JPH09199855A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高密度実装に十分に対応し得る多層配線基板の
製造方法を実現し難かつた。 【解決手段】一面及び又は他面に導電材でなる導体層が
積層されたベース基板の貫通スルーホール形成位置に貫
通孔を穿設すると共に、ベース基板の導体層をパターニ
ングする第１の工程と、ベース基板の導体層上にフオト
レジストでなるレジスト層を積層する第２の工程と、レ
ジスト層を所定パターンに露光し、現像することにより
ベース基板の貫通孔と連通するようにレジスト層にビア
ホールを形成する第３の工程とを設けるようにしたこと
により、ドリル加工工程を１度にまとめて行い得ると共
に、最外の導体層における貫通スルーホールのランド径
を小さくすることができ、かくして高密度実装に十分に
対応し得る多層配線基板の製造方法を実０できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【目次】以下の順序で本発明を説明する。 発明の属する技術分野 従来の技術（図４〜図１０） 発明が解決しようとする課題（図４〜図１０） 課題を解決するための手段（図１〜図３） 発明の実施の形態（図１〜図３） 発明の効果

【０００２】

【発明の属する技術分野】本発明は多層配線基板の製造
方法に関し、例えばフオトビア基板及びその製造方法に
適用して好適なものである。

【０００３】

【従来の技術】従来、多層配線基板（以下の例では４層
配線基板）は、図４（Ａ）〜図５（Ｃ）に示す以下の手
順により製造されている。すなわち、まず図４（Ａ）に
示すような、絶縁基板１の一面及び他面それぞれ銅箔２
Ａ、２Ｂが張りつけられてなる両面銅張積層板３の所定
位置に、図４（Ｂ）に示すように錐を用いて貫通孔３Ａ
を形成する。

【０００４】次いでこの両面銅張積層板３の一面側及び
他面側からの銅めつき処理によつて、図４（Ｃ）のよう
に貫通孔３Ａの内面にめつき層４Ａを形成することによ
りスルーホール４ＡＸを形成し、かくして当該両面銅張
積層板３の一面側及び他面側の各銅箔２Ａ、２Ｂ間を電
気的に接続する。なおこのとき両面銅張積層板３の一面
側及び他面側の各銅箔２Ａ、２Ｂ上にもそれぞれ銅めつ
き層４Ｂ、４Ｃが形成される。

【０００５】次いで図４（Ｄ）に示すように、この両面
銅張積層板３の一面側の銅箔２Ａ及び銅めつき層４Ｂで
なる２層目の導体層５と、両面銅張積層板３の他面側の
銅箔２Ｂ及び銅めつき層４Ｃでなる３層目の導体層６と
をそれぞれパターニングすることにより２層目及び３層
目の配線パターンを形成し、この後図４（Ｅ）に示すよ
うに、この両面銅張積層板３の一面側及び他面側に接着
層の役割を果たすプリプレグ７Ａ、７Ｂを挟んで片面銅
張積層板８、９をそれぞれ張り付けることにより４層基
板１０を形成する。

【０００６】次いでこの４層基板１０の所定位置に錐を
用いて図５（Ａ）のように当該４層基板１０を貫通する
貫通孔１０Ａを穿設した後、４層基板１０の一面側及び
他面側からきめつき処理によつて、図５（Ｂ）に示すよ
うに、貫通孔１０Ａの内面にめつき層１１Ａを形成する
ことにより貫通スールホール１１ＡＸを形成し、かくし
て４層基板１０の一面及び他面側の各銅箔１２、１３間
を電気的に接続する。なおこのときこれら各銅箔１２、
１３上にもそれぞれ銅めつき層１１Ｂ、１１Ｃが積層形
成される。

