JPH11132754A - X線すきま測定方法及び装置 - Google Patents
X線すきま測定方法及び装置Info
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- JPH11132754A JPH11132754A JP9299074A JP29907497A JPH11132754A JP H11132754 A JPH11132754 A JP H11132754A JP 9299074 A JP9299074 A JP 9299074A JP 29907497 A JP29907497 A JP 29907497A JP H11132754 A JPH11132754 A JP H11132754A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】簡易なX線管により高精度のすきま測定を行う
ことの可能なX線すきま測定方法及び装置を提供する。 【解決手段】回転走行する円板1と、この円板1の表面
上を浮揚する浮動ヘッド2との間に生じる空隙(空気
膜)によるすきまの間隔dを測定するために、X線を発
生するX線管3及びこのX線管3を高電圧パルスにより
駆動する高圧発生回路4と、X線管3から発生されたX
線が、すきまの開口面に対し垂直に入射するよう光路を
形成すると同時に、当該X線をすきまの位置に結像させ
る同軸円形状のフレネルゾーンプレート5と、このフレ
ネルゾーンプレート5によるX線の結像に伴ってすきま
を直線的に通過するX線の通過線量を検出するX線検出
器6と、このX線検出器6の出力に基づいてすきまの間
隔dを数値的に解析するコンピュータ7とを有する。
ことの可能なX線すきま測定方法及び装置を提供する。 【解決手段】回転走行する円板1と、この円板1の表面
上を浮揚する浮動ヘッド2との間に生じる空隙(空気
膜)によるすきまの間隔dを測定するために、X線を発
生するX線管3及びこのX線管3を高電圧パルスにより
駆動する高圧発生回路4と、X線管3から発生されたX
線が、すきまの開口面に対し垂直に入射するよう光路を
形成すると同時に、当該X線をすきまの位置に結像させ
る同軸円形状のフレネルゾーンプレート5と、このフレ
ネルゾーンプレート5によるX線の結像に伴ってすきま
を直線的に通過するX線の通過線量を検出するX線検出
器6と、このX線検出器6の出力に基づいてすきまの間
隔dを数値的に解析するコンピュータ7とを有する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、極めて微小なすき
まの間隔をX線により測定するためのX線すきま測定方
法及び装置に関し、特に、磁気ディスク装置内の磁性媒
体と磁気ヘッドとの関係のように、回転走行する円板
と、この円板との間に所定の空隙(空気膜)を保って当
該円板の表面上を浮揚する浮動ヘッドとの間の微小なす
きまを測定するのに好適なX線すきま測定方法、及びそ
の実施に直接使用するX線すきま測定装置に係わる。
まの間隔をX線により測定するためのX線すきま測定方
法及び装置に関し、特に、磁気ディスク装置内の磁性媒
体と磁気ヘッドとの関係のように、回転走行する円板
と、この円板との間に所定の空隙(空気膜)を保って当
該円板の表面上を浮揚する浮動ヘッドとの間の微小なす
きまを測定するのに好適なX線すきま測定方法、及びそ
の実施に直接使用するX線すきま測定装置に係わる。
【0002】
【従来の技術】一般に、磁気ディスク装置に使用される
磁気ヘッドは、高い記録密度を実現するため、磁性媒体
との間に極力微小な空隙を保って当該磁性媒体の表面上
を安定して浮揚するよう、流体力学的に設計されてい
る。現在、磁気ディスク装置における磁性媒体と磁気ヘ
ッドとの間のすきまの間隔は、0.1μm(1000
Å)以下の微細なレベルにまで至っているが、この種、
回転走行する円板の表面上を浮揚する浮動ヘッドの製造
・検査に当たっては、その運転時(稼動時)における実
際のすきまの間隔を測定して特性判断を行う必要があ
る。
磁気ヘッドは、高い記録密度を実現するため、磁性媒体
との間に極力微小な空隙を保って当該磁性媒体の表面上
を安定して浮揚するよう、流体力学的に設計されてい
る。現在、磁気ディスク装置における磁性媒体と磁気ヘ
ッドとの間のすきまの間隔は、0.1μm(1000
Å)以下の微細なレベルにまで至っているが、この種、
回転走行する円板の表面上を浮揚する浮動ヘッドの製造
・検査に当たっては、その運転時(稼動時)における実
際のすきまの間隔を測定して特性判断を行う必要があ
る。
【0003】従来、この種のすきま測定に用いられる代
表的手法として、光多重干渉法が知られている。この光
多重干渉法は、磁性媒体の代わりに溶融石英やガラスな
どで形成した透明材質の円板を回転させて浮動ヘッドを
浮揚させた状態で、当該透明円板の側から既知波長の光
線を浮動ヘッドに向けて照射し、このとき観測される反
射光量が、光多重干渉により透明円板と浮動ヘッドとの
間のすきまの間隔に応じて変化することを利用して、所
要のすきまの間隔を測定するものである。
表的手法として、光多重干渉法が知られている。この光
多重干渉法は、磁性媒体の代わりに溶融石英やガラスな
どで形成した透明材質の円板を回転させて浮動ヘッドを
浮揚させた状態で、当該透明円板の側から既知波長の光
線を浮動ヘッドに向けて照射し、このとき観測される反
射光量が、光多重干渉により透明円板と浮動ヘッドとの
間のすきまの間隔に応じて変化することを利用して、所
要のすきまの間隔を測定するものである。
【0004】しかし、以上の光多重干渉法においては、
入射光量I0 に対して得られる反射光量は、用いる光線
の波長をλ,すきまの間隔をdとすれば、基本的に、 反射光量∝I0{1−cos(d/λ)} なる式で与えられるため、波長λに比して、すきまの間
隔dが極端に小さい場合には、反射光量の変化率が小さ
くなって、測定精度が低下する欠点があった。
入射光量I0 に対して得られる反射光量は、用いる光線
の波長をλ,すきまの間隔をdとすれば、基本的に、 反射光量∝I0{1−cos(d/λ)} なる式で与えられるため、波長λに比して、すきまの間
隔dが極端に小さい場合には、反射光量の変化率が小さ
くなって、測定精度が低下する欠点があった。
【0005】この欠点は、用いる光線の波長λを短くし
さえすれば解消されるように思われるが、実際には、例
えば波長が2000Å以下の紫外線やそれ以下のX線な
どの光線を用いた場合には、所要の透明円板として最も
透明度の高い溶融石英を用いても、光線が当該透明円板
に吸収されてしまい、実効上、光多重干渉を観測するこ
とが不可能となってしまう。
さえすれば解消されるように思われるが、実際には、例
えば波長が2000Å以下の紫外線やそれ以下のX線な
どの光線を用いた場合には、所要の透明円板として最も
透明度の高い溶融石英を用いても、光線が当該透明円板
に吸収されてしまい、実効上、光多重干渉を観測するこ
とが不可能となってしまう。
【0006】また、これとは別の問題として、浮動ヘッ
ドの接触摺動特性を向上させる目的から、しばしば、そ
の浮動ヘッドの表面にダイヤモンドライクカーボンなど
の透明な保護膜を設けることがあるが、このような場合
には、実際のすきま(空気膜による空隙)と光学的なす
きまとが異なるため、正確なすきま測定が行えない欠点
があった。
ドの接触摺動特性を向上させる目的から、しばしば、そ
の浮動ヘッドの表面にダイヤモンドライクカーボンなど
の透明な保護膜を設けることがあるが、このような場合
には、実際のすきま(空気膜による空隙)と光学的なす
きまとが異なるため、正確なすきま測定が行えない欠点
があった。
【0007】何れにしても、以上の光多重干渉法による
すきま測定は、測定精度の面で限界があり、有用な手法
とは言い難い面がある。
すきま測定は、測定精度の面で限界があり、有用な手法
とは言い難い面がある。
【0008】そこで近年、上述の透明円板を用いた光多
重干渉法に代わり、実際に使用される円板(磁性媒体)
と浮動ヘッド(磁気ヘッド)との間のすきまの側面から
X線を照射し、そのすきまを通過するX線の通過線量を
検出して所要のすきま測定を行う、いわばX線顕微鏡の
原理を応用した手法が採用されている。即ち、このX線
による手法は、すきまの間隔に応じてX線の通過線量が
比例的に変化する現象を利用したものであり、この手法
によれば、上述の光多重干渉法で用いられていたX線の
吸収をもたらす透明材料を一切用いないため、非常に精
度の高いすきま測定を行うことが可能となる(例えば、
本出願人による特開平9−189541号公報に開示の
発明を参照)。
重干渉法に代わり、実際に使用される円板(磁性媒体)
と浮動ヘッド(磁気ヘッド)との間のすきまの側面から
X線を照射し、そのすきまを通過するX線の通過線量を
検出して所要のすきま測定を行う、いわばX線顕微鏡の
原理を応用した手法が採用されている。即ち、このX線
による手法は、すきまの間隔に応じてX線の通過線量が
比例的に変化する現象を利用したものであり、この手法
によれば、上述の光多重干渉法で用いられていたX線の
吸収をもたらす透明材料を一切用いないため、非常に精
度の高いすきま測定を行うことが可能となる(例えば、
本出願人による特開平9−189541号公報に開示の
発明を参照)。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のX線
を用いたすきま測定の手法においては、すきまの先鋭な
拡大像を得るために、放射分布が一点に集中した強力な
