JPH09209057A - Cu−Cr系接点材料とその製造法 - Google Patents

Cu−Cr系接点材料とその製造法

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JPH09209057A
JPH09209057A JP8014850A JP1485096A JPH09209057A JP H09209057 A JPH09209057 A JP H09209057A JP 8014850 A JP8014850 A JP 8014850A JP 1485096 A JP1485096 A JP 1485096A JP H09209057 A JPH09209057 A JP H09209057A
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powder
heating
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JP8014850A
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Katsuyoshi Kondo
勝義 近藤
Yoshie Kouno
由重 高ノ
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 焼結過程でBi,Te,Sb等の高蒸気圧元
素の蒸発を抑制し、Cu−Cr系接点材料を強固に結合
させ、その合金中に所定量の高蒸気圧元素を残存させ
る。 【解決手段】 Bi,Te,Sbから選ばれた少なくと
も1種以上の粉末を全体の0.01〜8重量%、Cr粉
末を5〜60重量%含有し、残部が実質的にCu粉末か
らなる混合粉末を出発原料とし、これを圧粉成形した固
化体を700℃〜1050℃の温度域に加熱する。出発
原料の混合粉末は機械的混合・粉砕・合金化処理を行な
い、圧粉成形した固化体を温度域に加熱する際の昇温速
度が100℃/分以上とし、加熱する際の雰囲気が不活
性ガス、還元ガス、或いは真空中とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は真空遮断器用接点材
料に関する。
【0002】
【従来の技術】真空遮断器用接点材料として提案されて
いるCu−Cr系合金は、CuとCrが互いに固溶しな
い2相分離型の合金系であるため、従来から鋳造法或い
は粉末冶金法により製造される。
【0003】鋳造法によると、溶解・凝固過程を取るた
めに析出する組織が粗大化する欠点がある。これは上述
したようにCuとCrが互いに殆ど固溶しないために、
冷却速度が小さいと鋳造凝固過程において安定な合金組
織、すなわちほぼ純Cuと純Crに分離し、且つ粗大化
した両者が混在した組織を形成する。その結果、真空遮
断器の接点材料として用いた場合、アーク放電時にCr
が素地から剥離・脱落して接点表面の肌荒れを起こし、
裁断電流値を増大させ、又、遮断特性を劣化させるとい
った問題が生じる。遮断特性が劣化すると、遮断時の電
流が瞬時に切れ、アークが戻る等の現象によって、接点
の発熱が大きく接点が損傷する状況となる。
【0004】そこで、特開平6−96647号公報『接
点合金およびその製造方法』では、鋳造法において冷却
速度を制御することにより微細組織層を有するCu−C
r系合金を提案している。しなしながら、ここにおいて
は微細なCr相は素地のCuに対して金属学的に強固に
密着していない、つまり、CuとCrの界面において反
応層、或いは拡散層を形成していないためにアーク放電
時においてアーク衝撃によりCr相が素地から脱落し、
接点表面の肌荒れの原因となり、接触抵抗値の増加等で
安定な接点特性を得ることが困難となる。
【0005】一方、粉末冶金法によると、先ずCr粉末
を焼結して気孔率の高いスケルトン(骨格)を作製した
後、Cu合金をスケルトンの気孔内に溶融・含浸させる
方法がある。しかしながら、この含浸法では微細なCr
粒子からなる構造のスケルトンを得ることが困難であ
り、たとえ、Cr粒子のスケルトンが作製できたとして
も、Cuを溶浸させるとスケルトンの気孔内に空隙が残
りやすいので緻密な組織を得ることができず、その結果
真空遮断器の接点材料としての優れた特性を得ることが
困難である。
【0006】そこで、Cr粒子の微細化および焼結体の
緻密化を実現するべく、特開平6−330101号公報
『Cu−Cr系複合材料の製造方法』は機械的合金化手
