JPH09204231A - 自動車用電力制御回路 - Google Patents
自動車用電力制御回路Info
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- JPH09204231A JPH09204231A JP8010784A JP1078496A JPH09204231A JP H09204231 A JPH09204231 A JP H09204231A JP 8010784 A JP8010784 A JP 8010784A JP 1078496 A JP1078496 A JP 1078496A JP H09204231 A JPH09204231 A JP H09204231A
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- fet
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Links
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Landscapes
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 低廉かつコンパクトな構成で、PWM制御に
よる良好な電力制御をしながら、ノイズを抑制する。 【解決手段】 電源と負荷10との間にFET12を設
けるとともに、所定デューティ比をもつパルス信号を作
成して上記FET12のゲートへ出力するゲート信号作
成手段14を備える。さらに、このゲート信号作成手段
14から上記ゲートへ至るまでの回路中にコンデンサ1
8を接続し、このコンデンサ18の作用によってゲート
電圧の時間変化率を低下させ、FET12のソース−ド
レイン間を流れる電流の増減を緩やかにする。
よる良好な電力制御をしながら、ノイズを抑制する。 【解決手段】 電源と負荷10との間にFET12を設
けるとともに、所定デューティ比をもつパルス信号を作
成して上記FET12のゲートへ出力するゲート信号作
成手段14を備える。さらに、このゲート信号作成手段
14から上記ゲートへ至るまでの回路中にコンデンサ1
8を接続し、このコンデンサ18の作用によってゲート
電圧の時間変化率を低下させ、FET12のソース−ド
レイン間を流れる電流の増減を緩やかにする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車における電
源と負荷との間に設けられ、パルス幅変調(Pulse Widt
h Modulation;以下、PWMと称する。)によって、上
記電源から負荷に供給される電力を制御する自動車用電
力制御回路に関するものである。
源と負荷との間に設けられ、パルス幅変調(Pulse Widt
h Modulation;以下、PWMと称する。)によって、上
記電源から負荷に供給される電力を制御する自動車用電
力制御回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、自動車に搭載されるランプの調光
やモータ回転数の調節を行う手段として、これらのラン
プやモータすなわち負荷とその電源との間に可変抵抗を
設け、その抵抗値を変化させるといった手段が一般に知
られている。しかし、この手段では上記抵抗のエネルギ
ーロスが大きく、消費電力節減の大きな妨げとなるとと
もに、上記抵抗からの発熱によって他の回路素子等に悪
影響を与えるおそれもある。
やモータ回転数の調節を行う手段として、これらのラン
プやモータすなわち負荷とその電源との間に可変抵抗を
設け、その抵抗値を変化させるといった手段が一般に知
られている。しかし、この手段では上記抵抗のエネルギ
ーロスが大きく、消費電力節減の大きな妨げとなるとと
もに、上記抵抗からの発熱によって他の回路素子等に悪
影響を与えるおそれもある。
【0003】そこで、このような抵抗値の制御に代わる
手段として、PWM制御が脚光を浴びている。このPW
M制御を行うための回路の一例を図5に示す。図におい
て、電源(+BVのバッテリー)と負荷10との間に電
界効果トランジスタ(FieldEffect Transistor;以下、
FETと称する。)12が設けられている。図例では、
FET12としてpチャネルMOSFETが用いられて
おり、そのソース及びゲートに上記バッテリーが接続さ
れ、ドレインに負荷10が接続されるとともに、上記ゲ
ートとバッテリーとの間にゲート信号作成手段14が設
けられている。このゲート信号作成手段14は、発振器
等からなり、上記バッテリーからFETのゲートに印加
される電圧を+Bとそれよりも低い電圧との間でパルス
状に周期的に変化させる(すなわち設定周波数をもつパ
ルス信号をゲートに入力する)ように構成されている。
手段として、PWM制御が脚光を浴びている。このPW
M制御を行うための回路の一例を図5に示す。図におい
て、電源(+BVのバッテリー)と負荷10との間に電
界効果トランジスタ(FieldEffect Transistor;以下、
FETと称する。)12が設けられている。図例では、