【０００７】続いて図５（Ｃ）に示すように、この４層
基板１０の一面側の銅箔１２及び銅めつき層１１Ｂでな
る１層目の導体層１４と、４層基板１０の他面側の銅箔
１３及び銅めつき層１１Ｃでなる４層目の導体層１５と
をそれぞれ写真法を用いたエツチングによつてパターニ
ングすることにより、これら１層目及び４層目の各導体
層１４、１５にそれぞれ配線パターンを形成する。これ
により１〜４層目の各導体層１４、５、６、１５にそれ
ぞれ所望の配線パターンが形成されてなる４層配線基板
１６を得ることができる。

【０００８】なお、図６（Ａ）〜図７（Ｄ）に配線パタ
ーン形成法の１つであるテンテイング法を示す。この方
法では、まず図６（Ａ）に示すように、絶縁基板２０の
一面及び他面にそれぞれ銅箔２１Ａ、２１Ｂが張りつけ
られてなる両面銅張積層板を所定形状に切断した後、か
くして得られる両面銅張積層板２２の所定位置に錐を用
いて図６（Ｂ）のように貫通孔２２Ａを穿設する。

【０００９】次いでこの両面銅張積層板２２の一面側及
び他面側からの無電解めつき処理によつて、図６（Ｃ）
のように貫通孔２２Ａの内面にめつき層２３Ａを形成
し、かくして両面銅張積層板２２の一面側及び他面側の
各銅箔２１Ａ、２１Ｂ間を電気的に接続する。なおこの
ときこれら各銅箔２１Ａ、２１Ｂ上にもそれぞれ第１の
銅めつき層２３Ｂ、２３Ｃが積層形成される。

【００１０】次いでこの両面銅張積層板２２に今度は電
解めつきを施すことにより、図６（Ｄ）のように両面銅
張積層板２２の一面及び他面側の各第１の銅めつき層２
３Ｂ、２３Ｃ上と、めつき層２３Ａ上とにそれぞれ第２
の銅めつき層２４Ｂ、２４Ｃ又はめつき層２４Ａとを積
層形成し、この後図６（Ｅ）に示すように、当該両面銅
張積層板２２の一面側及び他面側にそれぞれ第２の銅め
つき層２４Ｂ、２４Ｃを覆うようにフオトレジストの１
種であるドライフイルム２５Ａ、２５Ｂを圧着する。

【００１１】続いて図７（Ａ）に示すように、これら各
ドライフイルム２５Ａ、２５Ｂをそれぞれ所望する配線
パターンに応じて露光し、現像することにより各ドライ
フイルム２５Ａ、２５Ｂをパターニングし、この後図７
（Ｂ）に示すように、残存するドライフイルム２５Ａ、
２５Ｂをマスクとして両面銅張積層板２２の一面側の銅
箔２１Ａ、第１の銅めつき層２３Ｂ及び第２の銅めつき
層２４Ｂでなる第１の導体層２６と、両面銅張積層板２
２の他面側の銅箔２１Ｂ、第１の銅めつき層２３Ｃ及び
第２の銅めつき層２４Ｃでなる第２の導体層２７とをそ
れぞれエツチングによりパターニングする。

【００１２】さらにこの後図７（Ｃ）に示すように、こ
の両面銅張積層板２２の一面側及び他面側からそれぞれ
ドライフイルム２５Ａ、２５Ｂを剥離した後、図７
（Ｄ）に示すように、この両面銅張積層板２２の一面側
及び他面側にそれぞれソルダーレジスト２８Ａ、２８Ｂ
を塗布し、表面処理を施し、外形加工を施す。これによ
り両面銅張積層板２２の一面側及び他面側にそれぞれ所
望の配線パターンを形成することができる。

【００１３】ところで、図４（Ａ）〜図５（Ｃ）につい
て上述した積層による多層配線基板の製造方法（以下、
これを積層法と呼ぶ）は一般的であるが、この方法では
銅張積層板３、８、９の銅箔２Ａ、２Ｂ、１２、１３の
厚み（18〔μm 〕）に加え、貫通スルーホール１１ＡＸ
を形成するためのめつき処理により銅材が約20〔μm〕
も積み上げられるため、１〜４層目の各導体層１４、
５、６、１５の各銅厚が40〔μm 〕近くにもなる。

