JPH09211841A - マスクブランクスの検査に用いる校正用マスク、その製造方法、およびマスクブランクスの検査方法 - Google Patents
マスクブランクスの検査に用いる校正用マスク、その製造方法、およびマスクブランクスの検査方法Info
- Publication number
- JPH09211841A JPH09211841A JP1548696A JP1548696A JPH09211841A JP H09211841 A JPH09211841 A JP H09211841A JP 1548696 A JP1548696 A JP 1548696A JP 1548696 A JP1548696 A JP 1548696A JP H09211841 A JPH09211841 A JP H09211841A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- shielding film
- resist
- mask
- pinhole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 31
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 45
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 12
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 5
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 14
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- FFWSICBKRCICMR-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-hexanone Chemical compound CC(C)CCC(C)=O FFWSICBKRCICMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 4-heptanone Chemical compound CCCC(=O)CCC HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスクブランクスの検査においてハーフピン
ホールを正確に検出できる校正用マスクを容易に製造す
る。 【解決手段】 透明基板１５上に形成した遮光膜１６の
上にレジスト１７を塗布し、レジスト塗布後のベーク
時、遮光膜１６とレジスト１７との密着性が通常よりも
悪くなるようにベーク温度または時間を変化させてベー
クする。ベーク後、ピンホールパターンを電子線描画に
より描画、現像し、断面が垂直なピンホール１８を有す
るレジストパターン１９を形成する。このレジストパタ
ーン１９をマスクにして遮光膜１６をウエットエッチン
グする。レジスト１７と遮光膜１６の密着性が不十分な
ため界面にエッチング液が速く入り込み、遮光膜１６が
完全に欠落した部分２０の周りに不完全な欠落部分２１
が連続的に存在した欠陥４３が形成される。
ホールを正確に検出できる校正用マスクを容易に製造す
る。 【解決手段】 透明基板１５上に形成した遮光膜１６の
上にレジスト１７を塗布し、レジスト塗布後のベーク
時、遮光膜１６とレジスト１７との密着性が通常よりも
悪くなるようにベーク温度または時間を変化させてベー
クする。ベーク後、ピンホールパターンを電子線描画に
より描画、現像し、断面が垂直なピンホール１８を有す
るレジストパターン１９を形成する。このレジストパタ
ーン１９をマスクにして遮光膜１６をウエットエッチン
グする。レジスト１７と遮光膜１６の密着性が不十分な
ため界面にエッチング液が速く入り込み、遮光膜１６が
完全に欠落した部分２０の周りに不完全な欠落部分２１
が連続的に存在した欠陥４３が形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩなどの微細
パターンを投影露光装置にて転写する際に用いられるフ
ォトマスクを作製するためのマスクブランクスの検査に
用いる校正用マスク、その製造方法、およびマスクブラ
ンクスの検査方法に関する。
パターンを投影露光装置にて転写する際に用いられるフ
ォトマスクを作製するためのマスクブランクスの検査に
用いる校正用マスク、その製造方法、およびマスクブラ
ンクスの検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体集積回路は、フォトマ
スク上のパターン形状をウェハ上のレジスト材料に転写
するリソグラフィー工程を繰り返して製造されるが、そ
の加工寸法は年々微細化が進んでいる。それに伴い使用
されるフォトマスクに要求される寸法精度や欠陥規格も
厳しくなっている。
スク上のパターン形状をウェハ上のレジスト材料に転写
するリソグラフィー工程を繰り返して製造されるが、そ
の加工寸法は年々微細化が進んでいる。それに伴い使用
されるフォトマスクに要求される寸法精度や欠陥規格も
厳しくなっている。
【０００３】フォトマスクは、透明基板上に遮光膜およ
びレジストが形成されたマスクブランクスを加工するこ
とで得られるが、そのマスクブランクスにはピンホー
ル、パーティクル等の欠陥が存在しないことが望まし
い。しかし、実際には透明基板上に遮光膜を形成する工
程や、レジストを形成する工程において何らかの原因に
よって欠陥が発生してしまうことが多い。このため、欠
陥が存在するか、存在する場合には何個存在するか、そ
の大きさはどのくらいか等を検査しなければならない。
びレジストが形成されたマスクブランクスを加工するこ
とで得られるが、そのマスクブランクスにはピンホー
ル、パーティクル等の欠陥が存在しないことが望まし
い。しかし、実際には透明基板上に遮光膜を形成する工
程や、レジストを形成する工程において何らかの原因に
よって欠陥が発生してしまうことが多い。このため、欠
陥が存在するか、存在する場合には何個存在するか、そ
の大きさはどのくらいか等を検査しなければならない。
【０００４】マスクブランクスの検査方法としては光の
透過、散乱を利用する方法が一般的である。すなわち、
図９に示すように、遮光膜１側または透明基板２側ある
いは両方から光を照射してそれぞれの側に受光素子３を
置く。遮光膜１上にパーティクル４がある場合、パーテ
ィクル４によって散乱された光を受光素子３で受光し、
ピンホール５がある場合にはそのピンホール５を通過し
てきた光を受光素子３で受光することでそれぞれを認
識、検出するものである。
透過、散乱を利用する方法が一般的である。すなわち、
図９に示すように、遮光膜１側または透明基板２側ある
いは両方から光を照射してそれぞれの側に受光素子３を
置く。遮光膜１上にパーティクル４がある場合、パーテ
ィクル４によって散乱された光を受光素子３で受光し、
ピンホール５がある場合にはそのピンホール５を通過し
てきた光を受光素子３で受光することでそれぞれを認
識、検出するものである。
【０００５】しかし、この方法ですべての欠陥を正確な
大きさで認識して検出することは難しく、光の波長や強
さ、入射角度、検出器等の調整の他、検出可能最小欠陥
サイズを見極めるため、検査する膜種に応じて用意した
校正用マスクを用いて検査装置の校正をしなければなら
ない。特に光リソフグラフィー工程において、解像度や
焦点深度の向上に有効なハーフトーン位相シフトマスク
用のブランクスや、可視光は通すが露光光は通さないシ
