JPH0920943A - 電子電気部品用銅合金およびその製造方法 - Google Patents
電子電気部品用銅合金およびその製造方法Info
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- JPH0920943A JPH0920943A JP16597895A JP16597895A JPH0920943A JP H0920943 A JPH0920943 A JP H0920943A JP 16597895 A JP16597895 A JP 16597895A JP 16597895 A JP16597895 A JP 16597895A JP H0920943 A JPH0920943 A JP H0920943A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 粒界割れや組織的なシャーバンドの発生によ
り、曲げ割れが生じてしまう等の問題の生じることのな
い曲げ加工性に優れ、高強度、高導電性の電子電気部品
用銅合金およびその製造方法を提供する。 【構成】 （１）Ｃｏ：０．１〜３．０ｗｔ％、Ｓｉ：
０．３〜１．０ｗｔ％、Ｚｎ：０．３〜１．０ｗｔ％、
Ｍｎ：０．００５〜０．１ｗｔ％、Ｐ：０．００５〜
０．１ｗｔ％を含有し、残部が銅および不可避的不純物
からなる銅合金において、母相中にＣｏとＳｉの化合物
およびＣｏとＰの化合物が存在し、かつ母相の平均結晶
粒度が２０μｍ以下で、圧延方向に対する板厚方向のア
スペクト比が１〜３であることを特徴とする電子電気部
品用銅合金。 （２）上記銅合金の製造方法において、熱間圧延後、８
５％以上の加工率に冷間圧延した後、４５０〜４８０℃
で５〜３０分間焼鈍し、３０％以下の加工率で冷間圧延
後、４５０〜５００℃で３０〜１２０分間時効処理を施
すことを特徴とする電子電気部品用銅合金の製造方法。
り、曲げ割れが生じてしまう等の問題の生じることのな
い曲げ加工性に優れ、高強度、高導電性の電子電気部品
用銅合金およびその製造方法を提供する。 【構成】 （１）Ｃｏ：０．１〜３．０ｗｔ％、Ｓｉ：
０．３〜１．０ｗｔ％、Ｚｎ：０．３〜１．０ｗｔ％、
Ｍｎ：０．００５〜０．１ｗｔ％、Ｐ：０．００５〜
０．１ｗｔ％を含有し、残部が銅および不可避的不純物
からなる銅合金において、母相中にＣｏとＳｉの化合物
およびＣｏとＰの化合物が存在し、かつ母相の平均結晶
粒度が２０μｍ以下で、圧延方向に対する板厚方向のア
スペクト比が１〜３であることを特徴とする電子電気部
品用銅合金。 （２）上記銅合金の製造方法において、熱間圧延後、８
５％以上の加工率に冷間圧延した後、４５０〜４８０℃
で５〜３０分間焼鈍し、３０％以下の加工率で冷間圧延
後、４５０〜５００℃で３０〜１２０分間時効処理を施
すことを特徴とする電子電気部品用銅合金の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、曲げ加工性に優れ、高
強度、高導電性の電子電気部品用銅合金およびその製造
方法に関するものであり、特に小型、高密度化されたリ
ードフレーム、端子およびコネクター等に適した銅合金
およびその製造方法に関するものである。
強度、高導電性の電子電気部品用銅合金およびその製造
方法に関するものであり、特に小型、高密度化されたリ
ードフレーム、端子およびコネクター等に適した銅合金
およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子電気部品に用いられる端子やコネク
ターは、電子電気機器等の小型化、軽量化にともない、
高強度、高導電性のものが望まれている。これらの要求
を満足すべく、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金が使用されるよ
