例に説明したが、図１に示し
た従来例のごとく、ナイフエッジ部材によって遮蔽さ
れ、ファラデーカップに入射する電子ビームの量を検出
し、電子ビームの位置やサイズを測定する場合にも本発
明を適用することができる。更に、材料からの反射電子
を検出するようにしたが、２次電子を検出するように構
成しても良い。
発明は上記形態に限定されない。例えば、上記実施の形
態では電子ビームを用いて説明したが、イオンビーム装
置にも本発明を適用することができる。また、被描画材
料上のマークの位置検出を例に説明したが、図１に示し
た従来例のごとく、ナイフエッジ部材によって遮蔽さ
れ、ファラデーカップに入射する電子ビームの量を検出
し、電子ビームの位置やサイズを測定する場合にも本発
明を適用することができる。更に、材料からの反射電子
を検出するようにしたが、２次電子を検出するように構
成しても良い。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、部材
を横切っての荷電粒子ビームの多数回の走査を複数回行
い、各多数回走査ごとに荷電粒子ビーム光軸と部材との
間の距離を変更させるようにし、各多数回走査に基づい
て得られた複数の位置信号を平均化するように構成し
た。その結果、ＤＡ変換器の精度によらず、正確な位置
検出を行うことができる。
を横切っての荷電粒子ビームの多数回の走査を複数回行
い、各多数回走査ごとに荷電粒子ビーム光軸と部材との
間の距離を変更させるようにし、各多数回走査に基づい
て得られた複数の位置信号を平均化するように構成し
た。その結果、ＤＡ変換器の精度によらず、正確な位置
検出を行うことができる。
【図１】従来の電子ビーム測定に用いられる装置の一例
を示す図である。
を示す図である。
【図２】電子ビーム測定のための基本的な信号処理を説
明するための波形図である。
明するための波形図である。
【図３】各データと設定電圧からのずれ等を示す図であ
る。
る。
【図４】各ビットと電圧との関係を示す図である。
【図５】データと設定電圧からのずれを示すグラフであ
る。
る。
【図６】本発明を実施するための装置の一例を示す図で
ある。
ある。
【図７】本発明の方法を用いてマークの位置検出を行う
際のマークの移動の様子を示す図である。
際のマークの移動の様子を示す図である。
【図８】光軸を移動させる本発明の他の実施の形態を説
明するための図である。
明するための図である。
１ 電子ビーム ２ 最終段集束レンズ ３ 静電偏向器 ４ ナイフエッジ部材 ５ アパーチャ ６ ファラデーカップ ７ 最終段集束レンズ ８ 被描画材料 ９ 静電偏向器 １０ 移動ステージ １１ 駆動機構 １２ ミラー １３ レーザー測長器 １４ 制御装置 １５ 走査回路 １６ ＤＡ変換器 １８ マーク １９ 反射電子検出器 ２０ 増幅器 ２１ ＡＤ変換器
Claims (4)
- 【請求項１】 荷電粒子ビームを偏向する偏向器にＤＡ
変換器を介して走査信号を供給し、荷電粒子ビームを直
線状のエッジを有した部材を横切って多数回走査し、こ
の多数回の走査に伴って検出された荷電粒子ビームの信
号を平均化し、平均化した信号に基づいて荷電粒子ビー
ムと部材との相対的な位置を検出する方法において、部
材を横切っての荷電粒子ビームの多数回の走査を複数回
行い、各多数回走査ごとに荷電粒子ビーム光軸と部材と
の間の距離を変更させるようにし、各多数回走査に基づ
いて得られた複数の位置信号を平均化するようにした荷
電粒子ビームによる位置検出方法。 - 【請求項２】 荷電粒子ビームの各走査ごとに部材の位
置を機械的に移動させるようにした請求項１記載の荷電
粒子ビームによる位置検出方法。 - 【請求項３】 荷電粒子ビームの各走査ごとに荷電粒子
ビームの光軸を移動させるようにした請求項１記載の荷
電粒子ビームによる位置検出方法。 - 【請求項４】 荷電粒子ビーム光軸と部材との間の距離
を、ＤＡ変換器の±１／２ＬＳＢに対応した距離だけ変
更させるようにした請求項１記載の荷電粒子ビームによ
る位置検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7343829A JPH09186062A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 荷電粒子ビームによる位置検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7343829A JPH09186062A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 荷電粒子ビームによる位置検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09186062A true JPH09186062A (ja) | 1997-07-15 |
Family
ID=18364568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7343829A Withdrawn JPH09186062A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 荷電粒子ビームによる位置検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09186062A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010258339A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Nuflare Technology Inc | ドリフト測定方法、荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
-
1995
- 1995-12-28 JP JP7343829A patent/JPH09186062A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010258339A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Nuflare Technology Inc | ドリフト測定方法、荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030304 |