JPH09211203A - 反射防止膜を有する光学物品及びその製造方法 - Google Patents

反射防止膜を有する光学物品及びその製造方法

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JPH09211203A
JPH09211203A JP8021242A JP2124296A JPH09211203A JP H09211203 A JPH09211203 A JP H09211203A JP 8021242 A JP8021242 A JP 8021242A JP 2124296 A JP2124296 A JP 2124296A JP H09211203 A JPH09211203 A JP H09211203A
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film
refractive index
hard coat
layer
substrate
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Application number
JP8021242A
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English (en)
Inventor
Tetsuo Suzuki
哲男 鈴木
Hiroshi Niikura
宏 新倉
Atsushi Abe
淳 阿部
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】スパッタで形成された被膜を有し、耐久性が大
きく、しかも、一貫した輝層成長による製造工程で製造
可能な被膜を備えた光学部品を提供する。 【解決手段】合成樹脂基材と反射防止膜の間に、屈折率
変性層とハードコート層とを配置する。屈折率変性層
は、Si系およびTi系の化合物の少なくとも一方を含
み、厚さ方向に向かって屈折率が変化している。ハード
コート層は、変性層よりも厚い膜厚を有し、かつ、屈折
率が一定であり、SiおよびOを含む。反射防止膜は、
TiO2膜とSiO2膜とをスパッタにより交互に積層す
ることによって形成される。TiO2膜は、波長500
nm以上550nm以下の光に対する屈折率が、2.3
6以上2.60以下である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、耐擦傷性向上のた
めの硬化層を表面に備えた物品の製造方法に係わり、特
に、CRTディスプレー、光学用レンズ、液晶表示素子
などの光学的物品の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】眼鏡用プラスチックレンズ等の光学物品
の耐擦傷性を向上させるために、ハードコートと呼ばれ
る被膜を表面に形成する技術が知られている。この被膜
を形成するために、従来、シランカップリング剤に対象
物を浸漬する浸漬表面処理(ディッピング)技術が用い
られている。この浸漬表面処理技術は、対象物の素材が
合成樹脂である場合、耐熱性の点などから非常に有効な
技術であることが知られている。
【0003】また、浸漬表面処理技術においては、被膜
の材質が異なると、浸漬剤の組成も異なる。このため、
例えば、プラスチックレンズにハードコートを形成する
場合には、新たな高屈折率レンズが開発されるのたび
に、これに対応可能な屈折率のハードコートを形成する
ための浸漬剤を開発しなければならない。そのため、浸
漬剤の開発費用の負担が重くなってきている。
【0004】また、プラスチックレンズの場合、レンズ
の屈折率ごとに用いる浸漬剤が異なるため、浸漬表面処
理用の装置等の設備を、屈折率ごとに、複数台設置しな
ければならない。このため、設備の減価償却費が毎年増
大する傾向にある。
【0005】さらに、最近では特注品のプラスチックレ
ンズを受注する傾向がある。特に、眼鏡レンズの場合、
1ペア(2枚)で受注し、そのまま製造工場の一貫製造
ラインを流れる工程などが検討されている。この場合、
特注品がどのような屈折率であってもハードコートを形
成できるようにするためには、常に全屈折率分の浸漬表
面処理装置ラインを設置しておく必要があり、生産効率
が悪くなる欠点を有している。
【0006】また、従来の浸漬表面処理法でハードコー
トを形成する場合、コートする前の表面処理として、ア
ルカリ溶液に浸すというような表面の活性化処理等が不
可欠である。しかしながら、最近、環境問題などからこ
れらに使用される廃液処理等の問題が起こり始めてい
る。
【0007】さらにまた、従来の被膜の製造工程では縮
合硬化工程が必須であり、この工程に数時間要するた
め、納期の短縮化を計る上で非常に重要な改善上の課題
となっている。
【0008】また、複数の被膜を積層する必要のある物
品の場合、これらの被膜を全て浸漬表面処理法で形成す
ると、高価な浸漬剤が何種類も必要になり、製造コスト
に見合わなくなるという問題も生じている。
【0009】そこで、浸漬表面処理法を用いずに被膜を
形成する技術として、プラズマCVDによって被膜を製
造する技術が、特開平5ー140356に開示されてい
る。この技術は、車両などに使われる透明樹脂製窓に、
密着性及び表面硬度を向上させるための表面硬化膜を形
成するために、プラズマCVDによってシリコン含有膜
(SiOx膜)を形成するものである。
【0010】また、複数層の被膜を形成するために、ヨ
ーロッパ特許EP−203730号においては、光学部
品基材上に有機ケイ素化合物を浸漬表面処理法により形
成し、その上に反射防止膜を形成し、さらにその上に有
機物硬化性物質(撥水性コート)を形成させるものが提
案されている。
【0011】また、特開昭62−247302号公報で
は、無機物の反射防止コート膜上に、シラザン化合物を
形成させ、撥水性を持たせ表面を改質させる技術が開示
されている。
【0012】また、眼鏡プラスチックレンズの場合に
は、プラスチックレンズを保護するためのハードコート
と呼ばれる有機シリコーン被膜を浸漬表面処理法(ディ