ースルーマスク用のブランクス等は検査光が遮光膜を通
すため、通常の遮光膜に比べて検出感度が変ってくる。
大きさで認識して検出することは難しく、光の波長や強
さ、入射角度、検出器等の調整の他、検出可能最小欠陥
サイズを見極めるため、検査する膜種に応じて用意した
校正用マスクを用いて検査装置の校正をしなければなら
ない。特に光リソフグラフィー工程において、解像度や
焦点深度の向上に有効なハーフトーン位相シフトマスク
用のブランクスや、可視光は通すが露光光は通さないシ
ースルーマスク用のブランクス等は検査光が遮光膜を通
すため、通常の遮光膜に比べて検出感度が変ってくる。
【０００６】この校正用マスクは、あらかじめ大きさ、
形状を決めた欠陥を、測定しようとするブランクス材料
と同じものに作り込み、上記方法での検出限界および認
識精度を知るものである。この校正用マスクの作製方法
は、通常のフォトマスク作製と全く同様である。すなわ
ち透明基板上に検査しようとする遮光膜と同じ膜を成膜
し、パターニング方式（光露光、電子線描画）に合わせ
てレジストを塗布したブランクスを用意し、大きさ、形
状等を変化させたレジストパターンを形成して遮光膜を
エッチングし、レジストを剥離して所望のマスクを得
る。
形状を決めた欠陥を、測定しようとするブランクス材料
と同じものに作り込み、上記方法での検出限界および認
識精度を知るものである。この校正用マスクの作製方法
は、通常のフォトマスク作製と全く同様である。すなわ
ち透明基板上に検査しようとする遮光膜と同じ膜を成膜
し、パターニング方式（光露光、電子線描画）に合わせ
てレジストを塗布したブランクスを用意し、大きさ、形
状等を変化させたレジストパターンを形成して遮光膜を
エッチングし、レジストを剥離して所望のマスクを得
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところがピンホール欠
陥は、単にある大きさを持って遮光膜が完全に欠落して
いるものばかりとは限らない。すなわち図５、図６に示
すように、透明基板２上に形成された遮光膜１が完全に
欠落した部分６の周りに不完全な欠落部分７が連続的
（図５（ａ））または階段状（図５（ｂ））に存在した
もの、あるいは不完全な欠落部分７のみが連続的（図６
（ａ））または階段状（図６（ｂ））に存在したものが
ある。以後これらの欠陥をハーフピンホールと呼ぶ。こ
れらの場合、遮光膜１の厚さに応じて光の洩れが生じる
ことにより上記の方法での欠陥の存在、大きさの正確な
検出ができなくなる。そしてこれらのハーフピンホール
がマスクブランクス検査の段階で見逃されてマスクを作
製し転写に使用された場合、条件によってはウェハ上に
不要なパターンが形成され欠陥となってしまう。
陥は、単にある大きさを持って遮光膜が完全に欠落して
いるものばかりとは限らない。すなわち図５、図６に示
すように、透明基板２上に形成された遮光膜１が完全に
欠落した部分６の周りに不完全な欠落部分７が連続的
（図５（ａ））または階段状（図５（ｂ））に存在した
もの、あるいは不完全な欠落部分７のみが連続的（図６
（ａ））または階段状（図６（ｂ））に存在したものが
ある。以後これらの欠陥をハーフピンホールと呼ぶ。こ
れらの場合、遮光膜１の厚さに応じて光の洩れが生じる
ことにより上記の方法での欠陥の存在、大きさの正確な
検出ができなくなる。そしてこれらのハーフピンホール
がマスクブランクス検査の段階で見逃されてマスクを作
製し転写に使用された場合、条件によってはウェハ上に
不要なパターンが形成され欠陥となってしまう。
【０００８】特に前記のハーフトーン位相シフトマスク
ブランクス、シースルーマスクブランクスは元々遮光膜
そのものが光の波長に応じた透過率を持っているため、
通常の遮光膜と比べて光の洩れが大きくなり欠陥になる
確率が高い。
ブランクス、シースルーマスクブランクスは元々遮光膜
そのものが光の波長に応じた透過率を持っているため、
通常の遮光膜と比べて光の洩れが大きくなり欠陥になる
確率が高い。
【０００９】本発明の目的は、上述した従来の問題点を
解決して、マスクブランクスの検査においてハーフピン
ホールを正確に検出することが可能な校正用マスク、そ
の製造方法、およびそれを用いて検査を行うマスクブラ
ンクスの検査方法を提供することにある。
解決して、マスクブランクスの検査においてハーフピン
ホールを正確に検出することが可能な校正用マスク、そ
の製造方法、およびそれを用いて検査を行うマスクブラ
ンクスの検査方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】第１の発明のマスクブラ
ンクスの検査に用いる校正用マスクは、透明基板上に形
成された遮光膜に、遮光膜が完全に欠落した部分の周り
に不完全な欠落部分が連続的または階段状に存在した欠
陥（ハーフピンホール）、または不完全な欠落部分のみ
が連続的または階段状に存在した欠陥（ハーフピンホー
ル）が形成されているものである。
ンクスの検査に用いる校正用マスクは、透明基板上に形
成された遮光膜に、遮光膜が完全に欠落した部分の周り
に不完全な欠落部分が連続的または階段状に存在した欠
陥（ハーフピンホール）、または不完全な欠落部分のみ
が連続的または階段状に存在した欠陥（ハーフピンホー
ル）が形成されているものである。
【００１１】第１の発明のように校正用マスクにハーフ
ピンホールが形成されていると、マスクブランクスの欠
陥検査において、ハーフピンホールを正確に検出するこ
とができる。
ピンホールが形成されていると、マスクブランクスの欠
陥検査において、ハーフピンホールを正確に検出するこ
とができる。
【００１２】第２の発明のマスクブランクスの検査に用
いる校正用マスクは、第１の発明において、上記遮光膜
が検査光を通す半透明膜またはシースルー膜で形成さ
れ、上記マスクブランクスがハーフトーン位相シフトマ
スクブランクス、またはシースルーマスクブランクスで
あるものである。
いる校正用マスクは、第１の発明において、上記遮光膜
が検査光を通す半透明膜またはシースルー膜で形成さ
れ、上記マスクブランクスがハーフトーン位相シフトマ
スクブランクス、またはシースルーマスクブランクスで
あるものである。
【００１３】第２の発明のように校正用マスクが、光の
波長に応じた透過率を持つ遮光膜を有するハーフトーン
位相シフトマスクブランクス、またはシースルーマスク
ブランクスの検査に用いる校正用のマスクである場合に
は、通常の遮光膜を有するマスクブランクスと比べて欠
陥になる確率が高いハーフピンホールを、ブランクス検
査の段階で検出することができる。
波長に応じた透過率を持つ遮光膜を有するハーフトーン
位相シフトマスクブランクス、またはシースルーマスク
ブランクスの検査に用いる校正用のマスクである場合に
は、通常の遮光膜を有するマスクブランクスと比べて欠
陥になる確率が高いハーフピンホールを、ブランクス検
査の段階で検出することができる。
【００１４】第３の発明のマスクブランクスの検査に用
いる校正用マスクの製造方法は、透明基板上に形成した
遮光膜の上にレジストを塗布し、上記レジスト塗布後の
ベーク時、遮光膜とレジストとの密着性が通常よりも悪
くなるようにベーク条件を変えてベークし、ベーク後、
断面が略垂直なピンホールを有するレジストパターンを
形成し、上記レジストパターンをマスクにして上記遮光
膜をウエットエッチングする際、密着性の悪い遮光膜と
レジスト間にエッチング液を浸透させることにより、遮
光膜が完全に欠落した部分の周りに不完全な欠落部分が
連続的に存在した欠陥、または不完全な欠落部分のみが
連続的に存在した欠陥を遮光膜に作るようにしたもので
ある。
