JPS6232157B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6232157B2
JPS6232157B2 JP57228504A JP22850482A JPS6232157B2 JP S6232157 B2 JPS6232157 B2 JP S6232157B2 JP 57228504 A JP57228504 A JP 57228504A JP 22850482 A JP22850482 A JP 22850482A JP S6232157 B2 JPS6232157 B2 JP S6232157B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon carbide
substrate
plasma
compound
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP57228504A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS59128281A (ja
Inventor
Morinobu Endo
Minoru Takamizawa
Tatsuhiko Motomya
Susumu Ueno
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP57228504A priority Critical patent/JPS59128281A/ja
Priority to US06/564,293 priority patent/US4532150A/en
Publication of JPS59128281A publication Critical patent/JPS59128281A/ja
Publication of JPS6232157B2 publication Critical patent/JPS6232157B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
    • H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
    • H10P14/6334—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H10P14/6336—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/32—Carbides
    • C23C16/325—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/6903—Inorganic materials containing silicon
    • H10P14/6905—Inorganic materials containing silicon being a silicon carbide or silicon carbonitride and not containing oxygen, e.g. SiC or SiC:H

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は基体表面に非晶質炭化けい素被覆物、
特には各種電子材料などの表面に非晶質SixC1-x
（ｘ＝0.2〜0.9）を被覆してなる炭化けい素被覆
物の製造方法に関するものである。 高純度の炭化けい素被覆膜が耐熱性、耐酸化
性、耐薬品性さらには熱伝導性にすぐれているこ
とはよく知られているところであるが、これはま
た半導体特性をもつているので、この炭化けい素
は半導体基板を始めとする各種電子材料およびそ
れらの治具への被覆材料としての応用が試みられ
ている。 他方、各種基体表面に結晶質の炭化けい素被覆
を施こす方法については、従来、(1)炭化けい素を
2000℃以上の高温で昇華させ、これを基体上で再
結晶させて炭化けい素被覆膜を作る方法（特公昭
41―9332号参照）、(2)1650〜2000℃の高温で
（CH3）nSiCl4-o〔ｎ＝０〜３〕で示されるシラ
ンとメタンなどの炭化水素化合物との混合ガスを
熱分解させる方法（特公昭44―18575号参照）、(3)
水素化けい素化合物（SiH4）と炭化水素化合物と
の混合ガスを高温熱分解する方法（英国特許第
1039748号参照）、(4)SiO2またはSiと炭素の混合粉
末を1500℃以上の高温に加熱する方法（特開昭52
―42365号参照）などが知られている。しかし、
この(1)の方法は2000℃以上の高温を必要とするた
めこの基体が制限されるという不利があり、(2)の
方法にはこれもかなりの高温が必要とされるほ
か、加水分解しやすく、取り扱いの難しいクロロ
シラン類を使用するという難点がある。また、(3)
の方法は比較的低温で結晶質炭化けい素被覆を得
ることができるが、これにはSiH4と炭化水素化
合物との間の熱分解温度差および速度差が大きい
