JPH09202974A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH09202974A JPH09202974A JP2984596A JP2984596A JPH09202974A JP H09202974 A JPH09202974 A JP H09202974A JP 2984596 A JP2984596 A JP 2984596A JP 2984596 A JP2984596 A JP 2984596A JP H09202974 A JPH09202974 A JP H09202974A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】薄膜形成装置において、反応室内部におけるプ
ラズマ密度が不均一になるため、被薄膜形成対象物上に
形成される膜厚分布が不均一になると共に膜質が低下す
る問題があつた。 【解決手段】反応室（１２）のガス導入口（１４Ａ）と
反応室（１２）の内部に設置された電極（１８）との間
に絶縁性でなるガス拡散部材（２０）を配置し、ガス導
入口（１４Ａ）を通じて導入される反応ガス（１５）を
ガス拡散部材（２０）で拡散させて電極（１８）側に流
出させる。これにより、反応ガス（１５）を反応室（１
２）内部にほぼ均一に拡散させることができるので、被
薄膜形成対象物（１６）上に形成される膜厚をほぼ均一
にし得ると共に膜質を向上させることができ、かくして
信頼性を向上し得る薄膜形成装置（１０）を実現するこ
とができる。
ラズマ密度が不均一になるため、被薄膜形成対象物上に
形成される膜厚分布が不均一になると共に膜質が低下す
る問題があつた。 【解決手段】反応室（１２）のガス導入口（１４Ａ）と
反応室（１２）の内部に設置された電極（１８）との間
に絶縁性でなるガス拡散部材（２０）を配置し、ガス導
入口（１４Ａ）を通じて導入される反応ガス（１５）を
ガス拡散部材（２０）で拡散させて電極（１８）側に流
出させる。これにより、反応ガス（１５）を反応室（１
２）内部にほぼ均一に拡散させることができるので、被
薄膜形成対象物（１６）上に形成される膜厚をほぼ均一
にし得ると共に膜質を向上させることができ、かくして
信頼性を向上し得る薄膜形成装置（１０）を実現するこ
とができる。
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 発明の属する技術分野 従来の技術（図７） 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段 発明の実施の形態（図１〜図６） 発明の効果
【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜形成装置に関
し、特にプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition
）装置に適用して好適なものである。
し、特にプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition
）装置に適用して好適なものである。
【０００３】
【従来の技術】従来、この種のプラズマＣＶＤ装置は、
減圧下において反応ガスのプラズマ放電分解によつて基
板上に薄膜を形成するようになされており、比較的低温
下でＣＶＤ反応が成立する特徴をもつている。
減圧下において反応ガスのプラズマ放電分解によつて基
板上に薄膜を形成するようになされており、比較的低温
下でＣＶＤ反応が成立する特徴をもつている。
【０００４】従来のプラズマＣＶＤ装置の一構成例を図
７に示す。このプラズマＣＶＤ装置１は、金属でなる箱
型の真空室２内部に例えば金属でなる円筒形の反応管３
が設けられている。この真空室２の下端部には当該真空
室２内部を真空状態にするための排気管４が取り付けら
れている。反応管３の上端部には、真空室２の上端部を
介してガス導入管５が取り付けられており、当該ガス導
入管５を通じて反応ガス６が反応管３内部に導入される
ようになされている。
７に示す。このプラズマＣＶＤ装置１は、金属でなる箱
型の真空室２内部に例えば金属でなる円筒形の反応管３
が設けられている。この真空室２の下端部には当該真空
室２内部を真空状態にするための排気管４が取り付けら
れている。反応管３の上端部には、真空室２の上端部を
介してガス導入管５が取り付けられており、当該ガス導
入管５を通じて反応ガス６が反応管３内部に導入される
ようになされている。
【０００５】また反応管３はガス導入管５が取り付けら
れた上端部と対向する側に開口部を有し、この開口部と
所定の間隔になるように金属やシリコン等の導電性でな
る板状の基板７が支持部材（図示せず）によつて支持さ
れている。さらに反応管３の内部には基板７に対向する
