JPH09190647A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH09190647A JPH09190647A JP8000699A JP69996A JPH09190647A JP H09190647 A JPH09190647 A JP H09190647A JP 8000699 A JP8000699 A JP 8000699A JP 69996 A JP69996 A JP 69996A JP H09190647 A JPH09190647 A JP H09190647A
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
側にプラスチックフィルムでその片側に吸湿膨張しない
材料の層をもつものをその層が有機保護層の側になるよ
うに貼着して単板タイプの光記録媒体とする。
Description
スク、光磁気ディスク等の光記録媒体に関するものであ
る。
記憶容量、記録再生ヘッドと非接触等という特徴を有す
る記録媒体として、半導体レーザー光等の熱エネルギー
を用いて磁性膜の磁化反転を利用して情報を記録し磁気
光学効果を利用して読み出す光磁気ディスクや結晶から
アモルファスへの相変化を利用した相変化ディスクが開
発され、実用化に至っている。
設けられたグループに沿って追随(トラッキング)させ
るとともに記録膜に焦点を合わせる(フォーカシング)
ことによって、記録、消去、再生を行う。媒体によって
は重ね書き可能な光磁気記録媒体や相変化ディスクがあ
る。
ゆる機械特性が要求される。この機械特性の中で特に反
りはトラッキング、フォーカシングに大きな影響を与え
るため、媒体の反りは無いことがまたは可能な限り小さ
いことが望ましい。とりわけ、3.5インチの単板状態
で用いられる光磁気記録媒体では低いエラーレートが要
求されるため重要な問題である。
ザー光の短波長化や記録マークの微小化、狭トラック化
が検討されている。この場合、隣接トラックからのクロ
ストークが問題となってくる。このクロストークは前記
反りの影響を受けるので一層媒体の反りが小さいことが
要求される。
スチック基板上に記録膜、誘電体膜、金属反射膜、有機
保護膜等を設けることにより作成される。ところがこの
ような構成の光記録媒体はレーザー光入射面側すなわち
基板側と膜面側で透湿率に差があり、プラスチック基板
の吸湿または乾燥に伴い基板内の吸水量が厚さ方向で一
定の平衡に達するまでの間基板内に吸湿膨潤のアンバラ
ンスが生じ、基板が反って信号再生時にエラーが生じて
いた。
開昭59−79445に記録膜面と反対側の基板表面に
基板の吸湿、乾燥防止のための透明誘電体膜を設けるこ
とが開示されている。しかし、この方法は効果はあるも
のの記録膜形成面と反対側の基板表面に透明誘電体膜を
形成するという余分な成膜工程が必要なためコストが高
くなるという欠点があった。
の反りを生じる0.1〜0.2mmの厚さのプラスチッ
クフィルムを貼着し、基板の反りをキャンセルする記録
媒体も提案されている(特開平3−160637)。
記録媒体を作成して検討してもレーザー光が680nm
と従来の780nmより短波長で、トラックが1.6μ
mから1.1μmと狭小化された光磁気記録媒体では、
プラスチック基板の吸湿膨張により反りが発生した場
合、チルトのクロストークに対する影響が大きくなり再
生エラーが発生するという問題があった。
る問題を解決しプラスチック基板が吸湿するような環境
でも反りの発生が改善された安価な単板構成の光記録媒
体を提供することである。
に、本発明によれば、プラスチック基板上に少なくとも
記録層及び有機保護層を設けてなる光記録媒体におい
て、前記有機保護層より外側に、プラスチックフィルム
であってその片側に吸湿膨張しない層を形成したプラス
チックフィルムをその吸湿膨張しない材料の層が前記有
機保護層側になるように貼着することで単板タイプの光
記録媒体を得て達成される。
有機保護層あるいは接着層を中心として、その層の両側
で実質的に構造上の対称性がとれているため、プラスチ
ック基板の反りはキャンセルされることとなる。具体的
には、プラスチック基板がプラスチックフィルムに、そ
して、第1、第2無機誘電体層、記録層、反射層等の無
機材料よりなる層が吸湿膨張しない層に対応する。
る。
を示す模式図である。図中、1はプラスチックからなる
光学的透明基板を示す。この基板1上には干渉効果と腐
食防止効果を得るための、SiNX 等の無機誘電体から
なる第1無機誘電体層2が設けられている。さらに、そ