法(メカニカルアロイングと言い、以下単にMAと略記
する。)を適用することで、CuとCrを均一な強制固
溶体に近い状態で、しかもCr粒子が微細に析出すると
いった組織を実現できることを提案している。この製法
により創製されたCu−Cr系材料では、微細なCr粒
子が銅素地中に均一に分散しており、真空遮断器用接点
に用いた場合、他の粉末冶金法や鋳造法により製造した
材料に比べて優れた接点特性、特に耐溶着特性と高遮断
特性を有することが確認されている。
【0007】しかしながら、前記の製法でMA処理した
Cu−Cr系複合粉末を圧粉成形した後、1000℃付
近で焼結を行なうが、接点材料としての要求特性の一つ
である裁断電流値を小さくするために添加するBi,T
e,Sb等の高蒸気圧元素(蒸発時の蒸気圧がCuやC
rより高いために、CuやCrより蒸発しやすい元素群
を称す。以下同じ)が焼結過程において蒸発するといっ
た問題が生じる。そのため、製法上の制約からこれらの
高蒸気圧元素を多量に含有することは難しく、したがっ
て、Cu−Cr系接点材料での裁断電流値を低下させる
のに困難性があった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、焼結過程に
おいてBi,Te,Sb等の高蒸気圧元素の蒸発を抑制
する目的から高温焼結を行わずに、比較的短い熱履歴つ
まり、低温で短時間の加熱条件下でCu−Cr系粉末を
強固に結合させる製法を確立し、合金中に所定量の高蒸
気圧元素を残存させることにより安定した低裁断電流値
を有するCu−Cr系接点材料を創製することを目的と
する。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成すべく種々の実験および検討を行った結果、C
u−Cr系合金中にBi,Te,Sb等の高蒸気圧元素
を含有させる製法を確立し、その結果、真空遮断器の接
点材料として用いた場合に低裁断電流値特性を確保でき
るCu−Cr系接点材料を発明した。本発明のCu−C
r系接点材料の製造方法に関する構成は以下の通りであ
る。
【0010】Bi,Te,Sbから選ばれた少なくとも
1種の粉末を全体の0.01〜8重量%、Cr粉末を5
〜60重量%含有し、残部が実質的にCu粉末からなる
混合粉末を出発原料とし、これを機械的に混合・粉砕・
合金化処理(MA)する。次いでこのMA粉末を圧粉成
形した固化体を700℃〜1050℃の温度域に加熱す
る。その際、前記出発原料を圧粉成形した固化体を70
0℃〜1050℃の温度域に加熱する際の昇温速度が1
00℃/分以上とし、加熱する際の雰囲気を不活性ガ
ス、還元ガス、或いは真空中とした。
【0011】又、加熱温度で30秒以上40分以下保持
した後に直ちに加熱された閉塞金型内に投入し、加圧固
化して真密度比で98%以上にする。なお、製造したC
u−Cr系接点材料をさらに、300〜800℃の温度
域で加熱し、粉末鍛造体中の加工歪を除去すると、電気
伝導度や熱伝導率を改善した良好な性能を得る。このC
u−Cr系接点材料は、平均粒径が25μmである分散
Cr粒子を5〜60重量%含有し、Bi,Te,Sb粒
子の少なくとも1種を0.01〜8重量%含有してい
る。
【0012】
【発明の実施の態様】Crは耐アーク性を有する材料で
あり、接触抵抗、裁断電流値、遮断特性等の電極特性を
改善する効果がある。その添加量が5重量%未満ではこ
のような効果が十分に得られず、一方、60重量%を越
えて添加しても効果は更には向上しない。したがって、
Crの適正含有量は5〜60重量%である。特に、Cr
粒径に関しては、素地中に分散するCr粒子の平均粒径
が30μmよりも大きい場合、Crの存在しない領域、
つまりCu素地領域においてアークが発生する確率が増
え、その結果、アークが局所的に集中して銅素地部の溶
融による接点の欠損が生じる。
【0013】更に、Cr粒子径が小さいほど、焼結した
際に焼結体内部に空孔が発生しにくいことを見いだし
た。したがって、局所的なアークの集中を防止し、安定
した接点特性および耐アーク消耗性を実現させるために
は、銅素地中に分散するCr粒子の平均粒径は30μm
以下であることが好ましい。具体的には、粉末の機械的
粉砕・混合・合金化処理(MA)を行うことでCr粒子
の平均粒径を30μm以下に微細化し、且つ銅粉末素地
中に均一に分散させることができる。
【0014】Bi,Te,Sbの元素のうち少なくとも
