JPH09211278A - 光結像装置の偏光調整方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光ファイバーを用いた光結像装置では、ファ
イバーの偏光特性により、光ファイバーからの射出光の
偏光状態を一定に保つことができず、射出光を導く光学
素子の偏光依存性によりビームスポットの光量が変化す
る。 【解決手段】 複数の光ファイバー１２１〜１２８のう
ちの１つから射出するレーザー光の偏光状態を検出する
第１のステップ(ステップ４)と、第１のステップで検出
された偏光状態の所定の基準状態からの誤差が所定の許
容範囲内に入るか否かを判定する第２のステップ(ステ
ップ５)と、第１のステップで検出対象とされた光ファ
イバーの姿勢を、その光ファイバーから射出されるレー
ザー光の偏光状態が所定の基準状態に近づくよう調整す
る第３のステップ(ステップ６)とを有し、全ての光ファ
イバーについて、各レーザー光の偏光状態の基準状態か
らの誤差が所定の許容範囲内に入るまで第１、第２、第
３のステップを繰り返し実行する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体レーザー
から発した光束を光ファイバーを通して結像光学系に入
射させ、結像面にスポットを形成する光結像装置におけ
る偏光調整方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の光結像装置としては、例えばレ
ーザープリンター等の走査光学装置がある。従来から、
一走査で複数の走査線を形成するいわゆるマルチビーム
の走査光学装置の分野では、光ファイバーを利用して互
いに近接した複数の点光源を形成し、この点光源からの
光束により結像面上に複数のスポットを形成する技術が
知られている。

【０００３】走査光学系を構成する殆どの光学素子は、
反射率、あるいは透過率に偏光依存性を有しているた
め、走査対象面に形成されるビームスポットの光量を一
定に保つためには、光ファイバーからの射出光の偏光状
態を揃える必要がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般の
光ファイバーは主として旋光性に代表される偏光特性を
有しており、偏波面をランダムに変えて伝搬させるた
め、光ファイバーからの射出光の偏光状態を一定に保つ
ことができない。一方、偏波面保存ファイバーを利用す
れば、光ファイバーへの入射光の偏光状態を揃えること
により射出光の偏光状態を揃えることができるが、この
ようなファイバーの利用は装置のコストアップを招く。

【０００５】この発明は、偏波面をランダムに変化させ
る一般の光ファイバーを用いつつ、複数の光ファイバー
から射出するレーザー光の偏光状態を揃えることができ
る光結像装置の偏光調整方法を提供することを目的とす
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明にかかる光結像
装置の偏光調整方法は、複数の光ファイバーのうちの１
つから射出するレーザー光の偏光状態を検出する第１の
ステップと、第１のステップで検出された偏光状態の所
定の基準状態からの誤差が所定の許容範囲内に入るか否
かを判定する第２のステップと、第２のステップにおい
て基準状態からの誤差が許容範囲を越えると判断された
際に、第１のステップで検出対象とされた光ファイバー
の姿勢を、その光ファイバーから射出されるレーザー光
の偏光状態が所定の基準状態に近づくよう調整する第３
のステップとを有し、全ての光ファイバーについて、各
レーザー光の偏光状態の基準状態からの誤差が所定の許
容範囲内に入るまで第１、第２、第３のステップを繰り
返し実行することを特徴とする。

【０００７】光ファイバーが持つ旋光性は、光ファイバ
ーにかかる応力の変化に伴って変化するため、上記の方
法により光ファイバーの姿勢を調整することにより光フ
ァイバーの旋光性を変化させることができ、結果的に光
ファイバーから射出されるレーザー光の偏光状態を調整
することができる。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、この発明にかかる偏光調整
方法が適用される光結像装置の実施形態を説明する。実
施形態として示される光結像装置は、８本のレーザ光を
同時に走査させることにより、一回の走査で８本の走査
線を同時に形成するマルチビーム走査光学装置に適用さ
れている。まず、走査光学装置全体の斜視図である図
１、その光学系の配置を示す図２、断面図である図３、
そして平面図である図４に基づき、この装置の概略構成
を説明する。なお、以下の説明において「主走査方向」
は、光軸に垂直な面内で光束の走査方向に相当する方
向、「副走査方向」は、光軸に垂直な面内で主走査方向
に直行する方向をいうものとする。

【０００９】走査光学装置は、図１に示されるように、
ほぼ直方体状の偏平なケーシング１内に走査光学系を配
して構成されている。ケーシング１の上部開口は、使用
時には上部蓋体２により閉成される。

