JPH09186526A - 検波回路 - Google Patents
検波回路Info
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- JPH09186526A JPH09186526A JP44896A JP44896A JPH09186526A JP H09186526 A JPH09186526 A JP H09186526A JP 44896 A JP44896 A JP 44896A JP 44896 A JP44896 A JP 44896A JP H09186526 A JPH09186526 A JP H09186526A
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- JP
- Japan
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- resistors
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- connection point
- detection circuit
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- Pending
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 24
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000011896 sensitive detection Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
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- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 検波回路を構成する検波素子及びダイオード
が温度により動作状態が変化する特性を有するため、一
定レベルの高周波信号が入力しても回路が置かれた環境
温度に影響されて検波出力が変動する、という問題があ
った。 【解決手段】 正負の電圧源Ｖ1，Ｖ2を用いて平衡型回
路を構成することによって温度による出力変動を低減
し、かつ検波出力を２倍に増大した高感度の検波回路を
得ることができる。さらに、平衡型回路を構成する抵抗
がＲ1＝Ｒ4，Ｒ2＝Ｒ3であり、かつ、ダイオードＤｄ1
とＤｚ1の動作抵抗を加えた値とＤｄ2とＤｚ2の動作抵
抗を加えた値とが等しくなるように選択することによっ
て一層効果を上げることができる。
が温度により動作状態が変化する特性を有するため、一
定レベルの高周波信号が入力しても回路が置かれた環境
温度に影響されて検波出力が変動する、という問題があ
った。 【解決手段】 正負の電圧源Ｖ1，Ｖ2を用いて平衡型回
路を構成することによって温度による出力変動を低減
し、かつ検波出力を２倍に増大した高感度の検波回路を
得ることができる。さらに、平衡型回路を構成する抵抗
がＲ1＝Ｒ4，Ｒ2＝Ｒ3であり、かつ、ダイオードＤｄ1
とＤｚ1の動作抵抗を加えた値とＤｄ2とＤｚ2の動作抵
抗を加えた値とが等しくなるように選択することによっ
て一層効果を上げることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、振幅変調された搬送波
から信号を復調するために正負の電圧源を用いて平衡型
回路を構成することによって温度による出力変動を低減
し、かつ検波出力を２倍に増大した高感度の検波回路に
関する。
から信号を復調するために正負の電圧源を用いて平衡型
回路を構成することによって温度による出力変動を低減
し、かつ検波出力を２倍に増大した高感度の検波回路に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、高周波信号の最大値Ｖｍの略２倍
の検波電圧２Ｖｍに変換する高感度検波回路としては、
図５に示すものがある。図において、高周波信号の負の
半周期ときにはダイオードＤ1をとおしてコンデンサＣ1
が充電され、Ｃ1の両端の電圧Ｖｃ1は高周波信号の最大
