JPH09213230A - 電極板と金属埋め込みセラミックスとの接合体およびその製造方法 - Google Patents
電極板と金属埋め込みセラミックスとの接合体およびその製造方法Info
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- JPH09213230A JPH09213230A JP8013413A JP1341396A JPH09213230A JP H09213230 A JPH09213230 A JP H09213230A JP 8013413 A JP8013413 A JP 8013413A JP 1341396 A JP1341396 A JP 1341396A JP H09213230 A JPH09213230 A JP H09213230A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極板の絶縁基台において、熱膨張係数の若
干異なる電極板の高温接合により発生する電極板の反
り、接合材の強度不足から起る破片の飛散などが発生し
ないセラミックス接合体およびその製造方法を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 セラミックス８の表面に金属チップ２を
埋め込んだ金属埋め込みセラミックス３１の上に電極板
４を積層し、電極板４と金属埋め込みセラミックス３１
に埋め込まれている金属チップ２を溶接固定した接合体
で、電極板４と金属チップ２とを常温の環境下で接合し
て製造する。
干異なる電極板の高温接合により発生する電極板の反
り、接合材の強度不足から起る破片の飛散などが発生し
ないセラミックス接合体およびその製造方法を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 セラミックス８の表面に金属チップ２を
埋め込んだ金属埋め込みセラミックス３１の上に電極板
４を積層し、電極板４と金属埋め込みセラミックス３１
に埋め込まれている金属チップ２を溶接固定した接合体
で、電極板４と金属チップ２とを常温の環境下で接合し
て製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は画像表示装置の電極
構体などに使用される電極板と絶縁物との接合体に関す
るものである。
構体などに使用される電極板と絶縁物との接合体に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】特開昭６１−１１４４３６号公報などに
は、図６に示すような接合方法が開示されている。１０
０は電極板で、図示されていないが電子ビーム通過孔を
有している。１０１は金属板からなる芯材、１０２は絶
縁膜、１０３は低融点ガラスからなる接合材であって、
２枚の電極板１００を接合材１０３を用い、約５００℃
に全体を加熱して接合材１０３を溶融させ接合固着して
いる。
は、図６に示すような接合方法が開示されている。１０
０は電極板で、図示されていないが電子ビーム通過孔を
有している。１０１は金属板からなる芯材、１０２は絶
縁膜、１０３は低融点ガラスからなる接合材であって、
２枚の電極板１００を接合材１０３を用い、約５００℃
に全体を加熱して接合材１０３を溶融させ接合固着して
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この図６に示した従来
技術を用いて複数枚の電極を積層して電極構体を構成し
画像表示装置に用いる場合、電極板１００には同一ロッ
ト内での熱膨張係数のばらつき、製造ロットが異なるこ
とによる熱膨張係数のばらつきが生じる。このため、熱
膨張係数が若干異なる電極板１００を高温で接合固着
し、常温に冷却する過程で、接合した２枚の電極板１０
０の内、熱膨張係数が大きい電極板１００の熱収縮量が
大きいため、熱膨張係数の大きい電極側が凹になる形状
の反りが発生する。
技術を用いて複数枚の電極を積層して電極構体を構成し
画像表示装置に用いる場合、電極板１００には同一ロッ
ト内での熱膨張係数のばらつき、製造ロットが異なるこ
とによる熱膨張係数のばらつきが生じる。このため、熱
膨張係数が若干異なる電極板１００を高温で接合固着
し、常温に冷却する過程で、接合した２枚の電極板１０
０の内、熱膨張係数が大きい電極板１００の熱収縮量が