ために、この反応系にHClを添加するか、あるい
はSiH4と炭化水素化合物の濃度調整が必要とさ
れるという不利があり、さらにこの(4)の方法には
1500℃以上の高温が必要とされるためこれにも基
体の選択に制限があるという欠点がある。 本発明はこのような不利を解決することのでき
る非晶質SixC1-x（ｘ＝0.2〜0.9）なる炭化けい素
被覆物の製造方法に関するものであり、これは基
体を収納したプラズマ装置内に分子中にSiX結合
（Ｘはハロゲン原子または酸素原子）を含有しな
い、分子中に少なくとも１個の≡SiH結合と少な
くとも２個のけい素原子を含有する有機けい素化
合物またはこの有機けい素化合物と炭化水素化合
物とを導入し、プラズマ気相沈積法で基体上に非
晶質のSixC1-x（ｘ＝0.2〜0.9）の被膜を形成させ
ることを特徴とするものである。 これを説明すると、本発明者らは目的とする基
体上に高純度の炭化けい素を主体とする被膜を形
成させる方法について種々検討した結果、基体物
質を収納した反応装置内で上記した有機けい素化
合物を高周波プラズマで処理すれば、プラズマ気
相沈積法により比較的低温である50〜500℃の温
度でこの基体に非晶質の炭化けい素を主体とする
皮膜を形成させることができることを見出し、こ
の反応条件などについての研究を進め、これによ
れば各種金属、セラミツク、プラスチツクなどを
炭化けい素で被覆してなる炭化けい素被覆物を従
来法にくらべて比較的低い温度で工業的に有利に
製造することができることを確認して本発明を完
成させた。 本発明の方法において使用される始発材として
の基板は特に限定されるものではなく、この発明
の方法が比較的低温で行なわれるということから
どのようなものであつてもよいが、この炭化けい
素被覆物が電子材料として好適とされるというこ
とから、これは例えばすゞ、アルミニウムなどの
金属または金属箔、炭素、金属けい素、炭化けい
素、窒化けい素、アルミナ、石英、ガラスなどの
セラミツク物質さらにはフツ素系、イミド系、ア
ミド系などの耐熱性プラスチツクとすることが好
ましい。 他方、本発明の方法で使用される有機けい素化
合物は、反応器中にガス状で導入されるので、こ
れは揮発性のものとされるが、これはまたその分
子中に分解性のわるいSiX結合を含まないものと
する必要がある。これらの有機けい素化合物は例
えば一般式Ｒ2o+2Sio（こゝにＲは水素原子または
メチル基、エチル基、プロピル基、フエニル基、
ビニル基から選ばれる１価炭化水素基、ただし１
分子中少なくともＲの１個は水素原子、ｎは１〜
４の正数）で示されるポリシラン類、および一般
式
【式】 （こゝにＲは前記に同じ、R1はメチレン基ま
たはフエニレン基、ｍは１〜２の正数）で示され
るシルアルキレン化合物またはシリフエニレン化
合物あるいは同一分子中にこの両者の主骨格をも
つ化合物などがあげられる。この有機けい素化合
物としては次式： （CH3）3―Si―Si―（CH3）2H
【式】
【式】
Ｈ（CH3）2―Si―CH2―Si―（CH3）2H で示されるポリシラン類が例示され、これらはそ
の１種または２種かあるいは２種以上の混合物と
して使用されるが、これについては基体の表面温
度をできるだけ低くし、プラズマ気相沈積法によ
る非晶質SixC1-x（被膜の生成収率、生長速度を
大きいものとするということから、その分子中に
少なくとも１個の≡SiH結合を含み、かつ分子中
に少なくとも２個のけい素原子を含むジシラン、
トリシラン、シルアルキレン、シルフエニレンな
どの化合物とすることが必要であり、これは特に
はメチルポリシラン化合物を350℃以上の温度で
熱分解して得られるテトラメチルジシラン、ヘキ
サメチルトリシランとすることがよい。 これらの有機けい素化合物はプラズマ処理によ
つてSixC1-x（ｘ＝0.2〜0.9）で示される炭化けい
素または炭化けい素と炭素あるいはけい素との非
晶質複合体となり、これが基体物質表面に被着さ
れるのであるが、これには上記有機けい素化合物
単独でもよいがｘの値の必要に応じて有機けい素
化合物に炭化水素化合物、例えばメタン、エタ
ン、プロパン、エチレン、アセチレン、ベンゼ
ン、トルエンなどを添加することがよく、これに
よればｘ値が0.2〜0.9のSixC1-xの被膜を確実に形
成させることができるという有利性が与えられ
る。 本発明の方法は基体物質を収納したプラズマ反
応器内を減圧としたのち、こゝに上記した有機け
い素化合物またはこれと炭化水素化合物とをガス
状で導入し、一定圧力としてから電圧を印加して
器内にプラズマを発生させることによつて行なわ
れるが、これらは必要に応じ、ヘリウム、水素、
アルゴンなどのキヤリヤーガスに伴流させて反応
器内に導入してもよく、このキヤリヤーガスの使
用はプラズマの安定化と共にこのプラズマによつ
て生成するSixC1-x被膜の組成の安定化と物性向
上をもたらすという効果を与えるので好ましいも
のとされる。 このプラズマを発生させるには、反応装置内を
10トル以下、好ましくは0.05〜１トルのガス圧下