ようにメツシユ状の電極８が設置されており、当該電極
８と基板７は真空室２の外部に設置されている電源９に
接続されている。
れた上端部と対向する側に開口部を有し、この開口部と
所定の間隔になるように金属やシリコン等の導電性でな
る板状の基板７が支持部材（図示せず）によつて支持さ
れている。さらに反応管３の内部には基板７に対向する
ようにメツシユ状の電極８が設置されており、当該電極
８と基板７は真空室２の外部に設置されている電源９に
接続されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで実際上、この
プラズマＣＶＤ装置１を用いて基板７上に薄膜を形成す
る際には、まず例えば真空ポンプ（図示せず）によつて
排気管４から真空室２内部を排気して真空室２内部を真
空状態にする。次にガス導入管５を介して反応ガス（例
えばメタン（ＣＨ4 ）、エチレン（Ｃ2 Ｈ4 ）又はベン
ゼン（Ｃ6 Ｈ6 ）等の炭化水素ガス）６を反応管３内部
に導入すると共に、電源９によつて基板７及び電極８間
に電圧を印加して反応管３内部にプラズマを発生させ
る。これによりプラズマ中のラジカル及びイオン等が基
板７側に加速されて基板７に衝突し、この衝突によつて
基板７の表面にダイアモンド状カーボン膜が形成され
る。
プラズマＣＶＤ装置１を用いて基板７上に薄膜を形成す
る際には、まず例えば真空ポンプ（図示せず）によつて
排気管４から真空室２内部を排気して真空室２内部を真
空状態にする。次にガス導入管５を介して反応ガス（例
えばメタン（ＣＨ4 ）、エチレン（Ｃ2 Ｈ4 ）又はベン
ゼン（Ｃ6 Ｈ6 ）等の炭化水素ガス）６を反応管３内部
に導入すると共に、電源９によつて基板７及び電極８間
に電圧を印加して反応管３内部にプラズマを発生させ
る。これによりプラズマ中のラジカル及びイオン等が基
板７側に加速されて基板７に衝突し、この衝突によつて
基板７の表面にダイアモンド状カーボン膜が形成され
る。
【０００７】ところが反応管３内は分子流領域のためガ
ス導入管４から導入された反応ガス６は反応管３の開口
部と基板７との隙間に向かつて直線的に流れる。このた
め反応ガス６は電極８の一部分を集中的に通過すること
になるので、反応ガス６のプラズマ化の効率が低下し、
これにより反応管３内部におけるプラズマ密度が不均一
になる。
ス導入管４から導入された反応ガス６は反応管３の開口
部と基板７との隙間に向かつて直線的に流れる。このた
め反応ガス６は電極８の一部分を集中的に通過すること
になるので、反応ガス６のプラズマ化の効率が低下し、
これにより反応管３内部におけるプラズマ密度が不均一
になる。
【０００８】この結果、基板７上に形成される膜厚分布
が不均一になると共に膜質が低下し、基板７上に形成さ
れた薄膜の信頼性が低下する問題があつた。また反応ガ
ス６が電極８の一部分にしか集中的に通過しないため、
電極８の反応ガス６が集中的に通過する部分が他の部分
より早く汚れることになり、この結果電極８の寿命が短
くなると共に異常放電が発生し易くなる問題があつた。
が不均一になると共に膜質が低下し、基板７上に形成さ
れた薄膜の信頼性が低下する問題があつた。また反応ガ
ス６が電極８の一部分にしか集中的に通過しないため、
電極８の反応ガス６が集中的に通過する部分が他の部分
より早く汚れることになり、この結果電極８の寿命が短
くなると共に異常放電が発生し易くなる問題があつた。
【０００９】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、信頼性を向上し得る薄膜形成装置を提案しようとす
るものである。
で、信頼性を向上し得る薄膜形成装置を提案しようとす
るものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、反応室の内部にガス導入口を通じ
て薄膜材料でなる反応ガスを導入し、反応室の内部に設
置された電極と、当該電極に対向する位置に配置された
被薄膜形成対象物との間に電圧を印加して反応ガスをプ
ラズマ化させて被薄膜形成対象物上に供給することによ
り、被薄膜形成対象物上に反応ガスに応じた薄膜を形成
する薄膜形成装置において、ガス導入口及び電極間に配
置された絶縁性でなるガス拡散部材によつて、ガス導入
管を通じて導入される反応ガスを拡散させて電極側に流
出させる。
め本発明においては、反応室の内部にガス導入口を通じ
て薄膜材料でなる反応ガスを導入し、反応室の内部に設
置された電極と、当該電極に対向する位置に配置された
被薄膜形成対象物との間に電圧を印加して反応ガスをプ
ラズマ化させて被薄膜形成対象物上に供給することによ
り、被薄膜形成対象物上に反応ガスに応じた薄膜を形成
する薄膜形成装置において、ガス導入口及び電極間に配
置された絶縁性でなるガス拡散部材によつて、ガス導入
