JPH06347412A - 異物検査方法及び装置 - Google Patents
異物検査方法及び装置Info
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- JPH06347412A JPH06347412A JP5137640A JP13764093A JPH06347412A JP H06347412 A JPH06347412 A JP H06347412A JP 5137640 A JP5137640 A JP 5137640A JP 13764093 A JP13764093 A JP 13764093A JP H06347412 A JPH06347412 A JP H06347412A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 それぞれ微細度が異なる複数のパターンが形
成された被検基板の異物検査を効率的に行う。 【構成】 所定のパターンが形成されたレチクル1の必
要検査エリアでレーザビームLBを2次元的に走査し、
必要検査エリア上の異物からの散乱光を集光レンズ10
A〜10Cを介して光電子増倍管11A〜11Cで受光
する。例えば光電子増倍管11A〜11Cの電源電圧を
換えることにより異物検出感度を切り換える。レチクル
1の必要検査エリアを描画されているパターンの粗密に
応じて複数の分割検査エリアに分割し、各分割検査エリ
アでそれぞれ異物検出感度を独立に設定する。
成された被検基板の異物検査を効率的に行う。 【構成】 所定のパターンが形成されたレチクル1の必
要検査エリアでレーザビームLBを2次元的に走査し、
必要検査エリア上の異物からの散乱光を集光レンズ10
A〜10Cを介して光電子増倍管11A〜11Cで受光
する。例えば光電子増倍管11A〜11Cの電源電圧を
換えることにより異物検出感度を切り換える。レチクル
1の必要検査エリアを描画されているパターンの粗密に
応じて複数の分割検査エリアに分割し、各分割検査エリ
アでそれぞれ異物検出感度を独立に設定する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体製造工程
で使用されるフォトマスク又はレチクルのように、露光
用のパターン等が予め形成されている基板上に付着した
ゴミ等の異物を検出するための異物検査方法、及びその
方法を実施できる異物検査装置に関する。
で使用されるフォトマスク又はレチクルのように、露光
用のパターン等が予め形成されている基板上に付着した
ゴミ等の異物を検出するための異物検査方法、及びその
方法を実施できる異物検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子又は液晶表示素子等をフォト
リソグラフィ工程で製造する際に、フォトマスク又はレ
チクル(以下、「レチクル」と総称する)上に形成され
た露光用のパターンの像を投影光学系を介して感光基板
上に転写する投影露光装置が使用されている。この場
合、レチクル上に許容できる大きさを超えるゴミ等の異
物が付着していると、その異物の像も感光基板上に転写
され、製造される半導体素子等の歩留まりが低下してし
まう。そこで、レチクルを投影露光装置にロードする前
に、異物検査装置により、レチクル上の異物の有無並び
に異物の位置及び大きさ等が検査される。この種の異物
検査装置では、レチクル上に既に形成されている露光用
のパターンの一部を実際の異物として誤って検出するこ
とを防止する必要がある。
リソグラフィ工程で製造する際に、フォトマスク又はレ
チクル(以下、「レチクル」と総称する)上に形成され
た露光用のパターンの像を投影光学系を介して感光基板
上に転写する投影露光装置が使用されている。この場
合、レチクル上に許容できる大きさを超えるゴミ等の異
物が付着していると、その異物の像も感光基板上に転写
され、製造される半導体素子等の歩留まりが低下してし
まう。そこで、レチクルを投影露光装置にロードする前
に、異物検査装置により、レチクル上の異物の有無並び
に異物の位置及び大きさ等が検査される。この種の異物
検査装置では、レチクル上に既に形成されている露光用
のパターンの一部を実際の異物として誤って検出するこ
とを防止する必要がある。
【0003】そのため、例えば特公昭63−64738
号公報に開示されている異物検査装置では、異物のみを
検出するために、異物からの散乱光と露光用回路パター
ンからの回折光との散乱特性の違い、即ち回路パターン
からの回折光は極めて指向性が強いが、異物からの散乱
光はほぼ等方的に発生することを利用している。そし
て、被検基板を検出用の光ビームで走査する照明系と、
被検基板からの散乱光を受光するための複数の光電変換
器とを配置し、それら複数個の光電変換器の全てで同時
に所定値以上の光電信号が発生した場合には、異物であ
ると判定し、それら複数の光電変換器の中に1つでも所
定値以上の光電信号を発生しないものがある場合には、
回路パターンであると判定することにより、回路パター
ンと異物とを弁別している。
号公報に開示されている異物検査装置では、異物のみを
検出するために、異物からの散乱光と露光用回路パター
ンからの回折光との散乱特性の違い、即ち回路パターン
からの回折光は極めて指向性が強いが、異物からの散乱
光はほぼ等方的に発生することを利用している。そし
て、被検基板を検出用の光ビームで走査する照明系と、
被検基板からの散乱光を受光するための複数の光電変換
器とを配置し、それら複数個の光電変換器の全てで同時
に所定値以上の光電信号が発生した場合には、異物であ
ると判定し、それら複数の光電変換器の中に1つでも所
定値以上の光電信号を発生しないものがある場合には、
回路パターンであると判定することにより、回路パター
ンと異物とを弁別している。
【0004】さて、この種の異物検査装置の異物検出感
度(管理したい異物サイズに合わせた装置のもつ異物検
出能力)は、ノイズ成分となる迷光、回折光等の光電信
号の大きさを考慮して、異物からの散乱光の光電信号の
大きさが所定のスライスレベル以上になるように調整さ
れる。更に、近年レチクルの種類の多様化に伴い、管理
したい異物のレベルも何段階かに分かれてきているた
め、1台の異物検査装置で複数のそれぞれ異物検出感度
が異なるレチクルの検出が行えるように、異物の検出感
度を変更できるようにとの要求が強くなって来ている。
斯かる要求に対しては、特開昭63−285449号公
報で提案されているように、被検査面上で光ビーム径を