うになった。また、リード強度の向上が図られたため、
集積度の高い回路のリードフレーム材に銅合金を使用す
ることができるようになった。
ターは、電子電気機器等の小型化、軽量化にともない、
高強度、高導電性のものが望まれている。これらの要求
を満足すべく、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金が使用されるよ
うになった。また、リード強度の向上が図られたため、
集積度の高い回路のリードフレーム材に銅合金を使用す
ることができるようになった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＣｕ−
Ｎｉ−Ｓｉ系合金は時効処理の段階で最高強度を示すよ
うな条件で熱処理を行うと、端子、コネクターあるいは
リードフレーム等に成形時或いは成形後に曲げ加工を行
うと、粒界割れや金属組織的なシャーバンドの発生によ
り、曲げ割れが生じてしまうため、過時効となる時効条
件で熱処理する必要があった。そのため、小型端子用、
コネクター用、高集積化に対応したリードフレーム用の
材料として、性能は十分ではなかった。
Ｎｉ−Ｓｉ系合金は時効処理の段階で最高強度を示すよ
うな条件で熱処理を行うと、端子、コネクターあるいは
リードフレーム等に成形時或いは成形後に曲げ加工を行
うと、粒界割れや金属組織的なシャーバンドの発生によ
り、曲げ割れが生じてしまうため、過時効となる時効条
件で熱処理する必要があった。そのため、小型端子用、
コネクター用、高集積化に対応したリードフレーム用の
材料として、性能は十分ではなかった。
【０００４】
【問題を解決するための手段】本発明は、これに鑑み種
々検討の結果、曲げ加工性に優れ、かつ、高強度、高導
電性の電子電気部品用銅合金およびその製造方法を開発
したものである。
々検討の結果、曲げ加工性に優れ、かつ、高強度、高導
電性の電子電気部品用銅合金およびその製造方法を開発
したものである。
【０００５】即ち、本発明の請求項１は、Ｃｏ：０．１
〜３．０ｗｔ％、Ｓｉ：０．３〜１．０ｗｔ％、Ｚｎ：
０．３〜１．０ｗｔ％、Ｍｎ：０．００５〜０．１ｗｔ
％、Ｐ：０．００５〜０．１ｗｔ％を含有し、残部が銅
および不可避的不純物からなる銅合金において、母相中
にＣｏとＳｉの化合物およびＣｏとＰの化合物が存在
し、かつ母相の平均結晶粒度が２０μｍ以下で、圧延方
向に対する板厚方向のアスペクト比が１〜３であること
を特徴とする電子電気部品用銅合金である。
〜３．０ｗｔ％、Ｓｉ：０．３〜１．０ｗｔ％、Ｚｎ：
０．３〜１．０ｗｔ％、Ｍｎ：０．００５〜０．１ｗｔ
％、Ｐ：０．００５〜０．１ｗｔ％を含有し、残部が銅
および不可避的不純物からなる銅合金において、母相中
にＣｏとＳｉの化合物およびＣｏとＰの化合物が存在
し、かつ母相の平均結晶粒度が２０μｍ以下で、圧延方
向に対する板厚方向のアスペクト比が１〜３であること
を特徴とする電子電気部品用銅合金である。
【０００６】また、本発明の請求項２は、Ｃｏ：０．１
〜３．０ｗｔ％、Ｎｉ：１．５〜３．０ｗｔ％、かつＣ
ｏ＋Ｎｉ≦４．５であり、Ｓｉ：０．３〜１．０ｗｔ
％、Ｚｎ：０．３〜１．０ｗｔ％、Ｍｎ：０．００５〜
０．１ｗｔ％、Ｐ：０．００５〜０．１ｗｔ％を含有
し、残部が銅および不可避的不純物からなる銅合金にお
いて、母相中にＮｉとＣｏとＳｉの化合物およびＣｏと
Ｐ、ＮｉとＰの化合物が存在し、かつ母相の平均結晶粒
度が２０μｍ以下で、圧延方向に対する板厚方向のアス
ペクト比が１〜３であることを特徴とする電子電気部品
用銅合金である。
〜３．０ｗｔ％、Ｎｉ：１．５〜３．０ｗｔ％、かつＣ
ｏ＋Ｎｉ≦４．５であり、Ｓｉ：０．３〜１．０ｗｔ
％、Ｚｎ：０．３〜１．０ｗｔ％、Ｍｎ：０．００５〜