ッピング法)によって形成した後、反射防止膜を真空蒸
着法により形成する方法を用いる。このとき、2〜3種
類のハードコート設備を利用して、数種類のプラスチッ
クレンズに対応したハードコート被膜を機能的に選択
し、複数種類のプラスチックレンズに同一のハードコー
ト被膜を形成させることにより、製造コストを低減させ
る工夫が行なわれている。
【0013】また、特開平7−56001号および特開
平7−56002号公報には、プラスチックレンズのハ
ードコート層の屈折率を、膜厚方向について変化させる
ことにより、干渉縞の発生を抑制することが開示されて
いる。このために、ハードコート層を高屈折率材料と低
屈折率材料とを混合した材料で形成し、膜厚方向につい
て混合割合を変化させることにより、屈折率を変化させ
ている。
【0014】さらに、特開平5−107402号公報で
は、反射防止膜としてTiO2層を用いる場合に、屈折
率を2.35より大きくしてしまうと、薄膜内部の充填
密度が上がってしまい、薄膜内部の真応力すなわち圧縮
応力が大きくなり、膜はがれを部分的に生じさせる恐れ
があることが記載されている。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
特開平5−140356号公報に記載されている方法で
形成された被膜は、耐温水性が低く、眼鏡用プラスチッ
クレンズ等の耐温水性が要求される対象物には使用でき
ない。具体的には、この方法で形成された被膜は、80
℃、10分の温水浸漬テストにおいて、膜が隆起してし
まい、外観上の良好な品質が得られない欠点を有してい
る。
【0016】また、EP−203730号等のように、
浸漬表面処理法と、他の気相成長方法とを組み合わせて
複数層の被膜を形成する方法は、浸漬表面処理法により
形成する被膜の硬化時間に、非常に長い時間が必要であ
る。また、次の反射防止膜の形成工程へ移るために、一
度大気に晒される状態が避けられず、一貫した工程を連
続して行うことが困難である。
【0017】また、特開平7−56001号および特開
平7−56002号公報記載の技術においては、ハード
コート層の屈折率を変化させることにより、干渉縞の発
生を抑制することは可能であるが、この層を、プラスチ
ックレンズを保護するためのハードコート層として実際
に作用させるためには、硬い膜にする必要がある。その
ために、ハードコート層は、通常、厚い膜(通常3μm
以上)に形成される。しかしながら、前記の開示された
技術においては、プラズマ中に発生する金属および酸素
等の各正負イオンからなる空間電荷を平衡状態に保つた
めには、それらの各正負イオンを安定化させる制御が必
要である。しかし、実際には、この制御を長い時間にわ
たり行なうことは、基板側に発生するバイアス電圧が不
安定になりやすい。そのため、プラズマによる放電が、
断続あるいは中断される現象が伴い、形成される薄膜内
部の原子組成比が不均一になり、ハードコート層内の酸
素結合状態の欠損が生じ、形成される酸化物膜が低級酸
化物を含むようになり、ハードコート層自体が吸収を生
じ、着色してしまう。
【0018】したがって、特開平7−56001号およ
び特開平7−56002号公報記載の技術で、実際にハ
ードコート層を形成すると、ハードコート層が着色して
しまい、実用上、問題が生じる。この着色は、ハードコ
ート層の機械的耐久性を向上させるために、膜厚を大き
くするほど顕著になる。
【0019】よって、眼鏡等の透明なプラスチックレン
ズに、特開平7−56001号および特開平7−560
02号公報記載の技術を実施することは、実際には非常
に困難である。
【0020】また、本発明者は、基材とハードコート層
との間に、厚さ方向に向かって屈折率が変化する変性層
を、様々な条件で形成することを試みた。しかし、形成
された光学物品の中には、膜が剥離したり、光学的な特
性に問題が発生したり、また、衝撃に対して弱いという
問題点が生じた。
【0021】また、従来のディッピング(浸漬処理)に
よる有機系シリコーンハードコートをプラスチックレン
ズ上に設けた場合、レンズをディッピング溶液に垂直方
向に浸すため、レンズ半径方向における膜厚分布のムラ
が生じてしまう。例え、レンズとハードコートの屈折率
をほぼ同じにしたとしても、この両者の界面における反
射の相違が生じてしまい、干渉縞(リップル)が強調さ
れてしまい、美的外観を損なってしまうことは免れな
い。このことは、レンズ自体が曲面を有しているため、
特に顕著に現れることが判った。
【0022】また、反射防止膜を真空蒸着法により形成
する場合、片方のレンズ面に反射防止膜を形成させた
後、再度真空室内でレンズ面を反転させてから、もう一
方のレンズ面に反射防止膜を形成させる。このため、最
初のレンズ面に形成した膜と反転させた後形成させた膜
とは、真空室で加熱される工程が、最初の面は二度の加
熱履歴を受けるのに対し、もう一方の面は一度の加熱履
歴を受けるだけであるため、互いの薄膜内部に残留する
応力は相違することになり、機械的な耐久性などに問題
を起こすという問題がある。また、両面反転機構の動作
によるレンズ面へのゴミの付着などによる反射防止膜の
外観上の問題等も考慮される。
【0023】さらにまた、真空蒸着法により形成させた
反射防止膜は、分光特性において、反射率及び透過率等
の経時変化が起こりやすい。つまり、膜の屈折率が経時
的に変化する傾向にある。これらの原因と考えられるも
のには、膜内部の空孔が多く存在するため、この空孔に
大気中の水分が吸着されることに起因している。
【0024】本発明は、上記問題点を解決し、スパッタ
で形成された反射防止膜を有し、耐環境性が大きく、気
相成長法により一貫した工程で形成することができる被
膜を備えた光学物品を提供することを目的とする。
【0025】
【課題を解決するための手段】本発明では、スパッタリ
ング法により基材の両面に同時に反射防止膜を形成す
る。反射防止膜は、TiO2層とSiO2層の交互積層か
らなり、かつ、TiO2層は、光学上の設計波長λが5
00〜550nmの範囲において、該層の屈折率が2.