大きいため、熱膨張係数の大きい電極側が凹になる形状
の反りが発生する。
【０００４】電極板１００に反りがあると、電子ビーム
のランディングずれによる色ずれが発生して、画像表示
装置の画像品質が低下する問題がある。また、接合材１
０３や絶縁膜１０２にはフリットガラス材料を用いるこ
とから剥離強度が小さく、製造・取り扱い中にフリット
ガラスに応力が作用すると、フリットガラスの剥離が発
生し、剥離したガラスの破片が飛び散り、電極板１００
の電子ビーム通過孔などに付着し、この電子ビーム通過
孔の目づまりが生じる。このため、電子ビームの通過不
良による画像欠陥を引き起こす問題がある。
のランディングずれによる色ずれが発生して、画像表示
装置の画像品質が低下する問題がある。また、接合材１
０３や絶縁膜１０２にはフリットガラス材料を用いるこ
とから剥離強度が小さく、製造・取り扱い中にフリット
ガラスに応力が作用すると、フリットガラスの剥離が発
生し、剥離したガラスの破片が飛び散り、電極板１００
の電子ビーム通過孔などに付着し、この電子ビーム通過
孔の目づまりが生じる。このため、電子ビームの通過不
良による画像欠陥を引き起こす問題がある。
【０００５】これらの問題を解決する手段として絶縁基
材の表面に金属膜を溶射やメッキ等により形成し、その
金属面と電極板とを常温で溶接固定する方法が考えられ
る。しかし、上記方法で金属膜をセラミック等の絶縁基
材に形成してその金属膜と電極板とをレーザ溶接する場
合、金属膜が約１００μｍ程度では金属膜との溶接強度
は不十分で、極く弱い力で剥離する。
材の表面に金属膜を溶射やメッキ等により形成し、その
金属面と電極板とを常温で溶接固定する方法が考えられ
る。しかし、上記方法で金属膜をセラミック等の絶縁基
材に形成してその金属膜と電極板とをレーザ溶接する場
合、金属膜が約１００μｍ程度では金属膜との溶接強度
は不十分で、極く弱い力で剥離する。
【０００６】金属膜がさらに薄いと、レーザ溶接の熱で
セラミックスの熱破壊が生じる。一方、金属膜をさらに
厚く形成する場合、メッキでは困難であり、溶射法では
セラミックとの接合強度が弱い、膜厚の均一性が得られ
難いなどの問題がある。
セラミックスの熱破壊が生じる。一方、金属膜をさらに
厚く形成する場合、メッキでは困難であり、溶射法では
セラミックとの接合強度が弱い、膜厚の均一性が得られ
難いなどの問題がある。
【０００７】本発明は、熱膨張係数の若干異なる電極板
の高温接合により発生する電極板の反りや、接合材の強
度不足から起る破片の飛散による画像欠陥をなくした高
品質な画像表示装置を実現するために、レーザー溶接な
どにより常温での電極板と絶縁基材との接合を可能にす
る接合基材の構造とその製法を提供することを目的とす
る。
の高温接合により発生する電極板の反りや、接合材の強
度不足から起る破片の飛散による画像欠陥をなくした高
品質な画像表示装置を実現するために、レーザー溶接な
どにより常温での電極板と絶縁基材との接合を可能にす
る接合基材の構造とその製法を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の電極板と
金属埋め込みセラミックスとの接合体は、セラミックス
の表面に金属を埋め込んだ金属埋め込みセラミックスの
上に電極板を積層し、前記電極板と金属埋め込みセラミ
ックスに埋め込まれている埋め込み金属を溶接固定した
ことを特徴とする。
金属埋め込みセラミックスとの接合体は、セラミックス
の表面に金属を埋め込んだ金属埋め込みセラミックスの
上に電極板を積層し、前記電極板と金属埋め込みセラミ
ックスに埋め込まれている埋め込み金属を溶接固定した
ことを特徴とする。
【０００９】請求項２記載の電極板と金属埋め込みセラ
ミックスとの接合体の製造方法は、金属埋め込みセラミ
ックスの上に電極板を積層し、前記電極板にビームを照
射して金属埋め込みセラミックスに埋め込まれている埋
め込み金属を溶かして前記電極板と前記埋め込み金属と
を常温の環境下で接合することを特徴とする。
ミックスとの接合体の製造方法は、金属埋め込みセラミ
ックスの上に電極板を積層し、前記電極板にビームを照
射して金属埋め込みセラミックスに埋め込まれている埋
め込み金属を溶かして前記電極板と前記埋め込み金属と
を常温の環境下で接合することを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図１
