JPH09213645A - ウェーハ支持装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は半導体ウェーハの熱処理用のボート
として複数の支持部材を組立てて形成されるウェーハ支
持装置に関し、高温処理時に半導体ウェーハに傷をつけ
ることなく、装着時におけるスリップ等が発生せず、使
用ライフが長いウェーハ支持装置を提供することを目的
としている。 【解決手段】一対の支持本体部材１、２、一対の側枠部
材３、４及び保持片５１、〜、５４を組立てて形成され
るウェーハ支持装置において、前記一対の支持本体部材
１、２、一対の側枠部材３、４及び保持片５１、〜、５
４の組立により形成される接合部分をＣＶＤ膜１００で
被覆するものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハの熱
処理用のボートとして用いられるウェーハ支持装置に関
し、特に複数の支持部材を組立てて形成されるウェーハ
支持装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウェーハの熱処理に用いられるウ
ェーハ支持装置としては、一般的には重金属不純物の含
有量の少ない石英が使用されている。しかし、石英は高
温（１１００℃以上）で変形することから、支持してい
る半導体ウェーハにスリップ等を発生させる虞れがあ
る。そのため、高温熱処理用のウェーハ支持装置として
はシリコンカーバイト（以下ＳｉＣ）ボートやシリコン
ボートが使用されている実情にある。このＳｉＣボート
はシリコンボートに比べ重金属不純物の含有量が多いた
め、重金属汚染の低減が必要な場合はシリコンボートが
使用される傾向にある。

【０００３】従来、この種のウェーハ支持装置としての
シリコンボートはシリコンで形成された部品である支持
部材を組立てて形成され、これを図５ないし図７に示
す。この図５は横型の組立式ウェーハ支持装置の組立て
状態説明図、図６は図５に記載するウェーハ支持装置を
組立てた場合の組付け構造部分拡大図及びそのＡ’−
Ａ’断面図、図７は縦型の組立式ウェーハ支持装置の組
立て状態説明図である。

【０００４】前記図５において横型の組立式ウェーハ支
持装置は、半導体ウェーハを支持する一対の支持本体部
材１、２と、この一対の支持本体部材１、２の両側を固
定する一対の側枠部材３、４と、この支持本体部材１、
２と側枠部材３、４との各組付け部分を拘持する保持片
５１、〜、５４とを備える構成である。この支持本体部
材１（又は２）は、略方形状の枠体からなり、この枠体
の一側のほぼ全面に亘って半導体ウェーハの外周端を挾
持して支承溝１１（又は２１）が切削形成されると共
に、前記枠体の両側に鉤状溝部１２ａ，１３ａ（又は２
２ａ，２３ａ）を有する嵌合突起部１２、１３（又は２
２、２３）が形成される構成である。前記側枠部材３
（又は４）は、略台形状の板体からなり、この板体にお
ける逆ハの字状の対称な位置に矩形状の取付孔３１、３
２（又は４１、４２）が穿設され、この取付孔３１、３
２（又は４１、４２）に前記嵌合突起部１２、１３（又
は２２、２３）が挿通される構成である。前記保持片５
１、〜、５４は、前記支持本体部材１（又は２）におけ
る嵌合突起部１２、１３（又は２２、２３）の鉤状溝部
１２ａ，１３ａ（又は２２ａ，２３ａ）に嵌合する凹溝
部分を有して形成される構成である。

【０００５】また、前記図７において縦型の組立式ウェ
ーハ支持装置は、半導体ウェーハを支持する一対の支持
本体部材６、７と、この一対の支持本体部材６、７の下
端を固定する基板８と、前記一対の支持本体部材６、７
の上端を固定する天板９とを備える構成である。この支
持本体部材６（又は７）は、棒状体からなる二つの支持
杆６１、６２（又は７１、７２）を対峙して配設し、こ
の二つの支持杆６１、６２（又は７１、７２）を３つの
固定片６３（又は７３）で一体的に組付ける構成であ
る。この支持杆６１（又は６２、７１、７２）は、半導
体ウェーハの外周端部分を挾持して支持する支承溝６１
ｃ（又は６２ｃ、７１ｃ，７２ｃ）が一側面のほぼ中間
部分全域に亘って形成され、この棒状体の両端部分に前
記基板８及び天板９の各固定孔８１（又は８２、９１、
９２）に挿通係合する固定突片６１ａ，６１ｂ（又は６
２ａ，６２ｂ，７１ａ，７１ｂ，７２ａ，７２ｂ）が突
設して形成される構成である。

