JPH09203676A - 圧力センサー - Google Patents
圧力センサーInfo
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- JPH09203676A JPH09203676A JP1235696A JP1235696A JPH09203676A JP H09203676 A JPH09203676 A JP H09203676A JP 1235696 A JP1235696 A JP 1235696A JP 1235696 A JP1235696 A JP 1235696A JP H09203676 A JPH09203676 A JP H09203676A
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- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】小型化，省実装面積化を図った圧力センサーを
提供する。 【解決手段】センサー本体１は、三次元立体配線基板(
Molded Circuit Board) として形成されており、センサ
ー本体１の表面にはセンサーチップ４ａを実装するため
の凹所１２が形成され、裏面にはセンサーチップ４ａ下
面の凹部４ｂに圧力を導入するための圧力導入口１４が
形成されている。また、センサー本体１の表面及び裏面
には、第１及び第２の電極２ａ，２ｂがそれぞれ形成さ
れており、センサー本体１の側面に形成された配線（図
示せず）によって接続されている。ここで、凹所１２の
内側壁面には例えば６０°の斜面１１が形成されてお
り、斜面１１上には第１及び第２の電極２ａ，２ｂ間の
配線パターン１７が形成され、ワイヤ５を用いてセンサ
ーチップ４ａに接続されている。
提供する。 【解決手段】センサー本体１は、三次元立体配線基板(
Molded Circuit Board) として形成されており、センサ
ー本体１の表面にはセンサーチップ４ａを実装するため
の凹所１２が形成され、裏面にはセンサーチップ４ａ下
面の凹部４ｂに圧力を導入するための圧力導入口１４が
形成されている。また、センサー本体１の表面及び裏面
には、第１及び第２の電極２ａ，２ｂがそれぞれ形成さ
れており、センサー本体１の側面に形成された配線（図
示せず）によって接続されている。ここで、凹所１２の
内側壁面には例えば６０°の斜面１１が形成されてお
り、斜面１１上には第１及び第２の電極２ａ，２ｂ間の
配線パターン１７が形成され、ワイヤ５を用いてセンサ
ーチップ４ａに接続されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧力を検出して、
電気的信号に変換する圧力センサーに関するものであ
る。
電気的信号に変換する圧力センサーに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ピエゾ抵抗素子等を利用して
圧力を電気信号に変換する圧力センサーがあり、図６
（ａ）（ｂ）に示すように、センサー本体１と、センサ
ー本体１の表面に設けられた凹所１２と、凹所１２の底
に台座６を介して配設されたダイアフラム構造のセンサ
ーチップ４ａと、センサーチップ４ａの下面に形成され
た凹部４ｂに圧力を導入するためにセンサー本体１に形
成された圧力導入口１４と、センサー本体１と同時成形
により設けられたリード９と、センサーチップ４ａ及び
リード９にワイヤボンディングされたワイヤ５とから構
成されている。さらに、この圧力センサーでは、センサ
ーチップ４ａとワイヤ５との接点を保護するためにセン
サーチップ４ａの表面にシリコン７を塗布し，硬化させ
ている。この圧力センサーでは、センサーチップ４ａの
表面に圧力検出用の素子が形成されており、センサーチ
ップ４ａの上・下面の差圧を検出している。
圧力を電気信号に変換する圧力センサーがあり、図６
（ａ）（ｂ）に示すように、センサー本体１と、センサ
ー本体１の表面に設けられた凹所１２と、凹所１２の底
に台座６を介して配設されたダイアフラム構造のセンサ
ーチップ４ａと、センサーチップ４ａの下面に形成され
た凹部４ｂに圧力を導入するためにセンサー本体１に形
