JPH09199626A - 半導体デバイス及びその製造方法 - Google Patents
半導体デバイス及びその製造方法Info
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- JPH09199626A JPH09199626A JP8355986A JP35598696A JPH09199626A JP H09199626 A JPH09199626 A JP H09199626A JP 8355986 A JP8355986 A JP 8355986A JP 35598696 A JP35598696 A JP 35598696A JP H09199626 A JPH09199626 A JP H09199626A
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- semiconductor
- semiconductor chip
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- Led Device Packages (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 デバイス容器１５の支持部８に固定された少
なくとも１つの半導体チップ２を備え、このチップが端
子接点１６を備えた少なくとも２つの電極端子部１７と
電気的に接続され、デバイス容器１５は上部と少なくと
も１つの側面部とを備え、これらの部分で半導体チップ
２を少なくともその範囲で包囲している半導体デバイス
において、その外形寸法が従来公知の容器形態に較べて
明らかに小さく、大量個数でも安価に製造可能で、電子
的及び機械的特性について所定の要件を満たし、しかも
半導体デバイスの保管及び取扱が簡単なものを提供す
る。 【解決手段】 半導体チップ２が固定される支持部８が
同時にデバイス容器１５の上部を形成し、端子接点１６
を備えた少なくとも２つの電極端子部１７が少なくとも
その範囲でデバイス容器１５の側面部として形成され
る。
なくとも１つの半導体チップ２を備え、このチップが端
子接点１６を備えた少なくとも２つの電極端子部１７と
電気的に接続され、デバイス容器１５は上部と少なくと
も１つの側面部とを備え、これらの部分で半導体チップ
２を少なくともその範囲で包囲している半導体デバイス
において、その外形寸法が従来公知の容器形態に較べて
明らかに小さく、大量個数でも安価に製造可能で、電子
的及び機械的特性について所定の要件を満たし、しかも
半導体デバイスの保管及び取扱が簡単なものを提供す
る。 【解決手段】 半導体チップ２が固定される支持部８が
同時にデバイス容器１５の上部を形成し、端子接点１６
を備えた少なくとも２つの電極端子部１７が少なくとも
その範囲でデバイス容器１５の側面部として形成され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体デバイス
の容器の支持部に固定された少なくとも１つの半導体チ
ップを備え、このチップが端子接点を備えた少なくとも
２つの電極端子部に接続されており、半導体デバイスの
容器は容器上面部と少なくとも１つの容器側面部とを備
え、これらの部分が半導体チップを少なくともその範囲
で包囲している半導体デバイス及びその製造方法に関す
る。
の容器の支持部に固定された少なくとも１つの半導体チ
ップを備え、このチップが端子接点を備えた少なくとも
２つの電極端子部に接続されており、半導体デバイスの
容器は容器上面部と少なくとも１つの容器側面部とを備
え、これらの部分が半導体チップを少なくともその範囲
で包囲している半導体デバイス及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路は、今日、種々の容器の
形態で、例えば両側に電極端子列を備えた樹脂封止パッ
ケージ、いわゆるデュアル・イン・ライン・パッケージ
或いは表面に実装されるいわゆるＳＭＤ技術のプラスチ
ックパッケージとして作られている。特に例えば赤外線
発光ダイオード等のような光電デバイスにおいては、光
電回路を支持する半導体チップをハーメチックシールし
たＴＯ金属容器に封止することは公知である。この場合
チップ支持体としては金属から作られた底板が使用さ
れ、フィルタを備えた金属キャップと共に取付けられ
る。さらに、底板とキャップとからなる容器を１つの製
造工程で成型し、従って一体に作り、光学的品質につい
て比較的厳しくない要件を持つ大量生産される樹脂封止
形発光ダイオードが知られている。発光ダイオードを点
光源として、特にシンボルや標示のバック照明に使用す
る場合、小形の容器が益々必要とされる。現在慣用され
ている押出し加工された金属板からなる容器或いは樹脂
モールド容器には小形化に際して機械的及び熱的安定要
件の理由から限界がある。
形態で、例えば両側に電極端子列を備えた樹脂封止パッ
ケージ、いわゆるデュアル・イン・ライン・パッケージ
或いは表面に実装されるいわゆるＳＭＤ技術のプラスチ
ックパッケージとして作られている。特に例えば赤外線
発光ダイオード等のような光電デバイスにおいては、光
電回路を支持する半導体チップをハーメチックシールし
たＴＯ金属容器に封止することは公知である。この場合
チップ支持体としては金属から作られた底板が使用さ
れ、フィルタを備えた金属キャップと共に取付けられ
る。さらに、底板とキャップとからなる容器を１つの製
造工程で成型し、従って一体に作り、光学的品質につい
て比較的厳しくない要件を持つ大量生産される樹脂封止
形発光ダイオードが知られている。発光ダイオードを点
光源として、特にシンボルや標示のバック照明に使用す
る場合、小形の容器が益々必要とされる。現在慣用され
ている押出し加工された金属板からなる容器或いは樹脂
モールド容器には小形化に際して機械的及び熱的安定要
件の理由から限界がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この発明の課題は、半
導体チップを支持もしくは保護する容器を備えた半導体
デバイスであって、その外形寸法が従来公知の容器形態
に較べて明らかに小さく、大量個数でも安価に製造可能
で、電子的及び機械的特性について所定の要件を満た
し、しかも半導体デバイスの保管及び取扱が簡単なもの
を提供することにある。
導体チップを支持もしくは保護する容器を備えた半導体
デバイスであって、その外形寸法が従来公知の容器形態
に較べて明らかに小さく、大量個数でも安価に製造可能
で、電子的及び機械的特性について所定の要件を満た
し、しかも半導体デバイスの保管及び取扱が簡単なもの
を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この課題はこの発明によ
れば、特許請求の範囲の請求項１による半導体デバイス
及び請求項１１による半導体デバイスの製造方法により
解決される。
れば、特許請求の範囲の請求項１による半導体デバイス
及び請求項１１による半導体デバイスの製造方法により
解決される。
【０００５】この発明によれば、半導体チップが固定さ
れる支持部がデバイスの容器上部であり、接続端子を備
えた少なくとも２つの電極端子部が同時に少なくともそ
の範囲でデバイスの容器側面部として形成される。デバ
イスをプリント板等に電気的に接触するために設けられ