値Ｖｍと等しくなる。次に高周波信号が正となるとコン
デンサＣ2はＣ1とＤ2とを通して充電される。このとき
Ｃ2にかかる電圧は高周波信号電圧とＣ1の電圧Ｖｃ1と
を加えたものとなるので、Ｃ2の電圧は信号の最大値Ｖ
ｍの略２倍となる。従って、Ｃ2に並列に接続された負
荷抵抗ＲLには、略２Ｖｍの検波電圧が加えられること
になる（石橋著：わかる電子回路；日新出版株式会
社）。
の検波電圧２Ｖｍに変換する高感度検波回路としては、
図５に示すものがある。図において、高周波信号の負の
半周期ときにはダイオードＤ1をとおしてコンデンサＣ1
が充電され、Ｃ1の両端の電圧Ｖｃ1は高周波信号の最大
値Ｖｍと等しくなる。次に高周波信号が正となるとコン
デンサＣ2はＣ1とＤ2とを通して充電される。このとき
Ｃ2にかかる電圧は高周波信号電圧とＣ1の電圧Ｖｃ1と
を加えたものとなるので、Ｃ2の電圧は信号の最大値Ｖ
ｍの略２倍となる。従って、Ｃ2に並列に接続された負
荷抵抗ＲLには、略２Ｖｍの検波電圧が加えられること
になる（石橋著：わかる電子回路；日新出版株式会
社）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の形態
は、検波素子Ｄ2及びダイオードＤ1が温度により動作状
態が変化する特性を有するため、一定レベルの高周波信
号が入力しても回路が置かれた環境温度に影響されて検
波出力が変動する、という問題があった。そこで本発明
は、周囲温度に影響されず、また高感度の検波回路を提
供することを目的とする。
は、検波素子Ｄ2及びダイオードＤ1が温度により動作状
態が変化する特性を有するため、一定レベルの高周波信
号が入力しても回路が置かれた環境温度に影響されて検
波出力が変動する、という問題があった。そこで本発明
は、周囲温度に影響されず、また高感度の検波回路を提
供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる検波回路
は、２個の検波素子Ｄｄ1，Ｄｄ2を用いた検波回路であ
って、正の電圧源Ｖ1と負の電圧源Ｖ2との間に抵抗Ｒ
1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4を直列に接続し、抵抗Ｒ2とＲ3の接続
点とアースとの間に検波出力端が設けられ、 また、抵
抗Ｒ1とＲ2の接続点からは検波素子Ｄｄ1、次いでコン
デンサＣ1を経てアースとの間に設けられた高周波入力
端が接続され、コンデンサＣ1と検波素 子Ｄｄ1との接
続点からアースにむかってダイオードＤｚ1、また抵抗
Ｒ1とＲ2との接続点とアースとの間にコンデンサＣ2が
夫々接続され、さらに、アースから抵抗Ｒ3とＲ4の接続
点にむかってダイオードＤｚ2、次いで検波素子Ｄｄ2が
接続されたことを特徴とする。
は、２個の検波素子Ｄｄ1，Ｄｄ2を用いた検波回路であ
って、正の電圧源Ｖ1と負の電圧源Ｖ2との間に抵抗Ｒ
1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4を直列に接続し、抵抗Ｒ2とＲ3の接続
点とアースとの間に検波出力端が設けられ、 また、抵
抗Ｒ1とＲ2の接続点からは検波素子Ｄｄ1、次いでコン
デンサＣ1を経てアースとの間に設けられた高周波入力
端が接続され、コンデンサＣ1と検波素 子Ｄｄ1との接
続点からアースにむかってダイオードＤｚ1、また抵抗
Ｒ1とＲ2との接続点とアースとの間にコンデンサＣ2が
夫々接続され、さらに、アースから抵抗Ｒ3とＲ4の接続
点にむかってダイオードＤｚ2、次いで検波素子Ｄｄ2が
接続されたことを特徴とする。
【０００５】また、本発明に係わる他の検波回路は、２
個の検波素子Ｄｄ1，Ｄｄ2を用いた検波回路であって、
正の電圧源Ｖ1と負の電圧源Ｖ2との間に抵抗Ｒ1，Ｒ
2，Ｒ3，Ｒ4を直列に接続し、抵抗Ｒ2とＲ3の接続点と
アースとの間に検波出力端が設けられ、 また、アース
との間に設けられた高周波入力端から抵抗Ｒ3とＲ4の接
続点にむかってコンデンサＣ1、次いで検波素子Ｄｄ1が
接続され、アースからコンデンサＣ1と検波素子Ｄｄ1と
の接続点にむかってダイオードＤｚ1、また抵抗Ｒ3とＲ
4との接続点とアースとの間にコンデンサＣ2が夫々接続
され、さらに、抵抗Ｒ1とＲ2の接続点からアースにむか
って検波素子Ｄｄ2、次いでダイオードＤｚ2が接続され