【０００６】次に、前記構成に基づく従来の各ウェーハ
支持装置の形成・組立て動作を図８に基づいて説明す
る。まず、横型の組立式ウェーハ支持装置にあっては一
対の支持本体部材１、２、一対の側枠部材３、４及び４
個の保持片５１、〜、５４を多結晶又は単結晶シリコン
のインゴットから概略の所定形状に切出す（ステップ１
１）。なお、縦型の組立式ウェーハ支持装置では一対の
支持本体部材６、７、基板８及び天板９を多結晶又は単
結晶シリコンのインゴットから概略の所定形状に切出す
（ステップ１１）。この切出された各部材を予め設計さ
れた所定の加工精度で研削加工を行なう（ステップ１
２）。この研削加工された各部材の結晶に残留する加工
歪層及び汚れを除去するためにＨＦ、ＨＮＯ3の混酸を
用いて化学エッチング処理を行なう（ステップ１３）。

【０００７】前記化学エッチング処理された各部材を各
々組立てる（ステップ１４）。この組立て作業において
横型の組立式ウェーハ支持装置は、図６（Ａ）、（Ｂ）
に一部分の組立詳細として示すように、一対の支持本体
部材１、２の嵌合突起部１２、２２を側枠部材３の取付
孔３１、３２に挿通し、この挿通した嵌合突起部１２、
２２の鉤状溝部１２ａ、２２ａに保持片５１、５２を嵌
合係止する。また、一対の支持本体部材１、２の嵌合突
起部１３、２３を側枠部材４の取付孔４１、４２に挿通
し、この挿通した嵌合突起部１３、２３の鉤状溝部１３
ａ、２３ａの保持片５３、５４を嵌合係止することによ
り組立てを完了する。

【０００８】また、前記組立て作業において縦型の組立
式ウェーハ支持装置は、各２つの支持杆６１、６２（及
び７１、７２）を各３つの固定片６３（及び７３）で一
体的に組付けることにより一対の支持本体部材６（及び
７）が形成される。この形成された一対の支持本体部材
６（及び７）の下端側に各々突出する固定突片６１ａ、
６２ａ（及び７１ａ、７２ａ）を基板８の固定孔８１
（及び８２）に嵌合させて固定する。さらに、前記一対
の支持本体部材６（及び７）の上端側に各々突出する固
定突片６１ｂ、６２ｂ（及び７１ｂ、７２ｂ）を天板９
の固定孔９１（及び９２）に嵌合させて固定することに
より組立てを完了する。前記組立てられたウェーハ支持
装置はフッ酸（以下ＨＦ）を用いて化学的洗浄して再度
浄化動作を行なう（ステップ１５）。この洗浄されたウ
ェーハ支持装置が高温熱処理炉にセットされ、半導体ウ
ェーハがチャージされ、この半導体ウェーハと共に熱処
理される（ステップ１６）。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の製造方式により組立てて形成されたウェーハ支持装
置は、複数の部材を嵌合等により組立てているために各
部材相互間の嵌合部分及び接合部分に図６（Ｂ）に示す
ような隙間１０が存在するように多少の遊びをもたせて
いる。また、各シリコン部材を予め設計された図面形状
に従って研削した後、各シリコン部材の加工ダメージ及
び汚れをＨＦ、ＨＮＯ3の混酸でエッチング除去してい
るため、各部材相互間の嵌合部分及び接合部分に隙間１
０が形成されて必ず組立てたあとぐらつきが発生するこ
ととなる。これらのぐらつきによって、ウェーハ支持装
置における支持本体部材１（又は２、６、７）の各支承
溝１１（又は２１、６１ｃ、６２ｃ、７１ｃ、７２ｃ）
中に極めて隣接して複数支承される半導体ウェーハ相互
間の接触によりウェーハ周辺に傷が発生したり、半導体
ウェーハが支持本体部材１（又は２、６、７）上でスリ
ップの原因になったりしていた。また、ウェーハ移載に
ロボットを使用している場合には、移載トラブルが発生
し、生産に支障をきたすという課題を有していた。

