JPH09189541A - 浮上すきま測定方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高密度記録用の浮動ヘッドを所定のすきま値で
浮上するか否かの高精度品質検査を容易に実現できる浮
上すきま測定方法及び装置を提供する。 【解決手段】本発明装置の特徴は、回転する円板２と円
板２の表面を掃滑浮上するスライダ４との間に向けて、
スライダ４の端部の面積よりも小さく絞ったＸ線束βを
照射するＸ線源５と、磁気ヘッド３及びスライダ４を挟
んでＸ線源５と反対側に配置され、円板２とスライダ４
との間を通過したＸ線を検出するＸ線検出器６と、Ｘ線
検出器６によるＸ線検出量から浮上すきま値を求める解
析装置７と備えたことにある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回転する円板と当
該円板の表面を掃滑浮上する浮動ヘッドとの間の微小な
浮上すきま値を測定する浮上すきま測定方法及びその実
施に直接使用する装置に係り、特に磁気ディスク装置に
おける磁気ヘッドの浮上すきま測定に最適な浮上すきま
測定方法及び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスク装置等は、高い記録密度を
実現するため、回転走行する磁性媒体に対して浮動ヘッ
ド（磁気ヘッド）が微小な空隙で安定に浮上できるよう
に流体力学的に設計されている。かかる浮上ヘッドの製
造・検査に当たっては、磁性媒体面上に浮上する浮上ヘ
ッドのすきま測定が重要となる。

【０００３】浮上ヘッドの浮上すきま測定としては、光
干渉を利用した光多重干渉法がある。この種のすきま測
定法は、次の手順にて行われる。先ず、磁性媒体の代わ
りに溶融石英やガラスなどの透明材質の円板を回転させ
て当該円板上に浮上ヘッドを浮上させる。次に、透明円
板の裏面側から予め設定した波長の光を浮上ヘッドに照
射する。続いて、透明円板を通って浮上ヘッドにて反射
された反射光の光量変化を測定して、当該測定値から空
隙の大きさを解析する。

【０００４】前記すきま測定法の解析において、すきま
ｄと反射光量との間に次の式が成り立つ。

【外１】 ここで、Ｉ0 は入射光量、λは入射光の波長、ｄは透明
円板と浮上ヘッドとの間のすきま値である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した光
多重干渉法によるすきま測定には、以下の問題がある。
第１に、前記した数式から判るように、入射光の波長λ
に比べてすきま値ｄが小さいと光量変化が小さくなり、
測定精度が落ちて、正確なすきま値ｄを求めることがで
きなくなる。

【０００６】第２に、浮上ヘッドの接触摺動特性の向上
を図るべく、浮動ヘッドの表面にダイアモンドライクカ
ーボンなどの透明な保護膜を設けると、光学的なすきま
ｄと空隙とが異なって、正確なすきま値を検出すること
ができなくなる。

【０００７】第３に、入射光の波長λを極端に短くして
測定精度の低下を防止しようとすると、透明円板として
利用可能な材質がなくなり、結果としてすきまｄの測定
ができなくなる。例えば、光源に波長２０００オングス
トローム以下の紫外線や数〜数十オングストロームのＸ
線などを使用すると、最も透明性の高い溶融石英でも光
を吸収するので、実効上、光干渉が観測できなくなり、
測定が不可能となる。

【０００８】ここにおいて本発明の解決すべき主要な目
的は、次の通りである。本発明の第１の目的は、高密度
記録用の浮動ヘッドを所定のすきま値で浮上するか否か
の高精度品質検査を容易に実現できる浮上すきま測定方
法及びその実施に直接使用する装置を提供せんとするも
のである。

【０００９】本発明の第２の目的は、従来の光多重干渉
法によるすきま測定の弊害を解消してｎｍオーダーの浮
上すきま測定を可能とする光スリット法による光量変化
現象を利用した浮上すきま測定方法及びその実施に直接
使用する装置を提供せんとするものである。