る半導体デバイスの電極端子部が同時にデバイス容器の
構成部分として形成されることにより、今日知られてい
る容器形態に較べて半導体デバイス容器の著しい小形化
に成功している。特にこの発明による半導体デバイスは
精密機械工学から公知の方法により或いは半導体チップ
の製造から公知の方法により作られるので、デバイス容
器は半導体チップ自体の寸法と同じ大きさにある外形寸
法を持っている。この発明による解決手段によりデバイ
ス容器の小形化が可能となり、同時に半導体デバイスの
使用及び取扱のために必要な機械的及び熱的な安定性が
保証される。
れる支持部がデバイスの容器上部であり、接続端子を備
えた少なくとも２つの電極端子部が同時に少なくともそ
の範囲でデバイスの容器側面部として形成される。デバ
イスをプリント板等に電気的に接触するために設けられ
る半導体デバイスの電極端子部が同時にデバイス容器の
構成部分として形成されることにより、今日知られてい
る容器形態に較べて半導体デバイス容器の著しい小形化
に成功している。特にこの発明による半導体デバイスは
精密機械工学から公知の方法により或いは半導体チップ
の製造から公知の方法により作られるので、デバイス容
器は半導体チップ自体の寸法と同じ大きさにある外形寸
法を持っている。この発明による解決手段によりデバイ
ス容器の小形化が可能となり、同時に半導体デバイスの
使用及び取扱のために必要な機械的及び熱的な安定性が
保証される。
【０００６】この発明の原理に従えば、デバイスの少な
くとも２つの容器側面部が半導体チップの構造高さを少
なくとも僅かに越える高さを持つ精密機械工学上の支持
ステーとして形成され、支持部の半導体チップ側の表面
の縁部領域に固定されている。精密機械工学上の支持ス
テーとして形成されたデバイスの容器側面部の数及び配
置は半導体チップ上に形成される電子回路の種類及び使
用目的により、従って必要な端子接点の数によって決ま
る。この発明の好ましい適用例は光電半導体デバイスの
製造、特にただ２つの端子接点を備えた発光ダイオード
の製造であるが、特に、外部装置と電気的に接続されな
ければならない端子接点を多数備えた複雑な集積回路に
おいては、この接点の数に応じて電気的に互いに絶縁さ
れた支持ステーをデバイス容器の側面部を形成するため
に設けることができる。
くとも２つの容器側面部が半導体チップの構造高さを少
なくとも僅かに越える高さを持つ精密機械工学上の支持
ステーとして形成され、支持部の半導体チップ側の表面
の縁部領域に固定されている。精密機械工学上の支持ス
テーとして形成されたデバイスの容器側面部の数及び配
置は半導体チップ上に形成される電子回路の種類及び使
用目的により、従って必要な端子接点の数によって決ま
る。この発明の好ましい適用例は光電半導体デバイスの
製造、特にただ２つの端子接点を備えた発光ダイオード
の製造であるが、特に、外部装置と電気的に接続されな
ければならない端子接点を多数備えた複雑な集積回路に
おいては、この接点の数に応じて電気的に互いに絶縁さ
れた支持ステーをデバイス容器の側面部を形成するため
に設けることができる。
【０００７】この発明によるデバイスの特に好ましい構
成においては、少なくとも２つの容器側面部が導電材料
で作られ、デバイス容器の支持部と反対側の自由端に端
子接点を備えている。導電性の容器側面部間の電気的短
絡を回避するために、この容器側面部は互いにある間隔
をおいて配置され中間に生じた空気層が絶縁作用をする
ようにするか、容器側面部間に好適には薄い電気的絶縁
性の層、例えば樹脂材からなる層が設けられる。容器側
面部の自由端に配置された導電材料からなる端子接点は
この場合、特に電気メッキにより或いは容器側面部の自
由端をろう浴に浸漬することによって付けられるろうパ
ッドの形で存在する。このろうパッドにより半導体デバ
イスは直接対応して形成されたろう付け位置でプリント
板にろう付けされる。
成においては、少なくとも２つの容器側面部が導電材料
で作られ、デバイス容器の支持部と反対側の自由端に端
子接点を備えている。導電性の容器側面部間の電気的短
絡を回避するために、この容器側面部は互いにある間隔
をおいて配置され中間に生じた空気層が絶縁作用をする
ようにするか、容器側面部間に好適には薄い電気的絶縁
性の層、例えば樹脂材からなる層が設けられる。容器側
面部の自由端に配置された導電材料からなる端子接点は
この場合、特に電気メッキにより或いは容器側面部の自
由端をろう浴に浸漬することによって付けられるろうパ
ッドの形で存在する。このろうパッドにより半導体デバ
イスは直接対応して形成されたろう付け位置でプリント
板にろう付けされる。
【０００８】この発明のさらに異なる構成においては、
少なくとも２つの容器側面部が導電材料で作られた端子
接続部によりデバイス容器の支持部に固定された半導体
チップに電気的に接続される。好ましくは導電材料で作
られた端子接続部は、支持部の半導体チップ側の表面に
約１μｍまでの薄い厚さに形成された金属導電層を備え
る。この導電層は好ましくは半導体回路の製造から知ら
れているホトリソグラフィ法で作られている。このため
に支持部の半導体チップ側の表面は全面に被覆或いはマ
スク層が形成され、パターンニングされ、全面に金属層
が析出される。側面形状を一致してその上に析出された
金属部を備えた被覆或いはマスク層を除去すると、支持
部の表面には所望のパターンを備えた導電路が残る。こ
の導電路は特に帯状に、半導体チップの表面に対応して
付設される接点端子部（パッド）との電気的接続が簡単
に可能なように配置されもしくは形成される。さらに、
特に半導体チップの支持部の反対側の表面に他の接触部
（ボンディングパッド）が形成され、この接触部はボン
ディングワイヤにより端子接続部の接触部に電気的に接
続される。
少なくとも２つの容器側面部が導電材料で作られた端子
接続部によりデバイス容器の支持部に固定された半導体
チップに電気的に接続される。好ましくは導電材料で作
られた端子接続部は、支持部の半導体チップ側の表面に
約１μｍまでの薄い厚さに形成された金属導電層を備え
る。この導電層は好ましくは半導体回路の製造から知ら
れているホトリソグラフィ法で作られている。このため
に支持部の半導体チップ側の表面は全面に被覆或いはマ
スク層が形成され、パターンニングされ、全面に金属層
が析出される。側面形状を一致してその上に析出された
金属部を備えた被覆或いはマスク層を除去すると、支持
部の表面には所望のパターンを備えた導電路が残る。こ
の導電路は特に帯状に、半導体チップの表面に対応して
付設される接点端子部（パッド）との電気的接続が簡単
に可能なように配置されもしくは形成される。さらに、
特に半導体チップの支持部の反対側の表面に他の接触部
（ボンディングパッド）が形成され、この接触部はボン
ディングワイヤにより端子接続部の接触部に電気的に接
続される。
【０００９】特に光電半導体デバイスにおいては、支持
部の半導体チップ側の表面に配置された端子接続部の導
電路並びに半導体チップの表面に対応して付設される接
触端子部もまた、薄い特に平行に延びる帯として形成
し、しかも端子接続部の帯と半導体チップの接触端子部
の帯とが互いに直角方向に延びるように形成するのが効
果的である。このようにして端子接続部と半導体チップ
との調整公差を考慮した確実な電気的及び機械的な接触
が実現され、同時に半導体チップに入る或いはそこから
出て行く光の導電層での吸収に基づく損失が減少され