36〜2.60を有する構成とする。そして、反射防止
膜と、基材との間には、プラズマCVD法により、屈折
率変性層とハードコート層とを配置することにより、膜
はがれを解決する。具体的には、上記目的を達成するた
めに、本発明によれば、合成樹脂基材と、前記基材上に
形成され、Si系およびTi系の化合物の少なくとも一
方を含み、厚さ方向に向かって屈折率が変化している変
性層と、前記変性層上に形成され、前記変性層よりも厚
い膜厚を有し、かつ、屈折率が一定であり、Siおよび
Oを含むハードコート層と、前記ハードコート層上に、
TiO2膜とSiO2膜とを交互に積層することによって
形成された反射防止膜とを有し、前記TiO2膜は、波
長500nm以上550nm以下の光に対する屈折率
が、2.36以上2.60以下であることを特徴とする
光学物品が提供される。
【0026】
【発明の実施の形態】本発明において、スパッタ膜より
構成されたTiO2層とSiO2層との交互積層からなる
反射防止膜上のTiO2層の屈折率を2.36〜2.6
0にする理由について述べる。
【0027】TiO2層の屈折率を2.61より大きく
してしまうと、薄膜内部の充填密度が上がってしまい、
薄膜内部の応力すなわち圧縮応力が大きくなってしま
う。そこで、膜に十分な延性がない場合、基板側からの
張力が働くと、この張力に対する薄膜の圧縮応力の相対
的強度が大きいため、基板と薄膜の界面の破壊強度にこ
の張力が作用し、薄膜の残留圧縮応力の持っている弾性
歪エネルギーを開放させるように界面に働き、薄膜を基
板から部分的に剥離させるいわゆるbuckling現
象(膜の隆起)を生じさせる。このような欠点を持ち合
わせながら、もう一方では、TiO2層の屈折率を2.
36〜2.60にすることにより、光学的な薄膜の経時
変化が抑制でき、特に耐熱性が非常に高くなる長所をも
持ち合わせていることがわかった。
【0028】本発明者らは上記欠点を鋭意研究した結
果、基板とTiO2層とSiO2層の交互積層からなる、
スパッタ膜より構成された反射防止膜と基材との間に、
Si系有機化合物及び/あるいはTi系有機化合物から
形成される、混合物被膜あるいは化合物被膜からなる屈
折率変性層およびハードコート層をPECVD法により
形成することにより、上記欠点をなくすことができるこ
とを見いだした。
【0029】本発明においては、減圧容器内にアルコキ
シ基含有有機チタン化合物及びアルコキシ基含有有機珪
素化合物の各モノマーを気体状態にし、プラズマ雰囲気
中に各モノマーガスを導入し、基材上にそれらのモノマ
ーとプラズマ反応で生成される形成化合物を各々のモノ
マーの流量比を加減させながら薄膜堆積させていくこと
により、基材とハードコートとの間に、中間的な密着性
の良好な有機または無機化合物屈折率変性層を形成す
る。ここで、この屈折率変性層を形成させる第1の目的
は、プラスチック基材との界面における疑似不定形アモ
ルファス構造を持たせることにより、界面での付着強度
を増加させることにある。また、モノマーの流量比を加
減させることにより、成長する薄膜の結晶軸における屈
折率を変化させる、すなわち光学的な不均質性を持たせ
ることにより、薄膜の酸化度を変えるか、もしくは充填
密度を変化させることにより、薄膜内部に形成する真応
力そのものを変化することにより、その上に形成するハ
ードコート膜及びスパッタリングにより形成される反射
防止膜との真応力を相殺させるのが目的である。
【0030】本発明では、基材として、ポリカーボネイ
ト、ポリメチルメタクリレートおよびその共重合体、ジ
エチレングリコールビスアリルカーボネイト(ピッツバ
ークプレート ガラス社製 CR−39)の重合体、ポ
リエステル、不飽和ポリエステル、アクリロニトリルー
スチレン共重合体、塩化ビニル、ポリウレタン、エポキ
シ樹脂、ハロゲン(但し、フッ素を除く)および水酸基
を含有するモノまたはジ(メタ)アクリレートとイソシ
アネート化合物との重合体またはその共重合体等から任
意に選択された材料からなる基材を用いることができ
る。ポリエステルのなかでは、特にポリエチレンテレフ
タレートが好ましく使用される。
【0031】なお、基材は、低屈折率のものから、1.