【００１４】ところが、一般的に銅張積層板３、８、９
をエツチングによりパターニングする工程では、銅厚が
厚いほどエツチングのための時間を必要とし、さらにそ
の分横方向からのエツチング液のしみ込みによつてパタ
ーンが必要以上にエツチングされる（オーバーエツチン
グ）ことがあるため、各導体層１４、５、６、１５の配
線パターンが所望する太さよりも細くなる問題がある。
このため上述のような積層法では、微細パターンの形成
が困難とされていた。

【００１５】また上述のような積層法では、貫通スルー
ホール１１ＡＸを含む全てのスルーホール４ＡＸ、１１
ＡＸの形成をすべて錐を用いて行つているため、当該ス
ルーホール４ＡＸ、１１ＡＸの孔径が錐の径に依存す
る。ところが現在では、錐の強度の問題から小径でも直
径0.3 〔mm〕の錐を用いる必要があるために、形成され
た多層配線基板１６の最上及び最下の導体層（４層配線
基板では１層目及び４層目の各導体層１４、１５）にお
ける貫通スルーホール１１ＡＸのランド径が大きくな
り、この結果配線効率が低下する問題があつた。

【００１６】さらに上述のような積層法では、両面銅張
積層板２２の両面側にそれぞれ片面銅張積層板８、９を
張りつけた後に貫通スルーホール１１ＡＸを形成するた
めの穴あけ作業を行うようにしているため、両面銅張積
層板２２と各片面銅張積層板８、９との位置合わせ精度
に加えて、ドリル加工工程での４層基板１０に対する錐
の位置合わせ精度も必要となり、さらにこの位置決め精
度に合わせて貫通スルーホール１１ＡＸのランド径が決
定するため、最外の導体層のランド径が半径0.6 〔mm〕
と大きくなることにより配線効率がさらに悪化する問題
があつた。

【００１７】これに対して従来、高密度実装に対応し得
るフオトビア基板と呼ばれる基板がある（なお以下では
フオトビア基板として４層フオトビア基板について説明
する）。通常、この種の基板においては、例えば図８
（Ａ）〜図１０（Ｃ）に示す以下の手順により製造され
ている。

【００１８】すなわちまず図８（Ａ）のように絶縁基板
３０の一面及び他面にそれぞれ銅箔３２Ａ、３２Ｂが張
りつけられてなる両面銅張積層板３２の所定位置に、図
８（Ｂ）のように錐により貫通孔３２Ａを穿設した後、
図８（Ｃ）に示すように、この両面銅張積層板３２の一
面側及び他面側からの銅めつき処理によつて貫通孔３２
Ａの内面にめつき層３３Ａを形成することによりスルー
ホール３３ＡＸを形成し、かくして各銅箔３１Ａ、３１
Ｂ間を電気的に接続する。なおこのときこれら各銅箔３
１Ａ、３１Ｂ上にもそれぞれ銅めつき層３３Ｂ、３３Ｃ
が形成される。

【００１９】次いで図８（Ｄ）に示すように、この両面
銅張積層板３２の一面側の銅箔３１Ａ及び銅めつき層３
３Ｂでなる２層目の導体層３４と、両面銅張積層板３２
の他面側の銅箔３１Ｂ及び銅めつき層３３Ｃでなる３層
目の導体層３５とをそれぞれパターニングすることによ
り２層目及び３層目の配線パターンを形成する。

【００２０】次いで図８（Ｅ）に示すように、この両面
銅張積層板３２の一面側にフオトレジトスを塗布するこ
とによりレジスト層３６を形成すると共に、この後図９
（Ａ）に示すように、このレジスト層３６を両面銅張積
層板３２の同じ面側からマスク３５を介して露光し、現
像することにより、図９（Ｂ）のようにレジスト層３６
の所定位置に１層目の導体層と２層目の導体層３４との
間の導通をとるためのビアホール３６Ａを形成する。