〜図５に基づいて説明する。図１〜図４は本発明の、電
極板と金属埋め込みセラミックスとの接合体に使用する
金属埋め込みセラミックスを示す。
〜図５に基づいて説明する。図１〜図４は本発明の、電
極板と金属埋め込みセラミックスとの接合体に使用する
金属埋め込みセラミックスを示す。
【００１１】図１は焼結後の金属埋め込みセラミックス
の断面図、図２は金属埋め込みセラミックスの製造工程
を示す。図３，図４は金属埋め込みセラミックスの収縮
変化を示す。
の断面図、図２は金属埋め込みセラミックスの製造工程
を示す。図３，図４は金属埋め込みセラミックスの収縮
変化を示す。
【００１２】図２において、１ａ，１ｂは第１，第２の
グリーンシート（未焼成のセラミックスシート）で、貫
通穴１ｃが形成されている。なお、第１，第２のグリー
ンシート１ａ，１ｂを図２の（Ａ）に示すように積層し
た状態で、第１のグリーンシート１ａの貫通穴１ｃと第
２のグリーンシート１ｂの貫通穴１ｃとが連通しないよ
うに互いに位置をずらせて貫通穴１ｃが形成されてい
る。
グリーンシート（未焼成のセラミックスシート）で、貫
通穴１ｃが形成されている。なお、第１，第２のグリー
ンシート１ａ，１ｂを図２の（Ａ）に示すように積層し
た状態で、第１のグリーンシート１ａの貫通穴１ｃと第
２のグリーンシート１ｂの貫通穴１ｃとが連通しないよ
うに互いに位置をずらせて貫通穴１ｃが形成されてい
る。
【００１３】第１，第２のグリーンシート１ａ，１ｂ
は、アルミナを主成分としてシリカ、マグネシア、有機
溶剤、溶媒などのバインダーを添加し、それぞれ 200μ
ｍの厚みに仕上げられている。焼結温度Ｔs ＝1500℃で
焼成すると熱膨張係数はαc ＝70×10-7／℃のセラミッ
クスとなる。貫通穴１ｃの径は常温（例えば25℃）での
直径ｄ1 ＝ 500μｍである。
は、アルミナを主成分としてシリカ、マグネシア、有機
溶剤、溶媒などのバインダーを添加し、それぞれ 200μ
ｍの厚みに仕上げられている。焼結温度Ｔs ＝1500℃で
焼成すると熱膨張係数はαc ＝70×10-7／℃のセラミッ
クスとなる。貫通穴１ｃの径は常温（例えば25℃）での
直径ｄ1 ＝ 500μｍである。
【００１４】積層された第１，第２のグリーンシート１
ａ，１ｂの焼成に際しては、それぞれの貫通穴１ｃに金
属チップ２が挿入される。金属チップ２はモリブデンで
形成し、常温での直径は 450μｍで長さは約 200μｍで
ある。
ａ，１ｂの焼成に際しては、それぞれの貫通穴１ｃに金
属チップ２が挿入される。金属チップ２はモリブデンで
形成し、常温での直径は 450μｍで長さは約 200μｍで
ある。
【００１５】モリブデンは、セラミックスの焼結温度Ｔ
s より高い2622℃の溶融点の材料で、熱膨張係数はαm
＝55×10-7／℃である。なお、焼成に際して積層された
第１，第２のグリーンシート１ａ，１ｂは、金属チップ
２が挿入される前あるいは後に圧接される。
s より高い2622℃の溶融点の材料で、熱膨張係数はαm
＝55×10-7／℃である。なお、焼成に際して積層された
第１，第２のグリーンシート１ａ，１ｂは、金属チップ
２が挿入される前あるいは後に圧接される。
【００１６】ここで、焼成前の金属チップ２と貫通穴１
ｃの関係は、図３の（Ａ）に示すように貫通穴１ｃに 5
0 μｍの隙間があるが、図２の（Ａ）の状態で焼結温度
Ｔsに加熱することにより、焼結温度Ｔs での金属チッ
プ２の直径は、図３の（Ｂ）に示すように熱膨張により
ｄ2 ＝ 453.65 μｍになり、グリーンシートの貫通穴１
ｃの常温での直径ｄ1 ＝500 μｍとの差δ0 ＝ｄ1 −ｄ
2 は、46.35 μｍ となる。
ｃの関係は、図３の（Ａ）に示すように貫通穴１ｃに 5
0 μｍの隙間があるが、図２の（Ａ）の状態で焼結温度
Ｔsに加熱することにより、焼結温度Ｔs での金属チッ
プ２の直径は、図３の（Ｂ）に示すように熱膨張により
ｄ2 ＝ 453.65 μｍになり、グリーンシートの貫通穴１
ｃの常温での直径ｄ1 ＝500 μｍとの差δ0 ＝ｄ1 −ｄ
2 は、46.35 μｍ となる。
【００１７】グリーンシートの焼結温度Ｔs における焼
成収縮率Ｐは、グリーンシートの常温時の寸法をＳ１,
焼結温度Ｔs における焼成後の寸法をＳ２としたとき、
Ｐ＝（Ｓ１−Ｓ２）／Ｓ１とすると、焼成収縮量はδS