０．１ｗｔ％、Ｐ：０．００５〜０．１ｗｔ％を含有
し、残部が銅および不可避的不純物からなる銅合金にお
いて、母相中にＮｉとＣｏとＳｉの化合物およびＣｏと
Ｐ、ＮｉとＰの化合物が存在し、かつ母相の平均結晶粒
度が２０μｍ以下で、圧延方向に対する板厚方向のアス
ペクト比が１〜３であることを特徴とする電子電気部品
用銅合金である。
【０００７】また、本発明の請求項３は、Ｃｏ：０．１
〜３．０ｗｔ％、Ｎｉ：１．５〜３．０ｗｔ％、かつＣ
ｏ＋Ｎｉ≦４．５であり、Ｓｉ：０．３〜１．０ｗｔ
％、Ｚｎ：０．３〜１．０ｗｔ％、Ｍｎ：０．００５〜
０．１ｗｔ％、Ｚｒ：０．０５〜０．３ｗｔ％を含有
し、残部が銅および不可避的不純物からなる銅合金にお
いて、母相中にＮｉとＣｏとＳｉの化合物およびＣｕと
Ｚｒの化合物が存在し、かつ母相の平均結晶粒度が２０
μｍ以下で、圧延方向に対する板厚方向のアスペクト比
が１〜３であることを特徴とする電子電気部品用銅合金
である。
〜３．０ｗｔ％、Ｎｉ：１．５〜３．０ｗｔ％、かつＣ
ｏ＋Ｎｉ≦４．５であり、Ｓｉ：０．３〜１．０ｗｔ
％、Ｚｎ：０．３〜１．０ｗｔ％、Ｍｎ：０．００５〜
０．１ｗｔ％、Ｚｒ：０．０５〜０．３ｗｔ％を含有
し、残部が銅および不可避的不純物からなる銅合金にお
いて、母相中にＮｉとＣｏとＳｉの化合物およびＣｕと
Ｚｒの化合物が存在し、かつ母相の平均結晶粒度が２０
μｍ以下で、圧延方向に対する板厚方向のアスペクト比
が１〜３であることを特徴とする電子電気部品用銅合金
である。
【０００８】また、本発明の請求項４は、Ｎｉ：１．５
〜３．０ｗｔ％、Ｓｉ：０．３〜１．０ｗｔ％、Ｚｎ：
０．３〜１．０ｗｔ％、Ｍｎ：０．００５〜０．１ｗｔ
％、Ｚｒ：０．０５〜０．３ｗｔ％、を含有し、残部が
銅および不可避的不純物からなる銅合金において、母相
中にＮｉとＳｉの化合物およびＣｕとＺｒの化合物が存
在し、かつ母相の平均結晶粒度が２０μｍ以下で、圧延
方向に対する板厚方向のアスペクト比が１〜３であるこ
とを特徴とする電子電気部品用銅合金である。
〜３．０ｗｔ％、Ｓｉ：０．３〜１．０ｗｔ％、Ｚｎ：
０．３〜１．０ｗｔ％、Ｍｎ：０．００５〜０．１ｗｔ
％、Ｚｒ：０．０５〜０．３ｗｔ％、を含有し、残部が
銅および不可避的不純物からなる銅合金において、母相
中にＮｉとＳｉの化合物およびＣｕとＺｒの化合物が存
在し、かつ母相の平均結晶粒度が２０μｍ以下で、圧延
方向に対する板厚方向のアスペクト比が１〜３であるこ
とを特徴とする電子電気部品用銅合金である。
【０００９】また、本発明の請求項５は、熱間圧延後、
８５％以上の冷間圧延を施し、４５０〜４８０℃で５〜
３０分間焼鈍後、３０％以下の冷間圧延を施し、更に４
５０〜５００℃で３０〜１２０分間時効処理を行うこと
を特徴とする請求項１〜４記載の電子電気部品用銅合金
の製造方法である。
８５％以上の冷間圧延を施し、４５０〜４８０℃で５〜
３０分間焼鈍後、３０％以下の冷間圧延を施し、更に４
５０〜５００℃で３０〜１２０分間時効処理を行うこと
を特徴とする請求項１〜４記載の電子電気部品用銅合金
の製造方法である。
【００１０】
【作用】次に本発明合金における成分元素の添加理由
と、その組成範囲の限定理由について説明する。Ｃｏ、
Ｓｉ、ＰおよびＺｒの添加は、加熱処理によりＣｏ−Ｓ
ｉ化合物およびＣｏ−ＰまたはＣｕ−Ｚｒ化合物を析出
させるためである。Ｃｏ−Ｓｉ化合物は、結晶粒の成長
を抑える効果があり、Ｃｏ−ＰまたはＣｕ−Ｚｒ化合物
は、結晶粒の成長を抑える効果に加えて強度を向上させ
る効果があるためである。いずれの元素もその組成範囲
未満では上記効果を示さず、またその組成範囲を超える
添加では鋳造時に晶出相を生成して鋳造割れの原因とな
るため好ましくない。
と、その組成範囲の限定理由について説明する。Ｃｏ、