る。
部の半導体チップ側の表面に配置された端子接続部の導
電路並びに半導体チップの表面に対応して付設される接
触端子部もまた、薄い特に平行に延びる帯として形成
し、しかも端子接続部の帯と半導体チップの接触端子部
の帯とが互いに直角方向に延びるように形成するのが効
果的である。このようにして端子接続部と半導体チップ
との調整公差を考慮した確実な電気的及び機械的な接触
が実現され、同時に半導体チップに入る或いはそこから
出て行く光の導電層での吸収に基づく損失が減少され
る。
【００１０】なおまた、デバイス容器の少なくとも２つ
の側面部は、支持部の材料と少なくとも近似的に同一の
膨張係数を持つ材料で作るのが有利である。これにより
デバイスをプリント板等に接触させる際の或いは通常熱
の発生を伴うデバイスの使用に際しての機械的安定性に
関する問題の発生が回避される。
の側面部は、支持部の材料と少なくとも近似的に同一の
膨張係数を持つ材料で作るのが有利である。これにより
デバイスをプリント板等に接触させる際の或いは通常熱
の発生を伴うデバイスの使用に際しての機械的安定性に
関する問題の発生が回避される。
【００１１】支持部は好ましくは電極端子部との硬ろう
付けを可能にする材料からなる。支持部の材料としてガ
ラスを使用するのが特に有利である。しかしながら支持
部の材料としては樹脂材、特に温度に対して安定な樹脂
材も使用可能である。電極端子部の材料としては特に半
導体材料、即ちドーピングにより導電性を持つシリコン
が好ましい。しかし原理的には電極端子部の材料として
はまた、特に支持部の材料と同一或いは少なくとも近似
的に同一の膨張係数を持った導電材料が適している。
付けを可能にする材料からなる。支持部の材料としてガ
ラスを使用するのが特に有利である。しかしながら支持
部の材料としては樹脂材、特に温度に対して安定な樹脂
材も使用可能である。電極端子部の材料としては特に半
導体材料、即ちドーピングにより導電性を持つシリコン
が好ましい。しかし原理的には電極端子部の材料として
はまた、特に支持部の材料と同一或いは少なくとも近似
的に同一の膨張係数を持った導電材料が適している。
【００１２】支持部としてガラス或いは光学的に透過性
の或いは少なくとも透き通った樹脂材を使用するのは、
デバイス容器の支持部側の表面に固定された半導体チッ
プが光電回路を含む場合に有利である。この場合好まし
くは支持部は半導体チップ側と反対側の表面に光学系写
像機器、例えばバルク、フレネル或いは回折レンズを備
えることができる。支持部の表面に光学系写像機器を形
成するために数μｍの厚さを持つ樹脂層を形成し、これ
に刻印スタンプにより光線を写像するのに適した光学パ
ターンを刻印する。その他に写像装置は成形或いはモー
ルドによっても支持部の上面に形成することができる。
の或いは少なくとも透き通った樹脂材を使用するのは、
デバイス容器の支持部側の表面に固定された半導体チッ
プが光電回路を含む場合に有利である。この場合好まし
くは支持部は半導体チップ側と反対側の表面に光学系写
像機器、例えばバルク、フレネル或いは回折レンズを備
えることができる。支持部の表面に光学系写像機器を形
成するために数μｍの厚さを持つ樹脂層を形成し、これ
に刻印スタンプにより光線を写像するのに適した光学パ
ターンを刻印する。その他に写像装置は成形或いはモー
ルドによっても支持部の上面に形成することができる。
【００１３】デバイス容器の支持部は好ましくは電気的
絶縁材料からなる。特別の用途の場合には支持部の材料
は導電性にすることもできる。この場合電気的短絡を回
避するために端子接続部を付ける前に支持部の半導体チ
ップ側の表面に薄い絶縁層が設けられる。例えば代表的
にλ＞１１００ｎｍの波長を持つ赤外線回路を備えた光
電半導体チップを使用する場合、支持部は半導体材料、
特にシリコンからなり、この中に必要に応じて適当なレ
ンズ（屈折或いは回折）がエッチングで作られる。赤外
線回路の陽極と陰極との電気的分離はこの場合好ましく
は支持部のシリコン材料の上に酸化物絶縁膜を形成する
ことによって行う。このようなデバイスは特に光電式の
情報伝送系における送信デバイスとして使用される。
絶縁材料からなる。特別の用途の場合には支持部の材料
は導電性にすることもできる。この場合電気的短絡を回
避するために端子接続部を付ける前に支持部の半導体チ
ップ側の表面に薄い絶縁層が設けられる。例えば代表的
にλ＞１１００ｎｍの波長を持つ赤外線回路を備えた光
電半導体チップを使用する場合、支持部は半導体材料、
特にシリコンからなり、この中に必要に応じて適当なレ
ンズ（屈折或いは回折）がエッチングで作られる。赤外
線回路の陽極と陰極との電気的分離はこの場合好ましく
は支持部のシリコン材料の上に酸化物絶縁膜を形成する
ことによって行う。このようなデバイスは特に光電式の
情報伝送系における送信デバイスとして使用される。
【００１４】この発明による方法は小形化されたデバイ
ス容器を備えた多数の半導体デバイスを同時に製造する
ことを可能にする。この方法は次の工程、即ち電気的絶
縁性材料から支持板を作る工程、この支持板の半導体チ
ップ側の表面に導電路を備えた導電路層パターンを形成
する工程、支持板の製造とは別に電極端子板を作る工
程、電極端子板の導電路側の表面の範囲に窪みを作る工
程、支持板の導電路層を備えた表面を電極端子板の窪み
を備えた表面に接続する工程を特徴とする。
ス容器を備えた多数の半導体デバイスを同時に製造する
ことを可能にする。この方法は次の工程、即ち電気的絶
縁性材料から支持板を作る工程、この支持板の半導体チ
ップ側の表面に導電路を備えた導電路層パターンを形成
する工程、支持板の製造とは別に電極端子板を作る工
程、電極端子板の導電路側の表面の範囲に窪みを作る工
程、支持板の導電路層を備えた表面を電極端子板の窪み
を備えた表面に接続する工程を特徴とする。
【００１５】支持板と電極端子板との電気的及び機械的
接続は好ましくはろう付け工程で行われる。この場合支
持板と電極端子板とは、支持板の半導体チップ側の表面
に形成された導電路が電極端子板の窪みに関して正しい
位置にくるように、互いに調整されて整列される。これ
に続いて両板は加圧下に例えば４００℃の一定の温度で
加熱されて互いにろう付けされる。この板の接続が完成
した後前記窪みに相当する電極端子板の部分が、特に鋸
引により除去され、さらに続いて支持板は個々の半導体
デバイスを作るために、好ましくは再び鋸引により分割
される。
接続は好ましくはろう付け工程で行われる。この場合支
持板と電極端子板とは、支持板の半導体チップ側の表面
に形成された導電路が電極端子板の窪みに関して正しい
位置にくるように、互いに調整されて整列される。これ
に続いて両板は加圧下に例えば４００℃の一定の温度で
加熱されて互いにろう付けされる。この板の接続が完成
した後前記窪みに相当する電極端子板の部分が、特に鋸
引により除去され、さらに続いて支持板は個々の半導体
デバイスを作るために、好ましくは再び鋸引により分割
される。
【００１６】支持板を分割する前に導電性の電極端子部
に端子接点、特に電気メッキ或いはろう浴に浸漬するこ
とにより作られるろうパッドが取付けられる。さらにこ
の工程後、しかし支持板が分割される前に、個々の半導
体デバイスの保管もしくは取扱を簡単にするために、個
々の半導体デバイスは樹脂箔に接着される。この場合半
導体デバイスは必要に応じて個々に樹脂箔から取出さ
