JPH09213457A - 遠赤外線ヒータの製造方法 - Google Patents
遠赤外線ヒータの製造方法Info
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- JPH09213457A JPH09213457A JP8053591A JP5359196A JPH09213457A JP H09213457 A JPH09213457 A JP H09213457A JP 8053591 A JP8053591 A JP 8053591A JP 5359196 A JP5359196 A JP 5359196A JP H09213457 A JPH09213457 A JP H09213457A
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Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】セラミック質遠赤外線ヒータの高温での高絶縁
性を付与する。 【解決手段】アルミノケイ酸塩を主体とし、導電材とし
て珪素化合物を含有したセラミック質の遠赤外線ヒータ
であって、該ヒータ表面にＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２を主成
分とした絶縁被膜の膜厚を１〜５０μｍで施工する遠赤
外線ヒータの製造方法。
性を付与する。 【解決手段】アルミノケイ酸塩を主体とし、導電材とし
て珪素化合物を含有したセラミック質の遠赤外線ヒータ
であって、該ヒータ表面にＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２を主成
分とした絶縁被膜の膜厚を１〜５０μｍで施工する遠赤
外線ヒータの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック質の遠
赤外線ヒータであって、特にヒータ外表面に高絶縁性の
被膜を施工する製造方法に関する。
赤外線ヒータであって、特にヒータ外表面に高絶縁性の
被膜を施工する製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】遠赤外線を放射するヒータは従来から種
々報告されている。例えば石英管内にタングステンフィ
ラメントを封入したものや、金属管内にニクロム線を封
入したシーズヒータの表面にセラミック質を被覆したも
の等がある。さらには、本出願人が特開昭６３−３０７
６８２号公報で開示したセラミック質でできた遠赤外線
ヒータがある。
々報告されている。例えば石英管内にタングステンフィ
ラメントを封入したものや、金属管内にニクロム線を封
入したシーズヒータの表面にセラミック質を被覆したも
の等がある。さらには、本出願人が特開昭６３−３０７
６８２号公報で開示したセラミック質でできた遠赤外線
ヒータがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記セラミック質の遠
赤外線ヒータは、その組成がアルミノケイ酸塩を主成分
とし、珪素化合物を導電材とした放射材料を直接、通電
発熱させるもので、遠赤外波長の光を有効に放射し、熱
効率が高く、６００℃付近まで使用可能なため、非常に
ヒータ効率のよいものとなっている。しかしながら、セ
ラミック質の遠赤外線ヒータは、同時に材料の表面は絶
縁が取れないという欠点をもちあわせているため、感電
等の危険性が問題点として指摘されていた。そこで本出
願人は特開平１−２２６７６５号公報でヒータの外周に
絶縁層を設けることを開示したが、これは常温では一定
の絶縁効果が得られたが、温度上昇に伴い、絶縁抵抗が
急激に低下することが分かり、問題となっていた。
赤外線ヒータは、その組成がアルミノケイ酸塩を主成分
とし、珪素化合物を導電材とした放射材料を直接、通電
発熱させるもので、遠赤外波長の光を有効に放射し、熱
効率が高く、６００℃付近まで使用可能なため、非常に
ヒータ効率のよいものとなっている。しかしながら、セ
ラミック質の遠赤外線ヒータは、同時に材料の表面は絶
縁が取れないという欠点をもちあわせているため、感電
等の危険性が問題点として指摘されていた。そこで本出
願人は特開平１−２２６７６５号公報でヒータの外周に
絶縁層を設けることを開示したが、これは常温では一定
の絶縁効果が得られたが、温度上昇に伴い、絶縁抵抗が
急激に低下することが分かり、問題となっていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、セラミ
ック質の遠赤外線ヒータの表面に放射特性を損うことな
く、しかも高温度で安定した高絶縁性を付与することに
ある。すなわち、アルミノケイ酸塩を主体とし、導電材
として珪素化合物を含有したセラミック質の遠赤外線ヒ
ータであって、該ヒータ表面にＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２を
主成分とした絶縁被膜の膜厚を１〜５０μｍで施工する
ことを特徴とする。ここで、絶縁被膜の膜厚を１〜５０
μｍとしたのは、１μｍ未満であると局部的に被覆でき
ていない部分ができ、安定した高絶縁が得られない。ま
た５０μｍを越えると被膜の剥離等が起こり、やはり高
絶縁が得られないためである。
ック質の遠赤外線ヒータの表面に放射特性を損うことな
く、しかも高温度で安定した高絶縁性を付与することに
ある。すなわち、アルミノケイ酸塩を主体とし、導電材
として珪素化合物を含有したセラミック質の遠赤外線ヒ
ータであって、該ヒータ表面にＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２を