成された圧力導入口１４と、センサー本体１と同時成形
により設けられたリード９と、センサーチップ４ａ及び
リード９にワイヤボンディングされたワイヤ５とから構
成されている。さらに、この圧力センサーでは、センサ
ーチップ４ａとワイヤ５との接点を保護するためにセン
サーチップ４ａの表面にシリコン７を塗布し，硬化させ
ている。この圧力センサーでは、センサーチップ４ａの
表面に圧力検出用の素子が形成されており、センサーチ
ップ４ａの上・下面の差圧を検出している。
【０００３】また、図７（ａ）（ｂ）に示すように、リ
ード９を同時成形により設けたセンサー本体１と、セン
サー本体１の表面に設けられた凹所１２と、凹所１２の
底に台座６を介して配設され，表面に圧力検出用素子が
形成されたダイアフラム構造のセンサーチップ４ａと、
センサーチップ４ａとリード９とを接続するワイヤ５
と、凹所１２に滴下されたシリコン７とから構成される
圧力センサーもある。センサーチップ４ａの下面には凹
部４ｂが設けられており、センサーチップ４ａは凹所１
２から導入された絶対圧力を検出している。
ード９を同時成形により設けたセンサー本体１と、セン
サー本体１の表面に設けられた凹所１２と、凹所１２の
底に台座６を介して配設され，表面に圧力検出用素子が
形成されたダイアフラム構造のセンサーチップ４ａと、
センサーチップ４ａとリード９とを接続するワイヤ５
と、凹所１２に滴下されたシリコン７とから構成される
圧力センサーもある。センサーチップ４ａの下面には凹
部４ｂが設けられており、センサーチップ４ａは凹所１
２から導入された絶対圧力を検出している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記構成の圧力センサ
ーでは、センサー本体に同時成形したリードを曲げて実
装するので、リードを曲げるのに必要なクリアランスを
設ける必要があり、圧力センサーの小型化，省実装面積
化に限界があるという問題点があった。本発明は上記問
題点に鑑みて為されたものであり、請求項１の発明の目
的は、小型化，省実装面積化を図った圧力センサーを提
供することにある。
ーでは、センサー本体に同時成形したリードを曲げて実
装するので、リードを曲げるのに必要なクリアランスを
設ける必要があり、圧力センサーの小型化，省実装面積
化に限界があるという問題点があった。本発明は上記問
題点に鑑みて為されたものであり、請求項１の発明の目
的は、小型化，省実装面積化を図った圧力センサーを提
供することにある。
【０００５】請求項２の発明の目的は、小型化を図ると
ともに，センサーチップが密閉されるのを防止した圧力
センサーを提供することにある。請求項３の発明の目的
は、小型化を図るとともに，実装面を選択できる圧力セ
ンサーを提供することにある。請求項４の発明の目的
は、小型化を図るとともに，半田付け時，及び，実装時
の作業性を向上させた圧力センサーを提供することにあ
る。
ともに，センサーチップが密閉されるのを防止した圧力
センサーを提供することにある。請求項３の発明の目的
は、小型化を図るとともに，実装面を選択できる圧力セ
ンサーを提供することにある。請求項４の発明の目的
は、小型化を図るとともに，半田付け時，及び，実装時
の作業性を向上させた圧力センサーを提供することにあ
る。
【０００６】請求項５の発明の目的は、小型化，省実装
面積化を図った絶対圧検出用の圧力センサーを提供する
ことにある。
面積化を図った絶対圧検出用の圧力センサーを提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明では、三
次元立体回路基板としてセンサー本体を形成し、センサ
ー本体の表面にセンサーチップを実装するための凹所を
形成し、凹所の内側面に略６０度以上９０度未満の斜度
を有する配線用の斜面を形成するとともに、センサー本
体の表裏両面に設けられた電極間の配線パターンを斜面
上に形成しているので、露光法又はレーザー法を用いて
斜面上に配線パターンを形成することができる。
次元立体回路基板としてセンサー本体を形成し、センサ
ー本体の表面にセンサーチップを実装するための凹所を
形成し、凹所の内側面に略６０度以上９０度未満の斜度