たことを特徴とする。
個の検波素子Ｄｄ1，Ｄｄ2を用いた検波回路であって、
正の電圧源Ｖ1と負の電圧源Ｖ2との間に抵抗Ｒ1，Ｒ
2，Ｒ3，Ｒ4を直列に接続し、抵抗Ｒ2とＲ3の接続点と
アースとの間に検波出力端が設けられ、 また、アース
との間に設けられた高周波入力端から抵抗Ｒ3とＲ4の接
続点にむかってコンデンサＣ1、次いで検波素子Ｄｄ1が
接続され、アースからコンデンサＣ1と検波素子Ｄｄ1と
の接続点にむかってダイオードＤｚ1、また抵抗Ｒ3とＲ
4との接続点とアースとの間にコンデンサＣ2が夫々接続
され、さらに、抵抗Ｒ1とＲ2の接続点からアースにむか
って検波素子Ｄｄ2、次いでダイオードＤｚ2が接続され
たことを特徴とする。
【０００６】
【作用】上記の構成によれば、本発明は、正負の電圧源
を用いて平衡型回路を構成することによって温度による
出力変動を低減し、かつ検波出力を２倍に増大した高感
度の検波回路を得ることができる。さらに、平衡型回路
を構成する抵抗がＲ1＝Ｒ4，Ｒ2＝Ｒ3であり、かつ、ダ
イオードＤｄ1とＤｚ1の動作抵抗を加えた値とＤｄ2と
Ｄｚ2の動作抵抗を加えた値とが等しくなるように選択
することによって一層効果を上げることができる。
を用いて平衡型回路を構成することによって温度による
出力変動を低減し、かつ検波出力を２倍に増大した高感
度の検波回路を得ることができる。さらに、平衡型回路
を構成する抵抗がＲ1＝Ｒ4，Ｒ2＝Ｒ3であり、かつ、ダ
イオードＤｄ1とＤｚ1の動作抵抗を加えた値とＤｄ2と
Ｄｚ2の動作抵抗を加えた値とが等しくなるように選択
することによって一層効果を上げることができる。
【０００７】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例を
説明する。なお、図面の説明において同一要素には同一
符号を付し、重複する説明を省略する。図１は本実施例
に係わる検波回路の構成を示す回路図であり、振幅変調
された搬送波から信号を復調するために２個の検波素子
Ｄｄ1，Ｄｄ2を用いた検波回路であって、正の電圧源Ｖ
1と負の電圧源Ｖ2との間に抵抗Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4を直
列に接続し、抵抗Ｒ2とＲ3の接続点とアースとの間に検
波出力端が設けられ、また、抵抗Ｒ1とＲ2の接続点から
は検波素子Ｄｄ1、次いでコンデンサＣ1を経てアースと
の間に設けられた高周波入力端が接続され、コンデンサ
Ｃ1と検波素 子Ｄｄ1との接続点からアースにむかって
ダイオードＤｚ1、また抵抗Ｒ1とＲ2との接続点とアー
スとの間にコンデンサＣ2が夫々接続され、さらに、ア
ースから抵抗Ｒ3とＲ4の接続点にむかってダイオードＤ
ｚ2、次いで検波素子Ｄｄ2が接続されている。
説明する。なお、図面の説明において同一要素には同一
符号を付し、重複する説明を省略する。図１は本実施例
に係わる検波回路の構成を示す回路図であり、振幅変調
された搬送波から信号を復調するために２個の検波素子
Ｄｄ1，Ｄｄ2を用いた検波回路であって、正の電圧源Ｖ
1と負の電圧源Ｖ2との間に抵抗Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4を直
列に接続し、抵抗Ｒ2とＲ3の接続点とアースとの間に検
波出力端が設けられ、また、抵抗Ｒ1とＲ2の接続点から
は検波素子Ｄｄ1、次いでコンデンサＣ1を経てアースと
の間に設けられた高周波入力端が接続され、コンデンサ
Ｃ1と検波素 子Ｄｄ1との接続点からアースにむかって
ダイオードＤｚ1、また抵抗Ｒ1とＲ2との接続点とアー
スとの間にコンデンサＣ2が夫々接続され、さらに、ア
ースから抵抗Ｒ3とＲ4の接続点にむかってダイオードＤ
ｚ2、次いで検波素子Ｄｄ2が接続されている。
【０００８】次いで、この回路の動作を図３、図４を用
いて説明する。図３において、入力端に信号が入力され
ない状態では、Ｒ1にはｉ1＋ｉ2、Ｒ2にはｉ2，Ｒ3には
ｉ2、Ｒ4にはｉ2＋ｉ3の電流が流れる。ここで、Ｄｄ1
とＤｚ1の動作抵抗を加えた値とＤｄ2とＤｚ2の動作抵
抗を加えた値とが等しければ、Ｒ1＋Ｒ2に現われる電圧
とＲ3＋Ｒ4に現われる電圧た均衡し、検波出力端子は零
ボルトとなる。 次に、正極性の高周波信号が入力され