Ｓｉ、ＰおよびＺｒの添加は、加熱処理によりＣｏ−Ｓ
ｉ化合物およびＣｏ−ＰまたはＣｕ−Ｚｒ化合物を析出
させるためである。Ｃｏ−Ｓｉ化合物は、結晶粒の成長
を抑える効果があり、Ｃｏ−ＰまたはＣｕ−Ｚｒ化合物
は、結晶粒の成長を抑える効果に加えて強度を向上させ
る効果があるためである。いずれの元素もその組成範囲
未満では上記効果を示さず、またその組成範囲を超える
添加では鋳造時に晶出相を生成して鋳造割れの原因とな
るため好ましくない。
【００１１】Ｚｎの添加は、半田付け後の環境劣化を防
止するためである。しかしてＺｎ含有量を０．３〜１．
０ｗｔ％としたのは、０．３ｗｔ％未満ではその効果が
十分に得られず、１．０ｗｔ％を超えると導電率が低下
するからである。Ｍｎの添加は、不純物として存在する
硫黄をトラップし、脆化割れの発生を防止するためであ
る。しかして、Ｍｎ含有量を０．００５〜０．１ｗｔ％
としたのは、０．００５ｗｔ％未満ではその効果が得ら
れず、０．１ｗｔ％を超えると導電率が低下するからで
ある。
止するためである。しかしてＺｎ含有量を０．３〜１．
０ｗｔ％としたのは、０．３ｗｔ％未満ではその効果が
十分に得られず、１．０ｗｔ％を超えると導電率が低下
するからである。Ｍｎの添加は、不純物として存在する
硫黄をトラップし、脆化割れの発生を防止するためであ
る。しかして、Ｍｎ含有量を０．００５〜０．１ｗｔ％
としたのは、０．００５ｗｔ％未満ではその効果が得ら
れず、０．１ｗｔ％を超えると導電率が低下するからで
ある。
【００１２】ＮｉはＣｏとともにＮｉ−Ｃｏ−Ｓｉ化合
物を形成し、また、Ｎｉ−ＰまたはＮｉ−Ｓｉ化合物を
形成し、さらに強度を向上させることができるが、１．
５ｗｔ％未満では金属間化合物の生成が少なくて、強度
の向上が少なく、３．０ｗｔ％を超えると加工性が劣化
するとともに、導電率が低下する。なお、Ｃｏ＋Ｎｉ≦
４．５とした理由は、Ｃｏ＋Ｎｉが４．５を越えると熱
間圧延性に劣るためである。
物を形成し、また、Ｎｉ−ＰまたはＮｉ−Ｓｉ化合物を
形成し、さらに強度を向上させることができるが、１．
５ｗｔ％未満では金属間化合物の生成が少なくて、強度
の向上が少なく、３．０ｗｔ％を超えると加工性が劣化
するとともに、導電率が低下する。なお、Ｃｏ＋Ｎｉ≦
４．５とした理由は、Ｃｏ＋Ｎｉが４．５を越えると熱
間圧延性に劣るためである。
【００１３】なお、本発明の銅合金の酸素含有量は、５
〜１００ｐｐｍ程度であることが望ましい。この理由
は、過剰の酸素分が製造加工を困難にするばかりか、強
度、成形加工性、メッキ性、半田付け性等の特性を劣化
するためである。また、さらに望ましい酸素含有量は５
〜１０ｐｐｍである。
〜１００ｐｐｍ程度であることが望ましい。この理由
は、過剰の酸素分が製造加工を困難にするばかりか、強
度、成形加工性、メッキ性、半田付け性等の特性を劣化
するためである。また、さらに望ましい酸素含有量は５
〜１０ｐｐｍである。
【００１４】結晶粒度を２０μｍ以下に限定した理由
は、結晶粒度が２０μｍよりも大きいと、曲げ加工の際
に、変形中に導入される転位が粒界にパイルアップして
セルを形成し、割れの起点になりやすいからである。ま
た、析出物の大きさは、１００ｎｍ以下が望ましく、５
〜５０ｎｍがより望ましいがこれに限定されない。
は、結晶粒度が２０μｍよりも大きいと、曲げ加工の際
に、変形中に導入される転位が粒界にパイルアップして
セルを形成し、割れの起点になりやすいからである。ま
た、析出物の大きさは、１００ｎｍ以下が望ましく、５
〜５０ｎｍがより望ましいがこれに限定されない。
【００１５】本発明で規定しているアスペクト比とは、
（圧延方向の結晶粒の長さ）／（板厚方向の結晶粒の長
さ）から求められる数値であり、この数値が大きければ