FET12としてpチャネルMOSFETが用いられて
おり、そのソース及びゲートに上記バッテリーが接続さ
れ、ドレインに負荷10が接続されるとともに、上記ゲ
ートとバッテリーとの間にゲート信号作成手段14が設
けられている。このゲート信号作成手段14は、発振器
等からなり、上記バッテリーからFETのゲートに印加
される電圧を+Bとそれよりも低い電圧との間でパルス
状に周期的に変化させる(すなわち設定周波数をもつパ
ルス信号をゲートに入力する)ように構成されている。
【0004】この回路では、ゲート電圧がソース電圧よ
りも所定値以上低い場合にのみ、FET12のソースと
ドレインとの間に電流が流れ、負荷10に電力が供給さ
れる。従って、ゲート信号作成手段14で作成されるパ
ルス信号のデューティ比を調節することにより、負荷1
0の通算通電時間を制御(換言すればバッテリーから負
荷10に供給される電力量を制御)できる。
りも所定値以上低い場合にのみ、FET12のソースと
ドレインとの間に電流が流れ、負荷10に電力が供給さ
れる。従って、ゲート信号作成手段14で作成されるパ
ルス信号のデューティ比を調節することにより、負荷1
0の通算通電時間を制御(換言すればバッテリーから負
荷10に供給される電力量を制御)できる。
【0005】このようなPWM制御を用いれば、可変抵
抗を用いる場合のように著しいエネルギーロスや発熱を
伴うことなく、車載のランプ調光やモータ回転数調節を
することができる。
抗を用いる場合のように著しいエネルギーロスや発熱を
伴うことなく、車載のランプ調光やモータ回転数調節を
することができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記図5に示した回路
の近くにラジオ等の電気機器を設けると、この機器にノ
イズが発生することが確認されている。その要因とし
て、回路内で発生する急激な電流の増減が挙げられる。
の近くにラジオ等の電気機器を設けると、この機器にノ
イズが発生することが確認されている。その要因とし
て、回路内で発生する急激な電流の増減が挙げられる。
【0007】すなわち、上記回路では、ゲートに略矩形
状の波形をもつパルス信号が入力されるため、これに対
応して、ソース−ドレイン間を通じて負荷10に流れ込
む電流も急峻に増減し、この回路の近傍に配置された機
器に電磁誘導によってパルス状のノイズを引き起こすこ
ととなる。
状の波形をもつパルス信号が入力されるため、これに対
応して、ソース−ドレイン間を通じて負荷10に流れ込
む電流も急峻に増減し、この回路の近傍に配置された機
器に電磁誘導によってパルス状のノイズを引き起こすこ
ととなる。
【0008】従来、このようなノイズ発生の対策とし
て、次のようなものが講じられている。
て、次のようなものが講じられている。
【0009】 回路が組付けられたプリント回路基板
の裏面にグランド層を設ける。
の裏面にグランド層を設ける。
【0010】 電線の周囲に金属メッシュや半導電樹
脂層等からなる遮蔽層を設けたり、負荷から往来する電
線をツイストペアとしたりすることにより、電線からの
ノイズを抑制する。
脂層等からなる遮蔽層を設けたり、負荷から往来する電
線をツイストペアとしたりすることにより、電線からの
ノイズを抑制する。
【0011】しかし、の手段では、基板上に組付けら
れた回路によって励起されるノイズは抑制できるもの
の、上記基板に電線が接続されている場合、この電線内
を流れる電流の急峻な増減に起因するノイズ発生を抑制
することはできない。
れた回路によって励起されるノイズは抑制できるもの
の、上記基板に電線が接続されている場合、この電線内
を流れる電流の急峻な増減に起因するノイズ発生を抑制
することはできない。
【0012】これに対し、の手段では、上記電線から
のノイズを抑制できるが、上記遮蔽層の付設やツイスト
ペア電線の設置によって構造が複雑化、大型化する欠点
があり、特に、ワイヤーハーネスのように多種多様の電
線が組み合わされながら狭い空間に配線される部位への
適用は極めて困難である。また、システム全体のコスト
アップも免れ得ない。
のノイズを抑制できるが、上記遮蔽層の付設やツイスト
ペア電線の設置によって構造が複雑化、大型化する欠点
があり、特に、ワイヤーハーネスのように多種多様の電
線が組み合わされながら狭い空間に配線される部位への
適用は極めて困難である。また、システム全体のコスト
アップも免れ得ない。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決すべくなされたものであり、自動車における電源と負
荷との間に設けられ、上記電源から負荷に供給される電
力を制御するための自動車用電力制御回路において、ソ
ース、ドレインのいずれか一方が上記電源に接続され、
他方が上記負荷に接続されるFETと、設定されたデュ
ーティ比をもつパルス信号を作成して上記FETのゲー
トへ出力するゲート信号作成手段とを備えるとともに、
このゲート信号作成手段から上記ゲートに至る回路の途
中に、ゲート電圧の時間変化率を低下させるコンデンサ