としたのち、装置内に設けられている電極に10K
Hz〜100MHz、10W〜100KWの高周波電力を、印
加すればよいが、この電極は外部電極としてもよ
い。また、この装置内には予じめ処理されるべき
基体物質が収納されるが、この基体物質上にプラ
ズマ処理で生成したSixC1-xを被膜として被着さ
せるためにはこれを加熱しておくことがよく、こ
れには例えば基体物質を通電加熱するか、あるい
はこれをプラズマ発生用のアース側電極上に置き
この電極を加熱するようにして、これを50〜500
℃、さらには100〜400℃程度に保持するようにす
ればよい。 上記した本発明の方法で処理された基体物質
は、その表面に有機けい素化合物のプラズマ処理
で生成した非晶質のSixC1-xが皮膜として被着さ
れるが、このSixC1-xの組成はそれが基体物質の
耐熱性、耐酸化性、耐薬品性など炭化けい素本来
の特性を得るためにはｘ＝0.5に近くするように
することが好ましいが、電気特性、光電特性を利
用した半導体基板、光導電体素子等に使用する場
合にはｘ＝0.2〜0.9になるようにする必要があ
り、これにはこの反応系に導入される有機けい素
化合物の種類、量、炭化水素化合物の混合比、キ
ヤリヤーガスの種類、濃度およびプラズマ発生条
件、基体の温度等を適宜選択すれば一定の組成を
示す非晶質SixC1-xなる被膜を安定して得ること
ができる。 つぎに本発明の方法を添付の図面にもとづいて
説明するが、第１図はバツチ式でまた第２図は連
続式に基体を処理する方法を示したものである。 第１図に示されているプラズマ反応器１にはそ
の内部に入力側電極２とアース電極３が設置され
ており、これは系外の真空ポンプ４によつてトラ
ツプ５を経て10トル以下の減圧下に保持され、こ
の系内の真空度はセンサー６によつてピラニー真
空計７に記録される。基体８はアース電極３の上
にあり、これは外部のヒーター電源９によつて加
熱されるアース電極３からの伝熱で所定温度に保
持される。この入力側電極２に高周波電源１０か
ら電力が印加され、系内に低温プラズマが発生さ
れている状態になつたとき、容器１１から流量計
１２、吐出口１３を経て系内に有機けい素化合物
が導入されると、この有機けい素化合物はこの低
温プラズマによつてSixC1-xとなり、これが基体
上に皮膜として被着されるが、この有機けい素化
合物に炭化水素化合物を混合するとき、さらにこ
れをキヤリヤーガスで搬送するときにはこれらを
容器１４，１６から流量計１５，１７を経て流入
させるようにすればよい。また、第２図はこれを
連続的に実施するための装置を示したものである
が、この場合には入力側電極２２が棒状に、また
アース電極２３がドラム状とされ、巻出装置２４
に装置された、捲回されているフイルム状の基体
２５がドラム状のアース電極２３の上を走行して
巻取装置２６に巻取られるようになつており、こ
の基体２５は外部のヒーター２７によつて加熱さ
れているアース電極２３からの伝熱で所定温度に
保持されるようになつているが、この操作は基体
を巻取装置２６の駆動によつて走行させるほかは
上記第１図の方法と同様に処理される。 これを要するに本発明は各種基体上に有機けい
素化合物またはこれと炭化水素化合物のプラズマ
処理で生成したSixC1-xで示される非晶質の炭化
けい素系化合物の皮膜を形成させるものであり、
これによれば耐熱性、耐酸化性を始めとして電気
特性、光電特性、半導体特性のすぐれた基体を容
易に得ることができ、さらにはこの処理が従来法
にくらべて低い温度で行なわれるので、基材の選
択などの制限をなくすことができるという工業的
な有利性が与えられる。 つぎに本発明方法の実施例をあげるが、例中の
Meはメチル基を示したものである。 実施例 １ 第１図に示した装置を使用してこのアース電極
３の上に2.5cm×10cm角のガラス基板を載置し、
これをヒーターで300℃に加熱した。ついで、こ
の装置内を真空排気して内圧が0.05トルに達した
ときに、系内にテトラメチルジシラン
【式】を導入して装置内の圧力を 0.15トルに調整保持したのち、この入力側電極に
13.56MHz、100Wの高周波電力を印加して系内に
プラズマを発生させてこの基板を90分間プラズマ
処理したところ、このガラス基板上には淡黄色の
0.4μｍの被膜が被着された。なお、この被膜を
分析したところ、これはSi0.5C0.5で示されるほゞ
純粋な非晶質炭化けい素であつた。 実施例２〜10、比較例１ 第１図に示した装置を使用してこのアース電極
上に直径２インチの単結晶シリコン基板を載置
し、これをヒーターで200℃に加熱した。つい
で、この装置内を真空排気して内圧が0.05トルに
達したときに系内に水素ガスを通気して内圧を
0.10トルに調整してからこゝにビス（ジメチルシ
リル）メタン
【式】を導入して内 圧を0.2トルに保持したのち、この入力側電極に
13.56MHz、150Wの高周波電力を印加して系内に
プラズマを発生させてこの基板を１時間プラズマ
処理したところ、この単結晶シリコン基板上には
厚さ0.6μｍのSi0.55C0.45の非晶質の炭化けい
