JPS61152020A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
- Publication number
- JPS61152020A JPS61152020A JP59273082A JP27308284A JPS61152020A JP S61152020 A JPS61152020 A JP S61152020A JP 59273082 A JP59273082 A JP 59273082A JP 27308284 A JP27308284 A JP 27308284A JP S61152020 A JPS61152020 A JP S61152020A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- steam
- processing chamber
- chamber
- wafer
- vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、処理技術、特に半導体装置の製造において、
ウェハの蒸気乾燥に用いて有効な技術に関する。
ウェハの蒸気乾燥に用いて有効な技術に関する。
半導体装置の製造過程において、たとえばウェハの酸化
拡散前洗浄工程では、純水による洗浄作業の後にウェハ
の表面に残留する水滴などを除去するため蒸気乾燥が行
われる。
拡散前洗浄工程では、純水による洗浄作業の後にウェハ
の表面に残留する水滴などを除去するため蒸気乾燥が行
われる。
この蒸気乾燥に用いられる蒸気乾燥装置としては次のジ
なものが考えられる・ すなわち、処理室の底部に貯留される、たとえばイソプ
ロピルアルコールなどの有機溶剤を加熱することによっ
て有機溶剤の蒸気(以下単に蒸気と記す)を発生させ、
有機溶剤の液面上方に形成される蒸気雰囲気中に蒸気よ
りも温度の低いウェハを位置させる。
なものが考えられる・ すなわち、処理室の底部に貯留される、たとえばイソプ
ロピルアルコールなどの有機溶剤を加熱することによっ
て有機溶剤の蒸気(以下単に蒸気と記す)を発生させ、
有機溶剤の液面上方に形成される蒸気雰囲気中に蒸気よ
りも温度の低いウェハを位置させる。
このとき、ウェハ表面に付着する水滴は、ウェハ表面に
触れる蒸気が凝縮して形成される有機溶剤の液滴に溶解
されて落下し除去される。
触れる蒸気が凝縮して形成される有機溶剤の液滴に溶解
されて落下し除去される。
このようにして、ウェハが蒸気雰囲気とほぼ同じ温度に
なるまで蒸気雰囲気中に位置させ乾燥状態とするもので
ある。
なるまで蒸気雰囲気中に位置させ乾燥状態とするもので
ある。
しかしながら、上記のような乾燥装置では、ウェハの処
理室への挿入あるいは取り出し操作などの際に、処理室
内の引火性の蒸気が装置の外部に散逸されることは避け
られず、火災発生などの危険があることを本発明者は見
いだした。
理室への挿入あるいは取り出し操作などの際に、処理室
内の引火性の蒸気が装置の外部に散逸されることは避け
られず、火災発生などの危険があることを本発明者は見
いだした。
さらに、蒸気が有毒である場合には、作業者の健康を損
なうなどの不具合もある。
なうなどの不具合もある。
° なお、ウェハの蒸気乾燥については、たとえば特
願昭57−89664号および同57−216925号
に開示されている。
願昭57−89664号および同57−216925号
に開示されている。
本発明の目的は、被処理物を物質の蒸気によって安全に
処理することが可能な処理技術を提供することにある。
処理することが可能な処理技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、被処理物が位置される処理室と、物質の蒸気
を発生させる蒸気室とが、開閉自在なシャッタ機構によ
って分離される構造とすることにより、処理時に前記シ
ャッタ機構を開放し、蒸気室において発生される蒸気が
処理室に供給されるようにして、処理室への被処理物の
出し入れに際して蒸気が外部に散逸することを防止し、
被処理物の安全な処理を可能にするものである。
を発生させる蒸気室とが、開閉自在なシャッタ機構によ
って分離される構造とすることにより、処理時に前記シ
ャッタ機構を開放し、蒸気室において発生される蒸気が
処理室に供給されるようにして、処理室への被処理物の
出し入れに際して蒸気が外部に散逸することを防止し、
被処理物の安全な処理を可能にするものである。
第1図は本発明の一実施例であるウェハの蒸気乾燥装置
の略断面図を示すもので、蒸気室1の底部にはヒータ2
が設けられ、蒸気室1の底部側面に接続された処理液供
給パイプ3を通じて蒸気室1の底部に供給される所定量