【００１０】本発明のその他の目的は、明細書、図面、
特に特許請求の範囲の記載から自ずと明らかとなろう。

【００１１】

【課題を解決するための手段】前記した課題の解決は、
本発明が次に列挙する新規な特徴的構成手法及び手段を
採用することにより前記目的を達成する。

【００１２】すなわち、本発明方法の第１の特徴は、回
転する円板と当該円板の表面を掃滑浮上する浮動ヘッド
との間の浮上すきま値を測定するに当り、前記円板を回
転させて前記浮動ヘッドを掃滑浮上させるステップと、
Ｘ線源にてＸ線束を発生させるステップと、当該Ｘ線束
を前記円板と前記浮動ヘッドとの間に向けて照射するス
テップと、前記円板と前記浮動ヘッドとの間を通過した
Ｘ線量を、Ｘ線検出手段にてＸ線通過データとして検出
するステップと、前記Ｘ線通過データを基に前記円板と
前記浮動ヘッドとの間の浮上すきま値を解析するステッ
プとを順次踏んでなる浮上すきま測定方法にある。

【００１３】本発明方法の第２の特徴は、前記本発明方
法の第１の特徴における前記Ｘ線束が、前記浮動ヘッド
の端部の面積より小さく絞ってなる浮上すきま測定方法
にある。

【００１４】本発明方法の第３の特徴は、前記本発明方
法の第１又は第２の特徴における前記Ｘ線検出手段が、
ガイガーカウンタなどに用いられる粒子測定器、又はＸ
線を可視化する蛍光板とフォトディテクタとの組合せか
らなる浮上すきま測定方法にある。

【００１５】本発明方法の第４の特徴は、前記本発明方
法の第１、第２又は第３の特徴における前記Ｘ線源が、
集光コリメータと一体化した構造の小形平行Ｘ線源から
なる浮上すきま測定方法にある。

【００１６】本発明方法の第５の特徴は、前記本発明方
法の第１、第２、第３又は第４の特徴における前記Ｘ線
束が、前記Ｘ線源からパルス的に発生するとともに、当
該Ｘ線束のパルス信号と同期させてロックインアンプに
て前記Ｘ線通過データの出力増幅を行なってなる浮上す
きま測定方法にある。

【００１７】本発明方法の第６の特徴は、前記本発明方
法の第１、第２、第３、第４又は第５の特徴における前
記円板と前記浮動ヘッドが、それぞれ磁気ディスク装置
の磁性媒体と磁気ヘッドのスライダである浮上すきま測
定方法にある。

【００１８】本発明装置の第１の特徴は、回転する円板
と当該円板の表面を掃滑浮上する浮動ヘッドとの間に向
けて、当該浮動ヘッドの端部の面積よりも小さく絞った
Ｘ線束を照射するＸ線源と、前記浮動ヘッドを挟んで前
記Ｘ線源と反対側に配置され、前記円板と前記浮動ヘッ
ドとの間を通過したＸ線を検出するＸ線検出器と、前記
Ｘ線検出器によるＸ線検出量から浮上すきま値を求める
解析装置と備えてなる浮上すきま測定装置にある。

【００１９】本発明装置の第２の特徴は、前記本発明装
置の第１の特徴における前記Ｘ線検出器が、ガイガーカ
ウンタなどに用いられる粒子測定器、又はＸ線を可視化
する蛍光板とフォトディテクタとの組合せからなる浮上
すきま測定装置にある。

【００２０】本発明装置の第３の特徴は、前記本発明装
置の第１又は第２の特徴における前記Ｘ線源が、Ｘ線発
生器と高圧発生回路とからなる浮上すきま測定装置にあ
る。

【００２１】本発明装置の第４の特徴は、前記本発明装
置の第１、第２又は第３の特徴における前記Ｘ線源が、
集光コリメータと一体化した構造の小形平行Ｘ線源から
なる浮上すきま測定装置にある。

【００２２】本発明装置の第５の特徴は、前記本発明装
置の第１、第２、第３又は第４の特徴において、さらに
前記Ｘ線束をパルス的に発生させるために、前記Ｘ線源
の高圧発生回路にパルス信号を送出するパルス発生器
と、当該パルス発生器のパルス信号と同期させて前記Ｘ
線検出器の出力増幅を行なうために、当該Ｘ線検出器の
出力端と前記解析装置の入力端との間に接続されたロッ
クインアンプとを有してなる浮上すきま測定装置にあ
る。

【００２３】本発明装置の第６の特徴は、前記本発明装
置の第１、第２、第３、第４又は第５の特徴における前
記円板と前記浮動ヘッドが、磁気ディスク装置の磁性媒
体とそれぞれ磁気ヘッドのスライダである浮上すきま測
定装置にある。