【００１０】走査光学系の光源部１００は、図１および
図２に示されるように、それぞれ支持基板３００に取り
付けられた８つのレーザーブロック３１０ａ〜３１０ｈ
と、これらのレーザーブロックに１つづつ取り付けられ
た半導体レーザー１０１〜１０８と、半導体レーザーか
ら発する光束を伝達する８本の石英ガラス製の光ファイ
バー１２１〜１２８と、これらの光ファイバーの射出側
の端部を直線上に並べて保持することにより直線上に配
列する８つの点光源を形成するファイバーアライメント
ブロック１３０とから構成されている。なお、光ファイ
バー１２１〜１２８の入射側の端部は、レーザーブロッ
ク３１０ａ〜３１０ｈに固定されたファイバー支持体３
１９ａ〜３１９ｈにより保持されている。

【００１１】光源部１００のファイバーアライメントブ
ロック１３０から射出される発散光束は、円筒状のコリ
メートレンズホルダー３４０により保持されたコリメー
トレンズ１４０により平行光束とされ、絞り１４２を透
過してハーフミラー１４４に入射する。ハーフミラー１
４４の透過率は、５〜１０％である。

【００１２】ハーフミラー１４４を透過したモニター光
束は、ＡＰＣ(オートパワーコントロール)信号検出部１
５０に入射する。ＡＰＣ信号検出部１５０は、透過光束
を収束させるコンデンサレンズ１５１と、この光束を受
光するＡＰＣ用受光素子１５５とから構成されている。
半導体レーザー１０１〜１０８は、各走査毎に描画領域
に入る前に１つづつ順に発光する。そしてこの際の受光
素子１５５の出力信号は、同一の駆動信号に対する各半
導体レーザーの出力かほぼ同一となるようフィードバッ
ク制御する(ＡＰＣ制御)ために利用される。

【００１３】一方、ハーフミラー１４４で反射された主
光束は、副走査方向の角度を逐次制御するダイナミック
プリズム１６０により角度制御された後、副走査方向に
のみ正のパワーを持つシリンドリカルレンズ１７０によ
りポリゴンミラー１８０のミラー面の近傍で線状に結像
される。ダイナミックプリズム１６０は、後述の感光体
ドラムの回転ムラ等に起因する走査対象面上でのスポッ
トの副走査方向の位置ズレを補正するために利用され
る。シリンドリカルレンズ１７０は、円筒状のシリンド
リカルレンズホルダー３６１により保持されており、図
２に示されるように、副走査方向においてそれぞれ正・
負のパワーを持つ２枚のレンズ１７１、１７３から構成
される。

【００１４】ポリゴンミラー１８０は、図３に示される
ようにケーシング１に固定されたポリゴンモータ３７１
により駆動され、図４中の矢印で示したように時計回り
方向に回転する。また、ポリゴンミラー１８０は、回転
による風切り音の発生や、空気中の塵埃との衝突による
ミラー面の損傷を避けるため、図１に示されるようにカ
ップ状のポリゴンカバー３７３により外気から遮断され
て配置されている。

【００１５】ポリゴンカバー３７３には、その側面に光
路孔３７３ｅが形成されており、この光路孔３７３ｅに
はカバーガラス３７５がはめ込まれている。シリンドリ
カルレンズ１７０を透過した光束は、カバーガラス３７
５を通してカバー内に入射し、ポリゴンミラー１８０に
より反射、偏向されて再びカバーガラス３７５を通して
外部に射出される。なお、ポリゴンカバー３７３の上面
には、ポリゴンミラー１８０の上面に付されたマークＭ
を検出するためのポリゴンセンサ(図示せず)を含むセン
サブロック３７６が設けられている。

【００１６】ポリゴンミラー１８０の反射面には例えば
主走査方向の湾曲等の加工誤差があり、一般に各反射面
の加工誤差量にはバラツキが生じる。そこで、各面の誤
差量を予め測定して記憶させておき、使用時にセンサの
出力に応じていずれの反射面が使用されているかを識別
することにより、反射面毎の固有の誤差量に応じてビー
ム位置やビーム強度等を補正することができる。

