JPH09213552A - フライバックトランス - Google Patents
フライバックトランスInfo
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- JPH09213552A JPH09213552A JP8015424A JP1542496A JPH09213552A JP H09213552 A JPH09213552 A JP H09213552A JP 8015424 A JP8015424 A JP 8015424A JP 1542496 A JP1542496 A JP 1542496A JP H09213552 A JPH09213552 A JP H09213552A
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- capacitor
- high voltage
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 外装ケース及び注型樹脂で絶縁された高価な
外付高圧コンデンサを用いることなく、安価で取り扱い
が容易で輻射電界、交番電界を低減可能なフライバック
トランスを提供する。 【解決手段】 複数分割された２次側の各高圧コイル６
ａ〜６ｄごとに直列に高圧整流用ダイオード３ａ〜３ｄ
を接続し、その最終段の高圧整流用ダイオード３ｄのカ
ソード側に高圧コンデンサ２，２’を接続するフライバ
ックトランスにおいて、前記高圧コンデンサ２，２’
は、誘電体フィルムＦを用いてコイル状に巻いたフィル
ムコンデンサで構成し、該コンデンサのフィルムＦの中
間部から引き出したリードを高圧側リード２２ａとして
前記最終段の高圧整流用ダイオード３ｄのカソード側と
接続し、フィルムＦの両端側から引き出した２本のリー
ドをアース側リード２２ｂとしたことを特徴とする。
外付高圧コンデンサを用いることなく、安価で取り扱い
が容易で輻射電界、交番電界を低減可能なフライバック
トランスを提供する。 【解決手段】 複数分割された２次側の各高圧コイル６
ａ〜６ｄごとに直列に高圧整流用ダイオード３ａ〜３ｄ
を接続し、その最終段の高圧整流用ダイオード３ｄのカ
ソード側に高圧コンデンサ２，２’を接続するフライバ
ックトランスにおいて、前記高圧コンデンサ２，２’
は、誘電体フィルムＦを用いてコイル状に巻いたフィル
ムコンデンサで構成し、該コンデンサのフィルムＦの中
間部から引き出したリードを高圧側リード２２ａとして
前記最終段の高圧整流用ダイオード３ｄのカソード側と
接続し、フィルムＦの両端側から引き出した２本のリー
ドをアース側リード２２ｂとしたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ブラウン管を用い
たディスプレイモニタのフライバックトランス（ＦＢ
Ｔ）に係り、さらに詳しくはブラウン管の表面等から発
生する輻射電界、交番電界を低減する技術に関する。
たディスプレイモニタのフライバックトランス（ＦＢ
Ｔ）に係り、さらに詳しくはブラウン管の表面等から発
生する輻射電界、交番電界を低減する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１１は一般的なディスプレイモニタの
ＦＢＴにおいて、外付高圧コンデンサを用いてブラウン
管の表面等から発生する交番電界を低減する回路の一例
を示す図で、米国特許明細書第5,218,270 号記載の発明
を応用したものである。
ＦＢＴにおいて、外付高圧コンデンサを用いてブラウン
管の表面等から発生する交番電界を低減する回路の一例
を示す図で、米国特許明細書第5,218,270 号記載の発明
を応用したものである。
【０００３】同図において１はＦＢＴ、２は内蔵高圧コ
ンデンサ、３（３ａ〜３ｄ）は高圧整流用ダイオード、
４は３次側の逆パルス発生用巻線、５は外付高圧コンデ
ンサ、６（６ａ〜６ｄ）は高圧コイル、７は偏向ヨー
ク、１６は水平出力トランジスタ、１７は１次側低圧コ
イル、１８は波形比較制御器である。
ンデンサ、３（３ａ〜３ｄ）は高圧整流用ダイオード、
４は３次側の逆パルス発生用巻線、５は外付高圧コンデ
ンサ、６（６ａ〜６ｄ）は高圧コイル、７は偏向ヨー
ク、１６は水平出力トランジスタ、１７は１次側低圧コ