＝ｄ1 ・Ｐとなる。例えば焼成収縮率が14％の材料を用
いると、貫通穴１ｃは焼成後で寸法が70μｍ収縮してそ
の直径は 430μｍとなる。この時の金属チップ２と貫通
穴１ｃの関係は図３の（Ｂ）に示すように23.65 μｍの
しまり状態になる。
成収縮率Ｐは、グリーンシートの常温時の寸法をＳ１,
焼結温度Ｔs における焼成後の寸法をＳ２としたとき、
Ｐ＝（Ｓ１−Ｓ２）／Ｓ１とすると、焼成収縮量はδS
＝ｄ1 ・Ｐとなる。例えば焼成収縮率が14％の材料を用
いると、貫通穴１ｃは焼成後で寸法が70μｍ収縮してそ
の直径は 430μｍとなる。この時の金属チップ２と貫通
穴１ｃの関係は図３の（Ｂ）に示すように23.65 μｍの
しまり状態になる。
【００１８】この時、前記セラミックスが金属を締め付
ける応力がセラミックスの破壊応力を超えないようδS
とδ0 を選定する。さらに、常温に戻った時、図２の
（Ｂ）に示す貫通穴１ｃの直径は前記熱膨張係数αc ＝
70×10-7／℃で収縮して425.56μｍとなり、金属チップ
２は同様にαm ＝55×10-7／℃で収縮して、直径は 450
μｍとなり両者の関係は、図３の（Ｃ）に示すように約
24.44μｍのしまり状態となる。
ける応力がセラミックスの破壊応力を超えないようδS
とδ0 を選定する。さらに、常温に戻った時、図２の
（Ｂ）に示す貫通穴１ｃの直径は前記熱膨張係数αc ＝
70×10-7／℃で収縮して425.56μｍとなり、金属チップ
２は同様にαm ＝55×10-7／℃で収縮して、直径は 450
μｍとなり両者の関係は、図３の（Ｃ）に示すように約
24.44μｍのしまり状態となる。
【００１９】したがって、金属チップ２と貫通穴１ｃが
強固に結合され、図１に示すように焼成セラミックス８
に金属チップ２が埋め込まれた金属埋め込みセラミック
ス３１が完成する。
強固に結合され、図１に示すように焼成セラミックス８
に金属チップ２が埋め込まれた金属埋め込みセラミック
ス３１が完成する。
【００２０】セラミックスの焼成収縮率は、バインダー
の材料，配合比を変えることで 5〜20％程度まで調整は
可能である。また金属チップ２にモリブデンを用いた例
を示したが、他の熱膨張係数の材料を用いることも可能
である。
の材料，配合比を変えることで 5〜20％程度まで調整は
可能である。また金属チップ２にモリブデンを用いた例
を示したが、他の熱膨張係数の材料を用いることも可能
である。
【００２１】セラミックスの収縮率を変えることによ
り、焼成後の穴直径を可変でき、また、使用しているセ
ラミックスの熱膨張係数と金属チップ２の熱膨張係数と
の組み合わせを変えることにより、金属チップ２とセラ
ミックスとの締め付け力を最適な状態にすることができ
セラミックスの応力による割れをなくし、強固な固定の
金属埋め込みセラミックス３１が実現できる。
り、焼成後の穴直径を可変でき、また、使用しているセ
ラミックスの熱膨張係数と金属チップ２の熱膨張係数と
の組み合わせを変えることにより、金属チップ２とセラ
ミックスとの締め付け力を最適な状態にすることができ
セラミックスの応力による割れをなくし、強固な固定の
金属埋め込みセラミックス３１が実現できる。
【００２２】以上の説明はｄ1 ＜ｄ2 ＋δS の場合であ
るが、ｄ1 ＞ｄ2 ＋δS であってもよい。ｄ1 ＞ｄ2 ＋
δS なるときは、温度Ｔs において図４に示すように前
記セラミックスと前記金属の間に隙間が発生する。Ｔs
から常温に戻したときに、前記セラミックスと前記金属
との間に、所要のしまり状態が発生するように、前記セ
ラミックスと金属の熱膨張係数を選定すればよい。
るが、ｄ1 ＞ｄ2 ＋δS であってもよい。ｄ1 ＞ｄ2 ＋
δS なるときは、温度Ｔs において図４に示すように前
記セラミックスと前記金属の間に隙間が発生する。Ｔs
から常温に戻したときに、前記セラミックスと前記金属
との間に、所要のしまり状態が発生するように、前記セ
ラミックスと金属の熱膨張係数を選定すればよい。
【００２３】図５は電極板４と上記のようにして製作し
た金属埋め込みセラミックス３１とを電極板４との接合
体の製造状態を示している。セラミックス３１は上記の
例で説明した組成と寸法で、電極板４は“42Ｎｉ−６Ｃ
ｒ−Ｆｅ合金”で、その厚みは約 200μｍである。
た金属埋め込みセラミックス３１とを電極板４との接合
体の製造状態を示している。セラミックス３１は上記の