素被膜が形成された。 なお、これと同一の条件下で基体、キヤリヤー
ガス、有機けい素系化合物の種類を第１表に示し
たように変化させて、同様に処理したところ、第
１表に併記したような結果が得られ、比較のため
にこの有機けい素化合物をジメチルシラン
〔Me2SiH2〕としたほかは上記と同一条件で処理し
たところ、この場合には炭化けい素の成長速度が
遅く、膜厚も1/2〜1/3となつた。
【表】 応用例 実施例１で得られたサンプルをArイオンレー
ザ（4880Å）で励起したところ、エミツシヨンピ
ークが2.1eV、半値幅0.7eVの橙黄色のフオトル
ミネツセンスを示した。つぎに、実施例６で得ら
れた膜面上にITO（インジウム―スズ酸化物）
膜、ガラス背面にPt薄膜をスパツタリング法によ
り形成し、両電極間に電界を印加すると5500Å
（2.35eV）にピークを持つ緑色の発色を示し、発
光効率は0.6％であつた。 実施例 11 第２図に示した装置を使用して長さ20m、巾15
cm、厚さ0.1mmの巻物状のアルミニウム箔を巻取
り装置に取りつけ、200℃に加熱されているドラ
ム状アース電極を経て巻取り装置に巻き取られる
ようにセツトしたのち、この装置内を真空排気し
て圧力を0.03トルにし、ついでこの系にキヤリヤ
ーガスとして水素ガスとアルゴンガスの等量混合
ガスを200ml／分通気して系内の圧力を0.07トル
に調整した。 つぎにこの装置内にペンタメチルトリシラン を500ml／分通気して圧力を0.10トルに保持して
から、１cm／分の速度でアルミニウム箔を巻き取
りながら入力側電極に110KHz、4KWの高周波電
力を印加して系内にプラズマを発生させ、これに
よりアルミニウム箔を連続的に処理したところ、
このアルミニウム箔上には厚さ0.3μｍの淡黄色
のSi0.53C0.47の均一な被膜が被着された。
【図面の簡単な説明】
図はいずれも本発明方法を実施する装置の縦断
面系統図で、第１図はバツチ式、第２図は連続式
の処理装置を示したものである。 １…プラズマ反応器、２…入力側電極、３…ア
ース電極、４…真空ポンプ、８，２５…基体、
９，２７…ヒーター、１０…高周波電源、１１，
１４，１６…容器。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 基体を収納したプラズマ反応装置内に、分子
    中にSiX結合（Ｘはハロゲン原子または酸素原
    子）を含有しない、分子中に少なくとも１個の≡
    SiH結合と少なくとも２個のけい素原子を含む有
    機けい素化合物またはこの有機けい素化合物と炭
    化水素化合物とを導入し、プラズマ気相沈積法で
    基体上に非晶質のSixC1-x（ｘ＝0.2〜0.9）の被膜
    を形成させることを特徴とする炭化けい素被覆物
    の製造方法。
JP57228504A 1982-12-29 1982-12-29 炭化けい素被覆物の製造方法 Granted JPS59128281A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57228504A JPS59128281A (ja) 1982-12-29 1982-12-29 炭化けい素被覆物の製造方法
US06/564,293 US4532150A (en) 1982-12-29 1983-12-22 Method for providing a coating layer of silicon carbide on the surface of a substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57228504A JPS59128281A (ja) 1982-12-29 1982-12-29 炭化けい素被覆物の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59128281A JPS59128281A (ja) 1984-07-24
JPS6232157B2 true JPS6232157B2 (ja) 1987-07-13

Family

ID=16877476

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57228504A Granted JPS59128281A (ja) 1982-12-29 1982-12-29 炭化けい素被覆物の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4532150A (ja)
JP (1) JPS59128281A (ja)

Families Citing this family (108)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3574997D1 (de) * 1984-03-03 1990-02-01 Stc Plc Pulsierendes plasmaverfahren.