れ、プリント板等に置かれてろう付けされる（いわゆる
ピック・アンド・プレース法）。
に端子接点、特に電気メッキ或いはろう浴に浸漬するこ
とにより作られるろうパッドが取付けられる。さらにこ
の工程後、しかし支持板が分割される前に、個々の半導
体デバイスの保管もしくは取扱を簡単にするために、個
々の半導体デバイスは樹脂箔に接着される。この場合半
導体デバイスは必要に応じて個々に樹脂箔から取出さ
れ、プリント板等に置かれてろう付けされる（いわゆる
ピック・アンド・プレース法）。
【００１７】
【実施例】この発明の実施例を以下に図面を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１８】図１に示されたこの発明の実施例は、半導
体チップ２を備えた発光ダイオードの形で半導体デバイ
ス１を含み、この半導体チップ２はシリコン基板３の上
に形成されたｐｎ接合４並びに発光ダイオードの光の出
口側のｐドープされた陽極層５と発光ダイオードの裏側
のｎドープされた陰極層６とを備え、この陰極層に裏面
側の接触層７が接している。支持部８はガラスから作ら
れ、その下側９に導電材料から作られた端子接続部１０
が形成され、この端子接続部は互いに平行に延びる薄い
導電路１１を備えている。端子接続部１０は、ガラス板
８との良好な接着を保証する金属、特にチタンもしくは
クロム・白金・金或いはチタン・パラジウム・金からな
る薄層である。半導体チップ２の陽極層５には互いに平
行で導電路１１の方向に対して直角方向に延びる薄い接
触端子部１２が形成されている。半導体チップ２は支持
部８の下側９に機械的に固定結合され、導電路１１がこ
れに直角に延びる接触端子部１２と確実な電気的接触を
している。支持部８の上側２０には光に対して透過性の
樹脂層１３が形成され、これに刻印スタンプによりフレ
ネルレンズ１４或いは他の適当なレンズ系を形成するた
めの適当なパターンが刻印され、発光ダイオードから出
た光ビームを適当に写像する。半導体デバイス１の容器
１５はさらに端子接点１６を備えた２つの電極端子部１
７を備え、これはデバイス容器１５の両側面部となって
いる。支持部８はデバイス容器１５を上方に閉塞する容
器上部を形成し、これは２つの容器側面部と共に半導体
チップ２を保護するように取囲んでいる。半導体チップ
２はその保護のために透光性の樹脂１８で覆われ、この
樹脂は発光ダイオードの光の出口側と接続導体部１０の
間の範囲をも充填している。半導体デバイス１の両容器
側面部の間に残る空洞は、非導電性で必ずしも必要的で
はないが透光性材料１９、特に樹脂で満たされている。
体チップ２を備えた発光ダイオードの形で半導体デバイ
ス１を含み、この半導体チップ２はシリコン基板３の上
に形成されたｐｎ接合４並びに発光ダイオードの光の出
口側のｐドープされた陽極層５と発光ダイオードの裏側
のｎドープされた陰極層６とを備え、この陰極層に裏面
側の接触層７が接している。支持部８はガラスから作ら
れ、その下側９に導電材料から作られた端子接続部１０
が形成され、この端子接続部は互いに平行に延びる薄い
導電路１１を備えている。端子接続部１０は、ガラス板
８との良好な接着を保証する金属、特にチタンもしくは
クロム・白金・金或いはチタン・パラジウム・金からな
る薄層である。半導体チップ２の陽極層５には互いに平
行で導電路１１の方向に対して直角方向に延びる薄い接
触端子部１２が形成されている。半導体チップ２は支持
部８の下側９に機械的に固定結合され、導電路１１がこ
れに直角に延びる接触端子部１２と確実な電気的接触を
している。支持部８の上側２０には光に対して透過性の
樹脂層１３が形成され、これに刻印スタンプによりフレ
ネルレンズ１４或いは他の適当なレンズ系を形成するた
めの適当なパターンが刻印され、発光ダイオードから出
た光ビームを適当に写像する。半導体デバイス１の容器
１５はさらに端子接点１６を備えた２つの電極端子部１
７を備え、これはデバイス容器１５の両側面部となって
いる。支持部８はデバイス容器１５を上方に閉塞する容
器上部を形成し、これは２つの容器側面部と共に半導体
チップ２を保護するように取囲んでいる。半導体チップ
２はその保護のために透光性の樹脂１８で覆われ、この
樹脂は発光ダイオードの光の出口側と接続導体部１０の
間の範囲をも充填している。半導体デバイス１の両容器
側面部の間に残る空洞は、非導電性で必ずしも必要的で
はないが透光性材料１９、特に樹脂で満たされている。
【００１９】導電性の端子接続部１０は支持部８の下側
９に形成され、厚さが数μｍの金属層の形で形成され、
ホト技術によりパターンを備えている。これは、特に図
３のＡ、Ｂから分かるように、互いに平行に延びる多数
の導電路１１の他に、これに電気的に接続された端子領
域２１、並びにボンディングワイヤ２３を介して半導体
チップ２の裏面に設けられた接触層７と接続されている
端子領域２２を持っている。端子接続部１０は好ましく
は支持部８の上に蒸着されたチタンもしくはクロム・白
金・金或いはチタン・パラジウム・金の層から作られ
る。端子領域２１及び２２は電極端子部１７の端面２４
に相当する形状と広がりを持っている。電極端子部１７
の端面２４は薄い金属層２５、特に金・シリコンからな
る層で被膜され、硬ろう付けによって電極端子部１７が
支持部８の下側９の縁部範囲に機械的に安定してかつ永
続的に結合されることを保証している。電極端子部１７
は、支持部８の材料と同一の膨張係数を持つ導電性の材
料からなる。支持部８としてガラスを使用した図示の例
では電極接続部１７は例えば、導電性を高めるためにド
ープ、例えばｎ+ ドープされたシリコンのような半導体
材料からなる。電極端子部１７の自由端２６は端子接点
１６との接着性を高めるために金属の中間層２７、図示
の場合には例えばチタン・白金・錫・パラジウムからな
る中間層で被膜されている。中間層２７の上には端子接
点１６がろうパッド２８の形で形成され、これにより半
導体デバイス１とプリント板等に設けられているろう付
け部との電気的接続が行われる。電極端子部１７はデバ
イス容器１５の側面部を、半導体チップ２の高さより少
なくとも僅かに越える高さを持つ精密機械工学上の支持
ステーの形に形成している。この発明による半導体デバ
イス１の外形寸法はそれ故半導体チップ２の寸法と同一
の大きさ、即ち例えば５００μｍ・５００μｍ・１００
μｍの大きさである。
９に形成され、厚さが数μｍの金属層の形で形成され、
ホト技術によりパターンを備えている。これは、特に図
３のＡ、Ｂから分かるように、互いに平行に延びる多数
の導電路１１の他に、これに電気的に接続された端子領
域２１、並びにボンディングワイヤ２３を介して半導体
チップ２の裏面に設けられた接触層７と接続されている
端子領域２２を持っている。端子接続部１０は好ましく
は支持部８の上に蒸着されたチタンもしくはクロム・白
金・金或いはチタン・パラジウム・金の層から作られ
る。端子領域２１及び２２は電極端子部１７の端面２４
に相当する形状と広がりを持っている。電極端子部１７
の端面２４は薄い金属層２５、特に金・シリコンからな
る層で被膜され、硬ろう付けによって電極端子部１７が
支持部８の下側９の縁部範囲に機械的に安定してかつ永
続的に結合されることを保証している。電極端子部１７
は、支持部８の材料と同一の膨張係数を持つ導電性の材
料からなる。支持部８としてガラスを使用した図示の例
