JPH09190977A - 半導体素子製造用チャンバ装置 - Google Patents
半導体素子製造用チャンバ装置Info
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- JPH09190977A JPH09190977A JP8312474A JP31247496A JPH09190977A JP H09190977 A JPH09190977 A JP H09190977A JP 8312474 A JP8312474 A JP 8312474A JP 31247496 A JP31247496 A JP 31247496A JP H09190977 A JPH09190977 A JP H09190977A
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32522—Temperature
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0418—Apparatus for fluid treatment for etching
- H10P72/0421—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 載置台の上方を覆うシールドの内面から温度
変化によりパーティクルが発生することを抑制し、かつ
真空形成の際に基礎真空状態に到達するまでの時間を短
縮できる半導体素子製造用チャンバ装置を提供するこ
と。 【解決手段】 載置台２の上方を覆うドーム型のシール
ド３の外側面とチャンバ１の壁５の間に加熱源１０を設
け、この加熱源１０を温度制御手段で制御することによ
り、工程待機時と工程進行時の両方でチャンバ内の温度
が常に一定に維持されるようにする。
変化によりパーティクルが発生することを抑制し、かつ
真空形成の際に基礎真空状態に到達するまでの時間を短
縮できる半導体素子製造用チャンバ装置を提供するこ
と。 【解決手段】 載置台２の上方を覆うドーム型のシール
ド３の外側面とチャンバ１の壁５の間に加熱源１０を設
け、この加熱源１０を温度制御手段で制御することによ
り、工程待機時と工程進行時の両方でチャンバ内の温度
が常に一定に維持されるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子製造用チ
ャンバ装置に関するもので、特に工程が進行中の状態の
チャンバ内でパーチクルが発生しないようにし、かつチ
ャンバが開放され大気に露出された状態から再びチャン
バ内部を真空にする場合に基礎真空に到達するまでの時
間を顕著に短縮できるようにした半導体素子製造用チャ
ンバ装置に関する。
ャンバ装置に関するもので、特に工程が進行中の状態の
チャンバ内でパーチクルが発生しないようにし、かつチ
ャンバが開放され大気に露出された状態から再びチャン
バ内部を真空にする場合に基礎真空に到達するまでの時
間を顕著に短縮できるようにした半導体素子製造用チャ
ンバ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、スパッタ工程や乾式エッチング
工程に使用されるチャンバ装置は、図３に図示されるよ
うに、チャンバ１内部の底面の中央部分に所定の高さを
有する載置台２が設置されるとともに、この載置台２の
上方を覆うドーム型のシールド３が上記チャンバ１内の
上部に設けられた構造からなっており、上記の載置台２
の上面にウェハ４が置かれた状態で、ガスソースである
陽性とイオン化されたＡｒ原子を上記チャンバ１内部に
流入させると、上記Ａｒ原子が加速しながらチャンバ１
内部の所定の位置に設置されたターゲットに衝突し、そ
の衝突によって生じた物質が上記ウェハ４の表面に積層
されるように構成される。
工程に使用されるチャンバ装置は、図３に図示されるよ
うに、チャンバ１内部の底面の中央部分に所定の高さを
有する載置台２が設置されるとともに、この載置台２の
上方を覆うドーム型のシールド３が上記チャンバ１内の
上部に設けられた構造からなっており、上記の載置台２
の上面にウェハ４が置かれた状態で、ガスソースである
陽性とイオン化されたＡｒ原子を上記チャンバ１内部に
流入させると、上記Ａｒ原子が加速しながらチャンバ１
内部の所定の位置に設置されたターゲットに衝突し、そ
の衝突によって生じた物質が上記ウェハ４の表面に積層
されるように構成される。
【０００３】このようなチャンバ装置ではスパッタ工