を接続したものである。
決すべくなされたものであり、自動車における電源と負
荷との間に設けられ、上記電源から負荷に供給される電
力を制御するための自動車用電力制御回路において、ソ
ース、ドレインのいずれか一方が上記電源に接続され、
他方が上記負荷に接続されるFETと、設定されたデュ
ーティ比をもつパルス信号を作成して上記FETのゲー
トへ出力するゲート信号作成手段とを備えるとともに、
このゲート信号作成手段から上記ゲートに至る回路の途
中に、ゲート電圧の時間変化率を低下させるコンデンサ
を接続したものである。
【0014】この回路によれば、上記ゲート信号作成手
段で急峻な電圧変化をもつパルス信号が作成されても、
このゲート信号作成手段とFETのゲートとの間に設け
られたコンデンサの作用により、ゲート電圧の時間変化
率が低減され、当該ゲート電圧は比較的緩やかに立ち上
がり、また立ち下がる。従って、このFETのソース−
ドレイン間を流れる電流も緩やかに増減し、当該電流の
急峻な増減に起因するノイズの発生が有効に抑制され
る。
段で急峻な電圧変化をもつパルス信号が作成されても、
このゲート信号作成手段とFETのゲートとの間に設け
られたコンデンサの作用により、ゲート電圧の時間変化
率が低減され、当該ゲート電圧は比較的緩やかに立ち上
がり、また立ち下がる。従って、このFETのソース−
ドレイン間を流れる電流も緩やかに増減し、当該電流の
急峻な増減に起因するノイズの発生が有効に抑制され
る。
【0015】上記ゲート電圧の時間変化率は、上記ゲー
ト信号作成手段から上記ゲートに至るまでの回路の抵抗
R(Ω)と上記コンデンサの静電容量C(F)との積R
Cで決定される時定数に依存する。従って、この積RC
の設定により、ゲート電圧の変化特性を自由に調節する
ことができる。具体的に、上記のノイズ低減作用を十分
に得るには、上記の積RCを1×10-7以上に設定する
ことが好ましい。ただし、この積RCが過大であると、
ゲート電圧の変化が著しく遅くなり、良好なPWM制御
ができなくなるので、上記積RCは1×10-5以下に設
定するのが好ましい。
ト信号作成手段から上記ゲートに至るまでの回路の抵抗
R(Ω)と上記コンデンサの静電容量C(F)との積R
Cで決定される時定数に依存する。従って、この積RC
の設定により、ゲート電圧の変化特性を自由に調節する
ことができる。具体的に、上記のノイズ低減作用を十分
に得るには、上記の積RCを1×10-7以上に設定する
ことが好ましい。ただし、この積RCが過大であると、
ゲート電圧の変化が著しく遅くなり、良好なPWM制御
ができなくなるので、上記積RCは1×10-5以下に設
定するのが好ましい。
【0016】上記パルス信号の周波数は適宜設定すれば
よいが、この周波数が過度に低いと、負荷の作動状態が
円滑でなくなるため、この周波数は50Hz以上とする
のが、より好ましい。
よいが、この周波数が過度に低いと、負荷の作動状態が
円滑でなくなるため、この周波数は50Hz以上とする
のが、より好ましい。
【0017】上記FETとしては、種々のものを用いる
ことができるが、安価でしかも比較的高い耐電圧性能を
もつMOSFETが好適である。このMOSFETをゲ
ート信号のオンオフに追従させて良好なPWM制御を実
現するには、上記パルス信号の周波数を5000Hz以
下に設定すればよい。
ことができるが、安価でしかも比較的高い耐電圧性能を
もつMOSFETが好適である。このMOSFETをゲ
ート信号のオンオフに追従させて良好なPWM制御を実
現するには、上記パルス信号の周波数を5000Hz以
下に設定すればよい。
【0018】
【発明の実施の形態】本発明の第1の実施の形態を図1
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【0019】同図において、電源(+BVのバッテリ
ー)と、アース接続された負荷10との間に、FET1
2が設けられている。図例では、前記図5に示した回路
と同様、FET12としてpチャネルMOSFETが用
いられており、そのソース及びゲートに上記バッテリー
が接続され、ドレインに負荷10が接続されるととも
に、上記ゲートとバッテリーとの間にゲート信号作成手
段14が設けられている。このゲート信号作成手段14
も、前記図1に示したものと同様、発振器等からなり、
上記バッテリーからFET12のゲートに印加される電
圧を+Bとそれよりも低い電圧との間でパルス状に周期
的に変化させる(すなわち設定周波数をもつパルス信号
をゲートに入力する)ように構成されており、このパル
ス信号のデューティ比は、手動もしくは図略の制御装置
から入力される制御信号によって調節可能とされてい
る。
ー)と、アース接続された負荷10との間に、FET1
2が設けられている。図例では、前記図5に示した回路
と同様、FET12としてpチャネルMOSFETが用
いられており、そのソース及びゲートに上記バッテリー
が接続され、ドレインに負荷10が接続されるととも
に、上記ゲートとバッテリーとの間にゲート信号作成手
段14が設けられている。このゲート信号作成手段14