では電極接続部１７は例えば、導電性を高めるためにド
ープ、例えばｎ+ ドープされたシリコンのような半導体
材料からなる。電極端子部１７の自由端２６は端子接点
１６との接着性を高めるために金属の中間層２７、図示
の場合には例えばチタン・白金・錫・パラジウムからな
る中間層で被膜されている。中間層２７の上には端子接
点１６がろうパッド２８の形で形成され、これにより半
導体デバイス１とプリント板等に設けられているろう付
け部との電気的接続が行われる。電極端子部１７はデバ
イス容器１５の側面部を、半導体チップ２の高さより少
なくとも僅かに越える高さを持つ精密機械工学上の支持
ステーの形に形成している。この発明による半導体デバ
イス１の外形寸法はそれ故半導体チップ２の寸法と同一
の大きさ、即ち例えば５００μｍ・５００μｍ・１００
μｍの大きさである。
【００２０】図２及び図４を参照して、図１に示された
構造の半導体デバイスを多数製造する方法を詳しく説明
する。先ず、特にガラスからなる支持板２９（これから
後に個々の半導体デバイス１の支持部８が形成される）
に厚さの薄い導電層が備えられ、この層から個々の半導
体デバイス１の端子接続部１０が作られる。このために
支持板２９の半導体チップ２側の表面９の全面にチタン
・白金・金からなる薄い金属層１０ａを蒸着する。この
金属層はフォトリソグラフィ法により図３のＡ、Ｂに示
される配置に形成される。このようにして導電路１１、
端子部２１及び２２を備えた端子接続部１０が作られ
る。
構造の半導体デバイスを多数製造する方法を詳しく説明
する。先ず、特にガラスからなる支持板２９（これから
後に個々の半導体デバイス１の支持部８が形成される）
に厚さの薄い導電層が備えられ、この層から個々の半導
体デバイス１の端子接続部１０が作られる。このために
支持板２９の半導体チップ２側の表面９の全面にチタン
・白金・金からなる薄い金属層１０ａを蒸着する。この
金属層はフォトリソグラフィ法により図３のＡ、Ｂに示
される配置に形成される。このようにして導電路１１、
端子部２１及び２２を備えた端子接続部１０が作られ
る。
【００２１】支持板２９の製造とは別にそしてこれとは
無関係に、独自の製造工程で電極端子板３０が作られ、
これから個々の半導体デバイス１の電極端子部１７が形
成される。電極端子板３０は好ましくはガラス板２９と
同じ外形寸法を持つ薄いシリコンウェハである。この電
極端子板３０の半導体チップ２側の表面２０には先ず、
例えば金・錫からなる薄い導電層が全面に被膜される。
この薄い金属層の上に全面にホトレジスト膜が施され、
これは適当なマスクを使用して、図４に示す配置が生ず
るようにパターニングされる。このようにパターニング
されたホトレジスト３１は次のエッチング工程で、ホト
レジスト膜で覆われていない金・錫層の領域を除去し、
電極端子板３０の表面に窪み３２を形成するために使用
される。この窪み３２の深さは導電路１１の高さより少
なくとも僅かに大きく、例えば１０乃至５０μｍであ
る。電極端子板３０の製造のため電極端子板３０の裏面
３３には別のホトリソグラフィ工程で金属の中間層２７
が後に形成される端子接続部１６との接着性を高めるた
めに設けられる。
無関係に、独自の製造工程で電極端子板３０が作られ、
これから個々の半導体デバイス１の電極端子部１７が形
成される。電極端子板３０は好ましくはガラス板２９と
同じ外形寸法を持つ薄いシリコンウェハである。この電
極端子板３０の半導体チップ２側の表面２０には先ず、
例えば金・錫からなる薄い導電層が全面に被膜される。
この薄い金属層の上に全面にホトレジスト膜が施され、
これは適当なマスクを使用して、図４に示す配置が生ず
るようにパターニングされる。このようにパターニング
されたホトレジスト３１は次のエッチング工程で、ホト
レジスト膜で覆われていない金・錫層の領域を除去し、
電極端子板３０の表面に窪み３２を形成するために使用
される。この窪み３２の深さは導電路１１の高さより少
なくとも僅かに大きく、例えば１０乃至５０μｍであ
る。電極端子板３０の製造のため電極端子板３０の裏面
３３には別のホトリソグラフィ工程で金属の中間層２７
が後に形成される端子接続部１６との接着性を高めるた
めに設けられる。
【００２２】電極端子板３０の製造後、電極端子板３０
は支持板２９に好ましくは硬ろう付けにより固着され
る。このために両方の板２９及び３０は、端子領域２１
及び２２が対応して形成された電極端子板３０の端子接
点３４の上に、従って導電路１１が窪み空間の内部にく
るように、互いに調整されて整列される。続いて両板は
加圧下に約４００℃に加熱され互いにろう付けされる。
この工程後図２に断面で示した配置が生ずる。これに続
いて電極端子板１７の端子接点１６の間の部分３５が破
線３６に沿って切り取られ、電極端子部１７が残され
る。
は支持板２９に好ましくは硬ろう付けにより固着され
る。このために両方の板２９及び３０は、端子領域２１
及び２２が対応して形成された電極端子板３０の端子接
点３４の上に、従って導電路１１が窪み空間の内部にく
るように、互いに調整されて整列される。続いて両板は
加圧下に約４００℃に加熱され互いにろう付けされる。
この工程後図２に断面で示した配置が生ずる。これに続
いて電極端子板１７の端子接点１６の間の部分３５が破
線３６に沿って切り取られ、電極端子部１７が残され
る。
【００２３】その後個々の半導体チップ２がその光出口
側で支持部８にろう付けされる。このために半導体チッ
プ２は、好ましくは高出力レーザーにより加熱される。
これに続いてボンディングワイヤ２３が裏側の接触層７
を端子領域２２に電気的に接続するために引かれ、半導
体チップ２は透光性の樹脂材１８とモールドされる。こ
の樹脂は光の透過がよいので半導体チップ２の光出口側
と支持部８との間の空間をも充填する。光透過性の樹脂
材１８の上方にはさらに膨張係数の小さい樹脂材１９が
封入され、その際この封入される樹脂１９の量は半導体
チップ２の外形寸法に正確に合わせられる。
側で支持部８にろう付けされる。このために半導体チッ
プ２は、好ましくは高出力レーザーにより加熱される。
これに続いてボンディングワイヤ２３が裏側の接触層７
を端子領域２２に電気的に接続するために引かれ、半導
体チップ２は透光性の樹脂材１８とモールドされる。こ
の樹脂は光の透過がよいので半導体チップ２の光出口側
と支持部８との間の空間をも充填する。光透過性の樹脂
材１８の上方にはさらに膨張係数の小さい樹脂材１９が
封入され、その際この封入される樹脂１９の量は半導体
チップ２の外形寸法に正確に合わせられる。
【００２４】最後に電極端子部１７にろうパッド２８が
電気メッキにより或いはろう浴への浸漬により取り付け
られ、支持板２９が図示されてない樹脂箔に接着され、
次いで個々の半導体デバイスに分割される。
電気メッキにより或いはろう浴への浸漬により取り付け
られ、支持板２９が図示されてない樹脂箔に接着され、
次いで個々の半導体デバイスに分割される。
【図１】光電半導体チップを備えたこの発明の一実施例
の半導体デバイスの概略断面図。
の半導体デバイスの概略断面図。
【図２】この発明の実施例の多数の半導体デバイスの製
造方法を説明するための概略断面図。
造方法を説明するための概略断面図。
【図３】図１の水平断面の下面図及び上面図で、Ａは図
１をIII Ａ−III Ａ方向に見た下面図、Ｂは図１をIII
Ｂ−III Ｂ方向に見た上面図。
