JPH09186153A - 無定形ＳｉＮＣ被膜を蒸着する方法 - Google Patents
無定形ＳｉＮＣ被膜を蒸着する方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/36—Carbonitrides
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ケイ素、炭素及び窒素を含む無定形シラン被
膜を与える新規な化学蒸着法を提供する。 【解決手段】 有機ケイ素物質及び窒素源を含む反応性
ガス混合物を、被覆されるべき基体を含む蒸着室中に導
入し、反応を起こさせて被膜を形成する。
膜を与える新規な化学蒸着法を提供する。 【解決手段】 有機ケイ素物質及び窒素源を含む反応性
ガス混合物を、被覆されるべき基体を含む蒸着室中に導
入し、反応を起こさせて被膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ケイ素物質及
び窒素源からの、ケイ素、炭素及び窒素を含む被膜の蒸
着に関する。
び窒素源からの、ケイ素、炭素及び窒素を含む被膜の蒸
着に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】ケイ素
含有被膜を蒸着する多数の方法が当技術分野で知られて
おり、現在工業上使用されている。例えば、シラン（例
えば、ＳｉＨ4 ：Ｈ2 ＳｉＣｌ2 等）及び窒素源（例え
ば、窒素、アンモニア等）の化学蒸着により窒化ケイ素
被膜を蒸着させ得ることが知られている。これらの被膜
はエレクトニクス産業において保護被膜又は誘電性被膜
として価値のあるものと教えられている。しかしなが
ら、そのような方法はそれら被膜に炭素を含んでいな
い。
含有被膜を蒸着する多数の方法が当技術分野で知られて
おり、現在工業上使用されている。例えば、シラン（例
えば、ＳｉＨ4 ：Ｈ2 ＳｉＣｌ2 等）及び窒素源（例え
ば、窒素、アンモニア等）の化学蒸着により窒化ケイ素
被膜を蒸着させ得ることが知られている。これらの被膜
はエレクトニクス産業において保護被膜又は誘電性被膜
として価値のあるものと教えられている。しかしなが
ら、そのような方法はそれら被膜に炭素を含んでいな
い。
【０００３】同様に、シラン（例えば、ＳｉＨ4 ：Ｈ2
ＳｉＣｌ2 等）及び炭素源（例えば、メタン、エタン
等）の化学蒸着により炭化ケイ素被膜を蒸着させ得るこ
とが知られている。これらの被膜も、エレクトロニクス
産業においてバリヤとして有用である。しかしながら、
そのような方法は、それら被膜に窒素を含んでいない。
ＳｉＣｌ2 等）及び炭素源（例えば、メタン、エタン
等）の化学蒸着により炭化ケイ素被膜を蒸着させ得るこ
とが知られている。これらの被膜も、エレクトロニクス
産業においてバリヤとして有用である。しかしながら、
そのような方法は、それら被膜に窒素を含んでいない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、意外に
も、ガス状有機ケイ素物質を窒素源と共に使用して、ケ
イ素、炭素及び窒素を含む被膜を形成することができる
ことを見いだした。
も、ガス状有機ケイ素物質を窒素源と共に使用して、ケ
イ素、炭素及び窒素を含む被膜を形成することができる
ことを見いだした。
【０００５】本発明は、ケイ素、炭素及び窒素を含む無
定形被膜を基体上に蒸着する方法を提供する。この方法
は、有機ケイ素物質及び窒素源を含む反応性ガス状混合
物を、基体を含む蒸着室中に導入することを含む。次い
で、この反応性ガス混合物に反応を起こさせ、ケイ素、
炭素及び窒素を含む無定形被膜を形成する。
定形被膜を基体上に蒸着する方法を提供する。この方法
は、有機ケイ素物質及び窒素源を含む反応性ガス状混合
物を、基体を含む蒸着室中に導入することを含む。次い
で、この反応性ガス混合物に反応を起こさせ、ケイ素、
炭素及び窒素を含む無定形被膜を形成する。
【０００６】本発明は、ガス状有機ケイ素物質を用いて
ケイ素、炭素及び窒素を含む無定形の被膜、種々の基体
の上に形成することができるという、本発明者等の意外
な発見に基づく。これら被膜は、優れた諸性質を持って
おり、これらが、これら被膜を、エレクトロニクス装置
のような基体の上の保護層及び誘電層として価値あるも
のとしている。例えば、これら被膜は異常に硬く、ダイ
ヤモンドの硬さに近い。加えて、これらフィルムの熱膨
張率はダイヤモンドのそれよりも高いから、これらフィ
ルムはケイ素基体に適用されたときクラックが入りにく
い。更に、本発明方法は潜在的な危険物であるシランの
必要性を排除するので先行技術よりも有利である。
ケイ素、炭素及び窒素を含む無定形の被膜、種々の基体
の上に形成することができるという、本発明者等の意外
な発見に基づく。これら被膜は、優れた諸性質を持って
おり、これらが、これら被膜を、エレクトロニクス装置