イル、１８は波形比較制御器である。
【０００４】図１２は従来の交番電界の低減システムの
一例を示したもので、同図において８は内装黒鉛膜、９
は偏向ヨークの静電容量、１０は高圧偏向回路、１１は
ブラウン管である。
一例を示したもので、同図において８は内装黒鉛膜、９
は偏向ヨークの静電容量、１０は高圧偏向回路、１１は
ブラウン管である。
【０００５】図１３は図１２の従来の交番電界低減シス
テムの一例を等価的に表した回路図で、同図において１
２はパネル透明導電膜、１３はパネル透明導電膜１２の
表面抵抗、１４はパネル透明導電膜１２の容量である。
テムの一例を等価的に表した回路図で、同図において１
２はパネル透明導電膜、１３はパネル透明導電膜１２の
表面抵抗、１４はパネル透明導電膜１２の容量である。
【０００６】この等価回路では、以下の動作に従って交
番電界が低減される。偏向ヨーク７を駆動する水平パル
スＶDY（１０００Ｖｐｐ）が、偏向ヨークの静電容量９
（６０ｐＦ）を介してブラウン管１１の内装黒鉛膜８に
パルス電圧ＶDY′を生じる。パルス電圧ＶDY′は、パネ
ル透明導電膜１２の表面抵抗１３とそれの容量１４とに
より、インピーダンス分割されたＶｐがパネル透明導電
膜１２に生じ、交番電界の発生源となっている。
番電界が低減される。偏向ヨーク７を駆動する水平パル
スＶDY（１０００Ｖｐｐ）が、偏向ヨークの静電容量９
（６０ｐＦ）を介してブラウン管１１の内装黒鉛膜８に
パルス電圧ＶDY′を生じる。パルス電圧ＶDY′は、パネ
ル透明導電膜１２の表面抵抗１３とそれの容量１４とに
より、インピーダンス分割されたＶｐがパネル透明導電
膜１２に生じ、交番電界の発生源となっている。
【０００７】この交番電界を低減する一例として、前述
のようにＦＢＴ１の３次側の逆パルス発生用巻線４で得
られた逆パルスＶF ′（−１５０Ｖｐｐ）をＦＢＴ１の
外付けの高圧コンデンサ５（容量：ＣF ＝２００ｐＦ）
を介して内装黒鉛膜８に印加することにより、内装黒鉛
膜８においてパルス電圧ＶDY′が逆パルスＶF ′にてキ
ャンセルされ、交番電界ＶDY′の振幅が低減される。こ
の関係を式で表すと、下式のようになる。
のようにＦＢＴ１の３次側の逆パルス発生用巻線４で得
られた逆パルスＶF ′（−１５０Ｖｐｐ）をＦＢＴ１の
外付けの高圧コンデンサ５（容量：ＣF ＝２００ｐＦ）
を介して内装黒鉛膜８に印加することにより、内装黒鉛
膜８においてパルス電圧ＶDY′が逆パルスＶF ′にてキ
ャンセルされ、交番電界ＶDY′の振幅が低減される。こ
の関係を式で表すと、下式のようになる。
【０００８】ｋ×ＣDY（６０ｐＦ）×ＶDY（１０００Ｖ
ｐｐ）＝３×１０Ｅ−８［Ｃ］
ｐｐ）＝３×１０Ｅ−８［Ｃ］
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図１４は前記外付高圧
コンデンサ５の外観図、図１５はそれの回路図である。
これらにおいて１９はアノードキャップ、２０は高圧コ
ネクタ、２１はグランド端子である。
コンデンサ５の外観図、図１５はそれの回路図である。
これらにおいて１９はアノードキャップ、２０は高圧コ
ネクタ、２１はグランド端子である。
【００１０】この外付高圧コンデンサ５は図１４に示す
ように、高電圧の絶縁を施すため、４０ｍｍ×４０ｍｍ
×６５ｍｍ程度の大きさの外装ケースと、その中に充填
する注型樹脂（エポキシレジン等）が必要となり、高価
でかつディスプレイモニタ内での設置場所の制約があ
り、構造上、取り扱いが難しい。また、高圧接続が必要
となるため、高圧接続部（高圧コネクタ２０）の信頼性
確保が難しいなどの問題がある。
ように、高電圧の絶縁を施すため、４０ｍｍ×４０ｍｍ
×６５ｍｍ程度の大きさの外装ケースと、その中に充填
する注型樹脂（エポキシレジン等）が必要となり、高価
でかつディスプレイモニタ内での設置場所の制約があ
り、構造上、取り扱いが難しい。また、高圧接続が必要
となるため、高圧接続部（高圧コネクタ２０）の信頼性
確保が難しいなどの問題がある。
【００１１】さらに、高圧コンデンサ２はＦＢＴ１の高
圧レギュレーション改善の目的で用いており、ブラウン
管１１と並列に接続することにより、画面の変化（高圧
負荷電流の変化）時に電圧の安定化を図っている。とこ
ろがコンデンサ容量が少ないと負荷電流変化時のリップ