X線を放射しうる高性能なX線管を用いることが必須条
件となる。
を用いたすきま測定の手法においては、すきまの先鋭な
拡大像を得るために、放射分布が一点に集中した強力な
X線を放射しうる高性能なX線管を用いることが必須条
件となる。
【0010】しかし、この種の高性能なX線管を得るに
は、X線の放射の広がりを抑制してその放射効率を向上
させるために、内部のターゲットに照射される電子ビー
ムの輝点像を一点に集中させる必要があることから、そ
のための電子レンズがかなり大がかりになり、加えて、
そのX線の放射の広がりをさらに抑制すると同時に周囲
への不要放射を抑制して被爆に対する安全性を確保する
ために、ピンホールを貫設して成る金属性のシールドを
用いる必要があることから、所要のX線強度を得るため
の電力が大きくなるという欠点がある。
は、X線の放射の広がりを抑制してその放射効率を向上
させるために、内部のターゲットに照射される電子ビー
ムの輝点像を一点に集中させる必要があることから、そ
のための電子レンズがかなり大がかりになり、加えて、
そのX線の放射の広がりをさらに抑制すると同時に周囲
への不要放射を抑制して被爆に対する安全性を確保する
ために、ピンホールを貫設して成る金属性のシールドを
用いる必要があることから、所要のX線強度を得るため
の電力が大きくなるという欠点がある。
【0011】無論、ターゲットにおけるX線変換効率は
決して高いものではなく、その大部分が熱損失となるこ
とから、この種の大電力型のX線管においては、ターゲ
ットの熱損傷を防ぐための対策を十分に講じる必要があ
り、具体的には、回転方式のターゲットを採用したり、
当該ターゲットを冷却するための機構を付加したりする
必要がある。これでは、装置全体が大型化かつ複雑化す
るばかりで、回転走行する円板と浮動ヘッドとの間のす
きまを測定する手法としては、決して実際的であるとは
言えない。できれば、より簡易でかつ被爆に対する安全
性が確保されたすきま測定の手法が望まれるところであ
る。
決して高いものではなく、その大部分が熱損失となるこ
とから、この種の大電力型のX線管においては、ターゲ
ットの熱損傷を防ぐための対策を十分に講じる必要があ
り、具体的には、回転方式のターゲットを採用したり、
当該ターゲットを冷却するための機構を付加したりする
必要がある。これでは、装置全体が大型化かつ複雑化す
るばかりで、回転走行する円板と浮動ヘッドとの間のす
きまを測定する手法としては、決して実際的であるとは
言えない。できれば、より簡易でかつ被爆に対する安全
性が確保されたすきま測定の手法が望まれるところであ
る。
【0012】また、これとは別の問題として、回転走行
する円板の表面上に浮動ヘッドを実際に浮揚させた場
合、当該円板のランナウトやうねりにより、浮動ヘッド
との間に生じるすきまの位置が微妙に変動することがあ
るが、この種の位置変動にも対応しうるすきま測定の手
法が実現されれば、より好ましいことと言える。
する円板の表面上に浮動ヘッドを実際に浮揚させた場
合、当該円板のランナウトやうねりにより、浮動ヘッド
との間に生じるすきまの位置が微妙に変動することがあ
るが、この種の位置変動にも対応しうるすきま測定の手
法が実現されれば、より好ましいことと言える。
【0013】ここにおいて、本発明の解決すべき主要な
目的は次のとおりである。
目的は次のとおりである。
【0014】即ち、本発明の第1の目的は、簡易なX線
管により高精度のすきま測定を行うことの可能なX線す
きま測定方法及び装置を提供せんとするものである。
管により高精度のすきま測定を行うことの可能なX線す
きま測定方法及び装置を提供せんとするものである。
【0015】本発明の第2の目的は、被爆に対する安全
度が確保されたX線すきま測定方法及び装置を提供せん
とするものである。
度が確保されたX線すきま測定方法及び装置を提供せん
とするものである。
【0016】本発明の第3の目的は、すきまの位置変動
にも対応しうるX線すきま測定方法及び装置を提供せん
とするものである。
にも対応しうるX線すきま測定方法及び装置を提供せん
とするものである。
【0017】本発明の他の目的は、明細書、図面、特に
特許請求の範囲の各請求項の記載から自ずと明らかとな
ろう。
特許請求の範囲の各請求項の記載から自ずと明らかとな
ろう。
【0018】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題の解
決にあたり、大電力型ではない汎用の簡易なX線管によ
りX線を発生させ、このX線を、所定のX線結像手段を
用いて測定対象であるすきまの位置に結像させて所要の
すきま測定を行うという特徴を有する。また、必要に応
じ、すきまの位置変動に追従してX線が常にすきまの位
置に入射するよう、X線結像手段を移動させるという特
徴を有する。
決にあたり、大電力型ではない汎用の簡易なX線管によ
りX線を発生させ、このX線を、所定のX線結像手段を
用いて測定対象であるすきまの位置に結像させて所要の
すきま測定を行うという特徴を有する。また、必要に応
じ、すきまの位置変動に追従してX線が常にすきまの位
置に入射するよう、X線結像手段を移動させるという特
徴を有する。
【0019】さらに、具体的詳細に述べると、当該課題
の解決では、本発明が次に列挙する上位概念から下位概
念にわたる新規な特徴的構成手法及び手段を採用するこ
とにより、前記目的を達成するよう為される。
の解決では、本発明が次に列挙する上位概念から下位概
念にわたる新規な特徴的構成手法及び手段を採用するこ
とにより、前記目的を達成するよう為される。
【0020】即ち、本発明方法の第1の特徴は、所定の
X線発生手段を用いてX線を発生させ、この発生させた
X線が測定対象であるすきまの開口面に対し垂直に入射
するよう、所定のX線結像手段を用いて光路を形成する
と同時に当該X線をすきまの位置に結像させ、このX線
の結像に伴ってすきまを直線的に通過するX線の通過線
量を所定のX線検出手段を用いて検出し、このときの検
出結果に基づき、所定の解析手段を用いてすきまの間隔
を解析する、X線すきま測定方法の構成採用にある。
X線発生手段を用いてX線を発生させ、この発生させた
X線が測定対象であるすきまの開口面に対し垂直に入射
するよう、所定のX線結像手段を用いて光路を形成する
と同時に当該X線をすきまの位置に結像させ、このX線
の結像に伴ってすきまを直線的に通過するX線の通過線
量を所定のX線検出手段を用いて検出し、このときの検
出結果に基づき、所定の解析手段を用いてすきまの間隔
を解析する、X線すきま測定方法の構成採用にある。
【0021】本発明方法の第2の特徴は、上記本発明方
法の第1の特徴における測定対象であるすきまが、その
測定領域を物質を透過する波長に比べ十分小さい0.1
μm以下である、X線すきま測定方法の構成採用にあ
る。
法の第1の特徴における測定対象であるすきまが、その
測定領域を物質を透過する波長に比べ十分小さい0.1
μm以下である、X線すきま測定方法の構成採用にあ
る。
【0022】本発明方法の第3の特徴は、上記本発明方
法の第1又は第2の特徴におけるX線が、すきまの間隔
に比して十分小さい波長の光や、すきまを形成する部材
に吸収される波長の光に代表される、X線すきま測定方
法の構成採用にある。
法の第1又は第2の特徴におけるX線が、すきまの間隔
に比して十分小さい波長の光や、すきまを形成する部材
に吸収される波長の光に代表される、X線すきま測定方
法の構成採用にある。
【0023】本発明方法の第4の特徴は、上記本発明方
法の第1、第2又は第3の特徴におけるX線発生手段と
して、X線管と、このX線管を高電圧パルスにより駆動
する高圧発生回路とから成るものを用いる、X線すきま
測定方法の構成採用にある。
法の第1、第2又は第3の特徴におけるX線発生手段と
して、X線管と、このX線管を高電圧パルスにより駆動
する高圧発生回路とから成るものを用いる、X線すきま
測定方法の構成採用にある。
【0024】本発明方法の第5の特徴は、上記本発明方
法の第4の特徴におけるX線管として、内部のターゲッ
トに照射される電子ビームの輝点像の広がりが許容さ
れ、X線の放射の有限範囲への広がりが許容されたもの
を用いる、X線すきま測定方法の構成採用にある。
法の第4の特徴におけるX線管として、内部のターゲッ
トに照射される電子ビームの輝点像の広がりが許容さ
れ、X線の放射の有限範囲への広がりが許容されたもの
を用いる、X線すきま測定方法の構成採用にある。
【0025】本発明方法の第6の特徴は、上記本発明方
法の第1、第2、第3、第4又は第5の特徴におけるX
線の結像時におけるウェストの大きさを、すきまの間隔
に比して十分に大きく設定する、X線すきま測定方法の
構成採用にある。
法の第1、第2、第3、第4又は第5の特徴におけるX
線の結像時におけるウェストの大きさを、すきまの間隔
に比して十分に大きく設定する、X線すきま測定方法の
構成採用にある。
【0026】本発明方法の第7の特徴は、上記本発明方
法の第1、第2、第3、第4、第5又は第6の特徴にお
けるX線結像手段として、フレネルゾーンプレートを用
いる、X線すきま測定方法の構成採用にある。
法の第1、第2、第3、第4、第5又は第6の特徴にお
けるX線結像手段として、フレネルゾーンプレートを用
いる、X線すきま測定方法の構成採用にある。
【0027】本発明方法の第8の特徴は、上記本発明方
法の第1、第2、第3、第4、第5又は第6の特徴にお
けるX線結像手段として、人工多層膜ミラーを用いたニ
ュートン焦点方式の反射光学系機器を用いる、X線すき
ま測定方法の構成採用にある。