JPH07111957B2 (ja) * 1984-03-28 1995-11-29 圭弘 浜川 半導体の製法
US4797527A (en) * 1985-02-06 1989-01-10 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Electrode for electric discharge machining and method for producing the same
JP2686928B2 (ja) * 1985-08-26 1997-12-08 アンリツ株式会社 シリコン・ゲルマニウム混晶薄膜導電体
JPH083645B2 (ja) * 1985-12-20 1996-01-17 株式会社小松製作所 電子写真感光体
CH668145A5 (fr) * 1986-09-26 1988-11-30 Inst Microtechnique De L Unive Procede et installation de depot de silicium amorphe hydrogene sur un substrat dans une enceinte a plasma.
US4753856A (en) * 1987-01-02 1988-06-28 Dow Corning Corporation Multilayer ceramic coatings from silicate esters and metal oxides
US4895734A (en) * 1987-03-31 1990-01-23 Hitachi Chemical Company, Ltd. Process for forming insulating film used in thin film electroluminescent device
ZA884511B (en) * 1987-07-15 1989-03-29 Boc Group Inc Method of plasma enhanced silicon oxide deposition
US4847162A (en) * 1987-12-28 1989-07-11 Dow Corning Corporation Multilayer ceramics coatings from the ceramification of hydrogen silsequioxane resin in the presence of ammonia
FR2630458A1 (fr) * 1988-04-20 1989-10-27 Pechiney Electrometallurgie Procede de protection superficielle contre la corrosion et l'abrasion d'objets metalliques ou en composite a matrice metallique par depot de carbure de silicium
US5106711A (en) * 1988-04-25 1992-04-21 Kyocera Corporation Electrophotographic sensitive member
DE3837306C2 (de) * 1988-09-27 2002-05-16 Knut Enke Kolben und Kolbenstange für einen Schwingungsdämpfer in Kraftfahrzeugen
DE3832692A1 (de) * 1988-09-27 1990-03-29 Leybold Ag Dichtungselement mit einem absperrkoerper aus einem metallischen oder nichtmetallischen werkstoff und verfahren zum auftragen von hartstoffschichten auf den absperrkoerper
US4894352A (en) * 1988-10-26 1990-01-16 Texas Instruments Inc. Deposition of silicon-containing films using organosilicon compounds and nitrogen trifluoride
DE3838905A1 (de) * 1988-11-17 1990-05-31 Knut Dipl Phys Dr Enke Kratzfester gebrauchsgegenstand, verfahren zu seiner herstellung sowie vorrichtung zur durchfuehrung dieser verfahren
JPH02159716A (ja) * 1988-12-14 1990-06-19 Shin Etsu Chem Co Ltd Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜およびその成膜方法
JP2739129B2 (ja) * 1990-02-21 1998-04-08 日本碍子株式会社 複合部材の製造方法
US5052339A (en) * 1990-10-16 1991-10-01 Air Products And Chemicals, Inc. Radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition process and reactor
JPH04261439A (ja) * 1991-02-14 1992-09-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 有機複合物
JP2794074B2 (ja) * 1991-02-14 1998-09-03 株式会社 半導体エネルギー研究所 有機複合物及びその作製方法
US5262235A (en) * 1991-10-28 1993-11-16 General Electric Company Coated ceramic fiber system
US5465680A (en) * 1993-07-01 1995-11-14 Dow Corning Corporation Method of forming crystalline silicon carbide coatings
US5358755A (en) * 1993-08-13 1994-10-25 Amoco Corporation Amorphous hydrogenated silicon-carbon alloys and solar cells and other semiconductor devices produced therefrom
US5818071A (en) * 1995-02-02 1998-10-06 Dow Corning Corporation Silicon carbide metal diffusion barrier layer
US7005245B1 (en) * 1996-06-25 2006-02-28 Kubacki Ronald M Plasma deposited optical waveguide
US6764812B1 (en) * 1996-06-25 2004-07-20 Ronald M. Kubacki Plasma deposited selective wetting material
US5948166A (en) * 1996-11-05 1999-09-07 3M Innovative Properties Company Process and apparatus for depositing a carbon-rich coating on a moving substrate
US6223683B1 (en) 1997-03-14 2001-05-01 The Coca-Cola Company Hollow plastic containers with an external very thin coating of low permeability to gases and vapors through plasma-assisted deposition of inorganic substances and method and system for making the coating