【００１７】ポリゴンミラー１８０で反射された光束
は、結像光学系であるｆθレンズ１９０を透過した後、
図３に示されるように折り返しミラー２００により反射
されて感光体ドラム２１０上に達し、８つのビームスポ
ットを形成する。これらのビームスポットは、ポリゴン
ミラー１８０の回転に伴って同時に走査され、感光体ド
ラム２１０上には一回の走査で８本の走査線が形成され
る。

【００１８】感光体ドラム２１０は、ビームスポットの
走査に同期して矢印Ｒ方向に回転駆動され、これにより
感光体ドラム２１０上に静電潜像が形成される。この潜
像は、公知の電子写真プロセスにより、図示せぬ用紙に
転写される。

【００１９】ｆθレンズ１９０は、ポリゴンミラー１８
０側から折り返しミラー２００側に向けて順に、主走査
方向、副走査方向の両方向に関してそれぞれ負、正、
正、負のパワーを有する第１、第２、第３、第４レンズ
１９１,１９３,１９５,１９７が配列して構成され、副
走査方向においてポリゴンミラー１８０のミラー面近傍
で線状に結像された光束を感光体ドラム２１０上に楕円
形状に再結像させるパワーを有する。ｆθレンズ１９０
の４枚のレンズは、図３および図４に示されるように単
一のレンズ台３８０上に固定されている。なお、ｆθレ
ンズ１９０は、単一波長での使用を前提としているた
め、色収差は補正されていない。

【００２０】図１〜図４中のｘ軸は、ｆθレンズ１９０
の光軸と平行な軸、ｙ軸およびｚ軸は、ｘ軸に垂直な面
内で互いに直行する軸である。ｙ軸は主走査方向に一致
し、ｚ軸はポリゴンミラー１８０と折り返しミラー２０
０との間の光路中では副走査方向に一致する。

【００２１】なお、ｆθレンズ１９０を透過した光束
は、各走査毎に、すなわちポリゴンミラーの１つの反射
面による走査毎に、描画範囲に入る前に同期信号検出用
光学系２２０により検出される。同期信号検出用光学系
２２０は、ｆθレンズ１９０の第４レンズ１９７と折り
返しミラー２００との間の光路中に配置されて感光体ド
ラム２１０上のビームスポットが描画範囲にへ入る前の
偏光角で光束を反射させる第１ミラー２２１と、この第
１ミラー２２１で反射された光束を順に反射させる第
２、第３ミラー２２３,２２５と、これらのミラーによ
り導かれた光束を受光する受光素子２３０とから構成さ
れている。

【００２２】受光素子２３０は、感光体ドラム２１０と
光学的に等価な位置に配置されている。８本のビーム
は、走査に伴って１本づつ順番に受光素子２３０に入射
し、受光素子２３０からは１走査毎に８つのパルスが出
力される。パルスが検出されると、そのパルスに対応す
る半導体レーザーを駆動するレーザー駆動部に１ライン
分の画像データが転送され、パルスの検出から一定時間
経過後に書き込みが開始される。

【００２３】また、ケーシング１には、折り返しミラー
２００で反射された光束を透過させる描画用開口１１が
形成されると共に、折り返しミラー２００の背後に光学
調整用開口１２が形成されている。描画用開口１１に
は、カバーガラス２０１が装着されている。光学調整用
開口１２は、折り返しミラー２００を除く光学素子を組
み付けた後に、これらの光学素子を調整する際に使用さ
れ、描画のための使用時には図３に示されるように蓋板
１３により閉成される。

【００２４】続いて、図５〜図８に基づいてレーザーブ
ロック部分の構成と、光ファイバーの姿勢の変化による
偏光状態の変化とについて説明する。前述したように、
光ファイバーは主として旋光性に代表される偏光特性を
有しているため、実施態様の装置のように複数の半導体
レーザーからの光束を光ファイバーを用いて導く場合、
入射側で半導体レーザーの偏光方向を同一方向に揃えた
としても、光ファイバーから射出する光束の偏光方向は
互いに異なる。

【００２５】一方、走査光学系を構成する殆どの光学素
子は、反射率、あるいは透過率に偏光依存性を有してい
る。特に光束が斜めに入射する反射面、例えば、ハーフ
ミラー１４４は大きな偏光依存性を持つ。ハーフミラー
１４４の透過率は、例えばＰ偏光(入射面に対して平行
な振動面をもつ偏光成分)については１０％、Ｓ偏光(入
射面に対して垂直な振動面をもつ偏光成分)については
５％となる。