管を通じて導入される反応ガスを拡散させて電極側に流
出させる。
【００１１】ガス導入口を通じて導入された反応ガスは
ガス拡散部材に当たつてガス拡散部材と真空室のガス導
入口側との間で乱反射するので、反応ガスは拡散した状
態で電極側に流出する。これにより反応ガスを反応室内
部にほぼ均一に拡散させることができるので、被薄膜形
成対象物上に形成される薄膜の膜厚をほぼ均一にし得る
と共に膜質を向上させることができる。
ガス拡散部材に当たつてガス拡散部材と真空室のガス導
入口側との間で乱反射するので、反応ガスは拡散した状
態で電極側に流出する。これにより反応ガスを反応室内
部にほぼ均一に拡散させることができるので、被薄膜形
成対象物上に形成される薄膜の膜厚をほぼ均一にし得る
と共に膜質を向上させることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
施例を詳述する。
【００１３】図１（Ａ）及び（Ｂ）において、１０は全
体として本発明の実施例によるプラズマＣＶＤ装置を示
し、例えば金属でなる箱型の真空室１１内部に金属でな
る円筒形の反応管１２が設けられている。この真空室１
１の下端部には当該真空室１１内部を真空状態にするた
めの排気管１３が取り付けられている。反応管１２の上
端部１２Ａにはガス導入口１４Ａが形成されており、こ
のガス導入口１４Ａには、真空室１１の上端部１１Ａを
介してガス導入管１４が取り付けられている。反応ガス
１５はこのガス導入管１４を通じて反応管１２内部に導
入されるようになされている。
体として本発明の実施例によるプラズマＣＶＤ装置を示
し、例えば金属でなる箱型の真空室１１内部に金属でな
る円筒形の反応管１２が設けられている。この真空室１
１の下端部には当該真空室１１内部を真空状態にするた
めの排気管１３が取り付けられている。反応管１２の上
端部１２Ａにはガス導入口１４Ａが形成されており、こ
のガス導入口１４Ａには、真空室１１の上端部１１Ａを
介してガス導入管１４が取り付けられている。反応ガス
１５はこのガス導入管１４を通じて反応管１２内部に導
入されるようになされている。
【００１４】また反応管１２は上端部１２Ａと対向する
側に開口部を有し、この開口部と所定の間隔になるよう
に金属やシリコン等の導電性でなる板状の基板１６が複
数の支持部材１７によつて支持されている。さらに反応
管１２の内部には基板１６に対向するようにメツシユ状
の電極１８が設置されており、当該電極１８と基板１６
は真空室１１の外部に設置されている電源１９に接続さ
れている。
側に開口部を有し、この開口部と所定の間隔になるよう
に金属やシリコン等の導電性でなる板状の基板１６が複
数の支持部材１７によつて支持されている。さらに反応
管１２の内部には基板１６に対向するようにメツシユ状
の電極１８が設置されており、当該電極１８と基板１６
は真空室１１の外部に設置されている電源１９に接続さ
れている。
【００１５】さらに反応管１２内部には、反応管１２の
ガス導入口１４Ａと電極１８との間にプラスチツク又は
セラミツク等の絶縁性部材でなる円盤状のガス拡散板２
０が設けられている。このガス拡散板２０には所定の径
を有する複数の貫通穴２０Ａが全面に亘つて穿設されて
おり、ガス拡散板２０はガス導入管１４を通じて反応ガ
ス１５が反応管１２内部に導入された際、当該複数の貫
通穴２０Ａを介して反応ガスを電極１８側に流出させる
ようになされている。
ガス導入口１４Ａと電極１８との間にプラスチツク又は
セラミツク等の絶縁性部材でなる円盤状のガス拡散板２
０が設けられている。このガス拡散板２０には所定の径
を有する複数の貫通穴２０Ａが全面に亘つて穿設されて
おり、ガス拡散板２０はガス導入管１４を通じて反応ガ
ス１５が反応管１２内部に導入された際、当該複数の貫
通穴２０Ａを介して反応ガスを電極１８側に流出させる
ようになされている。
【００１６】電源１９は、反応管１２の開口部と基板１
６との隙間から真空室１１内に放出されて排気管１３か
ら反応ガス１５が排気されたときに真空室１１と反応管
１２との間に所定の圧力差が生じた際、基板１６及び電
極１８間に１〜３〔ｋＶ〕の電圧を印加する。この結
果、反応管１２内部に導入された反応ガス１５がプラズ
マ化され、プラズマ中のラジカル及びイオン等が基板１
６に衝突する。
６との隙間から真空室１１内に放出されて排気管１３か
ら反応ガス１５が排気されたときに真空室１１と反応管
１２との間に所定の圧力差が生じた際、基板１６及び電
極１８間に１〜３〔ｋＶ〕の電圧を印加する。この結
果、反応管１２内部に導入された反応ガス１５がプラズ
マ化され、プラズマ中のラジカル及びイオン等が基板１
６に衝突する。
【００１７】以上の構成において、このプラズマＣＶＤ
装置１０では、まず真空ポンプ（図示せず）によつて排
気管１３から真空室１１内部を排気して真空室１１内部