GB9712338D0 (en) 1997-06-14 1997-08-13 Secr Defence Surface coatings
US6627532B1 (en) * 1998-02-11 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Method of decreasing the K value in SiOC layer deposited by chemical vapor deposition
US6251233B1 (en) 1998-08-03 2001-06-26 The Coca-Cola Company Plasma-enhanced vacuum vapor deposition system including systems for evaporation of a solid, producing an electric arc discharge and measuring ionization and evaporation
US6974766B1 (en) 1998-10-01 2005-12-13 Applied Materials, Inc. In situ deposition of a low κ dielectric layer, barrier layer, etch stop, and anti-reflective coating for damascene application
US6635583B2 (en) 1998-10-01 2003-10-21 Applied Materials, Inc. Silicon carbide deposition for use as a low-dielectric constant anti-reflective coating
US6821571B2 (en) 1999-06-18 2004-11-23 Applied Materials Inc. Plasma treatment to enhance adhesion and to minimize oxidation of carbon-containing layers
US6423384B1 (en) 1999-06-25 2002-07-23 Applied Materials, Inc. HDP-CVD deposition of low dielectric constant amorphous carbon film
US7337216B1 (en) * 1999-07-02 2008-02-26 Amino Holdings Limited Electronic system architecture
EP1094506A3 (en) * 1999-10-18 2004-03-03 Applied Materials, Inc. Capping layer for extreme low dielectric constant films
US6875687B1 (en) 1999-10-18 2005-04-05 Applied Materials, Inc. Capping layer for extreme low dielectric constant films
US6541369B2 (en) * 1999-12-07 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing fixed charges in a semiconductor device
US6573030B1 (en) * 2000-02-17 2003-06-03 Applied Materials, Inc. Method for depositing an amorphous carbon layer
US6794311B2 (en) 2000-07-14 2004-09-21 Applied Materials Inc. Method and apparatus for treating low k dielectric layers to reduce diffusion
US6764958B1 (en) 2000-07-28 2004-07-20 Applied Materials Inc. Method of depositing dielectric films
US6720052B1 (en) 2000-08-24 2004-04-13 The Coca-Cola Company Multilayer polymeric/inorganic oxide structure with top coat for enhanced gas or vapor barrier and method for making same
US6740378B1 (en) 2000-08-24 2004-05-25 The Coca-Cola Company Multilayer polymeric/zero valent material structure for enhanced gas or vapor barrier and uv barrier and method for making same
US6537733B2 (en) * 2001-02-23 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing low dielectric constant silicon carbide layers
US6472333B2 (en) 2001-03-28 2002-10-29 Applied Materials, Inc. Silicon carbide cap layers for low dielectric constant silicon oxide layers
US6777171B2 (en) 2001-04-20 2004-08-17 Applied Materials, Inc. Fluorine-containing layers for damascene structures
US6599584B2 (en) * 2001-04-27 2003-07-29 The Coca-Cola Company Barrier coated plastic containers and coating methods therefor
US6759327B2 (en) * 2001-10-09 2004-07-06 Applied Materials Inc. Method of depositing low k barrier layers
US6656837B2 (en) * 2001-10-11 2003-12-02 Applied Materials, Inc. Method of eliminating photoresist poisoning in damascene applications
US7091137B2 (en) * 2001-12-14 2006-08-15 Applied Materials Bi-layer approach for a hermetic low dielectric constant layer for barrier applications
US6890850B2 (en) * 2001-12-14 2005-05-10 Applied Materials, Inc. Method of depositing dielectric materials in damascene applications
US6838393B2 (en) * 2001-12-14 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Method for producing semiconductor including forming a layer containing at least silicon carbide and forming a second layer containing at least silicon oxygen carbide