も、前記図1に示したものと同様、発振器等からなり、
上記バッテリーからFET12のゲートに印加される電
圧を+Bとそれよりも低い電圧との間でパルス状に周期
的に変化させる(すなわち設定周波数をもつパルス信号
をゲートに入力する)ように構成されており、このパル
ス信号のデューティ比は、手動もしくは図略の制御装置
から入力される制御信号によって調節可能とされてい
る。
【0020】なお、図1に描かれた抵抗16は、ゲート
信号作成手段14からFET12のゲートに至るまでの
抵抗成分を象徴するものであり、必ずしもゲート信号作
成手段14と上記ゲートとの間に特別な抵抗器を組付け
ることを示唆するものではない。ただし、この部位に特
別な抵抗器を設けることは自由である。
信号作成手段14からFET12のゲートに至るまでの
抵抗成分を象徴するものであり、必ずしもゲート信号作
成手段14と上記ゲートとの間に特別な抵抗器を組付け
ることを示唆するものではない。ただし、この部位に特
別な抵抗器を設けることは自由である。
【0021】この回路の特徴として、バッテリーとFE
T12のゲートとの間に、上記ゲート信号作成手段14
と並列にコンデンサ18が配されている。すなわち、こ
のコンデンサ18は、上記ゲート信号作成手段14から
上記ゲートに至るまでの回路の途中に接続されている。
T12のゲートとの間に、上記ゲート信号作成手段14
と並列にコンデンサ18が配されている。すなわち、こ
のコンデンサ18は、上記ゲート信号作成手段14から
上記ゲートに至るまでの回路の途中に接続されている。
【0022】次に、この回路の作用を説明する。ゲート
信号作成手段14は、バッテリーからの電圧供給を受け
て、そのバッテリー電圧(+BV)とそれよりも低い電
圧との間で周期的に変化する略矩形状のパルス信号であ
って、設定されたデューティ比をもつパルス信号を作成
し、FET12のゲートに向けて出力する。一方、FE
T12では、そのゲート電圧がソース電圧よりも所定値
以上低い場合にのみ、FET12のソースとドレインと
の間に電流が流れ、負荷10に電力が供給される。従っ
て、上記パルス信号のデューティ比によって負荷10の
通算通電時間が決定され、バッテリーから負荷10に供
給される電力量が制御される。
信号作成手段14は、バッテリーからの電圧供給を受け
て、そのバッテリー電圧(+BV)とそれよりも低い電
圧との間で周期的に変化する略矩形状のパルス信号であ
って、設定されたデューティ比をもつパルス信号を作成
し、FET12のゲートに向けて出力する。一方、FE
T12では、そのゲート電圧がソース電圧よりも所定値
以上低い場合にのみ、FET12のソースとドレインと
の間に電流が流れ、負荷10に電力が供給される。従っ
て、上記パルス信号のデューティ比によって負荷10の
通算通電時間が決定され、バッテリーから負荷10に供
給される電力量が制御される。
【0023】ここで、前記図5に示した従来回路では、
ゲート信号作成手段14で作成された略矩形状の波形を
もつパルス信号がそのままゲートに入力されるが、図1
に示した本発明の回路では、コンデンサ18の作用によ
ってゲート電圧の時間変化率が低減され、ゲート電圧は
緩やかに立上り、また緩やかに立ち下がる。ソース−ド
レイン間においては、上記ゲート電圧が所定の閾値電圧
を超えると電流が流れ始めるが、上記ゲート電圧が上記
閾値電圧に近い状態ではソース−ドレイン間の導通抵抗
が高く、ゲート電圧と閾値電圧との差が大きくなるにつ
れて上記導通抵抗が低くなるので、上記のようにゲート
電圧の変化が緩やかになるのに伴って、ソース−ドレイ
ン間の電流の増減も緩やかになり、この電流の急峻な増
減に起因するノイズが効果的に抑制されることとなる。
ゲート信号作成手段14で作成された略矩形状の波形を
もつパルス信号がそのままゲートに入力されるが、図1
に示した本発明の回路では、コンデンサ18の作用によ
ってゲート電圧の時間変化率が低減され、ゲート電圧は
緩やかに立上り、また緩やかに立ち下がる。ソース−ド
レイン間においては、上記ゲート電圧が所定の閾値電圧
を超えると電流が流れ始めるが、上記ゲート電圧が上記
閾値電圧に近い状態ではソース−ドレイン間の導通抵抗
が高く、ゲート電圧と閾値電圧との差が大きくなるにつ
れて上記導通抵抗が低くなるので、上記のようにゲート
電圧の変化が緩やかになるのに伴って、ソース−ドレイ
ン間の電流の増減も緩やかになり、この電流の急峻な増
減に起因するノイズが効果的に抑制されることとなる。
【0024】具体的に、ゲート信号作成手段14で作成
されるパルス信号の最高電圧をVoとすると、実際にF
ET12のゲートに入力される信号の立ち上がり当初の
電圧V及び立ち下がり当初の電圧Vは次の(a)(b)
式でそれぞれ表される。
されるパルス信号の最高電圧をVoとすると、実際にF
ET12のゲートに入力される信号の立ち上がり当初の
電圧V及び立ち下がり当初の電圧Vは次の(a)(b)
式でそれぞれ表される。
【0025】
【数1】
【0026】ここでtは、(a)式においては立ち上が
り開始時点からの経過時間、(b)式においては立ち下
がり開始時点からの経過時間を示す。τは時定数であ
