JPH09198710A - 光ディスクおよびその製造方法 - Google Patents
光ディスクおよびその製造方法Info
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- JPH09198710A JPH09198710A JP8027334A JP2733496A JPH09198710A JP H09198710 A JPH09198710 A JP H09198710A JP 8027334 A JP8027334 A JP 8027334A JP 2733496 A JP2733496 A JP 2733496A JP H09198710 A JPH09198710 A JP H09198710A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- transparent substrate
- film
- optical disc
- stamper
- Prior art date
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- Pending
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ディスクの高密度化に十分対応できるもの
であり、高温・高湿下での耐久性にも優れる光ディスク
を得る。 【解決手段】 熱可塑性ノルボルネン系樹脂からなる透
明基板上に、凹凸ピットが形成され、ついで該凹凸ピッ
ト面上に機能性被膜が形成され、さらに該機能性被膜上
に保護層が積層されてなることを特徴とする光ディスク
および熱可塑性ノルボルネン系樹脂からなる透明基板上
に、紫外線硬化性樹脂を塗布し凹凸ピットを有するスタ
ンパーを圧着させた後紫外線によって樹脂を硬化させる
か、または熱可塑性ノルボルネン系樹脂からなる透明基
板上に直接スタンパーを熱プレスすることにより凹凸ピ
ットを基板上に形成した後、能性被膜を形成し、ついで
保護膜を形成することを特徴とする光ディスクの製造方
法。
であり、高温・高湿下での耐久性にも優れる光ディスク
を得る。 【解決手段】 熱可塑性ノルボルネン系樹脂からなる透
明基板上に、凹凸ピットが形成され、ついで該凹凸ピッ
ト面上に機能性被膜が形成され、さらに該機能性被膜上
に保護層が積層されてなることを特徴とする光ディスク
および熱可塑性ノルボルネン系樹脂からなる透明基板上
に、紫外線硬化性樹脂を塗布し凹凸ピットを有するスタ
ンパーを圧着させた後紫外線によって樹脂を硬化させる
か、または熱可塑性ノルボルネン系樹脂からなる透明基
板上に直接スタンパーを熱プレスすることにより凹凸ピ
ットを基板上に形成した後、能性被膜を形成し、ついで
保護膜を形成することを特徴とする光ディスクの製造方
法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクに関
し、特にシート上に凹凸ピットを形成後、記録膜、反射
膜等を積層したのちディスク形状に打ち抜きすることに
よって得られる光ディスクに関するものである。
し、特にシート上に凹凸ピットを形成後、記録膜、反射
膜等を積層したのちディスク形状に打ち抜きすることに
よって得られる光ディスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、透明フィルムに記録層を形成
し、ついでディスクの形に打ち抜くことによりディスク
を製造する方法が知られている。たとえば、フォトポリ
マー法（２Ｐ法）は、所定の情報が記憶された凹凸ピッ
トを有するスタンパー（金型）と、ディスク基材となる
透明基板との間に、紫外線硬化型樹脂を充填あるいは塗
布し、紫外線を照射して該樹脂を硬化させた後、スタン
パーをはぎ取って透明基板上に凹凸ピットを有する記録
層を形成し、金属の蒸着またはスパッタリング等の手段
によってその凹凸ピット面上に金属反射膜が形成され、
さらにその上に保護膜が形成されてディスクの形に打ち
抜くものである。ところが、従来上記のような光ディス
クに用いられてきた透明基板は、その材料として用いら
れる樹脂に起因する様々な問題を有しており、実際にこ
れらのフィルムに記録パターンを形成した後打ち抜きに
よってディスクを得ることはきわめて困難であった。た
とえば、透明基板としてはポリカーボネート樹脂（Ｐ
Ｃ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリメチル
メタクリレート樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリイミド樹脂（Ｐ
Ｉ）、ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）等の
ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂（ＰＡＲ）等の
芳香族ポリエステル樹脂等からなるフィルムが知られて
いるが、ＰＣは光弾性係数が約９×１０-12ｃｍ2／dyne
と大きいため、複屈折が大きくなりすぎること、不均一
となること、組立時や環境変化に基づいて生じたわずか
な応力で複屈折が変化する問題があり、また表面硬度が
小さいためにフィルム製造時、あるいは機能付与のため
の積層、被膜形成等の加工時に傷が付きやすく、取り扱
いに注意しなければならず生産性に劣るものになる。
またＴＡＣやＰＭＭＡは耐熱性や吸水性に劣るため、記
録膜や反射膜等の被膜形成や熱硬化性樹脂などによるパ
ターン形成などの機能付与でかかる熱によって変形した
り、取り扱い途中で周囲の湿気を吸収することにより基
板にソリなどが生じ機能が劣化することがあった。ＰＥ
Ｔは結晶性ポリマーであるため複屈折が生じやすく耐熱
性にも不充分であり、また記録膜や反射膜などの機能性
被膜との密着性にも劣るため、使用途中で膜間に水分が
