JPS6017934A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6017934A JPS6017934A JP58125304A JP12530483A JPS6017934A JP S6017934 A JPS6017934 A JP S6017934A JP 58125304 A JP58125304 A JP 58125304A JP 12530483 A JP12530483 A JP 12530483A JP S6017934 A JPS6017934 A JP S6017934A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier
- chip
- mother board
- chip carrier
- solder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置に係り、特に、パッケージの一種
として広く用いられているチップキャリアと、該チップ
ギヤリアが装着されるマザーボードとの実装体に関する
。
として広く用いられているチップキャリアと、該チップ
ギヤリアが装着されるマザーボードとの実装体に関する
。
従来例の構成とその問題点
従来は、第１図に示すように、たとえば、半導体チップ
１をチップキャリア２内に組立てた後、まず、融点温度
が２８０°Ｃ程度の金−錫合金の、２ ′ いわゆる高融点半田３を用いて、金属板キャップ４を封
止し、次に、マザーボード６」二に、融点温度が１８０
℃程度の通常よく用いられる半［ｆｌ、即ち、鉛−錫の
合金半［ｒ−１を用いて、同チップキャリア２を貫通し
て外部に取り出されたリード部に接続電極６を形成して
いた。なお、７はワイヤーを示す。一方、こうｌ−だ半
導体装置がよく用いられている実状に並行して安価な半
導体装置を得るために、また、これらを具現するための
製造工程の簡素化が重重れていた。
１をチップキャリア２内に組立てた後、まず、融点温度
が２８０°Ｃ程度の金−錫合金の、２ ′ いわゆる高融点半田３を用いて、金属板キャップ４を封
止し、次に、マザーボード６」二に、融点温度が１８０
℃程度の通常よく用いられる半［ｆｌ、即ち、鉛−錫の
合金半［ｒ−１を用いて、同チップキャリア２を貫通し
て外部に取り出されたリード部に接続電極６を形成して
いた。なお、７はワイヤーを示す。一方、こうｌ−だ半
導体装置がよく用いられている実状に並行して安価な半
導体装置を得るために、また、これらを具現するための
製造工程の簡素化が重重れていた。
発明の目的
本発明は、上記の要請に鑑がみてなされたものであって
、マザーボードがチップキャリアの封止蓋の機能をも有
した半導体装置を提供することを目的とする〇 発明の構成 本発明は、チップキャリアをマザーボードに装着する実
装体において、前記マザーボードは、前記チップキャリ
アの支持体および電極を受ける構造体に加えて、前記チ
ップギヤリアの封止蓋の機３１・コ・ 能をもった半導体装置であり、これによれば、安価な半
導体装置が（１られるものとなる。
、マザーボードがチップキャリアの封止蓋の機能をも有
した半導体装置を提供することを目的とする〇 発明の構成 本発明は、チップキャリアをマザーボードに装着する実
装体において、前記マザーボードは、前記チップキャリ
アの支持体および電極を受ける構造体に加えて、前記チ
ップギヤリアの封止蓋の機３１・コ・ 能をもった半導体装置であり、これによれば、安価な半
導体装置が（１られるものとなる。
実施例の説明
本発明の一実施例を第２図に示す。第１図に示した従来
例とは、チップキャリア２のマザーボード５との接続電
極６を、チップキャリア２の開口部１１１１に形成した
こと、さらに、マザーボード５は、チップキャリア２の
封止蓋としても用いたことが大きく相違する。
例とは、チップキャリア２のマザーボード５との接続電
極６を、チップキャリア２の開口部１１１１に形成した
こと、さらに、マザーボード５は、チップキャリア２の
封止蓋としても用いたことが大きく相違する。
１だ、本発明の半導体装置の製造に際しては、チップキ
ャリア２の中に、半導体チップ１をダイスボンドおよび
ワイヤーボンドした後に、あらかじめ、チップキャリア
の内面に配線形成されたマザーボードとの」妾続電極部
およびその周辺に、スクリーン印刷等で半ＩＢが塗布さ
れたパターンを用いて重ね合わせた後、鉛−錫合金半田
で接続電極６と密封用金属接着部８を、たとえば、温度
１８０°Ｃ程度で同時に加熱、接着させる方法でよい。
ャリア２の中に、半導体チップ１をダイスボンドおよび
ワイヤーボンドした後に、あらかじめ、チップキャリア
の内面に配線形成されたマザーボードとの」妾続電極部
およびその周辺に、スクリーン印刷等で半ＩＢが塗布さ
れたパターンを用いて重ね合わせた後、鉛−錫合金半田
で接続電極６と密封用金属接着部８を、たとえば、温度
１８０°Ｃ程度で同時に加熱、接着させる方法でよい。
なお、密封用金属接着部邑は、チップキヤリア内と外気
とを遮蔽させるためである。
とを遮蔽させるためである。
発明の効果
以上に述べたように、本発明の半導体装置は、チップキ
ャリアが装着されるマザーボード本来の機能に加えて、
封止蓋としての機能をもたせる結果、従来不可欠とされ
た封止蓋が不要とされること、さらに、従来封止蓋の接
着およびチップギヤリアとマザーボードとの電極間の接
続に用いられた、融点温度の異なる２回の半田処理工程
が１回に低減され、かつ、融点温度の低い、鉛−錫合金
の半田で可能となり、したがって、従来に比して安価な
半導体装置が得られ、その利用価値は大きい０
ャリアが装着されるマザーボード本来の機能に加えて、
封止蓋としての機能をもたせる結果、従来不可欠とされ
た封止蓋が不要とされること、さらに、従来封止蓋の接
着およびチップギヤリアとマザーボードとの電極間の接
続に用いられた、融点温度の異なる２回の半田処理工程
が１回に低減され、かつ、融点温度の低い、鉛−錫合金
の半田で可能となり、したがって、従来に比して安価な
半導体装置が得られ、その利用価値は大きい０
第１図に１、従来のチップキャリアとマザーボードとの
実装体を示す図、第２図は、本発明の実装体の一実施例
図を示す。 １・・・・・・半導体チップ、２・・・・・・チップキ
ャリア、３・・・・・・高融点半田、４・・・・・・金
属板キャップ、６・・・・・・マザーボード、６・・・
・・・接続電極、７・・・・・・ワイヤー、８・・・・
・・密封用金属接着部。
実装体を示す図、第２図は、本発明の実装体の一実施例
図を示す。 １・・・・・・半導体チップ、２・・・・・・チップキ
ャリア、３・・・・・・高融点半田、４・・・・・・金
属板キャップ、６・・・・・・マザーボード、６・・・
・・・接続電極、７・・・・・・ワイヤー、８・・・・
・・密封用金属接着部。
Claims (1)
- 凹部にチップを収納するチップキャリアをマザーボード
に装着する実装体であって、前記マザーボードは、前記
チップキャリアからの取り出し電極を受ける構造体であ
ると同時に、前記チップキャリアの凹部側を前記マザー
ボー１・に装着することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58125304A JPS6017934A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58125304A JPS6017934A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6017934A true JPS6017934A (ja) | 1985-01-29 |
Family
ID=14906772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58125304A Pending JPS6017934A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6017934A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62149509A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-07-03 | Nippon Denso Co Ltd | 車両用冷房装置 |
| EP0783183A3 (de) * | 1996-01-05 | 2000-03-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiter-Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelementes |
-
1983
- 1983-07-08 JP JP58125304A patent/JPS6017934A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62149509A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-07-03 | Nippon Denso Co Ltd | 車両用冷房装置 |
| EP0783183A3 (de) * | 1996-01-05 | 2000-03-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiter-Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelementes |
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