を真空状態にする。次にガス導入管１４を介して反応ガ
ス（例えばメタン（ＣＨ4 ）、エチレン（Ｃ2 Ｈ4 ）又
はベンゼン（Ｃ6 Ｈ6 ）等の炭化水素ガス）１５を反応
管１２内部に導入する。
装置１０では、まず真空ポンプ（図示せず）によつて排
気管１３から真空室１１内部を排気して真空室１１内部
を真空状態にする。次にガス導入管１４を介して反応ガ
ス（例えばメタン（ＣＨ4 ）、エチレン（Ｃ2 Ｈ4 ）又
はベンゼン（Ｃ6 Ｈ6 ）等の炭化水素ガス）１５を反応
管１２内部に導入する。
【００１８】この場合、反応ガス１５はガス拡散板２０
に当たつて反応管１２の上端部１２Ａとガス拡散板２０
との間で乱反射して反応管１２の上端面１２Ａとガス拡
散板２０との間に拡散し、拡散した反応ガス１５はガス
拡散板２０の全面に亘つて穿設された各貫通穴２０Ａを
介して電極１８側に流出するので、反応ガス１５を反応
管１２内部にほぼ均一に拡散させることができる。この
結果反応ガス１５を電極１８のほぼ全体に亘つて通過さ
せることができるので電極１９の寿命を従来に比して延
ばすことができると共に、異常放電の発生頻度を従来に
比して低減することができる。
に当たつて反応管１２の上端部１２Ａとガス拡散板２０
との間で乱反射して反応管１２の上端面１２Ａとガス拡
散板２０との間に拡散し、拡散した反応ガス１５はガス
拡散板２０の全面に亘つて穿設された各貫通穴２０Ａを
介して電極１８側に流出するので、反応ガス１５を反応
管１２内部にほぼ均一に拡散させることができる。この
結果反応ガス１５を電極１８のほぼ全体に亘つて通過さ
せることができるので電極１９の寿命を従来に比して延
ばすことができると共に、異常放電の発生頻度を従来に
比して低減することができる。
【００１９】この後、反応ガス１５は反応管１２の開口
部と基板１６との隙間から真空室１１内に流れ込んで排
気管１３から排気される。このとき反応管１２の開口部
と基板１６とのコンダクタンスによつて真空室１１と反
応管１２とは２〜３桁程度の圧力差を生ずる。この状態
で圧力が安定した後、電源１９によつて１〜３〔ｋＶ〕
の電圧を基板１６及び電極１８間に印加して反応管１２
内部にプラズマを発生させる。このとき反応ガス１５は
反応管１２内部にほぼ均一に拡散されているので、反応
ガス１５のプラズマ化の効率性を向上させることができ
る。
部と基板１６との隙間から真空室１１内に流れ込んで排
気管１３から排気される。このとき反応管１２の開口部
と基板１６とのコンダクタンスによつて真空室１１と反
応管１２とは２〜３桁程度の圧力差を生ずる。この状態
で圧力が安定した後、電源１９によつて１〜３〔ｋＶ〕
の電圧を基板１６及び電極１８間に印加して反応管１２
内部にプラズマを発生させる。このとき反応ガス１５は
反応管１２内部にほぼ均一に拡散されているので、反応
ガス１５のプラズマ化の効率性を向上させることができ
る。
【００２０】かくして基板１６及び電極１８間の電位差
と真空室１１及び反応管１２の圧力差によつてプラズマ
中のラジカル及びイオン等が基板１６側に加速されて基
板１６に衝突し、この衝突によつて基板１６の表面にダ
イアモンド状カーボン膜が形成される。
と真空室１１及び反応管１２の圧力差によつてプラズマ
中のラジカル及びイオン等が基板１６側に加速されて基
板１６に衝突し、この衝突によつて基板１６の表面にダ
イアモンド状カーボン膜が形成される。
【００２１】従つてこのプラズマＣＶＤ装置１０では、
ガス導入管１４から導入される反応ガス１５を反応管１
２内部にほぼ均一に拡散させることができるので、基板
１６上に均一に薄膜を形成し得ると共に膜質を向上させ
ることができる。
ガス導入管１４から導入される反応ガス１５を反応管１
２内部にほぼ均一に拡散させることができるので、基板
１６上に均一に薄膜を形成し得ると共に膜質を向上させ
ることができる。
【００２２】以上の構成によれば、反応管１２のガス導
入口１４Ａと電極１８との間に複数の貫通穴２０Ａが全
面に亘つて穿設されたガス拡散板２０を設けてガス拡散
板２０で反応ガス１５を乱反射させて各貫通穴２０Ａか
ら反応ガス１５を電極１８側に流出させるようにしたこ
とにより、ガス導入管１４から導入される反応ガス１５
を反応管１２内部にほぼ均一に拡散させることができる
ので、基板１６上に均一に薄膜を形成し得ると共に膜質
を向上させることができ、かくして信頼性を向上し得る
プラズマＣＶＤ装置を実現し得る。
入口１４Ａと電極１８との間に複数の貫通穴２０Ａが全
面に亘つて穿設されたガス拡散板２０を設けてガス拡散
板２０で反応ガス１５を乱反射させて各貫通穴２０Ａか
ら反応ガス１５を電極１８側に流出させるようにしたこ
とにより、ガス導入管１４から導入される反応ガス１５
を反応管１２内部にほぼ均一に拡散させることができる