を有する配線用の斜面を形成するとともに、センサー本
体の表裏両面に設けられた電極間の配線パターンを斜面
上に形成しているので、露光法又はレーザー法を用いて
斜面上に配線パターンを形成することができる。
【０００８】請求項２の発明では、請求項１の発明にお
いて、凹所を覆う蓋を載置する段付部を凹所に形成し、
斜面を段付部よりも深く形成することにより、斜面と段
付部との間に凹所の密閉防止用の隙間を形成しているの
で、簡単な構成で凹所が密閉されるのを防止できる。請
求項３の発明では、請求項１の発明において、センサー
本体の表裏両面に設けられた各電極の接着面積を等しく
しているので、何れの面の電極を用いてセンサー本体を
接着しても、同等の接着強度を得ることができる。
いて、凹所を覆う蓋を載置する段付部を凹所に形成し、
斜面を段付部よりも深く形成することにより、斜面と段
付部との間に凹所の密閉防止用の隙間を形成しているの
で、簡単な構成で凹所が密閉されるのを防止できる。請
求項３の発明では、請求項１の発明において、センサー
本体の表裏両面に設けられた各電極の接着面積を等しく
しているので、何れの面の電極を用いてセンサー本体を
接着しても、同等の接着強度を得ることができる。
【０００９】請求項４の発明では、請求項１の発明にお
いて、センサー本体に位置決め用の突起を形成している
ので、センサー本体の位置を容易に決めることができ
る。請求項５の発明では、三次元立体回路基板としてセ
ンサー本体を形成し、センサー本体の表面にセンサーチ
ップを実装するための凹所を形成し、凹所の内側面に略
６０度以上９０度未満の斜度を有する配線用の斜面を形
成するとともに、センサー本体の表裏両面に設けられた
電極間の配線パターンを斜面上に形成し、凹所を受圧面
としているので、露光法又はレーザー法を用いて斜面上
に配線パターンを形成することができる。
いて、センサー本体に位置決め用の突起を形成している
ので、センサー本体の位置を容易に決めることができ
る。請求項５の発明では、三次元立体回路基板としてセ
ンサー本体を形成し、センサー本体の表面にセンサーチ
ップを実装するための凹所を形成し、凹所の内側面に略
６０度以上９０度未満の斜度を有する配線用の斜面を形
成するとともに、センサー本体の表裏両面に設けられた
電極間の配線パターンを斜面上に形成し、凹所を受圧面
としているので、露光法又はレーザー法を用いて斜面上
に配線パターンを形成することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、図面を参
照して説明する。 （実施形態１）本実施形態の圧力センサーは、図１
（ａ）〜（ｃ）に示すように、三次元立体回路基板とし
て形成したセンサー本体１と、センサー本体１の表面に
設けられた凹所１２と、凹所１２の底に台座６を介して
配設され，表面にピエゾ抵抗素子等の圧力検出用素子が
形成されたダイアフラム構造のセンサーチップ４ａと、
センサー本体１の表面に形成された第１の電極２ａと、
センサー本体１の裏面に形成された第２の電極２ｂと、
センサーチップ４ａの下面に形成された凹部４ｂに圧力
を導入するためにセンサー本体１の裏面に設けられた圧
力導入口１４と、凹所１２の両側面に形成された例えば
６０度の斜度の斜面１１と、第１の電極２ａからセンサ
ーチップ４ａに配線を引き回すために斜面１１にレーザ
ー法又は露光法を用いて形成された配線パターン１７
と、センサーチップ４ａと配線パターン１７とを接続す
るためにワイヤボンディングされたワイヤ５と、センサ
ーチップ４ａとワイヤ５との接点を保護するためにセン
サーチップ４ａの表面に形成されたシリコン７と、斜面
１１の中段に形成された段付部１３と、段付部１３に配
設された蓋３とから構成され、第１及び第２の電極２
ａ，２ｂはセンサー本体１の外側面に形成された配線
（図示せず）によって接続されている。また、蓋３を配
設するために設けられた段付部１３では、斜面１１が段
付部１３よりも深く堀り込まれており、斜面１１と段付
部１３との間に隙間１８が形成されているので、蓋３を
配設した後も、凹所１２に配設されたセンサーチップ４
ａは外部から密閉されることがない。ここで、表面に圧
力検出用の素子が形成されたセンサーチップ４ａは、下