法の第1、第2、第3、第4、第5又は第6の特徴にお
けるX線結像手段として、人工多層膜ミラーを用いたニ
ュートン焦点方式の反射光学系機器を用いる、X線すき
ま測定方法の構成採用にある。
【0028】本発明方法の第9の特徴は、上記本発明方
法の第1、第2、第3、第4、第5又は第6の特徴にお
けるX線結像手段として、人工多層膜ミラーを用いたオ
フセットカセグレン焦点方式の反射光学系機器を用い
る、X線すきま測定方法の構成採用にある。
法の第1、第2、第3、第4、第5又は第6の特徴にお
けるX線結像手段として、人工多層膜ミラーを用いたオ
フセットカセグレン焦点方式の反射光学系機器を用い
る、X線すきま測定方法の構成採用にある。
【0029】本発明方法の第10の特徴は、上記本発明
方法の第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第
8又は第9の特徴におけるX線検出手段として、入射し
たX線を可視光線に変換するシンチレータと、このシン
チレータにより得られた可視光線をさらに電気信号に変
換する光検出素子とから成るものを用いる、X線すきま
測定方法の構成採用にある。
方法の第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第
8又は第9の特徴におけるX線検出手段として、入射し
たX線を可視光線に変換するシンチレータと、このシン
チレータにより得られた可視光線をさらに電気信号に変
換する光検出素子とから成るものを用いる、X線すきま
測定方法の構成採用にある。
【0030】本発明方法の第11の特徴は、上記本発明
方法の第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第
8、第9又は第10の特徴における解析手段として、X
線検出手段の出力に基づいて数値解析を行うコンピュー
タを用いる、X線すきま測定方法の構成採用にある。
方法の第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第
8、第9又は第10の特徴における解析手段として、X
線検出手段の出力に基づいて数値解析を行うコンピュー
タを用いる、X線すきま測定方法の構成採用にある。
【0031】本発明方法の第12の特徴は、上記本発明
方法の第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第
8、第9、第10又は第11の特徴におけるX線検出手
段の出力が、X線の通過線量に関しての2次元情報を含
む、X線すきま測定方法の構成採用にある。
方法の第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第
8、第9、第10又は第11の特徴におけるX線検出手
段の出力が、X線の通過線量に関しての2次元情報を含
む、X線すきま測定方法の構成採用にある。
【0032】本発明方法の第13の特徴は、上記本発明
方法の第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第
8、第9、第10、第11又は第12の特徴におけるす
きまの位置変動を所定の位置変動検出手段を用いて検出
し、このときの検出結果に基づき、すきまの位置変動に
追従してX線が常にすきまの位置に入射するよう、所定
の光軸補正手段を用いてX線結像手段をX線の光軸に垂
直な面内方向へ2次元的に移動させる、X線すきま測定
方法の構成採用にある。
方法の第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第
8、第9、第10、第11又は第12の特徴におけるす
きまの位置変動を所定の位置変動検出手段を用いて検出
し、このときの検出結果に基づき、すきまの位置変動に
追従してX線が常にすきまの位置に入射するよう、所定
の光軸補正手段を用いてX線結像手段をX線の光軸に垂
直な面内方向へ2次元的に移動させる、X線すきま測定
方法の構成採用にある。
【0033】本発明方法の第14の特徴は、上記本発明
方法の第13の特徴における光軸補正手段として、2軸
アクチュエータを用いる、X線すきま測定方法の構成採
用にある。
方法の第13の特徴における光軸補正手段として、2軸
アクチュエータを用いる、X線すきま測定方法の構成採
用にある。
【0034】本発明方法の第15の特徴は、上記本発明
方法の第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第
8、第9、第10、第11、第12、第13又は第14
の特徴におけるすきまの測定を、回転走行する所定の円
板と、この円板の表面上を浮揚する所定の浮動ヘッドと
の間に生じる空隙を対象として行う、X線すきま測定方
法の構成採用にある。
方法の第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第
8、第9、第10、第11、第12、第13又は第14
の特徴におけるすきまの測定を、回転走行する所定の円
板と、この円板の表面上を浮揚する所定の浮動ヘッドと
の間に生じる空隙を対象として行う、X線すきま測定方
法の構成採用にある。
【0035】本発明方法の第16の特徴は、上記本発明
方法の第15の特徴における円板及び浮動ヘッドとし
て、それぞれ、磁気ディスク装置内の磁性媒体及び磁気
ヘッドを相当させる、X線すきま測定方法の構成採用に
ある。
方法の第15の特徴における円板及び浮動ヘッドとし
て、それぞれ、磁気ディスク装置内の磁性媒体及び磁気
ヘッドを相当させる、X線すきま測定方法の構成採用に
ある。
【0036】一方、本発明装置の第1の特徴は、X線を
発生するX線発生手段と、このX線発生手段から発生さ
れたX線が測定対象であるすきまの開口面に対し垂直に
入射するよう光路を形成すると同時に、当該X線をすき
まの位置に結像させるX線結像手段と、このX線結像手
段によるX線の結像に伴ってすきまを直線的に通過する
X線の通過線量を検出するX線検出手段と、このX線検
出手段の出力に基づいてすきまの間隔を解析する解析手
段とを具備して成る、X線すきま測定装置の構成採用に
ある。
発生するX線発生手段と、このX線発生手段から発生さ
れたX線が測定対象であるすきまの開口面に対し垂直に
入射するよう光路を形成すると同時に、当該X線をすき
まの位置に結像させるX線結像手段と、このX線結像手
段によるX線の結像に伴ってすきまを直線的に通過する
X線の通過線量を検出するX線検出手段と、このX線検
出手段の出力に基づいてすきまの間隔を解析する解析手
段とを具備して成る、X線すきま測定装置の構成採用に
ある。
【0037】本発明装置の第2の特徴は、上記本発明装
置の第1の特徴におけるX線発生手段が、X線管と、こ
のX線管を高電圧パルスにより駆動する高圧発生回路と
から成る、X線すきま測定装置の構成採用にある。
置の第1の特徴におけるX線発生手段が、X線管と、こ
のX線管を高電圧パルスにより駆動する高圧発生回路と
から成る、X線すきま測定装置の構成採用にある。
【0038】本発明装置の第3の特徴は、上記本発明装
置の第2の特徴におけるX線管が、内部のターゲットに
照射される電子ビームの輝点像の広がりが許容され、X
線の放射の有限範囲への広がりが許容されたものであ
る、X線すきま測定装置の構成採用にある。
置の第2の特徴におけるX線管が、内部のターゲットに
照射される電子ビームの輝点像の広がりが許容され、X
線の放射の有限範囲への広がりが許容されたものであ
る、X線すきま測定装置の構成採用にある。
【0039】本発明装置の第4の特徴は、上記本発明装
置の第1、第2又は第3の特徴におけるX線結像手段に
よるX線の結像時におけるウェストの大きさが、すきま
の間隔に比して十分に大きいものである、X線すきま測
定装置の構成採用にある。
置の第1、第2又は第3の特徴におけるX線結像手段に
よるX線の結像時におけるウェストの大きさが、すきま
の間隔に比して十分に大きいものである、X線すきま測
定装置の構成採用にある。
【0040】本発明装置の第5の特徴は、上記本発明装
置の第1、第2、第3又は第4の特徴におけるX線結像
手段が、フレネルゾーンプレートである、X線すきま測
定装置の構成採用にある。
置の第1、第2、第3又は第4の特徴におけるX線結像
手段が、フレネルゾーンプレートである、X線すきま測
定装置の構成採用にある。
【0041】本発明装置の第6の特徴は、上記本発明装
置の第5の特徴におけるフレネルゾーンプレートが、光
軸に垂直配置の同軸円形状の遮蔽帯を有するか、光軸外
一部反射X線の発生強度を随時観測しかつ光軸に斜め配
置の同軸楕円形状の遮蔽帯を有するかの何れかである、
X線すきま測定装置の構成採用にある。
置の第5の特徴におけるフレネルゾーンプレートが、光
軸に垂直配置の同軸円形状の遮蔽帯を有するか、光軸外
一部反射X線の発生強度を随時観測しかつ光軸に斜め配
置の同軸楕円形状の遮蔽帯を有するかの何れかである、
X線すきま測定装置の構成採用にある。
【0042】本発明装置の第7の特徴は、上記本発明装
置の第1、第2、第3又は第4の特徴におけるX線結像
手段が、人工多層膜ミラーを用いたニュートン焦点方式
の反射光学系機器である、X線すきま測定装置の構成採
用にある。
置の第1、第2、第3又は第4の特徴におけるX線結像
手段が、人工多層膜ミラーを用いたニュートン焦点方式
の反射光学系機器である、X線すきま測定装置の構成採
用にある。
【0043】本発明装置の第8の特徴は、上記本発明装
置の第1、第2、第3又は第4の特徴におけるX線結像
手段が、人工多層膜ミラーを用いたオフセットカセグレ