の上に記録層3であるアモルファス磁性層が形成され
る。さらに、磁性層の腐食を防止するためと干渉効果を
生みだすためにSiNX等の無機誘電体層である第2無
機誘電体層4と金属の反射層5が設けられている。これ
らの膜は、真空を破らずに連続に成膜される。その後、
紫外線硬化樹脂等の有機保護層6が形成される。一方貼
着されるプラスチックフィルムは予め片側にそれ自体吸
湿膨張しない層8が形成される。この吸湿膨張しない層
8は金属膜あるいは無機誘電体膜からなる。これは本発
明の実施に便利である。この吸湿膨張しない層8が形成
されたプラスチックフィルム9をホットメルト接着剤等
の接着層7を介して層8の面が記録層3側になるように
前記有機保護層6の上に貼着する。
分野で公知のポリカーボネート、PMMA等が使用可能
である。基板の厚さは、普及しているCD−ROMとの
互換性を満たすこと、普及し始めている3.5インチ光
磁気ディスクとの互換性を考慮して1.2mm前後が望
ましい。基板厚さが薄くなるとクロストークに対するチ
ルトの影響が少なくなるが、成形が難しくなったり面振
れ等の機械特性が悪化しトラッキング等のサーボへの影
響が懸念されるのであまり薄くはできない。使用条件に
よって最適な基板厚さを選択すればよい。
向上や多重反射による光学特性の向上を目的として設け
られるものである。材料としては、SiN,SiO,S
iC,SiAlON,ZnS・SiO2 等が用いられ
る。
モルファス磁性層やカルコゲン化合物に代表される相変
化材料が用いられる。希土類−遷移金属のアモルファス
磁性層の磁性材料としては、Gd,Tb,Dy,Nd等
の希土類元素とFe,Co等の鉄族遷移金属の合金が用
いられる。例えば、Tb−Fe,Tb−Fe−Co,D
yFeCo,TbDyFeCoである。あるいはこれら
の材料の積層膜であってもよい。それらの磁性層は互い
に交換結合してもいなくても本発明が実施できる。ま
た、耐食性を向上させるためにCr,Ti,Ta等の元
素が添加されていてもよい。カルコゲン化合物の材料と
してはTe,Se,Ge,Sb等の合金からなるカルコ
ゲナイド化合物が用いられる。例えば、SbTe,Ge
SbTe,SbSeである。多数回の繰り返し書き換え
可能なようにPd,Nb,Ptが添加されていてもよ
い。
体層を透過したレーザー光をも反射させることによりカ
ー効果増大や位相差、光吸収率差等を調整するために設
けられているもので、通常Al,Cu,Ag等の金属及
び添加元素を添加した合金等が用いられている。
膜あるいは無機誘電体膜が本発明では特に好ましく用い
られる。特に金属膜は吸湿しないため膨張もせず好まし
い。金属膜に用いられる材料としてはAl,Cr,T
i,Ni,Ta等の耐食性のある金属が好ましい。これ
らには合金として他の元素を添加してもよい。形成方法
は、スパッタ、蒸着等の手段が用いられる。形成する膜
厚は、第1、第2無機誘電体層、記録層及び反射層の合
計の膜厚に実質的に等しい膜厚が好ましいが、実質的に
はプラスチック基板1によって生じる反りの量をどの程
度キャンセルするかによって適宜決めることができる。
又、ここで用いる無機誘電体膜の材料としては、Si
N,SiO,SiO2 ,Ta2 O5 等の水分に対して安
定な材料が用いられる。形成方法は、スパッタ、蒸着に
より行われる。膜厚はすでに金属膜のところで述べてい
る。吸湿膨張しない層は無機誘電体膜、金属膜の単層膜
に限らず、これらの積層膜であってもよい。
リカーボネート、ポリメチルメタクリレート、エポキシ
樹脂、アモルファスポリオレフィン、ポリエチレン等が
用いられる。透湿性の小さい材料が好ましい。
使用可能であるがホットメルト型接着剤が好ましく使用
される。
るポリカーボネート基板上に、マグネトロンスパッタ装
置を用いて、酸化防止と干渉効果を得るために、第1無
機誘電体層としてSiNを100nm、記録層としてT
bFeCoからなるアモルファス磁性層を28nm、そ
の後酸化防止と干渉効果を高めるために第2無機誘電体
層としてSiNを30nm、反射層としてAlCr膜を
50nm順次真空を破ることなく連続して成膜し、その
後膜表面に有機保護層6として紫外線硬化樹脂を10μ
mコートした。そして片側に吸湿膨張しない層8として
AlCr膜を200nm形成した厚さ0.2mmのポリ
カーボネートフィルムをホットメルト型接着剤によりA
lCr膜側を接着面にして前記光磁気ディスクと貼り合
わせることにより本発明の光記録媒体を得た。
常湿から30℃、90%RHの環境下に投入したときの
反り量の最大値は1.5mradであった。
い層を設けない以外は実施例1と同様な光磁気ディスク