1種を含有することで、Cu−Cr系材料の接点特性を
更に改善することができる。特に、これらの高蒸気圧元
素はアーク放電時に接点間に高い蒸気圧で存在し、その
結果、裁断電流値を低い状態で安定させる効果があると
考えられる。このような効果を得るためには、これら元
素のうち、少なくとも1種を、合計で0.01%以上含
有する必要がある。
【0015】しかし、これらの元素は比較的融点が低い
ため、含有量が8重量%を越えると接点材料のろう付け
過程で流出したり、焼結材料の機械的特性を低下させる
といった問題が生じる。したがって、Bi,Te,Sb
の適正含有量は0.01〜8重量%である。尚、接点材
料としての要求特性の一つである電気伝導度を向上させ
る観点から本発明においては主体を銅としたものであ
る。
【0016】次に、本発明のCu−Cr系接点材料にお
ける粉末配合・成形加熱・熱間鍛造及び鍛造後の
加熱(焼鈍)について説明する。 粉末配合・成形 上記記載の本発明所定の組成を満足するようなCu粉
末、Cr粉末、更にはBi,Te,Sbの高蒸気圧元素
から選ばれた1種以上の粉末を配合し、これを先ず、圧
粉成形して固化体を作製する。その際、所定の組成に配
合した混合粉末に対して、メカニカルアロイング(M
A)処理に代表される粉末の機械的粉砕・混合・合金化
処理を行うことでCr粒子を微細に粉砕し、しかもCu
粉末素地中に均一に分散させる。つまり、このような機
械的合金化処理を施すことでCr粒子の粒径を30μm
以下に微細化させ、上記のように耐アーク消耗性を始め
とする接点特性を改善するものである。
【0017】加熱・熱間鍛造 この粉末固化体を700〜1050℃の温度域に加熱
し、その加熱温度で30秒以上40分以下保持した後、
直ちに加熱された閉塞金型内に投入し、加圧することで
真密度比で98%以上に固化する。
【0018】加熱温度範囲に関して、700℃未満では
粉末の塑性変形能が大きいために金型内で加圧した際、
粉末同士が十分変形しない結果、粉末鍛造体内部に空孔
が残存し、強度低下および電気電導度の低下を招く。一
方、加熱温度が1050℃を越えると、素地を構成する
Cuの液相の流出が始まり、固化体の著しい寸法変化が
生じると共に上記の高蒸気圧元素の蒸発が顕著になると
いった問題が生じる。
【0019】保持時間に関して、30秒未満では粉末の
塑性変形能が大きいために金型内で加圧した際、粉末同
士が十分変形しない結果、粉末鍛造体内部に空孔が残存
し、強度低下および電気電導度の低下を招く。一方、保
持時間が40分を越えると上記の高蒸気圧元素の蒸発が
顕著になるといった問題が生じる。
【0020】尚、加熱時の昇温速度について、本発明で
は100℃/分以上であることが望ましい。特に、80
0℃以上に加熱する場合、昇温速度が100℃/分より
も小さいと昇温時間が長くなり、加熱保持過程での熱に
加えて昇温過程での加熱の影響により、固化体中の高蒸
気圧元素が蒸発するといった問題が生じる。また、加熱
工程の雰囲気は不活性ガス、或いは還元ガス、或いは真
空中が望ましく、これは酸素濃度を抑えると共に窒化物
の生成を抑制する目的で限定しており、特に、水素ガス
やアルゴンガス、或いは真空中であることが好ましい。
【0021】更に、金型温度については、400℃以上
に保持することが望ましい。その理由は加熱した粉末固
化体を金型内に投入した際、粉末固化体の熱が金型側に
伝導し、その結果、加圧直前の粉末固化体の温度が著し
く低下して粉末同士を十分強固に結合できなくなり、鍛
造体の強度低下を誘発するといった問題が生じるためで
ある。
【0022】鍛造後の加熱(焼鈍) 上記のように熱間鍛造を行うと、得られた粉末鍛造体中
には加工歪が残存し、電気伝導度および熱伝導率を低下
させる。これに対して300〜800℃の温度域で加熱
保持(焼鈍)することで加工歪を除去し、電気伝導度や
熱伝導率を改善できる効果がある。ここで、焼鈍温度が
300℃未満では十分に加工歪を除去することができ
ず、逆に800℃を越えて加熱しても上記の効果は更に
向上せず、かえってBi,Te,Sb等の高蒸気圧元素
の蒸発現象を誘発する。特に、400℃〜600℃の温
度域が好ましい。尚、加熱(焼鈍)時間は粉末鍛造体の
形状・大きさに依存するが、約30分以上焼鈍すること
で加工歪は除去でき、電気伝導度および熱伝導率は向上
する。
【0023】
【実施例】
(実施例1) 電解Cu粉末,Cr粉末およびBi粉末
を準備し、これらを重量基準でCu−30%Cr−2.