US20030194496A1 (en) * 2002-04-11 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Methods for depositing dielectric material
US20030211244A1 (en) * 2002-04-11 2003-11-13 Applied Materials, Inc. Reacting an organosilicon compound with an oxidizing gas to form an ultra low k dielectric
WO2003089502A1 (en) * 2002-04-15 2003-10-30 The Coca-Cola Company Coating composition containing an epoxide additive and structures coated therewith
US6815373B2 (en) * 2002-04-16 2004-11-09 Applied Materials Inc. Use of cyclic siloxanes for hardness improvement of low k dielectric films
US6656840B2 (en) 2002-04-29 2003-12-02 Applied Materials Inc. Method for forming silicon containing layers on a substrate
US7008484B2 (en) * 2002-05-06 2006-03-07 Applied Materials Inc. Method and apparatus for deposition of low dielectric constant materials
GB2406583B (en) * 2002-08-08 2005-12-21 Trikon Technologies Ltd Improvements to showerheads
JP2004109888A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Yasuo Kokubu 光導波路及びその製造方法
US7749563B2 (en) * 2002-10-07 2010-07-06 Applied Materials, Inc. Two-layer film for next generation damascene barrier application with good oxidation resistance
US7270713B2 (en) * 2003-01-07 2007-09-18 Applied Materials, Inc. Tunable gas distribution plate assembly
US6790788B2 (en) * 2003-01-13 2004-09-14 Applied Materials Inc. Method of improving stability in low k barrier layers
US6897163B2 (en) * 2003-01-31 2005-05-24 Applied Materials, Inc. Method for depositing a low dielectric constant film
US6942753B2 (en) * 2003-04-16 2005-09-13 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition
US7261919B2 (en) * 2003-11-18 2007-08-28 Flx Micro, Inc. Silicon carbide and other films and method of deposition
US7030041B2 (en) 2004-03-15 2006-04-18 Applied Materials Inc. Adhesion improvement for low k dielectrics
GB0406049D0 (en) * 2004-03-18 2004-04-21 Secr Defence Surface coatings
US7229911B2 (en) * 2004-04-19 2007-06-12 Applied Materials, Inc. Adhesion improvement for low k dielectrics to conductive materials
US20050277302A1 (en) * 2004-05-28 2005-12-15 Nguyen Son V Advanced low dielectric constant barrier layers
US7229041B2 (en) * 2004-06-30 2007-06-12 Ohio Central Steel Company Lifting lid crusher
US7288205B2 (en) 2004-07-09 2007-10-30 Applied Materials, Inc. Hermetic low dielectric constant layer for barrier applications
US20060021703A1 (en) * 2004-07-29 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
US20070048456A1 (en) * 2004-09-14 2007-03-01 Keshner Marvin S Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and method
ATE433870T1 (de) * 2005-12-23 2009-07-15 Telecom Italia Spa Verfahren zur herstellung eines tintenstrahldruckkopfs
US20080139003A1 (en) * 2006-10-26 2008-06-12 Shahid Pirzada Barrier coating deposition for thin film devices using plasma enhanced chemical vapor deposition process
US20080254233A1 (en) * 2007-04-10 2008-10-16 Kwangduk Douglas Lee Plasma-induced charge damage control for plasma enhanced chemical vapor deposition processes
US7709820B2 (en) * 2007-06-01 2010-05-04 Moxtek, Inc. Radiation window with coated silicon support structure
US7737424B2 (en) * 2007-06-01 2010-06-15 Moxtek, Inc. X-ray window with grid structure
US8498381B2 (en) 2010-10-07 2013-07-30 Moxtek, Inc. Polymer layer on X-ray window
US9305735B2 (en) 2007-09-28 2016-04-05 Brigham Young University Reinforced polymer x-ray window
EP2190778A4 (en) 2007-09-28 2014-08-13 Univ Brigham Young CARBON NANO TUBE ASSEMBLY
US8247971B1 (en) 2009-03-19 2012-08-21 Moxtek, Inc. Resistively heated small planar filament
US7983394B2 (en) 2009-12-17 2011-07-19 Moxtek, Inc. Multiple wavelength X-ray source