【００２１】続いてこの両面銅張積層板３２の他面側に
フオトレジストを塗布することによりレジスト層３８を
形成すると共に、この後図９（Ｃ）に示すように、この
レジスト層３８を両面銅張積層板３２の同じ面側からマ
スク３９を介して露光し、現像することにより、図９
（Ｄ）に示すように、レジスト層３８の所定位置に３層
目の導体層３５と４層目の導体層との間の導通をとるた
めのビアホール３８Ａを形成する。

【００２２】さらに図１０（Ａ）に示すように、この両
面銅張積層板３２の所定位置に錐を用いて貫通スルーホ
ール用の貫通孔３２Ｂを穿設し、この後図１０（Ｂ）に
示すように、この両面銅張積層板３２の一面側及び他面
側からの銅めつき処理により、各レジスト層３６、３８
上それぞれ１層目又は４層目の導体層４０、４１をそれ
ぞれ形成すると共に貫通孔３２Ｂの内面にめつき層４２
を形成することにより貫通スルーホール４２Ａを形成
し、かくして１層目及び４層目の各導体層４０、４１間
を導通接続する。

【００２３】さらにこの後図１０（Ｃ）に示すように、
かくして形成された４層基板４３の１層目及び４層目の
各導体層４０、４１をそれぞれ所望パターンにパターニ
ングする。これにより１層目〜４層目の各導体層４０、
３４、３５、４１がそれぞれ所望パターンにパターニン
グされてなる４層のフオトビア基板４４を得ることがで
きる。

【００２４】このようにして形成されたフオトビア基板
４４は、通常、隣合う導体層間（１層目及び２層目の各
導体層４０、３４間、３層目及び４層目の各導体層３
５、４１間）の電気的接続をとるための各フオトビア３
６Ａ、３８Ａが上述のように写真法を用いて形成される
ために直径0.2 〔mm〕程度とかなり小径であり、また最
上及び最下の各導体層（１層目及び４層目の各導体層４
０、４１）の銅厚がめつき処理１回分の約20〔μm 〕し
かないため、微細パターン形成に適していると言うこと
ができる。

【００２５】

【発明が解決しようとする課題】ところがこの種のフオ
トビア基板４４においては、貫通スルーホール４２Ａの
もととなる貫通孔３２Ｂを上述のようにドリル加工によ
り行つているため、図４（Ａ）〜図５（Ｃ）において上
述した積層による多層配線基板の製造方法と同様に貫通
スールホール４２Ａのランド径を小さくすることが難し
く、この結果当該貫通スールホール４２Ａのランド周囲
に配線できないことにより配線効率が低下する問題があ
つた。

【００２６】またこのドリル加工工程においては、最上
層及び内層の各導体層（１層目及び２層目の各導体層４
０、３４）間、最下層及び内層の各導体層（３層目及び
４層目の各導体層３５、４１）間において位置合わせ精
度が必要となるが、実際上この工程では、錐の位置を固
定したままワークサイズが600 〔mm〕四方の両面銅張積
層板３２を動かして穴開けを行つているために高精度な
位置決めが困難な問題があつた。

【００２７】さらにこの種のフオトビア基板４４におい
ては、錐（ドリル）径に加えてこの位置決め精度を含ん
でいるため、最上及び最下の各導体層（１層目及び４層
目の各導体層４０、４１）における貫通スルーホール４
２Ａのランド径が大きくなり、またドリル加工工程が２
回に分かれているためにタクトタイムがかかる問題があ
つた。

【００２８】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、高密度実装に十分に対応し得る多層配線基板の製造
方法を提案しようとするものである。

【００２９】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、一面及び又は他面に導電材でなる
導体層が積層されたベース基板の貫通スルーホール形成
位置に貫通孔を穿設すると共に、ベース基板の導体層を
パターニングする第１の工程と、ベース基板の導体層上
にフオトレジストでなるレジスト層を積層する第２の工
程と、レジスト層を所定パターンに露光し、現像するこ
とによりベース基板の貫通孔と連通するようにレジスト
層にビアホールを形成する第３の工程とを設けるように
した。