変更する方法や、電気系の増幅度を変更する方法で対応
することができる。
度(管理したい異物サイズに合わせた装置のもつ異物検
出能力)は、ノイズ成分となる迷光、回折光等の光電信
号の大きさを考慮して、異物からの散乱光の光電信号の
大きさが所定のスライスレベル以上になるように調整さ
れる。更に、近年レチクルの種類の多様化に伴い、管理
したい異物のレベルも何段階かに分かれてきているた
め、1台の異物検査装置で複数のそれぞれ異物検出感度
が異なるレチクルの検出が行えるように、異物の検出感
度を変更できるようにとの要求が強くなって来ている。
斯かる要求に対しては、特開昭63−285449号公
報で提案されているように、被検査面上で光ビーム径を
変更する方法や、電気系の増幅度を変更する方法で対応
することができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の如き
従来の技術において、投影露光装置用のレチクルに描画
されている回路パターンとしては、1枚のレチクル内で
局所的に微細なパターンが描画されていることが多く、
検査すべき領域の全てにおいて微細なパターンが形成さ
れていることは稀である。そのため、その1枚のレチク
ルの被検領域の全てにおいて、その微細なパターンに影
響を与える程度の小さな異物を検出できるように検出感
度を設定すると、その微細なパターンより粗いパターン
が形成されている領域では、必要以上の検出感度で異物
検査が行われる。
従来の技術において、投影露光装置用のレチクルに描画
されている回路パターンとしては、1枚のレチクル内で
局所的に微細なパターンが描画されていることが多く、
検査すべき領域の全てにおいて微細なパターンが形成さ
れていることは稀である。そのため、その1枚のレチク
ルの被検領域の全てにおいて、その微細なパターンに影
響を与える程度の小さな異物を検出できるように検出感
度を設定すると、その微細なパターンより粗いパターン
が形成されている領域では、必要以上の検出感度で異物
検査が行われる。
【0006】仮に、粗いパターンが形成されている領域
で、微細なパターンに影響を与えるが粗いパターンの露
光工程には影響を与えない程度の微小な異物を検出した
場合でも、通常は異物が零になるような管理を行うた
め、そのレチクルは洗浄等の前工程に戻ることになり、
不必要な作業が発生するという不都合がある。本発明は
斯かる点に鑑み、それぞれ微細度が異なる複数のパター
ンが形成された被検基板の異物検査を効率的に行える異
物検査方法を提供することを目的とする。更に本発明
は、そのような異物検査方法を実施できる異物検査装置
を提供することをも目的とする。
で、微細なパターンに影響を与えるが粗いパターンの露
光工程には影響を与えない程度の微小な異物を検出した
場合でも、通常は異物が零になるような管理を行うた
め、そのレチクルは洗浄等の前工程に戻ることになり、
不必要な作業が発生するという不都合がある。本発明は
斯かる点に鑑み、それぞれ微細度が異なる複数のパター
ンが形成された被検基板の異物検査を効率的に行える異
物検査方法を提供することを目的とする。更に本発明
は、そのような異物検査方法を実施できる異物検査装置
を提供することをも目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明による異物検査方
法は、所定のパターンが形成された被検基板(1)の被
検領域(23)で光ビームを2次元的に相対的に走査
し、被検領域(23)から生じる光情報を電気信号に変
換し、この電気信号に基づいて被検基板(1)に付着す
る異物を検出する方法において、被検基板(1)の被検
領域(23)をその所定のパターンの部分的な粗密に応
じて複数の小領域(24〜26)に分割し、小領域(2
4〜26)毎に異物の検出感度を独立に設定するように
したものである。
法は、所定のパターンが形成された被検基板(1)の被
検領域(23)で光ビームを2次元的に相対的に走査
し、被検領域(23)から生じる光情報を電気信号に変
換し、この電気信号に基づいて被検基板(1)に付着す
る異物を検出する方法において、被検基板(1)の被検
領域(23)をその所定のパターンの部分的な粗密に応
じて複数の小領域(24〜26)に分割し、小領域(2
4〜26)毎に異物の検出感度を独立に設定するように
したものである。
【0008】また、本発明による異物検査装置は、所定
のパターンが形成された被検基板(1)の被検領域(2
3)に光ビームを照射する光照射手段と、被検領域(2
3)とその光ビームとを2次元的に相対的に走査する相
対走査手段(5,6)と、被検領域(23)から生じる
光情報を電気信号に変換する受光手段(11A〜11
C)と、これら受光手段から出力される電気信号に基づ
いて被検基板(1)に付着する異物を検出する信号処理
手段(18〜22))とを有する装置において、その光
ビームの被検領域(23)上での走査位置を検出する位
置計測手段(4,8A,8B)と、被検基板(1)上の
パターンの粗密分布の情報を入力する入力手段(13)
と、被検領域(23)からの光情報に基づく異物の検出
感度を変更する感度変更手段(16)と、入力手段(1
3)で入力された粗密分布の情報に応じて被検基板
(1)の被検領域を複数の小領域(24〜26)に分割
し、小領域(24〜26)毎に感度変更手段(16)を
介して異物の検出感度を独立に設定する制御手段(1
2)とを有するものである。
のパターンが形成された被検基板(1)の被検領域(2
3)に光ビームを照射する光照射手段と、被検領域(2
3)とその光ビームとを2次元的に相対的に走査する相
対走査手段(5,6)と、被検領域(23)から生じる
光情報を電気信号に変換する受光手段(11A〜11
C)と、これら受光手段から出力される電気信号に基づ
いて被検基板(1)に付着する異物を検出する信号処理
手段(18〜22))とを有する装置において、その光
ビームの被検領域(23)上での走査位置を検出する位
置計測手段(4,8A,8B)と、被検基板(1)上の
パターンの粗密分布の情報を入力する入力手段(13)
と、被検領域(23)からの光情報に基づく異物の検出
感度を変更する感度変更手段(16)と、入力手段(1
3)で入力された粗密分布の情報に応じて被検基板
(1)の被検領域を複数の小領域(24〜26)に分割
し、小領域(24〜26)毎に感度変更手段(16)を
介して異物の検出感度を独立に設定する制御手段(1
2)とを有するものである。
【0009】
【作用】斯かる本発明においては、被検基板(1)の被