り、この時定数τが大きいほど、時間変化率の低減作用
が著しくなる。この時定数τは、図1に示す抵抗16の
抵抗値Rとコンデンサ18の静電容量Cの積RCにより
決定されるため、この積RCの設定により所望の電圧変
化特性を自由に得ることができる。具体的には、上記抵
抗値Rの単位をΩ(オーム)、静電容量Cの単位をF
(ファラッド)とした場合、上記積RCの値をCを1×
10-7以上に設定することにより、十分なノイズ抑制効
果が得られることが確認されている。ただし、上記積R
Cが過度に大きいと、ゲート電圧の立ち上がり及び立ち
下がりが著しく遅れ、良好なPWM制御ができなくなる
ので、当該積RCの値は1×10-5以下に抑えるのが望
ましい。
り開始時点からの経過時間、(b)式においては立ち下
がり開始時点からの経過時間を示す。τは時定数であ
り、この時定数τが大きいほど、時間変化率の低減作用
が著しくなる。この時定数τは、図1に示す抵抗16の
抵抗値Rとコンデンサ18の静電容量Cの積RCにより
決定されるため、この積RCの設定により所望の電圧変
化特性を自由に得ることができる。具体的には、上記抵
抗値Rの単位をΩ(オーム)、静電容量Cの単位をF
(ファラッド)とした場合、上記積RCの値をCを1×
10-7以上に設定することにより、十分なノイズ抑制効
果が得られることが確認されている。ただし、上記積R
Cが過度に大きいと、ゲート電圧の立ち上がり及び立ち
下がりが著しく遅れ、良好なPWM制御ができなくなる
ので、当該積RCの値は1×10-5以下に抑えるのが望
ましい。
【0027】ゲート信号作成手段14で作成されるパル
ス信号の周波数については、自由に設定が可能である
が、負荷10が車載用ランプやモータの場合、パルス周
波数が過度に低いとランプ光のちらつきが目につき、ま
たモータにより駆動される物体(ウインドガラス等)の
動きがぎこちなくなるので、本発明にかかる自動車用電
力制御回路では、上記周波数を50Hz(より好ましく
は80Hz)以上に設定することが好ましい。
ス信号の周波数については、自由に設定が可能である
が、負荷10が車載用ランプやモータの場合、パルス周
波数が過度に低いとランプ光のちらつきが目につき、ま
たモータにより駆動される物体(ウインドガラス等)の
動きがぎこちなくなるので、本発明にかかる自動車用電
力制御回路では、上記周波数を50Hz(より好ましく
は80Hz)以上に設定することが好ましい。
【0028】逆に、この周波数が過度に高いと、ゲート
信号の変化にFET12が追従できず、良好なPWM制
御ができなくなるおそれがあるが、上記周波数を500
0Hz以下(より好ましくは1000Hz以下)に設定
すれば、FET12として比較的安価なMOSFETを
用いても、ゲート信号の変化に十分追従でき、良好なP
WM制御を実現できる。
信号の変化にFET12が追従できず、良好なPWM制
御ができなくなるおそれがあるが、上記周波数を500
0Hz以下(より好ましくは1000Hz以下)に設定
すれば、FET12として比較的安価なMOSFETを
用いても、ゲート信号の変化に十分追従でき、良好なP
WM制御を実現できる。
【0029】なお、図1にはエンハンスメント形のMO
SFETを示しているが、ディプレッション形のMOS
FETを用いても同様の効果が得られることはいうまで
もない。
SFETを示しているが、ディプレッション形のMOS
FETを用いても同様の効果が得られることはいうまで
もない。
【0030】第2の実施の形態を図2に示す。ここで
は、FET12にnチャネルMOSFETが用いられて
おり、そのドレインにバッテリーが接続され、ソースに
負荷10が接続されている。ゲート信号作成手段14は
チャージポンプ20を介して負荷10とアースとの間に
接続されており、上記チャージポンプ20により、FE
T12のソースとゲート信号作成手段14の入力端との
間に安定した電圧差が確保される。そして、これらチャ
ージポンプ20及びゲート信号作成手段14と並列にコ
ンデンサ18が配されている。
は、FET12にnチャネルMOSFETが用いられて
おり、そのドレインにバッテリーが接続され、ソースに
負荷10が接続されている。ゲート信号作成手段14は
チャージポンプ20を介して負荷10とアースとの間に
接続されており、上記チャージポンプ20により、FE
T12のソースとゲート信号作成手段14の入力端との
間に安定した電圧差が確保される。そして、これらチャ
ージポンプ20及びゲート信号作成手段14と並列にコ
ンデンサ18が配されている。
【0031】このような回路においても、ゲート信号作
成手段14で所定のデューティ比をもつパルス信号が作
成され、FET12のゲートへ出力されることにより、
バッテリーからドレイン−ソース間を通じて負荷10に
流れ込む電流が制御されるととともに、コンデンサ18
の作用によって上記パルス信号の時間変化率が下げら
れ、ドレイン−ソース間を流れる電流の増減が緩やかに
されることにより、この電流の増減に起因するノイズが
効果的に抑制される。
成手段14で所定のデューティ比をもつパルス信号が作