ン焦点方式の反射光学系機器である、X線すきま測定装
置の構成採用にある。
置の第1、第2、第3又は第4の特徴におけるX線結像
手段が、人工多層膜ミラーを用いたオフセットカセグレ
ン焦点方式の反射光学系機器である、X線すきま測定装
置の構成採用にある。
【0044】本発明装置の第9の特徴は、上記本発明装
置の第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7又は第
8の特徴におけるX線検出手段が、入射したX線を可視
光線に変換するシンチレータと、このシンチレータによ
り得られた可視光線をさらに電気信号に変換する光検出
素子とから成る、X線すきま測定装置の構成採用にあ
る。
置の第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7又は第
8の特徴におけるX線検出手段が、入射したX線を可視
光線に変換するシンチレータと、このシンチレータによ
り得られた可視光線をさらに電気信号に変換する光検出
素子とから成る、X線すきま測定装置の構成採用にあ
る。
【0045】本発明装置の第10の特徴は、上記本発明
装置の第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第
8又は第9の特徴における解析手段が、X線検出手段の
出力に基づいて数値解析を行うコンピュータである、X
線すきま測定装置の構成採用にある。
装置の第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第
8又は第9の特徴における解析手段が、X線検出手段の
出力に基づいて数値解析を行うコンピュータである、X
線すきま測定装置の構成採用にある。
【0046】本発明装置の第11の特徴は、上記本発明
装置の第2、第3、第4、第5、第6、第7、第8、第
9又は第10の特徴におけるX線検出手段と解析手段と
が、その間に、順次、プリアンプと、高圧発生回路の参
照信号を受けるロックインアンプとを介接する、X線す
きま測定装置の構成採用にある。
装置の第2、第3、第4、第5、第6、第7、第8、第
9又は第10の特徴におけるX線検出手段と解析手段と
が、その間に、順次、プリアンプと、高圧発生回路の参
照信号を受けるロックインアンプとを介接する、X線す
きま測定装置の構成採用にある。
【0047】本発明装置の第12の特徴は、上記本発明
装置の第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第
8、第9、第10又は第11の特徴における各構成要素
に加え、すきまの位置変動を検出する位置変動検出手段
と、この位置変動検出手段の出力に基づき、すきまの位
置変動に追従してX線が常にすきまの位置に入射するよ
うX線結像手段をX線の光軸に垂直な面内方向へ2次元
的に移動させる光軸補正手段とをさらに具備して成る、
X線すきま測定装置の構成採用にある。
装置の第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第
8、第9、第10又は第11の特徴における各構成要素
に加え、すきまの位置変動を検出する位置変動検出手段
と、この位置変動検出手段の出力に基づき、すきまの位
置変動に追従してX線が常にすきまの位置に入射するよ
うX線結像手段をX線の光軸に垂直な面内方向へ2次元
的に移動させる光軸補正手段とをさらに具備して成る、
X線すきま測定装置の構成採用にある。
【0048】本発明装置の第13の特徴は、上記本発明
装置の第12の特徴における光軸補正手段が、2軸アク
チュエータである、X線すきま測定装置の構成採用にあ
る。
装置の第12の特徴における光軸補正手段が、2軸アク
チュエータである、X線すきま測定装置の構成採用にあ
る。
【0049】本発明装置の第14の特徴は、上記本発明
装置の第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第
8、第9、第10、第11、第12又は第13の特徴に
おけるすきまが、回転走行する円板と、この円板の表面
上を浮揚する浮動ヘッドとの間に生じる空隙である、X
線すきま測定装置の構成採用にある。
装置の第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第
8、第9、第10、第11、第12又は第13の特徴に
おけるすきまが、回転走行する円板と、この円板の表面
上を浮揚する浮動ヘッドとの間に生じる空隙である、X
線すきま測定装置の構成採用にある。
【0050】本発明装置の第15の特徴は、上記本発明
装置の第14の特徴における位置変動検出手段が、浮動
ヘッドの下方に臨ませ、その出力を増幅する制御増幅器
を介して2軸アクチュエータを駆動する位置検出器であ
る、X線すきま測定装置の構成採用にある。
装置の第14の特徴における位置変動検出手段が、浮動
ヘッドの下方に臨ませ、その出力を増幅する制御増幅器
を介して2軸アクチュエータを駆動する位置検出器であ
る、X線すきま測定装置の構成採用にある。
【0051】本発明装置の第16の特徴は、上記本発明
装置の第15の特徴における位置検出器が、レーザード
ップラー測長器や、焦点検出器に代表される、X線すき
ま測定装置の構成採用にある。
装置の第15の特徴における位置検出器が、レーザード
ップラー測長器や、焦点検出器に代表される、X線すき
ま測定装置の構成採用にある。
【0052】本発明装置の第17の特徴は、上記本発明
装置の第14、第15又は第16の特徴における円板及
び浮動ヘッドが、それぞれ、磁気ディスク装置内の磁性
媒体及び磁気ヘッドである、X線すきま測定装置の構成
採用にある。
装置の第14、第15又は第16の特徴における円板及
び浮動ヘッドが、それぞれ、磁気ディスク装置内の磁性
媒体及び磁気ヘッドである、X線すきま測定装置の構成
採用にある。
【0053】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しつつ、本
発明の実施の形態を、その第1装置例及びこれに対応す
る第1方法例、並びに第2装置例及びこれに対応する第
2方法例につき順に説明する。なお、第1装置例及び第
1方法例は、本発明における位置変動検出手段を除く全
ての構成要素を含む実施の形態であり、第2装置例及び
第2方法例は、その位置変動検出手段の具体例を示す実
施の形態である。
発明の実施の形態を、その第1装置例及びこれに対応す
る第1方法例、並びに第2装置例及びこれに対応する第
2方法例につき順に説明する。なお、第1装置例及び第
1方法例は、本発明における位置変動検出手段を除く全
ての構成要素を含む実施の形態であり、第2装置例及び
第2方法例は、その位置変動検出手段の具体例を示す実
施の形態である。
【0054】(第1装置例)図1は、本発明の第1装置
例に係るX線すきま測定装置の構成図であり、(a)は
当該X線すきま測定装置の要部構成を示す斜視図、
(b)は当該X線すきま測定装置の全体構成をその機能
構成と共に示す側面図である。
例に係るX線すきま測定装置の構成図であり、(a)は
当該X線すきま測定装置の要部構成を示す斜視図、
(b)は当該X線すきま測定装置の全体構成をその機能
構成と共に示す側面図である。
【0055】同図に示すように、この第1装置例に係る
X線すきま測定装置αは、磁気ディスク内の磁性媒体な
どのような回転走行する円板1と、この円板1の表面上
を浮揚する磁気ディスク内の磁気ヘッドなどのような浮
動ヘッド2との間に生じる空隙(空気膜)によるすきま
を測定対象とし、このすきまの間隔dを測定するため
に、X線を発生するX線発生手段としてのX線管3及び
このX線管3を高電圧パルスにより駆動する高圧発生回
路4と、X線管3から発生されたX線が、すきまの開口
面に対し垂直に入射するよう光路を形成すると同時に、
当該X線をすきまの位置に結像させるX線結像手段とし
ての同軸円形状のフレネルゾーンプレート5と、このフ
レネルゾーンプレート5によるX線の結像に伴ってすき
まを直線的に通過するX線の通過線量を検出するX線検
出手段としてのX線検出器6と、このX線検出器6の出
力に基づいてすきまの間隔dを数値的に解析する解析手
段としてのコンピュータ7とを具備して構成されてい
る。
X線すきま測定装置αは、磁気ディスク内の磁性媒体な
どのような回転走行する円板1と、この円板1の表面上
を浮揚する磁気ディスク内の磁気ヘッドなどのような浮
動ヘッド2との間に生じる空隙(空気膜)によるすきま
を測定対象とし、このすきまの間隔dを測定するため
に、X線を発生するX線発生手段としてのX線管3及び
このX線管3を高電圧パルスにより駆動する高圧発生回
路4と、X線管3から発生されたX線が、すきまの開口
面に対し垂直に入射するよう光路を形成すると同時に、
当該X線をすきまの位置に結像させるX線結像手段とし
ての同軸円形状のフレネルゾーンプレート5と、このフ
レネルゾーンプレート5によるX線の結像に伴ってすき
まを直線的に通過するX線の通過線量を検出するX線検
出手段としてのX線検出器6と、このX線検出器6の出
力に基づいてすきまの間隔dを数値的に解析する解析手
段としてのコンピュータ7とを具備して構成されてい
る。
【0056】なお、図中、プリアンプ8は、X線検出器
6の出力(電気信号)を増幅するものであり、ロックイ
ンアンプ9は、そのプリアンプ8の出力を、高圧発生回
路4における高電圧パルスの発生タイミングを取る参照
信号Tに応じて増幅し、これをX線強度出力としてコン
ピュータ7に与えるものである。また、X線検出器6