いる校正用マスクの製造方法は、透明基板上に形成した
遮光膜の上にレジストを塗布し、上記レジスト塗布後の
ベーク時、遮光膜とレジストとの密着性が通常よりも悪
くなるようにベーク条件を変えてベークし、ベーク後、
断面が略垂直なピンホールを有するレジストパターンを
形成し、上記レジストパターンをマスクにして上記遮光
膜をウエットエッチングする際、密着性の悪い遮光膜と
レジスト間にエッチング液を浸透させることにより、遮
光膜が完全に欠落した部分の周りに不完全な欠落部分が
連続的に存在した欠陥、または不完全な欠落部分のみが
連続的に存在した欠陥を遮光膜に作るようにしたもので
ある。
【００１５】第３の発明のように、遮光膜とレジストと
の密着性を利用し、ベーク条件、例えばベーク温度を低
くまたはベーク時間を短くして密着性を通常よりも悪く
することにより、ウエットエッチング時にピンホールの
断面に傾斜をつけることができる。エッチングを最後ま
で行なえば、遮光膜が完全に欠落した部分の周りに不完
全な欠落部分が連続的に存在したハーフピンホールがで
き、エッチングを途中で止めると不完全な欠落部分のみ
が連続的に存在したハーフピンホールを作ることができ
る。
の密着性を利用し、ベーク条件、例えばベーク温度を低
くまたはベーク時間を短くして密着性を通常よりも悪く
することにより、ウエットエッチング時にピンホールの
断面に傾斜をつけることができる。エッチングを最後ま
で行なえば、遮光膜が完全に欠落した部分の周りに不完
全な欠落部分が連続的に存在したハーフピンホールがで
き、エッチングを途中で止めると不完全な欠落部分のみ
が連続的に存在したハーフピンホールを作ることができ
る。
【００１６】第４の発明のマスクブランクスの検査に用
いる校正用マスクの製造方法は、透明基板上に形成した
遮光膜の上にレジストを塗布し、断面が傾斜したピンホ
ールを有するレジストパターンを形成し、該レジストパ
ターンをマスクにして遮光膜をドライエッチングする
際、遮光膜よりレジストのエッチング速度を速くして、
遮光膜と同時にレジストをエッチングすることにより、
遮光膜が完全に欠落した部分の周りに不完全な欠落部分
が連続的に存在した欠陥、または不完全な欠落部分のみ
が連続的に存在した欠陥を遮光膜に作るようにしたもの
である。
いる校正用マスクの製造方法は、透明基板上に形成した
遮光膜の上にレジストを塗布し、断面が傾斜したピンホ
ールを有するレジストパターンを形成し、該レジストパ
ターンをマスクにして遮光膜をドライエッチングする
際、遮光膜よりレジストのエッチング速度を速くして、
遮光膜と同時にレジストをエッチングすることにより、
遮光膜が完全に欠落した部分の周りに不完全な欠落部分
が連続的に存在した欠陥、または不完全な欠落部分のみ
が連続的に存在した欠陥を遮光膜に作るようにしたもの
である。
【００１７】第４の発明のように、ピンホールの断面お
よびレジストと遮光膜とのエッチング選択比を利用し、
ピンホールの断面に傾斜をつけ、エッチング選択比を小
さくすることによって、遮光膜が完全に欠落した部分の
周りに不完全な欠落部分が連続的に存在したハーフピン
ホールができ、エッチングを途中で止めれば不完全な欠
落部分のみが連続的に存在したハーフピンホールができ
る。
よびレジストと遮光膜とのエッチング選択比を利用し、
ピンホールの断面に傾斜をつけ、エッチング選択比を小
さくすることによって、遮光膜が完全に欠落した部分の
周りに不完全な欠落部分が連続的に存在したハーフピン
ホールができ、エッチングを途中で止めれば不完全な欠
落部分のみが連続的に存在したハーフピンホールができ
る。
【００１８】第５の発明のマスクブランクスの検査に用
いる校正用マスクの製造方法は、透明基板上に形成した
遮光膜の上にレジストを塗布し、該レジスト上に第１の
ピンホールパターンと、第１のピンホールパターンの周
りに存在して第１のピンホールパターンよりも現像スピ
ードの遅い第２のピンホールパターンとを形成し、これ
ら第１、第２のピンホールパターンの形成されたレジス
トを現像して断面が階段状のピンホールを有するレジス
トパターンを形成し、該レジストパターンをマスクにし
て遮光膜をドライエッチングする際、遮光膜よりレジス
トのエッチング速度を速くして、遮光膜と同時にレジス
トをエッチングすることにより、遮光膜が完全に欠落し
た部分の周りに不完全な欠落部分が階段状に存在した欠
陥、または不完全な欠落部分のみが階段状に存在した欠
陥を遮光膜に作るようにしたものである。
いる校正用マスクの製造方法は、透明基板上に形成した
遮光膜の上にレジストを塗布し、該レジスト上に第１の
ピンホールパターンと、第１のピンホールパターンの周
りに存在して第１のピンホールパターンよりも現像スピ
ードの遅い第２のピンホールパターンとを形成し、これ
ら第１、第２のピンホールパターンの形成されたレジス
トを現像して断面が階段状のピンホールを有するレジス
トパターンを形成し、該レジストパターンをマスクにし
て遮光膜をドライエッチングする際、遮光膜よりレジス
トのエッチング速度を速くして、遮光膜と同時にレジス
トをエッチングすることにより、遮光膜が完全に欠落し
た部分の周りに不完全な欠落部分が階段状に存在した欠
陥、または不完全な欠落部分のみが階段状に存在した欠
陥を遮光膜に作るようにしたものである。
【００１９】第５の発明のように、レジスト上に第１の
ピンホールパターンと、第１のピンホールパターンの周
りに存在して第１のピンホールパターンよりも現像スピ
ードの遅い第２のピンホールパターンとを形成するに
は、次のようにする。第１のピンホールパターンを電子
線描画で描画するか露光し、さらに第１のピンホールパ
ターンを含む周りの領域に重ねて描画するか露光して第
２のピンホールパターンを形成する。これを現像する
と、レジスト現像スピードの違いによりピンホールの断
面が階段状をしたレジストパターンが形成される。次
に、このレジストパターンをマスクにして遮光膜をドラ
イエッチングすると、遮光膜と共にレジストもエッチン
グされるので、結果として階段状に欠落部分が存在した
ハーフピンホールパターンが形成される。
ピンホールパターンと、第１のピンホールパターンの周
りに存在して第１のピンホールパターンよりも現像スピ
ードの遅い第２のピンホールパターンとを形成するに
は、次のようにする。第１のピンホールパターンを電子
線描画で描画するか露光し、さらに第１のピンホールパ
ターンを含む周りの領域に重ねて描画するか露光して第
２のピンホールパターンを形成する。これを現像する
と、レジスト現像スピードの違いによりピンホールの断
面が階段状をしたレジストパターンが形成される。次
に、このレジストパターンをマスクにして遮光膜をドラ
イエッチングすると、遮光膜と共にレジストもエッチン
グされるので、結果として階段状に欠落部分が存在した
ハーフピンホールパターンが形成される。
【００２０】第６の発明のマスクブランクスの検査に用
いる校正用マスクの製造方法は、透明基板上に形成した
遮光膜の上にレジストを塗布し、ベーク後、断面が傾斜
したピンホールを有するレジストパターンを形成し、該
レジストパターンをマスクにして遮光膜をドライエッチ
ングする際、遮光膜よりレジストのエッチング速度を速
くして、遮光膜と同時にレジストをエッチングすること
により不完全な欠落部分のみが連続的に存在した複数の
ピンホールを遮光膜に形成し、該複数のピンホールの一
部をマスキングテープで覆い、再び上記遮光膜をドライ
エッチングすることにより、一枚のマスク上の遮光膜に
遮光膜が完全に欠落した部分の周りに不完全な欠落部分
が連続的に存在した欠陥と、不完全な欠落部分のみが連