【００２６】したがって、例えば第１の半導体レーザー
１０１から発して光ファイバー１２１から射出する光束
がハーフミラー１４４に対してＰ偏光として入射し、第
２の半導体レーザー１０２から発して光ファイバー１２
２から射出する光束がハーフミラー１４４に対してＳ偏
光として入射する場合には、第１、第２の半導体レーザ
ー１０１、１０２の光量が同一であるとしても、ハーフ
ミラー１４４を透過した光束の光量の比は２：１とな
る。

【００２７】そして、このモニター光束を受光した受光
素子１５５の出力信号に基づいて半導体レーザーの発光
量をフィードバック制御すると、第１の半導体レーザー
の発光量は第２の半導体レーザーの発光量の１／２とな
る。ここでハーフミラーから感光体ドラム２１０までの
光学素子の偏光依存性を無視して考えると、ＡＰＣ制御
をかけることにより感光体ドラム上のビームスポットの
光量に最大で２倍の開きが生じることとなる。

【００２８】このような不具合を避けるためには、光フ
ァイバー１２１〜１２８から発した光束のＡＰＣ用受光
素子１５５上、および感光体ドラム２１０上での強度の
バラツキを共に抑える必要があるが、これらの２カ所で
の光量バランスを同時にとることは困難である。そこ
で、実施形態の装置では、各光ファイバー１２１〜１２
８の姿勢を個別に調整することにより各光ファイバーか
ら射出される光束の偏光状態を所定の許容幅に納めるよ
う調整している。強度のバラツキは上述のように光ファ
イバーの射出光の偏光状態のバラツキに依存するため、
これを均一化することにより上記の２カ所での光量バラ
ンスを同時にとることができる。

【００２９】図５および図６に示されるように、レーザ
ーブロック３１０ａは、半導体レーザー１０１、カップ
リングレンズ１１１、半導体レーザーへの戻り光を阻止
する光アイソレータを構成する偏光ビームスプリッター
３１２ａおよび１／４波長板３１６ａ、そして、光ファ
イバー１２１の入射側の端部を保持するファイバー支持
体３１９ａを備える。他のレーザーブロック３１０ｂ〜
３１０ｈも、全て３１０ａと同一の構造を有している。

【００３０】半導体レーザー１０１から発する発散光束
は、カップリングレンズ１１１により収束され、偏光ビ
ームスプリッター３１２ａ、１／４波長板３１６ａを介
して光ファイバー１２１に入射する。光ファイバー１２
１は、ファイバー支持体３１９ａの中心軸に沿って形成
された貫通孔に挿入されて接着剤により支持体３１９ａ
に固定されている。

【００３１】上記の構成によれば、半導体レーザー１０
１から発して偏光ビームスプリッター３１２ａを透過し
た直線偏光成分は、１／４波長板３１６ａを透過するこ
とにより円偏光に変換される。この光束の一部が光ファ
イバー１２１の入射端面で反射されると、戻り光は電界
ベクトルの振動方向が入射時とは逆方向に回転する円偏
光となリ、１／４波長板３１６ａを再び透過すると入射
時とは９０゜偏光方向が異なる直線偏光となる。

【００３２】したがって、ファイバー端面からの戻り光
は偏光ビームスプリッター３１２ａで反射されて半導体
レーザー１０１側に戻ることがない。反射光が半導体レ
ーザーに戻ると、半導体レーザーの発振モードが単一モ
ードから多モードに変化し、あるいは発振波長の幅が広
がるため、ｆθレンズの持つ倍率色収差によりスポット
径が増加して、描画精度か劣化する。この実施形態で
は、上記のように戻り光を防ぐことにより、半導体レー
ザーの発光モードの変化等による軸外の結像位置での倍
率色収差の発生を抑えている。

【００３３】なお、図５および図６においては、光ファ
イバー１２１の射出側に、ファイバーの中心軸回りに回
転可能な偏光子４００と、ファイバー１２１から射出し
て偏光子４００を透過した光束の光量を検出するパワー
メータ４１０とが配置されている。これらの偏光子４０
０およびパワーメータ４１０は、偏光調整時にのみ利用
される。調整時には、偏光子４００を回転させつつ透過
光量を測定し、偏光子４００の透過軸の回転角度に対す
る透過光量の変化を調べることにより、射出光の偏光状
態を判断する。