は、プリアンプ8に電気信号としての出力を与えるため
に、X線のみを透過する窓を通じて入射したX線を可視
光線に変換するシンチレータ61と、このシンチレータ
61により得られた可視光線をさらに電気信号に変換す
る光検出素子62とを、外部からの可視光線を遮断する
ハウジング63の内部に封止して成っている。
6の出力(電気信号)を増幅するものであり、ロックイ
ンアンプ9は、そのプリアンプ8の出力を、高圧発生回
路4における高電圧パルスの発生タイミングを取る参照
信号Tに応じて増幅し、これをX線強度出力としてコン
ピュータ7に与えるものである。また、X線検出器6
は、プリアンプ8に電気信号としての出力を与えるため
に、X線のみを透過する窓を通じて入射したX線を可視
光線に変換するシンチレータ61と、このシンチレータ
61により得られた可視光線をさらに電気信号に変換す
る光検出素子62とを、外部からの可視光線を遮断する
ハウジング63の内部に封止して成っている。
【0057】一方、2軸アクチュエータ10(10a,
10b)は、円板1のランナウトやヘッドジンバル(図
示せず)の振動などに起因するすきまの位置変動に追従
してX線が常にすきまの位置に入射するよう、フレネル
ゾーンプレート5をX線の光軸に垂直な面内方向へ2次
元的に移動させる光軸補正手段を成すものであり、ロッ
クインアンプ9から与えられるX線強度信号に基づいて
コンピュータ7の内部で生成されるステップ送り制御信
号により、その動作が制御されるようになっている。即
ち、本装置例におけるコンピュータ7は、すきまの位置
変動を間接的に検出する手段としても機能するようにな
っている(詳細は、対応する第1方法例にて述べる)。
10b)は、円板1のランナウトやヘッドジンバル(図
示せず)の振動などに起因するすきまの位置変動に追従
してX線が常にすきまの位置に入射するよう、フレネル
ゾーンプレート5をX線の光軸に垂直な面内方向へ2次
元的に移動させる光軸補正手段を成すものであり、ロッ
クインアンプ9から与えられるX線強度信号に基づいて
コンピュータ7の内部で生成されるステップ送り制御信
号により、その動作が制御されるようになっている。即
ち、本装置例におけるコンピュータ7は、すきまの位置
変動を間接的に検出する手段としても機能するようにな
っている(詳細は、対応する第1方法例にて述べる)。
【0058】なお、X線管3としては、内部のターゲッ
トに照射される電子ビームの輝点像の広がりが許容さ
れ、X線の放射の有限範囲への広がりが許容されたクー
リッジ管などのX線発生管を用いることが可能である。
また、フレネルゾーンプレート5によるX線の結像時に
おけるウェストの大きさは、すきまの間隔dに比して十
分に大きくなるよう設定し、具体的には、実際のすきま
の間隔dの数十倍程度に設定するとするとよい(詳細
は、以降の第1方法例において述べる)。
トに照射される電子ビームの輝点像の広がりが許容さ
れ、X線の放射の有限範囲への広がりが許容されたクー
リッジ管などのX線発生管を用いることが可能である。
また、フレネルゾーンプレート5によるX線の結像時に
おけるウェストの大きさは、すきまの間隔dに比して十
分に大きくなるよう設定し、具体的には、実際のすきま
の間隔dの数十倍程度に設定するとするとよい(詳細
は、以降の第1方法例において述べる)。
【0059】(第1方法例)次に、以上のように構成さ
れたX線すきま測定装置αに適用される第1方法例につ
いて説明する。
れたX線すきま測定装置αに適用される第1方法例につ
いて説明する。
【0060】まず、目的としているすきまの測定領域
は、従来の光多重干渉法では困難とされる、物質を透過
する波長に比べ十分小さい0.1μm以下のすきまであ
る。X線管3から放射されるX線の大部分は、すきまを
形作る円板1と浮動ヘッド2とにより遮られるが、X線
検出器6の側には、すきまを直線的に通過したX線のみ
が到達する。
は、従来の光多重干渉法では困難とされる、物質を透過
する波長に比べ十分小さい0.1μm以下のすきまであ
る。X線管3から放射されるX線の大部分は、すきまを
形作る円板1と浮動ヘッド2とにより遮られるが、X線
検出器6の側には、すきまを直線的に通過したX線のみ
が到達する。
【0061】ここで、すきまに照射されるX線を波動的
に考えると、X線管3から浮動ヘッド2の後端部(図の
右方)のすきまの近傍に到達するX線は、X線源(光
源)から十分に離れているため、ほぼ並行波と見做すこ
とができる。物理光学の教えるところによれば、すきま
の間隔dが波長λに比して大きい場合、周知のように、
その通過線量は間隔dに比例する。
に考えると、X線管3から浮動ヘッド2の後端部(図の
右方)のすきまの近傍に到達するX線は、X線源(光
源)から十分に離れているため、ほぼ並行波と見做すこ
とができる。物理光学の教えるところによれば、すきま
の間隔dが波長λに比して大きい場合、周知のように、
その通過線量は間隔dに比例する。
【0062】実際、円板1と浮動ヘッド2とにより形作
られる光路は、ほぼ平行平板状であり、境界面において
臨界角を越えて物質側に入射するX線は全反射されるた
め、浮動ヘッド2の後端部に到達したX線は、その浮動
ヘッド2の大きさとは無関係に、そのまま平行に通過す
る。このためには、測定対象であるすきまの間隔dに比
して十分小さい波長λの光を用いる必要があるが、図1
に示すように、X線検出器6において検出されるX線
は、空気層以外を通過しない。このため、用いるべきX
線の波長λは、円板1や浮動ヘッド2などの部材で吸収
されてしまう波長であっても何ら差し支えない。
られる光路は、ほぼ平行平板状であり、境界面において
臨界角を越えて物質側に入射するX線は全反射されるた
め、浮動ヘッド2の後端部に到達したX線は、その浮動
ヘッド2の大きさとは無関係に、そのまま平行に通過す
る。このためには、測定対象であるすきまの間隔dに比
して十分小さい波長λの光を用いる必要があるが、図1
に示すように、X線検出器6において検出されるX線
は、空気層以外を通過しない。このため、用いるべきX
線の波長λは、円板1や浮動ヘッド2などの部材で吸収
されてしまう波長であっても何ら差し支えない。
【0063】一般に、X線発生管においては、用いるタ
ーゲットの材質などの条件により、数〜数十Åの波長を
有するX線が得られ、医療など各種の透過観察に用いら
れている。本発明の目的とするすきまの測定領域は、数
百Å程度であるから、ここでは、任意の波長を発生する
汎用のクーリッジ管やその他のX線発生管を用いれば足
りる。そして、この種のX線発生管から発生されるX線
を、小さなビームとして測定すべき部分に照射すること
により、余分なX線放射による被爆の危険性が取り除か
れると同時に、簡易なすきま測定の手法が得られるよう
になる。
ーゲットの材質などの条件により、数〜数十Åの波長を
有するX線が得られ、医療など各種の透過観察に用いら
れている。本発明の目的とするすきまの測定領域は、数
百Å程度であるから、ここでは、任意の波長を発生する
汎用のクーリッジ管やその他のX線発生管を用いれば足
りる。そして、この種のX線発生管から発生されるX線
を、小さなビームとして測定すべき部分に照射すること
により、余分なX線放射による被爆の危険性が取り除か
れると同時に、簡易なすきま測定の手法が得られるよう
になる。
【0064】以下、図1に則して本方法例を具体的に説
明すると、まず、X線管3で発生されたX線は、周知の
ように、有限の輝点像Lをもつターゲット上のX線発生
部(図示せず)から放射状に広がる。この広がったX線
は、距離Fだけ離れた位置にある焦点距離fをもつフレ
ネルゾーンプレート5を通過し、さらにこのフレネルゾ
ーンプレート5から距離F′だけ離れた位置に結像す
る。
明すると、まず、X線管3で発生されたX線は、周知の
ように、有限の輝点像Lをもつターゲット上のX線発生
部(図示せず)から放射状に広がる。この広がったX線
は、距離Fだけ離れた位置にある焦点距離fをもつフレ
ネルゾーンプレート5を通過し、さらにこのフレネルゾ
ーンプレート5から距離F′だけ離れた位置に結像す
る。
【0065】ここで、結像点における輝点の大きさ、即
ちウェストL′は、 L′=L×F′/F なる式で表され、また、結像点における輝度B′は、フ
レネルゾーンプレート5がない場合の距離F+F′の位
置における輝度Bに対し、 B′=B×NA×F/F′ なる式で表される。ただし、NAはフレネルゾーンプレ
ート5の開口数である。
ちウェストL′は、 L′=L×F′/F なる式で表され、また、結像点における輝度B′は、フ
レネルゾーンプレート5がない場合の距離F+F′の位
置における輝度Bに対し、 B′=B×NA×F/F′ なる式で表される。ただし、NAはフレネルゾーンプレ
ート5の開口数である。
【0066】即ち、結像の大きさを小さくするほど、照
射されるX線の密度は高くなり、すきまを通過するX線
量も比例的に多くなる。すきまを通過したX線は、浮動
ヘッド2の前端部(図の左方)において再び拡散し、そ
の拡散領域の全域をカバーすることのできるX線検出器
6に入射される。
射されるX線の密度は高くなり、すきまを通過するX線
量も比例的に多くなる。すきまを通過したX線は、浮動
ヘッド2の前端部(図の左方)において再び拡散し、そ
の拡散領域の全域をカバーすることのできるX線検出器
6に入射される。
【0067】X線検出器6に入射したX線は、シンチレ
ータ61により可視光線に変換された後に、光検出素子
62により電気信号に変換され、以下、プリアンプ8、
ロックインアンプ9を介して、X線強度出力がコンピュ