【００２４】本発明装置の第７の特徴は、前記本発明装
置の第３、第４、第５又は第６の特徴における前記Ｘ線
発生器は、後端をステムでかつ前端を、前面周辺を絶縁
シムに囲繞された中央孔開き電極でそれぞれ封塞される
真空管壁内に引入れたカソードに対向して前記電極の中
央孔内端にターゲットを垂直密閉配置するとともに、当
該中央孔外端直前にアパーチャを臨ませてなる浮上すき
ま測定装置にある。

【００２５】本発明装置の第８の特徴は、前記本発明装
置の第７の特徴における前記ターゲットが、前記カソー
ド側から銅、ダングステン等の金属膜のターゲット膜
と、各中心を重金属ピラーとする陽極アルマイト群の多
孔膜と、薄膜の基板と、にて順次構成してなる浮上すき
ま測定装置にある。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の浮上すきま測定方
法及び装置において、浮上すきま測定に用いる光線とし
てＸ線を選択した理由を説明し、かつ添付図面を参照し
て本発明の実施の形態を、その装置例及び方法例に基づ
いて説明する。

【００２７】（浮上すきま測定に用いる光線としてＸ線
を選択した理由）近年、磁気ディスク装置の製造・検査
において必要な浮上ヘッド（磁気ヘッド）の浮上すきま
測定の測定領域は、０．１μｍ以下に至っている。光ス
リット法を用いた浮上すきま測定によれば、光の大部分
はすきまをつくる磁気ヘッドのスライダと円板に遮られ
るが、検出器側にはすきまのスリットを通過した光だけ
が受光される。

【００２８】照射される光を波動的に考えると、光は光
源から十分に遠く、スライダの後端部のすきま近傍では
ほぼ平面波とみなせる。物理光学の教えるところによれ
ば、すきま値が波長に比べて大きい場合、周知のよう
に、通過光量はすきま値に比例する。スライダと円板の
つくる光路はほぼ並行平板状であり、境界面で臨界角を
越えて物質側に入射する光は全反射される。スライダの
後端に入射した光はそのまま平行に通過する。よって、
目的とする測定領域の浮上すきまに比べて十分小さな波
長の光線（電磁波）を用いなければならない。一方、検
出される光は空気層以外を通過しなければ良いので、円
板やスライダの部材などで吸収される波長のものであっ
ても良い。そこで、かかる目的に合う光源として本発明
ではＸ線を用いることとした。

【００２９】（装置例）図１は本装置例の浮上すきま測
定装置αの概略を示し、図２及び図３はＸ線束の照射方
向及び透過経路を示す。浮上すきま測定装置αは、モー
タ駆動の回転軸１に従って回転する円板２と円板２の表
面を掃滑浮上する磁気ヘッド３のスライダ４との間の浮
上すきま値ｄを測定するのに用いる。同装置αは、図１
に示すように、Ｘ線源５、Ｘ線検出器６、解析装置７、
パルス発生器８、及びロックインアンプ９からなる。

【００３０】Ｘ線源５は、Ｘ線発生管１０と高圧発生回
路１１とからなる。Ｘ線発生管１０は、図４に示すよう
に、回転する円板２と円板２の表面を掃滑浮上する磁気
ヘッド３のスライダ４との間に向けて、スライダ４の端
部の面積よりも小さく絞ったＸ線束βを照射する。図４
は図３のＡ矢視方向から見た状態を示す。

【００３１】ところで、Ｘ線はＸ線発生管１０のターゲ
ット素材などの条件により、数〜数十オングストローム
の波長が得られる。このため、医療検査や非破壊検査な
どの各種の透過観察に用いられている。本発明にて測定
するすきま値ｄは数百オングストロームの範囲なので、
比較的発生させやすい波長のＸ線で十分である。一方、
強力なＸ線を利用する場合は装置自体の大型化や有資格
者による高電圧の取り扱いが必要となる。しかし、微小
なスライダ４のすきまｄを測定するために巨大なＸ線発
生装置を用いることは、実用的、及び装置構成において
問題となる。そこで、本発明では、Ｘ線顕微鏡などに用
いるために発明された小形平行Ｘ線源を用いることとし
た。

【００３２】図５はＸ線発生管１０の構造を示すもので
あり、(a) はＸ線発生管１０の全体の構成原理を示し、
(b) はＸ線発生管１０におけるターゲット１６の構成原
理を示す。Ｘ線発生管１０は、カソード１２、管ステム
１３、アパーチャ１４、管壁１５、ターゲット１６、電
極１７、絶縁シム１８、平面状の多孔膜１９を有する。
管ステム１３（ステム１３ａと管壁１５とカソード１２
とを含む）、ターゲット１６、及び電極１７で囲まれた
空間は、真空管と同様に高真空に保たれる。