ルが大きくなり、これが電界の変化となり、ブラウン管
１１の表面から不要輻射が発生する。
圧レギュレーション改善の目的で用いており、ブラウン
管１１と並列に接続することにより、画面の変化（高圧
負荷電流の変化）時に電圧の安定化を図っている。とこ
ろがコンデンサ容量が少ないと負荷電流変化時のリップ
ルが大きくなり、これが電界の変化となり、ブラウン管
１１の表面から不要輻射が発生する。
【００１２】本発明は、上記の点に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、外装ケース及び注型
樹脂で絶縁された高価な外付高圧コンデンサを用いるこ
となく、安価で高圧絶縁が容易で、かつ取り扱いが簡便
で輻射電界、交番電界を低減できるフライバックトラン
スを提供することにある。
であり、その目的とするところは、外装ケース及び注型
樹脂で絶縁された高価な外付高圧コンデンサを用いるこ
となく、安価で高圧絶縁が容易で、かつ取り扱いが簡便
で輻射電界、交番電界を低減できるフライバックトラン
スを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するため、複数分割された２次側の各高圧コイルごとに
直列に高圧整流用ダイオードを接続し、その最終段の高
圧整流用ダイオードのカソード側に高圧コンデンサを接
続するフライバックトランスにおいて、前記高圧コンデ
ンサは、誘電体フィルムを用いてコイル状に巻いたフィ
ルムコンデンサで構成し、該コンデンサのフィルムの中
間部から引き出したリードを高圧側リードとして前記最
終段の高圧整流用ダイオードのカソード側と接続し、フ
ィルムの両端側から引き出した２本のリードをアース側
リードとしたことを特徴とするものである。
するため、複数分割された２次側の各高圧コイルごとに
直列に高圧整流用ダイオードを接続し、その最終段の高
圧整流用ダイオードのカソード側に高圧コンデンサを接
続するフライバックトランスにおいて、前記高圧コンデ
ンサは、誘電体フィルムを用いてコイル状に巻いたフィ
ルムコンデンサで構成し、該コンデンサのフィルムの中
間部から引き出したリードを高圧側リードとして前記最
終段の高圧整流用ダイオードのカソード側と接続し、フ
ィルムの両端側から引き出した２本のリードをアース側
リードとしたことを特徴とするものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明においては、内蔵高圧コン
デンサの内部インピーダンスを小さくすることにより、
輻射電界を低減し、また交番電界と等価的に同一振幅と
なるパルスを、内蔵高圧コンデンサを通してブラウン管
のアノードに重畳することにより、交番電界の振幅を低
減している。
デンサの内部インピーダンスを小さくすることにより、
輻射電界を低減し、また交番電界と等価的に同一振幅と
なるパルスを、内蔵高圧コンデンサを通してブラウン管
のアノードに重畳することにより、交番電界の振幅を低
減している。
【００１５】以下、本発明の実施の形態を図面に基づい
て説明する。図１は、第１の実施の形態に係るＦＢＴの
回路図である。
て説明する。図１は、第１の実施の形態に係るＦＢＴの
回路図である。
【００１６】複数に分割された高圧コイル６ａ〜６ｄの
出力側（巻き終わり端）にそれぞれ高圧整流用タイオー
ド３ａ〜３ｄを接続し、内蔵コンデンサ２と２′が並列
接続され、さらにブラウン管アノード出力部１５に接続
されている。
出力側（巻き終わり端）にそれぞれ高圧整流用タイオー
ド３ａ〜３ｄを接続し、内蔵コンデンサ２と２′が並列
接続され、さらにブラウン管アノード出力部１５に接続
されている。
【００１７】図２は図１に用いる高圧コンデンサ２，
２′の構造を示した図、図３はそのコンデンサ２，２′
の等価回路図である。
２′の構造を示した図、図３はそのコンデンサ２，２′
の等価回路図である。
【００１８】ここで高圧コンデンサ２，２′として、ポ
リエステルフィルムなどの誘電体フィルムＦを重ねて構
成した、いわゆるフィルムコンデンサを用いている。こ
の実施の形態の特徴は、個別のフィルムコンデンサを２
個使用する代わりに、フィルムコンデンサの略中間にア
ルミニウム箔を入れてこれにリードを接続して高圧側電
極２２ａとし、フィルムコンデンサの両端にもアルミニ
ウム箔を入れてアース側電極２２ｂとしている。２３は