【００３４】また、光ファイバーを射出したレーザー光
の偏光状態は、上記の偏光子４００を用いて測定する方
法の他、射出光を偏光ビームスプリッターにより電界ベ
クトルの振動面が互いに直交する２つの偏光成分に分離
し、分離された光の強度をそれぞれパワーメータにより
測定し、測定されたパワーの比率を調べることによって
も検出することができる。

【００３５】この例では、光ファイバーへの入射光は円
偏光であるため、光ファイバーが偏光を変化させる特性
を持たない場合には射出光も円偏光となり、偏光子を回
転させても光量は変化しないはずである。したがって、
偏光子の角度に依存して検出光量が変化する場合には、
光ファイバーが入射光の偏光状態を変化させたものと考
えることができる。

【００３６】図７および図８は、同一の光ファイバーが
姿勢の変化によってどのように偏光状態を変化させるか
を実測データに基づいて示すグラフである。図７は、光
ファイバー１２１の湾曲状態の変化が偏光状態に与える
影響を調べるために、光ファイバー１２１の中間部を図
５に示すように「コ」字状に湾曲させた例、図６に示す
ように光ファイバーを１回ループさせた例、同様に２
回、３回ループさせた例について測定した結果を示して
いる。出力の変動幅が小さいものは射出光の偏光楕円の
長軸と短軸との比が１に近いこと、変動幅が大きいもの
は射出光の偏光楕円の長軸に対する短軸の比率が小さい
ことを意味する。図中の横軸は偏光子４００の回転角
(単位：ｄｅｇ．)、縦軸はパワーメータ４１０により検
出された光強度(単位：ｍＷ)を示す。この結果から、光
強度の変動幅が最も小さいのが「コ」字状に湾曲させた
例であり、最も大きいのがループ２回の例であることが
わかる。

【００３７】また、図８は、光ファイバー１２１のねじ
れによる変化が偏光状態に与える影響を測定するため
に、図６に示すように１回ループさせた光ファイバー１
２１のループ部分ＳＲを、ループ部分の入射側、射出側
の直線部分を通る軸Ａｘｓを中心に回転させた際の各回
転角度(０゜、４５゜、９０゜、１３５゜、１８０゜)に
おいて測定した結果を示している。この結果からは、光
強度の変動幅が最も小さいのが回転角度１３５゜の例、
最も大きいのが０゜の例であることがわかる。

【００３８】上記の測定結果は、光ファイバーの姿勢を
変更した場合の偏光状態の変化を示しているが、このよ
うな光ファイバーの特性を積極的に利用することによ
り、姿勢の変更によって射出光の偏光状態を調整するこ
とができる。偏光調整方法の手順は、図９に示される通
りである。まず、ステップ１で調整対象となっている光
ファイバーのナンバーをカウントするためのカウンタｎ
を１に初期化する。

【００３９】続いて、ステップ２においてｎ番目の半導
体レーザーを発光させ、ステップ３で偏光子４００を回
転させつつパワーメータ４１０の出力を検出する。ステ
ップ４では、ステップ３での検出結果に基づいてｎ番目
の光ファイバーからの射出光の偏光状態、すなわち偏光
板の透過軸の回転角度に対する光量変化の変動幅と位相
とを測定する。ステップ４は、複数の光ファイバーのう
ちの１つから射出するレーザー光の偏光状態を検出する
ステップである。

【００４０】ステップ５では、ステップ４で測定された
偏光状態の基準状態からの誤差が所定の許容範囲内に入
っているか否かが判断される。基準状態が円偏光である
場合、すなわち射出光を円偏光として揃えたい場合に
は、偏光子４００の透過軸の回転角度に対するパワーメ
ータ４１０の出力の変化が所定の基準値を中心とする所
定の範囲に収まる際に許容範囲に入ったものと判定され
る。例えば、偏光子の回転に伴う出力の変動が０．３５
±０．１ｍＷの範囲内にある場合に、許容範囲にあるも
のと判定される。

【００４１】一方、基準状態が直線偏光である場合に
は、偏光子４００の透過軸の回転角度に対するパワーメ
ータ４１０の出力の変化幅が所定の値より大きく、か
つ、基準状態の直線偏光に対する光量変化の位相の差が
所定の範囲に収まる際に許容範囲に入ったものと判定さ
れる。例えば、出力の変動幅が例えば０．５ｍＷより大
きくなるように、かつ、その位相が例えば基準となる直
線偏光の位相に対して±１０゜の範囲内にある場合に、
許容範囲にあるものと判定される。