US8526574B2 (en) 2010-09-24 2013-09-03 Moxtek, Inc. Capacitor AC power coupling across high DC voltage differential
US8804910B1 (en) 2011-01-24 2014-08-12 Moxtek, Inc. Reduced power consumption X-ray source
US8750458B1 (en) 2011-02-17 2014-06-10 Moxtek, Inc. Cold electron number amplifier
US8929515B2 (en) 2011-02-23 2015-01-06 Moxtek, Inc. Multiple-size support for X-ray window
US9076628B2 (en) 2011-05-16 2015-07-07 Brigham Young University Variable radius taper x-ray window support structure
US8989354B2 (en) 2011-05-16 2015-03-24 Brigham Young University Carbon composite support structure
US9174412B2 (en) 2011-05-16 2015-11-03 Brigham Young University High strength carbon fiber composite wafers for microfabrication
US8761344B2 (en) 2011-12-29 2014-06-24 Moxtek, Inc. Small x-ray tube with electron beam control optics
US20180347035A1 (en) 2012-06-12 2018-12-06 Lam Research Corporation Conformal deposition of silicon carbide films using heterogeneous precursor interaction
US10832904B2 (en) 2012-06-12 2020-11-10 Lam Research Corporation Remote plasma based deposition of oxygen doped silicon carbide films
US10325773B2 (en) 2012-06-12 2019-06-18 Novellus Systems, Inc. Conformal deposition of silicon carbide films
US12334332B2 (en) 2012-06-12 2025-06-17 Lam Research Corporation Remote plasma based deposition of silicon carbide films using silicon-containing and carbon-containing precursors
US9234276B2 (en) 2013-05-31 2016-01-12 Novellus Systems, Inc. Method to obtain SiC class of films of desired composition and film properties
US9173623B2 (en) 2013-04-19 2015-11-03 Samuel Soonho Lee X-ray tube and receiver inside mouth
US9664598B2 (en) 2013-10-18 2017-05-30 Agilent Technologies, Inc. Microfluidic contaminant trap for trapping contaminants in gas chromatography
US9638676B2 (en) 2013-10-18 2017-05-02 Agilent Technologies, Inc. GC column connection with a planar connection to mating devices
US20160314964A1 (en) 2015-04-21 2016-10-27 Lam Research Corporation Gap fill using carbon-based films
KR101941232B1 (ko) * 2016-12-20 2019-01-22 주식회사 티씨케이 반도체 제조용 부품, 복합체 코팅층을 포함하는 반도체 제조용 부품 및 그 제조방법
EP3385761A1 (en) 2017-04-03 2018-10-10 Indigo Diabetes N.V. Optical assembly with protective layer
US10811232B2 (en) * 2017-08-08 2020-10-20 Applied Materials, Inc. Multi-plate faceplate for a processing chamber
KR102841276B1 (ko) * 2018-07-24 2025-07-31 램 리써치 코포레이션 실리콘-함유 전구체 및 탄소-함유 전구체를 사용한 탄화 실리콘 막들의 리모트 플라즈마 기반 증착
US11848199B2 (en) 2018-10-19 2023-12-19 Lam Research Corporation Doped or undoped silicon carbide deposition and remote hydrogen plasma exposure for gapfill

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5722112A (en) * 1980-07-10 1982-02-05 Showa Denko Kk Preparation of noncrystalline sixc1-x

Also Published As

Publication number Publication date
US4532150A (en) 1985-07-30
JPS59128281A (ja) 1984-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6232157B2 (ja)
EP0030638B2 (en) Method for depositing silicon or germanium containing films
JPH09186153A (ja) 無定形ＳｉＮＣ被膜を蒸着する方法
JP2019530975A (ja) トリクロロジシラン
EP0617142A1 (en) Preparation of silica thin films
KR20210024208A (ko) 펜타클로로다이실란
US5693581A (en) Method of manufacturing a pyrolytic boron nitride compact
JP2723472B2 (ja) 基体上に硼燐化シリカガラスを付着する装置および方法
JP2807790B2 (ja) 感光体作製方法
JPS59177919A (ja) 薄膜の選択成長法
JP4480192B2 (ja) 高純度ダイヤモンドの合成方法
JPS6324068B2 (ja)
JP6944699B2 (ja) 六方晶系窒化ホウ素膜の製造方法
JP2636856B2 (ja) ダイヤモンド薄膜の製造方法
JPS6221868B2 (ja)
JP2522987B2 (ja) 薄膜形成装置
JPH06158323A (ja) 硬質炭素被膜の気相合成方法
JPS61236113A (ja) ダイヤモンド薄膜及びｐ型ダイヤモンド半導体の製造方法
JPS6117910B2 (ja)
EP0137512B1 (en) Solar cell
JPS61189634A (ja) 堆積膜形成法
JPH049458A (ja) 含シリコン薄膜の製造方法
JPH0427690B2 (ja)
JPS61189630A (ja) 堆積膜形成法
JP2001181847A (ja) 薄膜の製造方法