アルミニウムの蒸着膜からなる内部電極である。
リエステルフィルムなどの誘電体フィルムＦを重ねて構
成した、いわゆるフィルムコンデンサを用いている。こ
の実施の形態の特徴は、個別のフィルムコンデンサを２
個使用する代わりに、フィルムコンデンサの略中間にア
ルミニウム箔を入れてこれにリードを接続して高圧側電
極２２ａとし、フィルムコンデンサの両端にもアルミニ
ウム箔を入れてアース側電極２２ｂとしている。２３は
アルミニウムの蒸着膜からなる内部電極である。
【００１９】高圧コンデンサ２，２′はブラウン管１１
と並列に接続することにより、画面の変化（高圧負荷電
流の変化）時に電圧の安定化を図っている。コンデンサ
容量が少ないと負荷電流変化時のリップルが大きくな
り、これが電界の変化となり、ブラウン管１１の表面か
ら不要輻射が発生する。一方、コンデンサの容量が大き
くなるとリップルが小さくなり、不要輻射も小さくな
る。
と並列に接続することにより、画面の変化（高圧負荷電
流の変化）時に電圧の安定化を図っている。コンデンサ
容量が少ないと負荷電流変化時のリップルが大きくな
り、これが電界の変化となり、ブラウン管１１の表面か
ら不要輻射が発生する。一方、コンデンサの容量が大き
くなるとリップルが小さくなり、不要輻射も小さくな
る。
【００２０】ところで、フィルムコンデンサはコイル状
に巻いて構成するため、容量を増やすのはフィルムＦ及
び電極２３を長くし、巻数を増やすことで容易に対応で
きる。
に巻いて構成するため、容量を増やすのはフィルムＦ及
び電極２３を長くし、巻数を増やすことで容易に対応で
きる。
【００２１】一方、内部電極２３は蒸着などの薄膜技術
によって形成されているため厚みが数百Åと非常に薄い
ことから、図３に示すような等価回路となり、フィルム
Ｆ及び電極２３を長くし巻数を増やすと、内部インピー
ダンス（等価直列抵抗：ＥＳＲ）が大きくなる特性があ
る。
によって形成されているため厚みが数百Åと非常に薄い
ことから、図３に示すような等価回路となり、フィルム
Ｆ及び電極２３を長くし巻数を増やすと、内部インピー
ダンス（等価直列抵抗：ＥＳＲ）が大きくなる特性があ
る。
【００２２】図４にコンデンサの容量とＥＳＲの関係を
示す。同じ３０ＫＶのコンデンサにおいてフィルム及び
電極を長くし巻数を増やして３０００ｐＦを６０００ｐ
Ｆに増やした場合、周波数１００ＫＨｚでのＥＳＲ値は
１５０Ωが２９０Ωとなる。ＥＳＲがあることはコンデ
ンサにおいては等価容量が減少することとなり、ＥＳＲ
が増えることは等価容量がさらに減少することになる。
示す。同じ３０ＫＶのコンデンサにおいてフィルム及び
電極を長くし巻数を増やして３０００ｐＦを６０００ｐ
Ｆに増やした場合、周波数１００ＫＨｚでのＥＳＲ値は
１５０Ωが２９０Ωとなる。ＥＳＲがあることはコンデ
ンサにおいては等価容量が減少することとなり、ＥＳＲ
が増えることは等価容量がさらに減少することになる。
【００２３】図５にフィルムコンデンサでのＥＳＲの影
響による容量変化率（ΔＣ）の周波数特性を示す。容量
を３０００ｐＦから６０００ｐＦに増やしても容量変化
率（ΔＣ）が大きくなると実質的な容量増加の効果が得
られなくなる。従って、巻数を増やしてコンデンサの容
量を増大しても負荷電流変化時のリップルが低減しなく
なる。
響による容量変化率（ΔＣ）の周波数特性を示す。容量
を３０００ｐＦから６０００ｐＦに増やしても容量変化
率（ΔＣ）が大きくなると実質的な容量増加の効果が得
られなくなる。従って、巻数を増やしてコンデンサの容
量を増大しても負荷電流変化時のリップルが低減しなく
なる。
【００２４】また、ブラウン管に流す電流が増加した場
合、コンデンサに充電していた電荷がブラウン管に供給
されるようになるが、コンデンサにＥＳＲがあると、
〔インピーダンス×電流〕分の電圧変化が生じ、これが
リップルとなり、不要輻射となる。
合、コンデンサに充電していた電荷がブラウン管に供給
されるようになるが、コンデンサにＥＳＲがあると、
〔インピーダンス×電流〕分の電圧変化が生じ、これが
リップルとなり、不要輻射となる。
【００２５】ここで図２のコンデンサは、１個のコンデ
ンサを１／２にした形となっており（内部の電極数を同
じにするとコンデンサを２個並列にした形となる）、従
来のように、仮に容量を２倍にする場合に比較し、同じ