ても、ｉ1の電流は変動しないで出力端子には零ボルト
が出力される。一方、コンデンサＣ1の入力側には正電
荷が蓄電されるため、Ｄｚ1を通してコンデンサＣ1の出
力側には負の電荷が蓄電され、高周波信号の最大値−Ｖ
ｍと等しくなる。次いで、図４に示すように、入力端子
に負極性の高周波信号が入力されると、コンデンサＣ1
の出力側には正極性の半周期に蓄積された−Ｖｍと負極
性の信号が入力されたことによる−Ｖｍが加算され、−
２Ｖｍの電圧が生じ、ｉ1を流れる電流は２△ｉ1だけ増
加し、結果として出力には負の電圧が発生する。但し、
△ｉはＤｚ1、Ｄｚ2が抵抗負荷の場合に対する電流増加
量とする。従って、出力端子にはＤｚ1、Ｄｚ2が負荷抵
抗の場合に比べて略２倍の検波出力を得ることができ
る。
いて説明する。図３において、入力端に信号が入力され
ない状態では、Ｒ1にはｉ1＋ｉ2、Ｒ2にはｉ2，Ｒ3には
ｉ2、Ｒ4にはｉ2＋ｉ3の電流が流れる。ここで、Ｄｄ1
とＤｚ1の動作抵抗を加えた値とＤｄ2とＤｚ2の動作抵
抗を加えた値とが等しければ、Ｒ1＋Ｒ2に現われる電圧
とＲ3＋Ｒ4に現われる電圧た均衡し、検波出力端子は零
ボルトとなる。 次に、正極性の高周波信号が入力され
ても、ｉ1の電流は変動しないで出力端子には零ボルト
が出力される。一方、コンデンサＣ1の入力側には正電
荷が蓄電されるため、Ｄｚ1を通してコンデンサＣ1の出
力側には負の電荷が蓄電され、高周波信号の最大値−Ｖ
ｍと等しくなる。次いで、図４に示すように、入力端子
に負極性の高周波信号が入力されると、コンデンサＣ1
の出力側には正極性の半周期に蓄積された−Ｖｍと負極
性の信号が入力されたことによる−Ｖｍが加算され、−
２Ｖｍの電圧が生じ、ｉ1を流れる電流は２△ｉ1だけ増
加し、結果として出力には負の電圧が発生する。但し、
△ｉはＤｚ1、Ｄｚ2が抵抗負荷の場合に対する電流増加
量とする。従って、出力端子にはＤｚ1、Ｄｚ2が負荷抵
抗の場合に比べて略２倍の検波出力を得ることができ
る。
【０００９】また、Ｒ1＝Ｒ4，Ｒ2＝Ｒ3であり、かつ２
個の検波素子Ｄｄ1，Ｄｄ2あるいは２個のダイオードＤ
ｚ1、Ｄｚ2は夫々常温特性及び温度特性が略等しいこ
と、より具体的には、Ｄｄ1とＤｚ1の動作抵抗を加えた
値とＤｄ2とＤｚ2の動作抵抗を加えた値が等しくなるよ
うに選択すると、ｉ1＝ｉ3となるので、ｉ1＋ｉ2＝ｉ3
＋ｉ2となる。従って、検波素子Ｄｄ1、Ｄｚ1あるいは
ダイオードＤｄ2、Ｄｚ2が個別に温度による動作状態が
変化する場合であっても、上記の条件を満たしている限
り、検波出力はその影響を抑えることができる。 ま
た、入力信号が高周波の場合は、検波素子Ｄｄ1、Ｄｚ1
あるいはダイオードＤｄ2、Ｄｚ2としてはショットキー
バリアダイオードを使用することによって高忠実な波形
を得ることができる。さらに、抵抗Ｒ1，Ｒ4を抵抗Ｒ
2，Ｒ3に比し、十分大きく数十ｋΩに選択することによ
って、これらの抵抗値のばらつきによる出力変動を十分
抑制することができる。
個の検波素子Ｄｄ1，Ｄｄ2あるいは２個のダイオードＤ
ｚ1、Ｄｚ2は夫々常温特性及び温度特性が略等しいこ
と、より具体的には、Ｄｄ1とＤｚ1の動作抵抗を加えた
値とＤｄ2とＤｚ2の動作抵抗を加えた値が等しくなるよ
うに選択すると、ｉ1＝ｉ3となるので、ｉ1＋ｉ2＝ｉ3
＋ｉ2となる。従って、検波素子Ｄｄ1、Ｄｚ1あるいは
ダイオードＤｄ2、Ｄｚ2が個別に温度による動作状態が
変化する場合であっても、上記の条件を満たしている限
り、検波出力はその影響を抑えることができる。 ま
た、入力信号が高周波の場合は、検波素子Ｄｄ1、Ｄｚ1
あるいはダイオードＤｄ2、Ｄｚ2としてはショットキー
バリアダイオードを使用することによって高忠実な波形
を得ることができる。さらに、抵抗Ｒ1，Ｒ4を抵抗Ｒ
2，Ｒ3に比し、十分大きく数十ｋΩに選択することによ
って、これらの抵抗値のばらつきによる出力変動を十分
抑制することができる。
【００１０】図２は本実施例に係わる他の検波回路の構
成を示す回路図であり、振幅変調された搬送波から信号
を復調するために２個の検波素子Ｄｄ1，Ｄｄ2を用いた
検波回路であって、正の電圧源Ｖ1と負の電圧源Ｖ2との
間に抵抗Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4を直列に接続し、抵抗Ｒ2