のイソプロピルアルコール4(物質)(以下IPAと記
す)が加熱されIPA蒸気4aが発生される構造とされ
ている。
の略断面図を示すもので、蒸気室1の底部にはヒータ2
が設けられ、蒸気室1の底部側面に接続された処理液供
給パイプ3を通じて蒸気室1の底部に供給される所定量
のイソプロピルアルコール4(物質)(以下IPAと記
す)が加熱されIPA蒸気4aが発生される構造とされ
ている。
さらに蒸気室1に隣接して処理室5が設けられており、
蒸気室1と処理室5は上下方向に移動されることによっ
て開閉自在なシャッタ機構6によって仕切られ、適時に
シャッタ機構6が開放されることによって、蒸気室l内
のIPA蒸気4aが処理室5内に供給され、処理室5内
がIPAM気4aの雰囲気とされるように構成されてい
る。
蒸気室1と処理室5は上下方向に移動されることによっ
て開閉自在なシャッタ機構6によって仕切られ、適時に
シャッタ機構6が開放されることによって、蒸気室l内
のIPA蒸気4aが処理室5内に供給され、処理室5内
がIPAM気4aの雰囲気とされるように構成されてい
る。
また、処理室5の上部には扉7が開閉自在に設けられ、
搬送治具8に収納されたウェハ9(被処理物)の処理室
5への出し入れが行われる構造とされている。
搬送治具8に収納されたウェハ9(被処理物)の処理室
5への出し入れが行われる構造とされている。
処理室5内に挿入される搬送治具8に収納されたウェハ
9は係止治具10によって処理室5内の所定の位置に保
持されるように構成されている。
9は係止治具10によって処理室5内の所定の位置に保
持されるように構成されている。
さらに、処理室5の上部には洗浄ノズル11が設けられ
、シャフタ機構6が閉止された状態で、処理室5内に位
置されたウェハ9に、たとえば純水などが噴射されて洗
浄処理が行われる構造とされている。
、シャフタ機構6が閉止された状態で、処理室5内に位
置されたウェハ9に、たとえば純水などが噴射されて洗
浄処理が行われる構造とされている。
処理室5の上部側面にはダクト12および、このダクト
12を開閉するダンパ機構13が設けられ、適時に処理
室5内の排気が行われるように構成されている。
12を開閉するダンパ機構13が設けられ、適時に処理
室5内の排気が行われるように構成されている。
また、処理室5の底面にはドレンパイプ14が設けられ
、ウェハ9の洗浄処理に用いられた水や、洗浄処理後の
乾燥処理において、IPA蒸気4aが凝縮して形成され
るIPA4が処理室5の外部に排出される構造とされて
いる。
、ウェハ9の洗浄処理に用いられた水や、洗浄処理後の
乾燥処理において、IPA蒸気4aが凝縮して形成され
るIPA4が処理室5の外部に排出される構造とされて
いる。
この場合、ドレンパイプ14には、たとえば三方弁15
が設けられ、ドレンパイプ14を適宜排水パイプ16ま
たはIPA排出バイブ17に接続することによって、洗
浄処理に用いられた水と蒸気乾燥処理に用いられたIP
A4とが分離されて回収されるように構成されている。
が設けられ、ドレンパイプ14を適宜排水パイプ16ま
たはIPA排出バイブ17に接続することによって、洗
浄処理に用いられた水と蒸気乾燥処理に用いられたIP
A4とが分離されて回収されるように構成されている。
蒸気室1の上部には、窒素パージノズル18が設けられ
、蒸気室1内に窒素ガスを噴出させることによって、蒸
気室l内に形成されたIPA蒸気4aが迅速に処理室5
内に供給される構造とされている。
、蒸気室1内に窒素ガスを噴出させることによって、蒸
気室l内に形成されたIPA蒸気4aが迅速に処理室5
内に供給される構造とされている。
蒸気室lの上部には冷却機構19が設けられ、蒸気室1
の上部に残留されるIPA蒸気4が凝縮されて蒸気室l
の底部に回収されるように構成されている。
の上部に残留されるIPA蒸気4が凝縮されて蒸気室l
の底部に回収されるように構成されている。
さらに、蒸気室1およびこの蒸気室1に隣接される処理
室5の外周部には、流体循環ノズル20および21を通
じて、所定の温度の流体が流通される流体ジャケット2
2(温度保持手段)が設けられ、蒸気室lおよび処理室
5が所定の温度に保持される構造とされている。
室5の外周部には、流体循環ノズル20および21を通
じて、所定の温度の流体が流通される流体ジャケット2
2(温度保持手段)が設けられ、蒸気室lおよび処理室
5が所定の温度に保持される構造とされている。
次に、本実施例の作用について説明する。
まず、扉7が開放され搬送治具8に収納されたウェハ9
が処理室5内に挿入されて係止治具lOに固定され、そ
の後扉7は閉止される。
が処理室5内に挿入されて係止治具lOに固定され、そ