例で説明した組成と寸法で、電極板４は“42Ｎｉ−６Ｃ
ｒ−Ｆｅ合金”で、その厚みは約 200μｍである。
【００２４】セラミックス３１を中央にして２枚の電極
板４を配設し、電極板４にＹＡＧレーザ装置７からレー
ザー光７ａを照射して金属埋め込みセラミックスに埋め
込まれている金属チップ２を溶かして電極板４と埋め込
み金属とを接合している。ここではレーザー光７ａで金
属チップ２ごとに 5.3Ｊの熱量を加えて接合した。
板４を配設し、電極板４にＹＡＧレーザ装置７からレー
ザー光７ａを照射して金属埋め込みセラミックスに埋め
込まれている金属チップ２を溶かして電極板４と埋め込
み金属とを接合している。ここではレーザー光７ａで金
属チップ２ごとに 5.3Ｊの熱量を加えて接合した。
【００２５】この動作を金属埋め込みセラミックス３１
の両面に行って図５に示す接合体６を構成している。ま
た、セラミックス３１の一方の面と他方の面に埋め込ま
れた金属チップ２の位置は互いに位置がずれているた
め、要求される絶縁性能を充分に満足することができ
る。
の両面に行って図５に示す接合体６を構成している。ま
た、セラミックス３１の一方の面と他方の面に埋め込ま
れた金属チップ２の位置は互いに位置がずれているた
め、要求される絶縁性能を充分に満足することができ
る。
【００２６】金属チップ２は円柱形で所定の体積を有す
るため、レーザー光照射時にレーザーの熱による衝撃で
セラミックス部が破壊することなく強固に接合できた。
常温で接合するため、熱膨張係数の異なる電極板４に接
合後も反りが発生することなく、高精度な接合を実現で
きた。
るため、レーザー光照射時にレーザーの熱による衝撃で
セラミックス部が破壊することなく強固に接合できた。
常温で接合するため、熱膨張係数の異なる電極板４に接
合後も反りが発生することなく、高精度な接合を実現で
きた。
【００２７】また、フリットガラス等の強度の低い接合
部材を用いず、セラミックスに強固に埋め込まれている
金属と電極板とを接合する構造であるため、従来のよう
なフリットガラスの剥離や飛散に伴なう不都合を生じる
ことはない。
部材を用いず、セラミックスに強固に埋め込まれている
金属と電極板とを接合する構造であるため、従来のよう
なフリットガラスの剥離や飛散に伴なう不都合を生じる
ことはない。
【００２８】上記の実施の形態では、第１，第２のグリ
ーンシート１ａ，１ｂにそれぞれ貫通穴１ｃを穿設して
これを積層して製造したが、単一のグリーンシートの一
方の面から他方の面に向けて第１の非貫通穴を形成し、
グリーンシートの前記他方の面から前記一方の面に向け
て第２の非貫通穴を形成し、この第１，第２の非貫通穴
に、上記の実施の形態と同様の金属チップを挿入して焼
成することによっても同様のセラミックス３１を製造で
きる。第１の非貫通穴と第２の非貫通穴の位置をずらせ
ることによって上記の場合と同様に要求される絶縁性能
を充分に満足することができる。
ーンシート１ａ，１ｂにそれぞれ貫通穴１ｃを穿設して
これを積層して製造したが、単一のグリーンシートの一
方の面から他方の面に向けて第１の非貫通穴を形成し、
グリーンシートの前記他方の面から前記一方の面に向け
て第２の非貫通穴を形成し、この第１，第２の非貫通穴
に、上記の実施の形態と同様の金属チップを挿入して焼
成することによっても同様のセラミックス３１を製造で
きる。第１の非貫通穴と第２の非貫通穴の位置をずらせ
ることによって上記の場合と同様に要求される絶縁性能
を充分に満足することができる。
【００２９】しかし、歩留りの点では第１，第２のグリ
ーンシート１ａ，１ｂにそれぞれ貫通穴１ｃを穿設して
製造する方法の方が生産性が良好であった。上記の各実
施の形態では、金属埋め込みセラミックスの両面に電極
板を溶接する場合を例に挙げて説明したが、金属埋め込
みセラミックスの片面に電極板を溶接したものや、この
片面に電極板が溶接された接合体を積み重ねて電極構体
を構成する場合などには、第１，第２のグリーンシート
のうちの一方のグリーンシートにだけ貫通穴を形成し、
この貫通穴有りの第１のグリーンシートと貫通穴なしの
第２のグリーンシートを積層し、第１のグリーンシート
の貫通穴に前記と同様の金属を挿入した状態で焼成する
ことによって、必要な金属埋め込みセラミックスを良好
な歩留りで製造できる。
ーンシート１ａ，１ｂにそれぞれ貫通穴１ｃを穿設して