検領域(23)をその上に形成されているパターンの粗
密(微細度)に応じて、複数の小領域(24〜26)に
分割する。これにより被検領域(23)は、例えば粗い
パターンが形成されている第1の小領域(24)、中程
度の微細度のパターンが形成されている第2の小領域
(25)、及び微細なパターンが形成されている第3の
小領域(26)に分割される。その後、第1の小領域
(24)での異物の検出感度を低く設定し、第2の小領
域(25)での異物の検出感度を中程度に設定し、第3
の小領域(26)での異物の検出感度を高く設定して、
異物検査を行う。これにより、例えば粗いパターンが形
成されている領域(24)では小さな異物は検出されな
いため、悪影響を与えないような異物の検出が防止され
る。
検領域(23)をその上に形成されているパターンの粗
密(微細度)に応じて、複数の小領域(24〜26)に
分割する。これにより被検領域(23)は、例えば粗い
パターンが形成されている第1の小領域(24)、中程
度の微細度のパターンが形成されている第2の小領域
(25)、及び微細なパターンが形成されている第3の
小領域(26)に分割される。その後、第1の小領域
(24)での異物の検出感度を低く設定し、第2の小領
域(25)での異物の検出感度を中程度に設定し、第3
の小領域(26)での異物の検出感度を高く設定して、
異物検査を行う。これにより、例えば粗いパターンが形
成されている領域(24)では小さな異物は検出されな
いため、悪影響を与えないような異物の検出が防止され
る。
【0010】これに関して、従来の異物検査装置では複
数種類の被検基板をそれぞれ異なる異物検出感度で検査
することはできても、1枚の被検基板(1)の被検領域
(23)内で検出感度を変えて異物検出を行うことはで
きなかった。
数種類の被検基板をそれぞれ異なる異物検出感度で検査
することはできても、1枚の被検基板(1)の被検領域
(23)内で検出感度を変えて異物検出を行うことはで
きなかった。
【0011】
【実施例】以下、本発明の一実施例につき図面を参照し
て説明する。図1は本実施例の異物検査装置の機構部の
要部を示し、この図1において、露光用の回路パターン
が形成されたレチクル1が載物台2上に載置されてい
る。載物台2は、駆動モータ3によりY方向(副走査方
向)に移動できるように構成され、載物台2の側面部に
載物台2のY方向の位置を検出するためのリニアエンコ
ーダ4が配設されている。
て説明する。図1は本実施例の異物検査装置の機構部の
要部を示し、この図1において、露光用の回路パターン
が形成されたレチクル1が載物台2上に載置されてい
る。載物台2は、駆動モータ3によりY方向(副走査方
向)に移動できるように構成され、載物台2の側面部に
載物台2のY方向の位置を検出するためのリニアエンコ
ーダ4が配設されている。
【0012】また、図示省略されたレーザ光源から射出
されたレーザビームLBが、振動ミラーよりなるスキャ
ナー5に入射し、スキャナー5は加振装置6により規則
的に振動している。スキャナー5で反射されたレーザビ
ームLBが、fθレンズ7を介してスポット光として、
レチクル1上をY方向に垂直なX方向(主走査方向)に
走査する。即ち、レチクル1の表面上でレーザビームL
Bは、端点9A及び9Bの間のX方向に平行な走査線L
上を走査している。fθレンズ7とレチクル1との間の
レーザビームLBの走査領域の両端にタイミング設定用
の受光素子8A及び8Bが配設され、受光素子8A及び
8Bでの光電変換信号のタイミングから走査線L上での
レーザビームLBのスポット光の位置が検出できる。
されたレーザビームLBが、振動ミラーよりなるスキャ
ナー5に入射し、スキャナー5は加振装置6により規則
的に振動している。スキャナー5で反射されたレーザビ
ームLBが、fθレンズ7を介してスポット光として、
レチクル1上をY方向に垂直なX方向(主走査方向)に
走査する。即ち、レチクル1の表面上でレーザビームL
Bは、端点9A及び9Bの間のX方向に平行な走査線L
上を走査している。fθレンズ7とレチクル1との間の
レーザビームLBの走査領域の両端にタイミング設定用
の受光素子8A及び8Bが配設され、受光素子8A及び
8Bでの光電変換信号のタイミングから走査線L上での
レーザビームLBのスポット光の位置が検出できる。
【0013】レチクル1上の被検領域で散乱されたレー
ザビームは、それぞれ異なる位置に配置されている3個
の集光レンズ10A〜10Cにより個別に集光され、集
光レンズ10A〜10Cにより集光された光束がそれぞ
れ光電子増倍管11A〜11Cにより受光されている。
レチクル1上の走査線L上に異物が存在すると、レーザ
ビームLBの走査によりその異物から散乱された光が、
3個の光電子増倍管11A〜11Cで同時に検出され
る。これに対して、レチクル1上に形成されている回路
パターンからの回折光は、所定の方向にのみ強く発生
し、3個の光電子増倍管11A〜11Cで同時には検出
されないことから、回路パターンと異物との識別が行わ
れる。
ザビームは、それぞれ異なる位置に配置されている3個
の集光レンズ10A〜10Cにより個別に集光され、集
光レンズ10A〜10Cにより集光された光束がそれぞ
れ光電子増倍管11A〜11Cにより受光されている。
レチクル1上の走査線L上に異物が存在すると、レーザ
ビームLBの走査によりその異物から散乱された光が、
3個の光電子増倍管11A〜11Cで同時に検出され
る。これに対して、レチクル1上に形成されている回路
パターンからの回折光は、所定の方向にのみ強く発生
し、3個の光電子増倍管11A〜11Cで同時には検出
されないことから、回路パターンと異物との識別が行わ
れる。
【0014】図2は本例の制御系を示し、この図2にお
いて、本例の異物検査装置の動作全体を制御する制御部
12にはホストコンピュータ13から検査対象とするレ
チクルの被検領域及びパターンの粗密に応じた異物検出
感度等が供給される。但し、オペレータがキーボード1
4を介して制御部12に、検査対象とするレチクルの被
検領域及びパターンの粗密に応じた異物検出感度等を入
力しても良い。制御部12は、加振装置6及び駆動モー
タ3の動作を制御して、図1のレチクル1上でレーザビ
ームLBをX方向及びY方向に走査し、リニアエンコー
ダ4及び受光素子8A,8Bの出力信号からレチクル1
上でのレーザビームLBの走査位置を検出することがで
きる。これにより検出された走査位置、及び各走査位置
毎に後述のように検出された異物の情報(異物の有無、
異物の大きさ(ランク)等)が、制御部12により表示