成され、FET12のゲートへ出力されることにより、
バッテリーからドレイン−ソース間を通じて負荷10に
流れ込む電流が制御されるととともに、コンデンサ18
の作用によって上記パルス信号の時間変化率が下げら
れ、ドレイン−ソース間を流れる電流の増減が緩やかに
されることにより、この電流の増減に起因するノイズが
効果的に抑制される。
【0032】なお、本発明において、上記チャージポン
プ20は適宜省略が可能である。また本発明は、以上示
した各形態の他、仕様に応じて種々の実施形態をとるこ
とが可能である。
プ20は適宜省略が可能である。また本発明は、以上示
した各形態の他、仕様に応じて種々の実施形態をとるこ
とが可能である。
【0033】
【実施例】本発明者等は、図3に示す回路を用いて実験
を行った。この回路の基本構成は前記図1に示した回路
と同等であり、電源には12Vの鉛蓄電池22が用いら
れている。そして、この鉛蓄電池22の正極にFET1
2のソース、ゲート信号作成手段14、及びコンデンサ
18が接続され、負極に負荷10が接続されており、鉛
蓄電池22の正極→FET12のソース→FET12の
ドレイン→負荷10→鉛蓄電池22の負極というループ
が形成されている。
を行った。この回路の基本構成は前記図1に示した回路
と同等であり、電源には12Vの鉛蓄電池22が用いら
れている。そして、この鉛蓄電池22の正極にFET1
2のソース、ゲート信号作成手段14、及びコンデンサ
18が接続され、負極に負荷10が接続されており、鉛
蓄電池22の正極→FET12のソース→FET12の
ドレイン→負荷10→鉛蓄電池22の負極というループ
が形成されている。
【0034】この回路において、コンデンサ18の静電
容量を1.0μF、抵抗16の抵抗値Rを0.2Ωとし
たもの(すなわち積RCの値を2×10-7としたもの)
を実施例とし、コンデンサ18の静電容量を1.0μ
F、抵抗16の抵抗値Rを10Ωとしたもの(すなわち
積RCの値を1×10-5としたもの)を実施例とし、
コンデンサ18を省略して抵抗16の抵抗値Rを0.2
Ωとしたものを比較例とするとともに、各例におけるゲ
ートへの入力信号及びドレインからの出力信号の波形を
それぞれ調べ、かつ、負荷10と鉛蓄電池22の負極と
をつなぐ導体部分にラジオ24を近づけてそのノイズ発
生の有無を確認した。比較例における信号波形を図4
(a)に、実施例における信号波形を図4(b)に、
ノイズ発生の有無の確認結果を下記の表1に、それぞれ
示す。
容量を1.0μF、抵抗16の抵抗値Rを0.2Ωとし
たもの(すなわち積RCの値を2×10-7としたもの)
を実施例とし、コンデンサ18の静電容量を1.0μ
F、抵抗16の抵抗値Rを10Ωとしたもの(すなわち
積RCの値を1×10-5としたもの)を実施例とし、
コンデンサ18を省略して抵抗16の抵抗値Rを0.2
Ωとしたものを比較例とするとともに、各例におけるゲ
ートへの入力信号及びドレインからの出力信号の波形を
それぞれ調べ、かつ、負荷10と鉛蓄電池22の負極と
をつなぐ導体部分にラジオ24を近づけてそのノイズ発
生の有無を確認した。比較例における信号波形を図4
(a)に、実施例における信号波形を図4(b)に、
ノイズ発生の有無の確認結果を下記の表1に、それぞれ
示す。
【0035】
【表1】
【0036】上記表1に示されるように、比較例では両
帯域においてノイズが確認されている。これは、図4
(a)の下段に示される略矩形状のパルス信号がそのま
まゲートに入力されるため、同図(a)の上段に示すよ
うにドレイン電圧も急峻に増減し(特に電圧立ち上がり
では瞬間的に著しいパルスが発生している。)、これに
よってソース−ドレイン間を流れる電流にも急激な変動
が生じ、上記ノイズを引き起こしているものと考察でき
る。
帯域においてノイズが確認されている。これは、図4
(a)の下段に示される略矩形状のパルス信号がそのま
まゲートに入力されるため、同図(a)の上段に示すよ
うにドレイン電圧も急峻に増減し(特に電圧立ち上がり
では瞬間的に著しいパルスが発生している。)、これに
よってソース−ドレイン間を流れる電流にも急激な変動
が生じ、上記ノイズを引き起こしているものと考察でき
る。
【0037】これに対し、実施例,では、FM帯
域、AM帯域の双方においてノイズが消去されている。
これは、図4(b)の下段に示されるように、コンデン
サ18の作用によってゲート電圧の立ち上がり及び立ち
下がりが緩やかにされることに伴い、同図(b)の上段
に示されるドレイン電圧及びソース−ドレイン間の電流
も緩やかに増減し、電流の急峻な増減に起因するノイズ
の発生が回避されているためであると考察できる。
域、AM帯域の双方においてノイズが消去されている。
これは、図4(b)の下段に示されるように、コンデン
サ18の作用によってゲート電圧の立ち上がり及び立ち
下がりが緩やかにされることに伴い、同図(b)の上段
に示されるドレイン電圧及びソース−ドレイン間の電流
も緩やかに増減し、電流の急峻な増減に起因するノイズ
の発生が回避されているためであると考察できる。
【0038】
【発明の効果】以上のように本発明は、PWM制御用の