70以上の高屈折率のものを用いることができる。
【0032】また、これらの中で特に好ましくは、ジエ
チレングリコールビスアリルカーボネイトの重合体、ポ
リウレタン、および、ハロゲン(但し、フッ素を除く)
および水酸基を含有するモノまたはジ(メタ)アクリレ
ートとイソシアネート化合物と重合体またはその共重合
体のうちのいずれかからなる基材が使用できる。
【0033】透明樹脂基材に屈折率変性層及びハードコ
ート層を形成する場合、それらの形成材料として、Ti
系及び/またはSi系アルコキシ基含有有機化合物から
なるモノマー及び/または酸素ガスを真空室へ導入し、
プラズマ雰囲気中で反応させ、透明樹脂基材に薄膜を堆
積させる。特に、屈折率変性層を形成させる場合は、こ
れらのモノマーのプラズマ雰囲気中の圧力を各モノマー
の流量比を加減することで制御させることが好ましい。
【0034】また、本発明において変性層およびハード
コート層を形成する際に使用されるプラズマを用いた化
学気相成長(CVD)法は、原料ガスに熱エネルギー及
び電気的エネルギーを与えることにより放電させ、その
プラズマ雰囲気中の非熱平衡状態において反応を促進さ
せ、基材上に薄膜を堆積させる方法であり、通常使われ
てるものには平行平板電極型、容量結合型または誘導結
合型等がある。特に本発明においては、基材の主平面に
平行に電界と磁界とをかけるプラズマ促進CVD(PE
CVD)法により形成することが好適である。
【0035】本願発明において、Siを含む有機化合物
ガスおよびTiを含む有機化合物ガスと反応させるガス
は、特に限定されるものではないが、一般的に酸素、窒
素が用いられる。
【0036】というのは、電界と平行に磁界を印加する
ことにより、対向する電極の間には磁界による電場が起
こり、プラズマ中のイオンは基板ホルダー側に加速され
る。また、この磁界による電場により、プラズマ密度が
均一化され、基板へのイオン損傷および温度上昇などが
抑制できる。従って、特にプラスチックレンズのような
透明な基材材料に薄膜を形成させる場合や、イオン損傷
により側鎖基が破断されやすい材料や耐熱性の低い材料
からなる基材を用いる場合、基材の損傷が少ないため、
磁界をかけるプラズマ促進CVDが非常に有効である。
【0037】本発明の製造方法において、第1および第
2の工程において用いられるSiを含む有機化合物とし
ては、テトラエトキシシラン Si(OC2H5)4、ジメ
トキシジメチルシラン (CH3)2Si(OCH3)2、メチ
ルトリメトキシシラン CH3Si(OCH3)3、テトラ
メトキシシラン Si(OCH3)4、エチルトリメトキシ
シラン C2H5Si(OCH3)3、ジエトキシジメチルシ
ラン (C2H5O)2Si(CH3)2、メチルトリエトキシ
シラン CH3Si(OC2H5)3等が好適に用いられる。
【0038】また、本発明の製造方法において、第1の
工程において用いられるTiを含む有機化合物として
は、テトラメトキシチタン Ti(OCH3)4、テトラエ
トキシチタン Ti(OC2H5)4、テトラ-i-プロポキシ
チタン Ti(O-i-C3H7)4、テトラ-n-プロポキシチ
タン Ti(O-n-C3H7)4、テトラ-n-ブトキシチタン
Ti(O-n-C4H9)4、テトラ-i-ブトキシチタン Ti
(O-i-C4H9)4、テトラ-sec-ブトキシチタン Ti(O
-sec-C4H9)4、テトラ-t-ブトキシチタン Ti(O-t-
C4H9)4、テトラジエチルアミノチタン Ti(N(C2
H5)2)4等が好適に用いられる。
【0039】これらのSiを含む有機化合物およびTi
を含む有機化合物は、その一種類を単独で用いても良
く、また、二種類以上を併用してもよい。
【0040】次に、反射防止膜を形成する場合について
述べる。前記PECVDにより透明樹脂基材に形成され
た、屈折率変性層,ハードコート層の上に本発明におい
ては、スパッタリング法により両面同時、もしくは片面
に反射防止膜をTiO2層とSiO2層とのの交互積層か
らなるスパッタ膜より構成された反射防止膜を形成す
る。このとき、前記TiO2層の光学上の設計波長λが
500〜550nmの範囲において、該層の屈折率が
2.36〜2.60を有する構成とすることにより、プ
ラスチック基材上とハードコート層並びに反射防止膜と
の密着性を良好にし、耐温水性,耐熱性,耐薬品性,防
曇性,ホコリ付着防止及び擦傷性の向上、且つ、美的外
観からくる干渉縞防止等の品質上の改良を行うことがで
きる。
【0041】次に本発明による具体的な製造方法につい
て示す。Tiアルコキシ基含有有機化合物が入ったモノ
マー容器が真空室に接続器を外部から加熱することによ
り、気化させて真空室へ導入すると同時に酸素ガスも導
入する。その時の各々のガスの流量はそれぞれの目的に
あったものを適宜に選択すればよいが、好ましくは、S
i系アルコキシ基含有有機化合物のガスの場合は80〜
200SCCM、Ti系アルコキシ基含有有機化合物の
ガスの場合は30〜200SCCM、また、酸素ガスは
50〜200SCCMをそれぞれ単独若しくは併用させ
て真空室へ流す。また、その際の真空室内の圧力を0.