続的に存在した欠陥の両方を形成したものである。
いる校正用マスクの製造方法は、透明基板上に形成した
遮光膜の上にレジストを塗布し、ベーク後、断面が傾斜
したピンホールを有するレジストパターンを形成し、該
レジストパターンをマスクにして遮光膜をドライエッチ
ングする際、遮光膜よりレジストのエッチング速度を速
くして、遮光膜と同時にレジストをエッチングすること
により不完全な欠落部分のみが連続的に存在した複数の
ピンホールを遮光膜に形成し、該複数のピンホールの一
部をマスキングテープで覆い、再び上記遮光膜をドライ
エッチングすることにより、一枚のマスク上の遮光膜に
遮光膜が完全に欠落した部分の周りに不完全な欠落部分
が連続的に存在した欠陥と、不完全な欠落部分のみが連
続的に存在した欠陥の両方を形成したものである。
【００２１】第６の発明のように、レジストパターンを
マスクにして遮光膜をドライエッチングする際、ドライ
エッチングを途中で止めると、遮光膜の不完全な欠落部
分のみが連続的に存在した複数のハーフピンホールが形
成される。この複数のハーフピンホールの一部をマスキ
ングテープにより覆い、再びドライエッチングすると、
マスキングテープで覆われていない残部のハーフピンホ
ールは、さらにエッチングされることにより、遮光膜が
完全に欠落した部分の周りに不完全な欠落部分が連続的
に存在したハーフピンホールとなる。したがって、マス
キングテープを剥がせば、一枚のマスク上に、遮光膜が
完全に欠落した部分の周りに不完全な欠落部分が連続的
に存在した欠陥と、不完全な欠落部分のみが連続的に存
在した欠陥の両方を兼ね備えた校正用マスクが得られ
る。
マスクにして遮光膜をドライエッチングする際、ドライ
エッチングを途中で止めると、遮光膜の不完全な欠落部
分のみが連続的に存在した複数のハーフピンホールが形
成される。この複数のハーフピンホールの一部をマスキ
ングテープにより覆い、再びドライエッチングすると、
マスキングテープで覆われていない残部のハーフピンホ
ールは、さらにエッチングされることにより、遮光膜が
完全に欠落した部分の周りに不完全な欠落部分が連続的
に存在したハーフピンホールとなる。したがって、マス
キングテープを剥がせば、一枚のマスク上に、遮光膜が
完全に欠落した部分の周りに不完全な欠落部分が連続的
に存在した欠陥と、不完全な欠落部分のみが連続的に存
在した欠陥の両方を兼ね備えた校正用マスクが得られ
る。
【００２２】第７の発明のマスクブランクスの検査方法
は、第１の発明または第２の発明のマスクブランクスの
検査に用いる校正用マスクを用いてマスクブランクスの
検査を行うものである。
は、第１の発明または第２の発明のマスクブランクスの
検査に用いる校正用マスクを用いてマスクブランクスの
検査を行うものである。
【００２３】第７の発明のように、第１の発明または第
２の発明のマスクブランクスの検査に用いる校正用マス
クを用いてマスクブランクス検査装置の検出感度校正を
行なってからマスクブランクスの検査を行うと、ハーフ
ピンホールを正確に検出することができる。
２の発明のマスクブランクスの検査に用いる校正用マス
クを用いてマスクブランクス検査装置の検出感度校正を
行なってからマスクブランクスの検査を行うと、ハーフ
ピンホールを正確に検出することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
を用いて説明する。図５および図６は本実施の形態のマ
スクブランクスの検査に用いる校正用マスクを示す。校
正用マスクは、透明基板２上に遮光膜１が形成され、遮
光膜１の上にハーフピンホール８が形成されたものであ
る。図５（ａ）は、遮光膜１が完全に欠落した部分６の
周りに不完全な欠落部分７が連続的に存在したハーフピ
ンホール８であり、図５（ｂ）は、遮光膜１の不完全な
欠落部分７が階段状に存在したものである。また、図６
（ａ）は、遮光膜１の不完全な欠落部分７のみが連続的
に存在したものであり、図６（ｂ）はそれが階段状に存
在したものである。これらのハーフピンホール８の大き
さ、形状は予め決めておく。、以上のようなハーフピン
ホールを形成した校正用マスクを用いてマスクブランク
ス検査装置の検出感度校正を行なうようにする。このよ
うにすれば遮光膜の厚さに応じた光の洩れが生じても、
その欠陥の存在、大きさの正確な検出ができる。したが
ってハーフピンホールがマスクブランクス検査の段階で
見逃されることがなくなり、ウェハ上にハーフピンホー
ルに起因した欠陥パターンが形成されなくなる。その結
果、ハーフピンホールが欠陥になる確率が高いハーフト
ーン位相シフトマスクブランクス、シースルーマスクブ
ランクスであっても、その欠陥を大幅に低減でき、フォ
トマスクの歩留りを上げることができる。
を用いて説明する。図５および図６は本実施の形態のマ
スクブランクスの検査に用いる校正用マスクを示す。校
正用マスクは、透明基板２上に遮光膜１が形成され、遮
光膜１の上にハーフピンホール８が形成されたものであ
る。図５（ａ）は、遮光膜１が完全に欠落した部分６の
周りに不完全な欠落部分７が連続的に存在したハーフピ
ンホール８であり、図５（ｂ）は、遮光膜１の不完全な
欠落部分７が階段状に存在したものである。また、図６
（ａ）は、遮光膜１の不完全な欠落部分７のみが連続的
に存在したものであり、図６（ｂ）はそれが階段状に存
在したものである。これらのハーフピンホール８の大き
さ、形状は予め決めておく。、以上のようなハーフピン
ホールを形成した校正用マスクを用いてマスクブランク
ス検査装置の検出感度校正を行なうようにする。このよ
うにすれば遮光膜の厚さに応じた光の洩れが生じても、
その欠陥の存在、大きさの正確な検出ができる。したが
ってハーフピンホールがマスクブランクス検査の段階で
見逃されることがなくなり、ウェハ上にハーフピンホー
ルに起因した欠陥パターンが形成されなくなる。その結
果、ハーフピンホールが欠陥になる確率が高いハーフト
ーン位相シフトマスクブランクス、シースルーマスクブ
ランクスであっても、その欠陥を大幅に低減でき、フォ
トマスクの歩留りを上げることができる。
【００２５】次に、上述した校正用マスクの製造方法に
ついて説明する。校正用マスクを作製するには、遮光膜
を加工する必要があるが、本発明の実施の形態では、そ
の加工方法にウエットエッチングおよびドライエッチン
グのどちらの方法を採用することも可能である。以下に
詳細に説明する。
ついて説明する。校正用マスクを作製するには、遮光膜
を加工する必要があるが、本発明の実施の形態では、そ
の加工方法にウエットエッチングおよびドライエッチン
グのどちらの方法を採用することも可能である。以下に
詳細に説明する。
【００２６】遮光膜にピンホールを形成するために、レ
ジストパターンをマスクとして遮光膜をウエットエッチ
ングする場合、一般にピンホールの断面は遮光膜の組成
やレジストまたは基板との密着性その他により変化す
る。ここでは遮光膜とレジストとの密着性を利用する。
すなわち、図７に示すように、透明基板２上に形成され
た遮光膜１とレジスト９との間に、通常ある密着性を保
つことにより遮光膜１に形成されるピンホール１０の断
面はほぼ垂直となる（図７（ａ））。ところが密着性を
通常よりも悪くすることによりエッチング液が遮光膜１
とレジスト９との間に速くしみ込むためピンホール１０
の断面がなだらかな傾斜１１となる（図７（ｂ））。具
体的にはレジスト塗布後のベーク温度または時間を変化
させることで密着性を変える。あとはエッチング時間を
変えることにより遮光膜１が完全に欠落した部分６の周
りに、不完全な欠落部分７が連続的に存在したハーフピ
ンホールができ（図７（ｃ））、エッチングを途中で止