【００３０】このようにした場合、例えばこの後レジス
ト層上にビアホールを避けて導体層を形成した後、この
導体層をパターニングし、さらにこの後第２の工程以降
を同様に繰り返すことにより、容易に貫通スルーホール
を形成することができる。この場合形成された多層配線
基板においては、貫通スルーホールを形成するためにベ
ース基板に貫通孔を形成する工程が導体層上にレジスト
層が順次積層された後ではなくその前に行われるため、
ドリル加工工程を複数回行う必要がなく、また貫通スル
ーホール用のドリル加工を最終的な多層配線基板に対す
るドリル加工に比べて径の小さな錐を用いて行うことが
できるため、その分多層配線基板の最外の導体層におけ
る貫通スルーホールのランド径を小さくすることができ
る。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。

【００３２】図１（Ａ）〜図３（Ｂ）は、実施例による
多層配線基板（４層配線基板）の製造手順を示すもので
あり、まず図１（Ａ）に示すような絶縁基板５０の一面
及び他面にそれぞれ銅箔５１Ａ、５１Ｂが張り付けられ
てなる両面銅張積層板５２の内層スルーホール形成位置
及び貫通スルーホール形成位置に、それぞれ図１（Ｂ）
に示すように、錐により第１、第２の貫通孔５２Ａ、５
２Ｂをそれぞれ穿設する。

【００３３】次いで図１（Ｃ）に示すように、この両面
銅張積層板５２の一面側及び他面側からのめつき処理に
よつて第１及び第２の貫通孔５２Ａ、５２Ｂの各内面に
それぞれめつき層５３Ａ、５３Ｂを形成することにより
第１及び第２のスルホール５３ＡＸ、５３ＢＸを形成
し、かくして両面銅張積層板５２の各銅箔５１Ａ、５１
Ｂ間の電気的接続をとる。なおこのときこれら各銅箔５
１Ａ、５１Ｂ上にもそれぞれ銅めつき層５４Ａ、５４Ｂ
が形成される。

【００３４】次いでこの両面銅張積層板５２の一面側の
銅箔５１Ａ及び銅めつき層５４Ａでなる２層目の導体層
５５と、両面銅張積層板５２の他面側の銅箔５１Ｂ及び
銅めつき層５４Ｂでなる３層目の導体層５６とをそれぞ
れ図１（Ｄ）のようにパターニングすることにより所望
の配線パターンを形成する。

【００３５】続いて図１（Ｅ）に示すように、この両面
銅張積層板５２の一面側にフオトレジストを塗布するこ
とによりレジスト層５７を形成すると共に、この後図２
（Ａ）に示すように、このレジスト層５７上に、１層目
の導体層と２層目の導体層５５との間の導通をとるため
のビアホールの形成位置にそれぞれ対応させて開口５８
Ａが穿設された第１のマスク５８を位置決めして載置し
た後、この第１のマスク５８を介してレジスト層５７を
両面銅張積層板５２の同じ面側から露光する。

【００３６】またこのとき両面銅張積層板５２の他面側
にも当該両面銅張積層板５２の第２のスルーホール５３
ＢＸとそれぞれ対応させて開口５９Ａが穿設されてなる
第２のマスク５９を位置決めして当接させた後、この第
２のマスク５９及び第２のスルーホール５３ＢＸを順次
介してレジスト層５７を両面銅張積層板５２の異なる面
側から露光する。

【００３７】さらにこの後このレジスト層５７を現像す
ることにより、図２（Ｂ）のようにレジスト層５７の所
定位置に１層目の導体層及び２層目の導体層５５間の電
気的接続をとるための第１のビアホール５７Ａを形成す
ると共に、第２のスルーホール５３ＢＸの真上に当該第
２のスルーホール５３ＢＸと連通する第２のビアホール
５７Ｂを形成する。