容量であればＥＳＲを１／２にできる。よって負荷電流
が変化した場合のリップルを１／２以下にでき、結局、
輻射電界が大幅に低減される。これは別々の２個のコン
デンサを用いても同じ効果が得られるが、形状が大きく
なるため、図２の構成で容量を増やす方が得策である。
ンサを１／２にした形となっており（内部の電極数を同
じにするとコンデンサを２個並列にした形となる）、従
来のように、仮に容量を２倍にする場合に比較し、同じ
容量であればＥＳＲを１／２にできる。よって負荷電流
が変化した場合のリップルを１／２以下にでき、結局、
輻射電界が大幅に低減される。これは別々の２個のコン
デンサを用いても同じ効果が得られるが、形状が大きく
なるため、図２の構成で容量を増やす方が得策である。
【００２６】図４に図２に示す構成で容量を増やしたと
きのＥＳＲを、１５００ｐＦ×２（▲印），３０００ｐ
Ｆ×２（△印）として、同一容量の１個の３０００ｐＦ
（●印），６０００ｐＦ（○印）のＥＳＲと比較して示
す。この図から明らかなようにＥＳＲは２個の場合、１
個のときの１／２となる。このことは３０００ｐＦを６
０００ｐＦに増やすとき、図２の構成だと容量が２倍で
ＥＳＲは１／４になることを意味する。
きのＥＳＲを、１５００ｐＦ×２（▲印），３０００ｐ
Ｆ×２（△印）として、同一容量の１個の３０００ｐＦ
（●印），６０００ｐＦ（○印）のＥＳＲと比較して示
す。この図から明らかなようにＥＳＲは２個の場合、１
個のときの１／２となる。このことは３０００ｐＦを６
０００ｐＦに増やすとき、図２の構成だと容量が２倍で
ＥＳＲは１／４になることを意味する。
【００２７】図５に前記各コンデンサの容量変化率（Δ
Ｃ）と周波数との関係を示す。この図から明らかなよう
に、●印ならびに○印のコンデンサに比べて２個の場合
（▲印，△印）は容量変化率（ΔＣ）が小さくでき、特
に周波数が１００ＫＨｚを超えるとその差は大きくな
る。
Ｃ）と周波数との関係を示す。この図から明らかなよう
に、●印ならびに○印のコンデンサに比べて２個の場合
（▲印，△印）は容量変化率（ΔＣ）が小さくでき、特
に周波数が１００ＫＨｚを超えるとその差は大きくな
る。
【００２８】図６はスウェーデンのＴＣＯ規格を参考に
して、１個のコンデンサを使用した場合と、前記２個並
列タイプのコンデンサを使用した場合の輻射電界を測定
した結果を示す図である。この図から明らかなように、
輻射電界規定値の１Ｖを満足するのに１個のコンデンサ
では９０００ｐＦ必要となるのに対し、２個並列タイプ
では６０００ｐＦで満足できた。ＴＣＯ規格は輻射電界
の周波数特性を規定しており、この規格のＶＬＥＦ（周
波数２〜４００ＫＨｚ）でこの結果が得られた。
して、１個のコンデンサを使用した場合と、前記２個並
列タイプのコンデンサを使用した場合の輻射電界を測定
した結果を示す図である。この図から明らかなように、
輻射電界規定値の１Ｖを満足するのに１個のコンデンサ
では９０００ｐＦ必要となるのに対し、２個並列タイプ
では６０００ｐＦで満足できた。ＴＣＯ規格は輻射電界
の周波数特性を規定しており、この規格のＶＬＥＦ（周
波数２〜４００ＫＨｚ）でこの結果が得られた。
【００２９】図７は、図１の高圧コンデンサ２個のうち
１個に逆パルス発生コイルを接続した第２の実施形態の
回路図である。
１個に逆パルス発生コイルを接続した第２の実施形態の
回路図である。
【００３０】水平出力トランジスタ１６のコレクタ側に
発生するコレクタパルスをＶｃｐとし、１次巻線１７の
巻数をＮ1 、逆パルス発生用コイル４の巻数をｅ2 とす
ると、逆パルス発生用コイル４の両端のパルス波高値ｅ
P は下式で表される。
発生するコレクタパルスをＶｃｐとし、１次巻線１７の
巻数をＮ1 、逆パルス発生用コイル４の巻数をｅ2 とす
ると、逆パルス発生用コイル４の両端のパルス波高値ｅ
P は下式で表される。
【００３１】ｅP ＝−（Ｖｃｐ×ｅ2 ）／Ｎ1 図１において、ブラウン管１１（図１２参照）は構造上
限界の容量があり、内蔵高圧コンデンサ２は、ブラウン
管容量を補正するために、ＦＢＴ１の内部に設けてあ
る。
限界の容量があり、内蔵高圧コンデンサ２は、ブラウン
管容量を補正するために、ＦＢＴ１の内部に設けてあ
る。
【００３２】この高圧の容量（ブラウン管容量＋内蔵高
圧コンデンサ容量）は高圧の安定化を図るためのもの