【００１０】また、酸化性雰囲気中で高温熱処理を行な
うとウェーハ支持装置に酸化膜が成長することとなり、
装置自体の清浄度を上げる目的でＨＦの化学洗浄を行な
うと、この化学洗浄により酸化膜が取除かれるためにさ
らにぐらつきが大きくなったりする。このようなぐらつ
きが所定限度以上に大きくなるとウェーハ支持装置とし
ての使用が困難となるために、ウェーハ支持装置の使用
ライフが短く交換頻度が多くなり、消耗資材費が高くな
るという課題を有していた。本発明は前記課題を解消す
るためになされたもので、高温処理時に半導体ウェーハ
に傷をつけることなく、支承時におけるスリップ等が発
生せず、使用ライフが長いウェーハ支持装置を提供する
ことを目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明に係るウェーハ支
持装置は、複数の支持部材を組立てて形成されるウェー
ハ支持装置において、前記各支持部材の組立により形成
される接合部分をＣＶＤ（Ｃhemical Ｖapor Ｄeposi
tion）膜で被覆するものである。このように本発明によ
れば、複数の各支持部材間における接合部分をＣＶＤ膜
で被覆するようにしているので、各支持部材を組合わせ
た接合部分の隙間にＣＶＤ膜が入込み、各支持部材相互
間を緊合状態とすることにより装置全体のぐらつきを無
くすことができる。特に、複数の各支持部材における接
合部分に形成される隙間部分にはＣＶＤ膜が盛上がるよ
うに厚く成膜されることから、各支持部材相互間をＣＶ
Ｄ膜により強固に結合できる。このように装置のぐらつ
きを無くすことによりウェーハ移載時の半導体ウェーハ
への傷を極力抑制できると共に、スリップ等によるウェ
ーハの歩留低下を防止でき、製品歩留の向上が可能とな
る。また、酸化性雰囲気で処理される場合は、各支持部
材本体に酸化膜が形成される前にＣＶＤ膜を取除いて、
再度ＣＶＤ膜を形成することによって各支持部材のぐら
つきが大きくなることを防止できる。これにより、ウェ
ーハ支持装置自体の使用ライフを長く維持でき、交換頻
度を極力低減できるため消耗資材の低減が可能となる。

【００１２】また、本発明に係るウェーハ支持装置は必
要に応じて、前記ＣＶＤ膜が前記支持部材の材質に対応
したポリシリコン膜若しくはシリコンカーバイト膜、又
は前記支持部材上に生成された被覆膜と同じ窒化膜若し
くは酸化膜であるものである。このように本発明におい
ては、ＣＶＤ膜を支持部材の材質又は被覆膜に対応させ
てポリシリコン膜、シリコンカーバイト膜、窒化膜又は
酸化膜とすることにより、耐熱特性を部材全体で均一に
できることとなり、各部材の変形、変質を防止して装置
全体の組立堅牢性及び安定性をより向上させる。

【００１３】また、本発明に係るウェーハ支持装置の製
造方法は、複数の支持部材を組立てて形成されるウェー
ハ支持装置の製造方法において、前記複数の支持部材を
組立てる組立工程と、当該組立工程により組立られたウ
ェーハ支持装置を減圧又は低圧状態の反応室内に収納
し、気相又は前記支持部材の表面での化学反応により各
支持部材の組立により形成される接合部分にＣＶＤ膜で
被覆する成膜工程とを備えるものである。このように本
発明においては、複数の支持部材を組立てた後に、減圧
又は低圧状態の反応室で各支持部材の接合部分をＣＶＤ
膜で被覆するようにしているので、各支持部材の接合部
分に形成される隙間内の奥までＣＶＤ膜を入り込ませて
成膜することにより、装置自体のぐらつきをより確実に
防止できる。