のような基体の上の保護層及び誘電層として価値あるも
のとしている。例えば、これら被膜は異常に硬く、ダイ
ヤモンドの硬さに近い。加えて、これらフィルムの熱膨
張率はダイヤモンドのそれよりも高いから、これらフィ
ルムはケイ素基体に適用されたときクラックが入りにく
い。更に、本発明方法は潜在的な危険物であるシランの
必要性を排除するので先行技術よりも有利である。
【０００７】本発明に使用される有機ケイ素物質は、Ｓ
ｉ−Ｃ結合を有し、５００℃以下の温度でガス状であ
り、エネルギーを加えると望みの被膜にケイ素と炭素を
加えるどんな物質であってもよい。特別な物質の例を挙
げると、有機置換基を有するシラン（例えば、アルキル
シラン、例えばメチルシラン、ジメチルシラン、トリメ
チルシラン）、有機置換基を有するジシラン（例えば、
ヘキサメチルジシラン）、有機置換基を有するトリシラ
ン（例えば、オクタメチルトリシラン）、有機置換基を
有する低分子量ポリシラン（例えば、ジメチルポリシラ
ン）、低分子量ポリカルボシラン、並びに米国特許Ｎo.
５０１１７０６に記載されたケイ素含有シクロアルカ
ン、例えばシラシクロブタン及びジシラシクロブタンが
ある。メチルシラン、ジメチルシラン及びトリメチルシ
ランからなる群から選ばれる有機ケイ素物を使用するの
が好ましく、トリメチルシランを使用するのが特に好ま
しい。
ｉ−Ｃ結合を有し、５００℃以下の温度でガス状であ
り、エネルギーを加えると望みの被膜にケイ素と炭素を
加えるどんな物質であってもよい。特別な物質の例を挙
げると、有機置換基を有するシラン（例えば、アルキル
シラン、例えばメチルシラン、ジメチルシラン、トリメ
チルシラン）、有機置換基を有するジシラン（例えば、
ヘキサメチルジシラン）、有機置換基を有するトリシラ
ン（例えば、オクタメチルトリシラン）、有機置換基を
有する低分子量ポリシラン（例えば、ジメチルポリシラ
ン）、低分子量ポリカルボシラン、並びに米国特許Ｎo.
５０１１７０６に記載されたケイ素含有シクロアルカ
ン、例えばシラシクロブタン及びジシラシクロブタンが
ある。メチルシラン、ジメチルシラン及びトリメチルシ
ランからなる群から選ばれる有機ケイ素物を使用するの
が好ましく、トリメチルシランを使用するのが特に好ま
しい。
【０００８】本発明に使用される窒素源は、５００℃以
下の温度でガス状であり、エネルギーを加えると望みの
被膜に窒素を加えるどんな物質であってもよい。そのよ
うな物質の例としては、窒素、メチルアミンのような第
一アミン、ジメチルアミンのような第二アミン及びトリ
メチルアミンのような第三アミンを含むアミン、並びに
アンモニアがある。窒素及び／又はアンモニアを使用す
ることが特に好ましい。
下の温度でガス状であり、エネルギーを加えると望みの
被膜に窒素を加えるどんな物質であってもよい。そのよ
うな物質の例としては、窒素、メチルアミンのような第
一アミン、ジメチルアミンのような第二アミン及びトリ
メチルアミンのような第三アミンを含むアミン、並びに
アンモニアがある。窒素及び／又はアンモニアを使用す
ることが特に好ましい。
【０００９】当然に、他の物質も、この反応性ガス混合
物に含められる。これらは、例えば、ヘリウム又はアル
ゴンのようなキャリヤーガス；ホスフィン又はボランの
ようなドーパント；フッ素のようなハロゲン；及び前記
被膜に望みの性質を与える他の全てのガスを含む。
物に含められる。これらは、例えば、ヘリウム又はアル
ゴンのようなキャリヤーガス；ホスフィン又はボランの
ようなドーパント；フッ素のようなハロゲン；及び前記
被膜に望みの性質を与える他の全てのガスを含む。
【００１０】本発明によれば、前記反応性ガス混合物
は、被覆されるべき基体を含む蒸着室中に導入される。
必要ならば、前記有機ケイ素物質及び／又は窒素源は、
前記室中に入れるためにガス状に変換するために、加熱
され及び／又はバキュウムクリエート（ｖａｃｕｕｍ
ｃｒｅａｔｅ）されてもよい。熱が必要ならば、前記物
質は、反応を困難にするのを防ぐために５００℃よりも
高い温度に加熱すべきでない。
は、被覆されるべき基体を含む蒸着室中に導入される。
必要ならば、前記有機ケイ素物質及び／又は窒素源は、
前記室中に入れるためにガス状に変換するために、加熱
され及び／又はバキュウムクリエート（ｖａｃｕｕｍ
ｃｒｅａｔｅ）されてもよい。熱が必要ならば、前記物
質は、反応を困難にするのを防ぐために５００℃よりも
高い温度に加熱すべきでない。
【００１１】ガスは、前記室に望みのどんな方法で導入
してもよい。例えば、これらガスは前記室に入れる前に
混合してもよいし、これに代えて、これら物質を連続的
に又は別々の入口から入れてもよい。同様に、これらガ
スは室に導入した後反応を起こさせ（静的）、又はこれ
に代えて、ガス状物質の連続的流れを導入し、この室か
ら除いてもよい。
してもよい。例えば、これらガスは前記室に入れる前に