めれば不完全な欠落部分７のみが連続的に存在したハー
フピンホール８を遮光膜１に作り込むことができる（図
７（ｄ））。
ジストパターンをマスクとして遮光膜をウエットエッチ
ングする場合、一般にピンホールの断面は遮光膜の組成
やレジストまたは基板との密着性その他により変化す
る。ここでは遮光膜とレジストとの密着性を利用する。
すなわち、図７に示すように、透明基板２上に形成され
た遮光膜１とレジスト９との間に、通常ある密着性を保
つことにより遮光膜１に形成されるピンホール１０の断
面はほぼ垂直となる（図７（ａ））。ところが密着性を
通常よりも悪くすることによりエッチング液が遮光膜１
とレジスト９との間に速くしみ込むためピンホール１０
の断面がなだらかな傾斜１１となる（図７（ｂ））。具
体的にはレジスト塗布後のベーク温度または時間を変化
させることで密着性を変える。あとはエッチング時間を
変えることにより遮光膜１が完全に欠落した部分６の周
りに、不完全な欠落部分７が連続的に存在したハーフピ
ンホールができ（図７（ｃ））、エッチングを途中で止
めれば不完全な欠落部分７のみが連続的に存在したハー
フピンホール８を遮光膜１に作り込むことができる（図
７（ｄ））。
【００２７】ドライエッチングの場合には遮光膜の組成
やレジストの形状、エッチング条件等によって断面形状
は変化する。ここではレジスト断面形状およびレジスト
と遮光膜とのエッチング選択比を利用する。図８に示す
ように、通常、レジスト９に形成されるピンホール１２
の断面形状は垂直であること（図８（ａ））、そしてレ
ジスト９と遮光膜１のエッチング選択比は大きいことが
望ましい（膜がエッチングされる一方でレジストは全く
エッチングされないのが理想的）。しかし逆にレジスト
９に形成したピンホール１３の断面に、深くなるにした
がって径が小さくなる傾斜１４をつけ（図８（ｂ））、
エッチング選択比を適当に小さくすることによって遮光
膜１と同時にレジスト９もエッチングされ、それぞれの
条件に応じて遮光膜１が完全に欠落した部分６の周り
に、不完全な欠落部分７が連続的に存在したハーフピン
ホール８ができ（図８（ｃ））、エッチングを途中で止
めれば不完全な欠落部分７のみが連続的に存在したハー
フピンホール８を作り込むことができる（図８
（ｄ））。
やレジストの形状、エッチング条件等によって断面形状
は変化する。ここではレジスト断面形状およびレジスト
と遮光膜とのエッチング選択比を利用する。図８に示す
ように、通常、レジスト９に形成されるピンホール１２
の断面形状は垂直であること（図８（ａ））、そしてレ
ジスト９と遮光膜１のエッチング選択比は大きいことが
望ましい（膜がエッチングされる一方でレジストは全く
エッチングされないのが理想的）。しかし逆にレジスト
９に形成したピンホール１３の断面に、深くなるにした
がって径が小さくなる傾斜１４をつけ（図８（ｂ））、
エッチング選択比を適当に小さくすることによって遮光
膜１と同時にレジスト９もエッチングされ、それぞれの
条件に応じて遮光膜１が完全に欠落した部分６の周り
に、不完全な欠落部分７が連続的に存在したハーフピン
ホール８ができ（図８（ｃ））、エッチングを途中で止
めれば不完全な欠落部分７のみが連続的に存在したハー
フピンホール８を作り込むことができる（図８
（ｄ））。
【００２８】上述したように、本実施の形態による校正
用マスクの製造方法は、遮光膜とレジスト間の密着性を
弱くしたり、レジストに形成するピンホールの断面形状
を傾斜させたりする点を除いて、通常のフォトマスク作
製と同様であるので、校正用マスクの製造が容易とな
る。
用マスクの製造方法は、遮光膜とレジスト間の密着性を
弱くしたり、レジストに形成するピンホールの断面形状
を傾斜させたりする点を除いて、通常のフォトマスク作
製と同様であるので、校正用マスクの製造が容易とな
る。
【００２９】
【実施例】実施例１ 図１は本発明の第１の実施例にかかる校正用マスクの製
造工程の説明図である。
造工程の説明図である。
【００３０】透明基板１５は表面を鏡面研磨した石英ガ
ラス基板（大きさ６インチ角、厚さ０．２５インチ）に
所定の洗浄を施したものである。まず透明基板１５上に
クロムからなる遮光膜１６を膜厚１００ｎｍスパッタリ
ング法により形成し、次にポジ型電子線レジスト１７
（ＥＢＲ−９：東レ社製）をスピンコート法により膜厚
４００ｎｍ塗布して、通常２００℃のところ１５０℃で
ベークした（図１（ａ））。
ラス基板（大きさ６インチ角、厚さ０．２５インチ）に
所定の洗浄を施したものである。まず透明基板１５上に
クロムからなる遮光膜１６を膜厚１００ｎｍスパッタリ
ング法により形成し、次にポジ型電子線レジスト１７
（ＥＢＲ−９：東レ社製）をスピンコート法により膜厚
４００ｎｍ塗布して、通常２００℃のところ１５０℃で
ベークした（図１（ａ））。
【００３１】次に０．１から３．０μｍまで（０．０５
μｍ刻み）のピンホールパターンを加速電圧２０ｋＶの
電子線描画装置によりドーズ量６．０μＣ／ｃｍ2 で描
画し、現像液（メチルイソブチルケトン：イソプロピル
アルコール＝１：１）にて現像し、ピンホール１８を有
するレジストパターン１９を形成した（図１（ｂ））。
μｍ刻み）のピンホールパターンを加速電圧２０ｋＶの
電子線描画装置によりドーズ量６．０μＣ／ｃｍ2 で描
画し、現像液（メチルイソブチルケトン：イソプロピル
アルコール＝１：１）にて現像し、ピンホール１８を有
するレジストパターン１９を形成した（図１（ｂ））。
【００３２】次にレジストパターン１９をマスクにして
遮光膜１６を硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸
からなるエッチング液を用いて約１ｍｉｎエッチングし
たところ、レジスト１７と遮光膜１６の密着性が不十分
なため界面にエッチング液が速く入り込み、結果として
遮光膜１６が完全に欠落した部分２０の周りに不完全な
欠落部分２１が連続的に変化したハーフピンホール４３
が形成された（図１（ｃ））。
遮光膜１６を硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸
からなるエッチング液を用いて約１ｍｉｎエッチングし
たところ、レジスト１７と遮光膜１６の密着性が不十分
なため界面にエッチング液が速く入り込み、結果として
遮光膜１６が完全に欠落した部分２０の周りに不完全な
欠落部分２１が連続的に変化したハーフピンホール４３
が形成された（図１（ｃ））。
【００３３】最後にレジスト１７を硫酸により剥離して
洗浄し所望の校正用マスクを得た（図１（ｄ）。
洗浄し所望の校正用マスクを得た（図１（ｄ）。
【００３４】以上の工程で作製したマスクにより検査装
置の検出感度を校正することにより、正確な欠陥検出、
特にハーフピンホールの検出が可能となった。
置の検出感度を校正することにより、正確な欠陥検出、
特にハーフピンホールの検出が可能となった。
【００３５】実施例２ 図２は本発明の第２の実施例にかかる校正用マスクの製
造工程の説明図である。
造工程の説明図である。
【００３６】透明基板１５は表面を鏡面研磨した石英ガ
ラス基板（大きさ６インチ角、厚さ０．２５インチ）に
所定の洗浄を施したものである。まず透明基板１５上に
ＭｏＳｉからなる遮光膜２２を膜厚１１０ｎｍスパッタ
リング法により形成し、次にポジ型電子線レジスト２３
（ＰＢＳ：チッソ社製）をスピンコート法により膜厚５
００ｎｍ塗布してベークした（図２（ａ））。
ラス基板（大きさ６インチ角、厚さ０．２５インチ）に
所定の洗浄を施したものである。まず透明基板１５上に
ＭｏＳｉからなる遮光膜２２を膜厚１１０ｎｍスパッタ