面に設けられた凹部４ｂの圧力と、上面の圧力との差圧
を検出している。
照して説明する。 （実施形態１）本実施形態の圧力センサーは、図１
（ａ）〜（ｃ）に示すように、三次元立体回路基板とし
て形成したセンサー本体１と、センサー本体１の表面に
設けられた凹所１２と、凹所１２の底に台座６を介して
配設され，表面にピエゾ抵抗素子等の圧力検出用素子が
形成されたダイアフラム構造のセンサーチップ４ａと、
センサー本体１の表面に形成された第１の電極２ａと、
センサー本体１の裏面に形成された第２の電極２ｂと、
センサーチップ４ａの下面に形成された凹部４ｂに圧力
を導入するためにセンサー本体１の裏面に設けられた圧
力導入口１４と、凹所１２の両側面に形成された例えば
６０度の斜度の斜面１１と、第１の電極２ａからセンサ
ーチップ４ａに配線を引き回すために斜面１１にレーザ
ー法又は露光法を用いて形成された配線パターン１７
と、センサーチップ４ａと配線パターン１７とを接続す
るためにワイヤボンディングされたワイヤ５と、センサ
ーチップ４ａとワイヤ５との接点を保護するためにセン
サーチップ４ａの表面に形成されたシリコン７と、斜面
１１の中段に形成された段付部１３と、段付部１３に配
設された蓋３とから構成され、第１及び第２の電極２
ａ，２ｂはセンサー本体１の外側面に形成された配線
（図示せず）によって接続されている。また、蓋３を配
設するために設けられた段付部１３では、斜面１１が段
付部１３よりも深く堀り込まれており、斜面１１と段付
部１３との間に隙間１８が形成されているので、蓋３を
配設した後も、凹所１２に配設されたセンサーチップ４
ａは外部から密閉されることがない。ここで、表面に圧
力検出用の素子が形成されたセンサーチップ４ａは、下
面に設けられた凹部４ｂの圧力と、上面の圧力との差圧
を検出している。
【００１１】ところで、本実施形態の圧力センサーで
は、三次元立体回路基板( Molded Circuit Board )とし
てセンサー本体１が形成されており、露光法を用いて配
線パターン１７を形成する場合、樹脂成形されたセンサ
ー本体１の全面に金めっきを施し、金レジストを作製す
る。次に、図４に示すように、フォトマスク８に印刷さ
れたパターン８１を露光して、所望のレジストパターン
を作製し、センサー本体１に形成された例えば６０度の
斜度の斜面１１上に配線パターン１７を作製している。
は、三次元立体回路基板( Molded Circuit Board )とし
てセンサー本体１が形成されており、露光法を用いて配
線パターン１７を形成する場合、樹脂成形されたセンサ
ー本体１の全面に金めっきを施し、金レジストを作製す
る。次に、図４に示すように、フォトマスク８に印刷さ
れたパターン８１を露光して、所望のレジストパターン
を作製し、センサー本体１に形成された例えば６０度の
斜度の斜面１１上に配線パターン１７を作製している。
【００１２】また、レーザ法を用いて配線パターン１７
を作製する場合、まず、樹脂成形されたケース本体１の
全面に銅めっきを施し、図５に示すように、レーザー光
１０を照射することによって銅を除去し、所望の配線パ
ターン１７をセンサー本体１に形成された例えば６０度
の斜面１１上に作製する。ここで、斜面１１の斜度は、
露光法，又は，レーザー法を用いて配線パターン１７を
形成できるように、また、センサー本体１の小型化が図
れるように、略６０度以上９０度未満の斜度に設定され
ている。
を作製する場合、まず、樹脂成形されたケース本体１の
全面に銅めっきを施し、図５に示すように、レーザー光
１０を照射することによって銅を除去し、所望の配線パ
ターン１７をセンサー本体１に形成された例えば６０度
の斜面１１上に作製する。ここで、斜面１１の斜度は、
露光法，又は，レーザー法を用いて配線パターン１７を
形成できるように、また、センサー本体１の小型化が図
れるように、略６０度以上９０度未満の斜度に設定され
ている。
【００１３】以上より、ケース本体１の斜面１１に、露
光法，又は，レーザー法を用いて配線パターン１７を形
成しているので、配線用のリードをセンサー本体１と同
時成形する必要がない。したがって、リードを曲げるた