混合してもよいし、これに代えて、これら物質を連続的
に又は別々の入口から入れてもよい。同様に、これらガ
スは室に導入した後反応を起こさせ（静的）、又はこれ
に代えて、ガス状物質の連続的流れを導入し、この室か
ら除いてもよい。
【００１２】有機ケイ素物質、窒素源及びもしあれば本
発明に使用される他のいずれかのガス成分の量は、望み
の被膜を蒸着させるに充分なものである。これは、望み
の被膜の厚さ、望みの成長速度及び被膜の望みの化学量
論のようなファクターに依存して広い範囲に亘って変化
しうる。一般に、前記有機ケイ素物質は１〜９０容量％
で存在し、窒素源は１〜９０容量％の量で存在する。
発明に使用される他のいずれかのガス成分の量は、望み
の被膜を蒸着させるに充分なものである。これは、望み
の被膜の厚さ、望みの成長速度及び被膜の望みの化学量
論のようなファクターに依存して広い範囲に亘って変化
しうる。一般に、前記有機ケイ素物質は１〜９０容量％
で存在し、窒素源は１〜９０容量％の量で存在する。
【００１３】概して、反応性ガスはキャリヤー中に容量
濃度で７５％以下に希釈される。一般には前記有機ケイ
素物質は１〜３０容量％で使用され；窒素源は１〜５０
容量％で使用され；そしてキャリヤーは２０〜９８容量
％の範囲で使用される。
濃度で７５％以下に希釈される。一般には前記有機ケイ
素物質は１〜３０容量％で使用され；窒素源は１〜５０
容量％で使用され；そしてキャリヤーは２０〜９８容量
％の範囲で使用される。
【００１４】次いで、前記反応性ガス混合物を反応させ
て、基体上に被膜を蒸着させる。ガス状種の反応は、当
技術分野で周知であり、どんな従来の化学蒸着（ＣＶ
Ｄ）法もここでは使用できる。例えば、単純な熱蒸着、
光熱蒸着、プラズマエンハンスド（ｐｌａｓｍａ ｅｎ
ｈａｎｃｅｄ）化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、電子サイクロ
トロン共鳴（ＥＣＲ）、ジェット（ｊｅｔ）蒸着、又は
何らかの類似の方法を用いることができる。これらの方
法は蒸発した種にエネルギー（熱、プラズマ、等）を加
えて望みの反応を引き起こすことを含む。
て、基体上に被膜を蒸着させる。ガス状種の反応は、当
技術分野で周知であり、どんな従来の化学蒸着（ＣＶ
Ｄ）法もここでは使用できる。例えば、単純な熱蒸着、
光熱蒸着、プラズマエンハンスド（ｐｌａｓｍａ ｅｎ
ｈａｎｃｅｄ）化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、電子サイクロ
トロン共鳴（ＥＣＲ）、ジェット（ｊｅｔ）蒸着、又は
何らかの類似の方法を用いることができる。これらの方
法は蒸発した種にエネルギー（熱、プラズマ、等）を加
えて望みの反応を引き起こすことを含む。
【００１５】熱蒸着においては、反応性ガス混合物の流
れを熱せられた基体上に通過させることにより、被膜が
蒸着される。反応性ガス混合物が熱い表面に接触する
と、それは反応し、被膜を蒸着させる。１００〜１００
０℃の範囲の基体温度は、望みの厚さに依存して、数分
ないし数時間の内にこれら被膜を形成するに充分であ
る。
れを熱せられた基体上に通過させることにより、被膜が
蒸着される。反応性ガス混合物が熱い表面に接触する
と、それは反応し、被膜を蒸着させる。１００〜１００
０℃の範囲の基体温度は、望みの厚さに依存して、数分
ないし数時間の内にこれら被膜を形成するに充分であ
る。
【００１６】ＰＥＣＶＤにおいて、反応性ガス混合物は
それをプラズマ場に通すことにより反応させられる。そ
れによって形成された反応種は、次いで、基体に集中さ
れ、容易にくっつく。この方法の熱ＣＶＤに対する利点
は、比較的低い基体温度が使用できることである。例え
ば、基体温度２０〜６００℃が機能する。
それをプラズマ場に通すことにより反応させられる。そ
れによって形成された反応種は、次いで、基体に集中さ
れ、容易にくっつく。この方法の熱ＣＶＤに対する利点
は、比較的低い基体温度が使用できることである。例え
ば、基体温度２０〜６００℃が機能する。
【００１７】そのようなプロセスで使用されるプラズマ
は、放電、無線周波数又はマイクロウェーブ範囲の電磁
界、レーザー又は粒子ビームのような種々の源から引き
出されるエネルギーを含む。殆どのプラズマ蒸着プロセ
スにおいて概して好ましいのは、中くらいの出力密度
（０．１〜５ワット／cm2 ）での無線周波数（１０ｋＨ
ｚ〜１０2 ｋＨｚ）又はマイクロ波（０．１〜１０ＧＨ
ｚ）のエネルギーを使用することである。しかしなが
ら、特定の周波数、出力及び圧力は、一般に、その装置
に合わせられる。
は、放電、無線周波数又はマイクロウェーブ範囲の電磁
界、レーザー又は粒子ビームのような種々の源から引き
出されるエネルギーを含む。殆どのプラズマ蒸着プロセ
スにおいて概して好ましいのは、中くらいの出力密度