とＲ3の接続点とアースとの間に検波出力端が設けら
れ、また、アースとの間に設けられた高周波入力端から
抵抗Ｒ3とＲ4の接続点にむかってコンデンサＣ1、次い
で検波素子Ｄｄ1が接続され、アースからコンデンサＣ1
と検波素子Ｄｄ1との接続点にむかって ダイオードＤｚ
1、また抵抗Ｒ3とＲ4との接続点とアースとの間にコン
デンサＣ2が夫々接続され、さらに、抵抗Ｒ1とＲ2の接
続点からアースにむかって検波素子Ｄｄ2、次いでダイ
オードＤｚ2が接続されている。この回路についても上
記図１の場合と同様の作用によって、出力端子には正の
電圧を発生させることができる。
成を示す回路図であり、振幅変調された搬送波から信号
を復調するために２個の検波素子Ｄｄ1，Ｄｄ2を用いた
検波回路であって、正の電圧源Ｖ1と負の電圧源Ｖ2との
間に抵抗Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4を直列に接続し、抵抗Ｒ2
とＲ3の接続点とアースとの間に検波出力端が設けら
れ、また、アースとの間に設けられた高周波入力端から
抵抗Ｒ3とＲ4の接続点にむかってコンデンサＣ1、次い
で検波素子Ｄｄ1が接続され、アースからコンデンサＣ1
と検波素子Ｄｄ1との接続点にむかって ダイオードＤｚ
1、また抵抗Ｒ3とＲ4との接続点とアースとの間にコン
デンサＣ2が夫々接続され、さらに、抵抗Ｒ1とＲ2の接
続点からアースにむかって検波素子Ｄｄ2、次いでダイ
オードＤｚ2が接続されている。この回路についても上
記図１の場合と同様の作用によって、出力端子には正の
電圧を発生させることができる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、正負の電圧源を用
いて平衡型回路を構成することによって温度による出力
変動を低減し、かつ検波出力を２倍に増大した高感度の
検波回路を得ることができる。さらに、平衡型回路を構
成する抵抗がＲ1＝Ｒ4，Ｒ2＝Ｒ3であり、かつ、ダイオ
ードＤｄ1とＤｚ1の動作抵抗を加えた値とＤｄ2とＤｚ2
の動作抵抗を加えた値とが等しくなるように選択するこ
とによって一層効果を上げることができる。
いて平衡型回路を構成することによって温度による出力
変動を低減し、かつ検波出力を２倍に増大した高感度の
検波回路を得ることができる。さらに、平衡型回路を構
成する抵抗がＲ1＝Ｒ4，Ｒ2＝Ｒ3であり、かつ、ダイオ
ードＤｄ1とＤｚ1の動作抵抗を加えた値とＤｄ2とＤｚ2
の動作抵抗を加えた値とが等しくなるように選択するこ
とによって一層効果を上げることができる。
【図１】本実施例に係わる検波回路の構成を示す回路図
である。
である。
【図２】本実施例に係わる他の検波回路の構成を示す回
路図である。
路図である。
【図３】本実施例の検波回路の動作を説明する回路図で
ある。
ある。
【図４】本実施例の検波回路の動作を説明する回路図で
ある。
ある。
【図５】従来の検波回路の構成を示す回路図である。
Ｃ1，Ｃ2：コンデンサ Ｄｄ1，Ｄｄ2：検波素子 Ｄｚ1，Ｄｚ2：ダイオード Ｄ1，Ｄ2：ダイオード Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，ＲL：抵抗 ｉ1，ｉ2，ｉ3：バイアス電流 △ｉ：信号電流 Ｖ1，Ｖ2：電圧源 Ｖｍ：高周波信号の最大値
Claims (6)
- 【請求項１】 ２個の検波素子Ｄｄ1，Ｄｄ2を用いた検
波回路であって、正の電圧源Ｖ1と負の電圧源Ｖ2との間
に抵抗Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4を直列に接続し、抵抗Ｒ2と
Ｒ3の接続点とアースとの間に検波出力端が設けられ、
また、抵抗Ｒ1とＲ2の接続点からは検波素子Ｄｄ1、
次いでコンデンサＣ1を経てアースとの間に設けられた
高周波入力端が接続され、コンデンサＣ1と検波素子Ｄ
ｄ1との接続点からアースにむかってダイオードＤｚ1、
また抵抗Ｒ1とＲ2との接続点とアースとの間にコンデン
サＣ2が夫々接続され、 さらに、アースから抵抗Ｒ3とＲ4の接続点にむかってダ
イオードＤｚ2、次いで検波素子Ｄｄ2が接続されたこと
を特徴とする検波回路。 - 【請求項２】 ２個の検波素子Ｄｄ1，Ｄｄ2を用いた検