部15に表示される。
いて、本例の異物検査装置の動作全体を制御する制御部
12にはホストコンピュータ13から検査対象とするレ
チクルの被検領域及びパターンの粗密に応じた異物検出
感度等が供給される。但し、オペレータがキーボード1
4を介して制御部12に、検査対象とするレチクルの被
検領域及びパターンの粗密に応じた異物検出感度等を入
力しても良い。制御部12は、加振装置6及び駆動モー
タ3の動作を制御して、図1のレチクル1上でレーザビ
ームLBをX方向及びY方向に走査し、リニアエンコー
ダ4及び受光素子8A,8Bの出力信号からレチクル1
上でのレーザビームLBの走査位置を検出することがで
きる。これにより検出された走査位置、及び各走査位置
毎に後述のように検出された異物の情報(異物の有無、
異物の大きさ(ランク)等)が、制御部12により表示
部15に表示される。
【0015】また、本例の制御部12は、可変電圧回路
16を介して3個の光電子増倍管11A〜11Cの電源
電圧を任意の値に変更する。光電子増倍管11A〜11
Cの電源電圧を変えることにより、受光された光量と出
力される光電変換信号との比の値(増倍度)を変えるこ
とができる。本例では、このように光電子増倍管11A
〜11Cで設定する電源電圧を制御系12が変更するこ
とにより、レチクル1上の異物の検出感度を変更する。
このように光電子増倍管11A〜11Cの電源電圧を変
更する方式によると、異物検出感度のダイナミックレン
ジを広く設定することができる。
16を介して3個の光電子増倍管11A〜11Cの電源
電圧を任意の値に変更する。光電子増倍管11A〜11
Cの電源電圧を変えることにより、受光された光量と出
力される光電変換信号との比の値(増倍度)を変えるこ
とができる。本例では、このように光電子増倍管11A
〜11Cで設定する電源電圧を制御系12が変更するこ
とにより、レチクル1上の異物の検出感度を変更する。
このように光電子増倍管11A〜11Cの電源電圧を変
更する方式によると、異物検出感度のダイナミックレン
ジを広く設定することができる。
【0016】3個の光電子増倍管11A〜11Cからの
光電変換信号はそれぞれ増幅器17A〜17Cを介して
検出回路18に供給される。検出回路18では、3個の
光電子増倍管11A〜11Cからの光電変換信号が、そ
れぞれ所定の検出レベルよりも大きいときに、それら3
個の光電変換信号の内の最小レベルを検出信号S1とし
て出力する。3個の光電子増倍管11A〜11Cの内で
少なくとも1個の光電子増倍管からの光電変換信号がそ
の検出レベル以下である場合には、検出回路18から出
力される検出信号S1の値は0となる。
光電変換信号はそれぞれ増幅器17A〜17Cを介して
検出回路18に供給される。検出回路18では、3個の
光電子増倍管11A〜11Cからの光電変換信号が、そ
れぞれ所定の検出レベルよりも大きいときに、それら3
個の光電変換信号の内の最小レベルを検出信号S1とし
て出力する。3個の光電子増倍管11A〜11Cの内で
少なくとも1個の光電子増倍管からの光電変換信号がそ
の検出レベル以下である場合には、検出回路18から出
力される検出信号S1の値は0となる。
【0017】検出信号S1は、コンパレータ19の非反
転入力部及びピークホールド回路20の入力部に供給さ
れ、ピークホールド回路20で所定時間だけ保持される
ピーク信号がアナログ/デジタル(A/D)変換器21
を介して制御部12に供給される。制御部12は、デジ
タル/アナログ(D/A)変換器22を介してコンパレ
ータ19の反転入力部に所定のスライスレベルの参照信
号S2を供給する。コンパレータ19からは、検出信号
S1が参照信号S2以上の場合にハイレベル“1”とな
り、検出信号S1が参照信号S2より小さい場合にロー
レベル“0”となる異物検出信号S3が制御部12に供
給される。制御部12では、異物検出信号S3がハイレ
ベル“1”となった場合に、検出信号S1のピーク値を
A/D変換器21でデジタル化した信号を取り込むと共
に、そのときのレチクル1上のレーザビームLBの走査
位置(X座標及びY座標)をも記憶する。
転入力部及びピークホールド回路20の入力部に供給さ
れ、ピークホールド回路20で所定時間だけ保持される
ピーク信号がアナログ/デジタル(A/D)変換器21
を介して制御部12に供給される。制御部12は、デジ
タル/アナログ(D/A)変換器22を介してコンパレ
ータ19の反転入力部に所定のスライスレベルの参照信
号S2を供給する。コンパレータ19からは、検出信号
S1が参照信号S2以上の場合にハイレベル“1”とな
り、検出信号S1が参照信号S2より小さい場合にロー
レベル“0”となる異物検出信号S3が制御部12に供
給される。制御部12では、異物検出信号S3がハイレ
ベル“1”となった場合に、検出信号S1のピーク値を
A/D変換器21でデジタル化した信号を取り込むと共
に、そのときのレチクル1上のレーザビームLBの走査
位置(X座標及びY座標)をも記憶する。
【0018】また、例えば直径0.5μmの異物を検出
できるように検出感度基準を設定したい場合は、直径
0.5μmの基準粒子をレチクル1上に散布し、検出信
号S1のピーク値が所定のレベルになるように、可変電
圧回路16で設定する電源電圧及び増幅器17A〜17
Bで設定する増幅度の値を決定する。なお、コンパレー
タ19の参照信号S2のスライスレベルを変えて異物検
出感度を変更するようにしても良く、増幅器17A〜1
7Cのゲインを変えて異物検出感度を変更するようにし
ても良い。
できるように検出感度基準を設定したい場合は、直径
0.5μmの基準粒子をレチクル1上に散布し、検出信
号S1のピーク値が所定のレベルになるように、可変電
圧回路16で設定する電源電圧及び増幅器17A〜17
Bで設定する増幅度の値を決定する。なお、コンパレー
タ19の参照信号S2のスライスレベルを変えて異物検
出感度を変更するようにしても良く、増幅器17A〜1
7Cのゲインを変えて異物検出感度を変更するようにし
ても良い。
【0019】次に、本例の異物検査装置の異物検査方法
につき図3のフローチャートを参照して説明する。先ず
図3のステップ101において、ホストコンピュータ1
3が制御部12に図1のレチクル1上の必要検査エリア
を指定する。具体的に、図4に示すように、レチクル1
の表面の任意の点をX座標及びY座標で指定するように
する。X座標は図1の走査線L上のレーザビームLBの
走査位置により指定され、Y座標は図1の載物台2のY
方向の位置により指定される。また、レチクル1のほぼ