（０．１〜５ワット／cm2 ）での無線周波数（１０ｋＨ
ｚ〜１０2 ｋＨｚ）又はマイクロ波（０．１〜１０ＧＨ
ｚ）のエネルギーを使用することである。しかしなが
ら、特定の周波数、出力及び圧力は、一般に、その装置
に合わせられる。
【００１８】この蒸着の機構は明らかには理解されてい
ないが、反応性ガス混合物にエネルギーを加えると、分
子の解離と再配列が起こり、ケイ素−炭素、ケイ素−窒
素及び／又は炭素−窒素結合が基体上に形成されると推
定される。この被膜の化学量論は、一般にＳｉx Ｃy Ｎ
z であり、ここに、ｘ／（ｙ＋ｚ）は０．８〜１．２で
あり、ｙは０．０１〜０．９９であり、ｚは０．９９〜
０．０１である。好ましくは、ｙは０．１〜０．９であ
り、ｚは０．９〜０．１である。この被膜は０〜４０原
子％の量の水素をも含みうる。
ないが、反応性ガス混合物にエネルギーを加えると、分
子の解離と再配列が起こり、ケイ素−炭素、ケイ素−窒
素及び／又は炭素−窒素結合が基体上に形成されると推
定される。この被膜の化学量論は、一般にＳｉx Ｃy Ｎ
z であり、ここに、ｘ／（ｙ＋ｚ）は０．８〜１．２で
あり、ｙは０．０１〜０．９９であり、ｚは０．９９〜
０．０１である。好ましくは、ｙは０．１〜０．９であ
り、ｚは０．９〜０．１である。この被膜は０〜４０原
子％の量の水素をも含みうる。
【００１９】本発明のプロセスは広い範囲の種々の厚さ
で望みの被膜を蒸着する。例えば、分子から２〜３μm
超までの範囲の被膜が可能である。この被膜は機械的に
硬く、高いモジュラスを持ち、優れた機械的バリヤであ
る。そのようなものとして、それらは、広範な種類のエ
レクトロニクス装置又はエレクトロニクス回路、例えば
シリコンベースの装置、ガリウム砒素ベースの装置、焦
点面アレイ、光電子装置、光起電力セル及び光学装置、
並びに非エレクトロニクス材料、例えばバイト、ガラ
ス、セラミックス、金属及びプラスチックに有用であ
る。
で望みの被膜を蒸着する。例えば、分子から２〜３μm
超までの範囲の被膜が可能である。この被膜は機械的に
硬く、高いモジュラスを持ち、優れた機械的バリヤであ
る。そのようなものとして、それらは、広範な種類のエ
レクトロニクス装置又はエレクトロニクス回路、例えば
シリコンベースの装置、ガリウム砒素ベースの装置、焦
点面アレイ、光電子装置、光起電力セル及び光学装置、
並びに非エレクトロニクス材料、例えばバイト、ガラ
ス、セラミックス、金属及びプラスチックに有用であ
る。
【００２０】これらの被膜は、他の被膜、例えばＳｉＯ
2 被膜、ＳｉＯ2 ／変性セラミック酸化物層、ケイ素含
有被膜、ケイ素炭素含有被膜、ケイ素窒素含有被膜、ケ
イ素窒素炭素含有被膜、ケイ素酸素窒素含有被膜及び／
又はダイヤモンド様炭素被膜によって被覆されていても
よい。そのような被膜及びそれらの蒸着の機構は当技術
分野にて公知である。多数のことが米国特許Ｎo.４９７
３５２６に記載されている。
2 被膜、ＳｉＯ2 ／変性セラミック酸化物層、ケイ素含
有被膜、ケイ素炭素含有被膜、ケイ素窒素含有被膜、ケ
イ素窒素炭素含有被膜、ケイ素酸素窒素含有被膜及び／
又はダイヤモンド様炭素被膜によって被覆されていても
よい。そのような被膜及びそれらの蒸着の機構は当技術
分野にて公知である。多数のことが米国特許Ｎo.４９７
３５２６に記載されている。
【００２１】
（例１）基体としてシリコンウェーハーを使用して、以
下の反応性ガスを、容量結合平行板（ｃａｐａｃｉｔｉ
ｖｅｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐａｒａｌｌｅｌ ｐｌａ
ｔｅ）ＰＥＣＶＤ装置に導入した。以下の一連のパラメ
ーターを用いて幾つかの被膜を蒸着した：
下の反応性ガスを、容量結合平行板（ｃａｐａｃｉｔｉ
ｖｅｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐａｒａｌｌｅｌ ｐｌａ
ｔｅ）ＰＥＣＶＤ装置に導入した。以下の一連のパラメ
ーターを用いて幾つかの被膜を蒸着した：
【００２２】 ウェーハー温度 ２５０℃ 圧力 ２００ Ｐａ 上方電極に印加された高周波電力 １００ Ｗ 全ガス流 ９６０ ｓｃｃｍ トリメチルシラン ６ ｓｃｃｍ Ｎ2 中１０％のアンモニア １８０〜３００ ｓｃｃｍ ヘリウム ６００〜７７５ ｓｃｃｍ
【００２３】得られたフィルムのＦＴＩＲ（フーリエ変
換赤外分光分析）データは、Ｎ−Ｈ結合を表す３４００
cm-1でのバンド、Ｃ−Ｈ結合を表す２９００cm-1でのバ
ンド、Ｓｉ−Ｈ結合を表す２１００cm-1でのバンド、Ｃ
−Ｎ結合を表す１６００cm-1でのバンド、及びＳｉ−Ｎ
結合を表す８５０cm-1でのバンドを示す。
換赤外分光分析）データは、Ｎ−Ｈ結合を表す３４００
cm-1でのバンド、Ｃ−Ｈ結合を表す２９００cm-1でのバ
ンド、Ｓｉ−Ｈ結合を表す２１００cm-1でのバンド、Ｃ