程、又は乾式エッチング工程の待機状態ではチャンバ１
全体が室内温度で維持されるが、工程が連続的に進行す
るとチャンバ１内部の温度がゆっくりと増加してチャン
バ１の壁５及びシールド３の温度が約６０〜９０℃まで
上がるようになる。
程、又は乾式エッチング工程の待機状態ではチャンバ１
全体が室内温度で維持されるが、工程が連続的に進行す
るとチャンバ１内部の温度がゆっくりと増加してチャン
バ１の壁５及びシールド３の温度が約６０〜９０℃まで
上がるようになる。
【０００４】したがって、工程の待機状態と工程の進行
状態が一定の時間の間、交互に存在する場合は、チャン
バ内部の温度、特にシールド３の内面での温度変化が繰
り替えされるので、シールド３の内面に吸着された酸化
膜１ａが継続的な温度の変化によるストレスによってパ
ーティクル（微細粒子）として剥離する現象が発生する
ことになる。そして、パーティクルとして剥離した酸化
膜１ａは工程の進行の際にウェハ４の表面に落ち、製品
の品質を低下させる深刻な問題点がある。
状態が一定の時間の間、交互に存在する場合は、チャン
バ内部の温度、特にシールド３の内面での温度変化が繰
り替えされるので、シールド３の内面に吸着された酸化
膜１ａが継続的な温度の変化によるストレスによってパ
ーティクル（微細粒子）として剥離する現象が発生する
ことになる。そして、パーティクルとして剥離した酸化
膜１ａは工程の進行の際にウェハ４の表面に落ち、製品
の品質を低下させる深刻な問題点がある。
【０００５】このような問題点を解決するためには、工
程の待機状態でのチャンバ１内の温度と工程の進行状態
でのチャンバ１内の温度が適正な温度で常に一定に維持
される必要がある。
程の待機状態でのチャンバ１内の温度と工程の進行状態
でのチャンバ１内の温度が適正な温度で常に一定に維持
される必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のチャン
バ装置では、チャンバ１内部の温度を高めるための別途
の加熱手段が含まれていないためにチャンバ１内部の温
度を常に一定に維持することができない問題点があり、
また特開平７−３０６００２号公報や特開昭６０−２５
２１２号公報のように載置台やウェハを別途の加熱手段
で加熱しても、あるいは特開平５−２４７６４０号公報
のように載置台周囲のシールドを下方から加熱しても、
チャンバ１の内部が真空状態であるので、載置台２の上
方を覆うシールド３に対しては直接的な熱伝達が行われ
ず問題解決にさほど役立たなかった。なお、特開平５−
２８７５０９号公報には、反応室内に加熱手段が設けら
れているが、これは脱ガス用の加熱手段であり、後述す
る本発明の加熱手段とは全く異なる。
バ装置では、チャンバ１内部の温度を高めるための別途
の加熱手段が含まれていないためにチャンバ１内部の温
度を常に一定に維持することができない問題点があり、
また特開平７−３０６００２号公報や特開昭６０−２５
２１２号公報のように載置台やウェハを別途の加熱手段
で加熱しても、あるいは特開平５−２４７６４０号公報
のように載置台周囲のシールドを下方から加熱しても、
チャンバ１の内部が真空状態であるので、載置台２の上
方を覆うシールド３に対しては直接的な熱伝達が行われ
ず問題解決にさほど役立たなかった。なお、特開平５−
２８７５０９号公報には、反応室内に加熱手段が設けら
れているが、これは脱ガス用の加熱手段であり、後述す
る本発明の加熱手段とは全く異なる。
【０００７】又、上記の従来のチャンバ装置では、シー
ルド３の交替及び点検のためにチャンバ１を開放して大
気中に露出させた状態から再びチャンバ１の内部を真空
にするために真空ポンプを稼動してもチャンバ１の内部
の温度が相対的に低いためにチャンバ１の壁面及びシー
ルド３の表面からの残留ガスの排気作用がゆっくり長時
間かけて進行されるので、チャンバ１の内部が基礎真空
（Ｂａｓｅ Ｖａｃｕｕｍ）状態に到達するまでに長い
時間が所要され工程の進行が遅延され、結果的に生産性
の低下を招く問題点があった。
ルド３の交替及び点検のためにチャンバ１を開放して大
気中に露出させた状態から再びチャンバ１の内部を真空
にするために真空ポンプを稼動してもチャンバ１の内部
の温度が相対的に低いためにチャンバ１の壁面及びシー
ルド３の表面からの残留ガスの排気作用がゆっくり長時
間かけて進行されるので、チャンバ１の内部が基礎真空
（Ｂａｓｅ Ｖａｃｕｕｍ）状態に到達するまでに長い
時間が所要され工程の進行が遅延され、結果的に生産性