5〜12Paの範囲で安定させ、カソード側に高周波2
〜3.5KWを印加する。それと同時に、真空室外部に
設置されている電磁石コイルに電流を流し、プラズマ雰
囲気中に磁界がかかるようにして低気圧アーク放電を安
定化させる。
【0042】このような磁界のかけ方により、対向する
電極の間には電場が起こり、プラズマ中のイオンは基材
ホルダー側に加速される。また、この電場により、プラ
ズマ密度が均一化され、基材へのイオン損傷および温度
上昇などが抑制できる。従って、特にプラスチックレン
ズのような基材材料に薄膜を形成させる場合、イオン損
傷により側鎖基が破断されやすい材料や耐熱性の低い材
料などを扱う場合、非常に有効な薄膜形成が可能とな
る。以上このような手法により、プラスチックレンズ上
に直接Ti系及び/あるいはSi系アルコキシ基含有有
機化合物薄膜からなるハードコート層及び/あるいは屈
折率変性層を形成することができる。
【0043】そして、前記屈折率変性層,ハードコート
層を透明樹脂基材に形成させた後、カローセルタイプの
基材ホルダーから12分割された基材保持ホルダーをそ
れぞれスパッタ室へ送り、ここで、両面同時にスパッタ
リングにより反射防止膜を形成させる。
【0044】また、本発明においては、必要に応じて、
水ヤケ防止コートを前記反射防止膜の上に設けてもよ
い。なお、水ヤケ防止コートに用いられる有機シラザン
化合物として下記単位式で示す CpF2p+1CH2CH2Si(NH)1.5 (ただし、Pは正の整数)のものが好適に用いられる。
【0045】水ヤケ防止コートの形成方法は、浸漬法等
の湿式法または真空蒸着、スパッタリング、CVD法等
の乾式法で形成することが可能である。
【0046】また、基材上に、ウレタン系、ポリビニル
アセタール等からなる衝撃吸収層を設ければ更に密着
性、耐衝撃性の向上した光学物品が得られる。
【0047】
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例により具体
的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるもの
ではない。以下の実施例は、眼鏡用プラスチックレンズ
に被膜を形成する実施例である。
【0048】(実施例1)本実施例では、レンズ基材上
に、バルツェルス(Balzers)社製PECVD装
置とスパッタリング装置とを用いて、屈折率変性層と、
3層構造のハードコート層と、反射防止膜とを形成す
る。スパッタ装置は、スパッタ室を2つもち、各部屋で
製膜できる構成である。PECVD装置の真空室とスパ
ッタリング装置の真空室とは、ロードロック室で連結さ
れている。ロードロック室は、基材を、PECVD装置
の真空室から真空蒸着室の真空室へ真空を保った状態で
移動させるための空間である。
【0049】CR−39レンズ基材を超音波洗浄機に通
して洗浄後、Balzers社製PECVD装置の真空
室に設置し、2.7×10ー4Paまで排気した後、メチ
ルトリエトキシシランのガスを流量100SCCM流
し、真空室の圧力が0.7Paなるまで導入し、外部電
磁石コイルに5Aの電流を流すと同時に、カソードに高
周波出力2KWを3分間印加する。その後、カソードの
高周波出力を段階的に40W/minの割合で徐々に上
げていき、12分間で2.5KWに達するように制御す
る。この12分間の間のモノマーガスの流量は180S
CCMにして一定にしておき、この工程においてレンズ
基材の両面に屈折率変性層を形成した。
【0050】さらに、続いて酸素ガス流量を真空室に5
0SCCM流し、真空室圧力を0.5Paにして20分
間ハードコート層を形成した後、酸素ガス流量を100
SCCMに増加して、真空室へ流し真空室圧力を0.8
Paにすると同時に、カソードの高周波出力を3KWに
変えて、さらに20分間ハードコート層を形成し、続い
て最後に、酸素ガス流量を200SCCMに増加して流
し、真空室圧力はそのまま1.0Paに保持するように
排気系のコンダクタンスをバリアブルオリフィスにより
調整し、カソードの高周波出力はそのまま3KWを保持
した状態で、さらにまたハードコート層を形成した。
【0051】次に、カローセルタイプの基材ホルダーか
ら12分割された基材保持ホルダを保持ホルダー取り外
し機構により、各々取り外し、ロードロック室へ一旦移
動させた後、スパッタ室に上下方向に設置された2本の
ガイドレールに沿って、基板保持ホルダーごと連続的に
流しながら、酸素ガスとアルゴンガスを9:1の割合で
スパッタ室に導入し2〜3Paにした。両側面に設置さ
れたTiのターゲットに40KWの電力を供給し、レン
ズ基材にTiO2 膜を115オングストローム堆積させ
た。
【0052】次に、もう一方のスパッタ室へ基材保持ホ
ルダーごと移動し、酸素ガスとアルゴンガスを9:1の
割合でスパッタ室に導入し2〜3Paにしてそこで T
iと同様に両側面に設置されたSiのターゲットに30
KWの電力を供給し、2層目のSiO2膜を360オン
グストローム堆積させた。同様にして、スパッタ室を基
材保持ホルダーごと、交互に移動させながらレンズ基材
上にTiO2膜とSiO2膜を合わせてもう4層を堆積さ
せた合計6層の反射防止膜を形成した。
【0053】その時の3層目,4層目,5層目,6層目
の各膜厚は420オングストローム,150オングスト
ローム,350オングストローム,915オングストロ
ームとした。また、その時の設計波長550nmにおけ
るTiO2膜及びSiO2膜の各々の屈折率は2.36と
1.52であった。
【0054】(実施例2)ポリウレタン系レンズを超音
波洗浄機に通して洗浄後、Balzers社製PECV
D装置の真空室に設置し、2.7×10ー4Paまで排気
した後、メチルトリエトキシシランのガスを流量35S
CCM及びジメトキシジメチルシランのガスを流量14
8SCCM流し、真空室の圧力が0.5Paになるまで
導入し、外部電磁石コイルに5Aの電流を流すと同時
に、カソードに高周波出力2KWを1.5分間印加する
間にメチルトリエトキシシランのガス及びジメトキシジ
メチルシランの各々の流量を1分間当たり110SCC
M,98.7SCCMの割合で徐々に増加及び減少させ
ながら1.5分間で屈折率変性層を形成させた。
【0055】さらに続いて、メチルトリエトキシシラン
のガスを流量200SCCMと酸素ガスを流量50SC
CM流し、真空室の圧力が1.0Paになって流量が安
定したところで、外部電磁石コイルに5Aの電流を流す
と同時に、カソードに高周波出力2.5KWを17分間
印加してハードコート層を形成し、さらに、酸素ガスの
流量を100SCCMに増加して、真空室の圧力が2.