−Ｎ結合を表す１６００cm-1でのバンド、及びＳｉ−Ｎ
結合を表す８５０cm-1でのバンドを示す。
【００２４】この被膜は圧縮応力約２５０ＭＰａであ
り、これは種々のガス濃度の範囲にに亘って比較的一定
に保たれた。応力対温度の測定は、２５〜２５０℃の範
囲に亘ってケイ素よりも大きな熱膨張率を示し、応力対
温度曲線においてヒステリシスの度合いは非常に小さい
ことが観察された。
り、これは種々のガス濃度の範囲にに亘って比較的一定
に保たれた。応力対温度の測定は、２５〜２５０℃の範
囲に亘ってケイ素よりも大きな熱膨張率を示し、応力対
温度曲線においてヒステリシスの度合いは非常に小さい
ことが観察された。
【００２５】（例２）（比較例：Ｓｉ−Ｎ被膜） 基体としてシリコンウェーハーを使用して、以下の反応
性ガスを、容量結合平行板（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ
ｃｏｕｐｌｅｄ ｐａｒａｌｌｅｌ ｐｌａｔｅ）Ｐ
ＥＣＶＤ装置に導入した。以下の一連のパラメーターを
用いて幾つかの被膜を蒸着した：
性ガスを、容量結合平行板（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ
ｃｏｕｐｌｅｄ ｐａｒａｌｌｅｌ ｐｌａｔｅ）Ｐ
ＥＣＶＤ装置に導入した。以下の一連のパラメーターを
用いて幾つかの被膜を蒸着した：
【００２６】 ウェーハー温度 ２５０℃ 圧力 ２００ Ｐａ 上方電極に印加された高周波電力 １００ Ｗ 全ガス流 ９６０ ｓｃｃｍ トリメチルシラン ６０ ｓｃｃｍ Ｎ2 中１０％のアンモニア １８０〜３００ ｓｃｃｍ ヘリウム ６００〜７７５ ｓｃｃｍ
【００２７】得られたフィルムのＦＴＩＲデータは、Ｎ
−Ｈ結合を表す３４００cm-1でのバンド、Ｓｉ−Ｈ結合
を表す２１００cm-1でのバンド、及びＳｉ−Ｎ結合を表
す８５０cm-1でのバンドを示す。
−Ｈ結合を表す３４００cm-1でのバンド、Ｓｉ−Ｈ結合
を表す２１００cm-1でのバンド、及びＳｉ−Ｎ結合を表
す８５０cm-1でのバンドを示す。
【００２８】この被膜の応力は約２００ＭＰａ弱（引っ
張り）〜２００ＭＰａ強（圧縮）に亘って変化した。応
力対温度の測定は、２５〜２５０℃の範囲に亘ってケイ
素よりも小さな熱膨張率を示し、応力対温度曲線におい
てヒステリシスの度合いは非常に小さいことが観察され
た。
張り）〜２００ＭＰａ強（圧縮）に亘って変化した。応
力対温度の測定は、２５〜２５０℃の範囲に亘ってケイ
素よりも小さな熱膨張率を示し、応力対温度曲線におい
てヒステリシスの度合いは非常に小さいことが観察され
た。
Claims (9)
- 【請求項１】 次のことを含むケイ素、炭素及び窒素を
含む無定形の被膜を基体上に蒸着する方法：基体を含む
蒸着室中に有機ケイ素物質及び窒素源を含む反応性ガス
混合物を導入し；そして前記反応性ガス混合物を反応さ
せてケイ素、炭素及び窒素を含む無定形被膜を形成する
こと。 - 【請求項２】 前記有機ケイ素物質が、メチルシラン、
ジメチルシラン及びトリメチルシランからなる群から選
ばれる請求項の方法。 - 【請求項３】 前記窒素源が窒素及びアンモニアからな
る群から選ばれる請求項１又は２の方法。 - 【請求項４】 前記反応性ガス混合物がキャリヤーガス
をも含む請求項１〜３のいずれかの方法。 - 【請求項５】 前記反応性ガス混合物を１００〜１００
０℃の範囲の高温に曝すことにより反応させる請求項１
〜４のいずれかの方法。 - 【請求項６】 前記反応性ガス混合物を無線周波数エネ
ルギー及びマイクロ波エネルギーからなる群から選ばれ
るプラズマに曝すことにより反応させる請求項１〜４の
いずれかの方法。 - 【請求項７】 前記基体がエレクトリニクス装置を含む
請求項１〜６の方法。 - 【請求項８】 請求項１〜７のいずれかの方法で得るこ
とのできる被覆された基体。 - 【請求項９】 請求項１に記載された方法で得ることが
でき、式Ｓｉx ＣyＮz （ここに、ｘ／（ｙ＋ｚ）は
０．８〜１．２であり、ｙは０．０１〜０．９９であ
り、ｚは０．９９〜０．０１である、無定形被膜。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US55026095A | 1995-10-30 | 1995-10-30 | |
| US08/550260 | 1995-10-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09186153A true JPH09186153A (ja) | 1997-07-15 |
Family
ID=24196396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8287998A Pending JPH09186153A (ja) | 1995-10-30 | 1996-10-30 | 無定形ＳｉＮＣ被膜を蒸着する方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0771886A1 (ja) |