製造する方法の方が生産性が良好であった。上記の各実
施の形態では、金属埋め込みセラミックスの両面に電極
板を溶接する場合を例に挙げて説明したが、金属埋め込
みセラミックスの片面に電極板を溶接したものや、この
片面に電極板が溶接された接合体を積み重ねて電極構体
を構成する場合などには、第１，第２のグリーンシート
のうちの一方のグリーンシートにだけ貫通穴を形成し、
この貫通穴有りの第１のグリーンシートと貫通穴なしの
第２のグリーンシートを積層し、第１のグリーンシート
の貫通穴に前記と同様の金属を挿入した状態で焼成する
ことによって、必要な金属埋め込みセラミックスを良好
な歩留りで製造できる。
【００３０】
【発明の効果】以上のように本発明の電極板と金属埋め
込みセラミックスとの接合体は、セラミックスの表面に
金属を埋め込んだ金属埋め込みセラミックスの上に電極
板を積層し、前記電極板と金属埋め込みセラミックスに
埋め込まれている埋め込み金属を溶接固定したため、常
温で溶接接合して電極構体を構成することができ、ま
た、金属埋め込みセラミックスとして所要の体積の金属
が埋め込まれたものを使用することによって、埋め込み
金属と電極板を、例えばレーザービームで接合する際に
セラミックスがレーザー光の熱による衝撃で破壊するこ
ともなく強固に接合できる。
込みセラミックスとの接合体は、セラミックスの表面に
金属を埋め込んだ金属埋め込みセラミックスの上に電極
板を積層し、前記電極板と金属埋め込みセラミックスに
埋め込まれている埋め込み金属を溶接固定したため、常
温で溶接接合して電極構体を構成することができ、ま
た、金属埋め込みセラミックスとして所要の体積の金属
が埋め込まれたものを使用することによって、埋め込み
金属と電極板を、例えばレーザービームで接合する際に
セラミックスがレーザー光の熱による衝撃で破壊するこ
ともなく強固に接合できる。
【００３１】また、電極板と金属埋め込みセラミックス
との接合体の製造方法によると、金属埋め込みセラミッ
クスの上に電極板を積層し、前記電極板にビームを照射
して金属埋め込みセラミックスに埋め込まれている埋め
込み金属を溶かして前記電極板と前記埋め込み金属とを
常温の環境下で接合するので、熱膨張係数の若干異なる
電極板の高温接合により発生する電極板の反りや、接合
材の強度不足から起る破片の飛散をなくすことができ
る。
との接合体の製造方法によると、金属埋め込みセラミッ
クスの上に電極板を積層し、前記電極板にビームを照射
して金属埋め込みセラミックスに埋め込まれている埋め
込み金属を溶かして前記電極板と前記埋め込み金属とを
常温の環境下で接合するので、熱膨張係数の若干異なる
電極板の高温接合により発生する電極板の反りや、接合
材の強度不足から起る破片の飛散をなくすことができ
る。
【図１】本発明の接合体に使用する金属埋め込みセラミ
ックスの断面図
ックスの断面図
【図２】本発明の接合体に使用する金属埋め込みセラミ
ックスの製造方法の工程図
ックスの製造方法の工程図
【図３】本発明の接合体に使用する金属埋め込みセラミ
ックスの製造過程における材料の収縮変化図
ックスの製造過程における材料の収縮変化図
【図４】本発明の接合体に使用する金属埋め込みセラミ
ックスの製造過程における材料の収縮変化図
ックスの製造過程における材料の収縮変化図
【図５】本発明の接合体の製造過程の説明図
【図６】従来の平板型画像表示装置の電極構体の断面図
２ 金属チップ ４ 電極板 ３１ 金属埋め込みセラミックス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山崎 文男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 井上 勇 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 松本 弘 京都府京都市山科区東野北井ノ上町５番地 の22 京セラ株式会社内 (72)発明者 山本 弘司 京都府京都市山科区東野北井ノ上町５番地 の22 京セラ株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 セラミックスの表面に金属を埋め込んだ
金属埋め込みセラミックスの上に電極板を積層し、前記
電極板と金属埋め込みセラミックスに埋め込まれている
埋め込み金属を溶接固定した電極板と金属埋め込みセラ