ゲート信号を作成するゲート信号作成手段からFETの
ゲートに至る回路の途中に、ゲート電圧の時間変化率を
低下させるコンデンサを接続したものであるので、遮蔽
層や特別な電線を用いない低廉かつコンパクトな構成
で、良好なPWM制御を実行しながら、上記FETのソ
ース−ドレイン間における電流の急峻な増減に起因する
ノイズを抑制できる効果がある。
ゲート信号を作成するゲート信号作成手段からFETの
ゲートに至る回路の途中に、ゲート電圧の時間変化率を
低下させるコンデンサを接続したものであるので、遮蔽
層や特別な電線を用いない低廉かつコンパクトな構成
で、良好なPWM制御を実行しながら、上記FETのソ
ース−ドレイン間における電流の急峻な増減に起因する
ノイズを抑制できる効果がある。
【0039】ここで、上記ゲート信号作成手段から上記
ゲートに至るまでの回路の抵抗R(Ω)と上記コンデン
サの静電容量C(F)との積RCを1×10-7以上1×
10-5以下に設定すれば、良好なPWM制御を実現しな
がら効果的なノイズ抑制ができる。
ゲートに至るまでの回路の抵抗R(Ω)と上記コンデン
サの静電容量C(F)との積RCを1×10-7以上1×
10-5以下に設定すれば、良好なPWM制御を実現しな
がら効果的なノイズ抑制ができる。
【0040】また、上記ゲート信号作成手段で作成され
るパルス信号の周波数を50Hz以上にすれば、負荷の
円滑な作動状態を確保することができる。
るパルス信号の周波数を50Hz以上にすれば、負荷の
円滑な作動状態を確保することができる。
【0041】また、上記周波数を5000Hz以下に設
定すれば、安価でしかも比較的高い耐電圧性能をもつM
OSFETを用いながら、良好なPWM制御を実現でき
る効果が得られる。
定すれば、安価でしかも比較的高い耐電圧性能をもつM
OSFETを用いながら、良好なPWM制御を実現でき
る効果が得られる。
【図1】本発明の第1の実施の形態を示す回路図であ
る。
る。
【図2】本発明の第2の実施の形態を示す回路図であ
る。
る。
【図3】本発明の実施例を示す回路図である。
【図4】(a)は比較例にかかる電力制御回路でのゲー
ト入力信号及びドレイン出力信号の波形を示した図、
(b)は本発明の実施例にかかる電力制御回路でのゲー
ト入力信号及びドレイン出力信号の波形を示した図であ
る。
ト入力信号及びドレイン出力信号の波形を示した図、
(b)は本発明の実施例にかかる電力制御回路でのゲー
ト入力信号及びドレイン出力信号の波形を示した図であ
る。
【図5】従来の電力制御回路の一例を示す回路図であ
る。
る。
10 負荷 12 FET(電界効果トランジスタ) 14 ゲート信号作成手段 18 コンデンサ 22 鉛蓄電池(電源)
Claims (4)
- 【請求項1】 自動車における電源と負荷との間に設け
られ、上記電源から負荷に供給される電力を制御するた
めの自動車用電力制御回路において、ソース、ドレイン
のいずれか一方が上記電源に接続され、他方が上記負荷
に接続される電界効果トランジスタと、設定されたデュ
ーティ比をもつパルス信号を作成して上記電界トランジ
スタのゲートへ出力するゲート信号作成手段とを備える
とともに、このゲート信号作成手段から上記ゲートに至
る回路の途中に、ゲート電圧の時間変化率を低下させる
コンデンサを接続したことを特徴とする自動車用電力制
御回路。 - 【請求項2】 請求項1記載の自動車用電力制御回路に
おいて、上記ゲート信号作成手段から上記ゲートに至る
までの回路の抵抗R(Ω)と上記コンデンサの静電容量
C(F)との積RCを1×10-7以上1×10-5以下と
したことを特徴とする自動車用電力制御回路。 - 【請求項3】 請求項1または2記載の記載の自動車用
電力制御回路において、上記ゲート信号作成手段により
作成されるパルス信号の周波数を50Hz以上としたこ
とを特徴とする自動車用電力制御回路。 - 【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載の自動車
用電力制御回路において、上記電界効果トランジスタと
してMOS電界効果トランジスタを備えるとともに、上
記ゲート信号作成手段により作成されるパルス信号の周
波数を5000Hz以下としたことを特徴とする自動車
用電力制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8010784A JPH09204231A (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | 自動車用電力制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8010784A JPH09204231A (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | 自動車用電力制御回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09204231A true JPH09204231A (ja) | 1997-08-05 |