大きい程、結晶粒が圧延方向に長く伸びていることにな
る。本発明においてこのアスペクト比を１〜３に限定し
た理由は、アスペクト比が３を越えると変形中にそれぞ
れの結晶方位の回転が起こり難くなるため、転位のセル
が粒界の一部に集中して存在するようになり、粒界破壊
が生じ、また、結晶粒内でのシャーバンドの形成が起こ
り易くなり、粒内破壊が生じ、曲げ加工性が劣化するた
めである。
（圧延方向の結晶粒の長さ）／（板厚方向の結晶粒の長
さ）から求められる数値であり、この数値が大きければ
大きい程、結晶粒が圧延方向に長く伸びていることにな
る。本発明においてこのアスペクト比を１〜３に限定し
た理由は、アスペクト比が３を越えると変形中にそれぞ
れの結晶方位の回転が起こり難くなるため、転位のセル
が粒界の一部に集中して存在するようになり、粒界破壊
が生じ、また、結晶粒内でのシャーバンドの形成が起こ
り易くなり、粒内破壊が生じ、曲げ加工性が劣化するた
めである。
【００１６】本願の製造方法において、熱間圧延後、８
５％以上の加工率で冷間圧延した後、４５０〜４８０℃
で５〜３０分間焼鈍する理由は、熱間圧延後の冷間加工
および焼鈍によって、再結晶とＣｏ−ＰもしくはＮｉ−
Ｐ化合物の析出を同時に進行させるためである。しかし
て加工率を８５％以上に限定した理由は、８５％未満の
加工率では、再結晶核の発生頻度が低くくなり結晶粒が
微細にならないためである。また焼鈍条件を４５０〜４
８０℃で５〜３０分間の範囲内に限定した理由は、焼鈍
温度が４８０℃を超えると急速に再結晶が進み、Ｃｏ−
ＰもしくはＮｉ−Ｐ化合物の析出が同時に進行せず、結
晶粒が粗大になってしまうためである。焼鈍時間が３０
分を超えると、やはり結晶粒が粗大化するためである。
また、焼鈍温度が４５０℃未満あるいは焼鈍時間が５分
未満であると、再結晶が十分に起きなく、結晶粒が微細
化しないためである。
５％以上の加工率で冷間圧延した後、４５０〜４８０℃
で５〜３０分間焼鈍する理由は、熱間圧延後の冷間加工
および焼鈍によって、再結晶とＣｏ−ＰもしくはＮｉ−
Ｐ化合物の析出を同時に進行させるためである。しかし
て加工率を８５％以上に限定した理由は、８５％未満の
加工率では、再結晶核の発生頻度が低くくなり結晶粒が
微細にならないためである。また焼鈍条件を４５０〜４
８０℃で５〜３０分間の範囲内に限定した理由は、焼鈍
温度が４８０℃を超えると急速に再結晶が進み、Ｃｏ−
ＰもしくはＮｉ−Ｐ化合物の析出が同時に進行せず、結
晶粒が粗大になってしまうためである。焼鈍時間が３０
分を超えると、やはり結晶粒が粗大化するためである。
また、焼鈍温度が４５０℃未満あるいは焼鈍時間が５分
未満であると、再結晶が十分に起きなく、結晶粒が微細
化しないためである。
【００１７】焼鈍後の冷間圧延率を３０％以下とした理
由は、圧延率が３０％を超えると、結晶粒が圧延方向に
伸びてアスペクト比が高くなるか、または時効処理の際
に再結晶が起こり微結晶状態を得ることができず、曲げ
加工性が悪くなからである。
由は、圧延率が３０％を超えると、結晶粒が圧延方向に
伸びてアスペクト比が高くなるか、または時効処理の際
に再結晶が起こり微結晶状態を得ることができず、曲げ
加工性が悪くなからである。
【００１８】さらに４５０〜５００℃で３０〜１２０分
間時効処理を行う理由は、強度を向上させるＣｏ−Ｓｉ
化合物および／またはＮｉ−Ｃｏ−Ｓｉ化合物を十分に
析出させるためであり、５００℃を超え、あるいは１２
０分を超えると析出相が粗大化するため十分な強度が得
られず、また４５０℃未満、あるいは３０分未満である
と析出相の生成量が不十分であり、電子電気部品として
要求される強度および導電率が得られないからである。
間時効処理を行う理由は、強度を向上させるＣｏ−Ｓｉ