波回路であって、正の電圧源Ｖ1と負の電圧源Ｖ2との間
に抵抗Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4を直列に接続し、抵抗Ｒ2と
Ｒ3の接続点とアースとの間に検波出力端が設けられ、
また、アースとの間に設けられた高周波入力端から抵抗
Ｒ3とＲ4の接続点にむかってコンデンサＣ1、次いで検
波素子Ｄｄ1が接続され、アースからコンデンサＣ1と検
波素子Ｄｄ1との接続点にむかってダイオードＤｚ1、ま
た抵抗Ｒ3とＲ4との接続点とアースとの間にコンデンサ
Ｃ2が夫々接続され、 さらに、抵抗Ｒ1とＲ2の接続点からアースにむかって検
波素子Ｄｄ2、次いでダイオードＤｚ2が接続されたこと
を特徴とする検波回路。 - 【請求項３】 Ｄｄ1とＤｚ1の動作抵抗を加えた値とＤ
ｄ2とＤｚ2の動作抵抗を加えた値が等しいことを特徴と
する請求項１又は２に記載の検波回路。 - 【請求項４】 検波素子Ｄｄ1，Ｄｄ2及びダイオードＤ
ｚ1、Ｄｚ2がショットキーバリアダイオードであること
を特徴とする請求項１〜３のいづれかに記載の検波回
路。 - 【請求項５】 抵抗Ｒ1とＲ4並びに抵抗Ｒ2とＲ3が夫々
略等しくなるように選択されたことを特徴とする請求項
１又は２に記載の検波回路。 - 【請求項６】 抵抗Ｒ2あるいはＲ3の抵抗値は夫々抵抗
Ｒ1あるいはＲ4の値に比して大きく、数十ｋΩ以上であ
ることを特徴とする請求項１、２又は５に記載の検波回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP44896A JPH09186526A (ja) | 1996-01-08 | 1996-01-08 | 検波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP44896A JPH09186526A (ja) | 1996-01-08 | 1996-01-08 | 検波回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09186526A true JPH09186526A (ja) | 1997-07-15 |
Family
ID=11474085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP44896A Pending JPH09186526A (ja) | 1996-01-08 | 1996-01-08 | 検波回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09186526A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8604837B2 (en) | 2011-03-18 | 2013-12-10 | Fujitsu Semiconductor Limited | Detector circuit |
| US9261543B2 (en) | 2011-02-03 | 2016-02-16 | Rohm Co., Ltd. | Power detection device and method of driving the same |
-
1996
- 1996-01-08 JP JP44896A patent/JPH09186526A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9261543B2 (en) | 2011-02-03 | 2016-02-16 | Rohm Co., Ltd. | Power detection device and method of driving the same |
| US8604837B2 (en) | 2011-03-18 | 2013-12-10 | Fujitsu Semiconductor Limited | Detector circuit |
| US8604836B2 (en) | 2011-03-18 | 2013-12-10 | Fujitsu Semiconductor Limited | Detector circuit |
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