１をIII Ａ−III Ａ方向に見た下面図、Ｂは図１をIII
Ｂ−III Ｂ方向に見た上面図。
【図４】図２をＩＶ−ＩＶ方向に見た概略上面図。
１ 半導体デバイス ２ 半導体チップ ８ 支持部 １０ 導電接続部 １１ 導電路 １５ デバイス容器 １６ 端子接点 １７ 電極端子部 ２９ 支持板 ３０ 電極端子板
Claims (16)
- 【請求項１】 デバイス容器（１５）の支持部（８）に
固定された少なくとも１つの半導体チップ（２）を備
え、このチップが端子接点（１６）を備えた少なくとも
２つの電極端子部（１７）と電気的に接続され、デバイ
ス容器（１５）は容器上部と少なくとも１つの容器側面
部とを備え、これらの部分で半導体チップ（２）を少な
くともその範囲で包囲している半導体デバイスにおい
て、半導体チップ（２）が固定される支持部（８）が同
時にデバイス容器（１５）の容器上部を形成し、端子接
点（１６）を備えた少なくとも２つの電極端子部（１
７）が少なくともその範囲でデバイス容器（１５）の容
器側面部として形成されていることを特徴とする半導体
デバイス。 - 【請求項２】 デバイス容器（１５）の少なくとも２つ
の容器側面部が半導体チップ（２）の構造高さを少なく
とも僅かに越える高さを持つ精密機械工学上の支持ステ
ーとして形成され、支持部（８）の半導体チップ（２）
側の表面の縁部領域に固定されていることを特徴とする
請求項１記載の半導体デバイス。 - 【請求項３】 少なくとも２つの容器側面部が導電性の
材料から作られ、デバイス容器（１５）の支持部（８）
の反対側の自由端に端子接点（３４）を備えていること
を特徴とする請求項１又は２記載の半導体デバイス。 - 【請求項４】 少なくとも２つの容器側面部が導電材料
から作られた端子接続部（１０）によりデバイス容器
（１５）の支持部（８）に固定された半導体チップ
（２）に導電的に接続されていることを特徴とする請求
項１乃至３の１つに記載の半導体デバイス。 - 【請求項５】 導電材料から作られた端子接続部（１
０）が支持部（８）の半導体チップ（２）側の表面に形
成された導電路層を備えていることを特徴とする請求項
１乃至４の１つに記載の半導体デバイス。 - 【請求項６】 デバイス容器（１５）の少なくとも２つ
の容器側面部が、支持部（８）の材料と少なくとも近似
的に同一の膨張係数を持つ材料で作られていることを特
徴とする請求項１乃至５の１つに記載の半導体デバイ
ス。 - 【請求項７】 デバイス容器（１５）の少なくとも２つ
の容器側面部が半導体材料で作られていることを特徴と
する請求項１乃至６の１つに記載の半導体デバイス。 - 【請求項８】 半導体チップ（２）がデバイス容器（１
５）の支持部（８）側の表面に光電子回路を備え、支持
部（８）が少なくとも固定された半導体チップ（２）の
範囲で光透過性或いは少なくとも透き通った材料から作
られていることを特徴とする請求項１乃至７の１つに記
載の半導体デバイス。 - 【請求項９】 支持部（８）が半導体チップ（２）と反
対側の表面に光学的写像装置を備えていることを特徴と
する請求項８記載の半導体デバイス。 - 【請求項１０】 デバイス容器（１５）の支持部（８）
が電気的に絶縁性のガラス或いはプラスチック板である
ことを特徴とする請求項１乃至９の１つに記載の半導体
デバイス。 - 【請求項１１】 デバイス容器（１５）の支持部（８）
に固定された少なくとも１つの半導体チップ（２）を備
え、このチップが端子接点（１６）を備えた少なくとも
２つの電極端子部（１７）と電気的に接続され、デバイ
ス容器（１５）は容器上部と少なくとも１つの容器側面
部とを備え、これらの部分で半導体チップ（２）を少な
くともその範囲で包囲している半導体デバイスの製造方
法において、半導体チップ（２）が固定される支持部
（８）が同時にデバイス容器（１５）の容器上部であ
り、端子接点（３４）を備えた少なくとも２つの電極端
子部（１７）が少なくともその範囲でデバイス容器（１
５）の容器側面部として形成されることを特徴とする半
導体デバイスの製造方法。 - 【請求項１２】 電気的に絶縁性の材料から支持板（２
９）を作る工程、この支持板（２９）の半導体チップ
（２）側の表面（９）に導電路（１１）を備えた端子接
続部（１０）を形成する工程、支持板（２９）の製造と
は別に電極端子板（３０）を作る工程、電極端子板（３
０）の導電路（１１）側の表面（９）の範囲に窪みを作
る工程、支持板（２９）の端子接続部（１０）を備えた
表面（９）を電極端子板（３０）の窪みを備えた表面に
接続する工程を備えたことを特徴とする請求項１乃至１
１の１つに記載の多数の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項１３】 支持板（２９）と電極端子板（３０）
とが互いにろう付けされることを特徴とする請求項１２
記載の方法。 - 【請求項１４】 支持板（２９）と電極端子板（３０）
とが結合される前にこれらに熱及び／又は圧力が加えら
れることを特徴とする請求項１２又は１３記載の方法。 - 【請求項１５】 支持板（２９）と電極端子板（３０）
とを結合した後電極端子板（３０）の窪みに相当する範
囲が除去されることを特徴とする請求項１２乃至１４の
１つに記載の方法。 - 【請求項１６】 支持板（２９）が個々の半導体デバイ
ス（１）を作るために切り分けられることを特徴とする
請求項１２乃至１５の１つに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19600306.7 | 1996-01-05 | ||
| DE19600306A DE19600306C1 (de) | 1996-01-05 | 1996-01-05 | Halbleiter-Bauelement, insb. mit einer optoelektronischen Schaltung bzw. Anordnung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199626A true JPH09199626A (ja) | 1997-07-31 |
| JP2991983B2 JP2991983B2 (ja) | 1999-12-20 |
Family
ID=7782234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8355986A Expired - Fee Related JP2991983B2 (ja) | 1996-01-05 | 1996-12-25 | 半導体デバイス及びその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5814870A (ja) |
| EP (1) | EP0783183A3 (ja) |
| JP (1) | JP2991983B2 (ja) |
| KR (1) | KR970060468A (ja) |
| DE (1) | DE19600306C1 (ja) |
| TW (1) | TW329565B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003046029A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-14 | Sony Corp | 電子部品実装基板及びその製造方法 |