【００３３】ターゲット１６は、電子発生源であるカソ
ード１２に対向して垂直に密閉配置された平面形状をし
ており、図５(b) に示すように多孔膜１９、基板１６
ｃ、及びターゲット膜１６ｄからなる。ターゲット１６
の真空側は銅、タングステンなどの金属膜で構成され、
逆側（非真空側）は多孔膜１９に形成された薄膜の基板
１６ｃにて構成され、かつＸ線発生管１０のターゲット
部分が中央孔となっている電極１７に固着されている。

【００３４】図６はターゲット１６の詳細な構造を示
す。ターゲット１６の多孔膜１９は、陽極酸化アルマイ
ト１６ａと重金属ピラー１６ｂとからなる。重金属ピラ
ー１６ｂは直径数十ｎｍの円柱状に形成され、各重金属
ピラー１６ｂの配置間隔は数十〜数百ｎｍである。

【００３５】多孔膜１９は、アルミニウムを片側から陽
極酸化した後、エッチングによりポアを拡大し、さらに
当該ポアに重金属を付着せしめて封孔処理したものであ
る。

【００３６】以上説明した通り本装置例のＸ線源５は、
従来より広く用いられているクーリッジ管と異なり、電
子線衝撃したターゲット１６の裏側からＸ線を取り出
し、かつアルマイト技術で作成した集光コリメータと一
体化した構造をしている。よって、極めて集光性の高い
Ｘ線が得られる。

【００３７】Ｘ線検出器６は、Ｘ線を可視化する蛍光板
６ａとフォトディテクタ６ｂとの組合せからなる。ま
た、蛍光板６ａとフォトディテクタ６ｂとの間にはレン
ズ６ｃが設けられている。Ｘ線検出器６は、磁気ヘッド
３を挟んでＸ線源５と反対側に配置され、円板２と磁気
ヘッド３のスライダ４との間を透過したＸ線を検出す
る。このとき、Ｘ線は光のエネルギーが高いので、フォ
トンを１個ずつ数えることが可能となる。

【００３８】解析装置７は、予めＸ線検出量とすきま値
ｄとの関係データが組み込まれており、Ｘ線検出器６に
て検出されたＸ線検出量から浮上すきま値を解析する。

【００３９】パルス発生器８は、Ｘ線源５の高電圧発生
回路１１とロックインアンプ９にパルス信号を送出す
る。高電圧発生回路１１は、ターゲット１６が薄いた
め、連続して大電流で電子衝撃を与えることができない
ので、パルス発生器８からのパルス信号にてＸ線発生管
１０よりＸ線がパルス的に発生するように作動する。ロ
ックインアンプ９は、Ｘ線検出器６の出力側と解析装置
７の入力側との間に接続され、パルス発生器８のパルス
信号と同期させてＸ線検出器６の出力増幅を行う。

【００４０】なお、Ｘ線発生管１０の電源は、例えば、
ディスプレイ用ブラウン管などに用いられている、パル
ス電圧数十kV、周波数５０kHz 以上のブランキングパル
ス電源としても良い。また、スライダ４の動的なすきま
変動は高くても数十kHz 程度と考えられるので、シャノ
ンのサンプリング定理から、目的とする２倍以上の周期
パルス駆動を行えば、浮上すきま測定の測定帯域を保証
することが可能となる。

【００４１】本装置例では、Ｘ線検出器６に蛍光板６ａ
とフォトディテクタ６ｂとの組合せを用いたが、ガイガ
ーカウンタなどに用いられる粒子測定器を用いても良
い。

【００４２】（方法例）次に、上述した装置例の装置を
用いた本発明の浮上すきま測定方法について説明する。
図７は本方法例による処理の流れを示す。

【００４３】先ず、円板２を回転させて磁気ヘッド３の
スライダ４を浮上させる（ＳＴ１）。次に、Ｘ線源５に
てスライダ４の端部の面積よりも小さく絞ったＸ線束β
をパルス的に発生させて、円板２とスライダ４との間に
向けて照射する（ＳＴ２）。続いて、円板２とスライダ
４との間を通過したＸ線量（Ｘ線通過データ）をＸ線検
出器６にて検出する（ＳＴ３）。そして、解析装置７に
て、受信したＸ線通過データを基に円板２とスライダ４
との間の浮上すきま値ｂを解析する（ＳＴ４）。