【００３８】次いで今度はこの両面銅張積層板５２の他
面側にフオトレジストを塗布することによりレジスト層
６０を形成すると共に（図２（Ｂ））、この後図２
（Ｃ）に示すように、このレジスト層６０上に、３層目
の導体層５６と４層目の導体層との間の導通をとるため
のビアホールの形成位置にそれぞれ対応させて開口６１
Ａが穿設された第３のマスク６１を位置決めして載置し
た後、この第１のマスク６１を介してレジスト層６０を
両面銅張積層板５２の同じ面側から露光する。

【００３９】またこのとき両面銅張積層板５２の一面側
にも当該両面銅張積層板５２の第２のスルーホール５３
ＢＸとそれぞれ対応させて開口６１Ａが穿設されてなる
第４のマスク６１を位置決めして当接させた後、この第
２のマスク６１及び第２のスルーホール５３ＢＸを順次
介してレジスト層６０を両面銅張積層板５２の異なる面
側から露光する。

【００４０】さらにこの後このレジスト層６０を現像す
ることにより、図２（Ｄ）に示すように、レジスト層６
０の所定位置に３層目の導体層５６及び４層目の導体層
間の電気的接続をとるための第１のビアホール６０Ａを
形成すると共に、第２のスルーホール５３ＢＸの真上に
当該第２のスルーホール５３ＢＸと連通する第２のビア
ホール６０Ｂを形成する。

【００４１】この結果、かくして形成される多層板６３
に、レジスト層５７の第２のビアホール５７Ｂと、両面
銅張積層板５２の第２のスルーホール５３ＢＸと、レジ
スト層６０の第２のビアホール６０Ｂとからなる貫通孔
６３Ａが形成される。

【００４２】次いで図３（Ａ）に示すように、この多層
板６３の一面側及び他面側からの銅めつき処理により当
該多層板６３の一面側に１層目の導体層６４を形成する
と共に、当該多層板６３の他面側に４層目の導体層６５
を形成する。

【００４３】なおこのとき多層板６３の貫通６３Ａ内に
も銅材を堆積させることにより、１層目及び４層目の各
導体層６４、６５を電気的に接続する貫通スルーホール
６６を形成する。

【００４４】さらにこの後図３（Ｂ）に示すように、こ
の多層板６３の一面側及び他面側にそれぞれ形成された
１層目及び４層目の各導体層６４、６５をそれぞれ所望
パターンにパターニングする。これにより所望パターン
の導体層６４、５５、５６、６５が積層されてなる多層
配線基板６７を得ることができる。

【００４５】以上の構成において、この多層配線基板の
製造方法では、両面銅張積層板５２の貫通スルーホール
形成位置に貫通孔５２Ｂを穿設し（図１（Ｂ））、当該
貫通孔５２Ｂの内面にめつき層５３Ｂを形成することに
よりスルーホール５３ＢＸを形成する（図１（Ｃ））。

【００４６】次いで両面銅張積層板５２の一面側及び他
面側に順次形成されるレジスト層５７、６０をこのスル
ーホール５３ＢＸを介してそれぞれ他面側又は一面側か
ら順次露光するようにしてスルーホール５３ＢＸの真上
及び真下位置にビアホール５７Ｂ、６０Ｂをそれぞれ形
成することにより貫通孔６３Ａを形成する（図２（Ａ）
〜図２（Ｄ））。

【００４７】さらにこの後、かくして形成された多層板
６３の一面側及び他面側からのめつき処理により１層目
及び４層目の導体層６４、６５をそれぞれ形成すると共
に、この際貫通孔６３Ａ内にも銅材を堆積させることに
より１層目及び４層目の各導体層６４、６５間を電気的
に接続する貫通スルーホール６６を形成し（図３
（Ａ））、この後１層目及び４層目の各導体層６４、６
５をそれぞれ所望パターンにパターニングする。