の低下を招く問題点があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、チャンバ内部の底面の中央部分に載置台
が設置されるとともに、この載置台の上方を覆うドーム
型のシールドが上記チャンバ内の上部に設けられた半導
体素子製造用チャンバ装置において、上記シールドの外
側面とチャンバの壁の間に設けられて上記シールド及び
チャンバの壁を加熱する加熱源と、この加熱源を制御し
て、該加熱源によって加熱されるチャンバの壁及びシー
ルドが常に所定の温度で一定に維持されるようにする温
度制御手段とを具備することを特徴とする半導体素子製
造用チャンバ装置とする。
決するために、チャンバ内部の底面の中央部分に載置台
が設置されるとともに、この載置台の上方を覆うドーム
型のシールドが上記チャンバ内の上部に設けられた半導
体素子製造用チャンバ装置において、上記シールドの外
側面とチャンバの壁の間に設けられて上記シールド及び
チャンバの壁を加熱する加熱源と、この加熱源を制御し
て、該加熱源によって加熱されるチャンバの壁及びシー
ルドが常に所定の温度で一定に維持されるようにする温
度制御手段とを具備することを特徴とする半導体素子製
造用チャンバ装置とする。
【０００９】また、本発明は、チャンバ内部の底面の中
央部分に載置台が設置されるとともに、この載置台の上
方を覆うドーム型のシールドが上記チャンバ内の上部に
設けられた半導体素子製造用チャンバ装置において、上
記チャンバの内部の所定の位置に設置され上記チャンバ
の壁とシールドとを輻射熱で加熱するランプと、このラ
ンプを制御して、該ランプによって加熱されるチャンバ
の壁及びシールドが常に所定の温度で一定に維持される
ようにする温度制御手段とを具備することを特徴とする
半導体素子製造用チャンバ装置とする。
央部分に載置台が設置されるとともに、この載置台の上
方を覆うドーム型のシールドが上記チャンバ内の上部に
設けられた半導体素子製造用チャンバ装置において、上
記チャンバの内部の所定の位置に設置され上記チャンバ
の壁とシールドとを輻射熱で加熱するランプと、このラ
ンプを制御して、該ランプによって加熱されるチャンバ
の壁及びシールドが常に所定の温度で一定に維持される
ようにする温度制御手段とを具備することを特徴とする
半導体素子製造用チャンバ装置とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に添付図面を参照して本発明に
よる半導体素子製造用チャンバ装置の実施の形態を詳細
に説明する。なお、本発明の実施の形態の説明におい
て、図３に図示された従来技術の構成要素と同一の構成
要素に対しては同一の参照符号を付与する。図１は本発
明の第１の実施の形態による半導体素子製造用チャンバ
装置の内部構造を示す断面図で、チャンバ１の内部の底
面の中央部分には所定の高さを有する載置台２が設置さ
れ、この載置台２上にウェハ４が支持される。また、チ
ャンバ１の内側の上部には、前記載置台２の上方を覆う
ようにドーム型のシールド３が設置される。そして、こ
のシールド３の外側面とチャンバ１の壁５の間には上記
のシールド３及びチャンバ１の壁５を加熱する加熱源１
０が設けられる。さらに、チャンバ１の外部において
は、上記の加熱源１０を制御して、該加熱源１０によっ
て加熱されるチャンバ１の壁５及びシールド３が常に所
定の温度で一定に維持されるようにする温度制御手段が
設置される。
よる半導体素子製造用チャンバ装置の実施の形態を詳細
に説明する。なお、本発明の実施の形態の説明におい
て、図３に図示された従来技術の構成要素と同一の構成
要素に対しては同一の参照符号を付与する。図１は本発
明の第１の実施の形態による半導体素子製造用チャンバ
装置の内部構造を示す断面図で、チャンバ１の内部の底
面の中央部分には所定の高さを有する載置台２が設置さ
れ、この載置台２上にウェハ４が支持される。また、チ
ャンバ１の内側の上部には、前記載置台２の上方を覆う
ようにドーム型のシールド３が設置される。そして、こ
のシールド３の外側面とチャンバ１の壁５の間には上記
のシールド３及びチャンバ１の壁５を加熱する加熱源１
０が設けられる。さらに、チャンバ１の外部において
は、上記の加熱源１０を制御して、該加熱源１０によっ
て加熱されるチャンバ１の壁５及びシールド３が常に所
定の温度で一定に維持されるようにする温度制御手段が
設置される。
【００１１】このようなチャンバ装置においては、温度