0Paになるように排気系のコンダクタンスをバリアブ
ルオリフィスにより調整し、カソードの高周波出力を3
KWに上げて、引き続き17分間ハードコート層を形成
し、最後に、酸素ガスの流量を200SCCMに増加し
て、さらにまた17分間ハードコート層を形成した。
【0056】次に、カローセルタイプの基材ホルダーか
ら12分割された基材保持ホルダーを保持ホルダー取り
外し機構により、各々取り外し、ロードロック室へ一旦
移動させた後、スパッタ室に上下方向に設置された2本
のガイドレールに沿って、基板保持ホルダーごと連続的
に流しながら、酸素ガスとアルゴンガスを9:1の割合
でスパッタ室に導入し2〜3Paにした。両側面に設置
されたTiのターゲットに45KWの電力を供給し、レ
ンズ基材にTiO2 膜を115オングストローム堆積さ
せた。
【0057】次に、もう一方のスッパッタ室へ基材保持
ホルダーごと移動し、酸素ガスとアルゴンガスを9:1
の割合でスパッタ室に導入し2〜3Paにしてそこで
Tiと同様に両側面に設置されたSiのターゲットに3
0KWの電力を供給し、2層目のSiO2膜を360オ
ングストローム堆積させた。同様にして、両スパッタ室
を基材保持ホルダーごと、交互に移動させながらレンズ
基材上にTiO2膜とSiO2膜をあわせてもう4層堆積
させ、合計6層の反射防止膜を形成した。
【0058】その時の3層目,4層目,5層目,6層目
の各膜厚は420オングストローム,150オングスト
ローム,350オングストローム,915オングストロ
ームとした。また、その時の設計波長550nmにおけ
るTiO2膜及びSiO2膜の各々の屈折率は2.45と
1.52であった。
【0059】(実施例3)ポリウレタン系レンズを超音
波洗浄機に通して洗浄後、Balzers社製PECV
D装置の真空室に設置し、2.7×10ー4Paまで排気
した後、ジメチルジエトキシランのガスを流量11SC
CM及びテトライソプロポキシチタンのガスを流量9S
CCM流し、真空室の圧力が 2.9Paになるまで導
入し、外部電磁石コイルに2.6Aの電流を流すと同時
に、カソードに高周波出力0.6KWを45秒間印加す
る間にテトライソプロポキシチタンのガス及びジメチル
ジエトキシシランの各々の流量を1分間当たり9SCC
M,11SCCMの割合で徐々に増加及び減少させなが
ら45秒間で屈折率変性層を形成させた。
【0060】さらに続いて、ジメチルジエトキシシラン
のガスを流量100SCCMと酸素ガスを流量35SC
CM流し、真空室の圧力が2.9Paになって流量が安
定したところで、外部電磁石コイルに2.6Aの電流を
流すと同時に、カソードに高周波出力0.8KWを25
分間印加してハードコート層を形成し、さらに、酸素ガ
スの流量を70SCCMに増加して、真空室の圧力が
2.9Paになるように排気系のコンダクタンスをバリ
アブルオリフィスにより調整し、カソードの高周波出力
を1KWに上げて、引き続き25分間ハードコート層を
形成し、最後に、酸素ガスの流量を140SCCMに増
加して、さらにまた25分間ハードコート層を形成し
た。
【0061】次に、カローセルンタイプの基材ホルダー
から12分割された基材保持ホルダーを保持ホルダー取
り外し機構により、各々取り外し、ロードロック室へい
ったん移動させた後、スパッタ室に上下方向に設置され
た2本のガイドレールに沿って、基板保持ホルダーごと
連続的に流しながら、酸素ガスとアルゴンガスを9:1
の割合でスパッタ室に導入し2〜3Paにした。両側面
に設置されたTiのターゲットに50KWの電力を供給
し、レンズ基材にTiO2 膜を115オングストローム
堆積させた。
【0062】次に、もう一方のスッパッタ室へ基材保持
ホルダーごと移動し、酸素ガスとアルゴンガスを9:1
の割合でスパッタ室に導入し2〜3Paにしてそこで
Tiと同様に両側面に設置されたSiのターゲットに3
0KWの電力を供給し、2層目のSiO2膜を360オ
ングストローム堆積させた。同様にして、TiO2膜と
SiO2膜を両スパッタ室を基材保持ホルダーごと、交
互に移動させながらレンズ基材上にあわせてもう4層を
堆積させ、合計6層の反射防止膜を形成した。
【0063】その時の3層目,4層目,5層目,6層目
の各膜厚は420オングストローム,150オングスト
ローム,350オングストローム,915オングストロ
ームとした。また、その時の設計波長550nmにおけ
るTiO2膜及びSiO2膜の各々の屈折率は2.58と
1.52であった。
【0064】(比較例1)第1の比較例は、第1の実施
例とほぼ同様の製造工程であるが、反射防止膜の製造工
程の成膜条件が、第1の実施例とは一部ことなる。第1
の比較例では、反射防止膜のTiO2膜系政治のスパッ
タ室の圧力を4〜8Paにした。このときの設計波長5