【００４８】従つてこの多層配線基板の製造方法によれ
ば、貫通スルーホール６６を形成するために必要なドリ
ル加工処理を、内層の各導体層間（２層目及び３層目の
各導体層５５、５６間）を導通接続するための貫通孔５
２Ａを穿設する際に一括して行うためドリル加工工程を
１回にまとめることができ、その分図４及び図５におい
て上述した積層法や、図８〜図１０において上述したフ
オトビア法に比べてより容易にかつ短時間で多層配線基
板を製造することができる。

【００４９】またこの多層配線基板の製造方法では、上
述のように全てのドリル加工を１工程で行うため、内層
及び外層の各導体層間（１層目及び２層目の各導体層６
４、５５間、３層目及び４層目の各導体層５６、６５
間）でのドリル位置合わせを必要としない。

【００５０】これに加えこの多層配線基板の製造方法で
は、両面銅張積層板５２に予め穿設された貫通孔５２Ｂ
を利用して貫通スルーホール６６を形成するようにして
いるため、例えば厚みのある多層板６３（図２（Ｄ））
を穿設する場合に使用する錐に比べて径の小さい錐（例
えば直径0.2 〔mm〕程度）を用いて両面銅張積層板５２
に貫通スルーホール６６用の貫通孔５２Ｂを穿設し得、
かつこの後この貫通孔５２Ｂの内面に例えば厚み0.05
〔μm 〕程度のめつき層５３Ｂを形成するため貫通孔６
３Ａの内径をさらに小さくすることができる。

【００５１】従つてこの多層配線基板の製造方法によれ
ば、貫通孔６３Ａを介した露光により各レジスト層５
７、６０に形成されるフオトビア５７Ｂ、６０Ｂを直径
0.10〜0.15〔mm〕程度に抑えることができるため、貫通
スルーホール６６の最外層におけるランド径を小さくす
ることができる。

【００５２】さらにこの多層配線基板の製造方法では、
両面銅張積層板５２の一面側及び他面側に順次形成され
るレジスト層５７、６０を当該両面銅張積層板５２に形
成されたスルーホール５３ＢＸを介して露光するように
してこれら各レジスト層５７、６０にスルーホール５３
ＢＸと連通するビアホール５７Ｂ、６０Ｂを形成するた
め、各レジスト層５７、６０と同じ側から露光する場合
に比べてマスク５９、６１の位置決め精度を粗くするこ
とができ、その分多層配線基板６７の製造工程を容易に
させ得る利点もある。

【００５３】以上の構成によれば、両面銅張積層板５２
の貫通スルーホール形成位置に貫通孔５２Ｂを穿設し、
当該貫通孔５２Ｂの内面にめつき層５３Ｂを形成した
後、当該両面銅張積層板５２の一面側及び他面側に順次
形成されるレジスト層５７、６０をこの貫通孔５２Ｂを
介してそれぞれ他面側又は一面側から順次露光するよう
にして貫通孔５２Ｂの真上及び真下位置にビアホール５
７Ｂ、６０Ｂをそれぞれ形成することにより貫通孔６３
Ａを形成し、この後かくして形成された多層板６３の一
面側及び他面側からのめつき処理により１層目及び４層
目の導体層６４、６５をそれぞれ形成すると共に、この
際貫通孔６３Ａ内にも銅材を堆積させるようにして貫通
スルーホール６６を形成するようにしたことにより、最
外の各導体層における貫通スルーホール６６のランド径
を小さくすることができ、かくして高密度実装に十分に
対応し得る多層配線基板の製造方法を実現できる。

【００５４】なお上述の実施例においては、本発明を導
体層６４、５５、５６、６５が４層の多層配線基板６７
を製造する際に適用するようにした場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、４層以外の多層配線基板を
製造する場合にも適用することができる。実際上本発明
を用いて４層以上の多層配線基板を形成する場合、最終
的に貫通スルーホール用の貫通孔内に銅材を堆積させ又
はスルーホールめつきを形成するまで当該貫通孔がフオ
トレジストや銅めつき等により塞がれないように、裏面
露光によりフオトビアホールが形成できるランド径にす
る必要があるが、光を通過させることができるのであれ
ば最終的に貫通スルーホール用の貫通孔内に銅材を堆積
させ又はスルーホールめつきを形成するまでの間に光透
過性物質が充填された状態にあつても良い。