5%Biとなるように配合した後、振動型ボールミルを
用いてメカニカルアロイング(MA)処理を行い、平均
粒径が25μmにまで粉砕されたCr粒子およびBi粒
子がCu素地中に均一に分散した複合粉末を作製し、こ
れを常温にて面圧6t/cm2の条件下で圧粉成形し
た。得られた圧粉成形体を表1に記載の製造条件にて固
化した。
【0024】
【表1】
【0025】各粉末固化体の真密度比、Biと酸素含有
量、引張強度および電気伝導度を測定した。その結果を
表2に示す。なお、真密度比(%)は粉末同志が完全に
結合したものを100%とした。例えば98.3%とは
1.7%の空間(孔)が残っていることを云う。引張強
度(Kg/mm2)を求める際の試料片は3mmφ×1
0mmlの丸棒である。又電気伝導度(%IACS)と
はCuを100とした値である。
【0026】
【表2】
【0027】これに見るように本発明記載の製造条件を
満足するNo.1〜6にて固化した粉末鍛造体は真密度比
で98%以上に緻密化しており、加熱中に酸化すること
なく、またBiが蒸発することなく合金中に所定量のB
iが残存し、且つ優れた機械的特性および電気的特性を
有していることが判る。No.1〜6の裁断電流値は、1
A以下で低い裁断電流値を保っている。一方、比較例の
No.7〜13については以下のような問題が生じ、満足
する特性を有していないことが判った。
【0028】No.7:加熱温度が600℃と低い為、粉
末同士が十分に結合せず、その結果鍛造体の真密度比は
98%に達せず、十分な強度が得られない。 No.8:加熱過程でCuの液相が流出して鍛造体中のB
iが蒸発すると共に、十分な強度を有する鍛造体が得ら
れない。 No.9:加熱保持時間は12秒と短い為、粉末同士が十
分に結合せず、その結果焼結体の真密度比は98%に達
せず、十分な強度が得られない。 No.10:加熱保持時間が1時間と長い為、鍛造体中のB
iが蒸発すると共に、十分な強度を有する鍛造体が得ら
れない。 No.11:900℃までの加熱工程において昇温速度が5
0℃/分と小さい為、加熱中に鍛造体中のBiが蒸発す
ると共に十分な強度が得られない。 No.12:大気中で加熱する為、酸化現象が進行して鍛造
体中の酸素量が増加すると共に十分な強度を有する鍛造
体が得られない。 No.13:焼鈍温度が900℃と高い為、鍛造体中のBi
が蒸発して所定量のBiの確保が困難となる。
【0029】(実施例2) 表3に記載する配合組成と
なるように各粉末を混合した後、振動型ボールミルを用
いてメカニカルアロイング(MA)処理を行い、Crお
よびBi或いはTe或いはSbがそれぞれCu素地中に
均一に分散した複合粉末を作製し、これを常温にて面圧
6t/cm2の条件下で圧粉成形した。得られた圧粉成
形体をArガス雰囲気中で昇温速度150℃/分の条件
下で900℃に加熱し、その温度で2分間保持した後、
直ちに加熱閉塞金型内(金型温度:480℃)で熱間鍛
造を施した。得られた粉末鍛造体の特性を表4に記載す
る。
【0030】
【表3】
【0031】
【表4】
【0032】これに見るように本発明記載の製造条件を
満足するNo.1〜6にて固化した粉末鍛造体は真密度比
で98%以上に緻密化しており、加熱中に酸化すること
なく、また高蒸気圧元素(Bi,Te,Sb)が蒸発す
ることなく合金中に所定量残存し、且つ優れた機械的特
性および電気的特性を有していることが判る。なおNo.