ので、基板１６上に均一に薄膜を形成し得ると共に膜質
を向上させることができ、かくして信頼性を向上し得る
プラズマＣＶＤ装置を実現し得る。
【００２３】なお上述の実施例においては、ガス拡散部
材として複数の貫通孔２０Ａが穿設された拡散板２０を
用いた場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
要は反応ガス１５を反応管１２内部にほぼ均一に拡散さ
せることができれば、ガス拡散部材としてこの他種々の
ガス拡散部材を適用し得る。例えば図１との対応部分に
同一符号を付して示す図２に示すように、角錐形状や円
錐形状のガス拡散板３０を用いて反応ガス１５を拡散さ
せるようにしてもよく、また図１との対応部分に同一符
号を付して示す図３に示すように、セラミツク等のポー
ラス（多孔性）状の板４０を用いても上述の実施例と同
様の効果を得ることができる。
材として複数の貫通孔２０Ａが穿設された拡散板２０を
用いた場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
要は反応ガス１５を反応管１２内部にほぼ均一に拡散さ
せることができれば、ガス拡散部材としてこの他種々の
ガス拡散部材を適用し得る。例えば図１との対応部分に
同一符号を付して示す図２に示すように、角錐形状や円
錐形状のガス拡散板３０を用いて反応ガス１５を拡散さ
せるようにしてもよく、また図１との対応部分に同一符
号を付して示す図３に示すように、セラミツク等のポー
ラス（多孔性）状の板４０を用いても上述の実施例と同
様の効果を得ることができる。
【００２４】さらに図１との対応部分に同一符号を付し
て示す図４に示すように、反応管１２の上端部１２Ａと
ガス拡散板２０との間にセラミツクやガラス、プラスチ
ツク等の絶縁性でなるビーズ５０を貫通穴２０Ａを塞が
ないように充填してもよく、また図１との対応部分に同
一符号を付して示す図５に示すように、反応管１２の上
端部１２Ａと電極１８との間に複数のガス拡散板２０を
配設するようにしても上述の実施例と同様の効果を得る
ことができる。この場合、各拡散板２０の各貫通穴２０
Ａがそれぞれ一致しないように各ガス拡散板２０に貫通
穴２０Ａを穿設する。これにより反応ガス１５を一段と
反応管１２内部に拡散させることができる。
て示す図４に示すように、反応管１２の上端部１２Ａと
ガス拡散板２０との間にセラミツクやガラス、プラスチ
ツク等の絶縁性でなるビーズ５０を貫通穴２０Ａを塞が
ないように充填してもよく、また図１との対応部分に同
一符号を付して示す図５に示すように、反応管１２の上
端部１２Ａと電極１８との間に複数のガス拡散板２０を
配設するようにしても上述の実施例と同様の効果を得る
ことができる。この場合、各拡散板２０の各貫通穴２０
Ａがそれぞれ一致しないように各ガス拡散板２０に貫通
穴２０Ａを穿設する。これにより反応ガス１５を一段と
反応管１２内部に拡散させることができる。
【００２５】また上述の実施例においては、薄膜形成対
象物として基板１６上に薄膜を形成した場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、薄膜形成対象物として
磁気テープ上に薄膜を形成するようにしてもよい。この
場合、図６に示すように巻取りリール６０及び巻出しリ
ール６１によつて磁気テープ６２を矢印ａで示す方向に
移動させて磁気テープ６２に薄膜を形成する。
象物として基板１６上に薄膜を形成した場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、薄膜形成対象物として
磁気テープ上に薄膜を形成するようにしてもよい。この
場合、図６に示すように巻取りリール６０及び巻出しリ
ール６１によつて磁気テープ６２を矢印ａで示す方向に
移動させて磁気テープ６２に薄膜を形成する。
【００２６】さらに上述の実施例においては、反応室と
して金属でなる円筒形の反応管１２を用いた場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、箱型の反応管１２
等この他種々の形状の反応室を用いてもよく、また材質
としてガラスやプラスチツク等でなる反応室を用いても
よい。さらに上述の実施例においては、真空室として箱
型の真空室１１を用いた場合について述べたが、本発明
はこれに限らず、円筒形の真空室１１等この他種々の形
状の真空室を用いてもよい。
して金属でなる円筒形の反応管１２を用いた場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、箱型の反応管１２
等この他種々の形状の反応室を用いてもよく、また材質
としてガラスやプラスチツク等でなる反応室を用いても
よい。さらに上述の実施例においては、真空室として箱
型の真空室１１を用いた場合について述べたが、本発明