制御手段により制御される加熱源１０によってチャンバ
１の壁５およびシールド３、換言すればチャンバ１の内
部が、工程待機状態および工程進行状態に係わらず常に
最適の一定の温度に維持される。したがって、載置台２
の上方を覆うシールド３の温度変化により該シールド３
の内面から酸化膜１ａが剥離してパーティクルが発生す
ることが抑制される。さらに、シールド３とチャンバ１
の壁５が常に加熱された状態で維持されることによっ
て、チャンバ１の壁５とシールド３の表面に残留するガ
スが活性化されその排気作用が加速化されるため、一旦
チャンバ１内を大気に露出させた後、再度チャンバ１内
を真空にする際に基礎真空状態に到達するまでの時間を
短縮できる。
制御手段により制御される加熱源１０によってチャンバ
１の壁５およびシールド３、換言すればチャンバ１の内
部が、工程待機状態および工程進行状態に係わらず常に
最適の一定の温度に維持される。したがって、載置台２
の上方を覆うシールド３の温度変化により該シールド３
の内面から酸化膜１ａが剥離してパーティクルが発生す
ることが抑制される。さらに、シールド３とチャンバ１
の壁５が常に加熱された状態で維持されることによっ
て、チャンバ１の壁５とシールド３の表面に残留するガ
スが活性化されその排気作用が加速化されるため、一旦
チャンバ１内を大気に露出させた後、再度チャンバ１内
を真空にする際に基礎真空状態に到達するまでの時間を
短縮できる。
【００１２】図２は本発明の第２の実施の形態による半
導体素子製造用チャンバ装置の内部構造を示す断面図
で、このチャンバ装置ではチャンバ１の内部に、第１の
実施の形態での加熱源１０に代えて、輻射熱を発生させ
るランプ２０が設けられた構造を有する。ランプ２０
は、載置台２上に置かれるウェハ４より低い位置で複数
個と設置され、ハロゲンランプが使用される。このラン
プ２０は、第１の実施の形態の加熱源１０と同様に温度
制御手段で制御される。
導体素子製造用チャンバ装置の内部構造を示す断面図
で、このチャンバ装置ではチャンバ１の内部に、第１の
実施の形態での加熱源１０に代えて、輻射熱を発生させ
るランプ２０が設けられた構造を有する。ランプ２０
は、載置台２上に置かれるウェハ４より低い位置で複数
個と設置され、ハロゲンランプが使用される。このラン
プ２０は、第１の実施の形態の加熱源１０と同様に温度
制御手段で制御される。
【００１３】このような第２の実施の形態のチャンバ装
置は、温度制御手段により制御されるランプ２０からの
輻射熱により、第１の実施の形態と同様に、チャンバ１
の壁５およびシールド３、換言すればチャンバ１の内部
が、工程待機状態および工程進行状態に係わらず常に最
適の一定の温度に維持される。したがって、第１の実施
の形態と同様に、載置台２の上方を覆うシールド３の内
面からパーティクルが発生することを防止でき、かつ基
礎真空状態に到達するまでの時間を短縮できる。
置は、温度制御手段により制御されるランプ２０からの
輻射熱により、第１の実施の形態と同様に、チャンバ１
の壁５およびシールド３、換言すればチャンバ１の内部
が、工程待機状態および工程進行状態に係わらず常に最
適の一定の温度に維持される。したがって、第１の実施
の形態と同様に、載置台２の上方を覆うシールド３の内
面からパーティクルが発生することを防止でき、かつ基
礎真空状態に到達するまでの時間を短縮できる。
【００１４】なお、加熱源１０またはランプ２０を制御
する温度制御手段は、チャンバ１の壁５とシールド３上
に設けられる少なくとも一つの温度センサと、この温度
センサによって感知された電気的な信号が入力され、加
熱源１０またはランプ２０をオン、オフしたり、それら
の出力を制御する手段から構成される。この温度制御手
段は、適用される工程によりその工程に適合な温度が維
持されるように調整される。
する温度制御手段は、チャンバ１の壁５とシールド３上
に設けられる少なくとも一つの温度センサと、この温度
センサによって感知された電気的な信号が入力され、加
熱源１０またはランプ２０をオン、オフしたり、それら
の出力を制御する手段から構成される。この温度制御手
段は、適用される工程によりその工程に適合な温度が維
持されるように調整される。
【００１５】また、以上のような図１および図２のチャ
ンバ装置は、アルミまたはその他の金属のスパッタ工
程、乾式エッチング工程に用いられ、スパッタ工程とし
ては特にＲＦスパッタエッチ工程が挙げられ、乾式エッ
チング工程としては酸化膜エッチング工程が挙げられ