リング法により形成し、次にポジ型電子線レジスト２３
（ＰＢＳ：チッソ社製）をスピンコート法により膜厚５
００ｎｍ塗布してベークした（図２（ａ））。
【００３７】次に０．１から３．０μｍまで（０．０５
μｍ刻み）のピンホールパターンを加速電圧２０ｋＶの
電子線描画装置によりドーズ量３．０μＣ／ｃｍ2 で描
画し、現像液（メチルイソアミルケトン：メチル−ｎ−
プロピルケトン＝７：３）にて現像して、ピンホール２
４の断面形状に傾斜２５をつけたレジストパターン２６
を形成した（図２（ｂ））。
μｍ刻み）のピンホールパターンを加速電圧２０ｋＶの
電子線描画装置によりドーズ量３．０μＣ／ｃｍ2 で描
画し、現像液（メチルイソアミルケトン：メチル−ｎ−
プロピルケトン＝７：３）にて現像して、ピンホール２
４の断面形状に傾斜２５をつけたレジストパターン２６
を形成した（図２（ｂ））。
【００３８】次にドライエッチング装置にてレジストパ
ターン２６をマスクにして遮光膜２２をＣＦ4 とＯ2 か
らなる混合ガスを用いて圧力０．４Torr、ＲＦパワー１
５０Ｗにて約３ｍｉｎエッチングしたところ、遮光膜２
２と共にレジスト２３もエッチングされ、結果として遮
光膜２２が完全に欠落した部分２７の周りに不完全な欠
落部分２８が連続的に変化したハーフピンホール２９が
形成された（図２（ｃ））。この場合、遮光膜２２とレ
ジスト２３のエッチングレート選択比は約０．３（膜が
１エッチングされたときレジストが３エッチングされ
る）であるため、この選択比とレジスト２３の断面形状
の傾斜との兼ね合いで遮光膜２２の膜厚が連続的に変化
する。
ターン２６をマスクにして遮光膜２２をＣＦ4 とＯ2 か
らなる混合ガスを用いて圧力０．４Torr、ＲＦパワー１
５０Ｗにて約３ｍｉｎエッチングしたところ、遮光膜２
２と共にレジスト２３もエッチングされ、結果として遮
光膜２２が完全に欠落した部分２７の周りに不完全な欠
落部分２８が連続的に変化したハーフピンホール２９が
形成された（図２（ｃ））。この場合、遮光膜２２とレ
ジスト２３のエッチングレート選択比は約０．３（膜が
１エッチングされたときレジストが３エッチングされ
る）であるため、この選択比とレジスト２３の断面形状
の傾斜との兼ね合いで遮光膜２２の膜厚が連続的に変化
する。
【００３９】最後にレジスト２３を硫酸により剥離して
洗浄し所望の校正用マスクを得た（図２（ｄ））。
洗浄し所望の校正用マスクを得た（図２（ｄ））。
【００４０】以上の工程で作製したマスクにより検査装
置の検出感度を校正し、正確な欠陥検出、特にハーフピ
ンホールの検出が可能となった。
置の検出感度を校正し、正確な欠陥検出、特にハーフピ
ンホールの検出が可能となった。
【００４１】実施例３ 図３は本発明の第３の実施例にかかる校正用マスクの製
造工程の説明図である。
造工程の説明図である。
【００４２】透明基板１５は表面を鏡面研磨した石英ガ
ラス基板（大きさ６インチ角、厚さ０．２５インチ）を
所定の洗浄を施したものである。まず透明基板１５上に
ＭｏＳｉからなる遮光膜２２を膜厚１１０ｎｍスパッタ
リング法により形成し、次にポジ型電子線レジスト２３
（ＰＢＳ：チッソ社製）をスピンコート法により膜厚５
００ｎｍ塗布してベークした（図３（ａ））。
ラス基板（大きさ６インチ角、厚さ０．２５インチ）を
所定の洗浄を施したものである。まず透明基板１５上に
ＭｏＳｉからなる遮光膜２２を膜厚１１０ｎｍスパッタ
リング法により形成し、次にポジ型電子線レジスト２３
（ＰＢＳ：チッソ社製）をスピンコート法により膜厚５
００ｎｍ塗布してベークした（図３（ａ））。
【００４３】次に０．１から０．３μｍまで（０．０５
μｍ刻み）の第１のピンホールパターン３０を加速電圧
２０ｋＶの電子線描画装置によりドーズ量３．０μＣ／
ｃｍ2 で描画し、さらにそれらのパターン３０を含む周
りの領域を３．０μＣ／ｃｍ2 で第２のピンホールパタ
ーン３１として重ねて描画する（図３（ｂ））。これを
現像し、レジスト現像スピードの違いにより、ピンホー
ル３２の断面形状が段階状のレジストパターン３３を形
成する（図３（ｃ））。
μｍ刻み）の第１のピンホールパターン３０を加速電圧
２０ｋＶの電子線描画装置によりドーズ量３．０μＣ／
ｃｍ2 で描画し、さらにそれらのパターン３０を含む周
りの領域を３．０μＣ／ｃｍ2 で第２のピンホールパタ
ーン３１として重ねて描画する（図３（ｂ））。これを
現像し、レジスト現像スピードの違いにより、ピンホー
ル３２の断面形状が段階状のレジストパターン３３を形
成する（図３（ｃ））。
【００４４】次にドライエッチング装置にてレジストパ
ターン３３をマスクにして遮光膜２２をＣＦ4 とＯ2 か
らなる混合ガスを用いて圧力０．４Torr、ＲＦパワー１
５０Ｗにて約３ｍｉｎエッチングしたところ、遮光膜２
２と共にレジスト２３もエッチングされ、結果として階
段状に欠落部分が存在したハーフピンホール３４が形成
され（図３（ｄ））。
ターン３３をマスクにして遮光膜２２をＣＦ4 とＯ2 か
らなる混合ガスを用いて圧力０．４Torr、ＲＦパワー１
５０Ｗにて約３ｍｉｎエッチングしたところ、遮光膜２
２と共にレジスト２３もエッチングされ、結果として階
段状に欠落部分が存在したハーフピンホール３４が形成
され（図３（ｄ））。
【００４５】最後にレジスト２３を硫酸により剥離して
洗浄し所望の校正用マスクを得た（図３（ｅ））。
洗浄し所望の校正用マスクを得た（図３（ｅ））。
【００４６】以上の工程で作製したマスクにより検査装
置の検出感度を校正することにより、正確な欠陥検出、
特にハーフピンホールの検出が可能となった。
置の検出感度を校正することにより、正確な欠陥検出、
特にハーフピンホールの検出が可能となった。
【００４７】実施例４ 実施例１〜３においてレジストパターンの形成までは全
て同じ工程であり、その後に行うエッチングを途中で止
めた。これによって不完全な欠落部分のみが連続的に存
在したハーフピンホールを形成した。
て同じ工程であり、その後に行うエッチングを途中で止
めた。これによって不完全な欠落部分のみが連続的に存
在したハーフピンホールを形成した。
【００４８】上記の工程で作製したマスクにより検査装
置の検出感度を校正することにより、正確な欠陥検出、
特にハーフピンホールの検出が可能となった。
置の検出感度を校正することにより、正確な欠陥検出、
特にハーフピンホールの検出が可能となった。
【００４９】実施例５ 図４は本発明の第５の実施例にかかる校正用マスクの製
造工程の説明図である。
造工程の説明図である。
【００５０】透明基板１５は表面を鏡面研磨した石英ガ
ラス基板（大きさ６インチ角、厚さ０．２５インチ）を
所定の洗浄を施したものである。まず透明基板１５上に
ＭｏＳｉからなる遮光膜２２を膜厚１１０ｎｍスパッタ
リング法により形成し、次にポジ型電子線レジスト２３
（ＰＢＳ：チッソ社製）をスピンコート法により膜厚５
００ｎｍ塗布してベークした（図４（ａ））。
ラス基板（大きさ６インチ角、厚さ０．２５インチ）を
所定の洗浄を施したものである。まず透明基板１５上に
ＭｏＳｉからなる遮光膜２２を膜厚１１０ｎｍスパッタ
リング法により形成し、次にポジ型電子線レジスト２３
（ＰＢＳ：チッソ社製）をスピンコート法により膜厚５
００ｎｍ塗布してベークした（図４（ａ））。
【００５１】次に０．１から３．０μｍまで（０．０５
μｍ刻み）のピンホールパターンを加速電圧２０ｋＶの
電子線描画装置によりドーズ量３．０μＣ／ｃｍ2 で描
画し、現像液（メチルイソアミルケトン：メチル−ｎ−
プロピルケトン＝７：３）にて現像し、断面が傾斜した
ピンホール３５を有するレジストパターン３６を形成し