浸入して膜劣化を引き起こす問題があった。またＰＩは
熱硬化性樹脂であるため、フィルム成形の自由度に制限
があるため生産性に劣り、また得られたフィルムは着色
していることが多く光ディスク用途としては不適であ
る。同様にＰＡＲからなるフィルムは着色していること
が多く透明性が十分でないため、厳しい光学特性が要求
される光ディスク用途としては不適であった。特に近
年、光ディスクの高密度化にともない、ディスク基板に
も厳しい光学特性が求められており、また、被膜形成な
ど生産工程でかかる熱などによって光学特性が変化する
ことのない耐熱性も要求されるため、従来広く用いられ
る透明フィルムではかかるディスク基板を得ることは困
難であった。
し、ついでディスクの形に打ち抜くことによりディスク
を製造する方法が知られている。たとえば、フォトポリ
マー法（２Ｐ法）は、所定の情報が記憶された凹凸ピッ
トを有するスタンパー（金型）と、ディスク基材となる
透明基板との間に、紫外線硬化型樹脂を充填あるいは塗
布し、紫外線を照射して該樹脂を硬化させた後、スタン
パーをはぎ取って透明基板上に凹凸ピットを有する記録
層を形成し、金属の蒸着またはスパッタリング等の手段
によってその凹凸ピット面上に金属反射膜が形成され、
さらにその上に保護膜が形成されてディスクの形に打ち
抜くものである。ところが、従来上記のような光ディス
クに用いられてきた透明基板は、その材料として用いら
れる樹脂に起因する様々な問題を有しており、実際にこ
れらのフィルムに記録パターンを形成した後打ち抜きに
よってディスクを得ることはきわめて困難であった。た
とえば、透明基板としてはポリカーボネート樹脂（Ｐ
Ｃ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリメチル
メタクリレート樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリイミド樹脂（Ｐ
Ｉ）、ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）等の
ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂（ＰＡＲ）等の
芳香族ポリエステル樹脂等からなるフィルムが知られて
いるが、ＰＣは光弾性係数が約９×１０-12ｃｍ2／dyne
と大きいため、複屈折が大きくなりすぎること、不均一
となること、組立時や環境変化に基づいて生じたわずか
な応力で複屈折が変化する問題があり、また表面硬度が
小さいためにフィルム製造時、あるいは機能付与のため
の積層、被膜形成等の加工時に傷が付きやすく、取り扱
いに注意しなければならず生産性に劣るものになる。
またＴＡＣやＰＭＭＡは耐熱性や吸水性に劣るため、記
録膜や反射膜等の被膜形成や熱硬化性樹脂などによるパ
ターン形成などの機能付与でかかる熱によって変形した
り、取り扱い途中で周囲の湿気を吸収することにより基
板にソリなどが生じ機能が劣化することがあった。ＰＥ
Ｔは結晶性ポリマーであるため複屈折が生じやすく耐熱
性にも不充分であり、また記録膜や反射膜などの機能性
被膜との密着性にも劣るため、使用途中で膜間に水分が
浸入して膜劣化を引き起こす問題があった。またＰＩは
熱硬化性樹脂であるため、フィルム成形の自由度に制限
があるため生産性に劣り、また得られたフィルムは着色
していることが多く光ディスク用途としては不適であ
る。同様にＰＡＲからなるフィルムは着色していること
が多く透明性が十分でないため、厳しい光学特性が要求
される光ディスク用途としては不適であった。特に近
年、光ディスクの高密度化にともない、ディスク基板に
も厳しい光学特性が求められており、また、被膜形成な
ど生産工程でかかる熱などによって光学特性が変化する
ことのない耐熱性も要求されるため、従来広く用いられ
る透明フィルムではかかるディスク基板を得ることは困
難であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来技
術の課題を背景になされたもので、耐熱性、成形性、寸
法安定性、記録膜や反射膜などの機能性被膜との密着性
に優れ、複屈折が小さく光学特性に優れた光ディスクを
提供するものである。
術の課題を背景になされたもので、耐熱性、成形性、寸
法安定性、記録膜や反射膜などの機能性被膜との密着性
に優れ、複屈折が小さく光学特性に優れた光ディスクを
提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、熱可塑性ノル
ボルネン系樹脂からなる透明基板上に、凹凸ピット、機
能性被膜および保護膜が積層されてなることを特徴とす
る光ディスクならびに熱可塑性ノルボルネン系樹脂から
なる透明基板上に、紫外線硬化性樹脂を塗布し凹凸ピッ
トを有するスタンパーを圧着させた後紫外線によって樹
脂を硬化させるか、または熱可塑性ノルボルネン系樹脂
からなる透明基板上に直接スタンパーを熱プレスするこ
とにより凹凸ピットを基板上に形成した後、能性被膜を
形成し、ついで保護膜を形成することを特徴とする光デ
ィスクの製造方法を提供するものである。
ボルネン系樹脂からなる透明基板上に、凹凸ピット、機
能性被膜および保護膜が積層されてなることを特徴とす
る光ディスクならびに熱可塑性ノルボルネン系樹脂から
なる透明基板上に、紫外線硬化性樹脂を塗布し凹凸ピッ
トを有するスタンパーを圧着させた後紫外線によって樹
脂を硬化させるか、または熱可塑性ノルボルネン系樹脂
からなる透明基板上に直接スタンパーを熱プレスするこ
とにより凹凸ピットを基板上に形成した後、能性被膜を
形成し、ついで保護膜を形成することを特徴とする光デ
ィスクの製造方法を提供するものである。
【０００５】本発明に用いられる熱可塑性ノルボルネン
樹脂は、その繰り返し単位中にノルボルナン骨格を有す
るものである。例えば、この熱可塑性樹脂としては、一
般式（Ｉ）〜（ＩＶ）で表されるノルボルナン骨格を含