る。
ンバ装置は、アルミまたはその他の金属のスパッタ工
程、乾式エッチング工程に用いられ、スパッタ工程とし
ては特にＲＦスパッタエッチ工程が挙げられ、乾式エッ
チング工程としては酸化膜エッチング工程が挙げられ
る。
【００１６】
【発明の効果】このように本発明の半導体素子製造用チ
ャンバ装置によれば、工程待機状態のチャンバ内部の温
度と工程進行状態のチャンバの内部の温度が決められた
温度で常に一定に維持されるので、載置台の上方を覆う
シールドの内面から温度変化によりパーチクルが発生す
ることを抑制でき、かつ真空形成の際に基礎真空状態に
到達するまでの時間を短縮できる。したがって、高品質
の半導体素子を生産性よく製造できる。
ャンバ装置によれば、工程待機状態のチャンバ内部の温
度と工程進行状態のチャンバの内部の温度が決められた
温度で常に一定に維持されるので、載置台の上方を覆う
シールドの内面から温度変化によりパーチクルが発生す
ることを抑制でき、かつ真空形成の際に基礎真空状態に
到達するまでの時間を短縮できる。したがって、高品質
の半導体素子を生産性よく製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体素子製造用チャンバ装置の
第１の実施の形態を示す断面図。
第１の実施の形態を示す断面図。
【図２】本発明の第２の実施の形態を示す断面図。
【図３】従来のチャンバ装置を示す断面図。
１ チャンバ ２ 載置台 ３ シールド １０ 加熱源 ２０ ランプ
Claims (9)
- 【請求項１】 チャンバ内部の底面の中央部分に載置台
が設置されるとともに、この載置台の上方を覆うドーム
型のシールドが上記チャンバ内の上部に設けられた半導
体素子製造用チャンバ装置において、 上記シールドの外側面とチャンバの壁の間に設けられて
上記シールド及びチャンバの壁を加熱する加熱源と、 上記加熱源を制御して、該加熱源によって加熱されるチ
ャンバの壁及びシールドが常に所定の温度で一定に維持
されるようにする温度制御手段とを具備することを特徴
とする半導体素子製造用チャンバ装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体素子製造用チャン
バ装置において、チャンバ装置はスパッタ工程用である
ことを特徴とする半導体素子製造用チャンバ装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の半導体素子製造用チャン
バ装置において、スパッタ工程はＲＦスパッタエッチ工
程であることを特徴とする半導体素子製造用チャンバ装
置。 - 【請求項４】 チャンバ内部の底面の中央部分に載置台
が設置されるとともに、この載置台の上方を覆うドーム
型のシールドが上記チャンバ内の上部に設けられた半導
体素子製造用チャンバ装置において、 上記チャンバの内部の所定の位置に設置され上記チャン
バの壁とシールドとを輻射熱で加熱するランプと、 上記ランプを制御して、該ランプによって加熱されるチ
ャンバの壁及びシールドが常に所定の温度で一定に維持
されるようにする温度制御手段とを具備することを特徴
とする半導体素子製造用チャンバ装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の半導体素子製造用チャン
バ装置において、チャンバ装置はスパッタ工程用である
ことを特徴とする半導体素子製造用チャンバ装置。 - 【請求項６】 請求項１記載の半導体素子製造用チャン
バ装置において、チャンバ装置は乾式エッチング工程用
であることを特徴とする半導体素子製造用チャンバ装
置。 - 【請求項７】 請求項４記載の半導体素子製造用チャン
バ装置において、チャンバ装置は乾式エッチング工程用
であることを特徴とする半導体素子製造用チャンバ装
置。 - 【請求項８】 請求項４、５または７に記載の半導体素
子製造用チャンバ装置において、ランプとしてはハロゲ
ンランプを使用したことを特徴とする半導体素子製造用
チャンバ装置。 - 【請求項９】 請求項６または７に記載の半導体素子製
造用チャンバ装置において、乾式エッチング工程は酸化
膜エッチング工程であることを特徴とする半導体素子製
造用チャンバ装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950067540A KR970051959A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체소자 제조용 공정챔버 |