Family
ID=11759971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8010784A Pending JPH09204231A (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | 自動車用電力制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09204231A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000138570A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-05-16 | Denso Corp | 電気負荷の駆動装置 |
| JP2001054298A (ja) * | 1999-08-05 | 2001-02-23 | Denso Corp | 自動車用電力制御装置 |
| US7203465B2 (en) | 2002-10-11 | 2007-04-10 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Receiver/transmitter circuit |
| JP2008128956A (ja) * | 2006-11-24 | 2008-06-05 | Ngk Spark Plug Co Ltd | センサ |
| JP2008198033A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 調整回路 |
| WO2011040277A1 (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-07 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 負荷駆動装置 |
| JP2012022559A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Ricoh Co Ltd | 半導体回路及びそれを用いた定電圧回路 |
| JP2015204485A (ja) * | 2014-04-11 | 2015-11-16 | 株式会社デンソー | 負荷駆動回路 |
| JP2016039730A (ja) * | 2014-08-08 | 2016-03-22 | 株式会社デンソー | ゲート駆動回路 |
| CN117134598A (zh) * | 2023-07-27 | 2023-11-28 | 广州通则康威智能科技有限公司 | 一种削减电流冲击的电路及其芯片 |
-
1996
- 1996-01-25 JP JP8010784A patent/JPH09204231A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000138570A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-05-16 | Denso Corp | 電気負荷の駆動装置 |
| JP2001054298A (ja) * | 1999-08-05 | 2001-02-23 | Denso Corp | 自動車用電力制御装置 |
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| WO2011040277A1 (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-07 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 負荷駆動装置 |
| JP2011077698A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Autonetworks Technologies Ltd | 負荷駆動装置 |
| CN102484472A (zh) * | 2009-09-29 | 2012-05-30 | 株式会社自动网络技术研究所 | 负载驱动装置 |
| JP2012022559A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Ricoh Co Ltd | 半導体回路及びそれを用いた定電圧回路 |
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| JP2016039730A (ja) * | 2014-08-08 | 2016-03-22 | 株式会社デンソー | ゲート駆動回路 |
| CN117134598A (zh) * | 2023-07-27 | 2023-11-28 | 广州通则康威智能科技有限公司 | 一种削减电流冲击的电路及其芯片 |
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