むものである。
樹脂は、その繰り返し単位中にノルボルナン骨格を有す
るものである。例えば、この熱可塑性樹脂としては、一
般式（Ｉ）〜（ＩＶ）で表されるノルボルナン骨格を含
むものである。
【０００６】
【化１】
【０００７】
【化２】
【０００８】
【化３】
【０００９】
【化４】 （式中、Ａ、Ｂ、ＣおよびＤは、水素原子または１価の
有機基を示す。） 本発明において使用することのできるノルボルナン骨格
を有する熱可塑性樹脂としては、例えば特開昭６０−１
６８７０８号公報、特開昭６２−２５２４０６号公報、
特開昭６２−２５２４０７号公報、特開平２−１３３４
１３号公報、特開昭６３−１４５３２４号公報、特開昭
６３−２６４６２６号公報、特開平１−２４０５１７号
公報、特公昭５７−８８１５号公報などに記載されてい
る樹脂などを挙げることができる。この熱可塑性樹脂の
具体例としては、下記一般式（Ｖ）で表される少なくと
も１種のテトラシクロドデセン誘導体または該テトラシ
クロドデセンと共重合可能な不飽和環状化合物とをメタ
セシス重合して得られる重合体を水素添加して得られる
水添重合体を挙げることができる。
有機基を示す。） 本発明において使用することのできるノルボルナン骨格
を有する熱可塑性樹脂としては、例えば特開昭６０−１
６８７０８号公報、特開昭６２−２５２４０６号公報、
特開昭６２−２５２４０７号公報、特開平２−１３３４
１３号公報、特開昭６３−１４５３２４号公報、特開昭
６３−２６４６２６号公報、特開平１−２４０５１７号
公報、特公昭５７−８８１５号公報などに記載されてい
る樹脂などを挙げることができる。この熱可塑性樹脂の
具体例としては、下記一般式（Ｖ）で表される少なくと
も１種のテトラシクロドデセン誘導体または該テトラシ
クロドデセンと共重合可能な不飽和環状化合物とをメタ
セシス重合して得られる重合体を水素添加して得られる
水添重合体を挙げることができる。
【００１０】
【化５】 （式中Ａ〜Ｄは、前記に同じ。） 前記一般式（Ｖ）で表されるテトラシクロドデセン誘導
体において、Ａ、Ｂ、ＣおよびＤのうちに極性基を含む
ことが、耐熱性や機能性皮膜との密着性の点から好まし
い。さらに、この極性基が−（ＣＨ2 ）n ＣＯＯＲ
3 （ここで、Ｒ3は炭素数１〜２０の炭化水素基、ｎは
０〜１０の整数を示す）で表される基であることが、得
られる水添重合体が高いガラス転移温度を有するものと
なるので好ましい 特に、この−（ＣＨ2 ）n ＣＯＯＲ
3 で表される基は、一般式（Ｖ）のテトラシクロドデセ
ン誘導体の１分子あたりに１個含有されることが好まし
い。前記一般式において、Ｒ1 は炭素数１〜２０の炭化
水素基であるが、炭素数が多くなるほど得られる水添重
合体の吸湿性が小さくなる点では好ましいが、得られる
水添重合体のガラス転移温度とのバランスの点から、炭
素数１〜４の鎖状アルキル基または炭素数５以上の
（多）環状アルキル基であることが好ましく、特にメチ
ル基、エチル基、シクロヘキシル基であることが好まし
い 。さらに、−（ＣＨ2 ）n ＣＯＯＲ3 で表される基
が結合した炭素原子に、同時に炭素数１〜１０の炭化水
素基が置換基として結合されている一般式（Ｖ）のテト
ラシクロドデセン誘導体は、吸湿性を低下させるので好
ましい。特に、この置換基がメチル基またはエチル基で
ある一般式（Ｖ）のテトラシクロドデセン誘導体は、そ
の合成が容易な点で好ましい。具体的には、８−メチル
−８−メトキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．
１2,5 １7,10］ドデカ−８−エンが好ましい。
体において、Ａ、Ｂ、ＣおよびＤのうちに極性基を含む
ことが、耐熱性や機能性皮膜との密着性の点から好まし
い。さらに、この極性基が−（ＣＨ2 ）n ＣＯＯＲ
3 （ここで、Ｒ3は炭素数１〜２０の炭化水素基、ｎは
０〜１０の整数を示す）で表される基であることが、得
られる水添重合体が高いガラス転移温度を有するものと
なるので好ましい 特に、この−（ＣＨ2 ）n ＣＯＯＲ
3 で表される基は、一般式（Ｖ）のテトラシクロドデセ
ン誘導体の１分子あたりに１個含有されることが好まし
い。前記一般式において、Ｒ1 は炭素数１〜２０の炭化
水素基であるが、炭素数が多くなるほど得られる水添重
合体の吸湿性が小さくなる点では好ましいが、得られる
水添重合体のガラス転移温度とのバランスの点から、炭
素数１〜４の鎖状アルキル基または炭素数５以上の
（多）環状アルキル基であることが好ましく、特にメチ
ル基、エチル基、シクロヘキシル基であることが好まし
い 。さらに、−（ＣＨ2 ）n ＣＯＯＲ3 で表される基
が結合した炭素原子に、同時に炭素数１〜１０の炭化水
素基が置換基として結合されている一般式（Ｖ）のテト
ラシクロドデセン誘導体は、吸湿性を低下させるので好
ましい。特に、この置換基がメチル基またはエチル基で
ある一般式（Ｖ）のテトラシクロドデセン誘導体は、そ
の合成が容易な点で好ましい。具体的には、８−メチル
−８−メトキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．
１2,5 １7,10］ドデカ−８−エンが好ましい。
【００１１】これらのテトラシクロドデセン誘導体、あ
るいはこれと共重合可能な不飽和環状化合物の混合物
は、例えば特開平４−７７５２０号公報第４頁右上欄第
１２行〜第６頁右下欄第６行に記載された方法によっ
て、メタセシス重合、水素添加され、本発明に使用され
る熱可塑性樹脂とすることができる。また、前記水添重
合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は１００℃〜２５０℃の
範囲であることが好ましく、特に１２０〜２００℃の範
囲であることが好ましい。１００℃未満では該樹脂組成
物からなる成形品の耐熱性が劣る。また、Ｔｇが２５０