主成分とした絶縁被膜の膜厚を１〜５０μｍで施工する
ことを特徴とする。ここで、絶縁被膜の膜厚を１〜５０
μｍとしたのは、１μｍ未満であると局部的に被覆でき
ていない部分ができ、安定した高絶縁が得られない。ま
た５０μｍを越えると被膜の剥離等が起こり、やはり高
絶縁が得られないためである。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明の遠赤外線ヒータは、管
状、棒状、平板状等、任意の形で造られる。該ヒータの
両端に金属溶射、はんだ付け、導電性ペーストの焼付け
等の方法により導電膜を形成し、電極とする。このよう
にして得られる本発明の遠赤外線ヒータは、絶縁層と導
電層がほぼ同一の組成のため、熱膨張率もほぼ同一とな
り、二層が使用中分離することもなく、６００℃まで安
定して使用することができ、そのうえ直接通電できるも
のである。
状、棒状、平板状等、任意の形で造られる。該ヒータの
両端に金属溶射、はんだ付け、導電性ペーストの焼付け
等の方法により導電膜を形成し、電極とする。このよう
にして得られる本発明の遠赤外線ヒータは、絶縁層と導
電層がほぼ同一の組成のため、熱膨張率もほぼ同一とな
り、二層が使用中分離することもなく、６００℃まで安
定して使用することができ、そのうえ直接通電できるも
のである。
【０００６】
【実施例】本発明を実施例で詳細に説明する。 （実施例１）アルミノケイ酸塩ガラスとＦｅＳｉを一定
の比率で配合し、通常の方法でφ１４×３００に押出し
成形した。成形、乾燥品の表面にＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２
を分散させた水溶液をスプレー塗布した。十分乾燥した
のち、１２００〜１２５０℃の高温で焼結して、ヒータ
サンプルを得た。ヒータの絶縁被膜の膜厚は５０μｍで
あった。このヒータを５００℃に発熱させ、その時の絶
縁被膜の漏れ電流を測定した結果、１ｍＡ以下であっ
た。しかも、安定した遠赤外線特性を示した。測定結果
を表１に示す。 （実施例２）アルミノケイ酸塩ガラスとＦｅＳｉを一定
比率で配合し、通常の方法でφ１４×３００に押出し成
形した。成形、乾燥品の表面にＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２を
分散させた水溶液をスプレー塗布した。十分乾燥したの
ち、１２００〜１２５０℃の高温で焼結して、ヒータサ
ンプルを得た。絶縁被膜の膜厚を測定したところ、１μ
ｍであった。このヒータを５００℃に発熱させ、その時
の絶縁被膜の漏れ電流を測定した結果、１ｍＡ以下であ
った。測定結果を表１に示す。 （比較例１）アルミノケイ酸塩ガラスとＦｅＳｉを一定
比率で配合し、通常の方法でφ１４×３００に押出し成
形した。十分乾燥したのち、１２００〜１２５０℃の高
温で焼結して、ヒータサンプルを得た。このヒータを３
００℃に発熱させ、その時の絶縁被膜の漏れ電流を測定
した結果、２０ｍＡ以上流れ、測定を中止した。測定結
果を表１に示す。 （比較例２）アルミノケイ酸塩ガラスとＦｅＳｉを一定
比率で配合し、通常の方法でφ１４×３００に押出し成
形した。Ａｌ２Ｏ３３５％、ＳｉＯ２５５％、Ｆｅ２Ｏ
３５％、ＭｎＯ２５％の組成の絶縁被膜を塗布し、十分
乾燥したのち、１２００〜１２５０℃の高温で焼結し
て、ヒータサンプルを得た。このヒータを５００℃に発
熱させ、その時の絶縁被膜の漏れ電流を測定した結果、
１０ｍＡ以上流れ、測定を中止した。また絶縁膜の剥離
も観察された。測定結果を表１に示す。 （比較例３）アルミノケイ酸塩ガラスとＦｅＳｉを一定
比率で配合し、通常の方法でφ１４×３００に押出し成
形した。成形、乾燥品の表面にＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２を
分散させた水溶液をスプレー塗布した。十分乾燥したの
ち、１２００〜１２５０℃の高温で焼結して、ヒータサ
ンプルを得た。絶縁被膜の膜厚を測定したところ、０．
５μｍであった。このヒータを５００℃に発熱させ、そ
の時の絶縁被膜の漏れ電流を測定した結果、１５ｍＡで
あった。測定結果を表１に示す。 （比較例４）アルミノケイ酸塩ガラスとＦｅＳｉを一定
比率で配合し、通常の方法でφ１４×３００に押出し成
形した。成形、乾燥品の表面にＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２を
分散させた水溶液をスプレー塗布した。十分乾燥したの
ち、１２００〜１２５０℃の高温で焼結して、ヒータサ
ンプルを得た。絶縁被膜の膜厚を測定したところ、５５
μｍであった。このヒータを５００℃に発熱させ、その
時の絶縁被膜の漏れ電流を測定した結果、１ｍＡであっ
たが、測定終了後に絶縁層が剥離してしまった。測定結
果を表１に示す。
の比率で配合し、通常の方法でφ１４×３００に押出し
成形した。成形、乾燥品の表面にＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２
を分散させた水溶液をスプレー塗布した。十分乾燥した
のち、１２００〜１２５０℃の高温で焼結して、ヒータ
サンプルを得た。ヒータの絶縁被膜の膜厚は５０μｍで
あった。このヒータを５００℃に発熱させ、その時の絶
縁被膜の漏れ電流を測定した結果、１ｍＡ以下であっ
た。しかも、安定した遠赤外線特性を示した。測定結果
を表１に示す。 （実施例２）アルミノケイ酸塩ガラスとＦｅＳｉを一定
比率で配合し、通常の方法でφ１４×３００に押出し成
形した。成形、乾燥品の表面にＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２を
分散させた水溶液をスプレー塗布した。十分乾燥したの