中央に原点Oを設定し、レチクル1の矩形の必要検査エ
リア23の4隅の点PA,PB,PC及びPDの内の左
上の点PAの座標(XL,YL)及び右下の点PDの座
標(XR,YR)を制御部12に供給する。
につき図3のフローチャートを参照して説明する。先ず
図3のステップ101において、ホストコンピュータ1
3が制御部12に図1のレチクル1上の必要検査エリア
を指定する。具体的に、図4に示すように、レチクル1
の表面の任意の点をX座標及びY座標で指定するように
する。X座標は図1の走査線L上のレーザビームLBの
走査位置により指定され、Y座標は図1の載物台2のY
方向の位置により指定される。また、レチクル1のほぼ
中央に原点Oを設定し、レチクル1の矩形の必要検査エ
リア23の4隅の点PA,PB,PC及びPDの内の左
上の点PAの座標(XL,YL)及び右下の点PDの座
標(XR,YR)を制御部12に供給する。
【0020】次に、ホストコンピュータ13は変数nの
値を1に初期化した後(ステップ102)、必要検査エ
リア23内のn番目の分割検査エリアの対角線上の2隅
の座標(XLn,YLn)及び(XRn,YRn)を制御部12
に設定する(ステップ103)。更に、ホストコンピュ
ータ13は、そのn番目の分割検査エリアの異物検出感
度Kn を制御部12に設定する(ステップ104)。そ
の後、他の分割検査エリアを更に指定する場合には、ス
テップ105からステップ106に移行して、変数nの
値を1だけ増加させた後にステップ103に戻る。分割
検査エリアが他に無くなった場合には、動作はステップ
105からステップ107に移行して、制御部12が異
物検査を開始する。
値を1に初期化した後(ステップ102)、必要検査エ
リア23内のn番目の分割検査エリアの対角線上の2隅
の座標(XLn,YLn)及び(XRn,YRn)を制御部12
に設定する(ステップ103)。更に、ホストコンピュ
ータ13は、そのn番目の分割検査エリアの異物検出感
度Kn を制御部12に設定する(ステップ104)。そ
の後、他の分割検査エリアを更に指定する場合には、ス
テップ105からステップ106に移行して、変数nの
値を1だけ増加させた後にステップ103に戻る。分割
検査エリアが他に無くなった場合には、動作はステップ
105からステップ107に移行して、制御部12が異
物検査を開始する。
【0021】図5は、分割検査エリアの一例を示し、こ
の図5において、レチクル上の必要検査エリア23内の
点P1(即ち図4の点PA)〜点P4で囲まれる第1の
分割検査エリア24には粗いパターンが形成され、点P
3〜点P6で囲まれる第2の分割検査エリア25には中
程度の微細度のパターンが形成され、点P5〜点P8
(即ち図4の点PD)で囲まれる第3の分割検査エリア
26には微細なパターンが形成されているものとする。
この例では、分割検査エリア24〜26は、必要検査エ
リア23を副走査方向(Y方向)に分割したものであ
る。この場合、第1の分割検査エリア24の対角線上の
2点P1及びP4の座標(XL1,YL1)及び(XR1,Y
R1)、第2の分割検査エリア25の対角線上の2点P3
及びP6の座標(XL2,YL2)及び(XR2,YR2)、
並びに第3の分割検査エリア26の対角線上の2点P5
及びP8の座標(XL3,YL3)及び(XR3,YR3)が
制御部12に供給される。また、分割検査エリア24〜
26の異物検出感度K1 〜K3は、K1 <K2 <K3 に
設定される。
の図5において、レチクル上の必要検査エリア23内の
点P1(即ち図4の点PA)〜点P4で囲まれる第1の
分割検査エリア24には粗いパターンが形成され、点P
3〜点P6で囲まれる第2の分割検査エリア25には中
程度の微細度のパターンが形成され、点P5〜点P8
(即ち図4の点PD)で囲まれる第3の分割検査エリア
26には微細なパターンが形成されているものとする。
この例では、分割検査エリア24〜26は、必要検査エ
リア23を副走査方向(Y方向)に分割したものであ
る。この場合、第1の分割検査エリア24の対角線上の
2点P1及びP4の座標(XL1,YL1)及び(XR1,Y
R1)、第2の分割検査エリア25の対角線上の2点P3
及びP6の座標(XL2,YL2)及び(XR2,YR2)、
並びに第3の分割検査エリア26の対角線上の2点P5
及びP8の座標(XL3,YL3)及び(XR3,YR3)が
制御部12に供給される。また、分割検査エリア24〜
26の異物検出感度K1 〜K3は、K1 <K2 <K3 に
設定される。
【0022】次に、図3のステップ107において、制
御部12は変数nの値を1に初期化して、図1のレチク
ル1をY軸の正方向の端部に移動させる。その後、ステ
ップ108において、制御部12は加振装置6及び駆動
モータ3を動作させて、スキャナー5によるレーザビー
ムLBのX方向への走査、及び載物台2(レチクル1)
のY軸の負の方向への移動を開始させる。
御部12は変数nの値を1に初期化して、図1のレチク
ル1をY軸の正方向の端部に移動させる。その後、ステ
ップ108において、制御部12は加振装置6及び駆動
モータ3を動作させて、スキャナー5によるレーザビー
ムLBのX方向への走査、及び載物台2(レチクル1)
のY軸の負の方向への移動を開始させる。
【0023】そして、図5の必要検査エリア23の場
合、図1の走査線Lが必要検査エリア23内の第1の分
割検査エリア24の端部に達したとき、即ちリニアエン
コーダ4の計測値Yが座標YL1 に達したときに(ステ
ップ109)、一度載物台2を停止させて異物検出感度
を検出感度K1 に設定する(ステップ110)。その
後、ステップ111において、載物台2の移動を開始し
て異物検査を開始する。検出感度K1 の設定は、図2に
光電子増倍管(フォトマル)11A〜11Cの電源電圧
を対応する値に設定することにより行われる。
合、図1の走査線Lが必要検査エリア23内の第1の分
割検査エリア24の端部に達したとき、即ちリニアエン
コーダ4の計測値Yが座標YL1 に達したときに(ステ
ップ109)、一度載物台2を停止させて異物検出感度
を検出感度K1 に設定する(ステップ110)。その
後、ステップ111において、載物台2の移動を開始し
て異物検査を開始する。検出感度K1 の設定は、図2に
光電子増倍管(フォトマル)11A〜11Cの電源電圧
を対応する値に設定することにより行われる。
【0024】なお、検出感度の設定の別の方法として、
この異物検査装置の最高検出感度が例えば直径(φ)