【００４４】なお、Ｘ線発生管１０の電源を周期的な高
電圧パルスとしてＸ線をパルス的に発生させ、かつ発生
パルスＸ線信号と同期させてロックインアンプにてＸ線
検出器６の出力増幅を行うようにする。これにより、バ
ースト的に入ってくる雑音の頻度は確率的に減少し、高
輝度化とＳＮ比の改善を同時に行うことができ、Ｘ線源
５の持つＸ線の連続発生の困難性を解決することができ
る。

【００４５】以上説明した本発明の装置例及び方法例に
よれば、たとえスライダ４の表面が透明な保護膜で被覆
されていても、いったん保護膜中に入射したＸ線は当該
保護膜中で反射散乱して、すきまを通過するＸ線に混入
しない。よって、正確に空気のみのすきま値ｄを測定す
ることができる。また、Ｘ線検出器６にて検出されるＸ
線量はスライダ４の材質や形状にかかわらず、すきま値
ｄに対して線形性を持つので、最初に基準のすきま値を
持つスライダにて指標データを得れば、当該指標データ
にてすきま値ｄの解析が簡便にできる。

【００４６】また、本装置例及び方法例では、円板２の
材質に透明な物質を用いる必要がないので、製品として
の磁気ディスク装置等に用いる媒体を直接試験すること
ができ、実働状態の浮上すきまを高い精度で求めること
ができる。さらに、透明円板による従来の光多重干渉法
と併用すれば、本装置例及び方法例では精度の低下する
光の波長オーダー以上の連続的な測定も簡便にできる。

【００４７】以上本発明の代表的な装置例及び方法例に
ついて説明したが、本発明は必ずしもこれらの装置例の
手段及び方法例の手法だけに限定されるものではなく、
本発明にいう目的を達成し、後述する効果を有する範囲
内において適宜変更して実施することができるものであ
る。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、高
密度記録用の浮動ヘッドを所定のすきま値で浮上するか
否かの高精度品質検査を容易に実現できるという効果を
奏する。特に、従来の光多重干渉法によるすきま測定の
弊害を解消してｎｍオーダーの浮上すきま測定を可能と
し、浮動ヘッド表面の保護膜の有無や材質の差異に関わ
らず可視光の波長以下の微小なすきま値を無補正で測定
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の装置例に係る浮上すきま測定装置の概
略構成を示す説明図である。