めのクリアランスを確保する必要がなく、圧力センサー
の小型化，省実装面積化を図ることができる。 （実施形態２）本実施形態の圧力センサーは、図２
（ａ）〜（ｃ）に示すように、三次元立体回路基板とし
て形成されたセンサー本体１と、センサー本体１の表面
に形成された凹所１２と、凹所１２の底に台座６を介し
て配設されたダイアフラム構造のセンサーチップ４ａ
と、センサーチップ４ａ下面の凹部４ｂに圧力を導入す
るためにセンサー本体１の裏面に形成された圧力導入口
１４と、センサー本体１表面の凹所１２の両側に形成さ
れた第１の電極２ａと、センサー本体１裏面の圧力導入
口１４の両側に形成された第２の電極２ｂと、センサー
本体１の内部を貫通して設けられ第１及び第２の電極２
ａ，２ｂを接続するスルーホール１６と、センサー本体
１の表面に形成された位置決め用の突起１５と、凹所１
２の両側面に形成された例えば６０度の斜度の斜面１１
と、第１の電極２ａからセンサーチップ４ａまで配線を
引き回すために斜面１１にレーザー法又は露光法を用い
て形成された配線パターン１７と、センサーチップ４ａ
と配線パターン１７とを接続するためにワイヤボンディ
ングされたワイヤ５と、センサーチップ４ａとワイヤ５
との接点を保護するためにセンサーチップ４ａの表面に
形成されたシリコン７と、斜面１１の中段に形成された
段付部１３と、斜面１１と段付部１３との間に設けられ
た隙間１８とから構成されている。
光法，又は，レーザー法を用いて配線パターン１７を形
成しているので、配線用のリードをセンサー本体１と同
時成形する必要がない。したがって、リードを曲げるた
めのクリアランスを確保する必要がなく、圧力センサー
の小型化，省実装面積化を図ることができる。 （実施形態２）本実施形態の圧力センサーは、図２
（ａ）〜（ｃ）に示すように、三次元立体回路基板とし
て形成されたセンサー本体１と、センサー本体１の表面
に形成された凹所１２と、凹所１２の底に台座６を介し
て配設されたダイアフラム構造のセンサーチップ４ａ
と、センサーチップ４ａ下面の凹部４ｂに圧力を導入す
るためにセンサー本体１の裏面に形成された圧力導入口
１４と、センサー本体１表面の凹所１２の両側に形成さ
れた第１の電極２ａと、センサー本体１裏面の圧力導入
口１４の両側に形成された第２の電極２ｂと、センサー
本体１の内部を貫通して設けられ第１及び第２の電極２
ａ，２ｂを接続するスルーホール１６と、センサー本体
１の表面に形成された位置決め用の突起１５と、凹所１
２の両側面に形成された例えば６０度の斜度の斜面１１
と、第１の電極２ａからセンサーチップ４ａまで配線を
引き回すために斜面１１にレーザー法又は露光法を用い
て形成された配線パターン１７と、センサーチップ４ａ
と配線パターン１７とを接続するためにワイヤボンディ
ングされたワイヤ５と、センサーチップ４ａとワイヤ５
との接点を保護するためにセンサーチップ４ａの表面に
形成されたシリコン７と、斜面１１の中段に形成された
段付部１３と、斜面１１と段付部１３との間に設けられ
た隙間１８とから構成されている。
【００１４】ここで、第１及び第２の電極２ａ，２ｂの
接触面積は等しく形成されているので、センサー本体１
の表面を実装面として第１の電極２ａを用いて実装した
場合でも、第２の電極２ｂを用いて実装した場合と同等
の強度を得ることができるので、センサー本体１の表面
を実装面とすることもできる。また、センサー本体１の
表面には位置決め用のピン１５が形成されているので、
センサーチップ４ａにリフロー半田付けを行う際，或い
は，センサー本体１を実装する際の位置決めが容易に行
える。
接触面積は等しく形成されているので、センサー本体１
の表面を実装面として第１の電極２ａを用いて実装した
場合でも、第２の電極２ｂを用いて実装した場合と同等
の強度を得ることができるので、センサー本体１の表面
を実装面とすることもできる。また、センサー本体１の
表面には位置決め用のピン１５が形成されているので、
センサーチップ４ａにリフロー半田付けを行う際，或い
は，センサー本体１を実装する際の位置決めが容易に行
える。
【００１５】尚、センサーチップ４ａの構造，及び，配
線パターン１７の作製方法は、実施形態１と同様である