1〜6の裁断電流値は、1A以下で低い裁断電流値を保
っている。一方、比較例のNo.7〜11については以下
のような問題が生じ、満足する特性を有していないこと
が判った。
【0033】No.7:高蒸気圧元素を含有しない為、低
裁断電流値特性を有しない。 No.8:高蒸気圧元素であるBi含有量が10%と多い
為、機械的特性が低下する。 No.9:高蒸気圧元素であるTe含有量が10%と多い
為、機械的特性が低下する。 No.10:Crを含有しない為、アークによる摩耗量が大
きく電極として使用できない。 No.11:Cr含有量が68%と多くしても、電気的特性
が向上せずかえって機械的特性が低下する。
【0034】(実施例3) 電解Cu粉末,Cr粉末
(平均粒径45μm)およびBi粉末を準備し、これら
を重量基準でCu−40%Cr−2%Biとなるように
配合した後、一方はそのままの混合粉末を出発原料と
し、他方は振動型ボールミルを用いてメカニカルアロイ
ング(MA)処理を行い、平均粒径が25μmにまで粉
砕されたCr粒子およびBi粒子がCu素地中に均一に
分散した複合粉末を作製してこれを出発原料とした。そ
して両粉末を常温にて面圧6t/cm2の条件下で圧粉
成形し、得られた圧粉成形体をArガス雰囲気中で昇温
速度120℃/分の条件下で950℃にまで加熱し、そ
の温度で1分間保持した後、直ちに閉塞加熱金型(金型
温度:450℃)内に挿入し、熱間鍛造を施した。得ら
れた各粉末固化体の特性を表5に示す。
【0035】
【表5】
【0036】これに観るようにMA処理を施した粉末を
固化し得た鍛造体中のCr粒子の平均粒径は約25μm
であるのに対し、MA処理を施さなかった混合粉末を固
化した鍛造体では、Cr粒子の平均粒径は約45μmと
大きい。その結果、MA処理を施さない材料では、Cr
粒子が粗大であるために機械的特性および電気的特性に
おいて、MA処理材料に比べて特性低下が認められる。
また、電極用接点材料として使用することを想定して、
真空遮断器の電極材料として設置し真空中で電流を遮断
することにより、アーク放電に曝された際の材料表面の
損傷状況を目視にて調査した結果、MA処理を施すこと
でCr粒子の脱落を抑制し、且つアークによる摩耗損傷
を抑制できることが確認できた。
【0037】
【発明の効果】本発明の製法によると、高温焼結を行わ
ずに比較的短い熱履歴つまり、低温で短時間の加熱条件
下でCu−Cr系粉末を強固に結合させることが可能と
なることから、粉末固化体中に所定量のBi,Te,S
b等の高蒸気圧元素を残存させることができ、その結
果、1A以下の低裁断電流値を有するCu−Cr系接点
材料が得られ、真空遮断器用接点材料として利用でき
る。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01H 1/02 H01H 1/02 C 33/66 33/66 B

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 Bi,Te,Sbから選ばれた少なくと
    も1種の粉末を全体の0.01〜8重量%、Cr粉末を
    5〜60重量%含有し、残部が実質的にCu粉末からな
    る混合粉末を出発原料とし、これを圧粉成形した固化体
    を700℃〜1050℃の温度域に加熱し、該加熱温度
    で30秒以上40分以下保持した後に直ちに加熱された
    閉塞金型内に投入し、加圧することで真密度比で98%
    以上に固化することを特徴とするCu−Cr系接点材料
    の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記出発原料の混合粉末を機械的混合・
    粉砕・合金化処理を行うことを特徴とする請求項1に記
    載のCu−Cr系接点材料の製造方法。
  3. 【請求項3】 前記出発原料を圧粉成形した固化体を7
    00℃〜1050℃の温度域に加熱する際の昇温速度が
    100℃/分以上であることを特徴とする請求項1又は
    請求項2に記載のCu−Cr系接点材料の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記出発原料を圧粉成形した固化体を7
    00℃〜1050℃の温度域に加熱する際の雰囲気が不
    活性ガス、還元ガス、或いは真空中であることを特徴と
    する請求項3記載のCu−Cr系接点材料の製造方法。
  5. 【請求項5】 請求項1〜4のいずれか1項に記載のC
    u−Cr系接点材料の製造方法で、さらに、300〜8
    00℃の温度域で加熱することを特徴とするCu−Cr
    系接点材料の製造方法。
  6. 【請求項6】 請求項1〜5のいずれか1項に記載の製
    造方法により製造されたCu−Cr系接点材料。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008057026A (ja) * 2006-09-04 2008-03-13 Toshiba Corp 真空バルブ用接点材料およびその製造方法

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