| KR1995P-67540 | 1995-12-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09190977A true JPH09190977A (ja) | 1997-07-22 |
Family
ID=19447780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8312474A Pending JPH09190977A (ja) | 1995-12-29 | 1996-11-22 | 半導体素子製造用チャンバ装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09190977A (ja) |
| KR (1) | KR970051959A (ja) |
| TW (1) | TW353769B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003502497A (ja) * | 1999-06-16 | 2003-01-21 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | スパッタリングによる高温‐基板コーティング方法および装置 |
| JP2007503118A (ja) * | 2003-08-18 | 2007-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度を制御したチャンバシールドの使用によるパーティクルの低減化 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20210319989A1 (en) * | 2020-04-13 | 2021-10-14 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for processing a substrate |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950067540A patent/KR970051959A/ko not_active Abandoned
-
1996
- 1996-10-28 TW TW085113131A patent/TW353769B/zh active
- 1996-11-22 JP JP8312474A patent/JPH09190977A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003502497A (ja) * | 1999-06-16 | 2003-01-21 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | スパッタリングによる高温‐基板コーティング方法および装置 |
| JP4947864B2 (ja) * | 1999-06-16 | 2012-06-06 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | スパッタリングによる高温‐基板コーティング方法および装置 |
| JP2007503118A (ja) * | 2003-08-18 | 2007-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度を制御したチャンバシールドの使用によるパーティクルの低減化 |
| JP4879738B2 (ja) * | 2003-08-18 | 2012-02-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度を制御したチャンバシールドの使用によるパーティクルの低減化 |
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| Publication number | Publication date |
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| KR970051959A (ko) | 1997-07-29 |
| TW353769B (en) | 1999-03-01 |
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