50nmにおけるTiO2膜の屈折率は2.20であっ
た。
【0065】(比較例2)第2の比較例は、第2の実施
例とほぼ同様の製造工程であるが、反射防止膜の製造工
程の成膜条件が、第2の実施例とは一部ことなる。第2
の比較例では、反射防止膜のTiO2膜系政治のスパッ
タ室の圧力を4〜8Paにした。このときの設計波長5
50nmにおけるTiO2膜の屈折率は2.28であっ
た。
【0066】(比較例3)第3の比較例は、第3の実施
例とほぼ同様の製造工程であるが、反射防止膜の製造工
程の成膜条件が、第3の実施例とは一部ことなる。第3
の比較例では、反射防止膜のTiO2膜系政治のスパッ
タ室の圧力を4〜8Paにした。このときの設計波長5
50nmにおけるTiO2膜の屈折率は2.35であっ
た。
【0067】つぎに、上述の実施例および比較例で得ら
れた眼鏡用プラスチックレンズの試料について、機械的
耐久性を評価した。下記に評価内容を示す。
【0068】評価項目 1)密着性 JIS D−202に準じて、試料表面に、1mm間隔
の切り込みを縦横にいれ、セロハンテープ(ニチバン製
商品名 セロテープ)をこの切り込みの上に貼り付
け、4kgの力でこのテープをはがし、膜はがれが生じ
るかどうかを調べる。
【0069】2)耐擦傷性 (a)粗さ#0000のスチールウールを荷重600g
で試料に押しつけ、15秒間に30回往復させた後、試
料表面の傷の有無を調べる。
【0070】(b)砂消しゴム(ライオン製 商品名
砂消しゴムER−502)を荷重500gで試料に押し
つけ、15秒間に30往復させた後、試料表面の傷の有
無を調べる。
【0071】3)耐温水 恒温槽の80℃の市水に10分間浸漬した後、試料表面
の膜に変化があるかどうかを調べる。
【0072】4)耐熱性 エアー・オーブンの100℃の大気中に5分間放置した
後、試料表面の膜に変化があるかどうかを調べる。
【0073】5)耐アルカリ性 水酸化ナトリウム水溶液(PH11)に6時間浸漬した
後、試料表面の膜に変化があるかどうかを調べる。
【0074】6)耐酸性 硝酸水溶液(PH1)に6時間浸漬した後、試料表面の
膜に変化があるかどうかを調べる。
【0075】7)干渉縞 自然光を照射した場合に、干渉縞がほとんど見えないも
のを良好、干渉縞が目視で見えるものを不良とする。
【0076】8)帯電防止性(ホコリ付着防止) 20℃65%の条件下に1晩放置後、被膜上を鹿皮で摺
り、灰の付着具合で判定する。
【0077】 A:灰が付着しない B:灰が付着する 9)防曇性 レンズを23℃、50%RHの室内に1昼夜放置した
後、30℃、100%RHの条件下にレンズを曝したと
きに曇りが発生するまでの時間を測定する。
【0078】上述の評価項目について、実施例および比
較例の評価結果を、表1にまとめて示す。
【0079】
【表1】
【0080】表1からわかるように、上述の実施例の全
ての試料は、耐擦傷性(スチールウールおよび砂消しゴ
ム)、耐熱性、耐薬品性(酸)、帯電防止性、防曇性に
おいて、比較例の全ての試料よりも優れている。また、
密着性、耐温水性、耐薬品性(アルカリ)、干渉縞につ
いて、本実施例の試料は、比較例の試料と同等である。
【0081】これは、次のような作用によるためと考え
られる。
【0082】本発明では、ハードコート層と基材との間
に、変性層を備えている。この変性層は、基材との界面
においてアモルファス構造をとることにより、界面での
付着強度を増加させる。また、変性層の成膜時にモノマ
ーガスの流量比を加減させることにより、成長する薄膜
の結晶軸における屈折率を変化させる、すなわち、光学
的な不均質性を変性層に持たせることや、薄膜の酸化度
を変化させることや、充填密度を変化させることが可能
になる。これにより、薄膜内部に形成される真応力その
ものを変化させ、変性層の上に形成されるハードコート
層およびスパッタリング法により形成される反射防止膜
との真応力を相殺させることができる。
【0083】また、本実施例のハードコート層は、PE
CVDによって形成する際の混合ガス圧を、0.5〜1
2Paの範囲に制御している。これにより、本実施例の
ハードコート層は、組成と組織そのものが、耐久性に優
れたものになっている。また、これに加え、本実施例の
ハードコート層は、高屈折率材料を含まないため、酸素
量の調節により容易に透明にできるため、膜厚を厚く形
成することができ、この厚さにより、さらに機械的耐久
性と耐薬品性とが得られる。
【0084】このような変性層とハードコート層の作用
によって、本実施例の被膜を備えたプラスチックレンズ
は、高い耐環境性が得られている。
【0085】以上説明してきたように、本発明によれば
Ti系及び/またはSi系アルコキシ基含有有機化合物