【００１４】

【発明の実施の形態】

（本発明の一実施の形態）以下、本発明の一実施形態に
係るウェーハ支持装置をその製造方法と共に図１及び図
２に基づいて、前記図５を参照して説明する。この図１
は図５に記載のウェーハ支持装置を組立てた場合の組付
け構造部分拡大図及びそのＡ−Ａ線断面図、図２は図１
に記載のウェーハ支持装置の形成及び組立の動作フロー
チャートである。同図において本実施の形態に係るウェ
ーハ支持装置は、前記図５及び図６に記載の従来のウェ
ーハ支持装置と同様にシリコンを材料とする各支持部材
で組立てられ、この各支持部材を組立てた後に全体をＣ
ＶＤ炉（図示を省略）に収納してポリシリコンのＣＶＤ
膜を成膜することを追加する構成である。前記各支持部
材としては、一対の支持本体部材１、２、一対の側枠部
材３、４及び保持片５１、〜、５４からなり、前記図１
においては支持本体部材１と側枠部材３とを保持片５１
により組付ける構成についてのみ示す。このようにして
組付けられた各支持部材に対するＣＶＤ膜の成膜は、各
支持部材の全体を薄いＣＶＤ膜１００で被覆し、各支持
部材相互間で形成されるコーナー部分に厚いＣＶＤ膜１
０１を生成すると共に、各支持部材相互間に存在する隙
間１０の部分に盛上がったＣＶＤ膜１０２を生成するよ
うに形成される構成である。

【００１５】次に、前記構成に基づく本実施形態に係る
ウェーハ支持装置の形成及び組立て動作について説明す
る。まず、前記従来装置の場合と同様に多結晶又は単結
晶シリコンのインゴットから支持本体部材１、２、側枠
部材３、４及び保持片５１、〜、５４を切出し（ステッ
プ１，図８においてはステップ１１に相当）、これらの
各部材を所定の加工精度で研削加工し（ステップ２，図
８においてはステップ１２に相当）、この研削加工され
た各部材に化学エッチング処理を行なう（ステップ３，
図８においてはステップ１３に相当）。また、前記化学
エッチング処理された各部材を組立てて（ステップ４，
図８においてはステップ１４に相当）、この組立てられ
たウェーハ支持装置を化学的に洗浄する（ステップ５，
図８においてはステップ１５に相当）。

【００１６】この化学的に洗浄されたウェーハ支持装置
は酸化装置により全体に酸化膜（図示を省略）を形成す
る（ステップ６）。この酸化膜が形成されたウェーハ支
持装置をＣＶＤ炉（図示を省略）内に収納してＣＶＤ膜
１００を成膜する（ステップ７）。このＣＶＤ膜１００
は支持本体部材１、２等の各部材がシリコンのインゴッ
トから切出して形成されていることから、シリコン膜と
して生成されることが望ましい。また、前記ＣＶＤ膜１
００は、例えばＣＶＤ炉内の温度を６２０℃として膜厚
を２μｍ程度に成膜することもできる。このＣＶＤ膜１
００は図１（Ｂ）に示すように支持本体部材１、２、側
枠部材３、４及び保持片５１、〜、５４の各相互間の接
合部分で形成されるコーナー部分に厚いＣＶＤ膜１０１
として堆積生成され、また前記各相互間の接合部分に存
在する隙間１０の付近に盛上がったＣＶＤ膜１０２とし
て生成される。このように各部材相互間の接合部分に特
に厚いＣＶＤ膜１０１又は盛上がったＣＶＤ膜１０２と
することにより、各部材相互間の結合がより強固なもの
となり、装置自体の歪み及びぐらつきを防止することが
できることとなる。

【００１７】さらに、前記ＣＶＤ膜が生成されたウェー
ハ支持装置は高温熱処理炉（図示を省略）に収納セット
され、半導体ウェーハがチャージされてこの半導体ウェ
ーハと共に熱処理される（ステップ８、図８においては
ステップ１６に相当）。なお、前記実施の形態において
は、組立てられたウェーハ支持装置に酸化膜を形成処理
（ステップ６）を行った後にＣＶＤ膜１００の成膜処理
（ステップ７）を行なう構成としたが、ＣＶＤ膜１００
を成膜処理した後に酸化膜を形成処理することもでき、
また酸化膜の形成処理を行なうことなくＣＶＤ膜１００
の成膜処理のみを行なう構成とすることもできる。