ータ7に与えられる。なお、このX線強度出力は、X線
検出器6において検出したX線の通過線量に関しての2
次元情報をも含むものであり、コンピュータ7は、この
2次元情報を解析してステップ送り制御信号を生成し、
これを2軸アクチュエータ10a,10bに与えて、フ
レネルゾーンプレート5をX線の光軸に垂直な面内方向
へ2次元的に移動させる制御を行う。また、この2次元
情報に基づき、コンピュータ7の画面上にX線透過像を
表示させることも可能である。
ータ61により可視光線に変換された後に、光検出素子
62により電気信号に変換され、以下、プリアンプ8、
ロックインアンプ9を介して、X線強度出力がコンピュ
ータ7に与えられる。なお、このX線強度出力は、X線
検出器6において検出したX線の通過線量に関しての2
次元情報をも含むものであり、コンピュータ7は、この
2次元情報を解析してステップ送り制御信号を生成し、
これを2軸アクチュエータ10a,10bに与えて、フ
レネルゾーンプレート5をX線の光軸に垂直な面内方向
へ2次元的に移動させる制御を行う。また、この2次元
情報に基づき、コンピュータ7の画面上にX線透過像を
表示させることも可能である。
【0068】ここで、X線の結像時におけるウェスト
L′の大きさを、X線の通過するすきまの間隔dに比べ
十分大きくしておけば、X線の透過線量は、すきまの間
隔dに比例することになる。例えば、間隔dが最大で1
μm程度のすきまを測定する場合、仮にウェストL′の
大きさを2μm程度に絞り込んでしまうと、そのウェス
トL′内における輝度分布が観測結果に現れてしまい、
単純な比例関係が損なわれてしまう。このため、実際の
ウェストL′の大きさは、すきまの間隔dの数十倍に相
当する30〜50μm程度に設定するほうがよい。
L′の大きさを、X線の通過するすきまの間隔dに比べ
十分大きくしておけば、X線の透過線量は、すきまの間
隔dに比例することになる。例えば、間隔dが最大で1
μm程度のすきまを測定する場合、仮にウェストL′の
大きさを2μm程度に絞り込んでしまうと、そのウェス
トL′内における輝度分布が観測結果に現れてしまい、
単純な比例関係が損なわれてしまう。このため、実際の
ウェストL′の大きさは、すきまの間隔dの数十倍に相
当する30〜50μm程度に設定するほうがよい。
【0069】ただ、実際に円板1と浮動ヘッド2とを用
いた系では、円板1のランナウトなどにより、すきまが
位置変動を生じることがある。このときの変動量は、最
大で数十μmにも達し、すきまの間隔dのレベルに比べ
はるかに大きい。ここで、その変動量をカバーするほど
に、ウェストL′を大きくすると、今度は輝度B′が低
くなり、すきまを通過するX線量が少なくなってしま
う。
いた系では、円板1のランナウトなどにより、すきまが
位置変動を生じることがある。このときの変動量は、最
大で数十μmにも達し、すきまの間隔dのレベルに比べ
はるかに大きい。ここで、その変動量をカバーするほど
に、ウェストL′を大きくすると、今度は輝度B′が低
くなり、すきまを通過するX線量が少なくなってしま
う。
【0070】そこで、本方法例では、X線の光軸上に配
置されたフレネルゾーンプレート5により、X線の結像
時におけるウェストL′の大きさを小さくして、輝度
B′を高くすると共に、すきまの位置変動に追従してX
線が常にすきまの位置に入射するよう、フレネルゾーン
プレート5をX線の光軸に垂直な面内方向へ2次元的に
移動させるわけである。こうすることにより、すきまの
間隔dによって変化するX線量は、常にd×B′とな
り、X線の透過線量がすきまの間隔dに正比例する関係
が、常に保たれるようになる。
置されたフレネルゾーンプレート5により、X線の結像
時におけるウェストL′の大きさを小さくして、輝度
B′を高くすると共に、すきまの位置変動に追従してX
線が常にすきまの位置に入射するよう、フレネルゾーン
プレート5をX線の光軸に垂直な面内方向へ2次元的に
移動させるわけである。こうすることにより、すきまの
間隔dによって変化するX線量は、常にd×B′とな
り、X線の透過線量がすきまの間隔dに正比例する関係
が、常に保たれるようになる。
【0071】(第2装置例)次に、図2は、本発明の第
2装置例に係るX線すきま測定装置の要部構成をその機
能構成と共に示す側面図である。
2装置例に係るX線すきま測定装置の要部構成をその機
能構成と共に示す側面図である。
【0072】同図に示すように、この第2装置例に係る
X線すきま測定装置βは、前述の第1装置例に係るX線
すきま測定装置αの各構成要素に加え、すきまの位置変
動を検出する位置変動検出手段としての位置検出器11
をさらに具備して構成され、この位置検出器11の出力
に基づき、光軸補正手段としての前述の2軸アクチュエ
ータ10が、すきまの位置変動に追従してX線が常にす
きまの位置に入射するよう、フレネルゾーンプレート5
をX線の光軸に垂直な面内方向へ2次元的に移動させる
ようになっている。
X線すきま測定装置βは、前述の第1装置例に係るX線
すきま測定装置αの各構成要素に加え、すきまの位置変
動を検出する位置変動検出手段としての位置検出器11
をさらに具備して構成され、この位置検出器11の出力
に基づき、光軸補正手段としての前述の2軸アクチュエ
ータ10が、すきまの位置変動に追従してX線が常にす
きまの位置に入射するよう、フレネルゾーンプレート5
をX線の光軸に垂直な面内方向へ2次元的に移動させる
ようになっている。
【0073】詳しくは、この位置検出器11は、円板1
の表面上を浮揚する浮動ヘッド2の下方に位置させら
れ、当該浮動ヘッド2の背面における位置変動を検出す
ることで、円板1と浮動ヘッド2との間のすきまの位置
変動を間接的に検出するようになっており、その出力
(電気信号)を増幅する制御増幅器12を介して、2軸
アクチュエータ10を駆動するようになっている。ま
た、この位置検出手段11には、レーザードップラー測
長器や、光ディスク装置で用いられる焦点検出器などを
あてることができる。なお、図中13は、円板1を中心
で固定して回転走行させるための回転軸、また14は、
浮動ヘッド2を支持するためのヘッドジンバルである。
の表面上を浮揚する浮動ヘッド2の下方に位置させら
れ、当該浮動ヘッド2の背面における位置変動を検出す
ることで、円板1と浮動ヘッド2との間のすきまの位置
変動を間接的に検出するようになっており、その出力
(電気信号)を増幅する制御増幅器12を介して、2軸
アクチュエータ10を駆動するようになっている。ま
た、この位置検出手段11には、レーザードップラー測
長器や、光ディスク装置で用いられる焦点検出器などを
あてることができる。なお、図中13は、円板1を中心
で固定して回転走行させるための回転軸、また14は、
浮動ヘッド2を支持するためのヘッドジンバルである。
【0074】(第2方法例)次に、以上のように構成さ
れたX線すきま測定装置βに適用される第2方法例につ
いて説明する。
れたX線すきま測定装置βに適用される第2方法例につ
いて説明する。
【0075】既に説明したように、円板1のランナウト
やヘッドジンバル14の振動などに伴うすきまの位置変
動は、機械的な動きであり、厳密には2次元的な追従が
必要となる。そこで、図2に示すように、すきまの位置
変動を位置検出器11を用いて検出し、このときの検出
結果に基づいて、すきまの位置変動に追従してX線が常
にすきまの位置に入射するよう、2軸アクチュエータ1
0を用いてフレネルゾーンプレート5をX線の光軸に垂
直な面内方向へ2次元的に移動させることにより、測定
すべきすきまの位置が常にウェスト内に存在するように
制御を行う(図1も同時に参照)。
やヘッドジンバル14の振動などに伴うすきまの位置変
動は、機械的な動きであり、厳密には2次元的な追従が
必要となる。そこで、図2に示すように、すきまの位置
変動を位置検出器11を用いて検出し、このときの検出
結果に基づいて、すきまの位置変動に追従してX線が常
にすきまの位置に入射するよう、2軸アクチュエータ1
0を用いてフレネルゾーンプレート5をX線の光軸に垂
直な面内方向へ2次元的に移動させることにより、測定
すべきすきまの位置が常にウェスト内に存在するように
制御を行う(図1も同時に参照)。
【0076】このとき、測定すべきすきまの位置がウェ
スト内に存在すればよいから、制御誤差は多少大きくて
も差し支えなく、簡単な制御で済む。即ち、すきまの位
置変動にX線を追従させるには、図2に示すように、浮
動ヘッド2の背面に配置された位置検出器11により、
当該浮動ヘッド2の位置変動(即ち、円板1と浮動ヘッ
ド2との間のすきまの位置変動)を検出し、制御増幅器
12を介して2軸アクチュエータ10を駆動することに
より、簡単に制御を行うことができる。
スト内に存在すればよいから、制御誤差は多少大きくて
も差し支えなく、簡単な制御で済む。即ち、すきまの位
置変動にX線を追従させるには、図2に示すように、浮
動ヘッド2の背面に配置された位置検出器11により、
当該浮動ヘッド2の位置変動(即ち、円板1と浮動ヘッ
ド2との間のすきまの位置変動)を検出し、制御増幅器
12を介して2軸アクチュエータ10を駆動することに
より、簡単に制御を行うことができる。
【0077】なお、以上の説明では、円板1の回転軸1
3に沿う方向、即ちランナウト方向に関する動作説明を
行ったが、これと直交する他の方向についても同様の動
作が行われる。
3に沿う方向、即ちランナウト方向に関する動作説明を
行ったが、これと直交する他の方向についても同様の動
作が行われる。
【0078】通常、この2次元的な動作を行わせるため