の後扉7は閉止される。
この時、蒸気室1と処理室5との間にあるシャッタ機構
6およびダクト12のダンパ13は閉止されている。
6およびダクト12のダンパ13は閉止されている。
次に、処理室5の上部に設けられた洗浄ノズル11から
洗浄水がウェハ9に噴射されて洗浄処理が行われる。
洗浄水がウェハ9に噴射されて洗浄処理が行われる。
この場合、ドレンパイプ14に設けられた三方弁15は
排水パイプ16に連通され、洗浄水が回収される。
排水パイプ16に連通され、洗浄水が回収される。
所定の時間経過後、洗浄ノズル11からの洗浄水の放出
は停止される。
は停止される。
次に、ダクト12のダンパ13が開放され処理室5内の
排気が行われて、処理室5は負圧にされる。
排気が行われて、処理室5は負圧にされる。
一方、上記の排気操作と同時に、蒸気室1の底部に、処
理液供給パイプ3を通じて所定量のIPA4が注入され
、ヒータ2によって加熱されてIPA蒸気4aが形成さ
れる。
理液供給パイプ3を通じて所定量のIPA4が注入され
、ヒータ2によって加熱されてIPA蒸気4aが形成さ
れる。
次に、シャフタ機構6は開放され、同時に窒素パージノ
ズル18から窒素ガスが噴射されて蒸気室l内のIPA
蒸気4aは迅速に処理室5内に供給される。
ズル18から窒素ガスが噴射されて蒸気室l内のIPA
蒸気4aは迅速に処理室5内に供給される。
所定の時間経過後、窒素パージノズル18からの窒素ガ
スの噴射が停止されるとともに、処理室5に設けられた
ダクト12のダンパ13は閉止され、処理室5内に位置
されるウェハ9はIPA蒸気4aの雰囲気中に置かれる
。
スの噴射が停止されるとともに、処理室5に設けられた
ダクト12のダンパ13は閉止され、処理室5内に位置
されるウェハ9はIPA蒸気4aの雰囲気中に置かれる
。
この時、ウェハ9の表面ではIPA蒸気4aが凝縮され
て無数の液滴が形成され、ウェハ9の表面に付着される
水分はこれらの液滴に溶解され、処理室5の底部に落下
除去される。
て無数の液滴が形成され、ウェハ9の表面に付着される
水分はこれらの液滴に溶解され、処理室5の底部に落下
除去される。
上記の乾燥過程は、ウェハ9が雰囲気のIPA蒸気4a
と同一の温度になるまで繰り返し行われてウェハ9は蒸
気乾燥される。
と同一の温度になるまで繰り返し行われてウェハ9は蒸
気乾燥される。
また、上記の乾燥処理中、ドレンパイプ14に設けられ
た三方弁15はIPA排出パイプ17に接続され、処理
済みのIPA4は回収される。
た三方弁15はIPA排出パイプ17に接続され、処理
済みのIPA4は回収される。
所定の時間経過後、シャッタ機構6が閉止されるととも
に、ダクト12のダンパ機構13は開放され、処理室5
内に残留されるIPA蒸気4aは速やかに装置外部の所
定部(図示せず)に排出され、たとえば冷却されるなど
して凝縮され、回収される。
に、ダクト12のダンパ機構13は開放され、処理室5
内に残留されるIPA蒸気4aは速やかに装置外部の所
定部(図示せず)に排出され、たとえば冷却されるなど
して凝縮され、回収される。
次に、扉7は開放され、ウェハ9は搬送治具8とともに
装置外部に取り出され、−回の洗浄および蒸気乾燥処理
が完了される。
装置外部に取り出され、−回の洗浄および蒸気乾燥処理
が完了される。
このように、IPA蒸気4aが発生される蒸気室lと洗
浄および乾燥処理が行われる処理室5がシャッタ機構6
によって分離され、シャッタ機構6は処理室5における
蒸気乾燥処理時に開放されるため、処理室5へのウェハ
9の出し入れの際に、IPA蒸気4aが外部に散逸され
ることが防止され、引火性のIPA蒸気4aによる火災
の発生などの危険が回避でき、安全にウェハ9の蒸気乾
燥処理が行われる。
浄および乾燥処理が行われる処理室5がシャッタ機構6
によって分離され、シャッタ機構6は処理室5における
蒸気乾燥処理時に開放されるため、処理室5へのウェハ
9の出し入れの際に、IPA蒸気4aが外部に散逸され
ることが防止され、引火性のIPA蒸気4aによる火災
の発生などの危険が回避でき、安全にウェハ9の蒸気乾
燥処理が行われる。
さらに、蒸気室lおよび処理室5が、所定の温度の流体
が流通される流体ジャケット22によつて所定の温度に
保持されることにより、たとえば、処理室5の内壁部な
どにおいてIPA薫気4aが凝縮されることが防止され
、処理室5内に位置されるウェハ9にIPA蒸気4aが
効率良(供給されて、蒸気乾燥処理が効率良く行われる
。
が流通される流体ジャケット22によつて所定の温度に
保持されることにより、たとえば、処理室5の内壁部な
どにおいてIPA薫気4aが凝縮されることが防止され
、処理室5内に位置されるウェハ9にIPA蒸気4aが