| JP2006108690A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Easetech Korea Co Ltd | 再配線基板を用いたウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法 |
| JP2010541222A (ja) * | 2007-09-28 | 2010-12-24 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 半導体ベースの素子、半導体ベースの素子の収容部材、ならびに、半導体ベースの素子の製造方法 |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1014455B1 (en) | 1997-07-25 | 2006-07-12 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
| JP3785820B2 (ja) * | 1998-08-03 | 2006-06-14 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
| US6130448A (en) * | 1998-08-21 | 2000-10-10 | Gentex Corporation | Optical sensor package and method of making same |
| US6588949B1 (en) * | 1998-12-30 | 2003-07-08 | Honeywell Inc. | Method and apparatus for hermetically sealing photonic devices |
| JP3770014B2 (ja) | 1999-02-09 | 2006-04-26 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
| WO2000052796A1 (en) | 1999-03-04 | 2000-09-08 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
| DE19923055A1 (de) * | 1999-05-20 | 2000-11-23 | Ameur Raouf Ben | Transparentes Gehäuse für einen integrierten Schaltkreis insbesondere für BGA-Baustein |
| US7004644B1 (en) * | 1999-06-29 | 2006-02-28 | Finisar Corporation | Hermetic chip-scale package for photonic devices |
| US6792178B1 (en) | 2000-01-12 | 2004-09-14 | Finisar Corporation | Fiber optic header with integrated power monitor |
| US6564454B1 (en) * | 2000-12-28 | 2003-05-20 | Amkor Technology, Inc. | Method of making and stacking a semiconductor package |
| DE10120703A1 (de) * | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterchip für die Optoelektronik |
| EP1420462A1 (en) * | 2002-11-13 | 2004-05-19 | Heptagon Oy | Light emitting device |
| US6969204B2 (en) * | 2002-11-26 | 2005-11-29 | Hymite A/S | Optical package with an integrated lens and optical assemblies incorporating the package |
| JP4254266B2 (ja) * | 2003-02-20 | 2009-04-15 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| US6856717B2 (en) * | 2003-03-24 | 2005-02-15 | Hymite A/S | Package with a light emitting device |
| US7009213B2 (en) * | 2003-07-31 | 2006-03-07 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting devices with improved light extraction efficiency |
| EP1659642A4 (en) * | 2003-08-26 | 2011-07-06 | Sumitomo Electric Industries | SEMICONDUCTOR LIGHT EMISSION ELEMENT INSTALLER, LIGHT DIODE CONSTITUATION MEMBER THEREFOR AND LIGHT DIODE THEREWITH |
| TW200522387A (en) * | 2003-12-26 | 2005-07-01 | Ind Tech Res Inst | High-power LED planarization encapsulation structure |
| NO321281B1 (no) * | 2004-09-15 | 2006-04-18 | Sintef | Infrarod kilde |
| TWI362769B (en) | 2008-05-09 | 2012-04-21 | Univ Nat Chiao Tung | Light emitting device and fabrication method therefor |
| US8314566B2 (en) | 2011-02-22 | 2012-11-20 | Quarkstar Llc | Solid state lamp using light emitting strips |
| TWI622189B (zh) * | 2013-02-08 | 2018-04-21 | 晶元光電股份有限公司 | 發光二極體元件 |
| DE102013209618A1 (de) * | 2013-05-23 | 2014-11-27 | Richard Wolf Gmbh | LED-Baueinheit |
| DE102013106502A1 (de) * | 2013-06-21 | 2014-12-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und Spiegelvorrichtung |