はこれに限らず、円筒形の真空室１１等この他種々の形
状の真空室を用いてもよい。
【００２７】さらに上述の実施例においては、メツシユ
状の電極１８を用いた場合について述べたが、本発明は
これに限らず、板状の電極１８等この他種々の電極１８
を適用し得る。さらに上述の実施例においては、反応ガ
ス１５として炭化水素ガスを用いた場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、要は被薄膜形成対象物に形
成する薄膜の種類に応じた薄膜材料でなる反応ガスを用
いるようにする。
状の電極１８を用いた場合について述べたが、本発明は
これに限らず、板状の電極１８等この他種々の電極１８
を適用し得る。さらに上述の実施例においては、反応ガ
ス１５として炭化水素ガスを用いた場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、要は被薄膜形成対象物に形
成する薄膜の種類に応じた薄膜材料でなる反応ガスを用
いるようにする。
【００２８】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、ガス導入
口を通じて導入される反応ガスを拡散させて電極側に流
出させる絶縁性でなるガス拡散部材をガス導入口及び電
極間に配置したことにより、反応ガスを反応室内部にほ
ぼ均一に拡散させることができるので、被薄膜形成対象
物上に形成される薄膜の膜厚をほぼ均一にし得ると共に
膜質を向上させることができ、かくして信頼性を向上し
得る薄膜形成装置を実現し得る。
口を通じて導入される反応ガスを拡散させて電極側に流
出させる絶縁性でなるガス拡散部材をガス導入口及び電
極間に配置したことにより、反応ガスを反応室内部にほ
ぼ均一に拡散させることができるので、被薄膜形成対象
物上に形成される薄膜の膜厚をほぼ均一にし得ると共に
膜質を向上させることができ、かくして信頼性を向上し
得る薄膜形成装置を実現し得る。
【図１】本発明の実施例によるプラズマＣＶＤ装置の概
略構成を示す一部切欠斜視図（Ａ）及び断面図（Ｂ）で
ある。
略構成を示す一部切欠斜視図（Ａ）及び断面図（Ｂ）で
ある。
【図２】他の実施例によるプラズマＣＶＤ装置の概略構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図３】他の実施例によるプラズマＣＶＤ装置の概略構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図４】他の実施例によるプラズマＣＶＤ装置の概略構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図５】他の実施例によるプラズマＣＶＤ装置の概略構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図６】他の実施例によるプラズマＣＶＤ装置の概略構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図７】従来のプラズマＣＶＤ装置の概略構成を示す断
面図である。
面図である。
１０……プラズマＣＶＤ装置、１１……真空室、１２…
…反応管、１３……搬出管、１４……ガス導入管、１４
Ａ……ガス導入口、１５……反応ガス、１６……基板、
１７……支持部材、１８……電極、１９……電源、２
０、３０、４０……ガス拡散板、２０Ａ……貫通穴、５
０……ビーズ、６２……磁気テープ。
…反応管、１３……搬出管、１４……ガス導入管、１４
Ａ……ガス導入口、１５……反応ガス、１６……基板、
１７……支持部材、１８……電極、１９……電源、２
０、３０、４０……ガス拡散板、２０Ａ……貫通穴、５
０……ビーズ、６２……磁気テープ。
フロントページの続き (72)発明者 外崎 峰広 東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー 株式会社内 (72)発明者 本庄 禎治 東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー 株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】反応室の内部にガス導入口を通じて薄膜材
料でなる反応ガスを導入し、上記反応室の内部に設置さ
れた電極と、上記電極に対向する位置に配置された被薄
膜形成対象物との間に電圧を印加して上記反応ガスをプ
ラズマ化させて上記被薄膜形成対象物上に供給すること
により、上記被薄膜形成対象物上に上記反応ガスに応じ
た薄膜を形成する薄膜形成装置において、 上記ガス導入口及び上記電極間に配置され、上記ガス導
入口を通じて導入される上記反応ガスを拡散させて上記
電極側に流出させる絶縁性でなるガス拡散部材を具える