ち、１２００〜１２５０℃の高温で焼結して、ヒータサ
ンプルを得た。絶縁被膜の膜厚を測定したところ、１μ
ｍであった。このヒータを５００℃に発熱させ、その時
の絶縁被膜の漏れ電流を測定した結果、１ｍＡ以下であ
った。測定結果を表１に示す。 （比較例１）アルミノケイ酸塩ガラスとＦｅＳｉを一定
比率で配合し、通常の方法でφ１４×３００に押出し成
形した。十分乾燥したのち、１２００〜１２５０℃の高
温で焼結して、ヒータサンプルを得た。このヒータを３
００℃に発熱させ、その時の絶縁被膜の漏れ電流を測定
した結果、２０ｍＡ以上流れ、測定を中止した。測定結
果を表１に示す。 （比較例２）アルミノケイ酸塩ガラスとＦｅＳｉを一定
比率で配合し、通常の方法でφ１４×３００に押出し成
形した。Ａｌ２Ｏ３３５％、ＳｉＯ２５５％、Ｆｅ２Ｏ
３５％、ＭｎＯ２５％の組成の絶縁被膜を塗布し、十分
乾燥したのち、１２００〜１２５０℃の高温で焼結し
て、ヒータサンプルを得た。このヒータを５００℃に発
熱させ、その時の絶縁被膜の漏れ電流を測定した結果、
１０ｍＡ以上流れ、測定を中止した。また絶縁膜の剥離
も観察された。測定結果を表１に示す。 （比較例３）アルミノケイ酸塩ガラスとＦｅＳｉを一定
比率で配合し、通常の方法でφ１４×３００に押出し成
形した。成形、乾燥品の表面にＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２を
分散させた水溶液をスプレー塗布した。十分乾燥したの
ち、１２００〜１２５０℃の高温で焼結して、ヒータサ
ンプルを得た。絶縁被膜の膜厚を測定したところ、０．
５μｍであった。このヒータを５００℃に発熱させ、そ
の時の絶縁被膜の漏れ電流を測定した結果、１５ｍＡで
あった。測定結果を表１に示す。 （比較例４）アルミノケイ酸塩ガラスとＦｅＳｉを一定
比率で配合し、通常の方法でφ１４×３００に押出し成
形した。成形、乾燥品の表面にＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２を
分散させた水溶液をスプレー塗布した。十分乾燥したの
ち、１２００〜１２５０℃の高温で焼結して、ヒータサ
ンプルを得た。絶縁被膜の膜厚を測定したところ、５５
μｍであった。このヒータを５００℃に発熱させ、その
時の絶縁被膜の漏れ電流を測定した結果、１ｍＡであっ
たが、測定終了後に絶縁層が剥離してしまった。測定結
果を表１に示す。
【０００７】
【表１】
【０００８】
【発明の効果】前述したように、本発明に係る遠赤外線
ヒータは直接通電できる効率のよいヒータであって、し
かも高温使用にも充分な絶縁特性を有するヒータであ
る。これは通常の乾燥や焼き付け、または暖房用として
も漏電や感電のない安定した使用が可能であり、産業上
の期待は大である。
ヒータは直接通電できる効率のよいヒータであって、し
かも高温使用にも充分な絶縁特性を有するヒータであ
る。これは通常の乾燥や焼き付け、または暖房用として
も漏電や感電のない安定した使用が可能であり、産業上
の期待は大である。
Claims (1)
- 【請求項１】 アルミノケイ酸塩を主体とし、導電材と
して珪素化合物を含有したセラミック質の遠赤外線ヒー
タであって、該ヒータ表面にＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２を主
成分とした絶縁被膜の膜厚を１〜５０μｍで施工するこ
とを特徴とする遠赤外線ヒータの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8053591A JPH09213457A (ja) | 1996-02-06 | 1996-02-06 | 遠赤外線ヒータの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8053591A JPH09213457A (ja) | 1996-02-06 | 1996-02-06 | 遠赤外線ヒータの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09213457A true JPH09213457A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=12947122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8053591A Pending JPH09213457A (ja) | 1996-02-06 | 1996-02-06 | 遠赤外線ヒータの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09213457A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100337513C (zh) * | 2005-04-28 | 2007-09-12 | 山东皇冠控股集团有限公司 | 红外陶瓷电热基板及其制备方法 |
-
1996
- 1996-02-06 JP JP8053591A patent/JPH09213457A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100337513C (zh) * | 2005-04-28 | 2007-09-12 | 山东皇冠控股集团有限公司 | 红外陶瓷电热基板及其制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050705 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051206 |