で、この高圧容量が少ないと、高圧負荷電流の変化によ
るリップルが大きくなり、この電圧変化がブラウン管１
１の画面上でくねり等の現象を引き起こすと同時に、交
番電界の原因となる。
圧コンデンサ容量）は高圧の安定化を図るためのもの
で、この高圧容量が少ないと、高圧負荷電流の変化によ
るリップルが大きくなり、この電圧変化がブラウン管１
１の画面上でくねり等の現象を引き起こすと同時に、交
番電界の原因となる。
【００３３】また、内蔵高圧コンデンサ２の容量を変え
ることで、印加する逆パルスの波高値を調整できる。容
量を大きくすると波高値は高くなり、容量を小さくする
と波高値は低くなる。
ることで、印加する逆パルスの波高値を調整できる。容
量を大きくすると波高値は高くなり、容量を小さくする
と波高値は低くなる。
【００３４】本発明は、逆パルスをブラウン管陽極電極
に印加する役割の容量機能と、上記、高圧安定化のため
のブラウン管容量機能の両方を兼用できるものである。
に印加する役割の容量機能と、上記、高圧安定化のため
のブラウン管容量機能の両方を兼用できるものである。
【００３５】図８、図９は本発明のＦＢＴの第３ならび
に第４の実施形態を説明するためのものである。
に第４の実施形態を説明するためのものである。
【００３６】このようにコンデンサ２，２’を２個並列
にすると、速いスピードの負荷電流の変化に対して、高
圧検出のスピードを速め、高圧補正回路のスピードを速
くする使い方が可能となる。
にすると、速いスピードの負荷電流の変化に対して、高
圧検出のスピードを速め、高圧補正回路のスピードを速
くする使い方が可能となる。
【００３７】ブリーダ抵抗器２４で高圧を検出し、これ
を高圧補正回路にフィードバックして高圧を補正し安定
化する場合、ブリーダ抵抗器２４を高圧コイル６の近辺
に配置すると、ブリーダ抵抗器２４とコイル６の間に分
布容量が生じる。その結果、図１０（ｃ）に示すよう
に、高圧検出電圧が高圧に追従しなくなり、その後補正
回路で補正しても高圧が安定せず、これも電界変化とし
て現れる。
を高圧補正回路にフィードバックして高圧を補正し安定
化する場合、ブリーダ抵抗器２４を高圧コイル６の近辺
に配置すると、ブリーダ抵抗器２４とコイル６の間に分
布容量が生じる。その結果、図１０（ｃ）に示すよう
に、高圧検出電圧が高圧に追従しなくなり、その後補正
回路で補正しても高圧が安定せず、これも電界変化とし
て現れる。
【００３８】ここでコンデンサ２，２’を図８に示すよ
うに分離し、逆パルス発生用巻線４を接続しない側のコ
ンデンサ２’のアース側をブリーダ抵抗器２４の高圧検
出部２７に接続すると、図１０（ｂ）に示すように、コ
ンデンサ２’の値によって検出電圧の波形が改善でき
る。
うに分離し、逆パルス発生用巻線４を接続しない側のコ
ンデンサ２’のアース側をブリーダ抵抗器２４の高圧検
出部２７に接続すると、図１０（ｂ）に示すように、コ
ンデンサ２’の値によって検出電圧の波形が改善でき
る。
【００３９】図１０（ｄ）は波形補正が効き過ぎた状態
を示し、図１０（ｃ）は波形補正が効いていない状態を
示す。図１０（ｂ）は高圧変化と高圧検出電圧とが同じ
波形であり、最も追従のよい状態を示す。この結果、高
圧検出のスピードが速くなる。
を示し、図１０（ｃ）は波形補正が効いていない状態を
示す。図１０（ｂ）は高圧変化と高圧検出電圧とが同じ
波形であり、最も追従のよい状態を示す。この結果、高
圧検出のスピードが速くなる。
【００４０】図９は、高圧検出スピードを速くする他の
構成を示す回路図である。逆パルス発生用巻線４を接続
しない側のコンデンサ２’のアース側に別のコンデンサ
２５を接続し、この接続部とブリーダ抵抗器２４の高圧
検出部２７の間に別のコンデンサ２６を接続すると、図
８と同じ効果を得ることができる。
構成を示す回路図である。逆パルス発生用巻線４を接続
しない側のコンデンサ２’のアース側に別のコンデンサ
２５を接続し、この接続部とブリーダ抵抗器２４の高圧
検出部２７の間に別のコンデンサ２６を接続すると、図
８と同じ効果を得ることができる。
【００４１】なおコンデンサ２５の値は、コンデンサ２
５とコンデンサ２′で分圧される電圧が、高圧検出電圧
と高圧の比に合うように設定する。そうすると、コンデ
ンサ２６の両端の電位差は小さくなり、電圧定格の低い