℃を超えるものは、成形温度が高くなり樹脂が焼けて着
色するなど良質な成形品を得ることが難しくなる。ま
た、水添重合体の水素添加率は、６０ＭＨｚ、 1Ｈ−Ｎ
ＭＲで測定した値が５０％以上、好ましくは９０％以
上、さらに好ましくは９８％以上である。水素添加率が
高いほど、熱や光に対する安定性が優れる。
るいはこれと共重合可能な不飽和環状化合物の混合物
は、例えば特開平４−７７５２０号公報第４頁右上欄第
１２行〜第６頁右下欄第６行に記載された方法によっ
て、メタセシス重合、水素添加され、本発明に使用され
る熱可塑性樹脂とすることができる。また、前記水添重
合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は１００℃〜２５０℃の
範囲であることが好ましく、特に１２０〜２００℃の範
囲であることが好ましい。１００℃未満では該樹脂組成
物からなる成形品の耐熱性が劣る。また、Ｔｇが２５０
℃を超えるものは、成形温度が高くなり樹脂が焼けて着
色するなど良質な成形品を得ることが難しくなる。ま
た、水添重合体の水素添加率は、６０ＭＨｚ、 1Ｈ−Ｎ
ＭＲで測定した値が５０％以上、好ましくは９０％以
上、さらに好ましくは９８％以上である。水素添加率が
高いほど、熱や光に対する安定性が優れる。
【００１２】なお、本発明において、ノルボルナン骨格
を有する熱可塑性樹脂として使用される水添重合体は、
該水添重合体中に含まれるゲル含有量が５重量％以下で
あることが好ましく、さらに１重量％であることが好ま
しい。本発明において、透明基板の材料として用いる熱
可塑性ノルボルネン系樹脂には、必要に応じ、本発明の
効果を損ねない範囲で公知の酸化防止剤、例えば２，６
−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，２’−
ジオキシ−３，３’−ジ−ｔ−ブチル−５，５’−ジメ
チルフェニルメタン、テトラキス［メチレン−３−
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロピオネート］メタン、１，１，３−トリス（２−メ
チル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタ
ン、１，３，５ートリメチル−２，４，６−トリス
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル−
ベンゼン、ステアリル−β−（３，５−ジ−ｔ−ブチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、２，２’
−ジオキシ−３，３’−ジ−ｔ−ブチル−５，５’−ジ
エチルフェニルメタン、３，９−ビス［１，１−ジメチ
ル−２−［β−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５
−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］エチル］、
２，４，８，１０−テトラオキスピロ［５，５］ウンデ
カン、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホス
ファイト、サイクリックネオペンタンテトライルビス
（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、サ
イクリックネオペンタンテトライルビス（２，６−ジ−
ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ホスファイト、２，
２−メチレンビス（４，６−ジ−ｔ−ブチルフェニル）
オクチルホスファイトを添加することができる。
を有する熱可塑性樹脂として使用される水添重合体は、
該水添重合体中に含まれるゲル含有量が５重量％以下で
あることが好ましく、さらに１重量％であることが好ま
しい。本発明において、透明基板の材料として用いる熱
可塑性ノルボルネン系樹脂には、必要に応じ、本発明の
効果を損ねない範囲で公知の酸化防止剤、例えば２，６
−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，２’−
ジオキシ−３，３’−ジ−ｔ−ブチル−５，５’−ジメ
チルフェニルメタン、テトラキス［メチレン−３−
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロピオネート］メタン、１，１，３−トリス（２−メ
チル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタ
ン、１，３，５ートリメチル−２，４，６−トリス
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル−
ベンゼン、ステアリル−β−（３，５−ジ−ｔ−ブチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、２，２’
−ジオキシ−３，３’−ジ−ｔ−ブチル−５，５’−ジ
エチルフェニルメタン、３，９−ビス［１，１−ジメチ
ル−２−［β−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５
−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］エチル］、
２，４，８，１０−テトラオキスピロ［５，５］ウンデ
カン、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホス
ファイト、サイクリックネオペンタンテトライルビス
（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、サ
イクリックネオペンタンテトライルビス（２，６−ジ−
ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ホスファイト、２，
２−メチレンビス（４，６−ジ−ｔ−ブチルフェニル）
オクチルホスファイトを添加することができる。
【００１３】また、上記の熱可塑性ノルボルネン系樹脂
には、上記のような酸化防止剤の他に、必要に応じて紫
外線吸収剤、例えばｐ−ｔ−ブチルフェニルサリシレ−
ト、２，２’−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェ
ノン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒド
ロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−（２’−ジ
ヒドロキシ−４’−ｍ−オクトキシフェニル）ベンゾト
リアゾール；安定剤、帯電防止剤、難燃剤、耐衝撃性改
良用エラストマーなどを添加することができる。また、
加工性を向上させる目的で滑剤などの添加剤を添加する
こともできる。 本発明において、上記熱可塑性ノル
ボルネン系樹脂は公知のシートまたはフィルムの成形方
法、例えば押出成形、溶液流延法などの方法により本発
明の光ディスクの透明基板とすることができる。この場
合、該透明基板の厚さは３０〜３００μｍ、好ましくは
７０〜２００μｍである。
には、上記のような酸化防止剤の他に、必要に応じて紫
外線吸収剤、例えばｐ−ｔ−ブチルフェニルサリシレ−
ト、２，２’−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェ
ノン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒド
ロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−（２’−ジ
ヒドロキシ−４’−ｍ−オクトキシフェニル）ベンゾト
リアゾール；安定剤、帯電防止剤、難燃剤、耐衝撃性改
良用エラストマーなどを添加することができる。また、
加工性を向上させる目的で滑剤などの添加剤を添加する
こともできる。 本発明において、上記熱可塑性ノル
ボルネン系樹脂は公知のシートまたはフィルムの成形方
法、例えば押出成形、溶液流延法などの方法により本発
明の光ディスクの透明基板とすることができる。この場
合、該透明基板の厚さは３０〜３００μｍ、好ましくは
７０〜２００μｍである。
【００１４】該透明基板を用いて光ディスクを製造する
には、まず、透明基板に凹凸ピットを形成する。凹凸ピ
ットは透明基板上に紫外線硬化性樹脂あるいは熱硬化性
樹脂などを塗布し、次いで所定の情報が記憶された凹凸
ピットを有するスタンパーを圧着させた後紫外線または
熱によって樹脂を硬化させる方法、または透明基板上に
直接スタンパーを熱プレスすることにより凹凸ピットを
基板上に形成させる方法を挙げることができる。紫外線
硬化性樹脂としては、公知のアクリル系樹脂などが、熱
硬化性樹脂としてはフェノール樹脂、エポキシ樹脂など
が挙げられる。次に凹凸ピットの上に反射膜、記録膜、
誘電体膜などの機能性被膜を形成する。機能性皮膜は無
機化合物でも有機化合物でもよい。機能性皮膜として使
用できる無機化合物としては反射膜ではＮｉ、Ａｌ、Ａ
ｕ、Ｐｔなどの反射率の高い金属、記録膜ではＴｂ−Ｆ
ｅ系合金、Ｄｙ−Ｆｅ系合金、Ｃｄ−Ｔｂ系合金、Ｃｄ
−Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ系合金、Ｃｄ−Ｃｏ系合金、Ｔｂ−
Ｆｅ−Ｃｏ系合金などの希土類−遷移金属アモルファス
合金の他に、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｉｎ−Ｓｂ
系などの相変化型記録材料やＴｅ−ＣＳ2、Ｐｂ−Ｔｅ
−Ｓｅ、Ｔｅ−Ｃ、ＴｅＯ2、Ｓｂ−Ｓｅ、Ｂｉ−Ｔｅ
など追記型記録材料など、誘電体膜ではＣｄＳ、Ｚｎ
Ｓ、ＺｎＳｅ、ＳｉＯ2、Ｓｉ、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、Ｔ
ｉＯ2、ＴａＯ2、ＭｇＦ2などの化合物を挙げること子
ができる。有機化合物としては記録膜ではメチン・ポリ
メチン系、キノン類、ナフトキノン類、アントラキノン
類、フタロシアニン系、ジチオール系、テトラヒドコリ
ン類、ジオキサン類、ジチアジン類、チアビリリウム
類、ポリフィリン類などは挙げられる。機能性皮膜の形
成は蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、ディッピング法、スピンコーティング法など公知の
方法が用いられる。機能性皮膜の膜厚は通常１００〜５
０００オングストロームである。本発明においては、機
能性皮膜の上には保護膜が形成される。保護膜を形成す
る材料としてはアクリル系など公知の紫外線硬化性樹脂
が挙げられる。上記のように透明基板上に凹凸ピット、
機能性皮膜、保護膜を形成後、ディスク形状に打ち抜く
ことにより光ディスクを製造することができる。
には、まず、透明基板に凹凸ピットを形成する。凹凸ピ
ットは透明基板上に紫外線硬化性樹脂あるいは熱硬化性
樹脂などを塗布し、次いで所定の情報が記憶された凹凸
ピットを有するスタンパーを圧着させた後紫外線または
熱によって樹脂を硬化させる方法、または透明基板上に
直接スタンパーを熱プレスすることにより凹凸ピットを
基板上に形成させる方法を挙げることができる。紫外線
硬化性樹脂としては、公知のアクリル系樹脂などが、熱
硬化性樹脂としてはフェノール樹脂、エポキシ樹脂など
が挙げられる。次に凹凸ピットの上に反射膜、記録膜、
誘電体膜などの機能性被膜を形成する。機能性皮膜は無
機化合物でも有機化合物でもよい。機能性皮膜として使
用できる無機化合物としては反射膜ではＮｉ、Ａｌ、Ａ
ｕ、Ｐｔなどの反射率の高い金属、記録膜ではＴｂ−Ｆ
ｅ系合金、Ｄｙ−Ｆｅ系合金、Ｃｄ−Ｔｂ系合金、Ｃｄ
−Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ系合金、Ｃｄ−Ｃｏ系合金、Ｔｂ−
Ｆｅ−Ｃｏ系合金などの希土類−遷移金属アモルファス
合金の他に、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｉｎ−Ｓｂ
系などの相変化型記録材料やＴｅ−ＣＳ2、Ｐｂ−Ｔｅ
−Ｓｅ、Ｔｅ−Ｃ、ＴｅＯ2、Ｓｂ−Ｓｅ、Ｂｉ−Ｔｅ
など追記型記録材料など、誘電体膜ではＣｄＳ、Ｚｎ
Ｓ、ＺｎＳｅ、ＳｉＯ2、Ｓｉ、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、Ｔ
ｉＯ2、ＴａＯ2、ＭｇＦ2などの化合物を挙げること子
ができる。有機化合物としては記録膜ではメチン・ポリ
メチン系、キノン類、ナフトキノン類、アントラキノン
類、フタロシアニン系、ジチオール系、テトラヒドコリ
ン類、ジオキサン類、ジチアジン類、チアビリリウム
類、ポリフィリン類などは挙げられる。機能性皮膜の形
成は蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、ディッピング法、スピンコーティング法など公知の
方法が用いられる。機能性皮膜の膜厚は通常１００〜５
０００オングストロームである。本発明においては、機
能性皮膜の上には保護膜が形成される。保護膜を形成す
る材料としてはアクリル系など公知の紫外線硬化性樹脂
が挙げられる。上記のように透明基板上に凹凸ピット、
機能性皮膜、保護膜を形成後、ディスク形状に打ち抜く
ことにより光ディスクを製造することができる。
【００１５】また、適当なシートからなる支持体上に上
記と同様の方法で凹凸ピットおよび能性被膜を形成し、
ついで紫外線硬化性樹脂など無色透明な樹脂からなる透
明接着層を機能性被膜上に塗布した後、上記のノルボル
ネン系樹脂からなる透明基板を圧着したものをディスク
形状に打ち抜き、必要に応じて該支持体を剥離する方法
によっても光ディスクとすることができる。ここで支持
体としては光線透過率２０％以上のシートであれば特に
限定されるものではないが、紫外線照射により樹脂を硬
化する際に照射量を少なく抑えることができる点で、高
い光線透過率を有するものを用いることが好ましい。本
発明の光ディスクはコンパクトディスク（ＣＤ）、レー
ザーディスク（ＬＤ）、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｉ、ＣＤ
−Ｒ、ＭＤ、ＭＯ、ＤＲＡＷ、Ｅ−ＤＲＡＷなどの高密
度情報記録担体として好適に用いることができる。ま
た、本発明の光ディスクを貼り合わせることによりＤＶ
Ｄなど両面読み取りの光ディスクとすることも可能であ
る。
記と同様の方法で凹凸ピットおよび能性被膜を形成し、
ついで紫外線硬化性樹脂など無色透明な樹脂からなる透
明接着層を機能性被膜上に塗布した後、上記のノルボル
ネン系樹脂からなる透明基板を圧着したものをディスク
形状に打ち抜き、必要に応じて該支持体を剥離する方法
によっても光ディスクとすることができる。ここで支持
体としては光線透過率２０％以上のシートであれば特に
限定されるものではないが、紫外線照射により樹脂を硬
化する際に照射量を少なく抑えることができる点で、高
い光線透過率を有するものを用いることが好ましい。本
発明の光ディスクはコンパクトディスク（ＣＤ）、レー
ザーディスク（ＬＤ）、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｉ、ＣＤ
−Ｒ、ＭＤ、ＭＯ、ＤＲＡＷ、Ｅ−ＤＲＡＷなどの高密
度情報記録担体として好適に用いることができる。ま
た、本発明の光ディスクを貼り合わせることによりＤＶ
Ｄなど両面読み取りの光ディスクとすることも可能であ
る。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明がこれによって限定されるものではない。なお、
実施例中、部および％は、特に断らないかぎり重量基準
である。 参考例１ ８−メチル−８−メトキシカルボニルテトラシクロ
［４．４．０．１2,5 ．１7,10］ドデカ−３−エン１０
０ｇ、１，２−ジメトキシエタン６０ｇ、シクロヘキサ
ン２４０ｇ、１−ヘキセン９ｇ、およびジエチルアルミ
ニウムクロライド０．９６モル／ｌのトルエン溶液３．
４ｍｌを、内容積１リットルのオートクレーブに加え
た。一方、別のフラスコに、六塩化タングステンの０．
０５モル／ｌの１，２−ジメトキシエタン溶液２０ｍｌ
とパラアルデヒドの０．１モル／ｌの１，２−ジメトキ
シエタン溶液１０ｍｌを混合した。この混合溶液４．９
ｍｌを、前記オートクレーブ中の混合物に添加した。密
栓後、混合物を８０℃に加熱して４時間攪拌を行った。
得られた重合体溶液に、１，２−ジメトキシエタンとシ
クロヘキサンの２／８（重量比）の混合溶媒を加えて重
合体／溶媒が１／１０（重量比）にしたのち、トリエタ
ノールアミン２０ｇを加えて１０分間攪拌した。この重
合溶液に、メタノール５００ｇを加えて３０分間攪拌し
て静置した。２層に分離した上層を除き、再びメタノー
ルを加えて攪拌、静置後、上層を除いた。同様の操作を
さらに２回行い、得られた下層をシクロヘキサン、１，
２−ジメトキシエタンで適宜希釈し、重合体濃度が１０
％のシクロヘキサン−１，２−ジメトキシエタン溶液を
得た。この溶液に２０ｇのパラジウム／シリカマグネシ
ア［日揮化学（株）製、パラジウム量＝５％］を加え
て、オートクレーブ中で水素圧４０ｋｇ／ｃｍ2 として
１６５℃で４時間反応させたのち、水添触媒をろ過によ
って取り除き、水添重合体溶液を得た。また、この水添
重合体溶液に、酸化防止剤であるペンタエリスリチル−
テトラキス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシフェニル）プロピオネート］を、水添重合体に対