【００５５】また上述の実施例においては、両面銅張積
層板５２の一面側及び他面側に順次導体層６４、５５、
５６、６５を積層形成するようにした場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、片面銅張積層板の銅箔が
張りつけられた一面上に順次導体層を積層形成するよう
にしても良く、形成される多層配線基板のベースとなる
基板（これをベース基板と呼ぶ）としてはこの他種々の
ベース基板を適用できる。

【００５６】さらに上述の実施例においては、両面銅張
積層板５２の一面側及び他面側に形成されるレジスト層
５７、６０を両面銅張積層板５２の異なる両側から露光
するようにしてスルーホール５３ＢＸと連通するビアホ
ール５７Ｂ、６０Ｂを形成するようにした場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、これらレジスト層５
７、６０を両面銅張積層５２の同じ面側から露光してビ
アホール５７Ｂ、６０Ｂを形成するようにしても良い。

【００５７】

【発明の効果】上述のように本発明によれば、一面及び
又は他面に導電材でなる導体層が積層されたベース基板
の貫通スルーホール形成位置に貫通孔を穿設すると共
に、ベース基板の導体層をパターニングする第１の工程
と、ベース基板の導体層上にフオトレジストでなるレジ
スト層を積層する第２の工程と、レジスト層を所定パタ
ーンに露光し、現像することによりベース基板の貫通孔
と連通するようにレジスト層にビアホールを形成する第
３の工程とを設けるようにしたことにより、ドリル加工
工程を１度にまとめて行い得ると共に、最外の導体層に
おける貫通スルーホールのランド径を小さくすることが
でき、かくして高密度実装に十分に対応し得る多層配線
基板の製造方法を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例による多層配線基板の製造手順を示す断
面図である。

【図２】実施例による多層配線基板の製造手順を示す断
面図である。

【図３】実施例による多層配線基板の製造手順を示す断
面図である。

【図４】従来の積層による多層配線基板の製造手順を示
す断面図である。

【図５】従来の積層による多層配線基板の製造手順を示
す断面図である。

【図６】テンテイング法によるパターン形成手順を示す
断面図である。

【図７】テンテイング法によるパターン形成手順を示す
断面図である。

【図８】従来のフオトビア基板の製造手順を示す断面図
である。

【図９】従来のフオトビア基板の製造手順を示す断面図
である。

【図１０】従来のフオトビア基板の製造手順を示す断面
図である。

【符号の説明】

５２……両面銅張積層板、５２Ａ、５２Ｂ、６３Ａ……
貫通孔、５３ＡＸ、５３ＢＸ……スルーホール、５５、
５６、６４、６５……導体層、５７、６０……レジスト
層、５７Ａ、６０Ａ……ビアホール、５８、５９、６
１、６２……マスク、６３Ａ……貫通孔、６６……貫通
スルーホール、６７……多層配線基板。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一面及び又は他面に導電材でなる導体層が
   積層されたベース基板の貫通スルーホール形成位置に貫
   通孔を穿設すると共に、上記ベース基板の上記導体層を
   パターニングする第１の工程と、 上記ベース基板の上記導体層上にフオトレジストでなる
   レジスト層を積層形成する第２の工程と、 上記レジスト層を所定パターンに露光し、現像すること
   により上記ベース基板の上記貫通孔と連通するように上
   記レジスト層にビアホールを形成する第３の工程とを具
   えることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
2. 【請求項２】上記第３の工程では、上記ベース基板の上
   記貫通孔と連通する上記ビアホールを形成するための上
   記レジスト層の露光を、上記ベース基板の上記レジスト
   層とは異なる面側から上記ベース基板の上記貫通孔を介
   して行うことを特徴とする請求項１に記載の多層配線基
   板の製造方法。