化合物および／またはＮｉ−Ｃｏ−Ｓｉ化合物を十分に
析出させるためであり、５００℃を超え、あるいは１２
０分を超えると析出相が粗大化するため十分な強度が得
られず、また４５０℃未満、あるいは３０分未満である
と析出相の生成量が不十分であり、電子電気部品として
要求される強度および導電率が得られないからである。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００２０】（実施例１）表１に示すような組成の鋳塊
Ｎo.ａ〜ｍを誘導溶解炉を用いて溶解し、厚さ２０ｍ
ｍ、幅１５０ｍｍ、長さ３００ｍｍの試料を鋳造した。
しかる後上記試料を９８０℃に加熱して３ｈ保持した
後、厚さ１０ｍｍ、又は３ｍｍに熱間圧延した。熱間圧
延後、両面面削もしくは酸洗バブ研磨を行い、それぞ
れ、厚さ８ｍｍ、又は２ｍｍとした。次に、それぞれの
試料に対して表２に示す本発明方法Ａの製造条件によ
り、冷間圧延、焼鈍処理、冷間圧延、時効処理の各処理
を施した。
Ｎo.ａ〜ｍを誘導溶解炉を用いて溶解し、厚さ２０ｍ
ｍ、幅１５０ｍｍ、長さ３００ｍｍの試料を鋳造した。
しかる後上記試料を９８０℃に加熱して３ｈ保持した
後、厚さ１０ｍｍ、又は３ｍｍに熱間圧延した。熱間圧
延後、両面面削もしくは酸洗バブ研磨を行い、それぞ
れ、厚さ８ｍｍ、又は２ｍｍとした。次に、それぞれの
試料に対して表２に示す本発明方法Ａの製造条件によ
り、冷間圧延、焼鈍処理、冷間圧延、時効処理の各処理
を施した。
【００２１】この様にして得られた試料について、引張
試験、導電率測定、Ｖ字曲げ試験、透過型電子顕微鏡に
よる結晶粒度測定および形状調査をおこなった。なお、
平均結晶粒径は、圧延方向の結晶粒の長さと板厚方向の
結晶粒の長さの平均値である。その結果を表３に示す。
なお、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｐ、Ｚｒの内い
ずれかが本願の範囲内よりも多い比較合金ｊ〜ｍを用い
た試料（比較例１０〜１３）はいずれも鋳造過程あるい
は熱間圧延過程で割れを生じたため、それ以降の処理は
行わなかった。
試験、導電率測定、Ｖ字曲げ試験、透過型電子顕微鏡に
よる結晶粒度測定および形状調査をおこなった。なお、
平均結晶粒径は、圧延方向の結晶粒の長さと板厚方向の
結晶粒の長さの平均値である。その結果を表３に示す。
なお、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｐ、Ｚｒの内い
ずれかが本願の範囲内よりも多い比較合金ｊ〜ｍを用い
た試料（比較例１０〜１３）はいずれも鋳造過程あるい
は熱間圧延過程で割れを生じたため、それ以降の処理は
行わなかった。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表２】
【００２４】
【表３】
【００２５】表３から明らかなように、本発明の組成範
囲内の合金（鋳塊Ｎo.ａ〜ｆ）を用い、本発明の製造方
法によって製造された本発明例No. １〜６は、いずれも
結晶粒度が２０μｍ以下で、アスペクト比が３以下で、
請求項１〜４の限定条件を満足している。しかして、上
記合金は曲げ性の指標であるｒ／ｔ（Ｖブロックの曲げ
半径／板厚）が０．４以下と良好な値を示し、しかも８
００N/mm2 以上の引張強さ、および４５%IACS 以上の高
い導電率が得られる。それに対し製造方法は本発明の範
囲内であるが、合金組成が請求範囲から外れた比較例７
〜９は、引張強さ、0.2%耐力が低下し、結晶粒の粗大化
が起こって（請求項１〜４の発明の範囲外となり）、曲
げ性に劣っている。
囲内の合金（鋳塊Ｎo.ａ〜ｆ）を用い、本発明の製造方
法によって製造された本発明例No. １〜６は、いずれも
結晶粒度が２０μｍ以下で、アスペクト比が３以下で、