0.5μmの感度基準であり、第1の分割検査エリア2
4に対して設定されている検出感度K1 がφ0.6μm
の感度基準である場合は、図2の光電子増倍管11A〜
11Cの後段の増幅器17A〜17Cのゲインを所定の
量だけ変更することにより、φ0.5μmからφ0.6
μmに感度を落として検査を行うようにしても良い。ま
た、検査時のレチクル1の送り速度は、スキャナー5の
走査速度とレチクル1上のレーザビームLBのスポット
サイズとで決定される。
この異物検査装置の最高検出感度が例えば直径(φ)
0.5μmの感度基準であり、第1の分割検査エリア2
4に対して設定されている検出感度K1 がφ0.6μm
の感度基準である場合は、図2の光電子増倍管11A〜
11Cの後段の増幅器17A〜17Cのゲインを所定の
量だけ変更することにより、φ0.5μmからφ0.6
μmに感度を落として検査を行うようにしても良い。ま
た、検査時のレチクル1の送り速度は、スキャナー5の
走査速度とレチクル1上のレーザビームLBのスポット
サイズとで決定される。
【0025】その後、ステップ112で変数nが分割検
査エリアの個数Nであるかどうかが調べられ、変数nが
個数Nでない場合には、変数nを1だけ増分してから
(ステップ113)、動作はステップ109に戻る。但
し、このステップ109では異物検査が続行されてい
る。そして、レチクル1が移動して走査線Lが第2の分
割検査エリア25の端部に達すると、即ち載物台2のY
座標がYL2 に達すると、載物台2を停止させて検出感
度を第2の分割検査エリア25に対して設定されている
検出感度K2 に設定する(ステップ110)。検出感度
の設定が終了すると再び載物台2を動かし、異物検出を
行う。第3の分割検査エリア26についても、上記と同
様にして検査を実行する。
査エリアの個数Nであるかどうかが調べられ、変数nが
個数Nでない場合には、変数nを1だけ増分してから
(ステップ113)、動作はステップ109に戻る。但
し、このステップ109では異物検査が続行されてい
る。そして、レチクル1が移動して走査線Lが第2の分
割検査エリア25の端部に達すると、即ち載物台2のY
座標がYL2 に達すると、載物台2を停止させて検出感
度を第2の分割検査エリア25に対して設定されている
検出感度K2 に設定する(ステップ110)。検出感度
の設定が終了すると再び載物台2を動かし、異物検出を
行う。第3の分割検査エリア26についても、上記と同
様にして検査を実行する。
【0026】ステップ112において、変数nが個数N
(図5ではN=3)であるときには、ステップ114に
移行して、載物台2のY座標が最後の分割検査エリアの
最端部のY座標YRN に達するまで異物検査が行われ
る。図5の例では、分割検査エリア24〜26まで検査
を終了すると、ステップ115で制御部12は検査結果
を表示部15に表示する。この際、分割検査エリア24
〜25によって検出感度が異なっているので、表示部1
5の画面上で色分けや検出感度の表示等により検出感度
が区別できることが望ましい。
(図5ではN=3)であるときには、ステップ114に
移行して、載物台2のY座標が最後の分割検査エリアの
最端部のY座標YRN に達するまで異物検査が行われ
る。図5の例では、分割検査エリア24〜26まで検査
を終了すると、ステップ115で制御部12は検査結果
を表示部15に表示する。この際、分割検査エリア24
〜25によって検出感度が異なっているので、表示部1
5の画面上で色分けや検出感度の表示等により検出感度
が区別できることが望ましい。
【0027】なお、分割検査エリアの座標や検出感度の
設定は、オペレータがキーボード14等の入力装置から
指定しても良い。また、レチクルの設計図のデータを予
め制御部12に登録しておき、回路パターンの範囲やパ
ターンルールから制御部12が自動的に検出感度の設定
を行う方法もある。次に、レチクルの必要検査エリア2
3が図6のように、主走査方向(X方向)に分割されて
いる場合について図3のフローチャートに対応する形式
で説明する。図6において、必要検査エリア23をX方
向に、点Q1(即ち図4の点PA)〜点Q4で囲まれる
第1の分割検査エリア27、点Q2〜Q7で囲まれる第
2の分割検査エリア28、及び点Q5〜点Q8(即ち図
4の点PD)で囲まれる第3の分割検査エリア29に分
割に分割するものとする。
設定は、オペレータがキーボード14等の入力装置から
指定しても良い。また、レチクルの設計図のデータを予
め制御部12に登録しておき、回路パターンの範囲やパ
ターンルールから制御部12が自動的に検出感度の設定
を行う方法もある。次に、レチクルの必要検査エリア2
3が図6のように、主走査方向(X方向)に分割されて
いる場合について図3のフローチャートに対応する形式
で説明する。図6において、必要検査エリア23をX方
向に、点Q1(即ち図4の点PA)〜点Q4で囲まれる
第1の分割検査エリア27、点Q2〜Q7で囲まれる第
2の分割検査エリア28、及び点Q5〜点Q8(即ち図
4の点PD)で囲まれる第3の分割検査エリア29に分
割に分割するものとする。
【0028】この例では、図3のステップ103に対応
する工程おいて、分割検査エリア27を表す点Q1及び
点Q4の座標を指定し、ステップ104に対応する工程
において、分割検査エリア27に対する検出感度K4 を
設定する。同様にして、分割検査エリア28及び29に
対して検査エリアの座標及び検出感度を設定する。その
後、ステップ107以下に対応する異物検査工程では、
図1の走査線Lがレチクル1の必要検査エリア23内の
分割検査エリア27の辺Q1・Q2と一致する所まで載
物台2を送り、異物検出感度を検出感度K4 に設定して
検査を開始する。その後、レチクル1が移動して走査線
Lが分割検査エリア27の辺Q3・Q4の位置(分割検
査エリア27の検査終了位置)まで達すると、載物台2
を停止する。ここで、一度分割検査エリア27の検査結
果、即ち主走査方向の座標が点Q1〜点Q2の間の検査
情報を制御部12内の記憶部に記憶する。
する工程おいて、分割検査エリア27を表す点Q1及び
点Q4の座標を指定し、ステップ104に対応する工程
において、分割検査エリア27に対する検出感度K4 を
設定する。同様にして、分割検査エリア28及び29に
対して検査エリアの座標及び検出感度を設定する。その
後、ステップ107以下に対応する異物検査工程では、
図1の走査線Lがレチクル1の必要検査エリア23内の
分割検査エリア27の辺Q1・Q2と一致する所まで載
物台2を送り、異物検出感度を検出感度K4 に設定して