を用いて、プラズマCVD法により眼鏡プラスチックレ
ンズ上に屈折率変性層及び/またはハードコート層を形
成し、その上の反射防止膜を形成させる際に、TiO2
層とSiO2層の交互積層からなるスパッタ膜より構成
された反射防止膜を形成し、且つ、前記TiO2層の光
学上の設計波長λが500〜550nmの範囲におい
て、該層の屈折率が2.36〜2.60を有することに
より、プラスチック基材上とハードコート層並びに反射
防止膜との密着性を良好にし、耐温水性,耐熱性,耐薬
品性,防曇性,ホコリ付着防止及び擦傷性の向上、且
つ、美的外観からくる干渉縞防止等を向上させる効果が
ある。
【0086】さらには、反射防止膜をスパッタリング法
により形成しているため、基材の両面に同時に形成させ
ることが可能になり、分光反射率特性等の経時変化が低
く抑制できる。また、両面一度に形成できるため、基材
を反転させる必要がなく、一貫した製造工程が確立され
る。
【0087】さらには従来の湿式ハードコートで必須で
ある表面活性化処理等が不要となり、これらの廃液処理
がなくなるため、環境汚染問題が解決できる。
【0088】また、従来からのディッピングによるハー
ドコートと比べても縮合硬化工程がなくなり、納期の短
縮化が計れる効果がある。
【0089】
【発明の効果】上述してきたように、本発明によれば、
スパッタで形成された反射防止膜を有し、耐久性が大き
く、しかも、一貫した輝層成長による製造工程で製造可
能な、被膜を備えた光学部品が提供できる。
【0090】本発明の製造方法により製造された光学物
品は、各層の密着性がよく剥離しにくい。また、耐擦傷
性、耐衝撃性、耐温水性、耐熱性、耐薬品性にも優れ更
に干渉縞の発生しない光学物品が得られる。そして、反
射防止膜をスパッタにより形成することにより、蒸着に
より形成された反射防止膜を備えた光学物品よりも更に
分光特性の経時変化が少なく、高耐久性を有し、かつ、
上記効果を兼ね備えた光学物品が得られる。
【0091】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G02B 1/12 G02B 1/12

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】合成樹脂基材と、 前記基材上に形成され、Si系およびTi系の化合物の
    少なくとも一方を含み、厚さ方向に向かって屈折率が変
    化している変性層と、 前記変性層上に形成され、前記変性層よりも厚い膜厚を
    有し、かつ、屈折率が一定であり、SiおよびOを含む
    ハードコート層と、 前記ハードコート層上に、TiO2膜とSiO2膜とを交
    互に積層することによって形成された反射防止膜とを有
    し、 前記TiO2膜は、波長500nm以上550nm以下
    の光に対する屈折率が、2.36以上2.60以下であ
    ることを特徴とする光学物品。
  2. 【請求項2】基材上に被膜を備えた光学物品の製造方法
    であって、 前記基材の上に、Siを含む有機化合物ガスおよびTi
    を含む有機化合物ガスの少なくとも一方を用い、プラズ
    マを用いた化学気相成長法により、前記基材上に厚さ方
    向に向かって屈折率が変化している変性層を形成する第
    1の工程と、 前記変性層の上に、Siを含む有機化合物ガスと、酸素
    ガスとの混合ガスを用い、プラズマを用いた化学気相成
    長法により、ハードコート層を形成する第2の工程と、 前記ハードコート層の上に、スパッタリング法により、
    波長500nm以上550nm以下の光に対する屈折率
    が2.36以上2.60以下のTiO2膜と、SiO2膜
    とを交互に積層することによりを反射防止膜を形成する
    第3の工程とを有することを特徴とする光学物品の製造
    方法。
JP8021242A 1995-08-30 1996-02-07 反射防止膜を有する光学物品及びその製造方法 Pending JPH09211203A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010521586A (ja) * 2007-08-20 2010-06-24 エスエヌユー アール アンド ディービー ファウンデーション 薄膜製造方法及び薄膜製造装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010521586A (ja) * 2007-08-20 2010-06-24 エスエヌユー アール アンド ディービー ファウンデーション 薄膜製造方法及び薄膜製造装置

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