ものが使用できる。この場合はコンデンサ２′の値が大
きくても、コンデンサ２５と２６の値で自由に波形補正
が可能となる。
５とコンデンサ２′で分圧される電圧が、高圧検出電圧
と高圧の比に合うように設定する。そうすると、コンデ
ンサ２６の両端の電位差は小さくなり、電圧定格の低い
ものが使用できる。この場合はコンデンサ２′の値が大
きくても、コンデンサ２５と２６の値で自由に波形補正
が可能となる。
【００４２】このようにコンデンサのアース側の一方を
高圧補正回路のスピードアップとして使用でき、高圧安
定度の改善が図れることになり、高圧リップルが抑えら
れるから、不要輻射の低減を図ることができる。
高圧補正回路のスピードアップとして使用でき、高圧安
定度の改善が図れることになり、高圧リップルが抑えら
れるから、不要輻射の低減を図ることができる。
【００４３】
【発明の効果】請求項１記載の本発明によれば、高圧コ
ンデンサの内部インピーダンスを小さくできるため、ブ
ラウン管の負荷電流が変化したとき高圧コンデンサから
供給する電圧の変化が抑えられるため、不要輻射低減が
可能となる。
ンデンサの内部インピーダンスを小さくできるため、ブ
ラウン管の負荷電流が変化したとき高圧コンデンサから
供給する電圧の変化が抑えられるため、不要輻射低減が
可能となる。
【００４４】請求項２、３記載のように、交番電界と等
価的に同一振幅となる逆パルスを、内蔵高圧コンデンサ
のアース側リードから重畳することにより、ブラウン管
の内装黒鉛膜に誘起している偏向ヨークの水平パルスを
キャンセルできるため、外装ケース及び注型樹脂で絶縁
された高価な外付高圧コンデンサが省略できる。そのた
め安価で、構造上、取り扱いが容易なフライバックトラ
ンスを提供することができる。
価的に同一振幅となる逆パルスを、内蔵高圧コンデンサ
のアース側リードから重畳することにより、ブラウン管
の内装黒鉛膜に誘起している偏向ヨークの水平パルスを
キャンセルできるため、外装ケース及び注型樹脂で絶縁
された高価な外付高圧コンデンサが省略できる。そのた
め安価で、構造上、取り扱いが容易なフライバックトラ
ンスを提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るフライバック
トランスの回路図である。
トランスの回路図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係るフライバック
トランスに用いるコンデンサの構造を示す説明図であ
る。
トランスに用いるコンデンサの構造を示す説明図であ
る。
【図３】図２のコンデンサの等価回路図である。
【図４】各コンデンサにおけるＥＳＲと周波数との関係
を示す特性図である。
を示す特性図である。
【図５】各コンデンサにおける容量変化率と周波数との
関係を示す特性図である。
関係を示す特性図である。
【図６】各コンデンサにおける容量と電界輻射との関係
を示す特性図である。
を示す特性図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係るフライバック
トランスの回路図である。
トランスの回路図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態に係るフライバック
トランスの回路図である。
トランスの回路図である。
【図９】本発明の第４の実施の形態に係るフライバック
トランスの回路図である。
トランスの回路図である。
【図１０】本発明の実施の形態に係るフライバックトラ
ンス回路の動作を示す波形図である。
ンス回路の動作を示す波形図である。
【図１１】従来のフライバックトランスの交番電界低減
回路図である。
回路図である。
【図１２】従来の交番電界低減システムの例を示す回路
図である。
図である。
【図１３】従来の交番電界低減システムの等価回路図で
ある。
ある。
【図１４】従来のフライバックトランスに使用していた
外付高圧コンデンサの外観図である。
外付高圧コンデンサの外観図である。
【図１５】その外付高圧コンデンサの内部回路図であ
る。
る。
１ フライバックトランス（ＦＢＴ） ２，２′ 内蔵高圧コンデンサ ３ａ〜３ｄ 高圧整流用タイオード ４ ３次側逆パルス発生用巻線 ６ａ〜６ｄ 高圧コイル １１ ブラウン管 １２ パネル透明導電膜 ２２ コンデンサの高圧側電極 ２３ コンデンサのアース側電極 ２４ 高圧検出用ブリーダ抵抗器 ２５，２６ コンデンサ Ｆ 誘電体フィルム