ので、その説明は省略する。 （実施形態３）本実施形態の圧力センサーは、図３
（ａ）〜（ｄ）に示すように、三次元立体回路基板とし
て形成されたセンサー本体１と、センサー本体１の表面
に形成された凹所１２と、センサー本体１表面の凹所１
２の両側に形成された第１の電極２ａと、センサー本体
１の裏面に形成された第２の電極２ｂと、センサー本体
１の外側面に形成され第１及び第２の電極２ａ，２ｂと
を接続する配線（図示せず）と、凹所１２の底に台座６
を介して配設されたセンサーチップ４ａと、凹所１２の
内側面に形成された例えば６０度の斜度の斜面１１と、
斜面１１に露光法又はレーザー法を用いて形成された配
線パターン１７と、凹所１１に滴下されたシリコン７と
から構成されている。
線パターン１７の作製方法は、実施形態１と同様である
ので、その説明は省略する。 （実施形態３）本実施形態の圧力センサーは、図３
（ａ）〜（ｄ）に示すように、三次元立体回路基板とし
て形成されたセンサー本体１と、センサー本体１の表面
に形成された凹所１２と、センサー本体１表面の凹所１
２の両側に形成された第１の電極２ａと、センサー本体
１の裏面に形成された第２の電極２ｂと、センサー本体
１の外側面に形成され第１及び第２の電極２ａ，２ｂと
を接続する配線（図示せず）と、凹所１２の底に台座６
を介して配設されたセンサーチップ４ａと、凹所１２の
内側面に形成された例えば６０度の斜度の斜面１１と、
斜面１１に露光法又はレーザー法を用いて形成された配
線パターン１７と、凹所１１に滴下されたシリコン７と
から構成されている。
【００１６】本実施形態の圧力センサーでは、センサー
本体１に設けられた凹所１２の開口が受圧面となってお
り、表面にピエゾ抵抗素子等の圧力検出用素子が形成さ
れたセンサーチップ４ａが凹所１２から導入された絶対
圧力を検出する。尚、センサーチップ４ａの構造，及
び，配線パターン１７の作製方法は、実施形態１と同様
であるので、その説明は省略する。
本体１に設けられた凹所１２の開口が受圧面となってお
り、表面にピエゾ抵抗素子等の圧力検出用素子が形成さ
れたセンサーチップ４ａが凹所１２から導入された絶対
圧力を検出する。尚、センサーチップ４ａの構造，及
び，配線パターン１７の作製方法は、実施形態１と同様
であるので、その説明は省略する。
【００１７】
【発明の効果】請求項１の発明は、上述のように、三次
元立体回路基板としてセンサー本体を形成し、センサー
本体の表面にセンサーチップを実装するための凹所を形
成し、凹所の内側面に略６０度以上９０度未満の斜度を
有する配線用の斜面を形成するとともに、センサー本体
の表裏両面に設けられた電極間の配線パターンを斜面上
に形成しており、露光法又はレーザー光を用いて斜面上
に配線パターンを形成できるので、配線用のリードが不
要となり、センサー本体の小型化，省実装面積化を図る
ことができるという効果がある。
元立体回路基板としてセンサー本体を形成し、センサー
本体の表面にセンサーチップを実装するための凹所を形
成し、凹所の内側面に略６０度以上９０度未満の斜度を
有する配線用の斜面を形成するとともに、センサー本体
の表裏両面に設けられた電極間の配線パターンを斜面上
に形成しており、露光法又はレーザー光を用いて斜面上
に配線パターンを形成できるので、配線用のリードが不
要となり、センサー本体の小型化，省実装面積化を図る
ことができるという効果がある。
【００１８】請求項２の発明は、凹所を覆う蓋を載置す
る段付部を凹所に形成し、斜面を段付部よりも深く形成
することにより、斜面と段付部との間に凹所の密閉防止
用の隙間を形成しており、簡単な構成で凹所が密閉され
るのを防止できるので、凹所に設けられたセンサーチッ
プが密閉されるのを確実に防止できるという効果があ
る。
る段付部を凹所に形成し、斜面を段付部よりも深く形成
することにより、斜面と段付部との間に凹所の密閉防止
用の隙間を形成しており、簡単な構成で凹所が密閉され
るのを防止できるので、凹所に設けられたセンサーチッ
プが密閉されるのを確実に防止できるという効果があ
る。
【００１９】請求項３の発明は、センサー本体の表裏両
面に設けられた各電極の接着面積を等しくしており、何
れの面を実装面としてセンサー本体を接着しても、同等