して０．１％加えてから、３６０℃で減圧下に脱溶媒を
行なった。次いで溶融した樹脂を窒素下雰囲気で押出機
によりペレット化し、重量平均分子量７．０×１０4 、
水添率９９．５％、ガラス転移温度１６８℃の熱可塑性
樹脂Ａを得た。 参考例２ ６−エチリデン−２−テトラシクロドデセンを、（ａ）
−１の時と同様にメタセシス開環重合した後、水添し、
ペレット化して重量平均分子量５．５×１０4、水添率
９９．５％、ガラス転移温度１４０℃の熱可塑性樹脂Ｂ
を得た。
本発明がこれによって限定されるものではない。なお、
実施例中、部および％は、特に断らないかぎり重量基準
である。 参考例１ ８−メチル−８−メトキシカルボニルテトラシクロ
［４．４．０．１2,5 ．１7,10］ドデカ−３−エン１０
０ｇ、１，２−ジメトキシエタン６０ｇ、シクロヘキサ
ン２４０ｇ、１−ヘキセン９ｇ、およびジエチルアルミ
ニウムクロライド０．９６モル／ｌのトルエン溶液３．
４ｍｌを、内容積１リットルのオートクレーブに加え
た。一方、別のフラスコに、六塩化タングステンの０．
０５モル／ｌの１，２−ジメトキシエタン溶液２０ｍｌ
とパラアルデヒドの０．１モル／ｌの１，２−ジメトキ
シエタン溶液１０ｍｌを混合した。この混合溶液４．９
ｍｌを、前記オートクレーブ中の混合物に添加した。密
栓後、混合物を８０℃に加熱して４時間攪拌を行った。
得られた重合体溶液に、１，２−ジメトキシエタンとシ
クロヘキサンの２／８（重量比）の混合溶媒を加えて重
合体／溶媒が１／１０（重量比）にしたのち、トリエタ
ノールアミン２０ｇを加えて１０分間攪拌した。この重
合溶液に、メタノール５００ｇを加えて３０分間攪拌し
て静置した。２層に分離した上層を除き、再びメタノー
ルを加えて攪拌、静置後、上層を除いた。同様の操作を
さらに２回行い、得られた下層をシクロヘキサン、１，
２−ジメトキシエタンで適宜希釈し、重合体濃度が１０
％のシクロヘキサン−１，２−ジメトキシエタン溶液を
得た。この溶液に２０ｇのパラジウム／シリカマグネシ
ア［日揮化学（株）製、パラジウム量＝５％］を加え
て、オートクレーブ中で水素圧４０ｋｇ／ｃｍ2 として
１６５℃で４時間反応させたのち、水添触媒をろ過によ
って取り除き、水添重合体溶液を得た。また、この水添
重合体溶液に、酸化防止剤であるペンタエリスリチル−
テトラキス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシフェニル）プロピオネート］を、水添重合体に対
して０．１％加えてから、３６０℃で減圧下に脱溶媒を
行なった。次いで溶融した樹脂を窒素下雰囲気で押出機
によりペレット化し、重量平均分子量７．０×１０4 、
水添率９９．５％、ガラス転移温度１６８℃の熱可塑性
樹脂Ａを得た。 参考例２ ６−エチリデン−２−テトラシクロドデセンを、（ａ）
−１の時と同様にメタセシス開環重合した後、水添し、
ペレット化して重量平均分子量５．５×１０4、水添率
９９．５％、ガラス転移温度１４０℃の熱可塑性樹脂Ｂ
を得た。
【００１７】実施例１ 参考例１で得られた熱可塑性樹脂Ａを２８０℃で押出成
形して厚さ０．１ｍｍのフィルムを得た。このフィルム
の複屈折をエリプソメーターにて測定した。このフィル
ムの上に、以下に示した組成の紫外線硬化型樹脂組成物
（以下「紫外線硬化型組成物ａ」という）を約３０μｍ
の厚みで塗布し、ついでスタンパーをローラーによって
圧着して、フィルム側より１Ｊ／ｃｍ2の紫外線を０．
５秒間照射して紫外線硬化型組成物ａの硬化を行った。 ＜紫外線硬化型樹脂組成物ａ＞ エポキシアクリレート ６０ｇ （共栄社油脂化学工業製 エポキシエステル３００２Ａ） トリメチロールプロパントリアクリレート ２５ｇ （東亜合成化学工業製 アロニックスＭ−３０９） アクリル酸 １５ｇ （大阪有機化学工業製） 光開始剤 ４ｇ （チバガイギー製 イルガキュアー１８４） 硬化終了後、スタンパーを剥離して得られた凹凸ピット
面上に中外炉工業（株）製、インラインスパッタリング
装置を用いて、真空度８×１０-3Ｔｏｒｒ、スパッタリ
ング開始時の基板温度７０℃の条件下で、アルミニウム
を６００オングストロームの厚みに成膜させた。ついで
アルミニウム面上に紫外線硬化型樹脂組成物ａを塗布、
紫外線照射によって硬化させることによって１０μｍ厚
の保護膜を形成した後、ディスク型状に打ち抜き光ディ
スクを得た。この光ディスクについて、ＣＤエラー測定
器によりピットエラーレートを測定し、以下の評価基準
に従って評価を行った。評価結果を表１に示す。 ○；ピットエラーレート ０以上２０未満 △；ピットエラーレート ２０以上１００未満 ×；ピットエラーレート １００以上
形して厚さ０．１ｍｍのフィルムを得た。このフィルム
の複屈折をエリプソメーターにて測定した。このフィル
ムの上に、以下に示した組成の紫外線硬化型樹脂組成物
（以下「紫外線硬化型組成物ａ」という）を約３０μｍ
の厚みで塗布し、ついでスタンパーをローラーによって
圧着して、フィルム側より１Ｊ／ｃｍ2の紫外線を０．
５秒間照射して紫外線硬化型組成物ａの硬化を行った。 ＜紫外線硬化型樹脂組成物ａ＞ エポキシアクリレート ６０ｇ （共栄社油脂化学工業製 エポキシエステル３００２Ａ） トリメチロールプロパントリアクリレート ２５ｇ （東亜合成化学工業製 アロニックスＭ−３０９） アクリル酸 １５ｇ （大阪有機化学工業製） 光開始剤 ４ｇ （チバガイギー製 イルガキュアー１８４） 硬化終了後、スタンパーを剥離して得られた凹凸ピット
面上に中外炉工業（株）製、インラインスパッタリング
装置を用いて、真空度８×１０-3Ｔｏｒｒ、スパッタリ
ング開始時の基板温度７０℃の条件下で、アルミニウム
を６００オングストロームの厚みに成膜させた。ついで
アルミニウム面上に紫外線硬化型樹脂組成物ａを塗布、
紫外線照射によって硬化させることによって１０μｍ厚
の保護膜を形成した後、ディスク型状に打ち抜き光ディ