【００１８】（本発明の他の実施の形態）図３及び図４
は他の実施の形態に係るウェーハ支持装置の組付け構造
部分拡大図を示す。図３において他の実施形態に係るウ
ェーハ支持装置は、支持本体部材１を側枠部材３に楔部
材５５で結合係止し、この結合係止した各部材にＣＶＤ
膜を成膜するように構成される。この支持本体部材１
は、端部に嵌合突起部１４を突出させて形成され、この
嵌合突起部１４の略中央部分に固定孔１４ａを穿設され
る構成である。また、この支持本体部材１は、前記図１
に記載の支持本体部材１と同様に略中央部の一側面に半
導体ウェーハを挾持する支承溝（図示を省略）が切削形
成される構成である。前記楔部材５５は、先細のテーパ
状に形成された四角柱体からなり、この四角柱体の略中
間部位における断面形状を前記嵌合突起部１４に穿設さ
れた固定孔の開口形状に略一致させる構成である。

【００１９】このウェーハ支持装置の組立て動作は、支
持本体部材１の嵌合突起部１４を側枠部材３の取付孔３
１に挿通し、この挿通した嵌合突起部１４の固定孔１４
ａに楔部材５５を嵌入する。このように楔部材５５が固
定孔１４ａに嵌入され、支持本体部材１に側枠部材３を
閂状に拘持して組付けを行なう。この組付けられた支持
本体部材１、側枠部材３及び楔部材５５との接合部分に
は各々隙間１０が存在し、特に、先細のテーパ状に形成
された楔部材５５と支持本体部材１及び側枠部材３との
間に先細状の大きな隙間１０が存在する。

【００２０】この組付けられたウェーハ支持装置に対し
て前記実施形態と同様にＣＶＤ膜１００を成膜すると、
前記各部材の接合部分及び接合コーナー部分へより厚い
ＣＶＤ膜１０１が堆積生成できる。このように各部材相
互間の接合部分及び先細状の大きな隙間１０の部分に特
に厚いＣＶＤ膜１０１とすることにより、各部材相互間
の結合がより強固なものとなり、装置自体の歪み及びぐ
らつきを防止することができることとなる。

【００２１】図４において他の実施形態に係るウェーハ
支持装置は、支持本体部材１の嵌合突起部１５を側枠部
材３の取付凹部３３に嵌入して結合係止し、この結合係
止した各部材にＣＶＤ膜を成膜するように構成される。
この支持本体部材１は、端部に嵌合突起部１５を突出さ
せて形成され、この嵌合突起部１５の基部を前記取付凹
部３３の溝幅より若干狭い寸法の円柱体とし、この円柱
体の先端部分を前記取付凹部３３の溝幅より拡い寸法の
円柱体で構成される。この組付けられた支持本体部材１
及び側枠部材３との接合部分には各々隙間１０が存在す
る。

【００２２】この組付けられたウェーハ支持装置に対し
て前記実施形態と同様にＣＶＤ膜１００を成膜すると、
前記各部材の接合部分及び接合コーナー部分により厚い
ＣＶＤ膜１０１が堆積生成できる。このように各部材相
互間の接合部分に特に厚いＣＶＤ膜１０１とすることに
より、各部材相互間の結合がより強固なものとなり、装
置自体の歪み及びぐらつきを防止することができること
となる。なお、各実施形態において示した横型のウェー
ハ支持装置における支持本体部材１及び側枠部材３の組
付け構造以外に、図７に示す縦型のウェーハ支持装置に
ついての同様に適用することができる。

【００２３】また、前記各実施形態においては組立てら
れたウェーハ支持装置にポリシリコンのＣＶＤ膜を成膜
する構成としたが、シリコン以外にＳｉＣ膜を用いるこ
とができ、またウェーハ支持装置の各部材上に生成され
る被覆膜と同じ窒化膜、又は酸化膜をＣＶＤ膜とする構
成とすることもできる。また、前記各実施形態において
はＣＶＤ膜を成膜する際に減圧ＣＶＤ装置又は低圧ＣＶ
Ｄ装置を用いることができる。このように減圧又は低圧
の条件下でＣＶＤ膜を成膜することによりＣＶＤ膜を各
部材相互間に形成される隙間内の奥側にまで入込んで成
膜できることとなり、各部材間に生じるぐらつきをより
確実に抑制できることとなる。