検査を開始する。その後、レチクル1が移動して走査線
Lが分割検査エリア27の辺Q3・Q4の位置(分割検
査エリア27の検査終了位置)まで達すると、載物台2
を停止する。ここで、一度分割検査エリア27の検査結
果、即ち主走査方向の座標が点Q1〜点Q2の間の検査
情報を制御部12内の記憶部に記憶する。
【0029】次に、走査線Lが必要検査エリア23の分
割検査エリア28の辺Q2・Q5の位置と一致する所ま
で載物台2を送る。そして、検出感度K5 に設定して、
走査線Lを辺Q4・Q7の方向に送りながら分割検査エ
リア28の検査を行う。この場合、走査線Lは必要検査
エリア23の全面を走査するが、検出感度は分割検査エ
リア28用の検出感度である。分割検査エリア29につ
いても同様な工程となり、最終的に分割検査エリア27
〜29の検査結果が制御部内の記憶部に記憶される。こ
れらの検査結果はまとめて表示部15に表示される。
割検査エリア28の辺Q2・Q5の位置と一致する所ま
で載物台2を送る。そして、検出感度K5 に設定して、
走査線Lを辺Q4・Q7の方向に送りながら分割検査エ
リア28の検査を行う。この場合、走査線Lは必要検査
エリア23の全面を走査するが、検出感度は分割検査エ
リア28用の検出感度である。分割検査エリア29につ
いても同様な工程となり、最終的に分割検査エリア27
〜29の検査結果が制御部内の記憶部に記憶される。こ
れらの検査結果はまとめて表示部15に表示される。
【0030】ところで、図6のように必要検査エリア2
3を主走査方向に分割した場合、検出感度を切り換えて
複数回走査を行うのでは検査時間が長くなる。そこで、
検査時間を短縮するためには、例えば図2の参照信号S
2のレベルを切り換えることにより、異物検出感度を切
り換えるようにすることが考えられる。参照信号S2の
レベルの切り換えは、比較的高速に実行できるため、図
6において、レーザビームをX方向に点Q1から点Q6
まで走査する際に、点Q1と点Q2との間、点Q2と点
Q5との間、及び点Q5と点Q6との間でそれぞれ参照
信号S2のレベルを検出感度K4,K5 及びK6 に設定す
る。同様に、各走査線上でそれぞれ時分割的に検出感度
を切り換えて異物検出を行うことにより、レチクルの必
要検査エリア23の全体をパターンの粗密に応じた検出
感度で高速に検査できる。
3を主走査方向に分割した場合、検出感度を切り換えて
複数回走査を行うのでは検査時間が長くなる。そこで、
検査時間を短縮するためには、例えば図2の参照信号S
2のレベルを切り換えることにより、異物検出感度を切
り換えるようにすることが考えられる。参照信号S2の
レベルの切り換えは、比較的高速に実行できるため、図
6において、レーザビームをX方向に点Q1から点Q6
まで走査する際に、点Q1と点Q2との間、点Q2と点
Q5との間、及び点Q5と点Q6との間でそれぞれ参照
信号S2のレベルを検出感度K4,K5 及びK6 に設定す
る。同様に、各走査線上でそれぞれ時分割的に検出感度
を切り換えて異物検出を行うことにより、レチクルの必
要検査エリア23の全体をパターンの粗密に応じた検出
感度で高速に検査できる。
【0031】なお、上述実施例ではレチクルを検査対象
としているが、レチクルにはパターン領域に直接異物が
付着するのを防止するため、矩形の枠(ペリクルフレー
ム)を介して透明な防塵膜(ペリクル)が張設されてい
る場合がある。また、ペリクルが装着されたレチクルに
ついても、露光工程で使用する前に、パターン領域等に
所定の大きさ以上の異物が付着していないかどうかを検
査する必要がある。そのようなペリクルが装着されたレ
チクルについて、上述の図1及び図2の異物検査装置で
異物検査を行う場合、ペリクルフレーム付近では、ペリ
クルフレームやペリクルフレームをレチクルに固定する
ための接着剤からの散乱光が発生する。そのため、レチ
クルのパターン領域に付着した異物に対する検出感度を
高くするため、検出感度を一律に高く設定すると、ペリ
クルフレーム付近では上述の散乱光により異物が誤って
検出されてしまうことが多い。それを避けるためには、
ペリクルフレーム付近の必要検査エリアに対する異物の
検出感度を低くして検査を行えば良い。
としているが、レチクルにはパターン領域に直接異物が
付着するのを防止するため、矩形の枠(ペリクルフレー
ム)を介して透明な防塵膜(ペリクル)が張設されてい
る場合がある。また、ペリクルが装着されたレチクルに
ついても、露光工程で使用する前に、パターン領域等に
所定の大きさ以上の異物が付着していないかどうかを検
査する必要がある。そのようなペリクルが装着されたレ
チクルについて、上述の図1及び図2の異物検査装置で
異物検査を行う場合、ペリクルフレーム付近では、ペリ
クルフレームやペリクルフレームをレチクルに固定する
ための接着剤からの散乱光が発生する。そのため、レチ
クルのパターン領域に付着した異物に対する検出感度を
高くするため、検出感度を一律に高く設定すると、ペリ
クルフレーム付近では上述の散乱光により異物が誤って
検出されてしまうことが多い。それを避けるためには、
ペリクルフレーム付近の必要検査エリアに対する異物の
検出感度を低くして検査を行えば良い。
【0032】なお、本発明は上述実施例に限定されず、
本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る
ことは勿論である。
本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る
ことは勿論である。
【0033】
【発明の効果】本発明によれば、被検基板の被検領域を
パターンの部分的な粗密に応じて複数の小領域に分割
し、これら小領域毎に異物の検出感度を独立に設定する
ようにしているため、それぞれ微細度が異なる複数のパ
ターンが形成された被検基板の異物検査を効率的に行え
る利点がある。
パターンの部分的な粗密に応じて複数の小領域に分割
し、これら小領域毎に異物の検出感度を独立に設定する
ようにしているため、それぞれ微細度が異なる複数のパ
ターンが形成された被検基板の異物検査を効率的に行え
る利点がある。
【図1】本発明の一実施例の異物検査装置の機構部の概
略構成を示す斜視図である。
略構成を示す斜視図である。
【図2】図1の異物検査装置の制御系の構成を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図3】本発明の実施例の異物検査装置による異物検出
動作の一例を示すフローチャートである。