| JP (1) | JPH09186153A (ja) |
| KR (1) | KR970020216A (ja) |
| TW (1) | TW362118B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002083870A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-22 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2002134494A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2004289105A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-10-14 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6911405B2 (en) | 2000-11-30 | 2005-06-28 | Canon Sales Co., Inc. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| KR20180122619A (ko) | 2016-03-11 | 2018-11-13 | 다이요 닛산 가부시키가이샤 | 실리콘 질화막의 제조 방법 및 실리콘 질화막 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6593247B1 (en) | 1998-02-11 | 2003-07-15 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing low k films using an oxidizing plasma |
| US6303523B2 (en) | 1998-02-11 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
| US6287990B1 (en) | 1998-02-11 | 2001-09-11 | Applied Materials, Inc. | CVD plasma assisted low dielectric constant films |
| US6660656B2 (en) | 1998-02-11 | 2003-12-09 | Applied Materials Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
| US6054379A (en) | 1998-02-11 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a low k dielectric with organo silane |
| US6274292B1 (en) | 1998-02-25 | 2001-08-14 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods |
| US7804115B2 (en) | 1998-02-25 | 2010-09-28 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor constructions having antireflective portions |
| US6667553B2 (en) | 1998-05-29 | 2003-12-23 | Dow Corning Corporation | H:SiOC coated substrates |
| US6159871A (en) | 1998-05-29 | 2000-12-12 | Dow Corning Corporation | Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant |
| US6281100B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-08-28 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods |
| US6268282B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-07-31 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods of forming and utilizing antireflective material layers, and methods of forming transistor gate stacks |