請求項１〜４の限定条件を満足している。しかして、上
記合金は曲げ性の指標であるｒ／ｔ（Ｖブロックの曲げ
半径／板厚）が０．４以下と良好な値を示し、しかも８
００N/mm2 以上の引張強さ、および４５%IACS 以上の高
い導電率が得られる。それに対し製造方法は本発明の範
囲内であるが、合金組成が請求範囲から外れた比較例７
〜９は、引張強さ、0.2%耐力が低下し、結晶粒の粗大化
が起こって（請求項１〜４の発明の範囲外となり）、曲
げ性に劣っている。
【００２６】（実施例２）表１に示す鋳塊のうち鋳塊Ｎ
o.ａを用いて、実施例１と同様の条件で溶解、鋳造、加
熱処理、熱間圧延、両面面削、酸洗バブ研磨を行い、表
２に示す各条件（Ａ〜Ｍ）の各処理を施した。
o.ａを用いて、実施例１と同様の条件で溶解、鋳造、加
熱処理、熱間圧延、両面面削、酸洗バブ研磨を行い、表
２に示す各条件（Ａ〜Ｍ）の各処理を施した。
【００２７】処理を施した試料について、引張試験、導
電率測定、Ｖ字曲げ試験、透過型電子顕微鏡による結晶
粒度測定および形状調査をおこなった。その結果を表４
に示す。
電率測定、Ｖ字曲げ試験、透過型電子顕微鏡による結晶
粒度測定および形状調査をおこなった。その結果を表４
に示す。
【００２８】
【表４】
【００２９】表４から明らかなように、本発明方法によ
るもの（本発明例１４〜１６）は結晶粒度が２０μｍ以
下で、アスペクト比が３以下で、請求項１〜４の限定条
件を満足している。しかして上記本発明例は、曲げ性の
指標であるｒ／ｔ（Ｖブロックの曲げ半径／板厚）が
０．４以下と良好な値を示し、しかも８００N/mm2 以上
の引張強さ、および４５%IACS 以上の高い導電率が得ら
れる。それに対し製造条件が請求範囲から外れたもの
（比較例１７〜２６）は、結晶粒、アスペクト比が本発
明の範囲外であり、曲げ性が劣っており、引張強さ、耐
力、導電率も本発明例よりも劣っている。
るもの（本発明例１４〜１６）は結晶粒度が２０μｍ以
下で、アスペクト比が３以下で、請求項１〜４の限定条
件を満足している。しかして上記本発明例は、曲げ性の
指標であるｒ／ｔ（Ｖブロックの曲げ半径／板厚）が
０．４以下と良好な値を示し、しかも８００N/mm2 以上
の引張強さ、および４５%IACS 以上の高い導電率が得ら
れる。それに対し製造条件が請求範囲から外れたもの
（比較例１７〜２６）は、結晶粒、アスペクト比が本発
明の範囲外であり、曲げ性が劣っており、引張強さ、耐
力、導電率も本発明例よりも劣っている。
【００３０】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、強
度、導電率の両者に優れ、しかも電子電気部品用材料と
して非常に重要な特性である曲げ加工性に優れた銅合金
を得ることができ、高集積化または小型化が図られてい
る電子電気部品用材料に十分に対応できる電子電気部品
用銅合金を提供できる。
度、導電率の両者に優れ、しかも電子電気部品用材料と
して非常に重要な特性である曲げ加工性に優れた銅合金
を得ることができ、高集積化または小型化が図られてい
る電子電気部品用材料に十分に対応できる電子電気部品
用銅合金を提供できる。
Claims (5)
- 【請求項１】Ｃｏ：０．１〜３．０ｗｔ％、Ｓｉ：０．
３〜１．０ｗｔ％、Ｚｎ：０．３〜１．０ｗｔ％、Ｍ
ｎ：０．００５〜０．１ｗｔ％、Ｐ：０．００５〜０．
１ｗｔ％を含有し、残部が銅および不可避的不純物から
なる銅合金において、母相中にＣｏとＳｉの化合物およ
びＣｏとＰの化合物が存在し、かつ母相の平均結晶粒度
が２０μｍ以下で、圧延方向に対する板厚方向のアスペ
クト比が１〜３であることを特徴とする電子電気部品用
銅合金。 - 【請求項２】Ｃｏ：０．１〜３．０ｗｔ％、Ｎｉ：１．
５〜３．０ｗｔ％、かつＣｏ＋Ｎｉ≦４．５であり、Ｓ