の接着強度を得ることができるので、実装面を選択でき
る圧力センサーを提供できるという効果がある。請求項
４の発明は、センサー本体に位置決め用の突起を形成し
ており、センサー本体の位置を容易に決めることができ
るので、リフロー半田付け時及びセンサー本体取付時の
作業性が向上するという効果がある。
面に設けられた各電極の接着面積を等しくしており、何
れの面を実装面としてセンサー本体を接着しても、同等
の接着強度を得ることができるので、実装面を選択でき
る圧力センサーを提供できるという効果がある。請求項
４の発明は、センサー本体に位置決め用の突起を形成し
ており、センサー本体の位置を容易に決めることができ
るので、リフロー半田付け時及びセンサー本体取付時の
作業性が向上するという効果がある。
【００２０】請求項５の発明は、三次元立体回路基板と
してセンサー本体を形成し、センサー本体の表面にセン
サーチップを実装するための凹所を形成し、凹所の内側
面に略６０度以上９０度未満の斜度を有する配線用の斜
面を形成するとともに、センサー本体の表裏両面に設け
られた電極間の配線パターンを斜面上に形成し、凹所を
受圧面としており、露光法又はレーザー光を用いて斜面
上に配線パターンを形成できるので、配線用のリードが
不要となり、センサー本体の小型化，省実装面積化を図
った絶対圧検出用の圧力センサーを提供できるという効
果がある。
してセンサー本体を形成し、センサー本体の表面にセン
サーチップを実装するための凹所を形成し、凹所の内側
面に略６０度以上９０度未満の斜度を有する配線用の斜
面を形成するとともに、センサー本体の表裏両面に設け
られた電極間の配線パターンを斜面上に形成し、凹所を
受圧面としており、露光法又はレーザー光を用いて斜面
上に配線パターンを形成できるので、配線用のリードが
不要となり、センサー本体の小型化，省実装面積化を図
った絶対圧検出用の圧力センサーを提供できるという効
果がある。
【図１】実施形態１の圧力センサーを示し、（ａ）は上
面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は下面図である。
面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は下面図である。
【図２】実施形態２の圧力センサーを示し、（ａ）は上
面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は下面図である。
面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は下面図である。
【図３】実施形態３の圧力センサーを示し、（ａ）は上
面図、（ｂ）は横断面図、（ｃ）は下面図、（ｄ）は縦
断面図である。
面図、（ｂ）は横断面図、（ｃ）は下面図、（ｄ）は縦
断面図である。
【図４】同上の斜面の作製方法を示す一部省略した外観
斜視図である。
斜視図である。
【図５】同上の斜面の別の作製方法を示す一部省略した
外観斜視図である。
外観斜視図である。
【図６】従来の圧力センサーを示し、（ａ）は平面図、
（ｂ）は断面図である。
（ｂ）は断面図である。
【図７】従来の別の圧力センサーを示し、（ａ）は平面
図、（ｂ）は断面図である。
図、（ｂ）は断面図である。
１ センサー本体 ２ａ 第１の電極 ２ｂ 第２の電極 ４ａ センサーチップ ４ｂ 凹部 ５ ワイヤ １１ 斜面 １２ 凹所 １４ 圧力導入口 １７ 配線パターン
Claims (5)
- 【請求項１】三次元立体回路基板としてセンサー本体を
形成し、前記センサー本体の表面にセンサーチップを実
装するための凹所を形成し、前記凹所の内側面に略６０
度以上９０度未満の斜度を有する配線用の斜面を形成す
るとともに、前記センサー本体の表裏両面に設けられた
電極間の配線パターンを前記斜面上に形成して成ること
を特徴とする圧力センサー。 - 【請求項２】前記凹所を覆う蓋を載置する段付部を前記
凹所に形成し、前記斜面を前記段付部よりも深く形成す
ることにより、前記斜面と前記段付部との間に前記凹所
の密閉防止用の隙間を形成して成ることを特徴とする請
求項１記載の圧力センサー。 - 【請求項３】前記センサー本体の表裏両面に設けられた