| US6828683B2 (en) | 1998-12-23 | 2004-12-07 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor devices, and semiconductor processing methods |
| US7235499B1 (en) | 1999-01-20 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods |
| US7067414B1 (en) | 1999-09-01 | 2006-06-27 | Micron Technology, Inc. | Low k interlevel dielectric layer fabrication methods |
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| US6905981B1 (en) | 2000-11-24 | 2005-06-14 | Asm Japan K.K. | Low-k dielectric materials and processes |
| US6537733B2 (en) | 2001-02-23 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing low dielectric constant silicon carbide layers |
| US6709721B2 (en) | 2001-03-28 | 2004-03-23 | Applied Materials Inc. | Purge heater design and process development for the improvement of low k film properties |
| US6486082B1 (en) | 2001-06-18 | 2002-11-26 | Applied Materials, Inc. | CVD plasma assisted lower dielectric constant sicoh film |
| US6656837B2 (en) | 2001-10-11 | 2003-12-02 | Applied Materials, Inc. | Method of eliminating photoresist poisoning in damascene applications |
| US6936309B2 (en) | 2002-04-02 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Hardness improvement of silicon carboxy films |
| US6815373B2 (en) | 2002-04-16 | 2004-11-09 | Applied Materials Inc. | Use of cyclic siloxanes for hardness improvement of low k dielectric films |
| US7105460B2 (en) | 2002-07-11 | 2006-09-12 | Applied Materials | Nitrogen-free dielectric anti-reflective coating and hardmask |
| US6927178B2 (en) | 2002-07-11 | 2005-08-09 | Applied Materials, Inc. | Nitrogen-free dielectric anti-reflective coating and hardmask |
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-
1996
- 1996-10-16 TW TW085112655A patent/TW362118B/zh active
- 1996-10-29 KR KR1019960049669A patent/KR970020216A/ko not_active Ceased
- 1996-10-30 JP JP8287998A patent/JPH09186153A/ja active Pending
- 1996-10-30 EP EP96307864A patent/EP0771886A1/en not_active Withdrawn
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