ことを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項２】上記ガス拡散部材は、角錐形状又は円錐形
状を有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成
装置。 - 【請求項３】上記ガス拡散部材は、多孔性部材でなるこ
とを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置。 - 【請求項４】上記ガス拡散部材は、複数の貫通穴を有す
ることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置。 - 【請求項５】上記ガス導入口及び上記ガス拡散部材間
に、各上記貫通穴を塞がないように球状でなる絶縁部材
を充填することを特徴とする請求項４に記載の薄膜形成
装置。 - 【請求項６】各上記貫通穴の穿設位置が互いに異なる複
数の上記ガス拡散部材を、上記ガス導入口及び上記電極
間に配置することを特徴とする請求項４に記載の薄膜形
成装置。 - 【請求項７】上記反応室を収容する真空室を具え、上記
薄膜形成時、上記真空室を真空引きすることを特徴とす
る請求項１に記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2984596A JPH09202974A (ja) | 1996-01-23 | 1996-01-23 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2984596A JPH09202974A (ja) | 1996-01-23 | 1996-01-23 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09202974A true JPH09202974A (ja) | 1997-08-05 |
Family
ID=12287342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2984596A Abandoned JPH09202974A (ja) | 1996-01-23 | 1996-01-23 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09202974A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002294453A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-09 | Anelva Corp | 基板処理装置 |
| WO2010001880A1 (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-07 | 株式会社ユーテック | プラズマｃｖｄ装置、ｄｌｃ膜及び薄膜の製造方法 |
| WO2019202690A1 (ja) * | 2018-04-18 | 2019-10-24 | 株式会社エス・ティ・ジャパン | レーザーアブレーション用のセルおよび分析装置 |
-
1996
- 1996-01-23 JP JP2984596A patent/JPH09202974A/ja not_active Abandoned
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002294453A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-09 | Anelva Corp | 基板処理装置 |
| WO2010001880A1 (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-07 | 株式会社ユーテック | プラズマｃｖｄ装置、ｄｌｃ膜及び薄膜の製造方法 |
| WO2019202690A1 (ja) * | 2018-04-18 | 2019-10-24 | 株式会社エス・ティ・ジャパン | レーザーアブレーション用のセルおよび分析装置 |
| JPWO2019202690A1 (ja) * | 2018-04-18 | 2021-05-20 | 株式会社エス・テイ・ジャパン | レーザーアブレーション用のセルおよび分析装置 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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Effective date: 20051212 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 |