ミックスとの接合体。 - 【請求項２】 金属埋め込みセラミックスの上に電極板
を積層し、前記電極板にビームを照射して金属埋め込み
セラミックスに埋め込まれている埋め込み金属を溶かし
て前記電極板と前記埋め込み金属とを常温の環境下で接
合する電極板と金属埋め込みセラミックスとの接合体の
製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP01341396A JP3192958B2 (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 電極板と金属埋め込みセラミックスとの接合体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01341396A JP3192958B2 (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 電極板と金属埋め込みセラミックスとの接合体およびその製造方法 |
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|---|---|
| JPH09213230A true JPH09213230A (ja) | 1997-08-15 |
| JP3192958B2 JP3192958B2 (ja) | 2001-07-30 |
Family
ID=11832458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01341396A Expired - Fee Related JP3192958B2 (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 電極板と金属埋め込みセラミックスとの接合体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3192958B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007109883A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Tdk Corp | セラミック電子部品及びその製造方法 |
| JP2010528241A (ja) * | 2007-05-29 | 2010-08-19 | ヒュンダイ ヘビー インダストリーズ カンパニー リミテッド | 溶接型２次防壁を備える液化天然ガス貯蔵容器用断熱システムとその施工方法 |
| JP2014521024A (ja) * | 2011-07-06 | 2014-08-25 | ガズトランスポール エ テクニガズ | 支持構造一体型封止断熱タンク |
-
1996
- 1996-01-30 JP JP01341396A patent/JP3192958B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007109883A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Tdk Corp | セラミック電子部品及びその製造方法 |
| JP2010528241A (ja) * | 2007-05-29 | 2010-08-19 | ヒュンダイ ヘビー インダストリーズ カンパニー リミテッド | 溶接型２次防壁を備える液化天然ガス貯蔵容器用断熱システムとその施工方法 |
| JP2014521024A (ja) * | 2011-07-06 | 2014-08-25 | ガズトランスポール エ テクニガズ | 支持構造一体型封止断熱タンク |
| US9359130B2 (en) | 2011-07-06 | 2016-06-07 | Gaztransport Et Technigaz | Sealed and thermally insulative tank integrated into a supporting structure |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3192958B2 (ja) | 2001-07-30 |
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