| DE102013107862A1 (de) * | 2013-07-23 | 2015-01-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung zumindest eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterbauteils |
| JP6739154B2 (ja) | 2015-08-21 | 2020-08-12 | 日本ルメンタム株式会社 | 光モジュール |
| US10666020B2 (en) * | 2017-09-20 | 2020-05-26 | Lumentum Operations Llc | Reconfigurable emitter array |
| US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
| US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5853848A (ja) * | 1981-09-25 | 1983-03-30 | Nec Corp | チツプキヤリア |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4355321A (en) * | 1981-02-02 | 1982-10-19 | Varian Associates, Inc. | Optoelectronic assembly including light transmissive single crystal semiconductor window |
| JPS6017934A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-29 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
| CA1267468A (en) * | 1983-11-21 | 1990-04-03 | Hideaki Nishizawa | Optical device package |
| US4982267A (en) * | 1985-11-18 | 1991-01-01 | Atmel Corporation | Integrated semiconductor package |
| DE3732075A1 (de) * | 1987-09-23 | 1989-04-06 | Siemens Ag | Hermetisch dichtes glas-metallgehaeuse fuer halbleiterbauelemente und verfahren zu dessen herstellung |
| JPH05251717A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Hitachi Ltd | 半導体パッケージおよび半導体モジュール |
| JPH06244231A (ja) * | 1993-02-01 | 1994-09-02 | Motorola Inc | 気密半導体デバイスおよびその製造方法 |
| US5463229A (en) * | 1993-04-07 | 1995-10-31 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Circuit board for optical devices |
| JP2875139B2 (ja) * | 1993-07-15 | 1999-03-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US5420460A (en) * | 1993-08-05 | 1995-05-30 | Vlsi Technology, Inc. | Thin cavity down ball grid array package based on wirebond technology |
| JPH07202110A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nec Corp | 半導体装置 |
| TW258829B (ja) * | 1994-01-28 | 1995-10-01 | Ibm | |
| US5477075A (en) * | 1994-12-16 | 1995-12-19 | Advanced Photonix, Inc. | Solid state photodetector with light-responsive rear face |
| US5616958A (en) * | 1995-01-25 | 1997-04-01 | International Business Machines Corporation | Electronic package |
-
1996
- 1996-01-05 DE DE19600306A patent/DE19600306C1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-13 EP EP96120098A patent/EP0783183A3/de not_active Withdrawn
- 1996-12-16 TW TW085115510A patent/TW329565B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-12-25 JP JP8355986A patent/JP2991983B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-01-03 KR KR1019970000011A patent/KR970060468A/ko not_active Ceased
- 1997-01-06 US US08/779,366 patent/US5814870A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5853848A (ja) * | 1981-09-25 | 1983-03-30 | Nec Corp | チツプキヤリア |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003046029A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-14 | Sony Corp | 電子部品実装基板及びその製造方法 |
| JP2006108690A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Easetech Korea Co Ltd | 再配線基板を用いたウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法 |
| JP2010541222A (ja) * | 2007-09-28 | 2010-12-24 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 半導体ベースの素子、半導体ベースの素子の収容部材、ならびに、半導体ベースの素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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