【図２】本発明の装置例にてＸ線束を照射する方向、Ｘ
線通過経路及び装置の構成原理を示す説明図である。

【図３】同上の装置の構成原理を示す側面図である。

【図４】図３のＡ矢視方向から見た一部拡大図である。

【図５】Ｘ線発生管の構造を示す図であって、(a) はＸ
線発生管の全体的な構成原理を示し、(b) はＸ線発生管
におけるターゲットの構成原理を示す説明図である。

【図６】本装置例で用いるＸ線発生器のターゲットの詳
細な構成原理を示す説明図である。

【図７】本発明の方法例による処理の流れを示すフロー
チャートである。

【符号の説明】 α…浮上すきま測定装置 β…Ｘ線束 ｄ…すきま １…回転軸 ２…円板 ３…磁気ヘッド ４…スライダ ５…Ｘ線源 ６…Ｘ線検出器 ６ａ…蛍光板 ６ｂ…フォトディテクタ ６ｃ…レンズ ７…解析装置 ８…パルス発生器 ９…ロックインアンプ １０…Ｘ線発生管 １１…高圧発生回路 １２…カソード １３…管ステム １３ａ…ステム １４…アパーチャ １５…管壁 １６…ターゲット １６ａ…陽極酸化アルマイト １６ｂ…重金属ピラー １６ｃ…基板 １６ｄ…ターゲット膜 １７…電極 １８…絶縁シム １９…多孔膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 梅村 茂 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 竹中 久貴 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 大久保 俊文 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 越本 泰弘 東京都武蔵野市御殿山一丁目１番３号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】回転する円板と当該円板の表面を掃滑浮上
   する浮動ヘッドとの間の浮上すきま値を測定するに当
   り、 前記円板を回転させて前記浮動ヘッドを掃滑浮上させる
   ステップと、 Ｘ線源にてＸ線束を発生させるステップと、 当該Ｘ線束を前記円板と前記浮動ヘッドとの間に向けて
   照射するステップと、 前記円板と前記浮動ヘッドとの間を通過したＸ線量を、
   Ｘ線検出手段にてＸ線通過データとして検出するステッ
   プと、 前記Ｘ線通過データを基に前記円板と前記浮動ヘッドと
   の間の浮上すきま値を解析するステップとを順次踏む、 ことを特徴とする浮上すきま測定方法。
2. 【請求項２】前記Ｘ線束は、 前記浮動ヘッドの端部の面積より小さく絞る、 ことを特徴とする請求項１に記載の浮上すきま測定方
   法。
3. 【請求項３】前記Ｘ線検出手段は、 ガイガーカウンタなどに用いられる粒子測定器、又はＸ
   線を可視化する蛍光板とフォトディテクタとの組合せか
   らなる、 ことを特徴とする請求項１又は２に記載の浮上すきま測
   定方法。
4. 【請求項４】前記Ｘ線源は、 集光コリメータと一体化した構造の小形平行Ｘ線源であ
   る、 ことを特徴とする請求項１、２又は３に記載の浮上すき
   ま測定方法。
5. 【請求項５】前記Ｘ線束は、 前記Ｘ線源からパルス的に発生するとともに、 当該Ｘ線束のパルス信号と同期させてロックインアンプ
   にて前記Ｘ線通過データの出力増幅を行なう、 ことを特徴とする請求項１、２、３又は４に記載の浮上
   すきま測定方法。
6. 【請求項６】前記円板と前記浮動ヘッドは、 それぞれ磁気ディスク装置の磁性媒体と磁気ヘッドのス
   ライダである、 ことを特徴とする請求項１、２、３、４又は５に記載の
   浮上すきま測定方法。
7. 【請求項７】回転する円板と当該円板の表面を掃滑浮上
   する浮動ヘッドとの間に向けて、当該浮動ヘッドの端部
   の面積よりも小さく絞ったＸ線束を照射するＸ線源と、 前記浮動ヘッドを挟んで前記Ｘ線源と反対側に配置さ
   れ、前記円板と前記浮動ヘッドとの間を通過したＸ線を
   検出するＸ線検出器と、 前記Ｘ線検出器によるＸ線検出量から浮上すきま値を求
   める解析装置と備えた、 ことを特徴とする浮上すきま測定装置。
8. 【請求項８】前記Ｘ線検出器は、 ガイガーカウンタなどに用いられる粒子測定器、又はＸ
   線を可視化する蛍光板とフォトディテクタとの組合せか
   らなる、 ことを特徴とする請求項７に記載の浮上すきま測定装
   置。
9. 【請求項９】前記Ｘ線源は、 Ｘ線発生器と高圧回路とからなる、 ことを特徴とする請求項７又は８に記載の浮上すきま測
   定装置。
10. 【請求項１０】前記Ｘ線源は、 集光コリメータと一体化した構造の小形平行Ｘ線源であ
    る、 ことを特徴とする請求項７、８又は９に記載の浮上すき
    ま測定装置。
11. 【請求項１１】前記Ｘ線束をパルス的に発生させるため
    に、前記Ｘ線源の高圧発生回路にパルス信号を送出する
    パルス発生器と、 当該パルス発生器のパルス信号と同期させて前記Ｘ線検
    出器の出力増幅を行なうために、当該Ｘ線検出器の出力
    端と前記解析装置の入力端との間に接続されたロックイ
    ンアンプとを有する、 ことを特徴とする請求項７、８、９又は１０に記載の浮
    上すきま測定装置。
12. 【請求項１２】前記円板と前記浮動ヘッドは、 それぞれ磁気ディスク装置の磁性媒体と磁気ヘッドのス
    ライダである、 ことを特徴とする７、８、９、１０又は１１に記載の浮
    上すきま測定装置。
13. 【請求項１３】前記Ｘ線発生管は、 後端をステムでかつ前端を、前面周辺を絶縁シムに囲繞
    された中央孔開き電極でそれぞれ封塞される真空管壁内
    に引入れたカソードに対向して前記電極の中央孔内端に
    ターゲットを垂直密閉配置するとともに、当該中央孔外
    端直前にアパーチャを臨ませる、 ことを特徴とする請求項９、１０、１１又は１２に記載
    の浮上すきま測定装置。
14. 【請求項１４】前記ターゲットは、 前記カソード側から銅、ダングステン等の金属膜のター
    ゲット膜と、各中心を重金属ピラーとする陽極アルマイ
    ト群の多孔膜と、薄膜の基板と、にて順次構成する、 ことを特徴とする請求項１３に記載の浮上すきま測定装
    置。