には、1次元方向にのみ動くアクチュエータを直交させ
て組み合わせる必要があり、どうしても複雑で高価な機
構になってしまう。しかし、本方法例の場合、フレネル
ゾーンプレート5自体が非常に軽量であり、かつ、すき
まの位置の近傍を概略的に照射できればよく、多少の制
御誤差があっても問題がないことから、実際の2軸アク
チュエータ10としては、例えば、光ディスク装置のレ
ンズ制御に用いられる2次元ボイスコイルアクチュエー
タやピエゾバイモルフなど、小型で制御が簡単な素子を
採用することが可能であり、これに伴い、装置全体を小
型化することができる。
には、1次元方向にのみ動くアクチュエータを直交させ
て組み合わせる必要があり、どうしても複雑で高価な機
構になってしまう。しかし、本方法例の場合、フレネル
ゾーンプレート5自体が非常に軽量であり、かつ、すき
まの位置の近傍を概略的に照射できればよく、多少の制
御誤差があっても問題がないことから、実際の2軸アク
チュエータ10としては、例えば、光ディスク装置のレ
ンズ制御に用いられる2次元ボイスコイルアクチュエー
タやピエゾバイモルフなど、小型で制御が簡単な素子を
採用することが可能であり、これに伴い、装置全体を小
型化することができる。
【0079】以上、本発明の実施の形態を、第1装置例
及び第1方法例、並びに第2装置例及び第2方法例につ
き説明したが、本実施形態中で示した、光軸中心から順
次その半径の増分が小さくなる同軸円形状の遮蔽帯を配
置して成るフレネルゾーンプレート10(10a,10
b)に代えて、同軸楕円形状の遮蔽帯を配置して成るも
のを、光軸に対し斜めに配置するようにしてもよい。こ
の場合、当該同軸楕円形状のフレネルゾーンプレートに
おいて、入射するX線の一部が光軸外へ反射されるた
め、これをモニタすることで、X線管3におけるX線の
発生強度の揺らぎを随時観測し、補正することも可能と
なる。
及び第1方法例、並びに第2装置例及び第2方法例につ
き説明したが、本実施形態中で示した、光軸中心から順
次その半径の増分が小さくなる同軸円形状の遮蔽帯を配
置して成るフレネルゾーンプレート10(10a,10
b)に代えて、同軸楕円形状の遮蔽帯を配置して成るも
のを、光軸に対し斜めに配置するようにしてもよい。こ
の場合、当該同軸楕円形状のフレネルゾーンプレートに
おいて、入射するX線の一部が光軸外へ反射されるた
め、これをモニタすることで、X線管3におけるX線の
発生強度の揺らぎを随時観測し、補正することも可能と
なる。
【0080】また、X線結像手段としては、以上の屈折
光学系素子としてのフレネルゾーンプレート5の他に
も、例えば、人工多層膜ミラーを用いたニュートン焦点
方式又はオフセットカセグレン焦点方式の反射光学系機
器を用いることも勿論可能である。この場合、使用すべ
きX線管の形状や配置が、本実施形態中のそれと異なる
ことは、天体望遠鏡などの幾何光学から明らかであろ
う。
光学系素子としてのフレネルゾーンプレート5の他に
も、例えば、人工多層膜ミラーを用いたニュートン焦点
方式又はオフセットカセグレン焦点方式の反射光学系機
器を用いることも勿論可能である。この場合、使用すべ
きX線管の形状や配置が、本実施形態中のそれと異なる
ことは、天体望遠鏡などの幾何光学から明らかであろ
う。
【0081】なお、本発明は、必ずしも上述した手段及
び手法にのみ限定されるものではなく、本発明にいう目
的を達成し、後述する効果を有する範囲内において、適
宜に変更実施することが可能なものである。
び手法にのみ限定されるものではなく、本発明にいう目
的を達成し、後述する効果を有する範囲内において、適
宜に変更実施することが可能なものである。
【0082】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
通常は弱いX線発生能力しかないX線管を用いても、そ
の発生X線を結像させることで、当該結像点でのみ強い
X線を得ることができるため、測定対象であるすきまと
結像テントとの関係を小型の2軸アクチュエータで走査
することで、すきまの透過像が得られるようになり、こ
の結果、小型軽量で低消費電力のX線すきま測定装置を
実現することができる。
通常は弱いX線発生能力しかないX線管を用いても、そ
の発生X線を結像させることで、当該結像点でのみ強い
X線を得ることができるため、測定対象であるすきまと
結像テントとの関係を小型の2軸アクチュエータで走査
することで、すきまの透過像が得られるようになり、こ
の結果、小型軽量で低消費電力のX線すきま測定装置を
実現することができる。
【0083】また、低出力のX線発生しかないため、人
体に対する被爆の危険度も低く、必要とされる遮蔽など
も、その構成を簡素化できることから、使用場所に関す
る制限が少ないなど、その利便性も高い。
体に対する被爆の危険度も低く、必要とされる遮蔽など
も、その構成を簡素化できることから、使用場所に関す
る制限が少ないなど、その利便性も高い。
【0084】さらに、浮動ヘッドの表面における保護膜
の有無や材質の差異によらず、使用波長以下の微小なす
きまの間隔を無補正で測定できることから、例えば、高
密度記録用の浮動ヘッドの高精度な品質検査が実現でき
るなどの利点がある。
の有無や材質の差異によらず、使用波長以下の微小なす
きまの間隔を無補正で測定できることから、例えば、高
密度記録用の浮動ヘッドの高精度な品質検査が実現でき
るなどの利点がある。
【図1】本発明の第1装置例に係るX線すきま測定装置
の構成図であり、(a)は当該X線すきま測定装置の要
部構成を示す斜視図、(b)は当該X線すきま測定装置
の全体構成をその機能構成と共に示す側面図である。
の構成図であり、(a)は当該X線すきま測定装置の要
部構成を示す斜視図、(b)は当該X線すきま測定装置
の全体構成をその機能構成と共に示す側面図である。
【図2】本発明の第2装置例に係るX線すきま測定装置
の要部構成をその機能構成と共に示す側面図である。
の要部構成をその機能構成と共に示す側面図である。
α,β…X線すきま測定装置 d…すきまの間隔 1…円板 2…浮動ヘッド 3…X線管 4…高圧発生回路 5…フレネルゾーンプレート 6…X線検出器 61…シンチレータ 62…光検出素子 63…ハウジング 7…コンピュータ 8…プリアンプ 9…ロックインアンプ 10(10a,10b)…2軸アクチュエータ 11…位置検出器 12…制御増幅器 13…回転軸 14…ヘッドジンバル
フロントページの続き (72)発明者 大久保 俊文 東京都新宿区西新宿三丁目19番2号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 越本 泰弘 東京都武蔵野市御殿山一丁目1番3号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内 (72)発明者 小澤 章 東京都武蔵野市御殿山一丁目1番3号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内
Claims (33)
- 【請求項1】所定のX線発生手段を用いてX線を発生さ
せ、 この発生させたX線が測定対象であるすきまの開口面に
対し垂直に入射するよう、所定のX線結像手段を用いて
光路を形成すると同時に当該X線を前記すきまの位置に
結像させ、 このX線の結像に伴って前記すきまを直線的に通過する
前記X線の通過線量を所定のX線検出手段を用いて検出
し、 このときの検出結果に基づき、所定の解析手段を用いて
前記すきまの間隔を解析する、 ことを特徴とするX線すきま測定方法。 - 【請求項2】前記測定対象であるすきまは、 その測定領域を物質を透過する波長に比べ十分小さい
0.1μm以下である、 ことを特徴とする請求項1に記載のX線すきま測定方
法。 - 【請求項3】前記X線は、 前記すきまの間隔に比して十分小さい波長の光や、前記
すきまを形成する部材に吸収される波長の光に代表され
る、 ことを特徴とする請求項1又は2に記載のX線すきま測
定方法。 - 【請求項4】前記X線発生手段として、 X線管と、 このX線管を高電圧パルスにより駆動する高圧発生回路
と、 から成るものを用いる、 ことを特徴とする請求項1、2又は3に記載のX線すき
ま測定方法。 - 【請求項5】前記X線管として、 内部のターゲットに照射される電子ビームの輝点像の広
がりが許容され、前記X線の放射の有限範囲への広がり
が許容されたものを用いる、 ことを特徴とする請求項4に記載のX線すきま測定方
法。 - 【請求項6】前記X線の結像時におけるウェストの大き
さを、 前記すきまの間隔に比して十分に大きく設定する、 ことを特徴とする請求項1、2、3、4又は5に記載の
X線すきま測定方法。 - 【請求項7】前記X線結像手段として、 フレネルゾーンプレートを用いる、 ことを特徴とする請求項1、2、3、4、5又は6に記
載のX線すきま測定方法。 - 【請求項8】前記X線結像手段として、 人工多層膜ミラーを用いたニュートン焦点方式の反射光
学系機器を用いる、 ことを特徴とする請求項1、2、3、4、5又は6に記
載のX線すきま測定方法。 - 【請求項9】前記X線結像手段として、 人工多層膜ミラーを用いたオフセットカセグレン焦点方
式の反射光学系機器を用いる、 ことを特徴とする請求項1、2、3、4、5又は6に記
載のX線すきま測定方法。 - 【請求項10】前記X線検出手段として、 入射した前記X線を可視光線に変換するシンチレータ
と、 このシンチレータにより得られた前記可視光線をさらに
電気信号に変換する光検出素子と、 から成るものを用いる、 ことを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、