【００４２】ステップ５において許容範囲に入っていな
いと判断された場合には、ステップ６でｎ番目の光ファ
イバーの姿勢を、その光ファイバーから射出されるレー
ザー光の偏光状態が所定の基準状態に近づくよう調整す
る。ステップ６では、ループの径、該ループの数、ルー
プを含む面の角度、湾曲部の湾曲の度合いの少なくとも
１つの要素が変更される。

【００４３】上記の姿勢の変更と偏光状態の測定とは、
誤差が許容範囲に入るまで繰り返し実行される。誤差が
許容範囲内に入ると、ステップ７でカウンタの値が７よ
り大きいか否かが判断され、大きくなければステップ８
でインクリメントされ、次の光ファイバーについてステ
ップ２〜６の処理が同様に実行される。この例では、半
導体レーザーおよび光ファイバーの数は８であるため、
カウンタｎの値が８以上となれば全ての光ファイバーに
ついて調整が終了したこととなるため、その場合には処
理を終了する。

【００４４】上記の手順に従って８本の光ファイバーの
姿勢を調整することにより、各光ファイバーから射出さ
れる光束の偏光状態を所定の範囲に収めることができ、
ハーフミラー１４４、ポリゴンミラー１８０、ｆθレン
ズ１９０等の光ファイバー１２１〜１２８より感光体ド
ラム２１０側の光学素子の偏光依存性によるＡＰＣ用受
光素子１５５上の光量のバラツキ、そして感光体ドラム
面２１０上のスポットの強度のバラツキを抑えることが
できる。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、複数の半導体レーザーからの光束をそれぞれ導く複
数の光ファイバーの姿勢を変更することにより、各射出
光の偏光状態の基準状態に対する誤差が所定の許容範囲
に入るよう調整することができ、光ファイバーを射出し
た光束が入射する結像光学系の各光学素子の偏光依存性
による結像面上でのスポットの強度差を小さく抑えるこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明にかかる偏光調整方法が適用される
走査光学装置の実施形態を示す斜視図である。

【図２】 図１の装置の副走査方向の断面図である。

【図３】 図１の装置の主走査方向の平面図である。

【図４】 図１の装置の光学系のみを取り出して示す主
走査方向の説明図である。

【図５】 図１の装置のレーザーブロック部分の概略構
成を示し、光ファイバーを湾曲させた例を示す説明図で
ある。

【図６】 光ファイバーを１回ループさせた状態を示す
図５と同様の説明図である。

【図７】 光ファイバーの湾曲、ループによる偏光の変
化を示すグラフである。

【図８】 光ファイバーのループを回転させた場合の偏
光の変化を示すグラフである。

【図９】 この発明にかかる偏光調整方法の手順を示す
フローチャートである。

【符号の説明】

１００ 光源部 １０１〜１０８ 半導体レーザー １２１〜１２８ 光ファイバー １３０ ファイバーアライメントブロック １４０ コリメートレンズ １４４ ハーフミラー １８０ ポリゴンミラー １９０ ｆθレンズ ２１０ 感光体ドラム