た（図４（ｂ））。
μｍ刻み）のピンホールパターンを加速電圧２０ｋＶの
電子線描画装置によりドーズ量３．０μＣ／ｃｍ2 で描
画し、現像液（メチルイソアミルケトン：メチル−ｎ−
プロピルケトン＝７：３）にて現像し、断面が傾斜した
ピンホール３５を有するレジストパターン３６を形成し
た（図４（ｂ））。
【００５２】次にドライエッチング装置にてレジストパ
ターン３６をマスクにして遮光膜２２をＣＦ4 とＯ2 か
らなる混合ガスを用いて圧力０．４Torr、ＲＦパワー１
５０Ｗにて約２ｍｉｎエッチングし途中で止めて複数の
エッチング部分３７を形成した後、いったんドライエッ
チング装置から取り出す（図４（ｃ））。
ターン３６をマスクにして遮光膜２２をＣＦ4 とＯ2 か
らなる混合ガスを用いて圧力０．４Torr、ＲＦパワー１
５０Ｗにて約２ｍｉｎエッチングし途中で止めて複数の
エッチング部分３７を形成した後、いったんドライエッ
チング装置から取り出す（図４（ｃ））。
【００５３】次に、複数形成されたエッチング部分３７
の一部３８のみをマスキングテープ３９により覆い、再
びドライエッチング装置内に戻して１ｍｉｎエッチング
する（図４（ｄ））。
の一部３８のみをマスキングテープ３９により覆い、再
びドライエッチング装置内に戻して１ｍｉｎエッチング
する（図４（ｄ））。
【００５４】最後にレジスト２３を硫酸により剥離して
洗浄し、一枚のマスク上に遮光膜２２が完全に欠落した
部分４０の周りに不完全な欠落部分４１が連続的に存在
したハーフピンホール４２、不完全な欠落部分４１のみ
が連続的に存在したハーフピンホール４２の両方を兼ね
備えた校正用マスクを得た（図４（ｅ））。
洗浄し、一枚のマスク上に遮光膜２２が完全に欠落した
部分４０の周りに不完全な欠落部分４１が連続的に存在
したハーフピンホール４２、不完全な欠落部分４１のみ
が連続的に存在したハーフピンホール４２の両方を兼ね
備えた校正用マスクを得た（図４（ｅ））。
【００５５】なお、上述した実施例では遮光部としてク
ロムまたはＭｏＳｉを用いたが、マスクブランクス用で
あればどんな膜でもよく、膜の特性に合わせて加工用レ
ジストとの密着性やエッチング方法を最適に変えればよ
い。
ロムまたはＭｏＳｉを用いたが、マスクブランクス用で
あればどんな膜でもよく、膜の特性に合わせて加工用レ
ジストとの密着性やエッチング方法を最適に変えればよ
い。
【００５６】また、透明基板としては石英ガラスの他に
も例えば、ソーダライムガラス、アルミノボロシリケー
トガラス、ボロシリケートガラス等、他のガラスを用い
てもよい。
も例えば、ソーダライムガラス、アルミノボロシリケー
トガラス、ボロシリケートガラス等、他のガラスを用い
てもよい。
【００５７】さらに、レジストパターンを形成する際に
電子線描画による方法以外に光による露光でもよく、そ
の場合にはその露光条件に応じたレジストを用いること
は勿論である。
電子線描画による方法以外に光による露光でもよく、そ
の場合にはその露光条件に応じたレジストを用いること
は勿論である。
【００５８】
【発明の効果】本発明の校正用マスクによれば、マスク
ブランクスの欠陥検査において、ハーフピンホールを正
確に検出することができる。
ブランクスの欠陥検査において、ハーフピンホールを正
確に検出することができる。
【００５９】また、本発明の製造方法によれば、ハーフ
ピンホールを正確に検出するための校正用マスクを、通
常のフォトマスク作製工程とほぼ同様に作製することが
できるので、校正用マスクの製作が容易である。
ピンホールを正確に検出するための校正用マスクを、通
常のフォトマスク作製工程とほぼ同様に作製することが
できるので、校正用マスクの製作が容易である。
【００６０】また、本発明のマスクブランクスの検査方
法によれば、上記校正用マスクを用いてマスクブランク
スの検査装置を校正するので、ハーフピンホールを正確
に検出することができる。
法によれば、上記校正用マスクを用いてマスクブランク
スの検査装置を校正するので、ハーフピンホールを正確
に検出することができる。
【図１】本発明のマスクブランクスの検査に用いる校正
用マスクの製造方法の第１の実施例を示す工程図であ
る。
用マスクの製造方法の第１の実施例を示す工程図であ
る。
【図２】本発明のマスクブランクスの検査に用いる校正
用マスクの製造方法の第２の実施例を示す工程図であ
る。
用マスクの製造方法の第２の実施例を示す工程図であ
る。
【図３】本発明のマスクブランクスの検査に用いる校正
用マスクの製造方法の第４の実施例を示す工程図であ
る。
用マスクの製造方法の第４の実施例を示す工程図であ
る。
【図４】本発明のマスクブランクスの検査に用いる校正
用マスクの製造方法の第５の実施例を示す工程図であ
る。
用マスクの製造方法の第５の実施例を示す工程図であ
る。
【図５】本発明のマスクブランクスの検査に用いる校正
用マスクの第１および第２の実施の形態を示す断面図で
ある。
用マスクの第１および第２の実施の形態を示す断面図で
ある。
【図６】本発明のマスクブランクスの検査に用いる校正
用マスクの第３および第４の実施の形態を示す断面図で
ある。
用マスクの第３および第４の実施の形態を示す断面図で
ある。
【図７】本発明のマスクブランクスの検査に用いる校正
用マスクの製造方法の第１の実施の形態を示す工程図で
ある。
用マスクの製造方法の第１の実施の形態を示す工程図で
ある。
【図８】本発明のマスクブランクスの検査に用いる校正
用マスクの製造方法の第２の実施の形態を示す工程図で
ある。
用マスクの製造方法の第２の実施の形態を示す工程図で
ある。
【図９】従来のマスクブランクスの検査方法を示す説明
図である。
図である。
１５ 透明基板 １６ 遮光膜 １７ レジスト １８ ピンホール １９ レジストパターン ２０ 完全に欠落した部分 ２１ 不完全な欠落部分 ４３ ハーフピンホール
Claims (7)
- 【請求項１】透明基板上に形成された遮光膜に、遮光膜
が完全に欠落した部分の周りに不完全な欠落部分が連続
的または階段状に存在した欠陥、または不完全な欠落部
分のみが連続的または階段状に存在した欠陥が形成され
ていることを特徴とするマスクブランクスの検査に用い
る校正用マスク。 - 【請求項２】上記遮光膜が検査光を通す半透明膜または
シースルー膜で形成され、上記マスクブランクスがハー
フトーン位相シフトマスクブランクス、またはシースル
ーマスクブランクスである請求項１に記載のマスクブラ
ンクスの検査に用いる校正用マスク。 - 【請求項３】透明基板上に形成した遮光膜の上にレジス
トを塗布し、 上記レジスト塗布後のベーク時、遮光膜とレジストとの
密着性が通常よりも悪くなるようにベーク条件を変えて
ベークし、 ベーク後、断面が略垂直なピンホールを有するレジスト
パターンを形成し、 上記レジストパターンをマスクにして上記遮光膜をウエ
ットエッチングする際、密着性の悪い遮光膜とレジスト
間にエッチング液を浸透させることにより、遮光膜が完
全に欠落した部分の周りに不完全な欠落部分が連続的に
存在した欠陥、または不完全な欠落部分のみが連続的に
存在した欠陥を遮光膜に作るようにしたマスクブランク
スの検査に用いる校正用マスクの製造方法。 - 【請求項４】透明基板上に形成した遮光膜の上にレジス
トを塗布し、 断面が傾斜したピンホールを有するレジストパターンを
形成し、 該レジストパターンをマスクにして遮光膜をドライエッ
チングする際、遮光膜よりレジストのエッチング速度を
速くして、遮光膜と同時にレジストをエッチングするこ
とにより、遮光膜が完全に欠落した部分の周りに不完全
な欠落部分が連続的に存在した欠陥、または不完全な欠