【００２４】

【発明の効果】以上のように本発明よれば、複数の各支
持部材間における接合部分をＣＶＤ膜で被覆するように
しているので、各支持部材を組合わせた接合部分の隙間
にＣＶＤ膜が入込み、各支持部材相互間を緊合状態とす
ることにより装置全体のぐらつきを無くすことができる
という効果を奏する。特に、複数の各支持部材における
接合部分に形成される隙間部分にはＣＶＤ膜が盛上がる
ように厚く成膜されることから、各支持部材相互間をＣ
ＶＤ膜により強固に結合できるという効果を有する。こ
のように装置のぐらつきを無くすことによりウェーハ移
載時の半導体ウェーハへの傷を極力抑制できると共に、
スリップ等によるウェーハの歩留低下を防止でき、製品
歩留の向上が可能となるという効果を有する。また、本
発明においては、ＣＶＤ膜を支持部材の材質又は被覆膜
に対応させてポリシリコン膜、シリコンカーバイト膜、
窒化膜又は酸化膜とすることにより、耐熱特性を部材全
体で均一にできることとなり、各部材の変形、変質を防
止して装置全体の組立堅牢性及び安定性をより向上させ
るという効果を有する。また、本発明においては、複数
の支持部材を組立てた後に、減圧又は低圧状態の反応室
で各支持部材の接合部分をＣＶＤ膜で被覆するようにし
ているので、各支持部材の接合部分に形成される隙間内
の奥までＣＶＤ膜を入り込ませて成膜することにより、
装置自体のぐらつきをより的確に防止できるという効果
を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に係るウェーハ支持装置
を組立てた場合の組付け構造部分拡大図及びそのＡ−Ａ
線断面図である。

【図２】図１に記載のウェーハ支持装置の形成及び組立
の動作フローチャート図である。

【図３】他の実施の形態に係るウェーハ支持装置の組付
け構造部分拡大図である。

【図４】他の実施の形態に係るウェーハ支持装置の組付
け構造部分拡大図である。

【図５】従来の横型の組立式ウェーハ支持装置の組立状
態説明図である。

【図６】図５に記載のウェーハ支持装置を組立てた場合
の組付け構造部分拡大図及びそのＡ’−Ａ’線断面図で
ある。

【図７】従来の縦型の組立式ウェーハ支持装置の組立状
態図である。

【図８】従来のウェーハ支持装置の形成及び組立て動作
フローチャート図である。

【符号の説明】

１、２、６、７ 支持本体部材 ３、４ 側枠部材 ８ 基板 ９ 天板 １０ 隙間 １１、２１、６１ｃ、６２ｃ、７１ｃ、７２ｃ 支承溝 １２、１３、２２、２３ 嵌合突起部 １２ａ、１３ａ、２２ａ、２３ａ 鉤状溝部 １５ 嵌合突起部 ３１、３２、４１、４２ 取付孔 ３３ 取付凹部 ５１、〜、５４ 保持片 ５５ 楔部材 ６１、６２、７１、７２ 支持杆 ６１ａ、６１ｂ、６２ａ、６２ｂ、７１ａ、７１ｂ、７
２ａ、７２ｂ 固定突片 ８１、８２、９１、９２ 固定孔 １００、１０１、１０２ ＣＶＤ膜

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の支持部材を組立てて形成されるウ
   ェーハ支持装置において、 前記各支持部材の組立により形成される接合部分をＣＶ
   Ｄ膜で被覆することを特徴とするウェーハ支持装置。
2. 【請求項２】 前記請求項１に記載のウェーハ支持装置
   において、 前記ＣＶＤ膜が前記支持部材の材質に対応したポリシリ
   コン膜若しくはシリコンカーバイト膜、又は前記支持部
   材上に生成された被覆膜と同じ窒化膜若しくは酸化膜で
   あることを特徴とするウェーハ支持装置。
3. 【請求項３】 複数の支持部材を組立てて形成されるウ
   ェーハ支持装置の製造方法において、 前記複数の支持部材を組立てる組立工程と、 前記組立工程により組立られたウェーハ支持装置を減圧
   又は低圧状態の反応室内に収納し、気相又は前記支持部
   材の表面での化学反応により各支持部材の組立により形
   成される接合部分にＣＶＤ膜で被覆する成膜工程とを備
   えることを特徴とするウェーハ支持装置の製造方法。