各前記電極の接着面積を等しくして成ることを特徴とす
る請求項１記載の圧力センサー。 - 【請求項４】前記センサー本体に位置決め用の突起を形
成して成ることを特徴とする請求項１記載の圧力センサ
ー。 - 【請求項５】三次元立体回路基板としてセンサー本体を
形成し、前記センサー本体の表面にセンサーチップを実
装するための凹所を形成し、前記凹所の内側面に略６０
度以上９０度未満の斜度を有する配線用の斜面を形成す
るとともに、前記センサー本体の表裏両面に設けられた
電極間の配線パターンを前記斜面上に形成し、前記凹所
を受圧面として成ることを特徴とする圧力センサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01235696A JP3500825B2 (ja) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | 圧力センサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01235696A JP3500825B2 (ja) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | 圧力センサー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09203676A true JPH09203676A (ja) | 1997-08-05 |
| JP3500825B2 JP3500825B2 (ja) | 2004-02-23 |
Family
ID=11803007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01235696A Expired - Fee Related JP3500825B2 (ja) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | 圧力センサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3500825B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010008434A (ja) * | 2009-10-15 | 2010-01-14 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JP2014522102A (ja) * | 2011-07-29 | 2014-08-28 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 半導体チップのハウジングおよびハウジングを有する半導体チップ |
| CN113776827A (zh) * | 2020-05-20 | 2021-12-10 | 斯凯孚公司 | 涡流探头 |
-
1996
- 1996-01-26 JP JP01235696A patent/JP3500825B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010008434A (ja) * | 2009-10-15 | 2010-01-14 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JP2014522102A (ja) * | 2011-07-29 | 2014-08-28 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 半導体チップのハウジングおよびハウジングを有する半導体チップ |
| CN113776827A (zh) * | 2020-05-20 | 2021-12-10 | 斯凯孚公司 | 涡流探头 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3500825B2 (ja) | 2004-02-23 |
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