8又は9に記載のX線すきま測定方法。 - 【請求項11】前記解析手段として、 前記X線検出手段の出力に基づいて数値解析を行うコン
ピュータを用いる、 ことを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、
8、9又は10に記載のX線すきま測定方法。 - 【請求項12】前記X線検出手段の出力は、 前記X線の通過線量に関しての2次元情報を含む、 ことを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、
8、9、10又は11に記載のX線すきま測定方法。 - 【請求項13】前記すきまの位置変動を所定の位置変動
検出手段を用いて検出し、 このときの検出結果に基づき、前記すきまの位置変動に
追従して前記X線が常に前記すきまの位置に入射するよ
う、所定の光軸補正手段を用いて前記X線結像手段を前
記X線の光軸に垂直な面内方向へ2次元的に移動させ
る、 ことを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、
8、9、10、11又は12に記載のX線すきま測定方
法。 - 【請求項14】前記光軸補正手段として、 2軸アクチュエータを用いる、 ことを特徴とする請求項13に記載のX線すきま測定方
法。 - 【請求項15】前記すきまの測定を、 回転走行する所定の円板と、この円板の表面上を浮揚す
る所定の浮動ヘッドとの間に生じる空隙を対象として行
う、 ことを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、
8、9、10、11、12、13又は14に記載のX線
すきま測定方法。 - 【請求項16】前記円板及び前記浮動ヘッドとして、 それぞれ、磁気ディスク装置内の磁性媒体及び磁気ヘッ
ドを相当させる、 ことを特徴とする請求項15に記載のX線すきま測定方
法。 - 【請求項17】X線を発生するX線発生手段と、 このX線発生手段から発生された前記X線が測定対象で
あるすきまの開口面に対し垂直に入射するよう光路を形
成すると同時に、当該X線を前記すきまの位置に結像さ
せるX線結像手段と、 このX線結像手段による前記X線の結像に伴って前記す
きまを直線的に通過する前記X線の通過線量を検出する
X線検出手段と、 このX線検出手段の出力に基づいて前記すきまの間隔を
解析する解析手段と、 を具備して成る、 ことを特徴とするX線すきま測定装置。 - 【請求項18】前記X線発生手段は、 X線管と、 このX線管を高電圧パルスにより駆動する高圧発生回路
と、 から成る、 ことを特徴とする請求項17に記載のX線すきま測定装
置。 - 【請求項19】前記X線管は、 内部のターゲットに照射される電子ビームの輝点像の広
がりが許容され、前記X線の放射の有限範囲への広がり
が許容されたものである、 ことを特徴とする請求項18に記載のX線すきま測定装
置。 - 【請求項20】前記X線結像手段による前記X線の結像
時におけるウェストの大きさは、 前記すきまの間隔に比して十分に大きいものである、 ことを特徴とする請求項17、18又は19に記載のX
線すきま測定装置。 - 【請求項21】前記X線結像手段は、 フレネルゾーンプレートである、 ことを特徴とする請求項17、18、19又は20に記
載のX線すきま測定装置。 - 【請求項22】前記フレネルゾーンプレートは、 光軸に垂直配置の同軸円形状の遮蔽帯を有するか、光軸
外一部反射X線の発生強度を随時観測しかつ光軸に斜め
配置の同軸楕円形状の遮蔽帯を有するかの何れかであ
る、 ことを特徴とする請求項21に記載のX線すきま測定装
置。 - 【請求項23】前記X線結像手段は、 人工多層膜ミラーを用いたニュートン焦点方式の反射光
学系機器である、 ことを特徴とする請求項17、18、19又は20に記
載のX線すきま測定装置。 - 【請求項24】前記X線結像手段は、 人工多層膜ミラーを用いたオフセットカセグレン焦点方
式の反射光学系機器である、 ことを特徴とする請求項17、18、19又は20に記
載のX線すきま測定装置。 - 【請求項25】前記X線検出手段は、 入射した前記X線を可視光線に変換するシンチレータ
と、 このシンチレータにより得られた前記可視光線をさらに
電気信号に変換する光検出素子と、 から成る、 ことを特徴とする請求項17、18、19、20、2
1、22、23又は24に記載のX線すきま測定装置。 - 【請求項26】前記解析手段は、 前記X線検出手段の出力に基づいて数値解析を行うコン
ピュータである、 ことを特徴とする請求項17、18、19、20、2
1、22、23、24又は25に記載のX線すきま測定
装置。 - 【請求項27】前記X線検出手段と前記解析手段とは、 その間に、順次、 プリアンプと、 前記高圧発生回路の参照信号を受けるロックインアンプ
と、 を介接する、 ことを特徴とする請求項18、19、20、21、2
2、23、24、25又は26に記載のX線すきま測定
装置。 - 【請求項28】前記すきまの位置変動を検出する位置変
動検出手段と、 この位置変動検出手段の出力に基づき、前記すきまの位
置変動に追従して前記X線が常に前記すきまの位置に入
射するよう前記X線結像手段を前記X線の光軸に垂直な
面内方向へ2次元的に移動させる光軸補正手段と、 をさらに具備して成る、 ことを特徴とする請求項17、18、19、20、2
1、22、23、24、25、26又は27に記載のX
線すきま測定装置。 - 【請求項29】前記光軸補正手段は、 2軸アクチュエータである、 ことを特徴とする請求項28に記載のX線すきま測定装
置。 - 【請求項30】前記すきまは、 回転走行する円板と、この円板の表面上を浮揚する浮動
ヘッドとの間に生じる空隙である、 ことを特徴とする請求項17、18、19、20、2
1、22、23、24、25、26、27、28又は2
9に記載のX線すきま測定装置。 - 【請求項31】前記位置変動検出手段は、 前記浮動ヘッドの下方に臨ませ、その出力を増幅する制
御増幅器を介して前記2軸アクチュエータを駆動する位
置検出器である、 ことを特徴とする請求項30に記載のX線すきま測定装
置。 - 【請求項32】前記位置検出器は、 レーザードップラー測長器や、焦点検出器に代表され
る、 ことを特徴とする請求項31に記載のX線すきま測定装
置。 - 【請求項33】前記円板及び前記浮動ヘッドは、 それぞれ、磁気ディスク装置内の磁性媒体及び磁気ヘッ
ドである、 ことを特徴とする請求項30、31又は32に記載のX
線すきま測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9299074A JPH11132754A (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | X線すきま測定方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9299074A JPH11132754A (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | X線すきま測定方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11132754A true JPH11132754A (ja) | 1999-05-21 |
Family
ID=17867861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9299074A Pending JPH11132754A (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | X線すきま測定方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11132754A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2008076074A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Hitachi Engineering & Services Co Ltd | 表面が被覆された円筒部材の表面錆検査方法及びその装置 |
| CN114295082A (zh) * | 2021-12-10 | 2022-04-08 | 散裂中子源科学中心 | 一种基于近场散斑的曲面波前与面形高精度检测方法 |
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| JPH01311210A (ja) * | 1988-06-09 | 1989-12-15 | Fujitsu Ltd | ディスク表面うねり形状計測装置 |
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| JPH09189541A (ja) * | 1996-01-09 | 1997-07-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 浮上すきま測定方法及び装置 |
-
1997
- 1997-10-30 JP JP9299074A patent/JPH11132754A/ja active Pending
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