スクを得た。この光ディスクについて、ＣＤエラー測定
器によりピットエラーレートを測定し、以下の評価基準
に従って評価を行った。評価結果を表１に示す。 ○；ピットエラーレート ０以上２０未満 △；ピットエラーレート ２０以上１００未満 ×；ピットエラーレート １００以上
【００１８】実施例２ 熱可塑性樹脂Ａのかわりに参考例２で得られた熱可塑性
樹脂Ｂを用いたほかは、実施例１と同様にフィルム成形
て複屈折を測定し、ついで該フィルム上に凹凸ピット
層、アルミニウム膜、保護膜を順次形成してディスク形
状に打ち抜き光ディスクを得た。得られた光ディスクに
ついて実施例１と同様にピットエラーレートを測定し評
価を行った。評価結果を表１に示す。 比較例１ 熱可塑性樹脂Ａのかわりにポリカーボネートフィルム
（帝人（株）製厚さ０．１ｍｍ）を用いて実施例１と同
様の方法で光ディスクを作成して評価を行った。評価結
果を表１に示す。 比較例２ 熱可塑性樹脂Ａのかわりにポリエチレンテレフタレート
フィルム（東レ（株）製、厚さ０．１ｍｍ）を用いて実
施例１と同様の方法で光ディスクを作成して評価を行っ
た。評価結果を表１に示す。
樹脂Ｂを用いたほかは、実施例１と同様にフィルム成形
て複屈折を測定し、ついで該フィルム上に凹凸ピット
層、アルミニウム膜、保護膜を順次形成してディスク形
状に打ち抜き光ディスクを得た。得られた光ディスクに
ついて実施例１と同様にピットエラーレートを測定し評
価を行った。評価結果を表１に示す。 比較例１ 熱可塑性樹脂Ａのかわりにポリカーボネートフィルム
（帝人（株）製厚さ０．１ｍｍ）を用いて実施例１と同
様の方法で光ディスクを作成して評価を行った。評価結
果を表１に示す。 比較例２ 熱可塑性樹脂Ａのかわりにポリエチレンテレフタレート
フィルム（東レ（株）製、厚さ０．１ｍｍ）を用いて実
施例１と同様の方法で光ディスクを作成して評価を行っ
た。評価結果を表１に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】
【発明の効果】本発明の光ディスクは、透明基板として
耐熱性、成形性、光学特性、寸法安定性、膜密着性に優
れたフィルムを用いるため、光ディスクの高密度化に十
分対応できるものであり、高温・高湿下での耐久性にも
優れている。
耐熱性、成形性、光学特性、寸法安定性、膜密着性に優
れたフィルムを用いるため、光ディスクの高密度化に十
分対応できるものであり、高温・高湿下での耐久性にも
優れている。
Claims (3)
- 【請求項１】 熱可塑性ノルボルネン系樹脂からなる厚
さ３０〜３００μｍの透明基板上に、凹凸ピット、機能
性被膜および保護膜が積層されてなることを特徴とする
光ディスク。 - 【請求項２】 熱可塑性ノルボルネン系樹脂からなる透
明基板上に、紫外線硬化性樹脂を塗布し凹凸ピットを有
するスタンパーを圧着させた後紫外線によって樹脂を硬
化させるか、または熱可塑性ノルボルネン系樹脂からな
る透明基板上に直接スタンパーを熱プレスすることによ
り凹凸ピットを基板上に形成した後、機能性被膜を形成
し、ついで保護膜を形成することを特徴とする光ディス
クの製造方法。 - 【請求項３】 支持体上に紫外線硬化性樹脂を塗布し、
凹凸ピットを有するスタンパーを圧着させた後紫外線に
よって樹脂を硬化させるか、または透明基板上に直接ス
タンパーを熱プレスすることにより凹凸ピットを形成
後、機能性被膜を形成し、ついで透明接着層を機能性被
膜上に塗布した後、熱可塑性ノルボルネン系樹脂からな
る透明基板を接着する光ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8027334A JPH09198710A (ja) | 1996-01-22 | 1996-01-22 | 光ディスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8027334A JPH09198710A (ja) | 1996-01-22 | 1996-01-22 | 光ディスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09198710A true JPH09198710A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=12218176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8027334A Pending JPH09198710A (ja) | 1996-01-22 | 1996-01-22 | 光ディスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09198710A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220017798A (ko) * | 2020-08-05 | 2022-02-14 | 주식회사 모토모 | 충전포트를 이용한 모바일기기 컨트롤 장치 및 그 연결 방법 |
-
1996
- 1996-01-22 JP JP8027334A patent/JPH09198710A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220017798A (ko) * | 2020-08-05 | 2022-02-14 | 주식회사 모토모 | 충전포트를 이용한 모바일기기 컨트롤 장치 및 그 연결 방법 |
| WO2022050481A1 (ko) * | 2020-08-05 | 2022-03-10 | 주식회사 모토모 | 충전포트를 이용한 모바일기기 컨트롤 장치 및 그 연결 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031118 |