効率良(供給されて、蒸気乾燥処理が効率良く行われる
。
また、処理液供給パイプ3を通じて蒸気室1の底部に供
給されるTPA4の量は、−回の蒸気乾燻処理毎に必要
な量だけであり、ヒータ2によるI PA4の加熱昇温
が迅速となり、IPA蒸気4aの発生に要する時間が短
縮され、さらに装置内に不要なIPA4などの引火性の
有機溶剤が多量に貯留されることがなく安全である。
給されるTPA4の量は、−回の蒸気乾燻処理毎に必要
な量だけであり、ヒータ2によるI PA4の加熱昇温
が迅速となり、IPA蒸気4aの発生に要する時間が短
縮され、さらに装置内に不要なIPA4などの引火性の
有機溶剤が多量に貯留されることがなく安全である。
上記の一連の操作を繰り返すことによって、多数のウェ
ハ9の洗浄および蒸気乾燥処理が安全に効率良く行われ
る。
ハ9の洗浄および蒸気乾燥処理が安全に効率良く行われ
る。
[効果]
(l)、被処理物が位置される処理室と、物質の蒸気を
発生させる蒸気室とが、開閉自在なシャフタ機構によっ
て分離されているため、被処理物の処理室への出し入れ
操作に伴って蒸気が外部に散逸することが防止され、蒸
気の引火などによる火災発生が回避される。
発生させる蒸気室とが、開閉自在なシャフタ機構によっ
て分離されているため、被処理物の処理室への出し入れ
操作に伴って蒸気が外部に散逸することが防止され、蒸
気の引火などによる火災発生が回避される。
(2)、処理室および蒸気室に温度保持手段が設けられ
ていることにより、処理室の内壁部において物質の蒸気
が凝縮されることが防止され、処理室内の被処理物に効
率良く蒸気が供給される結果、被処理物の処理が効率良
く行われる。
ていることにより、処理室の内壁部において物質の蒸気
が凝縮されることが防止され、処理室内の被処理物に効
率良く蒸気が供給される結果、被処理物の処理が効率良
く行われる。
(3)、処理室における各処理毎に蒸気室に所定量の物
質が供給されることにより、蒸気室における物質の加熱
昇温か迅速に行われ、物質の蒸気化に要する時間が短く
なるため、処理工程の稼働率が向上される。
質が供給されることにより、蒸気室における物質の加熱
昇温か迅速に行われ、物質の蒸気化に要する時間が短く
なるため、処理工程の稼働率が向上される。
(4)、前記(3)の結果、装置内に多量の物質が貯留
されることがなく、物質に引火して火災が発生するなど
の危険が回避される。
されることがなく、物質に引火して火災が発生するなど
の危険が回避される。
(5)、前記(1)、 (41の結果、処理が安全に行
われる。
われる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、有機溶剤としてはイソプロピルアルコール以
外のものを用いてもよい。
外のものを用いてもよい。
また温度保持手段としては、電熱線等を用いることも可
能である。
能である。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウェハの蒸気乾燥技
術に適用した場合について説明したが、それに限定され
るものではなく、たとえば、気相エツチング技術等にも
応用することが可能である。
をその背景となった利用分野であるウェハの蒸気乾燥技
術に適用した場合について説明したが、それに限定され
るものではなく、たとえば、気相エツチング技術等にも
応用することが可能である。
第1図は本発明の一実施例であるウェハの蒸気乾燥装置
の略断面図である。 1・・・蒸気室、2・・・ヒータ、3・・・処理液供給
パイプ、4・・・イソプロピルアルコール(物質)、4
a・・・イソプロピルアルコール蒸気、5・・・処理室
、6・・・シャッタ機構、7・・・扉、8・・・搬送治
具、9・・・ウェハ(被処理物)、22・・・流体ジャ
ケット(温度保持手段)。
の略断面図である。 1・・・蒸気室、2・・・ヒータ、3・・・処理液供給
パイプ、4・・・イソプロピルアルコール(物質)、4
a・・・イソプロピルアルコール蒸気、5・・・処理室
、6・・・シャッタ機構、7・・・扉、8・・・搬送治
具、9・・・ウェハ(被処理物)、22・・・流体ジャ
ケット(温度保持手段)。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、被処理物を少なくとも一つの物質の蒸気雰囲気中に
位置させることによって所定の処理を施す処理装置であ
って、被処理物が位置される処理室と、物質の蒸気を発
生させる蒸気室とが、開閉自在なシャッタ機構によって
分離されていることを特徴とする処理装置。 2、処理室および蒸気室に温度保持手段が設けられてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の処理装