落部分のみが連続的に存在した欠陥を遮光膜に作るよう
にしたマスクブランクスの検査に用いる校正用マスクの
製造方法。 - 【請求項５】透明基板上に形成した遮光膜の上にレジス
トを塗布し、 該レジスト上に第１のピンホールパターンと、第１のピ
ンホールパターンの周りに存在して第１のピンホールパ
ターンよりも現像スピードの遅い第２のピンホールパタ
ーンとを形成し、 これら第１、第２のピンホールパターンの形成されたレ
ジストを現像して断面が階段状のピンホールを有するレ
ジストパターンを形成し、 該レジストパターンをマスクにして遮光膜をドライエッ
チングする際、遮光膜よりレジストのエッチング速度を
速くして、遮光膜と同時にレジストをエッチングするこ
とにより、遮光膜が完全に欠落した部分の周りに不完全
な欠落部分が階段状に存在した欠陥、または不完全な欠
落部分のみが階段状に存在した欠陥を遮光膜に作るよう
にしたマスクブランクスの検査に用いる校正用マスクの
製造方法。 - 【請求項６】透明基板上に形成した遮光膜の上にレジス
トを塗布し、 ベーク後、断面が傾斜したピンホールを有するレジスト
パターンを形成し、 該レジストパターンをマスクにして遮光膜をドライエッ
チングする際、遮光膜よりレジストのエッチング速度を
速くして、遮光膜と同時にレジストをエッチングするこ
とにより不完全な欠落部分のみが連続的に存在した複数
のピンホールを遮光膜に形成し、 該複数のピンホールの一部をマスキングテープで覆い、 再び上記遮光膜をドライエッチングすることにより、一
枚のマスク上の遮光膜に遮光膜が完全に欠落した部分の
周りに不完全な欠落部分が連続的に存在した欠陥と、不
完全な欠落部分のみが連続的に存在した欠陥の両方を形
成したマスクブランクスの検査に用いる校正用マスクの
製造方法。 - 【請求項７】請求項１または２に記載のマスクブランク
スの検査に用いる校正用マスクを用いてマスクブランク
スの検査を行うマスクブランクスの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1548696A JPH09211841A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | マスクブランクスの検査に用いる校正用マスク、その製造方法、およびマスクブランクスの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1548696A JPH09211841A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | マスクブランクスの検査に用いる校正用マスク、その製造方法、およびマスクブランクスの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09211841A true JPH09211841A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=11890133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1548696A Pending JPH09211841A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | マスクブランクスの検査に用いる校正用マスク、その製造方法、およびマスクブランクスの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09211841A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005121788A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 欠陥検査用マスク及び欠陥検査用マスクの製造方法 |
-
1996
- 1996-01-31 JP JP1548696A patent/JPH09211841A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005121788A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 欠陥検査用マスク及び欠陥検査用マスクの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100298610B1 (ko) | 위상쉬프트포토마스크,위상쉬프트포토마스크블랭크및이들의제조방법 | |
| KR100280036B1 (ko) | 위상 시프트층을 갖는 포토마스크, 그 제조방법 및 수정방법 | |
| JPH0682727B2 (ja) | 検査用基板とその製造方法 | |
| JP3377006B2 (ja) | フォトマスクブランクの検査方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスクブランク及びフォトマスクブランク用ガラス基板 | |
| JPH09218500A (ja) | レジストパターンの作製方法 | |
| JP3161348B2 (ja) | 位相差測定用パターンおよび位相シフトマスクの製造方法 | |
| JP2003121978A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 | |
| JP2005043646A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPH0934099A (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| JPH06148866A (ja) | ホトマスクの製造方法 | |
| JPH10274839A (ja) | 修正用マスク及びハーフトーン位相シフトマスクの修正方法 | |
| JP2882233B2 (ja) | 補助パターン付き位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPH08194303A (ja) | 位相シフトマスクおよびその製造方法 | |
| JPH0544169B2 (ja) | ||
| JP2004077808A (ja) | 位相シフトレチクルの製造方法 | |
| JP2004077800A (ja) | 位相シフトレチクルの製造方法 | |
| JPH11264798A (ja) | 電子デバイス用ガラス基板並びにこれを用いたフォトマスクブランク及びフォトマスク | |
| JPH05303190A (ja) | 位相シフト用フォトマスク及びその作製方法 | |
| JPS6131610B2 (ja) | ||
| JP3034096B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの修正方法 | |
| JP2766098B2 (ja) | レチクルマスクの欠陥検出方法 | |
| JP3449508B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの作製方法 | |
| KR930008846B1 (ko) | 위상반전 마스크의 형성방법 | |
| JP3207913B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの製造方法 | |
| KR0152925B1 (ko) | 부분 투과성을 갖는 하프톤 위상반전마스크 제조방법 |