Claims (3)
- 【請求項１】 複数分割された２次側の各高圧コイルご
とに直列に高圧整流用ダイオードを接続し、その最終段
の高圧整流用ダイオードのカソード側に高圧コンデンサ
を接続するフライバックトランスにおいて、 前記高圧コンデンサは、誘電体フィルムを用いてコイル
状に巻いたフィルムコンデンサで構成し、該コンデンサ
のフィルムの中間部から引き出したリードを高圧側リー
ドとして前記最終段の高圧整流用ダイオードのカソード
側と接続し、フィルムの両端側から引き出した２本のリ
ードをアース側リードとしたことを特徴とするフライバ
ックトランス。 - 【請求項２】 請求項１記載において、前記高圧コンデ
ンサの一方のアース側リードはグラウンドに接続し、他
方のアース側リードに逆パルス発生用巻線を接続して、
その巻線から発生する逆パルスを前記最終段の高圧整流
用ダイオードのカソード側に重畳するように構成したこ
とを特徴とするフライバックトランス。 - 【請求項３】 請求項１記載において、前記高圧コンデ
ンサの一方のアース側リードは高圧補正回路の高圧検出
に用いる抵抗器の高圧検出電圧取り出し端子に接続し、
他方のアース側リードに逆パルス発生用巻線を接続し
て、その巻線から発生する逆パルスを前記最終段の高圧
整流用ダイオードのカソード側に重畳するように構成し
たことを特徴とするフライバックトランス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8015424A JPH09213552A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | フライバックトランス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8015424A JPH09213552A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | フライバックトランス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09213552A true JPH09213552A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=11888399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8015424A Pending JPH09213552A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | フライバックトランス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09213552A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021009865A1 (ja) * | 2019-07-17 | 2021-01-21 | 株式会社メイコー | 高密度多層基板、及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-01-31 JP JP8015424A patent/JPH09213552A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021009865A1 (ja) * | 2019-07-17 | 2021-01-21 | 株式会社メイコー | 高密度多層基板、及びその製造方法 |
| JPWO2021009865A1 (ja) * | 2019-07-17 | 2021-09-13 | 株式会社メイコー | 高密度多層基板、及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040219 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040224 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040706 |