置。 3、処理室における各処理毎に蒸気室に所定量の物質が
供給されることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の処理装置。 4、被処理物がウェハであることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59273082A JPS61152020A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59273082A JPS61152020A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61152020A true JPS61152020A (ja) | 1986-07-10 |
Family
ID=17522891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59273082A Pending JPS61152020A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61152020A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03169013A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-22 | Cfm Technol Inc | 表面乾燥処理方法および装置 |
| JPH05212361A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-24 | Japan Field Kk | 被洗浄物の濯ぎ方法およびその装置 |
| US5431179A (en) * | 1993-02-16 | 1995-07-11 | Tokyo Electron Limited | Wafer drying apparatus and fire-extinguishing method therefor |
| US6319329B1 (en) | 1997-01-24 | 2001-11-20 | Tokyo Electron Limited | Method of cleaning objects to be processed |
| US7404407B2 (en) * | 2001-07-16 | 2008-07-29 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
-
1984
- 1984-12-26 JP JP59273082A patent/JPS61152020A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03169013A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-22 | Cfm Technol Inc | 表面乾燥処理方法および装置 |
| JPH05212361A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-24 | Japan Field Kk | 被洗浄物の濯ぎ方法およびその装置 |
| US5431179A (en) * | 1993-02-16 | 1995-07-11 | Tokyo Electron Limited | Wafer drying apparatus and fire-extinguishing method therefor |
| US6319329B1 (en) | 1997-01-24 | 2001-11-20 | Tokyo Electron Limited | Method of cleaning objects to be processed |
| US6491045B2 (en) | 1997-01-24 | 2002-12-10 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for and method of cleaning object to be processed |
| US7404407B2 (en) * | 2001-07-16 | 2008-07-29 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
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