を作成した。この記録媒体を実施例1と同様の環境下に
投入した。このときの反り量の最大値は2.5mrad
であった。
外は実施例1と同様な光磁気ディスクを作成した。この
記録媒体を実施例1と同様の環境下に投入した。このと
きの反り量の最大値は4mradであった。
したAlCr層に代えてCr層を100nm形成した以
外は実施例1と同様な光磁気ディスクを作成した。
常湿から30℃、90%RHの環境下に投入したときの
反り量の最大値は1.7mradであった。
層を実施例1と同様に100nm形成した以外は実施例
1と同様な光磁気ディスクを作成した。
常湿から30℃、90%RHの環境下に投入したときの
反り量の最大値は1.8mradであった。
るポリカーボネート基板上に、RFマグネトロンスパッ
タ装置を用いて、酸化防止と干渉効果を得るために、第
1無機誘電体層2としてZnS・SiO2 を170n
m、記録層3としてPdGeSbTeからなるカルコゲ
ン記録層を25nm、その後酸化防止と干渉効果を高め
るために第2無機誘電体層4としてZnS・SiO2 を
25nm、反射層5としてAlCr膜5を130nm順
次真空を破ることなく連続して成膜し、その後膜表面に
有機保護層6として紫外線硬化樹脂を10μmコートし
た。そして片側に吸湿膨張しない層8としてAlCr膜
を200nm形成した厚さ0.2mmのポリカーボネー
トフィルムをホットメルト型接着剤によりAlCr膜側
を接着面にして前記光磁気ディスクと貼り合わせること
により本発明の光記録媒体を得た。
常湿から30℃、90%RHの環境下に投入したときの
反り量の最大値は1.5mradであった。
れば例えばプラスチックフィルムの片側に吸湿膨張しな
い層を設けこの面を接着面にして光記録媒体の記録面側
と貼着することによりプラスチック基板の温湿度環境変
化に伴う反りの発生を低減できた。
Claims (3)
- 【請求項1】 プラスチック基板上に少なくとも記録層
及び有機保護層を設けてなる光記録媒体において、前記
有機保護層より外側に、プラスチックフィルムであって
その片側に吸湿膨張しない材料よりなる層を形成したプ
ラスチックフィルムを、その吸湿膨張しない材料の層が
前記有機保護層側になるように貼着したことを特徴とす
る単板タイプの光記録媒体。 - 【請求項2】 吸湿膨張しない材料よりなる層が金属膜
あるいは無機誘電体膜であることを特徴とする請求項1
に記載の光記録媒体。 - 【請求項3】 プラスチックフィルムがポリカーボネー
トよりなり、吸湿膨張しない材料よりなる層がAlC
r,CrまたはSiOのいずれかよりなることを特徴と
する請求項1に記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8000699A JPH09190647A (ja) | 1996-01-08 | 1996-01-08 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8000699A JPH09190647A (ja) | 1996-01-08 | 1996-01-08 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09190647A true JPH09190647A (ja) | 1997-07-22 |
Family
ID=11481021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8000699A Pending JPH09190647A (ja) | 1996-01-08 | 1996-01-08 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09190647A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100444711B1 (ko) * | 2000-11-15 | 2004-08-16 | 샤프 가부시키가이샤 | 광정보 기록 매체 |
-
1996
- 1996-01-08 JP JP8000699A patent/JPH09190647A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100444711B1 (ko) * | 2000-11-15 | 2004-08-16 | 샤프 가부시키가이샤 | 광정보 기록 매체 |
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