ｉ：０．３〜１．０ｗｔ％、Ｚｎ：０．３〜１．０ｗｔ
％、Ｍｎ：０．００５〜０．１ｗｔ％、Ｐ：０．００５
〜０．１ｗｔ％を含有し、残部が銅および不可避的不純
物からなる銅合金において、母相中にＮｉとＣｏとＳｉ
の化合物およびＣｏとＰ、ＮｉとＰの化合物が存在し、
かつ母相の平均結晶粒度が２０μｍ以下で、圧延方向に
対する板厚方向のアスペクト比が１〜３であることを特
徴とする電子電気部品用銅合金。 - 【請求項３】Ｃｏ：０．１〜３．０ｗｔ％、Ｎｉ：１．
５〜３．０ｗｔ％、かつＣｏ＋Ｎｉ≦４．５であり、Ｓ
ｉ：０．３〜１．０ｗｔ％、Ｚｎ：０．３〜１．０ｗｔ
％、Ｍｎ：０．００５〜０．１ｗｔ％、Ｚｒ：０．０５
〜０．３ｗｔ％を含有し、残部が銅および不可避的不純
物からなる銅合金において、母相中にＮｉとＣｏとＳｉ
の化合物およびＣｕとＺｒの化合物が存在し、かつ母相
の平均結晶粒度が２０μｍ以下で、圧延方向に対する板
厚方向のアスペクト比が１〜３であることを特徴とする
電子電気部品用銅合金。 - 【請求項４】Ｎｉ：１．５〜３．０ｗｔ％、Ｓｉ：０．
３〜１．０ｗｔ％、Ｚｎ：０．３〜１．０ｗｔ％、Ｍ
ｎ：０．００５〜０．１ｗｔ％、Ｚｒ：０．０５〜０．
３ｗｔ％、を含有し、残部が銅および不可避的不純物か
らなる銅合金において、母相中にＮｉとＳｉの化合物お
よびＣｕとＺｒの化合物が存在し、かつ母相の平均結晶
粒度が２０μｍ以下で、圧延方向に対する板厚方向のア
スペクト比が１〜３であることを特徴とする電子電気部
品用銅合金。 - 【請求項５】熱間圧延後、８５％以上の冷間圧延を施
し、４５０〜４８０℃で５〜３０分間焼鈍後、３０％以
下の冷間圧延を施し、更に４５０〜５００℃で３０〜１
２０分間時効処理を行うことを特徴とする請求項１〜４
記載の電子電気部品用銅合金の製造方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP16597895A JP3408021B2 (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 電子電気部品用銅合金およびその製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP16597895A JP3408021B2 (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 電子電気部品用銅合金およびその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0920943A true JPH0920943A (ja) | 1997-01-21 |
| JP3408021B2 JP3408021B2 (ja) | 2003-05-19 |
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| WO2012043170A1 (ja) | 2010-09-29 | 2012-04-05 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子材料用Ｃｕ－Ｃｏ－Ｓｉ系銅合金及びその製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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-
1995
- 1995-06-30 JP JP16597895A patent/JP3408021B2/ja not_active Expired - Fee Related
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