フロントページの続き (72)発明者 飯間 光規 東京都板橋区前野町２丁目36番９号 旭光 学工業株式会社内

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数の半導体レーザーから発する光束をそ
   れぞれ光ファイバーを通して結像光学系に入射させ、結
   像面にスポットを形成する光結像装置の偏光調整方法に
   おいて、 前記複数の光ファイバーのうちの１つから射出するレー
   ザー光の偏光状態を検出する第１のステップと、 前記第１のステップで検出された偏光状態の所定の基準
   状態からの誤差が所定の許容範囲内に入るか否かを判定
   する第２のステップと、 前記第２のステップにおいて前記基準状態からの誤差が
   許容範囲を越えると判断された際に、前記第１のステッ
   プで検出対象とされた光ファイバーの姿勢を、当該光フ
   ァイバーから射出されるレーザー光の偏光状態が前記基
   準状態に近づくよう調整する第３のステップとを有し、 全ての前記光ファイバーについて、前記誤差が前記許容
   範囲に入ると判定されるまで、前記第１、第２、第３の
   ステップを繰り返し実行することを特徴とする光結像装
   置の偏光調整方法。
2. 【請求項２】複数の半導体レーザーから発する光束をそ
   れぞれ光ファイバーを通して偏向器に入射させ、偏向器
   により偏向された複数の光束を走査レンズにより収束さ
   せて走査対象面にスポットを形成する走査型の光結像装
   置の偏光調整方法において、前記複数の光ファイバーの
   うちの１つから射出するレーザー光の偏光状態を検出す
   る第１のステップと、 前記第１のステップで検出された偏光状態の所定の基準
   状態からの誤差が所定の許容範囲内に入るか否かを判定
   する第２のステップと、 前記第２のステップにおいて前記基準状態からの誤差が
   許容範囲を越えると判断された際に、前記第１のステッ
   プで検出対象とされた光ファイバーの姿勢を、当該光フ
   ァイバーから射出されるレーザー光の偏光状態が前記基
   準状態に近づくよう調整する第３のステップとを有し、 全ての前記光ファイバーについて、前記誤差が前記許容
   範囲に入ると判定されるまで、前記第１、第２、第３の
   ステップを繰り返し実行することを特徴とする光結像装
   置の偏光調整方法。
3. 【請求項３】前記第１のステップでは、前記光ファイバ
   ーから射出されるレーザー光を偏光子に入射させ、該偏
   光子の透過軸を回転させつつ該偏光子を透過するレーザ
   ー光の光量を検出し、透過軸の回転角度に対する光量変
   化から前記レーザー光の偏光状態を判断することを特徴
   とする請求項１または２のいずれかに記載の光結像装置
   の偏光調整方法。
4. 【請求項４】前記第３のステップでは、前記光ファイバ
   ーのループの径、該ループの数、ループを含む面の角
   度、湾曲部の湾曲の度合いの少なくとも１つの要素を変
   更することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載
   の光結像装置の偏光調整方法。
5. 【請求項５】前記第２のステップでは、前記基準状態が
   円偏光である場合には、透過軸の回転角度に対する光量
   の変化が所定の基準値を中心とする所定の範囲に収まる
   際に前記許容範囲に入ったものと判定されることを特徴
   とする請求項３または４のいずれかに記載の光結像装置
   の偏光調整方法。
6. 【請求項６】前記第２のステップでは、前記基準状態が
   直線偏光である場合には、透過軸の回転角度に対する光
   量の変化幅が所定の値より大きく、かつ、前記基準状態
   の直線偏光に対する光量変化の位相の差が所定の範囲に
   収まる際に前記許容範囲に入ったものと判定されること
   を特徴とする請求項３または４のいずれかに記載の光結
   像装置の偏光調整方法。
7. 【請求項７】複数の半導体レーザーから発する光束を偏
   光状態を揃えてそれぞれ光ファイバーに入射させ、該光
   ファイバーからの射出光を結像光学系に入射させ、結像
   面にスポットを形成する光結像装置の偏光調整方法にお
   いて、前記複数の光ファイバーのうちの１つから射出す
   るレーザー光の偏光状態を検出する第１のステップと、 前記第１のステップで検出された偏光状態が所定の条件
   を満たすか否かを判定する第２のステップと、 前記第２のステップにおいて前記条件を満たさないと判
   断された際に、前記第１のステップで検出対象とされた
   光ファイバーの姿勢を、当該光ファイバーから射出され
   るレーザー光の偏光状態が前記条件を満たすよう調整す
   る第３のステップとを有し、 全ての前記光ファイバーについて、前記条件を満たすと
   判定されるまで、前記第１、第２、第３のステップを繰
   り返し実行することを特徴とする光結像装置の偏光調整
   方法。
8. 【請求項８】前記第１のステップでは、前記光ファイバ
   ーから射出されるレーザー光を偏光子に入射させ、該偏
   光子の透過軸を回転させつつ該偏光子を透過するレーザ
   ー光の光量を検出し、透過軸の回転角度に対する光量変
   化から前記レーザー光の偏光状態を判断することを特徴
   とする請求項５に記載の光結像装置の偏光調整方法。
9. 【請求項９】前記条件は、前記光ファイバーからの射出
   光を円偏光を基準として揃える場合には、透過軸の回転
   角度に対する光量の変化幅が所定の値より小さくなるよ
   う定められることを特徴とする請求項８に記載の光結像
   装置の偏光調整方法。
10. 【請求項１０】前記条件は、前記光ファイバーからの射
    出光を直線偏光を基準として揃える場合には、透過軸の
    回転角度に対する光量の変化幅が所定の値より大きくな
    り、かつ、光量変化の位相の差が所定の範囲より小さく
    なるよう定められることを特徴とする請求項８に記載の
    光結像装置の偏光調整方法。