動作の一例を示すフローチャートである。
【図4】レチクルの必要検査エリア23を示す平面図で
ある。
ある。
【図5】必要検査エリア23を副走査方向に分割した場
合の分割検査エリアを示す平面図である。
合の分割検査エリアを示す平面図である。
【図6】必要検査エリア23を主走査方向に分割した場
合の分割検査エリアを示す平面図である。
合の分割検査エリアを示す平面図である。
1 レチクル 2 載物台 3 駆動モータ 4 リニアエンコーダ 5 スキャナー 6 加振装置 7 fθレンズ 8A,8B 受光素子 10A〜10C 集光レンズ 11A〜11C 光電子増倍管 12 制御部 18 検出回路
Claims (2)
- 【請求項1】 所定のパターンが形成された被検基板の
被検領域で光ビームを2次元的に相対的に走査し、前記
被検領域から生じる光情報を電気信号に変換し、該電気
信号に基づいて前記被検基板に付着する異物を検出する
方法において、 前記被検基板の被検領域を前記所定のパターンの部分的
な粗密に応じて複数の小領域に分割し、前記小領域毎に
異物の検出感度を独立に設定するようにしたことを特徴
とする異物検査方法。 - 【請求項2】 所定のパターンが形成された被検基板の
被検領域に光ビームを照射する光照射手段と、前記被検
領域と前記光ビームとを2次元的に相対的に走査する相
対走査手段と、前記被検領域から生じる光情報を電気信
号に変換する受光手段と、該受光手段から出力される電
気信号に基づいて前記被検基板に付着する異物を検出す
る信号処理手段とを有する装置において、 前記光ビームの前記被検領域上での走査位置を検出する
位置計測手段と、 前記被検基板上のパターンの粗密分布の情報を入力する
入力手段と、 前記被検領域からの光情報に基づく異物の検出感度を変
更する感度変更手段と、 前記入力手段で入力された粗密分布の情報に応じて前記
被検基板の被検領域を複数の小領域に分割し、該小領域
毎に前記感度変更手段を介して異物の検出感度を独立に
設定する制御手段と、を有することを特徴とする異物検
査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5137640A JPH06347412A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 異物検査方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5137640A JPH06347412A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 異物検査方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06347412A true JPH06347412A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15203373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5137640A Withdrawn JPH06347412A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 異物検査方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06347412A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001235429A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Topcon Corp | 表面検査装置 |
| JP2007071888A (ja) * | 2006-11-24 | 2007-03-22 | Hoya Corp | フォトマスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
| JP2007147376A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Nikon Corp | 検査装置 |
| JP2009162718A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-23 | Olympus Corp | 基板検査装置および検査領域設定方法 |
| JP2009282037A (ja) * | 2002-02-26 | 2009-12-03 | Kla-Tencor Corp | 検査システム |
| KR101280570B1 (ko) * | 2013-04-30 | 2013-07-02 | (주)엠에프에스 | 라이너 박스 오염을 검출하는 기판 열처리 장치 |
-
1993
- 1993-06-08 JP JP5137640A patent/JPH06347412A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001235429A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Topcon Corp | 表面検査装置 |
| JP2009282037A (ja) * | 2002-02-26 | 2009-12-03 | Kla-Tencor Corp | 検査システム |
| JP2007147376A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Nikon Corp | 検査装置 |
| JP2007071888A (ja) * | 2006-11-24 | 2007-03-22 | Hoya Corp | フォトマスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
| JP2009162718A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-23 | Olympus Corp | 基板検査装置および検査領域設定方法 |
| KR101280570B1 (ko) * | 2013-04-30 | 2013-07-02 | (주)엠에프에스 | 라이너 박스 오염을 검출하는 기판 열처리 장치 |
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